JPH11312719A - Ｃｚシリコンウェハ中の鉄汚染の検出方法 - Google Patents
Ｃｚシリコンウェハ中の鉄汚染の検出方法Info
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Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＣＺ−Ｓｉウェハ中の鉄汚染を鉄が酸化物析
出物に捕らえられた状態で検出する方法で、いかなる導
電型のウェハに対しても適用できる検出方法を提供す
る。 【解決手段】 本発明では、Ｓｉサンプルに外部磁界を
印加して電子スピンシステムを分極する工程と、Ｓｉサ
ンプルに光を照射して励起過剰キャリアを生成する光照
射工程と、印加する外部磁界の強度を所定の範囲で変更
して行う磁場掃引工程と、過剰キャリアの再結合速度に
おける共鳴変化を伴う磁場掃引工程中、Ｓｉサンプルの
抵抗率の共鳴変化を測定する共鳴検出工程とを含み、シ
リコン中の鉄（Ｆｅ）汚染を検出することを特徴とす
る。
出物に捕らえられた状態で検出する方法で、いかなる導
電型のウェハに対しても適用できる検出方法を提供す
る。 【解決手段】 本発明では、Ｓｉサンプルに外部磁界を
印加して電子スピンシステムを分極する工程と、Ｓｉサ
ンプルに光を照射して励起過剰キャリアを生成する光照
射工程と、印加する外部磁界の強度を所定の範囲で変更
して行う磁場掃引工程と、過剰キャリアの再結合速度に
おける共鳴変化を伴う磁場掃引工程中、Ｓｉサンプルの
抵抗率の共鳴変化を測定する共鳴検出工程とを含み、シ
リコン中の鉄（Ｆｅ）汚染を検出することを特徴とす
る。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チョクラルスキー
法で成長させたシリコン（ＣＺ−Ｓｉ）中の鉄（Ｆｅ）
汚染の検出方法、これを用いたシリコンウェハの製造方
法、およびこれを用いた製造ラインでのＣＺ−Ｓｉ半導
体デバイスの製造法に関する。具体的には、本発明は、
キャリアスピン共鳴の電気的検出を利用した鉄検出方法
に関する。
法で成長させたシリコン（ＣＺ−Ｓｉ）中の鉄（Ｆｅ）
汚染の検出方法、これを用いたシリコンウェハの製造方
法、およびこれを用いた製造ラインでのＣＺ−Ｓｉ半導
体デバイスの製造法に関する。具体的には、本発明は、
キャリアスピン共鳴の電気的検出を利用した鉄検出方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの性能は、極めて低濃度
の欠陥や知らないうちに混入した不純物によってさえ大
きく影響される。したがって、こうした欠陥や不純物の
検出と濃度の測定は非常に重要な課題である。今日のＣ
Ｚ−Ｓｉインゴットとウェハの純度レベルは極めて高
く、不純物や欠陥の有害な濃度は１０10ｃｍ-3レベル以
下であり、超高感度の測定方法を必要とする。
の欠陥や知らないうちに混入した不純物によってさえ大
きく影響される。したがって、こうした欠陥や不純物の
検出と濃度の測定は非常に重要な課題である。今日のＣ
Ｚ−Ｓｉインゴットとウェハの純度レベルは極めて高
く、不純物や欠陥の有害な濃度は１０10ｃｍ-3レベル以
下であり、超高感度の測定方法を必要とする。
【０００３】Ｓｉを主成分とする電子デバイスにとって
特に有害なのは、製造過程でＳｉ材料に混入しやすい鉄
である。最近、いくつかの方法を用いてシリコンウェハ
中の鉄汚染が検出されている。
特に有害なのは、製造過程でＳｉ材料に混入しやすい鉄
である。最近、いくつかの方法を用いてシリコンウェハ
中の鉄汚染が検出されている。
【０００４】電子スピン共鳴法（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓ
ｐｉｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ、ＥＳＲ）や深準位過渡分
光法（Ｄｅｅｐ Ｌｅｖｅｌ Ｔｒａｎｓｉｅｎｔ Ｓ
ｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ、ＤＬＴＳ）などの方法はｎ型
とｐ型のＳｉウェハ中の鉄を検出できるが、ＥＳＲおよ
びＤＬＴＳ法の感度は、現在の汚染濃度レベルに対して
充分に高いとは言えない。表面光電圧（Ｓｕｒｆａｃｅ
Ｐｈｏｔｏ Ｖｏｌｔａｇｅ、ＳＰＶ）測定法やマイ
クロ波光導電減衰（Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｐｈｏｔｏ
Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｄｅｃａｙ：μＰＣＤ）法は、
ＥＳＲやＤＬＴＳ法に比べＦｅ不純物に対して遙かに感
度が良いが、ｐ型Ｓｉ材料にしか適用できない。
ｐｉｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ、ＥＳＲ）や深準位過渡分
光法（Ｄｅｅｐ Ｌｅｖｅｌ Ｔｒａｎｓｉｅｎｔ Ｓ
ｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ、ＤＬＴＳ）などの方法はｎ型
とｐ型のＳｉウェハ中の鉄を検出できるが、ＥＳＲおよ
びＤＬＴＳ法の感度は、現在の汚染濃度レベルに対して
充分に高いとは言えない。表面光電圧（Ｓｕｒｆａｃｅ
Ｐｈｏｔｏ Ｖｏｌｔａｇｅ、ＳＰＶ）測定法やマイ
クロ波光導電減衰（Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｐｈｏｔｏ
Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｄｅｃａｙ：μＰＣＤ）法は、
ＥＳＲやＤＬＴＳ法に比べＦｅ不純物に対して遙かに感
度が良いが、ｐ型Ｓｉ材料にしか適用できない。
【０００５】現在のデバイス製造過程における鉄汚染に
対処する可能性の１つは、いわゆるインターナルゲッタ
リング(IG)法の採用である。インターナルゲッタリング
では、ＣＺ−Ｓｉウェハに３工程アニーリングを行う。
すなわち、高温アニーリング、低温アニーリング、そし
て高温アニーリングという工程である。最初の高温アニ
ーリングで、ウェハの表面領域付近から酸素が拡散す
る。この工程によって表面領域付近での酸化物析出物の
生成が防がれ、ウェハの表面付近にいわゆる無欠陥領域
（ＤＺ）が生じる。２回目のアニーリングはＣＺ−Ｓｉ
ウェハの酸素の豊富な領域に酸化物析出物を生じさせる
ことを目的としている。そして３回目のアニーリング
は、２回目のアニーリング中に生じた析出物を大きくす
る。IGプロセスを終えたＣＺ−Ｓｉウェハは、清浄で無
欠陥な表面領域と、析出プロセスで生じた析出物および
その他の欠陥を有するバルク領域からなる。IGプロセス
中に生じた析出物は、周囲のＳｉから鉄原子を除き（捕
獲し）、ウェハの内部を清浄化する能力を有する。鉄で
修飾されたかかる酸素析出物は、デバイスの活性領域外
にあるため、デバイスの性能には影響を及ぼさないと考
えられる。
対処する可能性の１つは、いわゆるインターナルゲッタ
リング(IG)法の採用である。インターナルゲッタリング
では、ＣＺ−Ｓｉウェハに３工程アニーリングを行う。
すなわち、高温アニーリング、低温アニーリング、そし
て高温アニーリングという工程である。最初の高温アニ
ーリングで、ウェハの表面領域付近から酸素が拡散す
る。この工程によって表面領域付近での酸化物析出物の
生成が防がれ、ウェハの表面付近にいわゆる無欠陥領域
（ＤＺ）が生じる。２回目のアニーリングはＣＺ−Ｓｉ
ウェハの酸素の豊富な領域に酸化物析出物を生じさせる
ことを目的としている。そして３回目のアニーリング
は、２回目のアニーリング中に生じた析出物を大きくす
る。IGプロセスを終えたＣＺ−Ｓｉウェハは、清浄で無
欠陥な表面領域と、析出プロセスで生じた析出物および
その他の欠陥を有するバルク領域からなる。IGプロセス
中に生じた析出物は、周囲のＳｉから鉄原子を除き（捕
獲し）、ウェハの内部を清浄化する能力を有する。鉄で
修飾されたかかる酸素析出物は、デバイスの活性領域外
にあるため、デバイスの性能には影響を及ぼさないと考
えられる。
【０００６】一旦酸素析出物によって捕らえられた鉄原
子はホウ素原子と相互作用しないため、従来のＳＰＶ法
あるいはμＰＣＤ法では検出できない。
子はホウ素原子と相互作用しないため、従来のＳＰＶ法
あるいはμＰＣＤ法では検出できない。
【０００７】前述のとおり、従来の鉄汚染測定法には様
々な種類の問題がある。たとえばESR法とDLTS法は感度
