JPH11310651A - 基板の表面改質方法 - Google Patents
基板の表面改質方法Info
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- JPH11310651A JPH11310651A JP11063314A JP6331499A JPH11310651A JP H11310651 A JPH11310651 A JP H11310651A JP 11063314 A JP11063314 A JP 11063314A JP 6331499 A JP6331499 A JP 6331499A JP H11310651 A JPH11310651 A JP H11310651A
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- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高分子材料の表面に滴下した液体の濡れ拡が
り性を向上させる高分子材料の表面改質方法を得る。 【解決手段】 基板２は、その表面に高分子材料による
膜が設けられて構成される。この高分子材料のレーザ照
射エリア１、すなわち、液体により基板状に仮固定され
る電子部品等の場所に、光エネルギとしてレーザ光３を
照射する。レーザ光３としては、波長１００nm〜６００
nm、エネルギ密度０．０５Ｊ／cm2〜０．５Ｊ／cm2のも
のが使用される。 【効果】 高分子材料に光エネルギを与えることにより
表面改質が行われ、液体の濡れ拡がり性を向上させるこ
とができる。本発明による改質処理は、処理表面に、は
んだ付けを行うための金属配線パターンが存在するよう
な場合にも適用可能であり、また、必要なエリアのみの
表面改質を行うことができるので、必要最小限の液体を
使用するだけで、電子部品の仮固定を行うことができ
る。
り性を向上させる高分子材料の表面改質方法を得る。 【解決手段】 基板２は、その表面に高分子材料による
膜が設けられて構成される。この高分子材料のレーザ照
射エリア１、すなわち、液体により基板状に仮固定され
る電子部品等の場所に、光エネルギとしてレーザ光３を
照射する。レーザ光３としては、波長１００nm〜６００
nm、エネルギ密度０．０５Ｊ／cm2〜０．５Ｊ／cm2のも
のが使用される。 【効果】 高分子材料に光エネルギを与えることにより
表面改質が行われ、液体の濡れ拡がり性を向上させるこ
とができる。本発明による改質処理は、処理表面に、は
んだ付けを行うための金属配線パターンが存在するよう
な場合にも適用可能であり、また、必要なエリアのみの
表面改質を行うことができるので、必要最小限の液体を
使用するだけで、電子部品の仮固定を行うことができ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高分子材料を有す
る基板の表面改質方法に係り、特に、電子回路基板上に
電子部品を仮固定するために使用する液体の濡れ拡がり
性を向上させるために使用して好適な基板の表面改質方
法に関する。
る基板の表面改質方法に係り、特に、電子回路基板上に
電子部品を仮固定するために使用する液体の濡れ拡がり
性を向上させるために使用して好適な基板の表面改質方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】高分子材料の表面改質方法に関する従来
技術として、例えば、Ｏ2 アッシャ、あるいは、Ａｒス
パッタ等によるによる方法が知られている。これらの方
法は、処理すべき高分子材料層が塗布された回路基板等
を真空容器内に設置して処理を行うもので、基板上の高
分子材料の全面に対して表面改質を行うものである。
技術として、例えば、Ｏ2 アッシャ、あるいは、Ａｒス
パッタ等によるによる方法が知られている。これらの方
法は、処理すべき高分子材料層が塗布された回路基板等
を真空容器内に設置して処理を行うもので、基板上の高
分子材料の全面に対して表面改質を行うものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前述した従来技術は、
真空雰囲気中でのみ基板表面の改質が可能なものであ
り、真空装置、真空容器等を含む大がかりな装置を必要
とするという問題点を有している。また、この従来技術
