JPH11316383A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH11316383A JPH11316383A JP10378629A JP37862998A JPH11316383A JP H11316383 A JPH11316383 A JP H11316383A JP 10378629 A JP10378629 A JP 10378629A JP 37862998 A JP37862998 A JP 37862998A JP H11316383 A JPH11316383 A JP H11316383A
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- electrode
- crystal display
- display device
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
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- G02F1/134372—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for fringe field switching [FFS] where the common electrode is not patterned
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 広い視野角を確保し、低い電圧で液晶を駆動
して消費電力を低減し、また、開口率を大きくし、さら
に色相による透過率の差を補償する。 【解決手段】 多数の画素を含む液晶表示装置であっ
て、対向する第１基板及び第２基板と、前記第１基板上
に形成されている第１電極と、前記第１基板上に前記第
１電極と絶縁して形成されており、前記第１電極と少な
くとも一部分が重畳しており、前記第１電極間で連続的
な面からなる第２電極を含み、一つの画素は少なくとも
前記第１電極のうちに一つと第２電極とを含む。
して消費電力を低減し、また、開口率を大きくし、さら
に色相による透過率の差を補償する。 【解決手段】 多数の画素を含む液晶表示装置であっ
て、対向する第１基板及び第２基板と、前記第１基板上
に形成されている第１電極と、前記第１基板上に前記第
１電極と絶縁して形成されており、前記第１電極と少な
くとも一部分が重畳しており、前記第１電極間で連続的
な面からなる第２電極を含み、一つの画素は少なくとも
前記第１電極のうちに一つと第２電極とを含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に関
し、より詳しくは、新たな電極構造を有する液晶表示装
置に関する。
し、より詳しくは、新たな電極構造を有する液晶表示装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、液晶表示装置は二つの電極とそ
の間の液晶層とからなる。両基板または一つの基板の内
面に多数の電極が形成されており、基板の外面には一対
の偏光板が取付けられており、液晶層は光学的なスイッ
チング媒介体としての役割を果す。電極に電位差を与え
るとその電位差によって液晶分子が再配列され、再配列
されたこれらの液晶分子が偏光板のうちの一つを通過し
た入射光を散乱したり、入射光の透過特性を変化させる
ことにより、他側偏光板から出る透過率を調節して画像
を表示する。
の間の液晶層とからなる。両基板または一つの基板の内
面に多数の電極が形成されており、基板の外面には一対
の偏光板が取付けられており、液晶層は光学的なスイッ
チング媒介体としての役割を果す。電極に電位差を与え
るとその電位差によって液晶分子が再配列され、再配列
されたこれらの液晶分子が偏光板のうちの一つを通過し
た入射光を散乱したり、入射光の透過特性を変化させる
ことにより、他側偏光板から出る透過率を調節して画像
を表示する。
【０００３】従来の液晶表示装置の一例として、上下二
つの基板の内面にそれぞれ形成されている上側電極と下
側電極との間にネマチック液晶物質が挿入されていて、
液晶分子は基板に平行にねじれて配向されている米国特
許第５，５７６，８６１号に開示されたツイステッドネ
マチック型の液晶表示装置が挙げられる。この液晶表示
装置においては、上下側電極に電圧を印加して電位差を
与えると両基板に垂直の電気場が形成される。液晶分子
の長軸方向を電気場の方向と平行に配列させるトルク
（このトルクの大きさは電気場の強度に依存する）、す
なわち、誘電率異方性によるトルクとラビングなどの配
向処理を通じて発生して液晶分子の長軸方向を特定の方
向に向くように配列させようとする弾性トルクとが平衡
をなすように液晶分子は再配列される。このとき、二つ
の基板間の液晶方向子が一側基板から他側基板に至るま
で９０゜回転するように形成し、二つの基板の外面に偏
光板の透過軸が互いに直交するように二つの偏光板を取
付けると、二つの電極に電圧を印加しない状態では光が
液晶層を通過しながら偏光方向が９０゜回転するため、
反対側の偏光板を大部分通過して明状態（ｗｈｉｔｅ
ｓｔａｔｅ）となり、二つの電極に十分な電圧を印加す
ると入射光は偏光方向の変化なく液晶層を通過するた
め、反対側の偏光板によって遮断されて暗状態（ｂｌａ
ｃｋ ｓｔａｔｅ）となる。
つの基板の内面にそれぞれ形成されている上側電極と下
側電極との間にネマチック液晶物質が挿入されていて、
液晶分子は基板に平行にねじれて配向されている米国特
許第５，５７６，８６１号に開示されたツイステッドネ
マチック型の液晶表示装置が挙げられる。この液晶表示
装置においては、上下側電極に電圧を印加して電位差を
与えると両基板に垂直の電気場が形成される。液晶分子
の長軸方向を電気場の方向と平行に配列させるトルク
（このトルクの大きさは電気場の強度に依存する）、す
なわち、誘電率異方性によるトルクとラビングなどの配
向処理を通じて発生して液晶分子の長軸方向を特定の方
向に向くように配列させようとする弾性トルクとが平衡
をなすように液晶分子は再配列される。このとき、二つ
の基板間の液晶方向子が一側基板から他側基板に至るま
で９０゜回転するように形成し、二つの基板の外面に偏
光板の透過軸が互いに直交するように二つの偏光板を取
付けると、二つの電極に電圧を印加しない状態では光が
液晶層を通過しながら偏光方向が９０゜回転するため、
反対側の偏光板を大部分通過して明状態（ｗｈｉｔｅ
ｓｔａｔｅ）となり、二つの電極に十分な電圧を印加す
ると入射光は偏光方向の変化なく液晶層を通過するた
め、反対側の偏光板によって遮断されて暗状態（ｂｌａ
ｃｋ ｓｔａｔｅ）となる。
【０００４】従来の液晶表示装置の他の例としては、一
側基板上に二つの線形電極を互いに平行に配置し、その
間の上部に液晶物質層をおき、液晶分子を基板に平行に
配向する、米国特許第５，５９８，２８５号に開示され
ている液晶表示装置（以下、平面駆動方式の液晶表示装
置と称する）が挙げられる。この液晶表示装置において
は、電極間に電位差を与えて本質的に基板に対して平行
で、二つの電極に対して垂直な方向に電気場を形成する
と、液晶物質の誘電率異方性によるトルクと配向処理に
よる弾性トルクとが平衡をなすように液晶分子が再配列
される。このとき、二つの基板の外面に偏光板の透過軸
が互いに直交するように二つの偏光板を取付けると、二
つの電極に電圧を印加しない状態では直交する偏光板に
よって光が遮断されて暗状態となり、二つの電極に十分
な電圧を印加すると光が液晶層を通過しながら偏光方向
が反転して、反対側の偏光板を大部分通過して明状態と
なる。
側基板上に二つの線形電極を互いに平行に配置し、その
間の上部に液晶物質層をおき、液晶分子を基板に平行に
配向する、米国特許第５，５９８，２８５号に開示され
ている液晶表示装置（以下、平面駆動方式の液晶表示装
置と称する）が挙げられる。この液晶表示装置において
は、電極間に電位差を与えて本質的に基板に対して平行
で、二つの電極に対して垂直な方向に電気場を形成する
と、液晶物質の誘電率異方性によるトルクと配向処理に
よる弾性トルクとが平衡をなすように液晶分子が再配列
される。このとき、二つの基板の外面に偏光板の透過軸
が互いに直交するように二つの偏光板を取付けると、二
つの電極に電圧を印加しない状態では直交する偏光板に
よって光が遮断されて暗状態となり、二つの電極に十分
な電圧を印加すると光が液晶層を通過しながら偏光方向
が反転して、反対側の偏光板を大部分通過して明状態と
なる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の液晶
表示装置は、それぞれ次のような問題点を有している。
前記ツイステッドネマチック型の液晶表示装置の最も大
きな問題点は、視野角が狭いということにある。この液
晶表示装置においては、表示装置を見る人の目の方向と
表示装置の表面に対して垂直な方向とがなす角が大きく
なるほど、液晶 一番明るい状態の輝度を一番暗い状態の輝度で割った
値）が急激に低下する。それだけでなく、輝度が反転す
る階調反転の現象も現われる。従って、視野角（通常、
対比が１０を維持する角度を視野角という）が非常に狭
く、その視野角より大きな角度で表示装置を見る場合、
正面からみる画像に比べて画質が急激に悪くなる。
表示装置は、それぞれ次のような問題点を有している。
前記ツイステッドネマチック型の液晶表示装置の最も大
きな問題点は、視野角が狭いということにある。この液
晶表示装置においては、表示装置を見る人の目の方向と
表示装置の表面に対して垂直な方向とがなす角が大きく
なるほど、液晶 一番明るい状態の輝度を一番暗い状態の輝度で割った
値）が急激に低下する。それだけでなく、輝度が反転す
る階調反転の現象も現われる。従って、視野角（通常、
対比が１０を維持する角度を視野角という）が非常に狭
く、その視野角より大きな角度で表示装置を見る場合、
正面からみる画像に比べて画質が急激に悪くなる。
【０００６】視野角を補償するために、前述の米国特許
第５，５７６，８６１号でのように、位相差補償板など
を利用して視野角を広げる方法が提示されているが、付
加的な部分である補償板を取付ける追加工程を要するた
め、費用が高くなって工程が増加するばかりでなく、補
償板を使用しても視野角における限界は依然として克服
されない。
第５，５７６，８６１号でのように、位相差補償板など
を利用して視野角を広げる方法が提示されているが、付
加的な部分である補償板を取付ける追加工程を要するた
め、費用が高くなって工程が増加するばかりでなく、補
償板を使用しても視野角における限界は依然として克服
されない。
【０００７】前記平面駆動方式の液晶表示装置において
は、二つの電極間の領域に位置する電気場が二つの電極
から遠くなるほど小さくなるため、ノーマルブラックモ
ード（ｎｏｒｍａｌｌｙ ｂｌａｃｋ ｍｏｄｅ）で光
を通過させるための最少の電圧（しきい電圧）が高いば
かりか、光を最大限に通過させる電圧（飽和電圧）も高
いため、全体的に消費電力が大きくなるという問題点が
ある。また、すべての電極が一つの側の基板に形成され
ているうえ、十分な静電容量を確保するために画素電極
と共通電極とが絶縁膜を間において重畳する部分を置か
なければならないので、光が通過する開口率が小さくな
るという問題点がある。
は、二つの電極間の領域に位置する電気場が二つの電極
から遠くなるほど小さくなるため、ノーマルブラックモ
ード（ｎｏｒｍａｌｌｙ ｂｌａｃｋ ｍｏｄｅ）で光
を通過させるための最少の電圧（しきい電圧）が高いば
かりか、光を最大限に通過させる電圧（飽和電圧）も高
いため、全体的に消費電力が大きくなるという問題点が
ある。また、すべての電極が一つの側の基板に形成され
ているうえ、十分な静電容量を確保するために画素電極
と共通電極とが絶縁膜を間において重畳する部分を置か
なければならないので、光が通過する開口率が小さくな
るという問題点がある。
【０００８】一方、液晶表示装置は受動表示装置である
ため外部の光源を必要とする。かかる光源としては白色
光源を用い、カラー表示のために赤、緑、青の３色のカ
ラーフィルタを形成し、カラーフィルタ間には漏洩光を
遮断するためのブラックマトリックスを形成する。
ため外部の光源を必要とする。かかる光源としては白色
光源を用い、カラー表示のために赤、緑、青の３色のカ
ラーフィルタを形成し、カラーフィルタ間には漏洩光を
遮断するためのブラックマトリックスを形成する。
【０００９】しかし、光源から出た光が液晶層を通過し
ながらその特性が変化することにより、同一の開口部を
有する単位画素に対して赤、緑、青の画素間の透過率の
差が発生する。また、この透過率の差は液晶表示装置の
駆動方法によって異なる。
ながらその特性が変化することにより、同一の開口部を
有する単位画素に対して赤、緑、青の画素間の透過率の
差が発生する。また、この透過率の差は液晶表示装置の
駆動方法によって異なる。
【００１０】ツイステッドネマチック型の液晶表示装置
の場合、電圧を印加しない状態で青色フィルタの透過率
と赤色及び緑色フィルタの透過率とは１０％程の差があ
る。平面駆動方式の液晶表示装置の場合はその差がさら
に大きく、フィルタ間の透過率の差は４０％以上であ
る。
の場合、電圧を印加しない状態で青色フィルタの透過率
と赤色及び緑色フィルタの透過率とは１０％程の差があ
る。平面駆動方式の液晶表示装置の場合はその差がさら
に大きく、フィルタ間の透過率の差は４０％以上であ
る。
【００１１】かかる透過率の差を調節するために、従来
は、各装置別に必要な特性を有するバックライトと駆動
回路とを用いたり、赤、緑、青のカラーフィルタの高さ
を調節することによってセル間隔を色相別に異ならせ
て、透過率を補正する方法を主に用いた。しかしなが
ら、装置別に異なるバックライトと駆動回路とを用いる
場合、費用の増加や工程の増加をもたらす。そして、カ
ラーフィルタの高さを調節する方法の場合には均一なラ
ビングが難しいという問題点がある。
は、各装置別に必要な特性を有するバックライトと駆動
回路とを用いたり、赤、緑、青のカラーフィルタの高さ
を調節することによってセル間隔を色相別に異ならせ
て、透過率を補正する方法を主に用いた。しかしなが
ら、装置別に異なるバックライトと駆動回路とを用いる
場合、費用の増加や工程の増加をもたらす。そして、カ
ラーフィルタの高さを調節する方法の場合には均一なラ
ビングが難しいという問題点がある。
【００１２】本発明の目的は、広い視野角を確保するこ
とにある。
とにある。
【００１３】さらに、本発明の目的は、低い電圧で液晶
を駆動して消費電力を低減することにある。
を駆動して消費電力を低減することにある。
【００１４】さらに、本発明の他の目的は、開口率を大
きくすることにある。
きくすることにある。
【００１５】さらに、本発明の他の目的は、色相による
透過率の差を補償することにある。
透過率の差を補償することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明においては電極の配列を新しくする。
すなわち、互いに絶縁している第１電極及び第２電極の
端部が重畳するように配列し、第２電極は第１電極間で
連続した面からなる構造を有しており、一つの画素は少
なくとも一つの第１電極と第２電極とからなる。
るために、本発明においては電極の配列を新しくする。
すなわち、互いに絶縁している第１電極及び第２電極の
端部が重畳するように配列し、第２電極は第１電極間で
連続した面からなる構造を有しており、一つの画素は少
なくとも一つの第１電極と第２電極とからなる。
【００１７】かかる液晶表示装置において第１電極と第
２電極に電圧を印加して電位差を与えると電気場が生
じ、その電気力線の形態は第１電極と第２電極との境界
線または境界領域を中心とする半楕円形または放物線形
となり、これによってそれぞれの電極上においても電気
場が垂直及び水平成分を有するようになる。
２電極に電圧を印加して電位差を与えると電気場が生
じ、その電気力線の形態は第１電極と第２電極との境界
線または境界領域を中心とする半楕円形または放物線形
となり、これによってそれぞれの電極上においても電気
場が垂直及び水平成分を有するようになる。
【００１８】第１電極または第２電極上、そして二つの
電極間の境界領域の液晶分子は、電気場の水平及び垂直
成分によってねじり角と傾斜角とを有して再配列され、
このように再配列された液晶物質層によって光の偏光が
変化する。このように液晶分子がねじり角と傾斜角とを
共に有して再配列されるため、視野角が広がることにな
る。
電極間の境界領域の液晶分子は、電気場の水平及び垂直
成分によってねじり角と傾斜角とを有して再配列され、
このように再配列された液晶物質層によって光の偏光が
変化する。このように液晶分子がねじり角と傾斜角とを
共に有して再配列されるため、視野角が広がることにな
る。
【００１９】また、電気場は二つの電極の境界領域だけ
でなく、第１電極及び第２電極上においても垂直及び水
平成分を有するため、第１電極及び第２電極上の液晶分
子も画像の表示に関与する。
でなく、第１電極及び第２電極上においても垂直及び水
平成分を有するため、第１電極及び第２電極上の液晶分
子も画像の表示に関与する。
【００２０】また、電気場の強度が第１電極と第２電極
との境界領域で強いためその上の液晶層を駆動するしき
い電圧及び飽和電圧が低いので、消費電極が低い。
との境界領域で強いためその上の液晶層を駆動するしき
い電圧及び飽和電圧が低いので、消費電極が低い。
【００２１】さらに、スイッチング素子として薄膜トラ
ンジスタをおいて第１電極と第２電極に電圧を印加する
場合に、二つの電極が絶縁膜を間において重畳するた
め、静電容量を確保するために別途の保持蓄電器を備え
る必要がないので、開口率を大きくすることができる。
ンジスタをおいて第１電極と第２電極に電圧を印加する
場合に、二つの電極が絶縁膜を間において重畳するた
め、静電容量を確保するために別途の保持蓄電器を備え
る必要がないので、開口率を大きくすることができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例について図
面に基づいて詳細に説明する。
面に基づいて詳細に説明する。
【００２３】以下、本発明の第１実施例について図１乃
至図１１を参照して詳細に説明する。図１は本発明の第
１実施例による液晶表示装置における電極の配置を示し
た図面であり、図２は図１のＩＩ−ＩＩ′線の断面図で
あって、上部基板と下部基板とを共に示したものであ
り、電気力線及び等電位線も共に示した。
至図１１を参照して詳細に説明する。図１は本発明の第
１実施例による液晶表示装置における電極の配置を示し
た図面であり、図２は図１のＩＩ−ＩＩ′線の断面図で
あって、上部基板と下部基板とを共に示したものであ
り、電気力線及び等電位線も共に示した。
【００２４】まず、電極が形成されている下部基板の構
造について説明する。ガラスや石英のような透明な絶縁
物質からなる下部基板１００の内面上にＩＴＯ（ｉｎｄ
ｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）などの透明導電物質から
なっていて、一定の幅を有する面形電極２が横方向に長
く形成されている。面形電極２上を絶縁膜３が覆ってお
り、その上に幅の狭い多数の線形電極１が縦方向に互い
に平行に形成されている。線形電極１は透明または不透
明な物質からなり得、その幅は線形電極１間の間隔、す
なわち、隣接した二つの線形電極１の隣接境界線間の距
離より小さい。線形電極１上にはポリイミドなどの物質
で作られた配向膜４が塗布されている。一方、下部基板
１００の外面には偏光板５が取付けられている。
造について説明する。ガラスや石英のような透明な絶縁
物質からなる下部基板１００の内面上にＩＴＯ（ｉｎｄ
ｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）などの透明導電物質から
なっていて、一定の幅を有する面形電極２が横方向に長
く形成されている。面形電極２上を絶縁膜３が覆ってお
り、その上に幅の狭い多数の線形電極１が縦方向に互い
に平行に形成されている。線形電極１は透明または不透
明な物質からなり得、その幅は線形電極１間の間隔、す
なわち、隣接した二つの線形電極１の隣接境界線間の距
離より小さい。線形電極１上にはポリイミドなどの物質
で作られた配向膜４が塗布されている。一方、下部基板
１００の外面には偏光板５が取付けられている。
【００２５】ガラスや石英などの透明な絶縁物質からな
って下部基板と対向している上部基板２００の内側面に
はポリイミドなどの物質で作られた配向膜６が形成され
ており、外面には偏光板７が取付けられている。
って下部基板と対向している上部基板２００の内側面に
はポリイミドなどの物質で作られた配向膜６が形成され
ており、外面には偏光板７が取付けられている。
【００２６】最終に、二つの基板１００、２００の配向
膜４、６間には光学異方性を有する液晶層５００が挿入
されている。
膜４、６間には光学異方性を有する液晶層５００が挿入
されている。
【００２７】この液晶表示装置は、下部基板１００の下
方に位置するバックライトユニット（図示しない）から
の光の透過率を調節しても表示動作を行いうるが、上部
基板２００の上部から入ってくる自然光を利用して表示
動作を行うことも可能であり、この場合には下部偏光板
５は必要がない。自然光を利用した反射型液晶表示装置
の場合には、線形電極１と面形電極２を共に不透明で反
射率の高い物質、例えば、アルミニウムなどの物質で形
成するのが好ましい。また、反射型の場合、下部基板１
００を不透明にすることが可能である。
方に位置するバックライトユニット（図示しない）から
の光の透過率を調節しても表示動作を行いうるが、上部
基板２００の上部から入ってくる自然光を利用して表示
動作を行うことも可能であり、この場合には下部偏光板
５は必要がない。自然光を利用した反射型液晶表示装置
の場合には、線形電極１と面形電極２を共に不透明で反
射率の高い物質、例えば、アルミニウムなどの物質で形
成するのが好ましい。また、反射型の場合、下部基板１
００を不透明にすることが可能である。
【００２８】以下、このような液晶表示装置の電気場の
概括的な形態について、図２を参照して詳細に説明す
る。二つの電極１、２に電圧を印加して二つの電極１、
２間に電位差を与えると、図２に示したような電気場が
生成される。図２に実線で示したものは等電位線であ
り、点線で示したものは電気力線である。
概括的な形態について、図２を参照して詳細に説明す
る。二つの電極１、２に電圧を印加して二つの電極１、
２間に電位差を与えると、図２に示したような電気場が
生成される。図２に実線で示したものは等電位線であ
り、点線で示したものは電気力線である。
【００２９】図２からわかるように、電気場の形態は、
線形電極１上の狭い領域ＮＲの縦方向の中央線Ｃ（実際
には面に該当する）及び線形電極１間の広い領域ＷＲの
縦方向の中央線Ｂ（実際には面に該当する）に対して対
称である。狭い領域ＮＲの中央線Ｃから広い領域ＷＲの
中央線Ｂまでの領域には、狭い領域ＮＲと広い領域ＷＲ
との境界線Ａ（実際には面に該当する）に頂点を置く半
楕円形まはた放物線形（以下、便宜上、半楕円形と説明
する）の電気力線形態を有する電気場が生成される。電
気力線の接線は狭い領域ＮＲと広い領域ＷＲとの境界線
Ａ上で基板１００に対してほぼ平行であり、狭い領域Ｎ
Ｒ及び広い領域ＷＲの中央位置では基板１００に対して
ほぼ垂直となる。また、楕円の中心及び縦方向の頂点は