が十分でない。SPV法とμＰＣＤ法はｐ型のシリコンウ
ェハにしか適用できず、酸化物析出物が捕らえた鉄原子
を検出できない。
々な種類の問題がある。たとえばESR法とDLTS法は感度
が十分でない。SPV法とμＰＣＤ法はｐ型のシリコンウ
ェハにしか適用できず、酸化物析出物が捕らえた鉄原子
を検出できない。
【０００８】一方、ＩＧ法を用いたデバイス製造過程で
はシリコンの鉄汚染が発生したことを検出できない。し
たがって、析出物のあるバルクの形成がデバイスの良好
な性能にとって必要な工程であるか否か判断することさ
えできない。
はシリコンの鉄汚染が発生したことを検出できない。し
たがって、析出物のあるバルクの形成がデバイスの良好
な性能にとって必要な工程であるか否か判断することさ
えできない。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の状況を
考慮してなされたものであり、本発明の目的は、酸化物
析出物が鉄原子を捕らえた状態での鉄検出法を提供する
ことである。この検出方法は両方の導電型に対しても適
用でき、かつ高感度である。
考慮してなされたものであり、本発明の目的は、酸化物
析出物が鉄原子を捕らえた状態での鉄検出法を提供する
ことである。この検出方法は両方の導電型に対しても適
用でき、かつ高感度である。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の側面によ
れば、Ｓｉサンプルに外部磁界を印加して電子スピンシ
ステムを分極させる分極工程；Ｓｉサンプルにエネルギ
ーを付与して過剰キャリアを生成するキャリア励起工
程；マイクロ波が照射されているマイクロ波キャビティ
にＳｉサンプルを配置するサンプルのマイクロ波照射工
程；印加する外部磁界の強度を変更して行う磁界掃引工
程；磁界掃引工程中に励起キャリアの再結合速度におけ
る共鳴変化を検出する共鳴検出工程；シリコンウェハ中
の鉄汚染の検出工程；を含む鉄汚染検出方法が提供され
る。
れば、Ｓｉサンプルに外部磁界を印加して電子スピンシ
ステムを分極させる分極工程；Ｓｉサンプルにエネルギ
ーを付与して過剰キャリアを生成するキャリア励起工
程；マイクロ波が照射されているマイクロ波キャビティ
にＳｉサンプルを配置するサンプルのマイクロ波照射工
程；印加する外部磁界の強度を変更して行う磁界掃引工
程；磁界掃引工程中に励起キャリアの再結合速度におけ
る共鳴変化を検出する共鳴検出工程；シリコンウェハ中
の鉄汚染の検出工程；を含む鉄汚染検出方法が提供され
る。
【００１１】本発明の第2の側面によれば、Ｓｉサンプ
ルに外部磁界を印加して電子スピンシステムを分極させ
る分極工程；Ｓｉサンプルに光を照射して過剰キャリア
を生成する光照射工程；印加する外部磁界の強度を所定
の範囲で変えて行う磁界掃引工程；励起キャリアの再結
合速度における共鳴変化を伴う磁界掃引工程中、Ｓｉサ
ンプルの抵抗率の共鳴変化を測定する共鳴検出工程；シ
リコンウェハ中の鉄汚染の検出工程；を含むシリコンウ
ェハ中の鉄汚染の検出方法が提供される。
ルに外部磁界を印加して電子スピンシステムを分極させ
る分極工程；Ｓｉサンプルに光を照射して過剰キャリア
を生成する光照射工程；印加する外部磁界の強度を所定
の範囲で変えて行う磁界掃引工程；励起キャリアの再結
合速度における共鳴変化を伴う磁界掃引工程中、Ｓｉサ
ンプルの抵抗率の共鳴変化を測定する共鳴検出工程；シ
リコンウェハ中の鉄汚染の検出工程；を含むシリコンウ
ェハ中の鉄汚染の検出方法が提供される。
【００１２】本発明の第3の側面によれば、Ｓｉウェハ
を測定に必要な大きさに切り出し（スライス、割る）、
サンプルの相対する両端に抵抗接触子を設け、その接触
子にリード線を取り付けるサンプル準備工程；Ｓｉサン
プルに外部磁界を印加して行う電子スピンシステム分極
工程；Ｓｉサンプルに光を照射して励起過剰キャリアを
発生させる光照射工程；印加する外部磁界の強度を所定
の範囲で変えて行う磁場掃引工程；磁場掃引工程中に、
Ｓｉサンプルの抵抗率の共鳴変化を、過剰キャリアの再
結合速度における共鳴変化と結びつけて測定して行う共
鳴検出工程；測定された共鳴強度からシリコンウェハ中
の鉄汚染レベル測定する測定工程；とを含むシリコン中
の鉄汚染レベルを測定する方法が提供される。
を測定に必要な大きさに切り出し（スライス、割る）、
サンプルの相対する両端に抵抗接触子を設け、その接触
子にリード線を取り付けるサンプル準備工程；Ｓｉサン
プルに外部磁界を印加して行う電子スピンシステム分極
工程；Ｓｉサンプルに光を照射して励起過剰キャリアを
発生させる光照射工程；印加する外部磁界の強度を所定
の範囲で変えて行う磁場掃引工程；磁場掃引工程中に、
Ｓｉサンプルの抵抗率の共鳴変化を、過剰キャリアの再
結合速度における共鳴変化と結びつけて測定して行う共
鳴検出工程；測定された共鳴強度からシリコンウェハ中
の鉄汚染レベル測定する測定工程；とを含むシリコン中
の鉄汚染レベルを測定する方法が提供される。
【００１３】本発明の第4の側面によれば、マイクロ波
キャビティ内に置かれたサンプルにマイクロ波を照射し
てシリコン中の鉄汚染を測定する方法が提供される。
キャビティ内に置かれたサンプルにマイクロ波を照射し
てシリコン中の鉄汚染を測定する方法が提供される。
【００１４】本発明の第5の側面によれば、測定は、サ
ンプルの温度が１５Ｋ未満の状態でなされる。
ンプルの温度が１５Ｋ未満の状態でなされる。
【００１５】本発明の第6の側面によれば、スライスす
る前の全ての工程を終えたＣＺ−Ｓｉインゴットのいろ
いろな部分からモニターサンプルをスライスするモニタ
ーウェハ採取工程；モニターウェハをアニーリングして
ウェハ内部に酸化物析出物を生成させるウェハ準備工
程；Ｓｉウェハを測定に必要な大きさに切り出し、その
相対する両端に抵抗接触子を設け、接触子にリードを取
り付けるサンプル準備工程；Ｓｉサンプルに外部磁界を
印加して行う電子スピンシステムの分極工程；Ｓｉサン
プルに光を照射して励起過剰キャリアを生成させる光照
射工程；印加する外部磁界の強度を所定の範囲で変えて
行う磁場掃引工程；過剰キャリアの再結合における共鳴
変化を伴う磁場掃引工程中に、Ｓｉサンプルの抵抗率の
共鳴変化を測定し、モニターウェハが鉄で汚染されてい
るか否かを検出する共鳴検出工程；前記共鳴検出工程に
基づき、ＣＺ−Ｓｉインゴットが鉄で汚染されているか
否かを判断する工程；を含むＣＺ−Ｓｉインゴット製造
ライン中の鉄汚染を検出する方法が提供される。
る前の全ての工程を終えたＣＺ−Ｓｉインゴットのいろ
いろな部分からモニターサンプルをスライスするモニタ
ーウェハ採取工程；モニターウェハをアニーリングして
ウェハ内部に酸化物析出物を生成させるウェハ準備工
程；Ｓｉウェハを測定に必要な大きさに切り出し、その
相対する両端に抵抗接触子を設け、接触子にリードを取
り付けるサンプル準備工程；Ｓｉサンプルに外部磁界を
印加して行う電子スピンシステムの分極工程；Ｓｉサン
プルに光を照射して励起過剰キャリアを生成させる光照
射工程；印加する外部磁界の強度を所定の範囲で変えて
行う磁場掃引工程；過剰キャリアの再結合における共鳴
変化を伴う磁場掃引工程中に、Ｓｉサンプルの抵抗率の
共鳴変化を測定し、モニターウェハが鉄で汚染されてい
るか否かを検出する共鳴検出工程；前記共鳴検出工程に
基づき、ＣＺ−Ｓｉインゴットが鉄で汚染されているか
否かを判断する工程；を含むＣＺ−Ｓｉインゴット製造
ライン中の鉄汚染を検出する方法が提供される。
【００１６】本発明の第7の側面によれば、１つの加工
ラインあるいは異なる加工ラインの通常工程を１つまた
はいくつか終えたウェハをモニターウェハとして採用す
る工程；モニターウェハの加工工程中に酸化物析出物が
生成されていない場合、モニターウェハをアニーリング
して内部に酸化物析出物を生成させるウェハ準備工程；
Ｓｉウェハを測定に必要な大きさに切り出し、その相対
向する両端に抵抗接触子を設け、その接触子にリードを
取り付けるサンプル準備工程；Ｓｉサンプルに外部磁界
を印加して行う電子スピンシステムの分極工程；Ｓｉサ
ンプルに光を照射して励起過剰キャリアを生成させる光
照射工程；印加する外部磁界の強度を所定の範囲で変え
て行う磁場掃引工程；過剰キャリアの再結合における共
鳴変化を伴う磁場掃引工程中に、Ｓｉサンプルの抵抗率
の共鳴変化を測定し、モニターウェハが鉄で汚染されて
いるか否かを検出する共鳴検出工程；前記共鳴検出工程
に基づき、加工、加工ラインがウェハに鉄汚染を持ち込