は、基板上の高分子材料の全面に対しての表面改質を行
うものであるため、電子回路基板等において、その上の
電子部品を仮固定する領域以外の処理不要なエリアまで
改質が行われてしまい、その結果、電子部品の仮固定に
使用する液体が、部品の仮固定に不要な部分まで濡れ拡
がることになり、多くの無駄な液体を必要とするという
問題点を有する。
真空雰囲気中でのみ基板表面の改質が可能なものであ
り、真空装置、真空容器等を含む大がかりな装置を必要
とするという問題点を有している。また、この従来技術
は、基板上の高分子材料の全面に対しての表面改質を行
うものであるため、電子回路基板等において、その上の
電子部品を仮固定する領域以外の処理不要なエリアまで
改質が行われてしまい、その結果、電子部品の仮固定に
使用する液体が、部品の仮固定に不要な部分まで濡れ拡
がることになり、多くの無駄な液体を必要とするという
問題点を有する。
【０００４】本発明の目的は、前記従来技術の問題点を
解決し、真空装置、真空容器等を必要とすることなく、
かつ、電子部品の仮固定のために必要とする領域のみに
ついて、基板の表面改質を行うことを可能にした高分子
材料の表面改質方法を提供することにある。
解決し、真空装置、真空容器等を必要とすることなく、
かつ、電子部品の仮固定のために必要とする領域のみに
ついて、基板の表面改質を行うことを可能にした高分子
材料の表面改質方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明によれば前記目的
は、回路基板等の表面に塗布された高分子材料の必要と
する領域表面にのみ光エネルギを照射することにより達
成される。
は、回路基板等の表面に塗布された高分子材料の必要と
する領域表面にのみ光エネルギを照射することにより達
成される。
【０００６】本発明は、高分子材料の表面の表面改質が
必要な領域にのみ光エネルギを与えることにより、光エ
ネルギが照射された部分のみの表面改質をすることがで
き、必要とする領域のみで液体の濡れ拡がり性を向上さ
せることができる。これにより、電子部品等を仮固定す
るための液体を、処理エリア内のみで濡れ拡がらせるこ
とができ、必要最少量の液体により、処理エリア内を濡
らすことができる。
必要な領域にのみ光エネルギを与えることにより、光エ
ネルギが照射された部分のみの表面改質をすることがで
き、必要とする領域のみで液体の濡れ拡がり性を向上さ
せることができる。これにより、電子部品等を仮固定す
るための液体を、処理エリア内のみで濡れ拡がらせるこ
とができ、必要最少量の液体により、処理エリア内を濡
らすことができる。
【０００７】また、本発明は、処理エリア内に、はんだ
付けを行うための金属パターンが存在するような場合に
も、金属パターンにダメージを与えることなく絶縁物で
ある高分子材料の表面改質を行うことができる。
付けを行うための金属パターンが存在するような場合に
も、金属パターンにダメージを与えることなく絶縁物で
ある高分子材料の表面改質を行うことができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明による基板の表面改
質方法の一実施形態を図面により詳細に説明する。
質方法の一実施形態を図面により詳細に説明する。
【０００９】図１は本発明の一実施形態による高分子材
料を有する基板の表面改質方法を説明する図、図２は被
処理基板の構成例を示す図、図３は本発明の一実施形態
による処理を行った基板に電子部品を仮固定した状態を
説明する図、図４ははんだ付けを行うための金属パター
ンが処理領域に存在する場合について説明する図、図５
は光エネルギの照射形状の例を説明する図、図６は本発
明の一実施形態による液体の濡れ状態を従来技術と比較
して説明する図、図７は表面改質の評価方法を説明する
図、図８は液滴の接触角からエキシマレーザの最適エネ
ルギ密度を求めるための実験結果を説明する図である。
図１〜図７において、１はレーザ照射エリア、２は基
板、３はレーザ光、４は高分子材料層、５はベース材、
６は電子部品、７は仮固定用液体、８は金属配線、９は
Ｏ2 アッシャエリア、１０はスポイト、１１は濡れ拡が
りエリアである。
料を有する基板の表面改質方法を説明する図、図２は被
処理基板の構成例を示す図、図３は本発明の一実施形態
による処理を行った基板に電子部品を仮固定した状態を