狭い領域ＮＲと広い領域ＷＲとの境界線Ａ上に位置し、
横方向の二つの頂点はそれぞれ広い領域ＷＲ及び狭い領
域ＮＲに位置する。このとき、狭い領域ＮＲに位置する
横方向の頂点は広い領域ＷＲに位置する横方向の頂点に
比べて楕円の中心からの距離が短いため、楕円は境界線
Ａに対して対称をなさない。また、電気力線の密度が位
置によって異なり、電気場の強度もこれに比例して異な
る。従って、狭い領域ＮＲと広い領域ＷＲとの間の境界
線Ａ−Ａ上で電気場の強度が一番大きく、狭い領域ＮＲ
及び広い領域ＷＲの中央線Ｃ−Ｃ、Ｂ−Ｂの方に行くほ
ど、そして上部基板２００の方に行くほど小さくなる。
線形電極１上の狭い領域ＮＲの縦方向の中央線Ｃ（実際
には面に該当する）及び線形電極１間の広い領域ＷＲの
縦方向の中央線Ｂ（実際には面に該当する）に対して対
称である。狭い領域ＮＲの中央線Ｃから広い領域ＷＲの
中央線Ｂまでの領域には、狭い領域ＮＲと広い領域ＷＲ
との境界線Ａ（実際には面に該当する）に頂点を置く半
楕円形まはた放物線形（以下、便宜上、半楕円形と説明
する）の電気力線形態を有する電気場が生成される。電
気力線の接線は狭い領域ＮＲと広い領域ＷＲとの境界線
Ａ上で基板１００に対してほぼ平行であり、狭い領域Ｎ
Ｒ及び広い領域ＷＲの中央位置では基板１００に対して
ほぼ垂直となる。また、楕円の中心及び縦方向の頂点は
狭い領域ＮＲと広い領域ＷＲとの境界線Ａ上に位置し、
横方向の二つの頂点はそれぞれ広い領域ＷＲ及び狭い領
域ＮＲに位置する。このとき、狭い領域ＮＲに位置する
横方向の頂点は広い領域ＷＲに位置する横方向の頂点に
比べて楕円の中心からの距離が短いため、楕円は境界線
Ａに対して対称をなさない。また、電気力線の密度が位
置によって異なり、電気場の強度もこれに比例して異な
る。従って、狭い領域ＮＲと広い領域ＷＲとの間の境界
線Ａ−Ａ上で電気場の強度が一番大きく、狭い領域ＮＲ
及び広い領域ＷＲの中央線Ｃ−Ｃ、Ｂ−Ｂの方に行くほ
ど、そして上部基板２００の方に行くほど小さくなる。
【００３０】以下、このような電気場によって液晶分子
が再配列された状態を基板に水平な成分とこれに垂直な
成分とに分けて説明する。最初に、初期状態について説
明する。二つの配向膜４、６はラビングまたは紫外線照
射法で配向処理されて液晶分子のすべてが一方向に配列
され、基板１００、２００に対して若干の線傾斜角を有
するがほぼ水平となり、基板１００、２００に平行な面
上からみるとき、線形電極１の方向及びこれに垂直な方
向に対して一定の角をなすように配列されている。偏光
板５、２７の偏光軸は互いに直交するように配置し、下
部偏光板５の偏光軸はラビング方向とほぼ一致する。二
つの配向膜４、６間に入っている液晶物質は誘電率異方
性が陽であるネマチック液晶である。
が再配列された状態を基板に水平な成分とこれに垂直な
成分とに分けて説明する。最初に、初期状態について説
明する。二つの配向膜４、６はラビングまたは紫外線照
射法で配向処理されて液晶分子のすべてが一方向に配列
され、基板１００、２００に対して若干の線傾斜角を有
するがほぼ水平となり、基板１００、２００に平行な面
上からみるとき、線形電極１の方向及びこれに垂直な方
向に対して一定の角をなすように配列されている。偏光
板５、２７の偏光軸は互いに直交するように配置し、下
部偏光板５の偏光軸はラビング方向とほぼ一致する。二
つの配向膜４、６間に入っている液晶物質は誘電率異方
性が陽であるネマチック液晶である。
【００３１】次に、線形電極１及び面形電極２にそれぞ
れ電圧を印加するが、線形電極１に高い電圧を印加す
る。このとき、液晶分子の配列は電気場による力（電気
場の方向と強度に依存）と配向処理によって発生する弾
性復元力とが平衡をなすことによって決定される。
れ電圧を印加するが、線形電極１に高い電圧を印加す
る。このとき、液晶分子の配列は電気場による力（電気
場の方向と強度に依存）と配向処理によって発生する弾
性復元力とが平衡をなすことによって決定される。
【００３２】このような液晶分子の再配列の状態を基板
に平行な成分と垂直な成分とに分けて説明する。説明の
便宜上、基板に対して垂直な方向をｚ軸、基板に対して
垂直であり線形電極１の方向にも垂直な方向をｘ軸、線
形電極１の方向に平行な方向をｙ軸とする。すなわち、
図１で左側から右側に向かう方向をｘ軸、線形電極１に
沿って下から上に向かう方向をｙ軸、図２で下部基板１
００から上部基板２００に向かう方向をｚ軸とする。
に平行な成分と垂直な成分とに分けて説明する。説明の
便宜上、基板に対して垂直な方向をｚ軸、基板に対して
垂直であり線形電極１の方向にも垂直な方向をｘ軸、線
形電極１の方向に平行な方向をｙ軸とする。すなわち、
図１で左側から右側に向かう方向をｘ軸、線形電極１に
沿って下から上に向かう方向をｙ軸、図２で下部基板１
００から上部基板２００に向かう方向をｚ軸とする。
【００３３】まず、液晶分子のねじり角、すなわち、液
晶分子の長軸が基板に平行な面、すなわち、ｘｙ平面上
でｘ軸または初期配列方向に対してなす角の変化につい
て、図３、図４及び図５を参照して説明する。図３に示
したように、ラビング方向はベクトルＲ↑（以下、ベク
トルを表す場合にはその文字の直後に↑を付けることと
する。）で、電気場のｘ−ｙ平面成分はベクトルＥｘｙ
↑で、下部偏光板５の光軸はベクトルＰ↑で示し、ラビ
ング方向がｘ軸となす角はψＲで、液晶分子の長軸がｘ
軸となす角はψＬＣで示した。ここで下部偏光板５の光
軸はラビング方向と一致するので、下部偏光板５の光軸
がｘ軸となす角ψｐ＝ψＲである。
晶分子の長軸が基板に平行な面、すなわち、ｘｙ平面上
でｘ軸または初期配列方向に対してなす角の変化につい
て、図３、図４及び図５を参照して説明する。図３に示
したように、ラビング方向はベクトルＲ↑（以下、ベク
トルを表す場合にはその文字の直後に↑を付けることと
する。）で、電気場のｘ−ｙ平面成分はベクトルＥｘｙ
↑で、下部偏光板５の光軸はベクトルＰ↑で示し、ラビ
ング方向がｘ軸となす角はψＲで、液晶分子の長軸がｘ
軸となす角はψＬＣで示した。ここで下部偏光板５の光
軸はラビング方向と一致するので、下部偏光板５の光軸
がｘ軸となす角ψｐ＝ψＲである。
【００３４】電気場のｘ−ｙ平面成分ベクトルＥｘｙ↑
の方向は、境界線Ａから広い領域ＷＲの中央線Ｂに至る
までは正のｘ方向であり、広い領域ＷＲの中央線Ｂから
次の境界線Ｄまでは負のｘ方向である。電気場の成分の
強度はＡ、Ｄ上で一番大きく、中央線Ｂ−Ｂの方に行く
ほど小さくなり、中央線Ｂ−Ｂ上ではゼロとなる。
の方向は、境界線Ａから広い領域ＷＲの中央線Ｂに至る
までは正のｘ方向であり、広い領域ＷＲの中央線Ｂから
次の境界線Ｄまでは負のｘ方向である。電気場の成分の
強度はＡ、Ｄ上で一番大きく、中央線Ｂ−Ｂの方に行く
ほど小さくなり、中央線Ｂ−Ｂ上ではゼロとなる。
【００３５】配向処理による弾性的な復元力の大きさ
は、ｘｙ平面上では位置に拘わらず一定である。
は、ｘｙ平面上では位置に拘わらず一定である。
【００３６】液晶分子はこのような二つの力が平衡をな
すように配列しなければならないので、図４に示したよ
うに、境界線Ａ、Ｄでは液晶分子の長軸方向が電気場の
成分Ｅｘｙ↑に対してほぼ平行であり、ラビング方向に
対しては大きな角度を有するが、領域ＮＲ、ＷＲの中心
線Ｃ、Ｂの方に行くほど液晶分子の長軸がラビング方向
に対してなす角｜ψＲ−ψＬＣ｜が小さくなり、中心線
Ｂ、Ｃでは液晶分子の長軸とラビング方向とが同一とな
る。下部偏光板５の光軸はラビング方向と平行であるた
め、下部偏光板５の光軸と液晶分子の長軸とがなす角度
もこれと同一の分布を有し、この値は光の透過率と密接
な関連がある。
すように配列しなければならないので、図４に示したよ
うに、境界線Ａ、Ｄでは液晶分子の長軸方向が電気場の
成分Ｅｘｙ↑に対してほぼ平行であり、ラビング方向に
対しては大きな角度を有するが、領域ＮＲ、ＷＲの中心
線Ｃ、Ｂの方に行くほど液晶分子の長軸がラビング方向
に対してなす角｜ψＲ−ψＬＣ｜が小さくなり、中心線
Ｂ、Ｃでは液晶分子の長軸とラビング方向とが同一とな
る。下部偏光板５の光軸はラビング方向と平行であるた
め、下部偏光板５の光軸と液晶分子の長軸とがなす角度
もこれと同一の分布を有し、この値は光の透過率と密接
な関連がある。
【００３７】狭い領域ＮＲと広い領域ＷＲとの幅の比を
変化させることで、多様な形態の電気場を作ることがで
きる。線形電極１を不透明な電極にする場合には線形電
極１上の狭い領域ＮＲを表示領域として使用することが
できないが、透明な物質で作る場合には狭い領域ＮＲも
また表示領域として使用することができる。
変化させることで、多様な形態の電気場を作ることがで
きる。線形電極１を不透明な電極にする場合には線形電
極１上の狭い領域ＮＲを表示領域として使用することが
できないが、透明な物質で作る場合には狭い領域ＮＲも
また表示領域として使用することができる。
【００３８】一方、電気場のｘｙ平面成分Ｅｘｙ↑は下
部配向膜４から上部配向膜６に至るまで、すなわち、ｚ
軸に沿って徐々に小さくなり、配向による弾性的な復元
力は配向膜４、６の表面で一番大きく、二つの配向膜
４、６間の液晶層の中央の方に行くほど徐々に小さくな
る。
部配向膜４から上部配向膜６に至るまで、すなわち、ｚ
軸に沿って徐々に小さくなり、配向による弾性的な復元
力は配向膜４、６の表面で一番大きく、二つの配向膜
４、６間の液晶層の中央の方に行くほど徐々に小さくな
る。
【００３９】下部配向膜４から上部配向膜６に至る位置
で、すなわち、ｚ軸に沿いつつ液晶分子の長軸方向がｘ
軸となすねじり角は図５に示したとおりであり、二つの
配向膜間の間隔、すなわち、セルの間隔がｄである場合
を示したものである。ここで、横軸は下部配向膜４から
の高さを、縦軸はねじり角を示す。
で、すなわち、ｚ軸に沿いつつ液晶分子の長軸方向がｘ
軸となすねじり角は図５に示したとおりであり、二つの
配向膜間の間隔、すなわち、セルの間隔がｄである場合
を示したものである。ここで、横軸は下部配向膜４から
の高さを、縦軸はねじり角を示す。
【００４０】図５に示したように、ねじり角は配向膜
４、６の表面では配向力による力が強くなるため大き
く、液晶層の中央に行くほど小さくなって電気場の方向
に近くなることがわかり、配向膜４、６の直ぐ上では液
晶分子の長軸がラビング方向と同一の方向に配列する。
ここで、隣接した液晶分子のねじり角の差をねじりとす
ると、図５でのねじりは曲線の傾きに該当し、これは配
向膜４、６の表面では大きく、液晶層の中央に行くほど
小さくなる。
４、６の表面では配向力による力が強くなるため大き
く、液晶層の中央に行くほど小さくなって電気場の方向
に近くなることがわかり、配向膜４、６の直ぐ上では液
晶分子の長軸がラビング方向と同一の方向に配列する。
ここで、隣接した液晶分子のねじり角の差をねじりとす
ると、図５でのねじりは曲線の傾きに該当し、これは配
向膜４、６の表面では大きく、液晶層の中央に行くほど
小さくなる。
【００４１】次に、液晶分子の傾斜角、すなわち、液晶
分子の長軸が基板に垂直な面、例えば、ｚｘ平面上でｘ
軸または初期配列方向に対してなす角の変化について、
図６、図７及び図８を参照して説明する。図６において
は便宜上、基板１００、２００のみを示し、図３で示し
たラビング方向を示すベクトルＲ↑のｚｘ平面に対する
成分をベクトルＲｚｘ↑で、電気場のｚｘ平面の成分は
ベクトルＥｚｘ↑で示し、電気場のｚｘ平面成分Ｅｚｘ
↑がｘ軸となす角はθＥで、液晶分子の長軸がｘ軸とな
す傾斜角はθＬＣで示した。ここでベクトルＲ↑はｘｙ
平面上に存在するため（線傾斜角は無視）Ｒｚｘ↑はｘ
方向となる。
分子の長軸が基板に垂直な面、例えば、ｚｘ平面上でｘ
軸または初期配列方向に対してなす角の変化について、
図６、図７及び図８を参照して説明する。図６において
は便宜上、基板１００、２００のみを示し、図３で示し
たラビング方向を示すベクトルＲ↑のｚｘ平面に対する
成分をベクトルＲｚｘ↑で、電気場のｚｘ平面の成分は
ベクトルＥｚｘ↑で示し、電気場のｚｘ平面成分Ｅｚｘ
↑がｘ軸となす角はθＥで、液晶分子の長軸がｘ軸とな
す傾斜角はθＬＣで示した。ここでベクトルＲ↑はｘｙ
平面上に存在するため（線傾斜角は無視）Ｒｚｘ↑はｘ
方向となる。
【００４２】電気場のｚｘ平面成分Ｅｚｘ↑の大きさ
は、下部基板１００から上部基板２００の方に行くほど
小さくなり、角度θＥも下部基板１００から上部基板２
００の方に行くほど小さくなる。
は、下部基板１００から上部基板２００の方に行くほど
小さくなり、角度θＥも下部基板１００から上部基板２
００の方に行くほど小さくなる。
【００４３】前述したように配向処理による弾性的な復
元力の大きさは、二つの基板１００、２００の表面で一
番大きく、液晶層の中央に行くほど小さくなる。
元力の大きさは、二つの基板１００、２００の表面で一
番大きく、液晶層の中央に行くほど小さくなる。
【００４４】液晶分子はこのような二つの力が平衡をな
すように配列しなければならない。図７に示したよう
に、下部基板１００の表面においては配向力が強いため
液晶分子がｘ軸と平行に配列されるが、上方に上がるほ
ど電気場による力が相対的に大きくなるため、傾斜角θ
ＬＣの大きさはある程度までは増加が続いて再び減少
し、上部基板２００表面では再びｘ軸と平行に配列す
る。このとき、曲線の頂点は下部基板１００に近い位置
に現われる。
すように配列しなければならない。図７に示したよう
に、下部基板１００の表面においては配向力が強いため
液晶分子がｘ軸と平行に配列されるが、上方に上がるほ
ど電気場による力が相対的に大きくなるため、傾斜角θ
ＬＣの大きさはある程度までは増加が続いて再び減少
し、上部基板２００表面では再びｘ軸と平行に配列す
る。このとき、曲線の頂点は下部基板１００に近い位置
に現われる。
【００４５】一方、電気場のｚｘ表面成分Ｅｚｘ↑がｘ
軸に対してなす角θＥは境界線Ａ、Ｄ上では０に近く、
中央線Ｂ−Ｂの方に行くほど大きくなり、電気場のｚｘ
平面成分Ｅｚｘ↑の大きさは境界線ＡＮＤ上で一番大き
く、中央線Ｂ−Ｂの方に行くほど小さくなる。
軸に対してなす角θＥは境界線Ａ、Ｄ上では０に近く、
中央線Ｂ−Ｂの方に行くほど大きくなり、電気場のｚｘ
平面成分Ｅｚｘ↑の大きさは境界線ＡＮＤ上で一番大き
く、中央線Ｂ−Ｂの方に行くほど小さくなる。
【００４６】配向処理による弾性的な復元力の大きさ
は、ｘ軸上では位置に拘わらず一定である。
は、ｘ軸上では位置に拘わらず一定である。
【００４７】従って、図８に示したように、境界線Ａ、
Ｄでは液晶分子の傾斜角が殆ど０に近いが、中心線Ｃ、
Ｂの方に行くほど大きくなり、電気場のｚｘ平面成分Ｅ
ｚｘ↑がｘ軸となす角θＥと類似した分布を有する。し
かし、θＥよりは緩やかに変化する。
Ｄでは液晶分子の傾斜角が殆ど０に近いが、中心線Ｃ、
Ｂの方に行くほど大きくなり、電気場のｚｘ平面成分Ｅ
ｚｘ↑がｘ軸となす角θＥと類似した分布を有する。し
かし、θＥよりは緩やかに変化する。
【００４８】このように、二つの電極１、２に電圧が印
加されると液晶分子はねじり角及び傾斜角を有して再配
列され、そのねじり角及び傾斜角の変化によって光の透
過率が変化する。境界線Ａ、Ｄ上では、ｚ軸に沿ってみ
ると傾斜角の変化は殆どないが、ねじり角の変化は大き
い。反面、中央線Ｂ、Ｃ上では、ｚ軸に沿ってみると、
ねじり角の変化は殆どないが、傾斜角は少し変化する。
従って、境界線Ａ、Ｄと中央線Ｂ、Ｃとの間の領域では
ねじり角と傾斜角とが共に変化する領域となる。結局、
位置による透過率曲線は電気力線の形態と類似した形態
となる。
加されると液晶分子はねじり角及び傾斜角を有して再配
列され、そのねじり角及び傾斜角の変化によって光の透
過率が変化する。境界線Ａ、Ｄ上では、ｚ軸に沿ってみ
ると傾斜角の変化は殆どないが、ねじり角の変化は大き
い。反面、中央線Ｂ、Ｃ上では、ｚ軸に沿ってみると、
ねじり角の変化は殆どないが、傾斜角は少し変化する。
従って、境界線Ａ、Ｄと中央線Ｂ、Ｃとの間の領域では
ねじり角と傾斜角とが共に変化する領域となる。結局、
位置による透過率曲線は電気力線の形態と類似した形態
となる。
【００４９】以下、実験例を挙げて本発明の第１実施例
による液晶表示装置の透過率及び視野角の特性につい
て、図９、図１０及び図１１を参照して説明する。本実
施例で、線形電極１は不透明な物質からなっており、狭
い領域ＮＲの幅は５μｍＮ広い領域の幅は１７μｍであ
り、面形電極２に印加された電圧は０Ｖ、線形電極１に
印加された電圧は５Ｖであり、ψＲは８０゜、線傾斜角
は約１．５゜、セル間隔は４．５μｍとした。
による液晶表示装置の透過率及び視野角の特性につい
て、図９、図１０及び図１１を参照して説明する。本実
施例で、線形電極１は不透明な物質からなっており、狭
い領域ＮＲの幅は５μｍＮ広い領域の幅は１７μｍであ
り、面形電極２に印加された電圧は０Ｖ、線形電極１に
印加された電圧は５Ｖであり、ψＲは８０゜、線傾斜角
は約１．５゜、セル間隔は４．５μｍとした。
【００５０】図９は、本実験例による透過率グラフであ
って、図３における一番左側の線形電極１の左側境界線
を原点とし、この原点からｘ軸方向に移動しながら透過
率の変化を観察したものである。図９に示したように、
透過率は不透明な狭い領域ＮＲで０となり、広い領域Ｗ
Ｒの中央線Ｂ付近で減少し、境界線Ａ、Ｄと中央線Ｂと
の間の領域の中央で最大となる。
って、図３における一番左側の線形電極１の左側境界線
を原点とし、この原点からｘ軸方向に移動しながら透過
率の変化を観察したものである。図９に示したように、
透過率は不透明な狭い領域ＮＲで０となり、広い領域Ｗ
Ｒの中央線Ｂ付近で減少し、境界線Ａ、Ｄと中央線Ｂと
の間の領域の中央で最大となる。
【００５１】また、印加電圧による透過率の変化をみる
と、図１０に示したように、横軸を印加電圧として縦軸
を透過率とし、しきい電圧が約１．５Ｖであり、飽和電
圧は約３Ｖであることがわかる。従って、本発明による
液晶表示装置は低い電圧でも駆動が可能である。
と、図１０に示したように、横軸を印加電圧として縦軸
を透過率とし、しきい電圧が約１．５Ｖであり、飽和電
圧は約３Ｖであることがわかる。従って、本発明による
液晶表示装置は低い電圧でも駆動が可能である。
【００５２】図１１は本実施例による液晶表示装置の方
向に従って視野角の特性を示したグラフであり、対比１
０以上である領域の境界が上下左右にほぼ６０゜以上で
あることがわかる。
向に従って視野角の特性を示したグラフであり、対比１
０以上である領域の境界が上下左右にほぼ６０゜以上で
あることがわかる。
【００５３】本実験例で、偏光板と基板との間に光位相
差の補償板を使用すると、さらに広い視野角が得られ
る。
差の補償板を使用すると、さらに広い視野角が得られ
る。
【００５４】本発明の第１実施例においては、二つの基
板に形成されている配向膜を同一方向に配向処理して透
過軸が互いに垂直をなす偏光板を取付けた場合、電圧を
印加しない状態で暗状態となるノーマルブラックモード
をとったが、二つの基板に形成されている配向膜の配向
処理方向を異にして初期状態で液晶分子の配列がねじれ
るようにすることで、電圧を印加しない状態が明状態と
なるノーマルホワイトモードをとる液晶表示装置を作る
ことも可能である。このとき、二つの配向膜の配向処理
方向は互いに０゜以上９０゜以下の角をなすようにする
のが好ましい。
板に形成されている配向膜を同一方向に配向処理して透
過軸が互いに垂直をなす偏光板を取付けた場合、電圧を
印加しない状態で暗状態となるノーマルブラックモード
をとったが、二つの基板に形成されている配向膜の配向
処理方向を異にして初期状態で液晶分子の配列がねじれ
るようにすることで、電圧を印加しない状態が明状態と
なるノーマルホワイトモードをとる液晶表示装置を作る
ことも可能である。このとき、二つの配向膜の配向処理
方向は互いに０゜以上９０゜以下の角をなすようにする
のが好ましい。
【００５５】前述した実施例及び実験例において、液晶
物質の種類、配向膜の種類、配向方法、線傾斜角、偏光
板の方向、セルの間隔、位相差の補償板の種類及び有
無、電極をなす物質、電極の幅及び間隔などは、液晶表
示装置の設計によって変化させることができる。
物質の種類、配向膜の種類、配向方法、線傾斜角、偏光
板の方向、セルの間隔、位相差の補償板の種類及び有
無、電極をなす物質、電極の幅及び間隔などは、液晶表
示装置の設計によって変化させることができる。
【００５６】例えば、線形電極１を透明な物質で形成す
ると線形電極１上の液晶分子も光の調節に利用するの
で、より大きな透過率が得られる。
ると線形電極１上の液晶分子も光の調節に利用するの
で、より大きな透過率が得られる。
【００５７】このような変形例のうちで、まず、液晶物
質の種類及び／または初期配向状態を変化させた第２乃
至第４実施例について詳細に説明する。
質の種類及び／または初期配向状態を変化させた第２乃
至第４実施例について詳細に説明する。
【００５８】まず、負の誘電率異方性を有する液晶物質
を二つの基板間に注入した本発明の第２実施例による液
晶表示装置について説明する。本発明の第２実施例によ
る液晶表示装置は図１及び図２に示した第１実施例の構
造と類似している。そして、二つの電極の構造が類似し
ているため、二つの電極に電圧を印加した時に形成され
る電気場の形態も類似している。但し、負の誘電率異方
性を有する液晶物質を用いるため、電気場が印加された
時の液晶分子の配列状態は異なる。
を二つの基板間に注入した本発明の第２実施例による液
晶表示装置について説明する。本発明の第２実施例によ
る液晶表示装置は図１及び図２に示した第１実施例の構
造と類似している。そして、二つの電極の構造が類似し
ているため、二つの電極に電圧を印加した時に形成され
る電気場の形態も類似している。但し、負の誘電率異方
性を有する液晶物質を用いるため、電気場が印加された
時の液晶分子の配列状態は異なる。
【００５９】初期状態で、二つの配向膜４、６はラビン
グまたは紫外線照射法で配向処理されて液晶分子のすべ
てが一方向に配列され、基板１００、２００に対して若
干の線傾斜角を有するがほぼ水平となり、基板１００、
２００に平行な面上から見る時に線形電極１の方向及び
これに垂直な方向に対して一定の角をなすように配列さ
れている。この時の線傾斜角は７゜以内であるのが好ま
しく、配向方向が線形電極１に対してなす角は４５゜以
内であるのが好ましい。偏光板５、２７の偏光軸は互い
に直交するように配置し、下部偏光板５の偏光軸はバフ
ィング方向とほぼ一致する。この時、下部偏光板５と液
晶層を通過した光は上部偏光板７によって遮断され、電
圧が印加されていない状態で暗状態を現すノーマルブラ
ックモードとなる。
グまたは紫外線照射法で配向処理されて液晶分子のすべ
てが一方向に配列され、基板１００、２００に対して若
干の線傾斜角を有するがほぼ水平となり、基板１００、
２００に平行な面上から見る時に線形電極１の方向及び
これに垂直な方向に対して一定の角をなすように配列さ
れている。この時の線傾斜角は７゜以内であるのが好ま
しく、配向方向が線形電極１に対してなす角は４５゜以
内であるのが好ましい。偏光板５、２７の偏光軸は互い
に直交するように配置し、下部偏光板５の偏光軸はバフ
ィング方向とほぼ一致する。この時、下部偏光板５と液
晶層を通過した光は上部偏光板７によって遮断され、電
圧が印加されていない状態で暗状態を現すノーマルブラ
ックモードとなる。
【００６０】以下、このような電気場によって液晶分子
が再配列された状態について、基板に対して水平な成分
と垂直な成分とに分けて説明する。説明の便宜上、本発
明の第１実施例を説明した時と同様に、基板に垂直な方
向をｚ軸、基板に垂直で線形電極１の方向に対しても垂