んでいるか否かを判断する工程；を含む半導体デバイス
製造ライン中の鉄汚染をテストする方法が提供される。
ラインあるいは異なる加工ラインの通常工程を１つまた
はいくつか終えたウェハをモニターウェハとして採用す
る工程；モニターウェハの加工工程中に酸化物析出物が
生成されていない場合、モニターウェハをアニーリング
して内部に酸化物析出物を生成させるウェハ準備工程；
Ｓｉウェハを測定に必要な大きさに切り出し、その相対
向する両端に抵抗接触子を設け、その接触子にリードを
取り付けるサンプル準備工程；Ｓｉサンプルに外部磁界
を印加して行う電子スピンシステムの分極工程；Ｓｉサ
ンプルに光を照射して励起過剰キャリアを生成させる光
照射工程；印加する外部磁界の強度を所定の範囲で変え
て行う磁場掃引工程；過剰キャリアの再結合における共
鳴変化を伴う磁場掃引工程中に、Ｓｉサンプルの抵抗率
の共鳴変化を測定し、モニターウェハが鉄で汚染されて
いるか否かを検出する共鳴検出工程；前記共鳴検出工程
に基づき、加工、加工ラインがウェハに鉄汚染を持ち込
んでいるか否かを判断する工程；を含む半導体デバイス
製造ライン中の鉄汚染をテストする方法が提供される。
【００１７】本発明の第８の側面によれば、モニターウ
ェハ中の鉄汚染レベル測定の結果に基づいて、一般に使
用されているいくつかの加工工程を改善、変更、廃止す
ることのできる、ＣＺ−Ｓｉインゴット、ＣＺ−Ｓｉウ
ェハおよびデバイスの製造方法が提供される。
ェハ中の鉄汚染レベル測定の結果に基づいて、一般に使
用されているいくつかの加工工程を改善、変更、廃止す
ることのできる、ＣＺ−Ｓｉインゴット、ＣＺ−Ｓｉウ
ェハおよびデバイスの製造方法が提供される。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明では、スピン依存再結合
（Ｓｐｉｎ Ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ Ｒｅｃｏｍｂｉｎａ
ｔｉｏｎ、SDR）測定法を用いて鉄汚染の測定を行って
いる。具体的には、電子常磁性共鳴電気検出法（Ｅｌｅ
ｃｔｒｉｃａｌｌｙ ＤｅｔｅｃｔｅｄＥｌｅｃｔｒｏ
ｎ Ｐａｒａｍａｇｎｅｔｉｃ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ、
ＥＤＥＰＲ、あるいはＥｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｄｅ
ｔｅｃｔｅｄ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｒｅｓｏｎａｎｃ
ｅ、ＥＤＭＲ）を用いて鉄汚染を検出する。この方法自
体は公知であり、シリコン中の様々な欠陥および汚染物
質に対して高い感度を示す。この方法の原理は角運動量
保存則にある。角運動量保存則により、過剰キャリアの
再結合はたまたまスピン依存的である。つまり、再結合
前後において、再結合粒子ペアは同じ総スピン量Ｓを持
たねばならない。再結合後におけるシステムの総スピン
量はゼロである（Ｓ＝０）。再結合以前においては、シ
ステムは単一項状態（Ｓs＝０）と三重項状態（Ｓtr＝
１）の混在した状態となっている。スピンの保存によ
り、Ｓs状態からの再結合は高速で進行し（認可され
る）、Ｓtr状態からの再結合は遅い（妨害される）。仮
に、スピンシステムが外部磁界により分極化されている
と、再結合粒子の一方（電子またはホール）にスピン共
鳴条件を適用することにより、再結合ペアの三重項状態
を一重項状態に変化させることができる。三重項構成か
ら一重項構成への変換はそれ以前には再結合ペアではな
かったペアに高速で再結合を生じさせ、したがってシス
テム全体の再結合速度を増加させる。本発明では、この
原理を利用して、鉄を含む欠陥の再結合していない三重
項状態を高速結合の一重項状態に変換させる。かかる変
換により、システム全体の総再結合速度は増す。このよ
うに、本発明はスピン依存再結合の基本概念を用いて鉄
汚染を検出する。
（Ｓｐｉｎ Ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ Ｒｅｃｏｍｂｉｎａ
ｔｉｏｎ、SDR）測定法を用いて鉄汚染の測定を行って
いる。具体的には、電子常磁性共鳴電気検出法（Ｅｌｅ
ｃｔｒｉｃａｌｌｙ ＤｅｔｅｃｔｅｄＥｌｅｃｔｒｏ
ｎ Ｐａｒａｍａｇｎｅｔｉｃ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ、
ＥＤＥＰＲ、あるいはＥｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｄｅ
ｔｅｃｔｅｄ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｒｅｓｏｎａｎｃ
ｅ、ＥＤＭＲ）を用いて鉄汚染を検出する。この方法自
体は公知であり、シリコン中の様々な欠陥および汚染物
質に対して高い感度を示す。この方法の原理は角運動量
保存則にある。角運動量保存則により、過剰キャリアの
再結合はたまたまスピン依存的である。つまり、再結合
前後において、再結合粒子ペアは同じ総スピン量Ｓを持
たねばならない。再結合後におけるシステムの総スピン
量はゼロである（Ｓ＝０）。再結合以前においては、シ
ステムは単一項状態（Ｓs＝０）と三重項状態（Ｓtr＝
１）の混在した状態となっている。スピンの保存によ
り、Ｓs状態からの再結合は高速で進行し（認可され
る）、Ｓtr状態からの再結合は遅い（妨害される）。仮
に、スピンシステムが外部磁界により分極化されている
と、再結合粒子の一方（電子またはホール）にスピン共
鳴条件を適用することにより、再結合ペアの三重項状態
を一重項状態に変化させることができる。三重項構成か
ら一重項構成への変換はそれ以前には再結合ペアではな
かったペアに高速で再結合を生じさせ、したがってシス
テム全体の再結合速度を増加させる。本発明では、この
原理を利用して、鉄を含む欠陥の再結合していない三重
項状態を高速結合の一重項状態に変換させる。かかる変
換により、システム全体の総再結合速度は増す。このよ
うに、本発明はスピン依存再結合の基本概念を用いて鉄
汚染を検出する。
【００１９】ＳＤＲの詳細な機構はまだ解明されておら
ず、バルクＳｉサンプルにおけるＳＤＲ効果に関する一
応の系統的検討について報告されたのはほんの最近のこ
とである。高濃度ドープされたシリコン量子井戸におけ
る中性の格子間鉄原子のＳＤＲ測定による検出について
も、最近報告されたばかりである。
ず、バルクＳｉサンプルにおけるＳＤＲ効果に関する一
応の系統的検討について報告されたのはほんの最近のこ
とである。高濃度ドープされたシリコン量子井戸におけ
る中性の格子間鉄原子のＳＤＲ測定による検出について
も、最近報告されたばかりである。
【００２０】本発明では、ＳＤＲ測定法、具体的にはＥ
ＤＭＲ（ＥＤＥＰＲ）を用いて、鉄で汚染されたサンプ
ルから信号を検出する。この方法で得られる信号、すな
わち、ＳＤＲ信号は、シリコンからこれまで得られたＥ
ＰＲ信号とは異なる特性を持っている。この信号は、浮
遊帯域溶融法で成長し同様に汚染されたシリコン（ＦＺ
−Ｓｉ、酸素含有量が少ない）からは検出されなかっ
た。この事実からも、この信号は鉄および酸素を含んだ
欠陥に起因するものであることがわかる。
ＤＭＲ（ＥＤＥＰＲ）を用いて、鉄で汚染されたサンプ
ルから信号を検出する。この方法で得られる信号、すな
わち、ＳＤＲ信号は、シリコンからこれまで得られたＥ
ＰＲ信号とは異なる特性を持っている。この信号は、浮
遊帯域溶融法で成長し同様に汚染されたシリコン（ＦＺ
−Ｓｉ、酸素含有量が少ない）からは検出されなかっ
た。この事実からも、この信号は鉄および酸素を含んだ
欠陥に起因するものであることがわかる。
【００２１】得られた全ての結果は、上記の信号が鉄修
飾酸化物析出物に起因するという仮定において矛盾なく
説明できる。
飾酸化物析出物に起因するという仮定において矛盾なく
説明できる。
【００２２】
【実施例】以下、本発明を用いて実施した測定例につい
て説明する。
て説明する。
【００２３】図１に測定装置の例を示してある。装置は
ＴＭ011モード共振器キャビティ１を備えた標準のＥＳ
Ｒ測定装置１（ＪＥＯＬＸバンドＥＳＲ分光計を使用）
に基づいている。測定時、サンプルは連続ヘリウムガス
フロークライオスタット２（Ｏｘｆｏｒｄ Ｉｎｓｔｒ
ｕｍｅｎｔｓ Ｉｎｃ．製）によって冷却される。マイ
クロ波パワー供給手段３は共振器キャビティに、共鳴周