説明する図、図４ははんだ付けを行うための金属パター
ンが処理領域に存在する場合について説明する図、図５
は光エネルギの照射形状の例を説明する図、図６は本発
明の一実施形態による液体の濡れ状態を従来技術と比較
して説明する図、図７は表面改質の評価方法を説明する
図、図８は液滴の接触角からエキシマレーザの最適エネ
ルギ密度を求めるための実験結果を説明する図である。
図１〜図７において、１はレーザ照射エリア、２は基
板、３はレーザ光、４は高分子材料層、５はベース材、
６は電子部品、７は仮固定用液体、８は金属配線、９は
Ｏ2 アッシャエリア、１０はスポイト、１１は濡れ拡が
りエリアである。
【００１０】本発明の一実施形態による高分子材料の表
面改質方法により処理を行う基板２は、図２にその構成
例として示すように、セラミック等によるベース材５の
表面に、ＰＩＱ（ポリイミド−イソインドロキナゾリン
ジオン）、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）等に
よる高分子材料層４が絶縁物層として塗布されて構成さ
れている。このような基板２上には、電子回路を形成す
るために必要な金属配線が施され、所定の場所に、ＬＳ
Ｉ等の電子部品がはんだ付けされる。
面改質方法により処理を行う基板２は、図２にその構成
例として示すように、セラミック等によるベース材５の
表面に、ＰＩＱ（ポリイミド−イソインドロキナゾリン
ジオン）、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）等に
よる高分子材料層４が絶縁物層として塗布されて構成さ
れている。このような基板２上には、電子回路を形成す
るために必要な金属配線が施され、所定の場所に、ＬＳ
Ｉ等の電子部品がはんだ付けされる。
【００１１】本発明の一実施形態は、ＬＳＩ等の電子部
品をはんだ付けするに際して、電子部品等を仮固定用液
体を用いて仮固定する場合の、前記仮固定用液体の濡れ
性を改善するものである。
品をはんだ付けするに際して、電子部品等を仮固定用液
体を用いて仮固定する場合の、前記仮固定用液体の濡れ
性を改善するものである。
【００１２】本発明の一実施形態による高分子材料の表
面改質方法は、図１に示すように、高分子材料層４が塗
布されて形成される基板２の電子部品を仮固定する領域
であるレーザ照射エリア１に、レーザ光３による光エネ
ルギを照射することにより行われる。レーザ光３の光源
としては、エキシマレーザが使用される。レーザ光３
は、その波長１００nm〜６００nm、エネルギ密度０．０
５Ｊ／cm2〜０．５Ｊ／cm2とするのが好適である。
面改質方法は、図１に示すように、高分子材料層４が塗
布されて形成される基板２の電子部品を仮固定する領域
であるレーザ照射エリア１に、レーザ光３による光エネ
ルギを照射することにより行われる。レーザ光３の光源
としては、エキシマレーザが使用される。レーザ光３
は、その波長１００nm〜６００nm、エネルギ密度０．０
５Ｊ／cm2〜０．５Ｊ／cm2とするのが好適である。
【００１３】レーザ光３を照射して表面改質が実施され
た基板２の表面は、レーザ照射エリア１に電子部品仮固
定用の液体７として、例えば、テトラエチレングリコー
ル、ペンタエチレングリコール等のアルコール系溶剤が
滴下されると、その液体７をレーザ照射エリア１内に均
等に濡れ拡がらせ、処理を施していない基板２の表面に
液体７を濡れ拡がらせることがない。このため、本発明
の一実施形態を施した基板２は、図３に示すように、Ｌ
ＳＩ等の電子部品６を、はんだ付けを行う前に、基板２
上の所定の位置に液体７により仮固定することができ
る。
た基板２の表面は、レーザ照射エリア１に電子部品仮固
定用の液体７として、例えば、テトラエチレングリコー
ル、ペンタエチレングリコール等のアルコール系溶剤が
滴下されると、その液体７をレーザ照射エリア１内に均
等に濡れ拡がらせ、処理を施していない基板２の表面に
液体７を濡れ拡がらせることがない。このため、本発明
の一実施形態を施した基板２は、図３に示すように、Ｌ
ＳＩ等の電子部品６を、はんだ付けを行う前に、基板２
上の所定の位置に液体７により仮固定することができ
る。
【００１４】また、前述した本発明の一実施形態による
高分子材料の表面改質方法は、はんだ付けを行うための
金属パターンが存在するような基板２の表面に対して施