直な方向をｘ軸、線形電極１の方向に平行な方向をｙ軸
とする。すなわち、図１において左側から右側に向かう
方向をｘ軸、線形電極１に沿って下から上に向かう方向
をｙ軸、図２において下部基板１００から上部基板２０
０に向かう方向をｚ軸とする。
が再配列された状態について、基板に対して水平な成分
と垂直な成分とに分けて説明する。説明の便宜上、本発
明の第１実施例を説明した時と同様に、基板に垂直な方
向をｚ軸、基板に垂直で線形電極１の方向に対しても垂
直な方向をｘ軸、線形電極１の方向に平行な方向をｙ軸
とする。すなわち、図１において左側から右側に向かう
方向をｘ軸、線形電極１に沿って下から上に向かう方向
をｙ軸、図２において下部基板１００から上部基板２０
０に向かう方向をｚ軸とする。
【００６１】まず、液晶分子のねじり角、すなわち、液
晶分子の長軸が基板に平行な面、すなわち、ｘｙ平面上
でｘ軸または初期配列方向に対してなす角の変化につい
て、図１２、図１３及び図１４を参照して説明する。
晶分子の長軸が基板に平行な面、すなわち、ｘｙ平面上
でｘ軸または初期配列方向に対してなす角の変化につい
て、図１２、図１３及び図１４を参照して説明する。
【００６２】図１２に示したように、バフィング方向は
ベクトルＲ↑で、電気場のｘ−ｙ平面成分はベクトルＥ
ｘｙ↑で、下部偏光板５の光軸はベクトルＰ↑で示し、
バフィング方向がｘ軸となす角はψＲで、液晶分子の長
軸がｘ軸となす角はψＬＣで示した。ここで下部偏光板
５の光軸はバフィング方向と一致するので、下部偏光板
５の光軸がｘ軸となす角ψｐ＝ψＲである。
ベクトルＲ↑で、電気場のｘ−ｙ平面成分はベクトルＥ
ｘｙ↑で、下部偏光板５の光軸はベクトルＰ↑で示し、
バフィング方向がｘ軸となす角はψＲで、液晶分子の長
軸がｘ軸となす角はψＬＣで示した。ここで下部偏光板
５の光軸はバフィング方向と一致するので、下部偏光板
５の光軸がｘ軸となす角ψｐ＝ψＲである。
【００６３】電気場のｘ−ｙ平面成分Ｅｘｙ↑の方向
は、境界線Ａから広い領域ＷＲの中央線Ｂに至るまでは
正のｘ方向であり、広い領域ＷＲの中央線Ｂから次の境
界線Ｄまでは負のｘ方向である。電気場の成分の強度は
Ａ、Ｄ上で一番大きく、中央線Ｂ−Ｂの方に行くほど小
さくなり、中央線Ｂ−Ｂ上ではゼロとなる。
は、境界線Ａから広い領域ＷＲの中央線Ｂに至るまでは
正のｘ方向であり、広い領域ＷＲの中央線Ｂから次の境
界線Ｄまでは負のｘ方向である。電気場の成分の強度は
Ａ、Ｄ上で一番大きく、中央線Ｂ−Ｂの方に行くほど小
さくなり、中央線Ｂ−Ｂ上ではゼロとなる。
【００６４】配向処理による弾性的な復元力の大きさ
は、ｘｙ平面上では位置に拘わらず一定である。
は、ｘｙ平面上では位置に拘わらず一定である。
【００６５】液晶分子は、このような二つの力が平衡を
なすように配列しなければならないので、図１３に示し
たように、境界線Ａ、Ｄでは液晶分子の長軸方向が電気
場の成分Ｅｘｙ↑に対してほぼ平行で、バフィング方向
に対してもほぼ垂直をなすが、領域ＮＲ、ＷＲの中心線
Ｃ、Ｂの方に行くほど液晶分子の長軸がバフィング方向
に対してなす角｜ψＲ−ψＬＣ｜が小さくなり、中心線
Ｂ、Ｃでは液晶分子の長軸とバフィング方向とが同一と
なる。下部偏光板５の光軸はバフィング方向と平行であ
るため、下部偏光板５の光軸と液晶分子の長軸とがなす
角度もこれと同一の分布を有し、この値は光の透過率と
密接な関連がある。
なすように配列しなければならないので、図１３に示し
たように、境界線Ａ、Ｄでは液晶分子の長軸方向が電気
場の成分Ｅｘｙ↑に対してほぼ平行で、バフィング方向
に対してもほぼ垂直をなすが、領域ＮＲ、ＷＲの中心線
Ｃ、Ｂの方に行くほど液晶分子の長軸がバフィング方向
に対してなす角｜ψＲ−ψＬＣ｜が小さくなり、中心線
Ｂ、Ｃでは液晶分子の長軸とバフィング方向とが同一と
なる。下部偏光板５の光軸はバフィング方向と平行であ
るため、下部偏光板５の光軸と液晶分子の長軸とがなす
角度もこれと同一の分布を有し、この値は光の透過率と
密接な関連がある。
【００６６】一方、電気場のｘｙ平面成分Ｅｘｙ↑は下
部配向膜４から上部配向膜６に至るまで、すなわち、ｚ
軸に沿って徐々に小さくなり、配向による弾性的な復元
力は配向膜４、６の表面で一番大きく、二つの配向膜
４、６間の液晶層の中央の方に行くほど徐々に小さくな
る。
部配向膜４から上部配向膜６に至るまで、すなわち、ｚ
軸に沿って徐々に小さくなり、配向による弾性的な復元
力は配向膜４、６の表面で一番大きく、二つの配向膜
４、６間の液晶層の中央の方に行くほど徐々に小さくな
る。
【００６７】下部配向膜４から上部配向膜６に至る位置
で、すなわち、ｚ軸に沿いつつ液晶分子の長軸方向がｘ
軸となすねじり角は図１４に示したとおりであり、二つ
の配向膜間の間隔、すなわち、セルの間隔がｄである場
合を示したものである。ここで、横軸は下部配向膜４か
らの高さを、縦軸はねじり角を示す。
で、すなわち、ｚ軸に沿いつつ液晶分子の長軸方向がｘ
軸となすねじり角は図１４に示したとおりであり、二つ
の配向膜間の間隔、すなわち、セルの間隔がｄである場
合を示したものである。ここで、横軸は下部配向膜４か
らの高さを、縦軸はねじり角を示す。
【００６８】図１４に示したように、ねじり角は配向膜
４、６の表面では配向力による力が強くなるため大き
く、液晶層の中央に行くほど小さくなって電気場の方向
に近くなることがわかり、配向膜４、６の直ぐ上では液
晶分子の長軸がバフィング方向と同一の方向に配列す
る。ここで、隣接した液晶分子のねじり角の差をねじり
とすると、図１４でのねじりは曲線の傾きに該当し、こ
れは配向膜４、６の表面では大きく、液晶層の中央に行
くほど小さくなる。
４、６の表面では配向力による力が強くなるため大き
く、液晶層の中央に行くほど小さくなって電気場の方向
に近くなることがわかり、配向膜４、６の直ぐ上では液
晶分子の長軸がバフィング方向と同一の方向に配列す
る。ここで、隣接した液晶分子のねじり角の差をねじり
とすると、図１４でのねじりは曲線の傾きに該当し、こ
れは配向膜４、６の表面では大きく、液晶層の中央に行
くほど小さくなる。
【００６９】次に、液晶分子の傾斜角、すなわち、液晶
分子の長軸が基板に垂直な面、例えば、ｚｘ平面上でｘ
軸または初期配列方向に対してなす角の変化について、
図１５、図１６及び図１７を参照して説明する。図１５
においては便宜上、基板１００、２００のみを示し、図
１２で示したバフィング方向を示すベクトルＲ↑のｚｘ
平面に対する成分をベクトルＲｚｘ↑で、電気場のｚｘ
平面成分はベクトルＥｚｘ↑で示し、電気場のｚｘ平面
成分Ｅｚｘ↑がｘ軸となす角はθＥで、液晶分子の長軸
がｘ軸となす傾斜角はθＬＣで示した。ここでベクトル
Ｒ↑はｘｙ平面上に存在するため（線傾斜角は無視）Ｒ
ｚｘ↑はｘ方向となる。
分子の長軸が基板に垂直な面、例えば、ｚｘ平面上でｘ
軸または初期配列方向に対してなす角の変化について、
図１５、図１６及び図１７を参照して説明する。図１５
においては便宜上、基板１００、２００のみを示し、図
１２で示したバフィング方向を示すベクトルＲ↑のｚｘ
平面に対する成分をベクトルＲｚｘ↑で、電気場のｚｘ
平面成分はベクトルＥｚｘ↑で示し、電気場のｚｘ平面
成分Ｅｚｘ↑がｘ軸となす角はθＥで、液晶分子の長軸
がｘ軸となす傾斜角はθＬＣで示した。ここでベクトル
Ｒ↑はｘｙ平面上に存在するため（線傾斜角は無視）Ｒ
ｚｘ↑はｘ方向となる。
【００７０】電気場のｚｘ平面成分Ｅｚｘ↑の大きさ
は、下部基板１００から上部基板２００の方に行くほど
小さくなり、角度θＥも下部基板１００から上部基板２
００の方に行くほど小さくなる。
は、下部基板１００から上部基板２００の方に行くほど
小さくなり、角度θＥも下部基板１００から上部基板２
００の方に行くほど小さくなる。
【００７１】前述したのように配向処理による弾性的な
復元力の大きさは、二つの基板１００、２００の表面で
一番大きく、液晶層の中央に行くほど小さくなる。
復元力の大きさは、二つの基板１００、２００の表面で
一番大きく、液晶層の中央に行くほど小さくなる。
【００７２】液晶分子はこのような二つの力が平衡をな
すように配列しなければならない。図１６に示したよう
に、下部基板１００の表面においては配向力が強いため
液晶分子がｘ軸と平行に配列されるが、上方に上がるほ
ど電気場による力が相対的に大きくなるため、傾斜角θ
ＬＣの大きさはある程度までは増加が続いて再び減少
し、上部基板２００表面では再びｘ軸と平行に配列す
る。このとき、曲線の頂点は下部基板１００に近い位置
に現われる。
すように配列しなければならない。図１６に示したよう
に、下部基板１００の表面においては配向力が強いため
液晶分子がｘ軸と平行に配列されるが、上方に上がるほ
ど電気場による力が相対的に大きくなるため、傾斜角θ
ＬＣの大きさはある程度までは増加が続いて再び減少
し、上部基板２００表面では再びｘ軸と平行に配列す
る。このとき、曲線の頂点は下部基板１００に近い位置
に現われる。
【００７３】一方、電気場のｚｘ表面成分Ｅｚｘ↑がｘ
軸に対してなす角θＥは、境界線Ａ、Ｄ上では０に近
く、中央線Ｂ−Ｂの方に行くほど大きくなり、電気場の
ｚｘ平面成分Ｅｚｘ↑の大きさは境界線Ａ、Ｄ上で一番
大きく、中央線Ｂ−Ｂの方に行くほど小さくなる。
軸に対してなす角θＥは、境界線Ａ、Ｄ上では０に近
く、中央線Ｂ−Ｂの方に行くほど大きくなり、電気場の
ｚｘ平面成分Ｅｚｘ↑の大きさは境界線Ａ、Ｄ上で一番
大きく、中央線Ｂ−Ｂの方に行くほど小さくなる。
【００７４】配向処理による弾性的な復元力の大きさ
は、ｘ軸上では位置に拘わらず一定である。
は、ｘ軸上では位置に拘わらず一定である。
【００７５】従って、図１７に示したように、境界線
Ａ、Ｄでは液晶分子の傾斜角が殆ど０に近いが、中心線
Ｃ、Ｂの方に行くほど大きくなり、電気場のｚｘ平面成
分Ｅｚｘ↑がｘ軸となす角θＥと類似した分布を有す
る。しかし、θＥよりは緩やかに変化する。
Ａ、Ｄでは液晶分子の傾斜角が殆ど０に近いが、中心線
Ｃ、Ｂの方に行くほど大きくなり、電気場のｚｘ平面成
分Ｅｚｘ↑がｘ軸となす角θＥと類似した分布を有す
る。しかし、θＥよりは緩やかに変化する。
【００７６】このように、本発明の第２実施例において
も、二つの電極１、２に電圧が印加されると液晶分子は
ねじり角及び傾斜角を有して再配列され、そのねじり角
及び傾斜角の変化によって光の透過率が変化する。境界
線Ａ、Ｄ上では、ｚ軸に沿ってみると傾斜角の変化は殆
どないが、ねじり角の変化は大きい。反面、中央線Ｂ、
Ｃ上では、ｚ軸に沿ってみるとねじり角の変化は殆どな
いが、傾斜角は少し変化する。従って、境界線Ａ、Ｄと
中央線Ｂ、Ｃとの間の領域ではねじり角と傾斜角とが共
に変化する領域となる。結局、位置による透過率曲線は
電気力線の形態と類似した形態となる。
も、二つの電極１、２に電圧が印加されると液晶分子は
ねじり角及び傾斜角を有して再配列され、そのねじり角
及び傾斜角の変化によって光の透過率が変化する。境界
線Ａ、Ｄ上では、ｚ軸に沿ってみると傾斜角の変化は殆
どないが、ねじり角の変化は大きい。反面、中央線Ｂ、
Ｃ上では、ｚ軸に沿ってみるとねじり角の変化は殆どな
いが、傾斜角は少し変化する。従って、境界線Ａ、Ｄと
中央線Ｂ、Ｃとの間の領域ではねじり角と傾斜角とが共
に変化する領域となる。結局、位置による透過率曲線は
電気力線の形態と類似した形態となる。
【００７７】本発明の第２実施例においても第１実施例
と同様に、二つの基板に形成されている配向膜の配向処
理方向を異にして初期状態で液晶分子の配列がねじれる
ようにすることで、電圧を印加しない状態が明状態とな
るノーマルホワイトモードをとる液晶表示装置を作るこ
とも可能である。このとき、二つの配向膜の配向処理方
向は互いに０゜以上９０゜以下の角をなすようにするの
が好ましい。
と同様に、二つの基板に形成されている配向膜の配向処
理方向を異にして初期状態で液晶分子の配列がねじれる
ようにすることで、電圧を印加しない状態が明状態とな
るノーマルホワイトモードをとる液晶表示装置を作るこ
とも可能である。このとき、二つの配向膜の配向処理方
向は互いに０゜以上９０゜以下の角をなすようにするの
が好ましい。
【００７８】以下、本発明の第３実施例による液晶表示
装置も図１及び図２に示した第１実施例の構造と類似し
ている。そして、二つの電極の構造が類似しているた
め、二つの電極に電圧を印加した時に形成される電気場
の形態も類似している。但し、液晶表示装置に電圧が印
加されていない初期状態で液晶分子が基板に対して垂直
に配向された状態であり、初期状態が変わるため、電気
場が印加された時の液晶分子の配列状態も異なる。
装置も図１及び図２に示した第１実施例の構造と類似し
ている。そして、二つの電極の構造が類似しているた
め、二つの電極に電圧を印加した時に形成される電気場
の形態も類似している。但し、液晶表示装置に電圧が印
加されていない初期状態で液晶分子が基板に対して垂直
に配向された状態であり、初期状態が変わるため、電気
場が印加された時の液晶分子の配列状態も異なる。
【００７９】初期状態で、液晶分子は基板１００、２０
０に対して若干の線傾斜角を有するが、ほぼ垂直となる
ように配列されており、二つの配向膜４、６はラビング
または紫外線照射法で一方向に配向処理されている。こ
の配向処理方向は基板１００、２００に平行な面上から
みるとき、線形電極１の方向及びこれに垂直な方向に対
して一定の角をなす方向である。偏光板５、２７の偏光
軸は互いに直交するように配置し、偏光板の偏光軸は隣
接する配向膜４、６のバフィング方向とほぼ一致する。
この時、下部偏光板５と液晶層を通過した光は上部偏光
板７によって遮断され、電圧が印加されていない状態で
暗状態を示すノーマルブラックモードとなる。二つの基
板間に注入されている液晶物質は陽の誘電率異方性を有
するネマチック液晶やキラル添加剤が０．０〜３．０ｗ
ｔ％添加されたネマチック液晶である。
０に対して若干の線傾斜角を有するが、ほぼ垂直となる
ように配列されており、二つの配向膜４、６はラビング
または紫外線照射法で一方向に配向処理されている。こ
の配向処理方向は基板１００、２００に平行な面上から
みるとき、線形電極１の方向及びこれに垂直な方向に対
して一定の角をなす方向である。偏光板５、２７の偏光
軸は互いに直交するように配置し、偏光板の偏光軸は隣
接する配向膜４、６のバフィング方向とほぼ一致する。
この時、下部偏光板５と液晶層を通過した光は上部偏光
板７によって遮断され、電圧が印加されていない状態で
暗状態を示すノーマルブラックモードとなる。二つの基
板間に注入されている液晶物質は陽の誘電率異方性を有
するネマチック液晶やキラル添加剤が０．０〜３．０ｗ
ｔ％添加されたネマチック液晶である。
【００８０】以下、このような電気場によって液晶分子
が再配列された状態を基板に水平な成分とこれに垂直な
成分とに分けて説明する。説明の便宜上、本発明の第１
実施例における説明と同様に、基板に垂直な方向をｚ
軸、基板に垂直で線形電極１の方向に対しても垂直な方
向をｘ軸、線形電極１の方向に平行な方向をｙ軸とす
る。すなわち、図１において側から右側に向かう方向を
ｘ軸、線形電極１に沿って下から上に向かう方向をｙ
軸、図２において下部基板１００から上部基板２００に
向かう方向をｚ軸とする。
が再配列された状態を基板に水平な成分とこれに垂直な
成分とに分けて説明する。説明の便宜上、本発明の第１
実施例における説明と同様に、基板に垂直な方向をｚ
軸、基板に垂直で線形電極１の方向に対しても垂直な方
向をｘ軸、線形電極１の方向に平行な方向をｙ軸とす
る。すなわち、図１において側から右側に向かう方向を
ｘ軸、線形電極１に沿って下から上に向かう方向をｙ
軸、図２において下部基板１００から上部基板２００に
向かう方向をｚ軸とする。
【００８１】まず、液晶分子のねじり角、すなわち、液
晶分子の長軸が基板に平行な面、すなわち、ｘｙ平面上
でｘ軸または初期配列方向に対してなす角の変化につい
て、図１８、図１９及び図２０を参照して説明する。
晶分子の長軸が基板に平行な面、すなわち、ｘｙ平面上
でｘ軸または初期配列方向に対してなす角の変化につい
て、図１８、図１９及び図２０を参照して説明する。
【００８２】図１８に示したように、バフィング方向は
ベクトルＲ↑で、電気場のｘ−ｙ平面成分はベクトルＥ
ｘｙ↑で、下部偏光板５の光軸はベクトルＰ↑で示し、
バフィング方向がｘ軸となす角はψＲで、液晶分子の長
軸がｘ軸となす角はψＬＣで示した。ここで下部偏光板
５の光軸はバフィング方向と一致するので、下部偏光板
５の光軸がｘ軸となす角ψｐ＝ψＲである。
ベクトルＲ↑で、電気場のｘ−ｙ平面成分はベクトルＥ
ｘｙ↑で、下部偏光板５の光軸はベクトルＰ↑で示し、
バフィング方向がｘ軸となす角はψＲで、液晶分子の長
軸がｘ軸となす角はψＬＣで示した。ここで下部偏光板
５の光軸はバフィング方向と一致するので、下部偏光板
５の光軸がｘ軸となす角ψｐ＝ψＲである。
【００８３】電気場のｘ−ｙ平面成分Ｅｘｙ↑の方向
は、境界線Ａから広い領域ＷＲの中央線Ｂに至るまでは
正のｘ方向であり、広い領域ＷＲの中央線Ｂから次の境
界線Ｄまでは負のｘ方向である。電気場の成分の強度は
Ａ、Ｄ上で一番大きく、中央線Ｂ−Ｂの方に行くほど小
さくなり、中央線Ｂ−Ｂ上ではゼロとなる。
は、境界線Ａから広い領域ＷＲの中央線Ｂに至るまでは
正のｘ方向であり、広い領域ＷＲの中央線Ｂから次の境
界線Ｄまでは負のｘ方向である。電気場の成分の強度は
Ａ、Ｄ上で一番大きく、中央線Ｂ−Ｂの方に行くほど小
さくなり、中央線Ｂ−Ｂ上ではゼロとなる。
【００８４】配向処理による弾性的な復元力の大きさ
は、ｘｙ平面上では位置に拘わらず一定である。
は、ｘｙ平面上では位置に拘わらず一定である。
【００８５】液晶分子はこのような二つの力が平衡をな
すように配列しなければならないので、図１９に示した
ように、境界線Ａ、Ｄでは液晶分子の長軸方向が電気場
の成分Ｅｘｙ↑に対してほぼ平行で、バフィング方向に
対しては大きな角度を有するが、領域ＮＲ、ＷＲの中心
線Ｃ、Ｂの方に行くほど液晶分子の長軸がバフィング方
向に対してなす角｜ψＲ−ψＬＣ｜が小さくなり、中心
線Ｂ、Ｃでは液晶分子の長軸とバフィング方向とが同一
となる。下部偏光板５の光軸はバフィング方向と平行で
あるため、下部偏光板５の光軸と液晶分子の長軸とがな
す角度もこれと同一の分布を有し、この値は光の透過率
と密接な関連がある。
すように配列しなければならないので、図１９に示した
ように、境界線Ａ、Ｄでは液晶分子の長軸方向が電気場
の成分Ｅｘｙ↑に対してほぼ平行で、バフィング方向に
対しては大きな角度を有するが、領域ＮＲ、ＷＲの中心
線Ｃ、Ｂの方に行くほど液晶分子の長軸がバフィング方
向に対してなす角｜ψＲ−ψＬＣ｜が小さくなり、中心
線Ｂ、Ｃでは液晶分子の長軸とバフィング方向とが同一
となる。下部偏光板５の光軸はバフィング方向と平行で
あるため、下部偏光板５の光軸と液晶分子の長軸とがな
す角度もこれと同一の分布を有し、この値は光の透過率
と密接な関連がある。
【００８６】狭い領域ＮＲと広い領域ＷＲとの幅の比を
変化させることで多様な形態の電気場を作ることができ
る。線形電極１を不透明な電極にする場合には線形電極
１上の狭い領域ＮＲを表示領域として使用するこができ
ないが、透明な物質で作る場合には狭い領域ＮＲも表示
領域として使用することができる。
変化させることで多様な形態の電気場を作ることができ
る。線形電極１を不透明な電極にする場合には線形電極
１上の狭い領域ＮＲを表示領域として使用するこができ
ないが、透明な物質で作る場合には狭い領域ＮＲも表示
領域として使用することができる。
【００８７】一方、電気場のｘｙ平面成分Ｅｘｙ↑は下
部配向膜４から上部配向膜６に至るまで、すなわち、ｚ
軸に沿って徐々に小さくなり、配向による弾性的な復元
力は配向膜４、６の表面で一番大きく、二つの配向膜
４、６間の液晶層の中央の方に行くほど徐々に小さくな
る。
部配向膜４から上部配向膜６に至るまで、すなわち、ｚ
軸に沿って徐々に小さくなり、配向による弾性的な復元
力は配向膜４、６の表面で一番大きく、二つの配向膜
４、６間の液晶層の中央の方に行くほど徐々に小さくな
る。
【００８８】下部配向膜４から上部配向膜６に至る位置
で、すなわち、ｚ軸に沿いつつ液晶分子の長軸方向がｘ
軸となすねじり角は図２０に示したとおりであり、二つ
の配向膜間の間隔、すなわち、セルの間隔がｄである場
合を示したものである。ここで、横軸は下部配向膜４か
らの高さを、縦軸はねじり角を示す。
で、すなわち、ｚ軸に沿いつつ液晶分子の長軸方向がｘ
軸となすねじり角は図２０に示したとおりであり、二つ
の配向膜間の間隔、すなわち、セルの間隔がｄである場
合を示したものである。ここで、横軸は下部配向膜４か
らの高さを、縦軸はねじり角を示す。
【００８９】図２０に示したように、ねじり角は配向膜
４、６の表面では配向力による力が強くなるため大き
く、液晶層の中央に行くほど小さくなって電気場の方向
に近くなることがわかり、配向膜４、６の直ぐ上では液
晶分子の長軸がバフィング方向と同一の方向に配列す
る。ここで、隣接した液晶分子のねじり角の差をねじり
とすると、図２０でのねじりは曲線の傾きに該当し、こ
れは配向膜４、６の表面では大きく、液晶層の中央に行
くほど小さくなる。
４、６の表面では配向力による力が強くなるため大き
く、液晶層の中央に行くほど小さくなって電気場の方向
に近くなることがわかり、配向膜４、６の直ぐ上では液
晶分子の長軸がバフィング方向と同一の方向に配列す
る。ここで、隣接した液晶分子のねじり角の差をねじり
とすると、図２０でのねじりは曲線の傾きに該当し、こ
れは配向膜４、６の表面では大きく、液晶層の中央に行
くほど小さくなる。
【００９０】このように、本発明の第３実施例による液
晶表示装置において、電気場が形成された時の液晶分子
のねじり角の変化は、第１実施例の場合と類似してい
る。
晶表示装置において、電気場が形成された時の液晶分子
のねじり角の変化は、第１実施例の場合と類似してい
る。
【００９１】次に、液晶分子の傾斜角、すなわち、液晶
分子の長軸が基板に垂直な面、例えば、ｚｘ平面上でｘ
軸または初期配列方向に対してなす角の変化について、
図２１、図２２及び図２３を参照して説明する。図２１
においては便宜上、基板１００、 ２００のみを示し、
図１８に示したバフィング方向を示すベクトルＲ↑のｚ
ｘ平面に対する成分をベクトルＲｚｘ↑で、電気場のｚ
ｘ平面成分はベクトルＥｚｘ↑で示し、電気場のｚｘ平
面成分Ｅｚｘ↑がｘ軸となす角はθＥで、液晶分子の長
軸がｘ軸となす傾斜角をはθＬＣで示した。ここでベク
トルＲ↑はｘｙ平面上に存在するため（線傾斜角は無
視）Ｒｚｘ↑はｘ方向となる。
分子の長軸が基板に垂直な面、例えば、ｚｘ平面上でｘ
軸または初期配列方向に対してなす角の変化について、
図２１、図２２及び図２３を参照して説明する。図２１
においては便宜上、基板１００、 ２００のみを示し、
図１８に示したバフィング方向を示すベクトルＲ↑のｚ
ｘ平面に対する成分をベクトルＲｚｘ↑で、電気場のｚ
ｘ平面成分はベクトルＥｚｘ↑で示し、電気場のｚｘ平
面成分Ｅｚｘ↑がｘ軸となす角はθＥで、液晶分子の長
軸がｘ軸となす傾斜角をはθＬＣで示した。ここでベク
トルＲ↑はｘｙ平面上に存在するため（線傾斜角は無
視）Ｒｚｘ↑はｘ方向となる。
【００９２】電気場のｚｘ平面成分Ｅｚｘ↑の大きさ
は、下部基板１００から上部基板２００の方に行くほど
小さくなり、角度θＥも下部基板１００から上部基板２
００の方に行くほど小さくなる。
は、下部基板１００から上部基板２００の方に行くほど
小さくなり、角度θＥも下部基板１００から上部基板２
００の方に行くほど小さくなる。
【００９３】前述したように配向処理による弾性的な復