波数ｆRESが約９３００ＭＨｚ、最大出力約２００ｍＷ
の電磁波を発生する。サンプルホルダー４は高純度の石
英管からできている。サンプル５（サイズは約３×８×
０．５ｍｍ3）と石英のホルダーが共振器１の中に配置
される。石英管とサンプルは磁場の方向に回転すること
ができる。サンプルの初期位置は、マイクロ波キャビテ
ィ内部に置かれたサンプルの前表面から反射されたレー
ザー光を用いて調整される。
ＴＭ011モード共振器キャビティ１を備えた標準のＥＳ
Ｒ測定装置１（ＪＥＯＬＸバンドＥＳＲ分光計を使用）
に基づいている。測定時、サンプルは連続ヘリウムガス
フロークライオスタット２（Ｏｘｆｏｒｄ Ｉｎｓｔｒ
ｕｍｅｎｔｓ Ｉｎｃ．製）によって冷却される。マイ
クロ波パワー供給手段３は共振器キャビティに、共鳴周
波数ｆRESが約９３００ＭＨｚ、最大出力約２００ｍＷ
の電磁波を発生する。サンプルホルダー４は高純度の石
英管からできている。サンプル５（サイズは約３×８×
０．５ｍｍ3）と石英のホルダーが共振器１の中に配置
される。石英管とサンプルは磁場の方向に回転すること
ができる。サンプルの初期位置は、マイクロ波キャビテ
ィ内部に置かれたサンプルの前表面から反射されたレー
ザー光を用いて調整される。
【００２４】共振器にはサンプル照射のための窓部Ｗが
ある。照射は、Ｓｉエネルギー帯ギャップより大きい光
量子エネルギーを有する白色光ランプまたはレーザー６
を用いて行う。配線系統で吸収されるマイクロ波パワー
を最少にするために、サンプルの接触子から出ているリ
ードはサンプルホルダー管に通される。サンプルに印加
される固定磁界は、共振器の中に配置された変調コイル
で、周波数ｆMODが１００ＫＭｚ、振幅が０．１Ｇで変
調され、また、この周波数はロックインアンプ７の参照
信号として用いられる。
ある。照射は、Ｓｉエネルギー帯ギャップより大きい光
量子エネルギーを有する白色光ランプまたはレーザー６
を用いて行う。配線系統で吸収されるマイクロ波パワー
を最少にするために、サンプルの接触子から出ているリ
ードはサンプルホルダー管に通される。サンプルに印加
される固定磁界は、共振器の中に配置された変調コイル
で、周波数ｆMODが１００ＫＭｚ、振幅が０．１Ｇで変
調され、また、この周波数はロックインアンプ７の参照
信号として用いられる。
【００２５】EDMRの信号検出回路は、電流源８（バッテ
リー）、サンプル、直列に接続された抵抗器９とで構成
されている。コンデンサ１０を介して抵抗器から信号が
取り出され、ロックインアンプ７（EG&Gモデル５１１
０）の入力に渡される。磁場掃引中に抵抗に生じる、SD
R共鳴条件に近い電圧変化（±５０Ｇ）は、EDMR信号、
すなわちサンプル内部のSDRプロセスに関係する信号で
ある。ロックインアンプの出力はADコンバータを介して
PC１１に接続され、信号の振幅、すなわちＹ軸データを
表す。信号のX軸データを与える磁場制御システム１２
の出力は別のADコンバータを介してPCに接続される。こ
のようにして、EDMRのスペクトル、すなわち抵抗器の電
圧の磁場に対する依存性が記録され、その後の計算に用
いられる。
リー）、サンプル、直列に接続された抵抗器９とで構成
されている。コンデンサ１０を介して抵抗器から信号が
取り出され、ロックインアンプ７（EG&Gモデル５１１
０）の入力に渡される。磁場掃引中に抵抗に生じる、SD
R共鳴条件に近い電圧変化（±５０Ｇ）は、EDMR信号、
すなわちサンプル内部のSDRプロセスに関係する信号で
ある。ロックインアンプの出力はADコンバータを介して
PC１１に接続され、信号の振幅、すなわちＹ軸データを
表す。信号のX軸データを与える磁場制御システム１２
の出力は別のADコンバータを介してPCに接続される。こ
のようにして、EDMRのスペクトル、すなわち抵抗器の電
圧の磁場に対する依存性が記録され、その後の計算に用
いられる。
【００２６】次に測定実施例に用いたサンプルについて
説明する。
説明する。
【００２７】（１００）面を有する鏡面研磨ｐ型ＣＺ−
Ｓｉウェハを用いた。初期抵抗率が３Ωｃｍと１０Ωｃ
ｍの２種類のウェハを用いた。ウェハ中の酸素濃度は、
ＣO≒１．５×１０18ｃｍ-3であった（ASTM F―１２１
−７６標準を用いたＦＴＩＲ法により測定）。汚染状態
を形成するために、ウェハを異なった濃度のＦｅＣｌ3
を含むＳＣ−１溶液に浸漬した。その後、ウェハはスピ
ン乾燥され、N2：O2＝１０（リットル）：０．５（リッ
トル）のガスフロー中において１０００℃で１時間アニ
ーリングされた。汚染されていないこと以外は上記と全
く同様の初期状態を有し同じ条件でアニーリングされた
ウェハが、比較用として準備された。全てのウェハの鉄
濃度は、すでに確立されている測定手順によりＳＰＶ法
で測定された。初期抵抗率１０Ωｃｍの幾つかのサンプ
ルは、熱ドナーを生成し導電型をｎ型に変更するため
に、４５０℃で６０時間アニーリングされた。
Ｓｉウェハを用いた。初期抵抗率が３Ωｃｍと１０Ωｃ
ｍの２種類のウェハを用いた。ウェハ中の酸素濃度は、
ＣO≒１．５×１０18ｃｍ-3であった（ASTM F―１２１
−７６標準を用いたＦＴＩＲ法により測定）。汚染状態
を形成するために、ウェハを異なった濃度のＦｅＣｌ3
を含むＳＣ−１溶液に浸漬した。その後、ウェハはスピ
ン乾燥され、N2：O2＝１０（リットル）：０．５（リッ
トル）のガスフロー中において１０００℃で１時間アニ
ーリングされた。汚染されていないこと以外は上記と全
く同様の初期状態を有し同じ条件でアニーリングされた
ウェハが、比較用として準備された。全てのウェハの鉄
濃度は、すでに確立されている測定手順によりＳＰＶ法
で測定された。初期抵抗率１０Ωｃｍの幾つかのサンプ
ルは、熱ドナーを生成し導電型をｎ型に変更するため
に、４５０℃で６０時間アニーリングされた。
【００２８】ウェハから３×８×０．５ｍｍ3の大きさ
のサンプルを切り出した。サンプルの長手軸に沿った相
対する両端に、超音波はんだごてを用いて抵抗接触子を
結合した。
のサンプルを切り出した。サンプルの長手軸に沿った相
対する両端に、超音波はんだごてを用いて抵抗接触子を
結合した。
【００２９】サンプルの初期抵抗率の高低はEPR測定法
あるいはEDMR測定法に対して有意な差異を示さなかった
ので、これらのグループのサンプルの結果をこれ以上区
別しない。４５０℃でアニーリングしたサンプルを“変
換された"サンプルと称する。
あるいはEDMR測定法に対して有意な差異を示さなかった
ので、これらのグループのサンプルの結果をこれ以上区
別しない。４５０℃でアニーリングしたサンプルを“変
換された"サンプルと称する。
【００３０】ｐ型Ｓｉサンプルと変換されたサンプルか
ら、図２Aおよび２Bに示すEDMRスペクトルが得られた。
提示したEDMRスペクトルは、鉄原子濃度がCFe=１．５×
１０ 15原子／ｃｍ3のサンプルから記録されたものであ
る。サンプルは＜１１０＞結晶方向に回転され、測定温
度は８Ｋに設定された。これらのスペクトルを図２Ａお
よび２Ｂで、それぞれＫＥＭ−１、ＫＥＭ−２と称し区
別した。
ら、図２Aおよび２Bに示すEDMRスペクトルが得られた。
提示したEDMRスペクトルは、鉄原子濃度がCFe=１．５×
１０ 15原子／ｃｍ3のサンプルから記録されたものであ
る。サンプルは＜１１０＞結晶方向に回転され、測定温
度は８Ｋに設定された。これらのスペクトルを図２Ａお
よび２Ｂで、それぞれＫＥＭ−１、ＫＥＭ−２と称し区
別した。
【００３１】両方のＫＥＭスペクトルともＸ線帯ＥＰＲ
分光器では個々の共振線を分離できなかった。少し幅の
狭い線が１本ＫＥＭ−１スペクトルから確実に分離でき
る。この線は図２Ａで最も大きな振幅を有し、これをＫ
ＥＭ−１Ｔと呼ぶ。この線の幅は３．８Ｇにフィットさ
れた。＜１１０＞回転軸に対するＫＥＭ−１Ｔ線のｇフ
ァクターの異方性は図３Ａに■印で示されている。Ｓ＝
１／２に対する主たるｇ値は、＜０１１＞タイプ結晶軸
に関してはｇ┴＝１．９９５６±０．０００１として、
＜１００＞タイプ結晶軸に関してはｇ‖＝１．９９６２
±０．０００１としてフィットできる（フィット曲線は
実線で示され、誤差は３度以内であり、この値はキャビ
ティ内のサンプル設置精度と合致している）。この様
に、ＫＥＭ−１Ｔ線は三方晶対称性を示す。同様に、同
じ幅を有する２本の線がＫＥＭ−２スペクトルから分離
できる。
分光器では個々の共振線を分離できなかった。少し幅の
狭い線が１本ＫＥＭ−１スペクトルから確実に分離でき
る。この線は図２Ａで最も大きな振幅を有し、これをＫ