された場合にも、図４に示すように、金属配線８にダメ
ージを与えることなく、基板２に塗布されている高分子
材料層４の表面改質が可能であった。
高分子材料の表面改質方法は、はんだ付けを行うための
金属パターンが存在するような基板２の表面に対して施
された場合にも、図４に示すように、金属配線８にダメ
ージを与えることなく、基板２に塗布されている高分子
材料層４の表面改質が可能であった。
【００１５】さらに、本発明の一実施形態による方法に
おいて、レーザ照射エリア１の形状は、図５に示すよう
に、照射するレーザ光３の断面形状により任意の形状と
することができ、例えば、図５（ａ）に示す四角形、図
５（ｂ）に示す円形、図５（ｃ）に示す広い範囲を改質
するための複数集合形等の形状とすることができる。ま
た、本発明の一実施形態による方法は、大気中、真空
中、Ｈｅアシスト中においても有効であり、高分子材料
層４の表面改質が可能である。
おいて、レーザ照射エリア１の形状は、図５に示すよう
に、照射するレーザ光３の断面形状により任意の形状と
することができ、例えば、図５（ａ）に示す四角形、図
５（ｂ）に示す円形、図５（ｃ）に示す広い範囲を改質
するための複数集合形等の形状とすることができる。ま
た、本発明の一実施形態による方法は、大気中、真空
中、Ｈｅアシスト中においても有効であり、高分子材料
層４の表面改質が可能である。
【００１６】次に、図６を参照して前述した本発明の一
実施形態による方法を施した場合の液体の濡れ拡がりの
状態を、従来技術の場合と比較して説明する。
実施形態による方法を施した場合の液体の濡れ拡がりの
状態を、従来技術の場合と比較して説明する。
【００１７】図６（ａ）に示すように、本発明の一実施
形態による方法を施した場合のアルコール系溶剤である
液体７の濡れ拡がりは、レーザ光を照射した領域１の部
分のみとなる。これは、本発明の一実施形態による処理
を行っていない部分は、その部分に液体が滴下され、あ
るいは、レーザ光を照射した領域１から液体が侵入しよ
うとしても、その表面張力により液体を濡れ拡がらせる
ことがないためである。
形態による方法を施した場合のアルコール系溶剤である
液体７の濡れ拡がりは、レーザ光を照射した領域１の部
分のみとなる。これは、本発明の一実施形態による処理
を行っていない部分は、その部分に液体が滴下され、あ
るいは、レーザ光を照射した領域１から液体が侵入しよ
うとしても、その表面張力により液体を濡れ拡がらせる
ことがないためである。
【００１８】一方、従来技術による方法の場合、図６
（ｂ）に示すように、その処理領域を特定の領域に限定
することができず、基板の全面を処理しなければならな
いため、図６（ｂ）に示すように、液体７は、基板表面
の全てに濡れ拡がってしまうことになる。
（ｂ）に示すように、その処理領域を特定の領域に限定
することができず、基板の全面を処理しなければならな
いため、図６（ｂ）に示すように、液体７は、基板表面
の全てに濡れ拡がってしまうことになる。
【００１９】次に、図７を参照して、本発明の一実施形
態による方法の評価方法を説明する。まず、図２に示す
ような基板２をサンプルとして用意し、エキシマレーザ
を、そのエネルギ密度０．１Ｊ／cm2 、時間３０ｎｓと
して、１回基板に照射する。その後、図７（１）に示す
ように、スポイト１０を使用して、アルコール系溶剤の
液体７を滴下し、図７（２）に示すように、その液体滴
を濡れ拡がらせた。そして、濡れ拡がった液体滴を１５
分間放置し、図７（３）に示すように、液体７が処理領
域全面に拡がったまま変化がなく、また、被処理領域に
漏れ出ていないことにより、表面の改質が充分になされ
たと評価した。
態による方法の評価方法を説明する。まず、図２に示す
ような基板２をサンプルとして用意し、エキシマレーザ
を、そのエネルギ密度０．１Ｊ／cm2 、時間３０ｎｓと
して、１回基板に照射する。その後、図７（１）に示す
ように、スポイト１０を使用して、アルコール系溶剤の
液体７を滴下し、図７（２）に示すように、その液体滴
を濡れ拡がらせた。そして、濡れ拡がった液体滴を１５
分間放置し、図７（３）に示すように、液体７が処理領
域全面に拡がったまま変化がなく、また、被処理領域に
漏れ出ていないことにより、表面の改質が充分になされ
たと評価した。
【００２０】次に、図８を参照して、エキシマレーザの
最適エネルギ密度を求めるための実験結果を説明する。