元力の大きさは、二つの基板１００、２００の表面で一
番大きく、液晶層の中央に行くほど小さくなる。
元力の大きさは、二つの基板１００、２００の表面で一
番大きく、液晶層の中央に行くほど小さくなる。
【００９４】液晶分子はこのような二つの力が平衡をな
すように配列しなければならない。図２２に示したよう
に、下部基板１００の表面においては配向力が強いため
液晶分子がｘ軸と平行に配列されるが、上方に上がるほ
ど電気場による力が相対的に大きくなるため、傾斜角θ
ＬＣの大きさはある程度までは増加が続いて再び減少
し、上部基板２００表面では再びｚ軸と平行に配列す
る。このとき、曲線の頂点は下部基板１００に近い位置
に現われる。
すように配列しなければならない。図２２に示したよう
に、下部基板１００の表面においては配向力が強いため
液晶分子がｘ軸と平行に配列されるが、上方に上がるほ
ど電気場による力が相対的に大きくなるため、傾斜角θ
ＬＣの大きさはある程度までは増加が続いて再び減少
し、上部基板２００表面では再びｚ軸と平行に配列す
る。このとき、曲線の頂点は下部基板１００に近い位置
に現われる。
【００９５】一方、電気場のｚｘ表面成分Ｅｚｘ↑がｚ
軸に対してなす角θＥは境界線Ａ、Ｄ上では０に近く、
中央線Ｂ−Ｂの方に行くほど大きくなり、電気場のｚｘ
平面成分Ｅｚｘ↑の大きさは境界線Ａ、Ｄ上で一番大き
く、中央線Ｂ−Ｂの方に行くほど小さくなる。
軸に対してなす角θＥは境界線Ａ、Ｄ上では０に近く、
中央線Ｂ−Ｂの方に行くほど大きくなり、電気場のｚｘ
平面成分Ｅｚｘ↑の大きさは境界線Ａ、Ｄ上で一番大き
く、中央線Ｂ−Ｂの方に行くほど小さくなる。
【００９６】配向処理による弾性的な復元力の大きさ
は、ｘ軸上では位置に拘わらず一定である。
は、ｘ軸上では位置に拘わらず一定である。
【００９７】境界線Ａ、Ｄ上では液晶分子の配列方向と
電気場方向とはほぼ垂直をなし、そのため、液晶分子は
動かないので境界線Ａ、Ｄは不連続面をなすようにな
る。しかし、図２３に示したように、境界線Ａ、Ｄから
外れると液晶分子の傾斜角がほぼ９０゜に近く大きくな
り、中心線Ｃ、Ｂの方に行くほど小さくなるので電気場
のｚｘ平面成分Ｅｚｘ↑がｚ軸となす角θＥと類似した
分布を有する。しかし、θＥよりは緩やかに変化する。
電気場方向とはほぼ垂直をなし、そのため、液晶分子は
動かないので境界線Ａ、Ｄは不連続面をなすようにな
る。しかし、図２３に示したように、境界線Ａ、Ｄから
外れると液晶分子の傾斜角がほぼ９０゜に近く大きくな
り、中心線Ｃ、Ｂの方に行くほど小さくなるので電気場
のｚｘ平面成分Ｅｚｘ↑がｚ軸となす角θＥと類似した
分布を有する。しかし、θＥよりは緩やかに変化する。
【００９８】初期状態で液晶分子が若干の線傾斜角を有
するように配向すると境界線Ａ、Ｄ上で現われる不連続
面を無くすことができる。
するように配向すると境界線Ａ、Ｄ上で現われる不連続
面を無くすことができる。
【００９９】このように、本発明の第３実施例において
も、二つの電極１、２に電圧が印加されると液晶分子は
ねじり角及び傾斜角を有して再配列され、そのねじり角
及び傾斜角の変化によって光の透過率が変化する。境界
線Ａ、Ｄ上では、ｚ軸に沿ってみると傾斜角及びねじり
角の変化が共に大きい。反面、中央線Ｂ、Ｃ上では、ｚ
軸に沿ってみると、ねじり角及び傾斜角の変化は殆どな
い。そして、境界線Ａ、Ｄと中央線Ｂ、Ｃとの間の領域
ではねじり角と傾斜角とが共に変化する領域となる。結
局、本発明の第３実施例においても、位置による透過率
曲線は電気力線の形態と類似した形態となる。
も、二つの電極１、２に電圧が印加されると液晶分子は
ねじり角及び傾斜角を有して再配列され、そのねじり角
及び傾斜角の変化によって光の透過率が変化する。境界
線Ａ、Ｄ上では、ｚ軸に沿ってみると傾斜角及びねじり
角の変化が共に大きい。反面、中央線Ｂ、Ｃ上では、ｚ
軸に沿ってみると、ねじり角及び傾斜角の変化は殆どな
い。そして、境界線Ａ、Ｄと中央線Ｂ、Ｃとの間の領域
ではねじり角と傾斜角とが共に変化する領域となる。結
局、本発明の第３実施例においても、位置による透過率
曲線は電気力線の形態と類似した形態となる。
【０１００】本発明の第２実施例と同様に、負の誘電率
異方性を有する液晶物質を用いて、液晶分子の初期状態
を二つの基板に垂直な方向に配向させた本発明の第４実
施例による液晶表示装置に対して説明する。
異方性を有する液晶物質を用いて、液晶分子の初期状態
を二つの基板に垂直な方向に配向させた本発明の第４実
施例による液晶表示装置に対して説明する。
【０１０１】本発明の第４実施例による液晶表示装置も
図１及び図２に示す第１実施例の構造と類似している。
そして、二つの電極の構造が類似しているので、二つの
電極に電圧を印加した時に形成される電気場の形態も類
似している。但し、液晶表示装置に電圧が印加されてい
ない初期状態で液晶分子が基板に垂直に配向された状態
であるため、初期状態は第３実施例と類似しており、電
気場が印加された時の液晶分子の配列状態は異なる。
図１及び図２に示す第１実施例の構造と類似している。
そして、二つの電極の構造が類似しているので、二つの
電極に電圧を印加した時に形成される電気場の形態も類
似している。但し、液晶表示装置に電圧が印加されてい
ない初期状態で液晶分子が基板に垂直に配向された状態
であるため、初期状態は第３実施例と類似しており、電
気場が印加された時の液晶分子の配列状態は異なる。
【０１０２】初期状態で、液晶分子は基板１００、２０
０に対して若干の線傾斜角を有するがほぼ垂直となるよ
うに配列されており、二つの配向膜４、６はラビングま
たは紫外線照射法で一方向に配向処理されている。この
配向処理方向は基板１００、２００に平行な面上からみ
るとき、線形電極１の方向及びこれに垂直な方向に対し
て一定の角をなす方向である。偏光板５、２７の偏光軸
は互いに直交するように配置し、偏光板の偏光軸は隣接
する配向膜４、６のバフィング方向とほぼ一致する。こ
の時、下部偏光板５と液晶層を通過した光は上部偏光板
７によって遮断され、電圧が印加されていない状態で暗
状態を示すノーマルブラックモードとなる。二つの基板
間に注入されている液晶物質は陰の誘電率異方性を有す
るネマチック液晶やキラル添加剤が０．０〜３．０ｗｔ
％添加されたネマチック液晶である。
０に対して若干の線傾斜角を有するがほぼ垂直となるよ
うに配列されており、二つの配向膜４、６はラビングま
たは紫外線照射法で一方向に配向処理されている。この
配向処理方向は基板１００、２００に平行な面上からみ
るとき、線形電極１の方向及びこれに垂直な方向に対し
て一定の角をなす方向である。偏光板５、２７の偏光軸
は互いに直交するように配置し、偏光板の偏光軸は隣接
する配向膜４、６のバフィング方向とほぼ一致する。こ
の時、下部偏光板５と液晶層を通過した光は上部偏光板
７によって遮断され、電圧が印加されていない状態で暗
状態を示すノーマルブラックモードとなる。二つの基板
間に注入されている液晶物質は陰の誘電率異方性を有す
るネマチック液晶やキラル添加剤が０．０〜３．０ｗｔ
％添加されたネマチック液晶である。
【０１０３】以下、このような電気場によって液晶分子
が再配列された状態を基板に水平な成分とこれに垂直な
成分とに分けて説明する。説明の便宜上、本発明の第１
実施例と同様に、基板に垂直な方向をｚ軸、基板に垂直
で線形電極１の方向に対しても垂直な方向をｘ軸、線形
電極１の方向に平行な方向をｙ軸とする。すなわち、図
１において左側から右側に向かう方向をｘ軸、線形電極
１に沿って下から上に向かう方向をｙ軸、図２において
下部基板１００から上部基板２００に向かう方向をｚ軸
とする。
が再配列された状態を基板に水平な成分とこれに垂直な
成分とに分けて説明する。説明の便宜上、本発明の第１
実施例と同様に、基板に垂直な方向をｚ軸、基板に垂直
で線形電極１の方向に対しても垂直な方向をｘ軸、線形
電極１の方向に平行な方向をｙ軸とする。すなわち、図
１において左側から右側に向かう方向をｘ軸、線形電極
１に沿って下から上に向かう方向をｙ軸、図２において
下部基板１００から上部基板２００に向かう方向をｚ軸
とする。
【０１０４】まず、液晶分子のねじり角、すなわち、液
晶分子の長軸が基板に平行な面、すなわち、ｘｙ平面上
でｘ軸または初期配列方向に対してなす角の変化につい
て、図２４、図２５及び図２６を参照して説明する。
晶分子の長軸が基板に平行な面、すなわち、ｘｙ平面上
でｘ軸または初期配列方向に対してなす角の変化につい
て、図２４、図２５及び図２６を参照して説明する。
【０１０５】図２４に示したように、バフィング方向は
ベクトルＲ↑で、電気場のｘ−ｙ平面成分はベクトルＥ
ｘｙ↑で、下部偏光板５の光軸はベクトルＰ↑で示し、
バフィング方向がｘ軸となす角はψＲで、液晶分子の長
軸がｘ軸となす角はψＬＣで示した。ここで下部偏光板
５の光軸はバフィング方向と一致するので、下部偏光板
５の光軸がｘ軸となす角ψｐ＝ψＲである。
ベクトルＲ↑で、電気場のｘ−ｙ平面成分はベクトルＥ
ｘｙ↑で、下部偏光板５の光軸はベクトルＰ↑で示し、
バフィング方向がｘ軸となす角はψＲで、液晶分子の長
軸がｘ軸となす角はψＬＣで示した。ここで下部偏光板
５の光軸はバフィング方向と一致するので、下部偏光板
５の光軸がｘ軸となす角ψｐ＝ψＲである。
【０１０６】電気場のｘ−ｙ平面成分Ｅｘｙ↑の方向
は、境界線Ａから広い領域ＷＲの中央線Ｂに至るまでは
正のｘ方向であり、広い領域ＷＲの中央線Ｂから次の境
界線Ｄまでは負のｘ方向である。電気場の成分の強度は
ＡＮＤ上で一番大きく、中央線Ｂ−Ｂの方に行くほど小
さくなり、中央線Ｂ−Ｂ上ではゼロとなる。
は、境界線Ａから広い領域ＷＲの中央線Ｂに至るまでは
正のｘ方向であり、広い領域ＷＲの中央線Ｂから次の境
界線Ｄまでは負のｘ方向である。電気場の成分の強度は
ＡＮＤ上で一番大きく、中央線Ｂ−Ｂの方に行くほど小
さくなり、中央線Ｂ−Ｂ上ではゼロとなる。
【０１０７】配向処理による弾性的な復元力の大きさ
は、ｘｙ平面上では位置に拘わらず一定である。
は、ｘｙ平面上では位置に拘わらず一定である。
【０１０８】液晶分子は、このような二つの力が平衡を
なすように配列しなければならないので、図２５に示し
たように、境界線Ａ、Ｄでは液晶分子の長軸方向が電気
場の成分Ｅｘｙ↑に対してほぼ垂直で、バフィング方向
に対してもほぼ垂直をなすが、領域ＮＲ、ＷＲの中心線
Ｃ、Ｂの方に行くほど液晶分子の長軸がバフィング方向
に対してなす角｜ψＲ−ψＬＣ｜が小さくなり、中心線
Ｂ、Ｃでは液晶分子の長軸とバフィング方向とが同一と
なる。下部偏光板５の光軸はバフィング方向と平行であ
るため、下部偏光板５の光軸と液晶分子の長軸とがなす
角度もこれと同一の分布を有し、この値は光の透過率と
密接な関連がある。
なすように配列しなければならないので、図２５に示し
たように、境界線Ａ、Ｄでは液晶分子の長軸方向が電気
場の成分Ｅｘｙ↑に対してほぼ垂直で、バフィング方向
に対してもほぼ垂直をなすが、領域ＮＲ、ＷＲの中心線
Ｃ、Ｂの方に行くほど液晶分子の長軸がバフィング方向
に対してなす角｜ψＲ−ψＬＣ｜が小さくなり、中心線
Ｂ、Ｃでは液晶分子の長軸とバフィング方向とが同一と
なる。下部偏光板５の光軸はバフィング方向と平行であ
るため、下部偏光板５の光軸と液晶分子の長軸とがなす
角度もこれと同一の分布を有し、この値は光の透過率と
密接な関連がある。
【０１０９】一方、電気場のｘｙ平面成分Ｅｘｙ↑は下
部配向膜４から上部配向膜６に至るまで、すなわち、ｘ
軸に沿って徐々に小さくなり、配向による弾性的な復元
力は配向膜４、６の表面で一番大きく、二つの配向膜
４、６間の液晶層の中央の方に行くほど徐々に小さくな
る。
部配向膜４から上部配向膜６に至るまで、すなわち、ｘ
軸に沿って徐々に小さくなり、配向による弾性的な復元
力は配向膜４、６の表面で一番大きく、二つの配向膜
４、６間の液晶層の中央の方に行くほど徐々に小さくな
る。
【０１１０】下部配向膜４から上部配向膜６に至る位置
で、すなわち、ｚ軸に沿いつつ液晶分子の長軸方向がｘ
軸となすねじり角は図２６に示したとおりであり、二つ
の配向膜間の間隔、すなわち、セルの間隔がｄである場
合を示したものである。ここで、横軸は下部配向膜４か
らの高さを、縦軸はねじり角を示す。
で、すなわち、ｚ軸に沿いつつ液晶分子の長軸方向がｘ
軸となすねじり角は図２６に示したとおりであり、二つ
の配向膜間の間隔、すなわち、セルの間隔がｄである場
合を示したものである。ここで、横軸は下部配向膜４か
らの高さを、縦軸はねじり角を示す。
【０１１１】図２６に示したように、ねじり角は配向膜
４、６の表面では配向力による力が強くなるため大き
く、液晶層の中央に行くほど小さくなって電気場の方向
に近くなることがわかり、配向膜４、６の直ぐ上では液
晶分子の長軸がバフィング方向と同一の方向に配列す
る。ここで、隣接した液晶分子のねじり角の差をねじり
とすると、図２６でのねじりは曲線の傾きに該当し、こ
れは配向膜４、６の表面では大きく、液晶層の中央に行
くほど小さくなる。
４、６の表面では配向力による力が強くなるため大き
く、液晶層の中央に行くほど小さくなって電気場の方向
に近くなることがわかり、配向膜４、６の直ぐ上では液
晶分子の長軸がバフィング方向と同一の方向に配列す
る。ここで、隣接した液晶分子のねじり角の差をねじり
とすると、図２６でのねじりは曲線の傾きに該当し、こ
れは配向膜４、６の表面では大きく、液晶層の中央に行
くほど小さくなる。
【０１１２】次に、液晶分子の傾斜角、すなわち、液晶
分子の長軸が基板に垂直な面、例えば、ｚｘ平面上でｘ
軸または初期配列方向に対してなす角の変化について、
図２７、図２８及び図２９を参照して説明する。図２７
においては便宜上、基板１００、２００のみを示し、図
２４に示したバフィング方向を示すベクトルＲ↑のｚｘ
平面に対する成分をベクトルＲｚｘ↑で、電気場のｚｘ
平面成分はベクトルＥｚｘ↑で示し、電気場のｚｘ平面
成分Ｅｚｘ↑がｚ軸となす角はθＥで、液晶分子の長軸
がｚ軸となす傾斜角はθＬＣで示した。ここでベクトル
Ｒ↑はｘｙ平面上に存在するため（線傾斜角は無視）Ｒ
ｚｘ↑はｘ方向となる。
分子の長軸が基板に垂直な面、例えば、ｚｘ平面上でｘ
軸または初期配列方向に対してなす角の変化について、
図２７、図２８及び図２９を参照して説明する。図２７
においては便宜上、基板１００、２００のみを示し、図
２４に示したバフィング方向を示すベクトルＲ↑のｚｘ
平面に対する成分をベクトルＲｚｘ↑で、電気場のｚｘ
平面成分はベクトルＥｚｘ↑で示し、電気場のｚｘ平面
成分Ｅｚｘ↑がｚ軸となす角はθＥで、液晶分子の長軸
がｚ軸となす傾斜角はθＬＣで示した。ここでベクトル
Ｒ↑はｘｙ平面上に存在するため（線傾斜角は無視）Ｒ
ｚｘ↑はｘ方向となる。
【０１１３】電気場のｚｘ平面成分Ｅｚｘ↑の大きさ
は、下部基板１００から上部基板２００の方に行くほど
小さくなり、角度θＥも下部基板１００から上部基板２
００の方に行くほど小さくなる。
は、下部基板１００から上部基板２００の方に行くほど
小さくなり、角度θＥも下部基板１００から上部基板２
００の方に行くほど小さくなる。
【０１１４】前述したように配向処理による弾性的な復
元力の大きさは、二つの基板１００、２００の表面で一
番大きく、液晶層の中央に行くほど小さくなる。
元力の大きさは、二つの基板１００、２００の表面で一
番大きく、液晶層の中央に行くほど小さくなる。
【０１１５】液晶分子はこのような二つの力が平衡をな
すように配列しなければならない。図２８に示したよう
に、下部基板１００の表面においては配向力が強いため
液晶分子がｘ軸と平行に配列されるが、上方に上がるほ
ど電気場による力が相対的に大きくなるため、傾斜角θ
ＬＣの大きさはある程度までは増加が続いて再び減少
し、上部基板２００表面では再びｚ軸と平行に配列す
る。このとき、曲線の頂点は下部基板１００に近い位置
に現われる。
すように配列しなければならない。図２８に示したよう
に、下部基板１００の表面においては配向力が強いため
液晶分子がｘ軸と平行に配列されるが、上方に上がるほ
ど電気場による力が相対的に大きくなるため、傾斜角θ
ＬＣの大きさはある程度までは増加が続いて再び減少
し、上部基板２００表面では再びｚ軸と平行に配列す
る。このとき、曲線の頂点は下部基板１００に近い位置
に現われる。
【０１１６】一方、電気場のｚｘ表面成分Ｅｚｘ↑がｘ
軸に対してなす角θＥは、境界線Ａ、Ｄ上では９０゜に
近く、中央線Ｂ−Ｂの方に行くほど大きくなり、電気場
のｚｘ平面成分Ｅｚｘ↑の大きさは境界線Ａ、Ｄ上で一
番大きく、中央線Ｂ−Ｂの方に行くほど小さくなる。
軸に対してなす角θＥは、境界線Ａ、Ｄ上では９０゜に
近く、中央線Ｂ−Ｂの方に行くほど大きくなり、電気場
のｚｘ平面成分Ｅｚｘ↑の大きさは境界線Ａ、Ｄ上で一
番大きく、中央線Ｂ−Ｂの方に行くほど小さくなる。
【０１１７】配向処理による弾性的な復元力の大きさ
は、ｘ軸上では位置に拘わらず一定である。
は、ｘ軸上では位置に拘わらず一定である。
【０１１８】従って、図２９に示したように、境界線Ａ
Ｎ、では液晶分子の傾斜角が殆ど０に近いが、中心線
Ｃ、Ｂの方に行くほど大きくなり、電気場のｚｘ平面成
分Ｅｚｘ↑がｘ軸となす角θＥと類似した分布を有す
る。しかし、θＥよりは緩やかに変化する。
Ｎ、では液晶分子の傾斜角が殆ど０に近いが、中心線
Ｃ、Ｂの方に行くほど大きくなり、電気場のｚｘ平面成
分Ｅｚｘ↑がｘ軸となす角θＥと類似した分布を有す
る。しかし、θＥよりは緩やかに変化する。
【０１１９】このように、本発明の第４実施例において
も、二つの電極１、２に電圧が印加されると液晶分子は
ねじり角及び傾斜角を有して再配列され、そのねじり角
及び傾斜角の変化によって光の透過率が変化する。境界
線Ａ、Ｄ上では、ｚ軸に沿ってみると傾斜角の変化は殆
どないが、ねじり角の変化は大きい。反面、中央線Ｂ、
Ｃ上では、ｚ軸に沿ってみると、ねじり角の変化は殆ど
ないが、傾斜角は少し変化する。従って、境界線Ａ、Ｄ
と中央線Ｂ、Ｃとの間の領域ではねじり角と傾斜角とが
共に変化する領域となる。結局、位置による透過率曲線
は電気力線の形態と類似した形態となる。
も、二つの電極１、２に電圧が印加されると液晶分子は
ねじり角及び傾斜角を有して再配列され、そのねじり角
及び傾斜角の変化によって光の透過率が変化する。境界
線Ａ、Ｄ上では、ｚ軸に沿ってみると傾斜角の変化は殆
どないが、ねじり角の変化は大きい。反面、中央線Ｂ、
Ｃ上では、ｚ軸に沿ってみると、ねじり角の変化は殆ど
ないが、傾斜角は少し変化する。従って、境界線Ａ、Ｄ
と中央線Ｂ、Ｃとの間の領域ではねじり角と傾斜角とが
共に変化する領域となる。結局、位置による透過率曲線
は電気力線の形態と類似した形態となる。
【０１２０】以下、電極の構造を変化させた実施例につ
いて説明する。
いて説明する。
【０１２１】本発明の第５実施例による液晶表示装置に
ついて、図３０及び図３１を参照して説明する。この本
実施例では、前述した第１乃至第４実施例とは異なり、
二つの電極が重畳する部分を除去する。従って面形電極
は線形電極１間に位置する多数の共通電極２０に分離さ
れる。しかし横方向に隣接する二つの共通電極２０は互
いに連結されなければならず、二つの共通電極２０を連
結する共通電極線または連結部２３が形成されている。
この連結部２３が図３０でのように線形電極１と重畳す
ることも可能であり、重畳しないように線形電極１の外
側に形成することも可能である。図３０では面形電極２
のうちの線形電極１と重畳する部分の中央部分だけが除
去されることで開口部８をなし、信号の伝達のために重
畳する部分のうちの上下部分はそのまま残しておく。説
明の便宜上、線形電極１上の領域を狭い領域ＮＲ、開口
部８のある領域を境界領域ＢＲ、二つの隣接開口部８間
の面形電極２部分が占めている領域を広い領域ＷＲと
し、狭い領域ＮＲの幅をａ、境界領域ＢＲの幅をｃ、広
い領域ＷＲの幅をｂとする。
ついて、図３０及び図３１を参照して説明する。この本
実施例では、前述した第１乃至第４実施例とは異なり、
二つの電極が重畳する部分を除去する。従って面形電極
は線形電極１間に位置する多数の共通電極２０に分離さ
れる。しかし横方向に隣接する二つの共通電極２０は互
いに連結されなければならず、二つの共通電極２０を連
結する共通電極線または連結部２３が形成されている。
この連結部２３が図３０でのように線形電極１と重畳す
ることも可能であり、重畳しないように線形電極１の外
側に形成することも可能である。図３０では面形電極２
のうちの線形電極１と重畳する部分の中央部分だけが除
去されることで開口部８をなし、信号の伝達のために重
畳する部分のうちの上下部分はそのまま残しておく。説
明の便宜上、線形電極１上の領域を狭い領域ＮＲ、開口
部８のある領域を境界領域ＢＲ、二つの隣接開口部８間
の面形電極２部分が占めている領域を広い領域ＷＲと
し、狭い領域ＮＲの幅をａ、境界領域ＢＲの幅をｃ、広
い領域ＷＲの幅をｂとする。
【０１２２】図３０のＸＸＸＩ−ＸＸＸＩ′線の断面図
である図３１でみると、電気力線は狭い領域ＮＲの中央
線Ｃと広い領域ＷＲの中央線Ｂとの間で放物線または半
楕円形の形態で発生する。境界領域ＢＲの幅ｃが一定で
ある場合、ａ／ｂの値によって変化するが、大体、境界
領域ＢＲの中央線Ｉ上に頂点が位置する放物線形の電気
力線を得る。放物線の形態はａとｂが異なる場合には非
対称であるが、ａとｂが同一である場合にはほぼ対称で
ある。ここでｃが０である場合は前述の第１実施例とほ
ぼ同様な電気場が形成され、ｃが０ではない場合にも面
形電極２または線形電極１上に水平および垂直成分を有
する電気場が形成される。
である図３１でみると、電気力線は狭い領域ＮＲの中央
線Ｃと広い領域ＷＲの中央線Ｂとの間で放物線または半
楕円形の形態で発生する。境界領域ＢＲの幅ｃが一定で
ある場合、ａ／ｂの値によって変化するが、大体、境界
領域ＢＲの中央線Ｉ上に頂点が位置する放物線形の電気
力線を得る。放物線の形態はａとｂが異なる場合には非
対称であるが、ａとｂが同一である場合にはほぼ対称で
ある。ここでｃが０である場合は前述の第１実施例とほ
ぼ同様な電気場が形成され、ｃが０ではない場合にも面
形電極２または線形電極１上に水平および垂直成分を有
する電気場が形成される。
【０１２３】従って、二つの電極のうちの一つまたは二
つの電極を透明な物質で形成する透過形表示装置におい
ては、透明電極を通過した光はその電極上に位置する液
晶層のねじりと傾斜によって制御される。このとき、液
晶物質のしきい電圧はｃの値が小さいほど低くなる。
つの電極を透明な物質で形成する透過形表示装置におい
ては、透明電極を通過した光はその電極上に位置する液
晶層のねじりと傾斜によって制御される。このとき、液
晶物質のしきい電圧はｃの値が小さいほど低くなる。
【０１２４】二つの電極１、２を反射率の高い物質、例
えばアルミニウムなどの金属を使用する反射型の場合に
は、ｃが小さいほど高い反射率を有する。この場合に
は、前述のようにねじり角と傾斜角との変化を有して再
配列された電極上の液晶層が電極に入射する光及び電極
から反射される光の偏光を変化させることで画像を表示
する。
えばアルミニウムなどの金属を使用する反射型の場合に
は、ｃが小さいほど高い反射率を有する。この場合に
は、前述のようにねじり角と傾斜角との変化を有して再
配列された電極上の液晶層が電極に入射する光及び電極
から反射される光の偏光を変化させることで画像を表示
する。
【０１２５】以下、本発明の第６実施例であって、前述
した第１及び第５実施例で提示した電極の構造に薄膜ト
ランジスタをスイッチング素子として付加した液晶表示
装置について、図３２乃至図３４を参照して説明する。
図３２は、本実施例による液晶表示装置の下部基板に形