ＥＭ−１Ｔと呼ぶ。この線の幅は３．８Ｇにフィットさ
れた。＜１１０＞回転軸に対するＫＥＭ−１Ｔ線のｇフ
ァクターの異方性は図３Ａに■印で示されている。Ｓ＝
１／２に対する主たるｇ値は、＜０１１＞タイプ結晶軸
に関してはｇ┴＝１．９９５６±０．０００１として、
＜１００＞タイプ結晶軸に関してはｇ‖＝１．９９６２
±０．０００１としてフィットできる（フィット曲線は
実線で示され、誤差は３度以内であり、この値はキャビ
ティ内のサンプル設置精度と合致している）。この様
に、ＫＥＭ−１Ｔ線は三方晶対称性を示す。同様に、同
じ幅を有する２本の線がＫＥＭ−２スペクトルから分離
できる。
【００３２】これらの線は、図３Ｂの３０°から５０°
の回転についてはっきりと認められる（ＫＥＭ−２０
線）。これらの線の幅は、２．９Ｇとフィットされた。
この２本の線の＜１１０＞回転軸に関するｇファクター
の異方性が図３Ａに▲印および▽印で示されている。
（図３Ａに実線曲線で示されている）フィッティング
は、信号が斜方晶−Ｉ対称性を有する同様の欠陥に起因
することを示している。主たる値は、＜０１１＞タイプ
結晶軸に関してはｇ11＝１．９９２６±０．０００１お
よびｇ22＝１．９９６２±０．０００１であり、＜１０
０＞タイプ結晶軸に関してはｇ33＝１．９９２８±０．
０００１である（この場合のフィッティング誤差は約５
度であった）。
の回転についてはっきりと認められる（ＫＥＭ−２０
線）。これらの線の幅は、２．９Ｇとフィットされた。
この２本の線の＜１１０＞回転軸に関するｇファクター
の異方性が図３Ａに▲印および▽印で示されている。
（図３Ａに実線曲線で示されている）フィッティング
は、信号が斜方晶−Ｉ対称性を有する同様の欠陥に起因
することを示している。主たる値は、＜０１１＞タイプ
結晶軸に関してはｇ11＝１．９９２６±０．０００１お
よびｇ22＝１．９９６２±０．０００１であり、＜１０
０＞タイプ結晶軸に関してはｇ33＝１．９９２８±０．
０００１である（この場合のフィッティング誤差は約５
度であった）。
【００３３】得られた欠陥の対称性は、シリコン中の遷
移金属含有複合体において通常みられるものである。こ
の対称性は、シリコン中の酸化物析出物にも特徴的なも
のである。
移金属含有複合体において通常みられるものである。こ
の対称性は、シリコン中の酸化物析出物にも特徴的なも
のである。
【００３４】ＥＤＭＲ信号の次の興味ある特性は、振幅
が強い異方性を持っていることであった（図３Ａおよび
３Ｂから明らかなように、回転角度に対する信号振幅の
強い依存性が見られる）。ＫＥＭ−１Ｔ線の振幅異方性
は、図３Ｂに■印で示されている。グラフ中の実線曲線
は、実験データにｃｏｓ2φ依存性をフィットさせたも
のである。ＫＥＭ−１およびＫＥＭ−２スペクトルの積
分強度の異方性は、同様の依存性によってフィットでき
るが、信号対雑音比が低い場合、おそらく積分手順の不
確実性により精度は悪い。観察された現象は、おそら
く、サンプルの回転中の照射条件の変化に起因するもの
ではない（マイクロ波共振器の壁は鏡面仕上げされてお
り、したがって、回転中にサンプルはほとんど同じ強度
の照射を受ける）。再結合センターの三重項の性質によ
り、ＥＤＭＲ信号の振幅の異方性が生じうる。
が強い異方性を持っていることであった（図３Ａおよび
３Ｂから明らかなように、回転角度に対する信号振幅の
強い依存性が見られる）。ＫＥＭ−１Ｔ線の振幅異方性
は、図３Ｂに■印で示されている。グラフ中の実線曲線
は、実験データにｃｏｓ2φ依存性をフィットさせたも
のである。ＫＥＭ−１およびＫＥＭ−２スペクトルの積
分強度の異方性は、同様の依存性によってフィットでき
るが、信号対雑音比が低い場合、おそらく積分手順の不
確実性により精度は悪い。観察された現象は、おそら
く、サンプルの回転中の照射条件の変化に起因するもの
ではない（マイクロ波共振器の壁は鏡面仕上げされてお
り、したがって、回転中にサンプルはほとんど同じ強度
の照射を受ける）。再結合センターの三重項の性質によ
り、ＥＤＭＲ信号の振幅の異方性が生じうる。
【００３５】ＫＥＭ−１Ｔ線およびＫＥＭ−１とＫＥＭ
−２スペクトル全体の振幅異方性における類似点は、Ｋ
ＥＭスペクトル中の全てのＥＤＭＲ線が同じ様な欠陥に
起因することを示唆している。この仮定の更なる確認を
行うために、異なる実験条件（マイクロ波パワー、照射
強度、および温度）においてサンプルのＥＤＭＲ測定を
行った。異なる実験条件（幾つかの回転角に関して測定
を繰り返した）において、ＫＥＭ−１とＫＥＭ−２スペ
クトル形状は同じであった。これらの観察は、ＫＥＭス
ペクトル中の全ての信号が同じ欠陥に起因するものであ
るという我々の仮定を裏付ける。
−２スペクトル全体の振幅異方性における類似点は、Ｋ
ＥＭスペクトル中の全てのＥＤＭＲ線が同じ様な欠陥に
起因することを示唆している。この仮定の更なる確認を
行うために、異なる実験条件（マイクロ波パワー、照射
強度、および温度）においてサンプルのＥＤＭＲ測定を
行った。異なる実験条件（幾つかの回転角に関して測定
を繰り返した）において、ＫＥＭ−１とＫＥＭ−２スペ
クトル形状は同じであった。これらの観察は、ＫＥＭス
ペクトル中の全ての信号が同じ欠陥に起因するものであ
るという我々の仮定を裏付ける。
【００３６】ＫＥＭ−１とＫＥＭ−２スペクトル双方の
ＥＤＭＲスペクトル強度、ＡEDMRのマイクロ波パワー依
存性はパワー則ＡEDMR∝ＰMW 0.8でフィットできる。ス
ペクトルは、得られた最大のパワー（２００ｍＷ）にお
いても飽和していない。
ＥＤＭＲスペクトル強度、ＡEDMRのマイクロ波パワー依
存性はパワー則ＡEDMR∝ＰMW 0.8でフィットできる。ス
ペクトルは、得られた最大のパワー（２００ｍＷ）にお
いても飽和していない。
【００３７】照射強度は、マイクロ波共振器の窓の前に
種々のニュートラルフィルタを挿入することによって制
御した。ＥＤＭＲ線の強度は最初、照射強度Ｉに対して
Ｉ0. 5の形で増加する。高照射強度領域では依存性は飽
和し、ついには減少し始める。高照射強度領域における
このＥＤＭＲ信号の減少は、高密度の照射がサンプルの
表面領域においてキャリアを生成したと考えると恐らく
説明可能である。その様な場合、サンプルのボリューム
は、マイクロ波および光自体の侵入からも部分的に遮蔽
される。
種々のニュートラルフィルタを挿入することによって制
御した。ＥＤＭＲ線の強度は最初、照射強度Ｉに対して
Ｉ0. 5の形で増加する。高照射強度領域では依存性は飽
和し、ついには減少し始める。高照射強度領域における
このＥＤＭＲ信号の減少は、高密度の照射がサンプルの
表面領域においてキャリアを生成したと考えると恐らく
説明可能である。その様な場合、サンプルのボリューム
は、マイクロ波および光自体の侵入からも部分的に遮蔽
される。
【００３８】ＫＥＭ−１スペクトルの振幅と中性子照射
ＣＺ−Ｓｉサンプル中の燐からの信号の振幅の温度依存
性が、図４に■とで示されている。依存性Ａ∝Ｔ-5（図
４に実線でプロット）は温度Ｔ＞１３Ｋに対してＫＥＭ
−１スペクトルの実験データをフィットさせて得た。
ＣＺ−Ｓｉサンプル中の燐からの信号の振幅の温度依存
性が、図４に■とで示されている。依存性Ａ∝Ｔ-5（図
４に実線でプロット）は温度Ｔ＞１３Ｋに対してＫＥＭ
−１スペクトルの実験データをフィットさせて得た。
【００３９】磁場共振時の抵抗率変化はＥＤＭＲ信号振
幅に比例する（Ａ∝Δρ）。低温の非共鳴光導電性は励
起キャリアの濃度に依存し、σ＝１／ρ∝Ｔ3則に従っ
て温度と共に変化する。したがって、図４にある、ＥＤ
ＭＲ信号振幅のフィットされた温度依存性から、ＫＥＭ
スペクトルに対する測定の場合（Ｔ＞１４Ｋ）、Δρ／
ρ∝Ｔ-2が得られる。
幅に比例する（Ａ∝Δρ）。低温の非共鳴光導電性は励
起キャリアの濃度に依存し、σ＝１／ρ∝Ｔ3則に従っ
て温度と共に変化する。したがって、図４にある、ＥＤ
ＭＲ信号振幅のフィットされた温度依存性から、ＫＥＭ
スペクトルに対する測定の場合（Ｔ＞１４Ｋ）、Δρ／
ρ∝Ｔ-2が得られる。
【００４０】温度依存性に関する別の興味ある特徴は、
全ての測定における雑音レベル（図４のＫＥＭおよび燐
信号に対する誤差幅参照）は１２Ｋ付近で最低であった
ことである。雑音は、低めの温度に対しては緩やかに増
加し、高めの温度に対しては急激に増加した。
全ての測定における雑音レベル（図４のＫＥＭおよび燐
信号に対する誤差幅参照）は１２Ｋ付近で最低であった
ことである。雑音は、低めの温度に対しては緩やかに増
加し、高めの温度に対しては急激に増加した。