最適エネルギ密度を求めるための実験結果を説明する。
【００２１】表面改質の評価は、図８（ａ）に示すよう
に、仮固定液を基板表面に滴下したときの仮固定液と基
板表面とのなす角である接触角１２によって行うことが
でき、通常接触角が２０度以下であれば、濡れ性に関す
る表面の改質が充分になされたとすることができる。図
８（ｂ）は、エキシマレーザのエネルギ密度と前述した
接触角との関係を示す実験結果であり、図から判るよう
に、エキシマレーザのエネルギ密度は、０．０５Ｊ／cm
2 以上として、時間３０ｎｓで１回レーザを基板に照射
したときに、接触角を充分に小さくすることができ、濡
れ性の改善を図ることができる。しかし、エネルギ密度
が０．１５Ｊ／cm2 を越えると、加工残渣が増加すると
いう問題が生じるようになる。このことから、エキシマ
レーザは、そのエネルギ密度を、０．０５Ｊ／cm2〜
０．１５Ｊ／cm2として、時間３０ｎｓで１回だけ基板
に照射するのがよいことがわかる。
に、仮固定液を基板表面に滴下したときの仮固定液と基
板表面とのなす角である接触角１２によって行うことが
でき、通常接触角が２０度以下であれば、濡れ性に関す
る表面の改質が充分になされたとすることができる。図
８（ｂ）は、エキシマレーザのエネルギ密度と前述した
接触角との関係を示す実験結果であり、図から判るよう
に、エキシマレーザのエネルギ密度は、０．０５Ｊ／cm
2 以上として、時間３０ｎｓで１回レーザを基板に照射
したときに、接触角を充分に小さくすることができ、濡
れ性の改善を図ることができる。しかし、エネルギ密度
が０．１５Ｊ／cm2 を越えると、加工残渣が増加すると
いう問題が生じるようになる。このことから、エキシマ
レーザは、そのエネルギ密度を、０．０５Ｊ／cm2〜
０．１５Ｊ／cm2として、時間３０ｎｓで１回だけ基板
に照射するのがよいことがわかる。
【００２２】前述したように本発明の一実施形態による
高分子材料の表面改質方法によれば、高分子材料の表面
の表面改質が必要な領域にのみ光エネルギを与えること
により、光エネルギが照射された部分のみの表面改質を
することができ、必要とする領域のみで液体の濡れ拡が
り性を向上させることができる。これにより、電子部品
等を仮固定するための液体を、処理エリア内のみで濡れ
拡がらせることができ、必要最少量の液体により、処理
エリア内を濡らすことができる。
高分子材料の表面改質方法によれば、高分子材料の表面
の表面改質が必要な領域にのみ光エネルギを与えること
により、光エネルギが照射された部分のみの表面改質を
することができ、必要とする領域のみで液体の濡れ拡が
り性を向上させることができる。これにより、電子部品
等を仮固定するための液体を、処理エリア内のみで濡れ
拡がらせることができ、必要最少量の液体により、処理
エリア内を濡らすことができる。
【００２３】また、処理エリア内に、はんだ付けを行う
ための金属パターンが存在するような場合にも、金属パ
ターンにダメージを与えることなく高分子材料の表面改
質を行うことができる。
ための金属パターンが存在するような場合にも、金属パ
ターンにダメージを与えることなく高分子材料の表面改
質を行うことができる。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、高
分子材料に光エネルギを与えるだけの簡単な方法によ
り、高分子材料の所望の領域のみの表面改質を行うこと
ができ、電子部品等を仮固定するための液体の濡れ拡が
り性を向上させることができる。また、処理エリア内
に、はんだ付けを行うための金属パターンが存在するよ
うな場合にも、金属パターンにダメージを与えることな
く高分子材料の表面改質を行うことができる。
分子材料に光エネルギを与えるだけの簡単な方法によ
り、高分子材料の所望の領域のみの表面改質を行うこと
ができ、電子部品等を仮固定するための液体の濡れ拡が
り性を向上させることができる。また、処理エリア内
に、はんだ付けを行うための金属パターンが存在するよ
うな場合にも、金属パターンにダメージを与えることな
く高分子材料の表面改質を行うことができる。
【００２５】本発明によれば、必要な領域のみの表面改
質を行うことができるので、必要最少量の仮固定用の液
体を使用するだけで、電子部品等を基板上に仮固定する
ことができる。
質を行うことができるので、必要最少量の仮固定用の液