成されている一つの画素の配置図であって、液晶表示装
置にはこのような画素が数十万個行列構造で配置されて
いる。
した第１及び第５実施例で提示した電極の構造に薄膜ト
ランジスタをスイッチング素子として付加した液晶表示
装置について、図３２乃至図３４を参照して説明する。
図３２は、本実施例による液晶表示装置の下部基板に形
成されている一つの画素の配置図であって、液晶表示装
置にはこのような画素が数十万個行列構造で配置されて
いる。
【０１２６】透明な絶縁基板１００上に横に走査信号線
１０が形成されており、走査信号線１０間には横に面形
の共通電極２０が形成されている。走査信号線１０の一
部１１はゲート電極の役割を果し、連結部２３は隣接す
る共通電極２０を連結する役割を果す。
１０が形成されており、走査信号線１０間には横に面形
の共通電極２０が形成されている。走査信号線１０の一
部１１はゲート電極の役割を果し、連結部２３は隣接す
る共通電極２０を連結する役割を果す。
【０１２７】走査信号線１０及び共通電極２はゲート絶
縁膜４０で覆われており、ゲート絶縁膜４０のうちで走
査信号線１０上に位置した部分（以下、ゲート電極とい
う、４１）の一部の上にはチャンネル層５１が形成され
ている。チャンネル層５１上にはゲート電極１１に対し
て両側にｎ型の高濃度不純物でドーピングされた非晶質
シリコン層６１、６２がそれぞれ形成されている。
縁膜４０で覆われており、ゲート絶縁膜４０のうちで走
査信号線１０上に位置した部分（以下、ゲート電極とい
う、４１）の一部の上にはチャンネル層５１が形成され
ている。チャンネル層５１上にはゲート電極１１に対し
て両側にｎ型の高濃度不純物でドーピングされた非晶質
シリコン層６１、６２がそれぞれ形成されている。
【０１２８】一方、ゲート絶縁膜４０上には、また、縦
方向にデータ線７０が形成されて走査信号線１０と交差
しており、データ線７０の一部が延長されてドーピング
された接触層６１上に形成されてソース電極７１をな
し、ゲート電極１１に対してソース電極７１の向かい側
に位置したドーピングされた接触層６２上にはドレイン
電極７２が形成されている。このようなゲート電極１
１、ソース電極７１及びドレイン電極７２は薄膜トラン
ジスタの各電極をなし、チャンネル層５１には電子が移
動するチャンネＸＳＸルが形成され、ドーピングされた
非晶質シリコン層６１、６２はソース及びドレイン電極
７１、７２とチャンネル層５１との抵抗性接触を向上さ
せる役割を果す。
方向にデータ線７０が形成されて走査信号線１０と交差
しており、データ線７０の一部が延長されてドーピング
された接触層６１上に形成されてソース電極７１をな
し、ゲート電極１１に対してソース電極７１の向かい側
に位置したドーピングされた接触層６２上にはドレイン
電極７２が形成されている。このようなゲート電極１
１、ソース電極７１及びドレイン電極７２は薄膜トラン
ジスタの各電極をなし、チャンネル層５１には電子が移
動するチャンネＸＳＸルが形成され、ドーピングされた
非晶質シリコン層６１、６２はソース及びドレイン電極
７１、７２とチャンネル層５１との抵抗性接触を向上さ
せる役割を果す。
【０１２９】ドレイン電極７２は延長されて縦方向の多
数の線形画素電極７５をなし、このようなデータ線７
０、ソース及びドレイン電極７１、７２並びに画素電極
７５は保護膜８０で覆われており、その上にはさらに配
向膜４が形成されている。
数の線形画素電極７５をなし、このようなデータ線７
０、ソース及びドレイン電極７１、７２並びに画素電極
７５は保護膜８０で覆われており、その上にはさらに配
向膜４が形成されている。
【０１３０】ここで、共通電極２０は隣接する画素の共
通電極から共通電極信号が伝達されるために隣接する画
素の共通電極と連結されていなけらばならない。そのた
めには、共通電極２０とデータ線７０とが重畳し、かか
る重畳部分は寄生容量を生じて画像信号のＲＣ遅延を大
きくする。これを短縮するためには共通電極２０とデー
タ線７０とが重畳する面積を最少化しなければならず、
共通電極２０の中からデータ線７０と重畳するデータ線
７０の下部に位置した部分を除去しなければならない。
しかし、隣接する画素の共通電極との連結が切れないよ
うに重畳部の上下部分はそのままにしておく。
通電極から共通電極信号が伝達されるために隣接する画
素の共通電極と連結されていなけらばならない。そのた
めには、共通電極２０とデータ線７０とが重畳し、かか
る重畳部分は寄生容量を生じて画像信号のＲＣ遅延を大
きくする。これを短縮するためには共通電極２０とデー
タ線７０とが重畳する面積を最少化しなければならず、
共通電極２０の中からデータ線７０と重畳するデータ線
７０の下部に位置した部分を除去しなければならない。
しかし、隣接する画素の共通電極との連結が切れないよ
うに重畳部の上下部分はそのままにしておく。
【０１３１】また、保護膜８０は表示領域、すなわち画
素電極７５及び共通電極２０が位置した部分では除去さ
れることで、十分な電気場が生成されるようにする。
素電極７５及び共通電極２０が位置した部分では除去さ
れることで、十分な電気場が生成されるようにする。
【０１３２】以下、本発明の第６実施例による液晶表示
装置を製造する方法について詳細に説明する。まず、Ｉ
ＴＯなどの透明導電物質を積層してパターニングするこ
とで共通電極２０を形成した以降、クロム、アルミニウ
ム、モリブデン、チタン、タンタル膜またはこれらの合
金膜を蒸着してパターニングすることで走査信号線１０
及びゲート電極１１を形成する。窒化膜などの物質から
なるゲート絶縁膜４０を積層して共通電極２０とゲート
電極１１及び走査信号線１０を覆い、ゲート絶縁膜４０
上にチャンネル層５１及びｎ＋型の非晶質シリコン層６
１、６２を連続して積層する。ｎ＋型の非晶質シリコン
層６１、６２及びチャンネル層５１をパターニングし、
クロム、アルミニウム、モリブデン、タンタルまたはこ
れらの合金を蒸着してパターニングすることで、データ
線７０、ソース電極７１及びドレイン電極７２、そして
画素電極７５を形成した後、これらをマスクにして露出
したｎ＋型の非晶質シリコン層６１、６２をエッチング
して抵抗性接触層６１、６２を完成する。次いで、保護
膜８０を蒸着してパターニングすることで画素電極７５
上に開口部を形成した後、配向膜４を塗布することによ
って本実施例による液晶表示装置用基板が完成する。
装置を製造する方法について詳細に説明する。まず、Ｉ
ＴＯなどの透明導電物質を積層してパターニングするこ
とで共通電極２０を形成した以降、クロム、アルミニウ
ム、モリブデン、チタン、タンタル膜またはこれらの合
金膜を蒸着してパターニングすることで走査信号線１０
及びゲート電極１１を形成する。窒化膜などの物質から
なるゲート絶縁膜４０を積層して共通電極２０とゲート
電極１１及び走査信号線１０を覆い、ゲート絶縁膜４０
上にチャンネル層５１及びｎ＋型の非晶質シリコン層６
１、６２を連続して積層する。ｎ＋型の非晶質シリコン
層６１、６２及びチャンネル層５１をパターニングし、
クロム、アルミニウム、モリブデン、タンタルまたはこ
れらの合金を蒸着してパターニングすることで、データ
線７０、ソース電極７１及びドレイン電極７２、そして
画素電極７５を形成した後、これらをマスクにして露出
したｎ＋型の非晶質シリコン層６１、６２をエッチング
して抵抗性接触層６１、６２を完成する。次いで、保護
膜８０を蒸着してパターニングすることで画素電極７５
上に開口部を形成した後、配向膜４を塗布することによ
って本実施例による液晶表示装置用基板が完成する。
【０１３３】以下、本発明の第７実施例による液晶表示
装置用基板及びその製造方法について説明する。まず、
本発明の第７実施例による液晶表示装置用基板の構造に
ついて図３５乃至図３７を参照して説明する。図３５は
本発明の第７実施例による液晶表示装置の下部基板の配
置図である。図３６及び図３７はそれぞれ図３５のＸＸ
ＸＶＩ−ＸＸＸＶＩ′及びＸＸＸＶＩＩ−ＸＸＸＶＩ
Ｉ′線の断面図である。
装置用基板及びその製造方法について説明する。まず、
本発明の第７実施例による液晶表示装置用基板の構造に
ついて図３５乃至図３７を参照して説明する。図３５は
本発明の第７実施例による液晶表示装置の下部基板の配
置図である。図３６及び図３７はそれぞれ図３５のＸＸ
ＸＶＩ−ＸＸＸＶＩ′及びＸＸＸＶＩＩ−ＸＸＸＶＩ
Ｉ′線の断面図である。
【０１３４】図３５乃至図３７に示したように、透明な
絶縁基板１００上にＩＴＯなどの透明導電物質からなる
面形の共通電極２０が画素単位に形成されている。共通
信号を伝達することができるように、共通電極２０は基
板１００上の連結部２３を通じて隣接する画素領域の共
通電極と連結されている。基板１００上の右側端部に形
成されている共通電極線連結部２４は連結部２３を通じ
て共通電極２０と連結されている。
絶縁基板１００上にＩＴＯなどの透明導電物質からなる
面形の共通電極２０が画素単位に形成されている。共通
信号を伝達することができるように、共通電極２０は基
板１００上の連結部２３を通じて隣接する画素領域の共
通電極と連結されている。基板１００上の右側端部に形
成されている共通電極線連結部２４は連結部２３を通じ
て共通電極２０と連結されている。
【０１３５】画素の下側には横に走査信号線１０が形成
されており、走査信号線１０は基板の左側端部に形成さ
れているゲートパッド１２と連結されることで外部から
走査信号が伝達される。そして、走査信号線１０の一部
はゲート電極１１となる。
されており、走査信号線１０は基板の左側端部に形成さ
れているゲートパッド１２と連結されることで外部から
走査信号が伝達される。そして、走査信号線１０の一部
はゲート電極１１となる。
【０１３６】共通電極２０及び連結部２３と共通電極線
連結部２４、ゲート線１０とゲートパッド１２は、ＩＴ
Ｏなどの透明導電物質からなり、これらの断線を防止す
るために共通電極２０の上端、連結部２３、共通電極線
連結部２４及び走査信号線１０上に補助パターンが形成
されている。補助連結部３３は連結部２３と共通電極２
０の上端上に、補助共通電極線連結部３４は共通電極線
連結部２４上に、そして補助走査信号線３０及び補助グ
ート電極３１はそれぞれ走査信号線１０及びゲート電極
１１上に形成されている。補助パターン３０、３１、３
３、３４はアルミニウムまたはアルミニウム合金などの
導電物質からなる。しかし、アルミニウムまたはアルミ
ニウム合金がＩＴＯと直接接触する場合には電気化学反
応を起こし得るため、ＩＴＯ膜とアルミニウムまたはア
ルミニウム合金膜との間にクロムやモリブデン−タング
ステン合金などのＩＴＯと接触しても反応しない耐火性
金属層３２、３５を形成する。勿論、このような配線を
多重に形成せずにアルミニウムまたはアルミニウム合金
の単層に形成することも可能である。但し、ゲートパッ
ド１２部分は耐酸性の強いＩＴＯ膜で形成するのが以降
の工程で有利であるため、アルミニウムまたはアルミニ
ウム合金層や耐火性金属層をＩＴＯ膜上に形成しない。
連結部２４、ゲート線１０とゲートパッド１２は、ＩＴ
Ｏなどの透明導電物質からなり、これらの断線を防止す
るために共通電極２０の上端、連結部２３、共通電極線
連結部２４及び走査信号線１０上に補助パターンが形成
されている。補助連結部３３は連結部２３と共通電極２
０の上端上に、補助共通電極線連結部３４は共通電極線
連結部２４上に、そして補助走査信号線３０及び補助グ
ート電極３１はそれぞれ走査信号線１０及びゲート電極
１１上に形成されている。補助パターン３０、３１、３
３、３４はアルミニウムまたはアルミニウム合金などの
導電物質からなる。しかし、アルミニウムまたはアルミ
ニウム合金がＩＴＯと直接接触する場合には電気化学反
応を起こし得るため、ＩＴＯ膜とアルミニウムまたはア
ルミニウム合金膜との間にクロムやモリブデン−タング
ステン合金などのＩＴＯと接触しても反応しない耐火性
金属層３２、３５を形成する。勿論、このような配線を
多重に形成せずにアルミニウムまたはアルミニウム合金
の単層に形成することも可能である。但し、ゲートパッ
ド１２部分は耐酸性の強いＩＴＯ膜で形成するのが以降
の工程で有利であるため、アルミニウムまたはアルミニ
ウム合金層や耐火性金属層をＩＴＯ膜上に形成しない。
【０１３７】走査信号線１０及び共通電極２０、共通電
極線２３、共通電極線連結部２４はゲート絶縁膜で覆わ
れており、図３５及び図３７に示したように、走査信号
線１０の一部であるゲート電極１１上のゲート絶縁膜４
０上にはチャンネル層５１が形成されている。チャンネ
ル層５１上にはゲート電極１１に対して両側にｎ型の高
濃度不純物でドーピングされた非晶質シリコン層６１、
６２がそれぞれ形成されている。
極線２３、共通電極線連結部２４はゲート絶縁膜で覆わ
れており、図３５及び図３７に示したように、走査信号
線１０の一部であるゲート電極１１上のゲート絶縁膜４
０上にはチャンネル層５１が形成されている。チャンネ
ル層５１上にはゲート電極１１に対して両側にｎ型の高
濃度不純物でドーピングされた非晶質シリコン層６１、
６２がそれぞれ形成されている。
【０１３８】一方、ゲート絶縁膜４０上には、また、縦
方向にデータ線７０が形成されて走査信号線１０と交差
しており、データ線７０の一部が延長されてドーピング
された非晶質シリコン層６１上に形成されてソース電極
７１をなし、ゲート電極１１に対してソース電極７１の
向かい側に位置したドーピングされた非晶質シリコン層
６２上にはドレイン電極７２が形成されている。このよ
うなゲート電極１１、ソース電極７１及びドレイン電極
７２は薄膜トランジスタの各電極をなし、チャンネル層
５１には電子が移動するチャンネルが形成され、ドーピ
ングされた非晶質シリコン層６１、６２はソース及びド
レイン電極７１、７２とチャンネル層５１との抵抗性接
触を向上させる役割を果す。
方向にデータ線７０が形成されて走査信号線１０と交差
しており、データ線７０の一部が延長されてドーピング
された非晶質シリコン層６１上に形成されてソース電極
７１をなし、ゲート電極１１に対してソース電極７１の
向かい側に位置したドーピングされた非晶質シリコン層
６２上にはドレイン電極７２が形成されている。このよ
うなゲート電極１１、ソース電極７１及びドレイン電極
７２は薄膜トランジスタの各電極をなし、チャンネル層
５１には電子が移動するチャンネルが形成され、ドーピ
ングされた非晶質シリコン層６１、６２はソース及びド
レイン電極７１、７２とチャンネル層５１との抵抗性接
触を向上させる役割を果す。
【０１３９】ドレイン電極７２は延長されて縦方向の多
数の線形画素電極７５をなし、このようなデータ線７
０、ソース及びドレイン電極７１、７２並びに画素電極
７５は保護膜８０で覆われている。
数の線形画素電極７５をなし、このようなデータ線７
０、ソース及びドレイン電極７１、７２並びに画素電極
７５は保護膜８０で覆われている。
【０１４０】一方、ゲートパッド１２部分では、保護膜
８０と絶縁膜４０とを除去することにより透明導電膜か
らなるゲートパッド１２が露出している。
８０と絶縁膜４０とを除去することにより透明導電膜か
らなるゲートパッド１２が露出している。
【０１４１】また、十分の電気場が生成されるようにす
るために、表示領域、すなわち、画素電極７５及び共通
電極２０が位置した部分の保護膜８０を除去することも
可能である。
るために、表示領域、すなわち、画素電極７５及び共通
電極２０が位置した部分の保護膜８０を除去することも
可能である。
【０１４２】共通電極２０は画素単位で形成されずに横
方向に長く形成することも可能であるが、そうする場合
は共通電極２０とデータ線７０とが重畳し、かかる重畳
部分は寄生容量を生じて画像信号のＲＣ遅延を大きくす
る。従って、共通電極２０とデータ線７０とが重畳する
面積を最少化しなければならず、重畳面積を小さくする
ために共通電極２０を画素単位で形成してデータ線７０
と重畳するデータ線の下部に位置した部分を除去する。
しかし、隣接する画素の共通電極との連結が切れないよ
うに重畳部の上部部分はそのまま残しておく。
方向に長く形成することも可能であるが、そうする場合
は共通電極２０とデータ線７０とが重畳し、かかる重畳
部分は寄生容量を生じて画像信号のＲＣ遅延を大きくす
る。従って、共通電極２０とデータ線７０とが重畳する
面積を最少化しなければならず、重畳面積を小さくする
ために共通電極２０を画素単位で形成してデータ線７０
と重畳するデータ線の下部に位置した部分を除去する。
しかし、隣接する画素の共通電極との連結が切れないよ
うに重畳部の上部部分はそのまま残しておく。
【０１４３】以下、本発明の第７実施例による液晶表示
装置を製造する方法について、図３８乃至図４９を参照
して説明する。図３８、図４１、図４４、図４７は本発
明の第７実施例による液晶表示装置の製造方法を示した
配置図であり、図３９、図４０、図４２、図４３、図４
５、図４６、図４８、図４９は、それぞれ図３８のＸＸ
ＸＩＸ−ＸＸＸＩＸ′線及びＸＬ−ＸＬ′線、図４１の
ＸＬＩＩ−ＸＬＩＩ′線及びＸＬＩＩＩ−ＸＬＩＩＩ′
線、図４４のＸＬＶ−ＸＬＶ′線及びＸＬＶＩ−ＸＬＶ
Ｉ′線、図４７のＸＬＶＩＩＩ−ＸＬＶＩＩＩ′線及び
ＸＬＩＸ−ＸＬＩＸ′線に沿って示した断面図である。
装置を製造する方法について、図３８乃至図４９を参照
して説明する。図３８、図４１、図４４、図４７は本発
明の第７実施例による液晶表示装置の製造方法を示した
配置図であり、図３９、図４０、図４２、図４３、図４
５、図４６、図４８、図４９は、それぞれ図３８のＸＸ
ＸＩＸ−ＸＸＸＩＸ′線及びＸＬ−ＸＬ′線、図４１の
ＸＬＩＩ−ＸＬＩＩ′線及びＸＬＩＩＩ−ＸＬＩＩＩ′
線、図４４のＸＬＶ−ＸＬＶ′線及びＸＬＶＩ−ＸＬＶ
Ｉ′線、図４７のＸＬＶＩＩＩ−ＸＬＶＩＩＩ′線及び
ＸＬＩＸ−ＸＬＩＸ′線に沿って示した断面図である。
【０１４４】まず、図３８乃至図４０に示したように、
ガラスなどの透明な絶縁基板１００上にＩＴＯなどの透
明導電物質を５０〜１００ｎｍの厚さで積層し、一番目
のマスクを利用してパターニングすることで、共通電極
２０、連結部２３及び共通電極線連結部２４を含む共通
配線と、走査信号線１０及びゲートパッド１２を形成す
る。
ガラスなどの透明な絶縁基板１００上にＩＴＯなどの透
明導電物質を５０〜１００ｎｍの厚さで積層し、一番目
のマスクを利用してパターニングすることで、共通電極
２０、連結部２３及び共通電極線連結部２４を含む共通
配線と、走査信号線１０及びゲートパッド１２を形成す
る。
【０１４５】次に、図４１乃至図４３に示したように、
クロムまたはモリブデン−タングステンなどの耐火性金
属からなる下部金属膜と１００〜４００ｎｍの厚さのア
ルミニウムまたはアルミニウム合金からなる上部金属膜
を順に蒸着し、二番目のマスクを利用してパターニング
することで補助パターン３０、３１、３３、３４とその
下部のバッファ層３２、３５とを形成する。そして、窒
化シリコンなどの物質からなるゲート絶縁膜４０を積層
して共通電極２０と走査信号線１０などが形成された基
板の全面を覆う。
クロムまたはモリブデン−タングステンなどの耐火性金
属からなる下部金属膜と１００〜４００ｎｍの厚さのア
ルミニウムまたはアルミニウム合金からなる上部金属膜
を順に蒸着し、二番目のマスクを利用してパターニング
することで補助パターン３０、３１、３３、３４とその
下部のバッファ層３２、３５とを形成する。そして、窒
化シリコンなどの物質からなるゲート絶縁膜４０を積層
して共通電極２０と走査信号線１０などが形成された基
板の全面を覆う。
【０１４６】そして、図４４乃至図４６に示したよう
に、ゲート絶縁膜４０上にチャンネル層５１及びｎ＋型
の非晶質シリコン層６０を連続的に積層し、三番目のマ
スクを利用して共にパターニングすることで薄膜トラン
ジスタの半導体層を形成する。
に、ゲート絶縁膜４０上にチャンネル層５１及びｎ＋型
の非晶質シリコン層６０を連続的に積層し、三番目のマ
スクを利用して共にパターニングすることで薄膜トラン
ジスタの半導体層を形成する。
【０１４７】次に、図４７乃至図４９に示したように、
クロム、アルミニウム、モリブデン、タンタル、または
これらの合金を１００〜２００ｎｍの厚さで蒸着し、四
番目のマスクを利用してパターニングすることでデータ
線７０、ソース電極７１及びドレイン電極７２を形成
し、画素領域に縦方向の多数の線形画素電極７５を形成
した後、ソース及びドレイン電極７１、７２をマスクに
して露出したｎ＋型の非晶質シリコン層６０をエッチン
グして抵抗性接触層６１、６２を完成する。
クロム、アルミニウム、モリブデン、タンタル、または
これらの合金を１００〜２００ｎｍの厚さで蒸着し、四
番目のマスクを利用してパターニングすることでデータ
線７０、ソース電極７１及びドレイン電極７２を形成
し、画素領域に縦方向の多数の線形画素電極７５を形成
した後、ソース及びドレイン電極７１、７２をマスクに
して露出したｎ＋型の非晶質シリコン層６０をエッチン
グして抵抗性接触層６１、６２を完成する。
【０１４８】最後に、図３５乃至図３７に示したよう
に、保護膜８０を２００〜４００ｎｍ程度の厚さで蒸着
し、五番目のマスクを利用してゲートパッド１２部分の
保護膜８０と絶縁膜３とを除去する。この時、画素電極
７５上の保護膜を除去することで開口部を形成し得る。
に、保護膜８０を２００〜４００ｎｍ程度の厚さで蒸着
し、五番目のマスクを利用してゲートパッド１２部分の
保護膜８０と絶縁膜３とを除去する。この時、画素電極
７５上の保護膜を除去することで開口部を形成し得る。
【０１４９】これとは異なり、共通配線とゲート配線を
補助配線及びバッファ層が形成された以降に形成するこ
とも可能である。
補助配線及びバッファ層が形成された以降に形成するこ
とも可能である。
【０１５０】電極をなす物質、電極の幅及び間隔などが
液晶表示装置の設計によって変化可能なのは勿論であ
る。例えば、線形電極１を透明な物質で形成すると、線
形電極１上の液晶分子も光の調節に利用されるので、よ
り大きな透過率が得られる。また、反射型液晶表示装置
の場合、線形電極１と面形電極２とを共に不透明で反射
率の高い物質、例えばアルミニウムなどの物質で作るこ
とが好ましい。
液晶表示装置の設計によって変化可能なのは勿論であ
る。例えば、線形電極１を透明な物質で形成すると、線
形電極１上の液晶分子も光の調節に利用されるので、よ
り大きな透過率が得られる。また、反射型液晶表示装置
の場合、線形電極１と面形電極２とを共に不透明で反射
率の高い物質、例えばアルミニウムなどの物質で作るこ
とが好ましい。
【０１５１】次に、本発明の第８実施例による液晶表示
装置用基板の構造について、図５０及び図５２を参照し
て説明する。ここで図５１及び図５２は、図５０の点線
の断面図であって、二つの別の例である。図５０乃至図
５２に示したように、透明な絶縁基板１００上にＩＴＯ
などの透明導電物質からなる四角形の多数の共通電極２
０が画素単位で形成されている。この時、共通電極２０
は互いに連結されていることも可能であり、連結されて
いないことも可能である。
装置用基板の構造について、図５０及び図５２を参照し
て説明する。ここで図５１及び図５２は、図５０の点線
の断面図であって、二つの別の例である。図５０乃至図
５２に示したように、透明な絶縁基板１００上にＩＴＯ
などの透明導電物質からなる四角形の多数の共通電極２
０が画素単位で形成されている。この時、共通電極２０
は互いに連結されていることも可能であり、連結されて
いないことも可能である。
【０１５２】共通電極２０の上端には、横に共通電極線
３３が形成されていて互いに離れている共通電極２０を
横方向に連結されている。共通電極線３３は共通電極２
０に比べて抵抗の低い物質からなっていて抵抗を減らす