【００４１】ＫＥＭ信号は鉄で汚染されたＣＺ−Ｓｉウ
ェハから用意されたサンプルにおいてのみ観測された。
初期ウェハおよび汚染されていないがアニーリングされ
た比較用ウェハからはＥＤＭＲ信号は観測されなかっ
た。異なった汚染レベルのサンプルからのスペクトル例
が図５Ａに示されている。ＫＥＭ−１のＥＤＭＲ信号強
度のサンプル中の鉄濃度に対する依存性ＡEDMR（ＣFe）
は図５Ｂに●印で示されている。サンプル準備過程にお
ける違いはウェハを浸す際のＳＣ−１溶液中のＦｅＣｌ
3の濃度のみであった。したがって、ＫＥＭ信号がＣＺ
−Ｓｉウェハの鉄汚染と関連していると結論することが
できる。
ェハから用意されたサンプルにおいてのみ観測された。
初期ウェハおよび汚染されていないがアニーリングされ
た比較用ウェハからはＥＤＭＲ信号は観測されなかっ
た。異なった汚染レベルのサンプルからのスペクトル例
が図５Ａに示されている。ＫＥＭ−１のＥＤＭＲ信号強
度のサンプル中の鉄濃度に対する依存性ＡEDMR（ＣFe）
は図５Ｂに●印で示されている。サンプル準備過程にお
ける違いはウェハを浸す際のＳＣ−１溶液中のＦｅＣｌ
3の濃度のみであった。したがって、ＫＥＭ信号がＣＺ
−Ｓｉウェハの鉄汚染と関連していると結論することが
できる。
【００４２】ＫＥＭスペクトルはＥＰＲ測定モードでは
観測されなかった。このことはＫＥＭのＥＤＭＲスペク
トルを支配する欠陥の濃度の上限が≦１０ 13ｃｍ-3（Ｅ
ＰＲモードの装置の感度限界）との推定を可能とする。
これは、鉄原子の汚染レベルよりもかなり低い。更に、
図５Ｂから分かる様に、ＫＥＭのＥＤＭＲ信号の鉄濃度
に対する増加は線形ではなく、濃度ＣFe≧１０14ｃｍ-3
では飽和する。このような挙動は、全てのサンプルにお
いて同じ濃度で存在し、かつ鉄原子との相互作用により
“ＥＤＭＲ活性化"される欠陥から予測できる。
観測されなかった。このことはＫＥＭのＥＤＭＲスペク
トルを支配する欠陥の濃度の上限が≦１０ 13ｃｍ-3（Ｅ
ＰＲモードの装置の感度限界）との推定を可能とする。
これは、鉄原子の汚染レベルよりもかなり低い。更に、
図５Ｂから分かる様に、ＫＥＭのＥＤＭＲ信号の鉄濃度
に対する増加は線形ではなく、濃度ＣFe≧１０14ｃｍ-3
では飽和する。このような挙動は、全てのサンプルにお
いて同じ濃度で存在し、かつ鉄原子との相互作用により
“ＥＤＭＲ活性化"される欠陥から予測できる。
【００４３】説明の更なる手がかりを得るため、ＣＺ−
Ｓｉサンプルと同様の方法で、鉄で汚染されたＦＺ−Ｓ
ｉサンプルの分析をおこなった。ＦＺ−Ｓｉの鉄汚染さ
れたサンプルからはＥＤＭＲ信号は得られなかった。
Ｓｉサンプルと同様の方法で、鉄で汚染されたＦＺ−Ｓ
ｉサンプルの分析をおこなった。ＦＺ−Ｓｉの鉄汚染さ
れたサンプルからはＥＤＭＲ信号は得られなかった。
【００４４】これらの事実から、 ＫＥＭスペクトルは
鉄および酸化物を含む欠陥に起因するものであるという
仮定が可能になる。酸化物析出物（ＯＰ）がＳｉバルク
の鉄原子を引きつけること（いわゆる鉄の内部ゲッタリ
ング）は良く知られている。したがって、ＫＥＭ信号は
こうした鉄修飾されたＯＰに起因すると仮定することが
できる。この仮定の可能性を証明するために、サンプル
をＷｒｉｇｈｔ溶液でエッチングする標準的手順によ
り、サンプル中のＯＰの濃度を測定した。観察に基づき
計算されたＯＰ平均密度はＣOP＝（１．１±０．８）×
１０8ｃｍ-3であった。サンプルではＣOPの鉄濃度に対
する依存性は検出されなかった（Ｆｅに汚染されていな
いが同じ条件でアニーリングされたサンプルにおいてさ
えＣOPは同じであった）。
鉄および酸化物を含む欠陥に起因するものであるという
仮定が可能になる。酸化物析出物（ＯＰ）がＳｉバルク
の鉄原子を引きつけること（いわゆる鉄の内部ゲッタリ
ング）は良く知られている。したがって、ＫＥＭ信号は
こうした鉄修飾されたＯＰに起因すると仮定することが
できる。この仮定の可能性を証明するために、サンプル
をＷｒｉｇｈｔ溶液でエッチングする標準的手順によ
り、サンプル中のＯＰの濃度を測定した。観察に基づき
計算されたＯＰ平均密度はＣOP＝（１．１±０．８）×
１０8ｃｍ-3であった。サンプルではＣOPの鉄濃度に対
する依存性は検出されなかった（Ｆｅに汚染されていな
いが同じ条件でアニーリングされたサンプルにおいてさ
えＣOPは同じであった）。
【００４５】サンプル中の鉄濃度の増加に対するＥＤＭ
Ｒ信号の飽和（図５Ｂ参照）は、前述の仮定の範囲内で
あるが、ＫＥＭ信号が鉄修飾ＯＰ界面層に起因するもの
であることを示唆している。この仮定を考慮しながら、
実験結果よりＯＰのサイズ（半径）を計算した。１個の
ＯＰの表面における鉄密度は（００１）結晶面上のＳｉ
原子密度から、σFe~１×１０15ｃｍ-2と考えられる。
ＯＰ表面の鉄原子の飽和に関する閾値ＡEDMR（ＣFe）を
得るため、図４ＢのデータをＨｉｌｌ型の関数でフィッ
トした。 ＡEDMR＝ＡEDMR max（ＣFe n）／（ＣFe n＋ＣT n） （１） ここで、ＡEDMR maxはＥＤＭＲ信号の最大レベル、ＣTは
飽和閾値、ｎは飽和過程の速度を特徴づけるパラメータ
である。フィット依存性（１）は、図５Ｂに実線で示さ
れ、飽和閾値ＣT＝６．４×１０13ｃｍ-3および飽和速
度ｎ＝５．１を与える。この様な大きなｎの値は修飾過
程が非常に速いことを示している。ＯＰの平均面積値は
下記の式から推定することができる。 ＳOP＝（ＣT）／（ＣEMD×σFe）=６×１０-10ｃｍ2
Ｒ信号の飽和（図５Ｂ参照）は、前述の仮定の範囲内で
あるが、ＫＥＭ信号が鉄修飾ＯＰ界面層に起因するもの
であることを示唆している。この仮定を考慮しながら、
実験結果よりＯＰのサイズ（半径）を計算した。１個の
ＯＰの表面における鉄密度は（００１）結晶面上のＳｉ
原子密度から、σFe~１×１０15ｃｍ-2と考えられる。
ＯＰ表面の鉄原子の飽和に関する閾値ＡEDMR（ＣFe）を
得るため、図４ＢのデータをＨｉｌｌ型の関数でフィッ
トした。 ＡEDMR＝ＡEDMR max（ＣFe n）／（ＣFe n＋ＣT n） （１） ここで、ＡEDMR maxはＥＤＭＲ信号の最大レベル、ＣTは
飽和閾値、ｎは飽和過程の速度を特徴づけるパラメータ
である。フィット依存性（１）は、図５Ｂに実線で示さ
れ、飽和閾値ＣT＝６．４×１０13ｃｍ-3および飽和速
度ｎ＝５．１を与える。この様な大きなｎの値は修飾過
程が非常に速いことを示している。ＯＰの平均面積値は
下記の式から推定することができる。 ＳOP＝（ＣT）／（ＣEMD×σFe）=６×１０-10ｃｍ2
【００４６】アニーリング条件を考慮すると、我々のサ
ンプルにおいては酸化物は板状析出物（ＰＬＰ）の形で
析出すると予測できよう。ＰＬＰは、半径ＲPLP、高さ
ＤPLPの板状体として概略表すことができる。ＰＬＰの
厚さは半径の広い変化領域において一定と考えられ、５
ｎｍに達する。したがって、簡単な計算により、平均半
径は＜ＲPLP＞~１０ｎｍが得られ、この値は、アニーリ
ング後のＣＺ−ＳｉにおけるＰＬＰの平均値としてはか
なり適切なものである。したがって、ＥＤＭＲのＫＥＭ
信号が鉄修飾されたＯＰに起因するという我々の仮定は
合理的であると思われる。
ンプルにおいては酸化物は板状析出物（ＰＬＰ）の形で
析出すると予測できよう。ＰＬＰは、半径ＲPLP、高さ
ＤPLPの板状体として概略表すことができる。ＰＬＰの
厚さは半径の広い変化領域において一定と考えられ、５
ｎｍに達する。したがって、簡単な計算により、平均半
径は＜ＲPLP＞~１０ｎｍが得られ、この値は、アニーリ
ング後のＣＺ−ＳｉにおけるＰＬＰの平均値としてはか
なり適切なものである。したがって、ＥＤＭＲのＫＥＭ
信号が鉄修飾されたＯＰに起因するという我々の仮定は
合理的であると思われる。
【００４７】４５０℃での長時間のアニーリングの間に
ＫＥＭ−１スペクトルからＫＥＭ−２スペクトルへと変
化するのは、ＰＬＰ表面の構造変化と関連しているかも
しれない。ＫＥＭ−１スペクトルの対称性はＰＬＰ（＜
００１＞タイプ結晶方向の軸を持つディスク）に特有の
ものであり、ＫＥＭ−２スペクトルの対称性は＜１１０
＞タイプ方向における更なる配列を示唆している。更
に、４５０℃でのアニーリング（これはＯＰの成長を引
き起こさない）はＯＰの表面構造の緩和および配列を可
能にすると仮定することができる。
ＫＥＭ−１スペクトルからＫＥＭ−２スペクトルへと変
化するのは、ＰＬＰ表面の構造変化と関連しているかも
しれない。ＫＥＭ−１スペクトルの対称性はＰＬＰ（＜