体を使用するだけで、電子部品等を基板上に仮固定する
ことができる。
【図１】本発明の一実施形態による高分子材料を有する
基板の表面改質方法を説明する図である。
基板の表面改質方法を説明する図である。
【図２】被処理基板の構成例を示す図である。
【図３】本発明の一実施形態による処理を行った基板に
電子部品を仮固定した状態を説明する図である。
電子部品を仮固定した状態を説明する図である。
【図４】はんだ付けを行うための金属パターンが処理領
域に存在する場合について説明する図である。
域に存在する場合について説明する図である。
【図５】光エネルギの照射形状の例を説明する図であ
る。
る。
【図６】本発明の一実施形態による液体の濡れ状態を従
来技術と比較して説明する図である。
来技術と比較して説明する図である。
【図７】表面改質の評価方法を説明する図である。
【図８】液滴の接触角からエキシマレーザの最適エネル
ギ密度を求めるための実験結果を説明する図である。
ギ密度を求めるための実験結果を説明する図である。
１ レーザ照射エリア ２ 基板 ３ レーザ光 ４ 高分子材料層 ５ ベース材 ６ 電子部品 ７ 仮固定用液体 ８ 金属配線 ９ Ｏ2 アッシャエリア １０ スポイト １１ 濡れ拡がりエリア
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 和井 伸一 神奈川県秦野市堀山下１番地 株式会社日 立製作所汎用コンピュータ事業部内 (72)発明者 佐々木 秀昭 神奈川県秦野市堀山下１番地 株式会社日 立製作所汎用コンピュータ事業部内 (72)発明者 岩田 泰宏 神奈川県秦野市堀山下１番地 株式会社日 立製作所汎用コンピュータ事業部内
Claims (6)
- 【請求項１】 一表面に高分子材料層を有する基板の表
面改質方法において、 光エネルギを照射するための光源を用意し、 前記基板の前記一表面において液体に対する濡れ拡がり
性を改良するための第１の領域と該第１の領域以外の第
２の領域を予め規定し、 前記第１の領域に前記光源から１００ｎｍ〜６００ｎｍ
の波長を有する光エネルギを照射することを特徴とする
表面改質方法。 - 【請求項２】 前記光エネルギは、０．０５Ｊ／ｃｍ2
〜０．５Ｊ／ｃｍ2のエネルギ密度を有することを特徴
とする請求項１記載の表面改質方法。 - 【請求項３】 前記高分子材料はＰＩＱ（ポリイミド−
イソインドロキナゾリンジオン）またはＰＭＭＡ（ポリ
メチルメタクリレート）であることを特徴とする請求項
１記載の表面改質方法。 - 【請求項４】 前記光源はエキシマ光源であることを特
徴とする請求項１記載の表面改質方法。 - 【請求項５】 前記光エネルギーの照射は、大気中、真
空中、Ｈｅアシスト中のいずれかの雰囲気中で行われる
ことを特徴とする請求項１記載の表面改質方法。 - 【請求項６】 前記液体はアルコール系溶剤であること
を特徴とする請求項１記載の表面改質方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06331499A JP3619698B2 (ja) | 1999-03-10 | 1999-03-10 | 電子部品搭載用基板の表面改質方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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1999
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| WO2003093018A1 (en) * | 2002-04-30 | 2003-11-13 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Surface characteristic apparatus and method |
| US7861409B2 (en) | 2002-04-30 | 2011-01-04 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of preparing orifice counterbore surface |
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