役割を果す。ここで、共通電極２０と共通電極線３３と
の位置関係は、図５１に示したように、共通電極線３３
が共通電極２０上に位置することも可能であり、図５２
に示したようにその反対であることも可能である。
３３が形成されていて互いに離れている共通電極２０を
横方向に連結されている。共通電極線３３は共通電極２
０に比べて抵抗の低い物質からなっていて抵抗を減らす
役割を果す。ここで、共通電極２０と共通電極線３３と
の位置関係は、図５１に示したように、共通電極線３３
が共通電極２０上に位置することも可能であり、図５２
に示したようにその反対であることも可能である。
【０１５３】共通電極２０と共通電極２０間の基板１０
０上には走査信号を伝達する走査信号線１０が横に形成
されており、走査信号線１０の一部はゲート電極１１と
なる。
０上には走査信号を伝達する走査信号線１０が横に形成
されており、走査信号線１０の一部はゲート電極１１と
なる。
【０１５４】共通電極線２０と走査信号線１０及びその
一部であるゲート電極１１は、アルミニウム又はアルミ
ニウム合金、またはモリブデンやクロムなどの導電物質
からなっている。しかし、アルミニウム又はアルミニウ
ム合金を用いる場合には、この金属がＩＴＯと直接接触
すると電気化学反応を起こして接触が悪くなりうるた
め、共通電極２０と共通電極線３３との間にクロムやモ
リブデン−タングステン合金などＩＴＯと接触しても反
応しない耐火性金属層を形成することも可能である。
一部であるゲート電極１１は、アルミニウム又はアルミ
ニウム合金、またはモリブデンやクロムなどの導電物質
からなっている。しかし、アルミニウム又はアルミニウ
ム合金を用いる場合には、この金属がＩＴＯと直接接触
すると電気化学反応を起こして接触が悪くなりうるた
め、共通電極２０と共通電極線３３との間にクロムやモ
リブデン−タングステン合金などＩＴＯと接触しても反
応しない耐火性金属層を形成することも可能である。
【０１５５】走査信号線１０及び共通電極２０、共通電
極線３３はゲート絶縁膜４０で覆われており、図５１及
び図５２に示したように、走査信号線１０の一部である
ゲート電極１１上のゲート絶縁膜４０上には非晶質形シ
リコン層６０が形成されている。チャンネル層５１上に
はゲート電極１１に対して両側に分離されていて、ｎ型
の高濃度不純物でドーピングされた非晶質シリコン層６
１、６２がそれぞれ形成されている。
極線３３はゲート絶縁膜４０で覆われており、図５１及
び図５２に示したように、走査信号線１０の一部である
ゲート電極１１上のゲート絶縁膜４０上には非晶質形シ
リコン層６０が形成されている。チャンネル層５１上に
はゲート電極１１に対して両側に分離されていて、ｎ型
の高濃度不純物でドーピングされた非晶質シリコン層６
１、６２がそれぞれ形成されている。
【０１５６】一方、ゲート絶縁膜４０上には、また、縦
方向にデータ線７０が形成されて走査信号線１０と交差
しており、データ線７０の一部が延長されてドーピング
された非晶質シリコン層６１上に形成されてソース電極
７１をなし、ゲート電極１１に対してソース電極７１の
向かい側に位置したドーピングされた非晶質シリコン層
６２上にはドレイン電極７２が形成されている。このよ
うなゲート電極１１、ソース電極７１及びドレイン電極
７２は薄膜トランジスタの各電極をなし、チャンネル層
５１には電子が移動するチャンネルが形成され、ドーピ
ングされた非晶質シリコン層６１、６２はソース及びド
レイン電極７１、７２とチャンネル層５１との抵抗性接
触を向上させる役割を果す。
方向にデータ線７０が形成されて走査信号線１０と交差
しており、データ線７０の一部が延長されてドーピング
された非晶質シリコン層６１上に形成されてソース電極
７１をなし、ゲート電極１１に対してソース電極７１の
向かい側に位置したドーピングされた非晶質シリコン層
６２上にはドレイン電極７２が形成されている。このよ
うなゲート電極１１、ソース電極７１及びドレイン電極
７２は薄膜トランジスタの各電極をなし、チャンネル層
５１には電子が移動するチャンネルが形成され、ドーピ
ングされた非晶質シリコン層６１、６２はソース及びド
レイン電極７１、７２とチャンネル層５１との抵抗性接
触を向上させる役割を果す。
【０１５７】ドレイン電極７２は延長されて縦方向の多
数の線形画素電極７５をなし、このようなデータ線７
０、ソース及びドレイン電極７１、７２並びに画素電極
７５が保護膜８０で覆われている。
数の線形画素電極７５をなし、このようなデータ線７
０、ソース及びドレイン電極７１、７２並びに画素電極
７５が保護膜８０で覆われている。
【０１５８】一方、共通電極線３３及び走査信号線１０
とデータ線７０が重畳する部分には絶縁を強化するため
に孤立した非晶質シリコン層５２が形成されており、非
晶質シリコン層５２とデータ線との間にはドーピングさ
れた非晶質シリコン層が形成されている。
とデータ線７０が重畳する部分には絶縁を強化するため
に孤立した非晶質シリコン層５２が形成されており、非
晶質シリコン層５２とデータ線との間にはドーピングさ
れた非晶質シリコン層が形成されている。
【０１５９】以下、本発明の第８実施例による液晶表示
装置の製造方法について説明する。図５１に示した構造
を作るためには、まず、ＩＴＯ膜と金属膜とを連続して
蒸着する。金属膜をパターニングして共通電極線３３と
走査信号線１０を形成した後、ＩＴＯ膜をパターニング
して共通電極２０と連結部２３とを形成する。
装置の製造方法について説明する。図５１に示した構造
を作るためには、まず、ＩＴＯ膜と金属膜とを連続して
蒸着する。金属膜をパターニングして共通電極線３３と
走査信号線１０を形成した後、ＩＴＯ膜をパターニング
して共通電極２０と連結部２３とを形成する。
【０１６０】これとは異なり、図５２に示した構造を作
るためには、まず、金属膜を蒸着した後でパターニング
することで共通電極線３３と走査信号線１０とを形成す
る。次いで、ＩＴＯ膜を蒸着した後、パターニングする
ことで共通電極２０を形成する。勿論、この場合には、
共通電極２０は互いに分離されていて共通電極線３３の
みで連結されることもあり得る。
るためには、まず、金属膜を蒸着した後でパターニング
することで共通電極線３３と走査信号線１０とを形成す
る。次いで、ＩＴＯ膜を蒸着した後、パターニングする
ことで共通電極２０を形成する。勿論、この場合には、
共通電極２０は互いに分離されていて共通電極線３３の
みで連結されることもあり得る。
【０１６１】次に、ゲート絶縁膜４０、非晶質シリコン
層５１及びドーピングされた非晶質シリコン層６１、６
２を連続に蒸着し、上の二つの層をパターニングする。
次いで、金属層を蒸着してエッチングすることでデータ
線７０、ソース及びドレイン電極７１、７２と画素電極
７５を形成する。その後、露出したドーピングされた非
晶質シリコン層６１、６２をエッチングした後、保護膜
８０を蒸着してゲート絶縁膜４０と共にパターニングす
ることで走査信号線１０とデータ線７０のパッド（図示
しない）を露出させる。
層５１及びドーピングされた非晶質シリコン層６１、６
２を連続に蒸着し、上の二つの層をパターニングする。
次いで、金属層を蒸着してエッチングすることでデータ
線７０、ソース及びドレイン電極７１、７２と画素電極
７５を形成する。その後、露出したドーピングされた非
晶質シリコン層６１、６２をエッチングした後、保護膜
８０を蒸着してゲート絶縁膜４０と共にパターニングす
ることで走査信号線１０とデータ線７０のパッド（図示
しない）を露出させる。
【０１６２】本実施例においては、共通電極２０をパタ
ーニングするときに共通電極線３３と走査信号線１０と
を整列させてパターニングするため、誤整列が減る。
ーニングするときに共通電極線３３と走査信号線１０と
を整列させてパターニングするため、誤整列が減る。
【０１６３】一方、図５０での点線の断面図であって、
便宜上、保護膜を除いて示した図面である図５３をみる
と、第１電極７５及び第２電極２０間の領域のうちのデ
ータ線７０と隣接した領域Ｓでデータ線７０に流れる信
号電圧の影響によって、二つの電極７５、２０間の電気
場が干渉を受ける。従って、この領域Ｓでは液晶分子の
配列が他の領域と異なるため暗状態で光漏れが生じる。
便宜上、保護膜を除いて示した図面である図５３をみる
と、第１電極７５及び第２電極２０間の領域のうちのデ
ータ線７０と隣接した領域Ｓでデータ線７０に流れる信
号電圧の影響によって、二つの電極７５、２０間の電気
場が干渉を受ける。従って、この領域Ｓでは液晶分子の
配列が他の領域と異なるため暗状態で光漏れが生じる。
【０１６４】本発明の第９実施例では、このような光漏
れを遮断することができる構造を提示する。図５４、図
５５及び図５６に本発明の第９実施例による液晶表示装
置の断面図を示した。図５４に示したように、画素電極
７５及び共通電極２０間の領域のうち、データ線７０と
隣接した領域Ｓに対応する反対側基板２００の領域にク
ロムなどの不透明な物質で光遮断膜２１０を形成して光
を遮断するようにする。
れを遮断することができる構造を提示する。図５４、図
５５及び図５６に本発明の第９実施例による液晶表示装
置の断面図を示した。図５４に示したように、画素電極
７５及び共通電極２０間の領域のうち、データ線７０と
隣接した領域Ｓに対応する反対側基板２００の領域にク
ロムなどの不透明な物質で光遮断膜２１０を形成して光
を遮断するようにする。
【０１６５】図５５では、図５４の光遮断膜２１０に加
えて画素電極７５とデータ線７０との間に第２光遮断膜
１１０をさらに形成することにより、光漏れをさらに減
少することができる。
えて画素電極７５とデータ線７０との間に第２光遮断膜
１１０をさらに形成することにより、光漏れをさらに減
少することができる。
【０１６６】図５５の構造についてより詳細に説明す
る。基板１００及び共通電極上に形成されていてゲート
絶縁膜４０で覆われており、データ線７０と重畳する。
る。基板１００及び共通電極上に形成されていてゲート
絶縁膜４０で覆われており、データ線７０と重畳する。
【０１６７】第２光遮断膜１１０は不透明な導電物質か
らなるのが好ましく、このようにする場合、第２光遮断
膜１１０は共通電極２０と接触しているために共通電極
２０と同一の電位を有するようになる。それにより、第
２光遮断膜１１０はＳ領域での光漏れを遮断するばかり
か、データ線７０の電界を遮断する役割まで同時に果
す。
らなるのが好ましく、このようにする場合、第２光遮断
膜１１０は共通電極２０と接触しているために共通電極
２０と同一の電位を有するようになる。それにより、第
２光遮断膜１１０はＳ領域での光漏れを遮断するばかり
か、データ線７０の電界を遮断する役割まで同時に果
す。
【０１６８】Ｓ領域の光漏れを遮断するための光遮断膜
は、図５６に示したように、電極が形成されている基板
にのみ形成することも可能である。
は、図５６に示したように、電極が形成されている基板
にのみ形成することも可能である。
【０１６９】図５６に示したように、光遮断膜１２０は
ゲート絶縁膜４０上に形成されており、光漏れが生じる
Ｓ領域の全体が覆われるようにデータ線７０両側の第１
電極７５と一部が重畳し、データ線７０全体を覆って形
成されている。
ゲート絶縁膜４０上に形成されており、光漏れが生じる
Ｓ領域の全体が覆われるようにデータ線７０両側の第１
電極７５と一部が重畳し、データ線７０全体を覆って形
成されている。
【０１７０】ここで、光遮断膜１２０は第１電極７５及
びデータ線７０と重畳するので絶縁物質からならなけれ
ばならないし、有機材料からなるのが好ましい。
びデータ線７０と重畳するので絶縁物質からならなけれ
ばならないし、有機材料からなるのが好ましい。
【０１７１】前述した実施例においては、基板上に面形
電極が形成されており、その上を絶縁膜が覆っており、
絶縁膜上に線形電極が形成されている構造について説明
した。次は、これとは異なり、線形電極が面形電極より
下層に形成されるか、または二つの電極が同一層に形成
される構造について説明する。これは面形電極の一部を
パターニングして線形電極間においてのみ面形電極が面
形で存在するように、すなわち、面形電極をパターニン
グする場合においても面形電極は線形電極と一部重畳す
るか、ほぼ間隔を置かずに形成されており、面形電極は
線形電極に比べて幅が広い面形からなっている。そし
て、面形電極は透明導電物質で形成して面形電極の上部
分を液晶表示装置の表示領域として用いる。
電極が形成されており、その上を絶縁膜が覆っており、
絶縁膜上に線形電極が形成されている構造について説明
した。次は、これとは異なり、線形電極が面形電極より
下層に形成されるか、または二つの電極が同一層に形成
される構造について説明する。これは面形電極の一部を
パターニングして線形電極間においてのみ面形電極が面
形で存在するように、すなわち、面形電極をパターニン
グする場合においても面形電極は線形電極と一部重畳す
るか、ほぼ間隔を置かずに形成されており、面形電極は
線形電極に比べて幅が広い面形からなっている。そし
て、面形電極は透明導電物質で形成して面形電極の上部
分を液晶表示装置の表示領域として用いる。
【０１７２】図５７に本発明の第１０実施例による液晶
表示装置の断面図を示した。本発明の第１０実施例によ
る液晶表示装置においては、図５７に示したように、基
板１００上に線形の第１電極１が多数形成されており、
第１電極１上を絶縁膜３が覆っており、第１電極１間の
絶縁膜３上に透明な面形の第２電極２が形成されてい
る。第２電極２は第１電極１と端部部においてのみ一部
重畳しており、第１電極１間においては連続的な面で形
成されており、第１電極１よりその幅が広い。
表示装置の断面図を示した。本発明の第１０実施例によ
る液晶表示装置においては、図５７に示したように、基
板１００上に線形の第１電極１が多数形成されており、
第１電極１上を絶縁膜３が覆っており、第１電極１間の
絶縁膜３上に透明な面形の第２電極２が形成されてい
る。第２電極２は第１電極１と端部部においてのみ一部
重畳しており、第１電極１間においては連続的な面で形
成されており、第１電極１よりその幅が広い。
【０１７３】図５８、図５９及び図６０はそれぞれ、本
発明の第１０実施例による液晶表示装置の電気場と透過
率及び視野角の特性を示している。
発明の第１０実施例による液晶表示装置の電気場と透過
率及び視野角の特性を示している。
【０１７４】第１電極１と絶縁膜を間において第１電極
１上に形成されている第２電極２との間に電圧を印加し
て電位差を与えると、図５８に示したような電気場が生
成される。図５８に実線で示したのは等電位線であり、
点線で示したのは電気力線である。本実験においては第
１電極１に０Ｖを印加し、第２電極２に５Ｖを印加し
た。
１上に形成されている第２電極２との間に電圧を印加し
て電位差を与えると、図５８に示したような電気場が生
成される。図５８に実線で示したのは等電位線であり、
点線で示したのは電気力線である。本実験においては第
１電極１に０Ｖを印加し、第２電極２に５Ｖを印加し
た。
【０１７５】図５８から分かるように、電気場の形態は
第１電極１の中央線と線形電極１間の中央線、すなわち
第２電極２の中央線とに対して対称をなし、かかる電気
場の形態は図２に示した本発明の第１実施例の場合と類
似している。
第１電極１の中央線と線形電極１間の中央線、すなわち
第２電極２の中央線とに対して対称をなし、かかる電気
場の形態は図２に示した本発明の第１実施例の場合と類
似している。
【０１７６】図５９は、本実施例による液晶表示装置の
印加電圧に応じた透過率の変化率を示したグラフであっ
て、しきい電圧が約１．５Ｖであり、飽和電圧は約５Ｖ
である。
印加電圧に応じた透過率の変化率を示したグラフであっ
て、しきい電圧が約１．５Ｖであり、飽和電圧は約５Ｖ
である。
【０１７７】図６０は、本発明による液晶表示装置の方
向に応じた視野角の特性を示したグラフであって、対比
１０以上である領域の境界が上下左右にほぼ６０°以上
であることが確認できる。
向に応じた視野角の特性を示したグラフであって、対比
１０以上である領域の境界が上下左右にほぼ６０°以上
であることが確認できる。
【０１７８】以下、本発明の第１１実施例であって、前
述の第１０実施例で提示した電極の構造に薄膜トランジ
スタをスイッチング素子として付加した液晶表示装置に
ついて、図６１乃至図６３を参照して説明する。
述の第１０実施例で提示した電極の構造に薄膜トランジ
スタをスイッチング素子として付加した液晶表示装置に
ついて、図６１乃至図６３を参照して説明する。
【０１７９】図６１は、本発明の第１１実施例による液
晶表示装置の下部基板に形成されている一つの画素と液
晶表示装置の端部に形成されるパッド部とを共に示した
配置図であって、液晶表示装置にはかかる画素が数十万
個行列構造で配置されている。図６２と図６３はそれぞ
れ図６１のＬＸＩＩ−ＬＸＩＩ′線とＬＸＩＩＩ−ＬＸ
ＩＩＩ′線に沿って示した断面図である。
晶表示装置の下部基板に形成されている一つの画素と液
晶表示装置の端部に形成されるパッド部とを共に示した
配置図であって、液晶表示装置にはかかる画素が数十万
個行列構造で配置されている。図６２と図６３はそれぞ
れ図６１のＬＸＩＩ−ＬＸＩＩ′線とＬＸＩＩＩ−ＬＸ
ＩＩＩ′線に沿って示した断面図である。
【０１８０】透明な絶縁基板１００上に横に走査信号線
１０が形成されており、走査信号線１０の左側端部には
外部から走査信号が伝達されるゲートパッド１２が形成
されている。走査信号線１０の一部はゲート電極１１と
なる。走査信号線１０間には縦に線形の共通電極２０が
形成されており、この共通電極２０は横に形成されてい
る二つの共通電極線２３によって連結されている。
１０が形成されており、走査信号線１０の左側端部には
外部から走査信号が伝達されるゲートパッド１２が形成
されている。走査信号線１０の一部はゲート電極１１と
なる。走査信号線１０間には縦に線形の共通電極２０が
形成されており、この共通電極２０は横に形成されてい
る二つの共通電極線２３によって連結されている。
【０１８１】走査信号線１０と共通電極２０及び共通電
極線２３はゲート絶縁膜４０で覆われており、走査信号
線１０の一部であるゲート電極１１上のゲート絶縁膜４
０上にはチャンネル層５１が形成されている。チャンネ
ル層５１上にはゲート電極１１に対して両側にｎ型の高
濃度不純物でドーピングされた非晶質シリコン層６１、
６２がそれぞれ形成されている。
極線２３はゲート絶縁膜４０で覆われており、走査信号
線１０の一部であるゲート電極１１上のゲート絶縁膜４
０上にはチャンネル層５１が形成されている。チャンネ
ル層５１上にはゲート電極１１に対して両側にｎ型の高
濃度不純物でドーピングされた非晶質シリコン層６１、
６２がそれぞれ形成されている。
【０１８２】一方、ゲート絶縁膜４０上には縦方向にデ
ータ線７０が形成されており、データ線７０の上側端部
には外部から画像信号が伝達されるデータパッドが形成
されている。データ線７０はゲート線１０とゲート絶縁
膜４０によって絶縁して交差しており、データ線７０の
一部がドーピングされた非晶質シリコン層６２上に延長
してソース電極７１をなし、ゲート電極１１に対してソ
ース電極７１の向い側に位置したドーピングされた非晶
質シリコン層６１上にはドレイン電極７２が形成されて
いる。このようなゲート電極１１、ソース電極７１及び
ドレイン電極７２は、薄膜トランジスタの各電極をな
し、チャンネル層５１には電子が移動するチャンネルが
形成され、ドーピングされた非晶質シリコン層はソース
及びドレイン電極７１、７２とチャンネル層５１との抵
抗性接触を向上させる役割を果す。
ータ線７０が形成されており、データ線７０の上側端部
には外部から画像信号が伝達されるデータパッドが形成
されている。データ線７０はゲート線１０とゲート絶縁
膜４０によって絶縁して交差しており、データ線７０の
一部がドーピングされた非晶質シリコン層６２上に延長
してソース電極７１をなし、ゲート電極１１に対してソ
ース電極７１の向い側に位置したドーピングされた非晶
質シリコン層６１上にはドレイン電極７２が形成されて
いる。このようなゲート電極１１、ソース電極７１及び
ドレイン電極７２は、薄膜トランジスタの各電極をな
し、チャンネル層５１には電子が移動するチャンネルが
形成され、ドーピングされた非晶質シリコン層はソース
及びドレイン電極７１、７２とチャンネル層５１との抵
抗性接触を向上させる役割を果す。
【０１８３】薄膜トランジスタが形成された基板１００
の全面は保護膜８０で覆われている。保護膜はそれぞれ
ドレイン電極７２、ゲートパッド１２、データパッド７
３を露出する接触孔８４、８２、８３を有している。保
護膜８０上にはＩＴＯなどの透明な導電物質からなる画
素電極９１が形成されており、画素電極９１は走査信号
線１０とデータ線７０との交差により定義される画素領
域内部に形成されており、線形の共通電極２０の一部を
露出して端部では共通電極２０と重畳するようにパター
ニングされている。共通電極２０間に位置する画素電極
９１の幅は共通電極２０の幅より広く形成されている。
画素電極９１は保護膜８０に形成されている接触孔８４
を通じてドレイン電極７２と接触する。保護膜８０上に
はまた、ゲートパッド用透明電極９５とデータパッド用
透明電極９６とが形成されていて、この透明電極９５、
９６は接触孔８２、８３を通じてゲートパッド１２及び
データパッド７３とそれぞれ接触する。
の全面は保護膜８０で覆われている。保護膜はそれぞれ
ドレイン電極７２、ゲートパッド１２、データパッド７
３を露出する接触孔８４、８２、８３を有している。保
護膜８０上にはＩＴＯなどの透明な導電物質からなる画
素電極９１が形成されており、画素電極９１は走査信号
線１０とデータ線７０との交差により定義される画素領
域内部に形成されており、線形の共通電極２０の一部を
露出して端部では共通電極２０と重畳するようにパター
ニングされている。共通電極２０間に位置する画素電極
９１の幅は共通電極２０の幅より広く形成されている。
画素電極９１は保護膜８０に形成されている接触孔８４
を通じてドレイン電極７２と接触する。保護膜８０上に
はまた、ゲートパッド用透明電極９５とデータパッド用
透明電極９６とが形成されていて、この透明電極９５、
９６は接触孔８２、８３を通じてゲートパッド１２及び
データパッド７３とそれぞれ接触する。
【０１８４】以下、本発明の第１１実施例による液晶表
示装置を製造する方法について、図６１乃至図６３及び
図６４乃至図７１を参照して詳細に説明する。まず、図
６４及び図６５に示したように、透明基板１００上にク
ロム、アルミニウム、モリブデン、チタン、タンタル膜
またはこれらの合金膜を蒸着し、第１マスクを利用して
パターニングすることで走査信号線１０とその一部であ
るゲート電極１１及びゲートパッド１２を形成し、共通
電極２０とこれらを連結する共通電極線２３を形成す
る。
示装置を製造する方法について、図６１乃至図６３及び
図６４乃至図７１を参照して詳細に説明する。まず、図
６４及び図６５に示したように、透明基板１００上にク
ロム、アルミニウム、モリブデン、チタン、タンタル膜
またはこれらの合金膜を蒸着し、第１マスクを利用して
パターニングすることで走査信号線１０とその一部であ
るゲート電極１１及びゲートパッド１２を形成し、共通
電極２０とこれらを連結する共通電極線２３を形成す
る。
【０１８５】図６６及び６７に示したように、窒化膜な
どの物質からなるゲート絶縁膜４０を積層して共通電極
２０、共通電極線２３、ゲート電極１１、走査信号線１
０、ゲートパッド１２を覆い、ゲート絶縁膜４０上にチ
ャンネル層５１及びｎ＋非晶質シリコン層６０を連続し