００１＞タイプ結晶方向の軸を持つディスク）に特有の
ものであり、ＫＥＭ−２スペクトルの対称性は＜１１０
＞タイプ方向における更なる配列を示唆している。更
に、４５０℃でのアニーリング（これはＯＰの成長を引
き起こさない）はＯＰの表面構造の緩和および配列を可
能にすると仮定することができる。
【００４８】上記で提案したＫＥＭのＥＤＭＲ信号の起
源が正しいとすると、鉄原子による修飾がＯＰを“ＳＤ
Ｒ活性"欠陥に変える訳である。したがって、ＯＰは、
金属（鉄）原子で修飾される前には、修飾された後より
も、励起キャリアの再結合過程において遙かに活性度は
低いと仮定できる。しかしながら、ＯＰのＳＤＲ活性化
をＫＥＭ信号の原因である欠陥の三重項の特性に基づい
て説明する仮定も提案できる。つまり、鉄修飾が三重項
状態の欠陥を生み出し、これによりＯＰはＳＤＲ活性に
なるとも考えられる。
源が正しいとすると、鉄原子による修飾がＯＰを“ＳＤ
Ｒ活性"欠陥に変える訳である。したがって、ＯＰは、
金属（鉄）原子で修飾される前には、修飾された後より
も、励起キャリアの再結合過程において遙かに活性度は
低いと仮定できる。しかしながら、ＯＰのＳＤＲ活性化
をＫＥＭ信号の原因である欠陥の三重項の特性に基づい
て説明する仮定も提案できる。つまり、鉄修飾が三重項
状態の欠陥を生み出し、これによりＯＰはＳＤＲ活性に
なるとも考えられる。
【００４９】図５Ｂの○印は、鉄濃度の異なるＣＺ−Ｓ
ｉ汚染サンプルをＥＤＭＲ測定した際の雑音レベルを示
す。共振線から離れた位置において１０Ｇの磁界範囲で
ゼロレベルからのＥＤＭＲ信号の標準偏差として抽出さ
れた実験ＥＤＭＲスペクトルから雑音レベルが計算され
た（４０点からの信号が分析された）。グラフから明ら
かな様に、実験中の雑音レベルとサンプル中の鉄濃度と
の間に強い相関が存在する（図５Ｂ中の破線はフィット
された依存性であるσ40∝ＣFe 0.7を示す）。おそら
く、高欠陥濃度のサンプルにおける信号対雑音比のレベ
ルは低すぎてＥＤＭＲ信号を検出できないのである。
ｉ汚染サンプルをＥＤＭＲ測定した際の雑音レベルを示
す。共振線から離れた位置において１０Ｇの磁界範囲で
ゼロレベルからのＥＤＭＲ信号の標準偏差として抽出さ
れた実験ＥＤＭＲスペクトルから雑音レベルが計算され
た（４０点からの信号が分析された）。グラフから明ら
かな様に、実験中の雑音レベルとサンプル中の鉄濃度と
の間に強い相関が存在する（図５Ｂ中の破線はフィット
された依存性であるσ40∝ＣFe 0.7を示す）。おそら
く、高欠陥濃度のサンプルにおける信号対雑音比のレベ
ルは低すぎてＥＤＭＲ信号を検出できないのである。
【００５０】ＫＥＭのＥＤＭＲスペクトルに対応するＥ
ＰＲ信号が検出されなかったことから、ＥＤＭＲ測定は
ＥＰＲよりも高感度であると思われる。ＫＥＭ信号が鉄
修飾されたＯＰに起因すると仮定すると、感度限界は１
立法センチメートル当たり約２×１０6のレベルであろ
う（ＥＤＭＲ信号対雑音比およびサンプル中のＯＰ濃度
からの推定）。我々のサンプルの大きさを考慮に入れる
と、ほんの２５０００の析出物からもＥＤＭＲ信号を検
出することが可能である。
ＰＲ信号が検出されなかったことから、ＥＤＭＲ測定は
ＥＰＲよりも高感度であると思われる。ＫＥＭ信号が鉄
修飾されたＯＰに起因すると仮定すると、感度限界は１
立法センチメートル当たり約２×１０6のレベルであろ
う（ＥＤＭＲ信号対雑音比およびサンプル中のＯＰ濃度
からの推定）。我々のサンプルの大きさを考慮に入れる
と、ほんの２５０００の析出物からもＥＤＭＲ信号を検
出することが可能である。
【００５１】要約すると、ＫＥＭ−１と呼ばれるＥＤＭ
Ｒ信号が鉄汚染ＣＺ−Ｓｉウェハから切り出されたサン
プルから検出された。４５０℃、６０時間のアニーリン
グをサンプルに施すことにより、初期ＥＤＭＲスペクト
ルに変化が生じた（ＫＥＭ−１スペクトルがＫＥＭ−２
スペクトルに変化した）が、異なった実験条件に対する
ＥＤＭＲ信号の依存性は変わらなかった。ＫＥＭ−１信
号が三方晶対称性を示すのに対し、ＫＥＭ−２信号は斜
方晶−Ｉ対称性を示す。異なった実験条件（温度、マイ
クロ波パワー、照射強度）においてもスペクトルの形状
は変化しない。このことからも、スペクトル中の全ての
ＥＤＭＲ線が同じ欠陥に起因するものであることがわか
る。ＫＥＭ−１、ＫＥＭ−２信号の双方が振幅の強い異
方性を示すことから、再結合がセンターの励起三重項状
態を介して発生するものであることが示唆される。
Ｒ信号が鉄汚染ＣＺ−Ｓｉウェハから切り出されたサン
プルから検出された。４５０℃、６０時間のアニーリン
グをサンプルに施すことにより、初期ＥＤＭＲスペクト
ルに変化が生じた（ＫＥＭ−１スペクトルがＫＥＭ−２
スペクトルに変化した）が、異なった実験条件に対する
ＥＤＭＲ信号の依存性は変わらなかった。ＫＥＭ−１信
号が三方晶対称性を示すのに対し、ＫＥＭ−２信号は斜
方晶−Ｉ対称性を示す。異なった実験条件（温度、マイ
クロ波パワー、照射強度）においてもスペクトルの形状
は変化しない。このことからも、スペクトル中の全ての
ＥＤＭＲ線が同じ欠陥に起因するものであることがわか
る。ＫＥＭ−１、ＫＥＭ−２信号の双方が振幅の強い異
方性を示すことから、再結合がセンターの励起三重項状
態を介して発生するものであることが示唆される。
【００５２】ウェハ中の鉄濃度に対するＥＤＭＲ信号強
度の依存性ＡEDMR（ＣFe）は線形ではなく、鉄濃度の増
加に対するＥＤＭＲ信号強度の速い飽和を示している。
この種の依存性は鉄原子とサンプル中に既に存在する何
らかの欠陥との相互作用によって説明できる。同様の条
件で鉄汚染されたＦＺ−ＳｉサンプルからはＥＤＭＲ信
号が検出されなかったので、ＫＥＭ信号は鉄原子で修飾
された酸素関連欠陥、すなわち酸化物板状析出物に起因
すると仮定することができた。得られた実験結果から、
上記仮定の範囲内で、我々のサンプル中の酸化物析出物
の平均半径は＜ＲPLP＞~１０ｎｍと推定された。この値
はアニーリング後のＣＺ−Ｓｉウェハ中の板状析出物の
半径としてかなり合理的なものである。
度の依存性ＡEDMR（ＣFe）は線形ではなく、鉄濃度の増
加に対するＥＤＭＲ信号強度の速い飽和を示している。
この種の依存性は鉄原子とサンプル中に既に存在する何
らかの欠陥との相互作用によって説明できる。同様の条
件で鉄汚染されたＦＺ−ＳｉサンプルからはＥＤＭＲ信
号が検出されなかったので、ＫＥＭ信号は鉄原子で修飾
された酸素関連欠陥、すなわち酸化物板状析出物に起因
すると仮定することができた。得られた実験結果から、
上記仮定の範囲内で、我々のサンプル中の酸化物析出物
の平均半径は＜ＲPLP＞~１０ｎｍと推定された。この値
はアニーリング後のＣＺ−Ｓｉウェハ中の板状析出物の
半径としてかなり合理的なものである。
【００５３】ＥＤＭＲ測定時の雑音数値はサンプル中の
再結合センターの濃度と共に増加する。観察された効果
から、高濃度の再結合センターを有するサンプルに対す
るＥＤＭＲ測定の難しさについて以前報告された内容を
説明することができる。観察されたＥＤＭＲ信号の温度
依存性、および熱ドナーを有するｐ型サンプル中のＦｅ
0再結合センターからの信号不存在は、ＳＤＲ手順の既
存モデルの観点からは説明できない。
再結合センターの濃度と共に増加する。観察された効果
から、高濃度の再結合センターを有するサンプルに対す
るＥＤＭＲ測定の難しさについて以前報告された内容を
説明することができる。観察されたＥＤＭＲ信号の温度
依存性、および熱ドナーを有するｐ型サンプル中のＦｅ
0再結合センターからの信号不存在は、ＳＤＲ手順の既
存モデルの観点からは説明できない。
【００５４】これはＳｉサンプル中の鉄汚染を測定する
例であった。
例であった。
【００５５】更に、加工ライン中の鉄汚染レベルも以下
のようにして測定することができる。加工ラインの全て
の工程を終えたモニターＣＺ−ＳｉウェハをＥＤＭＲ測
定に望ましい大きさに切り出し、以下に述べる鉄汚染測
定を行う。モニターウェハ内部の鉄濃度について得られ
た結果に応じて、加工を改善することができる。たとえ
ば、Ｆｅ汚染のレベルが許容値未満であれば、クリーニ
ング工程およびＩＧ工程の後半さえも省くことができ
る。これによって製造コストを低減できる。
のようにして測定することができる。加工ラインの全て
の工程を終えたモニターＣＺ−ＳｉウェハをＥＤＭＲ測
定に望ましい大きさに切り出し、以下に述べる鉄汚染測
定を行う。モニターウェハ内部の鉄濃度について得られ
た結果に応じて、加工を改善することができる。たとえ
ば、Ｆｅ汚染のレベルが許容値未満であれば、クリーニ