て積層する。ｎ＋型の非晶質シリコン層６０及びチャン
ネル層５１を第２マスクを利用して共にパターニングし
てゲート電極１１上のゲート絶縁膜４０上にのみチャン
ネル層５１とｎ＋型の非晶質シリコン層６０とを残し、
その他は除去する。
どの物質からなるゲート絶縁膜４０を積層して共通電極
２０、共通電極線２３、ゲート電極１１、走査信号線１
０、ゲートパッド１２を覆い、ゲート絶縁膜４０上にチ
ャンネル層５１及びｎ＋非晶質シリコン層６０を連続し
て積層する。ｎ＋型の非晶質シリコン層６０及びチャン
ネル層５１を第２マスクを利用して共にパターニングし
てゲート電極１１上のゲート絶縁膜４０上にのみチャン
ネル層５１とｎ＋型の非晶質シリコン層６０とを残し、
その他は除去する。
【０１８６】次に、図６８及び図６９に示したように、
クロム、アルミニウム、モリブデン、タンタルまたはこ
れらの合金を蒸着し、第３マスクを利用してパターニン
グすることでデータ線７０、データパッド７３、ソース
電極７１及びドレイン電極７２を形成した後、ソース電
極７１とドレイン電極７２をマスクにして露出したｎ＋
型の非晶質シリコン層６０をエッチングして抵抗性接触
層６１、６２を完成する。
クロム、アルミニウム、モリブデン、タンタルまたはこ
れらの合金を蒸着し、第３マスクを利用してパターニン
グすることでデータ線７０、データパッド７３、ソース
電極７１及びドレイン電極７２を形成した後、ソース電
極７１とドレイン電極７２をマスクにして露出したｎ＋
型の非晶質シリコン層６０をエッチングして抵抗性接触
層６１、６２を完成する。
【０１８７】次いで、図７０及び図７１に示したよう
に、窒化シリコンなどからなる保護膜８０を蒸着し、第
４マスクを利用してパターニングすることでドレイン電
極７２を露出する接触孔８４とゲートパッド１２及びデ
ータパッド７３を露出する接触孔８２、８３とをそれぞ
れ形成する。
に、窒化シリコンなどからなる保護膜８０を蒸着し、第
４マスクを利用してパターニングすることでドレイン電
極７２を露出する接触孔８４とゲートパッド１２及びデ
ータパッド７３を露出する接触孔８２、８３とをそれぞ
れ形成する。
【０１８８】最後に、図６２及び図６３に示したよう
に、ＩＴＯなどの透明導電物質を積層し、第５マスクを
利用してパターニングすることで画素電極９１とゲート
パッド用透明電極９５、データパッド用透明電極９６を
形成すると、本発明の実施例による液晶表示装置が完成
する。この時、画素電極９１の幅は共通電極２０の幅よ
り広く形成する。
に、ＩＴＯなどの透明導電物質を積層し、第５マスクを
利用してパターニングすることで画素電極９１とゲート
パッド用透明電極９５、データパッド用透明電極９６を
形成すると、本発明の実施例による液晶表示装置が完成
する。この時、画素電極９１の幅は共通電極２０の幅よ
り広く形成する。
【０１８９】図５７に示したような構造の液晶表示装置
はこの他にも種々な方法で形成され得る。
はこの他にも種々な方法で形成され得る。
【０１９０】図７２には、ゲート絶縁膜の直ぐ上に画素
電極を形成した本発明の第１２実施例による液晶表示装
置の配置図を示し、図７３と図７４はそれぞれ図７２の
ＬＸＸＩＩＩ−ＬＸＸＩＩＩ′線とＬＸＸＩＶ−ＬＸＸ
ＩＶ′線の断面図である。図７２乃至図７４に示したよ
うに、共通電極２０間のゲート絶縁膜４０の直ぐ上に透
明導電物質からなる画素電極９１が形成されている。ド
レイン電極７２は画素電極９１上に延長されて画素電極
９１と接触している。ソース／ドレイン電極７１、７２
及びデータ線７０が形成された基板１００上には保護膜
８０が形成されており、画素領域の保護膜は除去されて
いる。ここで、画素領域の保護膜を除去するのは十分な
電気場を確保するためであり、必要に応じては除去しな
いことも可能である。他の構造は、図６１乃至６３に示
した本発明の第１１実施例と類似している。
電極を形成した本発明の第１２実施例による液晶表示装
置の配置図を示し、図７３と図７４はそれぞれ図７２の
ＬＸＸＩＩＩ−ＬＸＸＩＩＩ′線とＬＸＸＩＶ−ＬＸＸ
ＩＶ′線の断面図である。図７２乃至図７４に示したよ
うに、共通電極２０間のゲート絶縁膜４０の直ぐ上に透
明導電物質からなる画素電極９１が形成されている。ド
レイン電極７２は画素電極９１上に延長されて画素電極
９１と接触している。ソース／ドレイン電極７１、７２
及びデータ線７０が形成された基板１００上には保護膜
８０が形成されており、画素領域の保護膜は除去されて
いる。ここで、画素領域の保護膜を除去するのは十分な
電気場を確保するためであり、必要に応じては除去しな
いことも可能である。他の構造は、図６１乃至６３に示
した本発明の第１１実施例と類似している。
【０１９１】以下、パッド部の構造について説明する。
走査信号線１０と連結されているゲートパッド１２上の
ゲート絶縁膜４０は除去されてゲートパッド１２を露出
する接触孔４１を形成しており、その上にはゲートパッ
ド用透明電極９５が形成されている。データパッド部に
はデータパッド用透明電極９６が形成されており、その
上にデータ線７０が延長されてデータパッド用透明電極
９６とデータ線７０とが接触している。ゲートパッド用
透明電極９５とデータパッド用透明電極９６上の保護膜
８０は除去されて二つの透明電極９５、９６を露出して
いる。
走査信号線１０と連結されているゲートパッド１２上の
ゲート絶縁膜４０は除去されてゲートパッド１２を露出
する接触孔４１を形成しており、その上にはゲートパッ
ド用透明電極９５が形成されている。データパッド部に
はデータパッド用透明電極９６が形成されており、その
上にデータ線７０が延長されてデータパッド用透明電極
９６とデータ線７０とが接触している。ゲートパッド用
透明電極９５とデータパッド用透明電極９６上の保護膜
８０は除去されて二つの透明電極９５、９６を露出して
いる。
【０１９２】以下、本発明の第１２実施例による液晶表
示装置を製造する方法について図７２乃至図７４及び図
７５乃至図８０を参照して説明する。走査信号線１０、
ゲートパッド１２、ゲート電極１１、共通電極２０を形
成する段階と、ゲート絶縁膜４０とチャンネル層５１及
びｎ＋型の非晶質シリコン層６１、６２を連続して積層
してパターニングする段階とは、本発明の第１１実施例
による液晶表示装置を製造する方法と同一である。
示装置を製造する方法について図７２乃至図７４及び図
７５乃至図８０を参照して説明する。走査信号線１０、
ゲートパッド１２、ゲート電極１１、共通電極２０を形
成する段階と、ゲート絶縁膜４０とチャンネル層５１及
びｎ＋型の非晶質シリコン層６１、６２を連続して積層
してパターニングする段階とは、本発明の第１１実施例
による液晶表示装置を製造する方法と同一である。
【０１９３】次に、図７５及び図７６に示したように、
第３マスクを利用してゲートパッド１２上のゲート絶縁
膜４０を除去することでゲートパッド１２を露出する接
触孔３２を形成する。
第３マスクを利用してゲートパッド１２上のゲート絶縁
膜４０を除去することでゲートパッド１２を露出する接
触孔３２を形成する。
【０１９４】次に、図７７及び図７８に示したように、
ＩＴＯなどの透明導電物質を積層し、第４マスクを利用
してパターニングすることで画素電極９１を形成する。
この時、ゲートパッド用透明電極９５とデータパッド用
透明電極９６とを共に形成する。ゲートパッド用透明電
極９５はゲート絶縁膜４０に形成された接触孔３２を通
じてゲートパッド１２と接触する。
ＩＴＯなどの透明導電物質を積層し、第４マスクを利用
してパターニングすることで画素電極９１を形成する。
この時、ゲートパッド用透明電極９５とデータパッド用
透明電極９６とを共に形成する。ゲートパッド用透明電
極９５はゲート絶縁膜４０に形成された接触孔３２を通
じてゲートパッド１２と接触する。
【０１９５】図７９及び図８０に示したように、クロ
ム、アルミニウム、モリブデン、タンタルまたはこれら
の合金を蒸着し、第５マスクを利用してパターニングす
ることでデータ線７０、ソース電極７１及びドレイン電
極７２を形成する。この時、データ線７０は延長されて
データパッド用透明電極９６の一部を覆うようにする。
そして、ソース及びドレイン電極７１、７２をマスクに
して露出したｎ＋型の非晶質シリコン層６０をエッチン
グして抵抗性接触層６１、６２を完成する。
ム、アルミニウム、モリブデン、タンタルまたはこれら
の合金を蒸着し、第５マスクを利用してパターニングす
ることでデータ線７０、ソース電極７１及びドレイン電
極７２を形成する。この時、データ線７０は延長されて
データパッド用透明電極９６の一部を覆うようにする。
そして、ソース及びドレイン電極７１、７２をマスクに
して露出したｎ＋型の非晶質シリコン層６０をエッチン
グして抵抗性接触層６１、６２を完成する。
【０１９６】最後に、図７２乃至図７４に示したよう
に、保護膜８０を蒸着し、第６マスクを利用してパター
ニングすることでゲートパッド用透明電極９５とデータ
パッド用透明電極９６を露出し、画素領域の保護膜８０
をエッチングする。
に、保護膜８０を蒸着し、第６マスクを利用してパター
ニングすることでゲートパッド用透明電極９５とデータ
パッド用透明電極９６を露出し、画素領域の保護膜８０
をエッチングする。
【０１９７】本発明の第１２実施例による液晶表示装置
を製造するためには、第１１実施例とは異なり、総計６
枚のマスクが必要である。これは以降に駆動回路と連結
されるパッド部の特性を向上させるためにパッド部に透
明電極を形成するからであり、パッド部に透明電極を形
成せずに走査信号線やデータ線を形成する金属のみでパ
ッド部を形成するのであるれば、５枚のマスクでもこの
ような液晶表示装置を製造することができる。
を製造するためには、第１１実施例とは異なり、総計６
枚のマスクが必要である。これは以降に駆動回路と連結
されるパッド部の特性を向上させるためにパッド部に透
明電極を形成するからであり、パッド部に透明電極を形
成せずに走査信号線やデータ線を形成する金属のみでパ
ッド部を形成するのであるれば、５枚のマスクでもこの
ような液晶表示装置を製造することができる。
【０１９８】本発明の第１２実施例において、画素電極
を形成する工程とソース／ドレイン電極を形成する工程
は互いに入れ替わり得る。図８１にはソース／ドレイン
電極を画素電極より先に形成した本発明の第１３実施例
による液晶表示装置の断面図を示し、図８２と図８３は
それぞれ図８１のＬＸＸＸＩＩ−ＬＸＸＸＩＩ′線とＬ
ＸＸＸＩＩＩ−ＬＸＸＸＩＩＩ線′の断面図である。
を形成する工程とソース／ドレイン電極を形成する工程
は互いに入れ替わり得る。図８１にはソース／ドレイン
電極を画素電極より先に形成した本発明の第１３実施例
による液晶表示装置の断面図を示し、図８２と図８３は
それぞれ図８１のＬＸＸＸＩＩ−ＬＸＸＸＩＩ′線とＬ
ＸＸＸＩＩＩ−ＬＸＸＸＩＩＩ線′の断面図である。
【０１９９】ドレイン電極７２上に画素電極９１が延長
されて接触しているという点と、データ線と連結された
データパッド７３が形成されていてその上にデータパッ
ド用透明電極９６が形成されているという点とを除いた
他の構造は、第１２実施例の場合と類似している。本発
明の第１３実施例による液晶表示装置を製造する工程も
また、第１２実施例による液晶表示装置を製造する工程
と類似している。ゲート絶縁膜４０を第３マスクを利用
してパターニングすることでゲートパッド１２を露出す
る接触孔３２を形成する過程までは同一であり、次に、
図８４及び図８５に示したように、クロム、アルミニウ
ム、モリブデン、タンタルまたはこれらの合金を蒸着
し、第４マスクを利用してパターニングすることでデー
タ線７０、データパッド７３、ソース電極７１及びドレ
イン電極７２を形成する。
されて接触しているという点と、データ線と連結された
データパッド７３が形成されていてその上にデータパッ
ド用透明電極９６が形成されているという点とを除いた
他の構造は、第１２実施例の場合と類似している。本発
明の第１３実施例による液晶表示装置を製造する工程も
また、第１２実施例による液晶表示装置を製造する工程
と類似している。ゲート絶縁膜４０を第３マスクを利用
してパターニングすることでゲートパッド１２を露出す
る接触孔３２を形成する過程までは同一であり、次に、
図８４及び図８５に示したように、クロム、アルミニウ
ム、モリブデン、タンタルまたはこれらの合金を蒸着
し、第４マスクを利用してパターニングすることでデー
タ線７０、データパッド７３、ソース電極７１及びドレ
イン電極７２を形成する。
【０２００】次に、図８６及び図８７に示したように、
透明導電物質を積層し、第５マスクを利用してパターニ
ングすることで画素電極９１、ゲートパッド用透明電極
９５、データパッド用透明電極９６を形成する。以降の
保護膜の形成工程もまた、第１２実施例の場合と類似し
ている。
透明導電物質を積層し、第５マスクを利用してパターニ
ングすることで画素電極９１、ゲートパッド用透明電極
９５、データパッド用透明電極９６を形成する。以降の
保護膜の形成工程もまた、第１２実施例の場合と類似し
ている。
【０２０１】本発明の第１４実施例においては第１０実
施例でのように、線形の第１電極をまず形成し、絶縁膜
を形成した後で面形の第２電極を形成するが、第１電極
と第２電極が重畳しない構造を提示する。
施例でのように、線形の第１電極をまず形成し、絶縁膜
を形成した後で面形の第２電極を形成するが、第１電極
と第２電極が重畳しない構造を提示する。
【０２０２】図８８に本発明の第１４実施例による液晶
表示装置の断面図を示した。本発明の第１４実施例によ
る液晶表示装置においては、図６６に示した第１０実施
例と同様に、第２電極２は第１電極１間に連続した面で
形成されているが、第１０実施例とは異なって第１電極
１とは重畳しない。しかし、第１電極１と第２電極２と
の間隔は非常に狭く、第２電極２の幅は第１電極１の幅
に比べて広い。
表示装置の断面図を示した。本発明の第１４実施例によ
る液晶表示装置においては、図６６に示した第１０実施
例と同様に、第２電極２は第１電極１間に連続した面で
形成されているが、第１０実施例とは異なって第１電極
１とは重畳しない。しかし、第１電極１と第２電極２と
の間隔は非常に狭く、第２電極２の幅は第１電極１の幅
に比べて広い。
【０２０３】以下、本発明の第１５実施例であって、前
述の第１４実施例で提示した電極の構造に薄膜トランジ
スタをスイッチング素子として付加した液晶表示装置に
ついて、図８９乃至図９１を参照して説明する。図８９
は、本発明の第１５実施例による液晶表示装置の下部基
板に形成されている一つの画素と、以降に駆動回路と連
結されるパッド部とを示した配置図であり、図９０及び
図９１は図８９のＸＣ−ＸＣ′線とＸＣＩ−ＸＣＩ′線
の断面図である。
述の第１４実施例で提示した電極の構造に薄膜トランジ
スタをスイッチング素子として付加した液晶表示装置に
ついて、図８９乃至図９１を参照して説明する。図８９
は、本発明の第１５実施例による液晶表示装置の下部基
板に形成されている一つの画素と、以降に駆動回路と連
結されるパッド部とを示した配置図であり、図９０及び
図９１は図８９のＸＣ−ＸＣ′線とＸＣＩ−ＸＣＩ′線
の断面図である。
【０２０４】画素電極９１は線形の共通電極２０全体を
露出するように形成され、共通電極２０と重畳しないよ
うに形成されている。この時、画素電極９１の幅は共通
電極２０の幅より広い。液晶表示装置におけるその他の
構造は図６１乃至図６３に示した本発明の第１１実施例
と類似している。このような液晶表示装置を製造する方
法もまた、第１１実施例による液晶表示装置を製造する
工程と類似し、第１２及び第１３実施例のように、構造
及び製造方法を変更することも可能である。
露出するように形成され、共通電極２０と重畳しないよ
うに形成されている。この時、画素電極９１の幅は共通
電極２０の幅より広い。液晶表示装置におけるその他の
構造は図６１乃至図６３に示した本発明の第１１実施例
と類似している。このような液晶表示装置を製造する方
法もまた、第１１実施例による液晶表示装置を製造する
工程と類似し、第１２及び第１３実施例のように、構造
及び製造方法を変更することも可能である。
【０２０５】本発明の第１６実施例においては第１電極
と第２電極が同一層に形成されている構造を提示する。
図７２に本発明の第１６実施例による液晶表示装置の断
面図を示した。本発明の第１６実施例による液晶表示装
置においては、図６６に示したように、基板１００上に
線形の第１電極１が多数形成されており、第１電極１間
に透明な第２電極２が形成されている。第２電極２は本
発明の第１１実施例と同様に第１電極１間に連続した面
で形成されており、第１電極１とは重畳しない。そし
て、第２電極２の幅は第１電極１の幅に比べて広い。二
つの電極をこのように同一層に形成する場合において
も、二つの電極に電圧を印加した時に生成される電気場
の形態と強度は第１実施例の場合と類似している。
と第２電極が同一層に形成されている構造を提示する。
図７２に本発明の第１６実施例による液晶表示装置の断
面図を示した。本発明の第１６実施例による液晶表示装
置においては、図６６に示したように、基板１００上に
線形の第１電極１が多数形成されており、第１電極１間
に透明な第２電極２が形成されている。第２電極２は本
発明の第１１実施例と同様に第１電極１間に連続した面
で形成されており、第１電極１とは重畳しない。そし
て、第２電極２の幅は第１電極１の幅に比べて広い。二
つの電極をこのように同一層に形成する場合において
も、二つの電極に電圧を印加した時に生成される電気場
の形態と強度は第１実施例の場合と類似している。
【０２０６】以下、本発明の第１７実施例であって、前
述の第１６実施例で提示した電極の構造に薄膜トランジ
スタをスイッチング素子として付加した液晶表示装置に
ついて、図９３乃至図９５を参照して説明する。図９３
は、本発明の第１７実施例による液晶表示装置の下部基
板に形成されている一つの画素と、以降に駆動回路と連
結されるパッド部とを示した配置図であり、図９４と図
９５は図９３のＸＣＩＶ−ＸＣＩＶ′線とＸＣＶ−ＸＣ
Ｖ′線の断面図である。
述の第１６実施例で提示した電極の構造に薄膜トランジ
スタをスイッチング素子として付加した液晶表示装置に
ついて、図９３乃至図９５を参照して説明する。図９３
は、本発明の第１７実施例による液晶表示装置の下部基
板に形成されている一つの画素と、以降に駆動回路と連
結されるパッド部とを示した配置図であり、図９４と図
９５は図９３のＸＣＩＶ−ＸＣＩＶ′線とＸＣＶ−ＸＣ
Ｖ′線の断面図である。
【０２０７】走査信号線１０とデータ線７０との交差に
より定義される画素領域の保護膜８０とゲート絶縁膜４
０が除去され、画素電極が線形共通電極２０間の基板１
００の直ぐ上に形成されている。液晶表示装置における
その他の構造は図８９乃至図９１に示した本発明の第１
４実施例と類似している。このような液晶表示装置を製
造する方法もまた、第１１実施例による液晶表示装置を
製造する工程と類似し、第５マスクを利用して保護膜を
形成する工程において画素領域の保護膜８０とゲート絶
縁膜４０を除去するという点が異なる。そして、第１２
及び第１３実施例のように、構造と製造方法を変更する
ことも可能である。
より定義される画素領域の保護膜８０とゲート絶縁膜４
０が除去され、画素電極が線形共通電極２０間の基板１
００の直ぐ上に形成されている。液晶表示装置における
その他の構造は図８９乃至図９１に示した本発明の第１
４実施例と類似している。このような液晶表示装置を製
造する方法もまた、第１１実施例による液晶表示装置を
製造する工程と類似し、第５マスクを利用して保護膜を
形成する工程において画素領域の保護膜８０とゲート絶
縁膜４０を除去するという点が異なる。そして、第１２
及び第１３実施例のように、構造と製造方法を変更する
ことも可能である。
【０２０８】以下、下部基板の他に上部基板にも電極が
形成されている実施例について説明する。図９６は、本
発明の第１８実施例による垂直配向方式の液晶表示装置
における電極構造を示した断面図であって、下部基板１
００上に面形電極２が形成されており、絶縁膜３で覆わ
れている。絶縁膜３上にはクロムまたはＩＴＯからなる
線形電極１が形成されている。また、上部電極２５０が
上部基板２００上に形成されている。この場合、電気場
の大きさが大きくなるため、応答時間が短くなり、液晶
分子の配列が安定的である。さらに、上部電極２５０は
フリンジフィールドを生成する開口部２５１を有してい
るので、液晶分子の配列が開口部を境界として微細領域
をなして視野角が広くなる。
形成されている実施例について説明する。図９６は、本
発明の第１８実施例による垂直配向方式の液晶表示装置
における電極構造を示した断面図であって、下部基板１
００上に面形電極２が形成されており、絶縁膜３で覆わ
れている。絶縁膜３上にはクロムまたはＩＴＯからなる
線形電極１が形成されている。また、上部電極２５０が
上部基板２００上に形成されている。この場合、電気場
の大きさが大きくなるため、応答時間が短くなり、液晶
分子の配列が安定的である。さらに、上部電極２５０は
フリンジフィールドを生成する開口部２５１を有してい
るので、液晶分子の配列が開口部を境界として微細領域
をなして視野角が広くなる。
【０２０９】図９７及び図９８の第１９及び第２０実施
例でわかるように、面形及び線形電極２、１は同一の平
面上に位置することができ、この場合に第２０実施例で
のように上部電極２５０は開口部２５１を有するように
構成できる。
例でわかるように、面形及び線形電極２、１は同一の平
面上に位置することができ、この場合に第２０実施例で
のように上部電極２５０は開口部２５１を有するように
構成できる。
【０２１０】一方、図１０のグラフをみると、５Ｖの電
圧を印加した時の赤色と緑色画素の場合の透過率はそれ
ぞれ０．１程度で類似した高い透過率を示し、青色画素
はこれに比べて２０％程低い０．０８程度の透過率を示
すため、色相によって透過率が異なることがわかる。こ
のような差を無くすためには色相によって開口率を異に
する方法を使用することができる。
圧を印加した時の赤色と緑色画素の場合の透過率はそれ
ぞれ０．１程度で類似した高い透過率を示し、青色画素
はこれに比べて２０％程低い０．０８程度の透過率を示
すため、色相によって透過率が異なることがわかる。こ
のような差を無くすためには色相によって開口率を異に
する方法を使用することができる。
【０２１１】図９９には本発明の実施例によるブラック
マトリックスの平面図を示した。このようなブラックマ
トリックスは液晶表示装置の上下の二つの基板のいずれ
においても形成され得る。
マトリックスの平面図を示した。このようなブラックマ
トリックスは液晶表示装置の上下の二つの基板のいずれ
においても形成され得る。
【０２１２】図９９でＲ、Ｇ、Ｂはそれぞれ赤、緑、青
色画素を示す。赤、緑、青色画素の透過率をそれぞれ、
ＴＲ、ＴＧ、ＴＢとし、赤、緑、青色画素の開口面積を
それぞれＳＲ、ＳＧ、ＳＢとすると、ＴＲ＊ＳＲ＝ＴＧ
＊ＳＧ＝ＴＢ＊ＳＢとなるように開口面積を形成すれば
よい。図９９においては、各画素の開口部は横の長さが
縦の長さより短い長方形状となっており、各開口部の横
の長さＸは同一であるため、各開口部の縦の長さＹＲ、
ＹＧ、ＹＢを調節すればよい。
色画素を示す。赤、緑、青色画素の透過率をそれぞれ、
ＴＲ、ＴＧ、ＴＢとし、赤、緑、青色画素の開口面積を
それぞれＳＲ、ＳＧ、ＳＢとすると、ＴＲ＊ＳＲ＝ＴＧ
＊ＳＧ＝ＴＢ＊ＳＢとなるように開口面積を形成すれば
よい。図９９においては、各画素の開口部は横の長さが
縦の長さより短い長方形状となっており、各開口部の横
の長さＸは同一であるため、各開口部の縦の長さＹＲ、