ング工程およびＩＧ工程の後半さえも省くことができ
る。これによって製造コストを低減できる。
【００５６】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、ＳＤＲ法あるいはＥＤＭＲ法を利用して、ＣＺ−Ｓ
ｉウェハの鉄汚染を高精度に検出することが可能とな
る。
ば、ＳＤＲ法あるいはＥＤＭＲ法を利用して、ＣＺ−Ｓ
ｉウェハの鉄汚染を高精度に検出することが可能とな
る。
【図１】本発明の測定方法に用いる測定装置を具体化し
たものを示す図。
たものを示す図。
【図２】２Ａおよび２Ｂは、本発明の実施例において得
られたＳｉ結晶のＥＤＭＲ信号、固定磁界の相互配列、
および結晶方位との関係を測定した結果を示す図。
られたＳｉ結晶のＥＤＭＲ信号、固定磁界の相互配列、
および結晶方位との関係を測定した結果を示す図。
【図３】３Ａおよび３Ｂは、本発明の実施例で得られ
た、固定磁界に向かう結晶方位とＥＤＭＲのｇファクタ
ーおよび強度との関係を示す図。
た、固定磁界に向かう結晶方位とＥＤＭＲのｇファクタ
ーおよび強度との関係を示す図。
【図４】本発明の実施例で得られたＥＤＭＲ信号の温度
依存性を示す図。
依存性を示す図。
【図５】５Ａおよび５Ｂは、異なる鉄汚染度のサンプル
から得られたＥＤＭＲ信号を示す図。
から得られたＥＤＭＲ信号を示す図。
１ 共振器 ２ クライオスタット ３ マイクロ波パワー供給手段 ４ サンプルホルダー ５ サンプル ６ レーザー ７ ロックインアンプ ８ 電流源 ９ 抵抗器 １０ コンデンサ １１ ＰＣ １２ 磁場制御システム
Claims (8)
- 【請求項１】 シリコン中の鉄汚染の検出方法であっ
て、 Ｓｉサンプルに外部磁界を印加し、Ｓｉサンプルの電子
スピンシステムを分極させる工程と、 Ｓｉサンプルにエネルギーを付与して過剰キャリアを生
成する工程と、 Ｓｉサンプルにマイクロ波を照射する工程と、 印加する外部磁界の強度を所定の範囲で変えることによ
って磁場掃引する工程と、 磁場掃引中に、励起されたキャリアの結合速度で共鳴変
化を検出する工程と、 シリコンウェハ中の鉄汚染を検出する工程と、を含むこ
とを特徴とする方法。 - 【請求項２】 シリコン中の鉄汚染を検出する方法であ
って、 Ｓｉサンプルに外部磁場を印加し、Ｓｉサンプルの電子
スピンシステムを分極させる工程と、 Ｓｉサンプルに光を照射して励起された過剰キャリアを
生成する工程と、 印加する外部磁界の強度を所定の範囲で変えることによ
って磁場掃引する工程と、 過剰キャリアの再結合速度における共鳴変化を伴う磁場
掃引中、Ｓｉサンプルの抵抗率の共鳴変化を測定するこ
とによって共鳴を検出する工程と、 シリコンウェハ中の鉄汚染を検出する工程と、を含むこ
とを特徴とする方法。 - 【請求項３】 シリコン中の鉄汚染レベルを測定する方
法であって、 Ｓｉウェハを測定に必要な大きさに切り出し、その相対
する両端に抵抗接触子を設け、接触子にリードを接続し
てサンプルを形成する工程と、 Ｓｉサンプルに外部磁界を印加し、Ｓｉサンプルの電子
スピンシステムを分極させる工程とＳｉサンプルに光を
照射して励起された過剰キャリアを生じる工程と、 印加する外部磁場の強度を所定の範囲で変えることによ
って磁場掃引する工程と、 過剰キャリアの再結合速度における共鳴変化を伴う磁場
掃引中、Ｓｉサンプルの抵抗率の共鳴変化を測定するこ
とによって共鳴を検出する工程と、 共鳴検出工程で測定された共鳴強度からシリコンウェハ
中の鉄汚染レベルを計算する工程と、を有することを特
徴とする方法。 - 【請求項４】 マイクロ波キャビティ内に置かれたサン
プルにマイクロ波が照射されることを特徴とする、請求
項３記載のシリコン中の鉄汚染の検出方法。 - 【請求項５】 測定が１５Ｋより低い温度でなされるこ
とを特徴とする、請求項４記載のシリコン中の鉄汚染の
検出方法。 - 【請求項６】 Ｓｉインゴット製造ライン中の鉄汚染の
検出方法であって、 スライス前の全ての工程を終えたＣＺ−Ｓｉインゴット
の様々な部分からモニターウェハを採る工程と、 モニターウェハをアニーリングしてウェハ中に酸化物析
出物を生じさせてウェハを用意する工程と、 準備したＳｉウェハを測定に必要な大きさに切り出し、
その相対する両端に抵抗接触子を形成し、接触子にリー
ドを取り付けてサンプルを形成する工程と、 Ｓｉサンプルに外部磁界を印加してＳｉサンプルの電子
スピンシステムを分極させる工程と、 Ｓｉサンプルに光を照射して励起過剰キャリアを生ずる
工程と、 印加する外部磁界強度を所定の範囲で変えることによっ
て磁場掃引する工程と、 過剰キャリアの再結合速度における共鳴変化を伴う磁場
掃引工程中、Ｓｉサンプルの抵抗性の共鳴変化を測定す
ることによって共鳴を検出する工程と、 その検出に基づいて、ＣＺ−Ｓｉインゴットが鉄に汚染
されているか否かを決定する工程と、を含むことを特徴
とする方法。 - 【請求項７】 半導体デバイス製造ラインにおける鉄汚
染の検査法法であって、 １つの加工ラインあるいは異なる加工ラインで通常の加
工工程を少なくとも１つ終えているウェハをモニターウ
ェハとして採用する工程と、 少なくとも１つの加工工程において酸化物析出物が未だ
生じていない場合には、モニターウェハをアニーリング
してウェハ中にかかる析出物を生じさせる工程と、 Ｓｉウェハを測定に必要な大きさに切り出し、その相対
する両端に抵抗接触子を設け、接触子にリードを取り付
けてサンプルを形成する工程と、 Ｓｉサンプルに外部磁界を印加してサンプルの電子スピ
ンシステムを分極させる工程と、 Ｓｉサンプルに光を照射して励起過剰キャリアを生成す
る工程と、 印加する外部磁界の強度を所定の範囲で変えることによ
って行う磁場掃引工程と、 過剰キャリアの再結合速度における共鳴変化を伴う磁場
掃引工程中、Ｓｉサンプルの抵抗率の共鳴変化を測定す
ることによって、モニターウェハが鉄に汚染されている
か否かを検出する共鳴検出工程と、 共鳴検出工程から、加工、加工ラインがウェハに鉄汚染
をもたらしたか否かを決定する工程と、を有することを
特徴とする方法。 - 【請求項８】 モニターウェハ中の鉄汚染レベル測定の
結果に基づき、通常行われている少なくとも１つの加工
工程が改善、変更、あるいは廃止されることを特徴とす
る、ＣＺ−Ｓｉインゴット、ＣＺ−Ｓｉウェハおよびデ
バイスの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US94829597A | 1997-10-10 | 1997-10-10 | |
| US08/948295 | 1997-10-10 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11312719A true JPH11312719A (ja) | 1999-11-09 |
Family
ID=25487612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28811998A Pending JPH11312719A (ja) | 1997-10-10 | 1998-10-09 | Ｃｚシリコンウェハ中の鉄汚染の検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11312719A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010508526A (ja) * | 2006-11-03 | 2010-03-18 | ドイチェ ソーラー アクチェンゲゼルシャフト | 励起性材料サンプルの電気的性質を検出するための装置及び方法 |
| WO2011043042A1 (ja) * | 2009-10-08 | 2011-04-14 | 株式会社日立製作所 | 電気検出電子スピン共鳴装置用試料ホルダ |
| US20250093438A1 (en) * | 2022-01-17 | 2025-03-20 | Eth Zurich | Magnetic resonance device comprising a sample spinning apparatus |
-
1998
- 1998-10-09 JP JP28811998A patent/JPH11312719A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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