ＹＧ、ＹＢを調節すればよい。
【０２１３】図９９に示したように、一番低い透過率を
有する青色画素の場合は、最大限の開口面積を有するよ
うにブラックマトリックスを形成する。そして、これよ
り高い透過率を有する赤色及び緑色画素の場合は、ＴＲ
＊ＹＲ＝ＴＧ＊ＹＧ＝ＴＢ＊ＹＢの式によって縦の長さ
を決めることができる。赤色及び緑色画素の場合、ほぼ
同一の透過率を示すため、赤色及び緑色画素の開口部の
縦の長さＹＲ、ＹＧは、凡そ（ＴＢ／ＴＧ）＊ＹＢとな
る。
有する青色画素の場合は、最大限の開口面積を有するよ
うにブラックマトリックスを形成する。そして、これよ
り高い透過率を有する赤色及び緑色画素の場合は、ＴＲ
＊ＹＲ＝ＴＧ＊ＹＧ＝ＴＢ＊ＹＢの式によって縦の長さ
を決めることができる。赤色及び緑色画素の場合、ほぼ
同一の透過率を示すため、赤色及び緑色画素の開口部の
縦の長さＹＲ、ＹＧは、凡そ（ＴＢ／ＴＧ）＊ＹＢとな
る。
【０２１４】本発明の実施例においては、ブラックマト
リックスの開口部が縦方向に長い長方形状に形成される
場合のみを説明したが、その他にブラックマトリックス
が他の形状の開口部を有しても、開口部の全体面積と透
過率の乗が一定になるように開口部を形成すれば、本発
明の実施例と同一の効果が得られる。
リックスの開口部が縦方向に長い長方形状に形成される
場合のみを説明したが、その他にブラックマトリックス
が他の形状の開口部を有しても、開口部の全体面積と透
過率の乗が一定になるように開口部を形成すれば、本発
明の実施例と同一の効果が得られる。
【０２１５】本発明は、前述の実施例に限られるわけで
はなく、この実施例に基づいて当業者が変更したり改良
できる技術的な内容も本発明に含まれる。
はなく、この実施例に基づいて当業者が変更したり改良
できる技術的な内容も本発明に含まれる。
【０２１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の液晶表示
装置においては、電極の構造を新たにすることにより、
視野角を広めることができ、また、駆動電圧を低くする
ことができ、さらに、開口率を拡大することができる、
装置においては、電極の構造を新たにすることにより、
視野角を広めることができ、また、駆動電圧を低くする
ことができ、さらに、開口率を拡大することができる、
【図１】本発明の第１実施例による液晶表示装置の電極
を示した配置図である。
を示した配置図である。
【図２】図１でＩＩ−ＩＩ′線を切って示した断面図で
あって、上部基板及び下部基板と二つの基板と間の等電
位線及び電気力線を共に示した図面である。
あって、上部基板及び下部基板と二つの基板と間の等電
位線及び電気力線を共に示した図面である。
【図３】本発明の第１実施例における液晶分子のねじり
角の変化を説明するための図面である。
角の変化を説明するための図面である。
【図４】本発明の第１実施例における基板に水平で線形
電極に垂直の線に対する液晶分子のねじり角の変化を示
したグラフである。
電極に垂直の線に対する液晶分子のねじり角の変化を示
したグラフである。
【図５】本発明の第１実施例における基板に垂直な線に
対する液晶分子のねじり角の変化を示したグラフであ
る。
対する液晶分子のねじり角の変化を示したグラフであ
る。
【図６】本発明の第１実施例における液晶分子の傾斜角
の変化を説明するための図面である。
の変化を説明するための図面である。
【図７】本発明の第１実施例における基板に垂直な線に
対する液晶分子のねじり角の変化を示したグラフであ
る。
対する液晶分子のねじり角の変化を示したグラフであ
る。
【図８】本発明の第１実施例における基板に水平で線形
電極に垂直な線に対する液晶分子の傾斜角の変化を示し
たグラフである。
電極に垂直な線に対する液晶分子の傾斜角の変化を示し
たグラフである。
【図９】本発明の第１実施例による液晶表示装置におい
て、位置による透過率の変化を示したグラフである。
て、位置による透過率の変化を示したグラフである。
【図１０】本発明の第１実施例による液晶表示装置にお
いて、印加電圧による透過率の変化を示したグラフであ
る。
いて、印加電圧による透過率の変化を示したグラフであ
る。
【図１１】本発明の第１実施例による液晶表示装置にお
ける視野角を示したグラフである。
ける視野角を示したグラフである。
【図１２】本発明の第２実施例における液晶分子のねじ
り角の変化を説明するための図面である。
り角の変化を説明するための図面である。
【図１３】本発明の第２実施例における基板に水平で線
形電極に垂直である線に対する液晶分子のねじり角の変
化を示したグラフである。
形電極に垂直である線に対する液晶分子のねじり角の変
化を示したグラフである。
【図１４】本発明の第２実施例における基板に垂直な線
に対する液晶分子のねじり角の変化を示したグラフであ
る。
に対する液晶分子のねじり角の変化を示したグラフであ
る。
【図１５】本発明の第２実施例における液晶分子の傾斜
角の変化を説明するための図面である。
角の変化を説明するための図面である。
【図１６】本発明の第２実施例における基板に垂直な線
に対する液晶分子のねじり角を示したグラフである。
に対する液晶分子のねじり角を示したグラフである。
【図１７】本発明の第２実施例における基板に平行で線
形電極に垂直な線に対する液晶分子の傾斜角の変化を示
したグラフである。
形電極に垂直な線に対する液晶分子の傾斜角の変化を示
したグラフである。
【図１８】本発明の第３実施例における液晶分子のねじ
り角の変化を説明するための図面である。
り角の変化を説明するための図面である。
【図１９】本発明の第３実施例における基板に水平で線
形電極に垂直な線に対する液晶分子のねじり角の変化を
示したグラフである。
形電極に垂直な線に対する液晶分子のねじり角の変化を
示したグラフである。
【図２０】本発明の第３実施例における基板に垂直線に
対する液晶分子のねじり角の変化を示したグラフであ
る。
対する液晶分子のねじり角の変化を示したグラフであ
る。
【図２１】本発明の第３実施例における液晶分子の傾斜
角の変化を説明するための図面である。
角の変化を説明するための図面である。
【図２２】本発明の第３実施例における基板に垂直な線
に対する液晶分子のねじり角の変化を示したグラフであ
る。
に対する液晶分子のねじり角の変化を示したグラフであ
る。
【図２３】本発明の第３実施例における基板に水平で線
形電極に垂直な線に対する液晶分子の傾斜角の変化を示
したグラフである。
形電極に垂直な線に対する液晶分子の傾斜角の変化を示
したグラフである。
【図２４】本発明の第４実施例における液晶分子のねじ
り角の変化を説明するための図面である。
り角の変化を説明するための図面である。
【図２５】本発明の第４実施例における基板に水平で線
形電極に垂直な線に対する液晶分子のねじり角の変化を
示したグラフである。
形電極に垂直な線に対する液晶分子のねじり角の変化を
示したグラフである。
【図２６】本発明の第４実施例における基板に垂直な線
に対する液晶分子のねじり角の変化を示したグラフであ
る。
に対する液晶分子のねじり角の変化を示したグラフであ
る。
【図２７】本発明の第４実施例における液晶分子の傾斜
角の変化を説明するための図面である。
角の変化を説明するための図面である。
【図２８】本発明の第４実施例における基板に垂直な線
に対する液晶分子のねじり角の変化を示したグラフであ
る。
に対する液晶分子のねじり角の変化を示したグラフであ
る。
【図２９】本発明の第４実施例における基板に水平で線
形電極に垂直な線に対する液晶分子の傾斜角の変化を示
したグラフである。
形電極に垂直な線に対する液晶分子の傾斜角の変化を示
したグラフである。
【図３０】本発明の第５実施例による液晶表示装置の配
置図である。
置図である。
【図３１】図３０のＶ−Ｖ′線に沿って切って示した断
面図である。
面図である。
【図３２】本発明の第６実施例による液晶表示装置の配
置図である。
置図である。
【図３３】図３２のＶＩＡ−ＶＩＡ′線に沿って切って
示した断面図である。
示した断面図である。
【図３４】図３２のＶＩＢ−ＶＩＢ′線に沿って切って
示した断面図である。
示した断面図である。
【図３５】本発明の第７実施例による液晶表示装置の配
置図である。
置図である。
【図３６】図３５のＸＸＸＶＩ−ＸＸＸＶＩ′線を切っ
て示した断面図である。
て示した断面図である。
【図３７】図３５のＸＸＸＶＩＩ−ＸＸＸＶＩＩ′線を
切って示した断面図である。
切って示した断面図である。
【図３８】図３５乃至３７に示した液晶表示装置の製造
過程の中間構造を示した断面図である。
過程の中間構造を示した断面図である。
【図３９】図３５乃至３７に示した液晶表示装置の製造
過程の中間構造を示した断面図である。
過程の中間構造を示した断面図である。
【図４０】図３５乃至３７に示した液晶表示装置の製造
過程の中間構造を示した断面図である。
過程の中間構造を示した断面図である。
【図４１】図３５乃至３７に示した液晶表示装置の製造
過程の中間構造を示した断面図である。
過程の中間構造を示した断面図である。
【図４２】図３５乃至３７に示した液晶表示装置の製造
過程の中間構造を示した断面図である。
過程の中間構造を示した断面図である。
【図４３】図３５乃至３７に示した液晶表示装置の製造
過程の中間構造を示した断面図である。
過程の中間構造を示した断面図である。
【図４４】図３５乃至３７に示した液晶表示装置の製造
過程の中間構造を示した断面図である。
過程の中間構造を示した断面図である。
【図４５】図３５乃至３７に示した液晶表示装置の製造
過程の中間構造を示した断面図である。
過程の中間構造を示した断面図である。
【図４６】図３５乃至３７に示した液晶表示装置の製造
過程の中間構造を示した断面図である。
過程の中間構造を示した断面図である。
【図４７】図３５乃至３７に示した液晶表示装置の製造
過程の中間構造を示した断面図である。
過程の中間構造を示した断面図である。
【図４８】図３５乃至３７に示した液晶表示装置の製造
過程の中間構造を示した断面図である。
過程の中間構造を示した断面図である。
【図４９】図３５乃至３７に示した液晶表示装置の製造
過程の中間構造を示した断面図である。
過程の中間構造を示した断面図である。
【図５０】本発明の第８実施例による液晶表示装置の配
置図である。
置図である。
【図５１】図５０のＬＩ−ＬＩ′線を切って示した二つ
の異なる図面図である。
の異なる図面図である。
【図５２】図５０のＬＩＩ−ＬＩＩ′線を切って示した
二つの異なる図面図である。
二つの異なる図面図である。
【図５３】図５０のＬＩＩＩ−ＬＩＩＩ′線を切って示
した断面図である。
した断面図である。
【図５４】本発明の第９実施例による液晶表示装置の断
面図である。
面図である。
【図５５】本発明の第９実施例による液晶表示装置の断
面図である。
面図である。
【図５６】本発明の第９実施例による液晶表示装置の断
面図である。
面図である。
【図５７】本発明の第１０実施例による液晶表示装置の
断面図である
断面図である
【図５８】本発明の第１０実施例による液晶表示装置の
電気場と等電位線とを示したグラフである。
電気場と等電位線とを示したグラフである。
【図５９】本発明の第１０実施例による液晶表示装置に
おいて、印加電圧による透過率の変化を示したグラフで
ある。
おいて、印加電圧による透過率の変化を示したグラフで
ある。
【図６０】本発明の第１０実施例による液晶表示装置に
おける視野角を示したグラフである。
おける視野角を示したグラフである。
【図６１】本発明の第１１実施例による液晶表示装置の
配置図である。
配置図である。
【図６２】図６１のＬＸＩＩ−ＬＸＩＩ′線を切って示
した断面図である。
した断面図である。
【図６３】図６１のＬＸＩＩＩ−ＬＸＩＩＩ′線を切っ
て示した断面図である。
て示した断面図である。
【図６４】図６１乃至図６３に示した液晶表示装置の製
造過程の中間構造を示した断面図である。
造過程の中間構造を示した断面図である。
【図６５】図６１乃至図６３に示した液晶表示装置の製
造過程の中間構造を示した断面図である。
造過程の中間構造を示した断面図である。
【図６６】図６１乃至図６３に示した液晶表示装置の製
造過程の中間構造を示した断面図である。
造過程の中間構造を示した断面図である。
【図６７】図６１乃至図６３に示した液晶表示装置の製
造過程の中間構造を示した断面図である。
造過程の中間構造を示した断面図である。
【図６８】図６１乃至図６３に示した液晶表示装置の製
造過程の中間構造を示した断面図である。
造過程の中間構造を示した断面図である。
【図６９】図６１乃至図６３に示した液晶表示装置の製
造過程の中間構造を示した断面図である。
造過程の中間構造を示した断面図である。
【図７０】図６１乃至図６３に示した液晶表示装置の製
造過程の中間構造を示した断面図である。
造過程の中間構造を示した断面図である。
【図７１】図６１乃至図６３に示した液晶表示装置の製
造過程の中間構造を示した断面図である。
造過程の中間構造を示した断面図である。
【図７２】本発明の第１２実施例による液晶表示装置の
配置図である。
配置図である。
【図７３】図７２のＬＸＩＩ−ＬＸＩＩ′線を切って示
した断面図である。
した断面図である。
【図７４】図７２のＬＸＩＶ−ＬＸＩＶ′線を切って示
した断面図である。
した断面図である。
【図７５】図７２乃至図７４に示した液晶表示装置の製
造過程の中間構造を示した断面図である。
造過程の中間構造を示した断面図である。
【図７６】図７２乃至図７４に示した液晶表示装置の製
造過程の中間構造を示した断面図である。
造過程の中間構造を示した断面図である。
【図７７】図７２乃至図７４に示した液晶表示装置の製
造過程の中間構造を示した断面図である。
造過程の中間構造を示した断面図である。
【図７８】図７２乃至図７４に示した液晶表示装置の製
造過程の中間構造を示した断面図である。
造過程の中間構造を示した断面図である。
【図７９】図７２乃至図７４に示した液晶表示装置の製
造過程の中間構造を示した断面図である。
造過程の中間構造を示した断面図である。
【図８０】図７２乃至図７４に示した液晶表示装置の製
造過程の中間構造を示した断面図である。
造過程の中間構造を示した断面図である。
【図８１】本発明の第１３実施例による液晶表示装置の
配置図である。
配置図である。
【図８２】図８１のＬＸＸＸＩＩ−ＬＸＸＸＩＩ′線を
切って示した断面図である。
切って示した断面図である。
【図８３】図８１のＬＸＸＸＩＩ−ＬＸＸＸＩＩ′線を
切って示した断面図である。
切って示した断面図である。
【図８４】図８１のＬＸＸＸＩＩ−ＬＸＸＸＩＩ′線を
切って示した断面図である。
切って示した断面図である。
【図８５】図８１乃至図８３に示した液晶表示装置の製
造過程の中間構造を示した断面図である。
造過程の中間構造を示した断面図である。
【図８６】図８１乃至図８３に示した液晶表示装置の製
造過程の中間構造を示した断面図である。
造過程の中間構造を示した断面図である。
【図８７】図８１乃至図８３に示した液晶表示装置の製
造過程の中間構造を示した断面図である。
造過程の中間構造を示した断面図である。
【図８８】本発明の第１４実施例による液晶表示装置の
配置図である。
配置図である。
【図８９】本発明の第１５実施例による液晶表示装置の
配置図である。
配置図である。
【図９０】図８９のＸＣ−ＸＣ′線を切って示した断面
図である。
図である。
【図９１】図８９のＸＣＩ−ＸＣＩ′線を切って示した
断面図である。
断面図である。
【図９２】本発明の第１６実施例による液晶表示装置の
配置図である。
配置図である。
【図９３】本発明の第１７実施例による液晶表示装置の
配置図である。
配置図である。
【図９４】図９３のＸＣＩＶ−ＸＣＩＶ′線を切って示
した断面図ある。
した断面図ある。
【図９５】図９３のＸＣＩＶ−ＸＣＩＶ′線を切って示
した断面図ある。
した断面図ある。
【図９６】本発明の第１８実施例乃至第２０実施例によ
る液晶表示装置の断面図である。
る液晶表示装置の断面図である。
【図９７】本発明の第１８実施例乃至第２０実施例によ
る液晶表示装置の断面図である。
る液晶表示装置の断面図である。
【図９８】本発明の第１８実施例乃至第２０実施例によ
る液晶表示装置の断面図である。
る液晶表示装置の断面図である。
【図９９】本発明の第２１実施例による液晶表示装置を
示した図面である。
示した図面である。
１ 線形電極 ２ 面形電極 ４、６ 配向膜 ５，７ 偏光板 ２０ 共通電極 ３３ 共通電極線 ７０ データ線 ７１ ソース電極 ７２ ドレイン電極 １２ ゲートパッド ７３ データパッド １００、２００ 基板 ＷＲ 狭い領域 ＮＲ 広い領域 Ｂ 広い領域の中央線 Ｃ 狭い領域の中央線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 １９９８Ｐ６０８７ (32)優先日 1998年２月26日 (33)優先権主張国 韓国（ＫＲ） (31)優先権主張番号 １９９８Ｐ８２３１ (32)優先日 1998年３月12日 (33)優先権主張国 韓国（ＫＲ） (31)優先権主張番号 １９９８Ｐ８２３３ (32)優先日 1998年３月12日 (33)優先権主張国 韓国（ＫＲ） (31)優先権主張番号 １９９８Ｐ８２３５ (32)優先日 1998年３月12日 (33)優先権主張国 韓国（ＫＲ） (72)発明者 金 東奎 大韓民国京畿道水原市八達区仁溪洞 鮮京 アパート302−801 (72)発明者 張 鐘雄 大韓民国京畿道水原市長安区華西１洞192 (72)発明者 沈 政▲うく▼ 大韓民国京畿道龍仁市器興邑農書里山24 (72)発明者 宋 長根 大韓民国ソウル市瑞草区瑞草洞 三▲いく ▼アパート５−201 (72)発明者 李 賢植 大韓民国ソウル市蘆原区月溪４洞 光眞ヴ ィラ１−102
Claims (27)
- 【請求項１】多数の画素を含む液晶表示装置であって、 対向する第１基板及び第２基板と、 前記第１基板上に形成されている第１電極と、 前記第１基板上に前記第１電極と絶縁して形成されてお
り、前記第１電極と少なくとも一部分が重畳しており、
前記第１電極間で連続的な面からなる第２電極を含み、 一つの画素は少なくとも前記第１電極のうちの一つと第
２電極とを含む液晶表示装置。 - 【請求項２】前記第２電極は隣接した画素と連結されて
いる請求項１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】前記第１電極及び前記第２電極は透明導電
体で形成されている請求項２に記載の液晶表示装置。 - 【請求項４】前記第１電極または第２電極は透明導電体
で形成されている請求項１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項５】前記第２基板上に形成されている第３電極
をさらに含む請求項１に記載の液晶表示装置 - 【請求項６】第３電極は開口部を有している請求項５に
記載の液晶表示装置。 - 【請求項７】対向する第１及び第２基板と、 前記第１及び第２基板の間に封止されている液晶物質層
と、 前記第１基板に形成されており、互いに電気的に絶縁し
ている第１及び第２電極とを含み、 前記第１及び第２電極に電圧が印加されて生じた電気場
によって前記液晶物質層の液晶分子が再配列される液晶
分子領域の少なくとも一部分が前記第１電極または第２
電極上に形成され、前記第１電極または第２電極上に形
成された前記液晶分子領域を画像表示領域の一部とする
液晶表示装置。 - 【請求項８】前記液晶分子領域の液晶分子はねじり角及
び傾斜角を有する請求項７に記載の液晶表示装置。 - 【請求項９】前記第１電極と前記第２電極とは少なくと
も一部分が重畳している請求項５に記載の液晶表示装
置。 - 【請求項１０】前記電気場は、前記第１電極と前記第２
電極との間に位置する放物線状の電気力線を有してお
り、前記電気力線は前記第１電極または前記第２電極上
で垂直及び水平成分を有する請求項７または請求項８に
記載の液晶表示装置。 - 【請求項１１】前記第１電極の線の幅は前記第２電極の
線の幅と同一かまたは大きく、前記第１電極上の液晶分
子領域が前記画像表示領域の一部となる請求項７または
請求項８に記載の液晶表示装置。 - 【請求項１２】前記第１電極は透明導電物質からなる請
求項１１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項１３】前記第１及び第２基板の外面にそれぞれ
取付けられている偏光板をさらに含み、前記偏光板のう
ちの一つを通過した光は、前記画像表示領域を通過して
他の偏光板に到達する請求項１２に記載の液晶表示装
置。 - 【請求項１４】前記液晶層は正または負の誘電率異方性
を有している請求項７に記載の液晶表示装置。 - 【請求項１５】前記液晶層の液晶分子の長軸は、前記第
１及び第２電極に電圧が印加されていないとき、前記基
板と水平か垂直である請求項１４に記載の液晶表示装
置。 - 【請求項１６】対向する第１及び第２基板と、 前記第１及び第２基板の間に封止されている液晶物質層
と、 前記第１基板上に互いに電気的に絶縁して形成されてお
り、互いに交差する多数の走査信号線及びデータ線と、 前記走査信号線と連結されているゲート電極及び前記デ
ータ線と連結されているソース電極、そしてドレイン電
極を有していて前記第１基板上に形成されている多数の
薄膜トランジスタと、 前記薄膜トランジスタのドレイン電極と連結されていて
前記第１基板上に形成されている多数の画素電極と、 前記画素電極と電気的に絶縁して形成されている共通電
極とを含み、 前記薄膜トランジスタは前記走査信号線からの信号によ
って前記データ線からの電圧をスイッチングして前記画
素電極へ送出し、前記画素電極と前記共通電極とに電圧
が印加されて生じた電気場によって、前記液晶物質層の
液晶分子が再配列される液晶分子領域の少なくとも一部
分が、前記第１電極または第２電極上に形成され、前記
第１電極または第２電極上に形成された前記液晶分子領
域を画像表示領域の一部とする液晶表示装置。 - 【請求項１７】前記画素電極と前記共通電極とは一部が
重畳していて保持蓄電器をなす請求項１６に記載の液晶
表示装置。 - 【請求項１８】前記画素電極と前記共通電極との間に形
成されている絶縁膜をさらに含む請求項１６に記載の液
晶表示装置。 - 【請求項１９】前記画素電極は前記絶縁膜の下部に位置
し、前記共通電極は前記絶縁膜の上部に位置する請求項
１８に記載の液晶表示装置。 - 【請求項２０】隣接する前記共通電極を連結する共通電
極連結部をさらに含む請求項１９に記載の液晶表示装
置。 - 【請求項２１】前記共通電極連結部の上部に形成されて
いる補助連結部をさらに含む請求項２０に記載の液晶表
示装置。 - 【請求項２２】前記共通電極連結部の下部に形成されて
いる補助連結部をさらに含む請求項２０に記載の液晶表
示装置。 - 【請求項２３】前記共通電極連結部は前記共通電極上に
形成されている請求項２０に記載の液晶表示装置。 - 【請求項２４】前記データ線とこれに隣接した前記共通
電極または前記画素電極との間の領域を覆う光遮断膜を
さらに含む請求項２０に記載の液晶表示装置。 - 【請求項２５】前記共通電極と前記画素電極とは同一の
平面上に形成されている請求項１６に記載の液晶表示装
置。 - 【請求項２６】前記第２基板上に形成されている多数の
カラーフィルタと、前記カラーフィルタの上部または下
部に形成されていて前記カラーフィルタを露出する多数
の開口部を有しているブラックマトリックスをさらに含
み、前記開口部の面積は前記カラーフィルタの色相に応
じて異なる請求項１６に記載の液晶表示装置。 - 【請求項２７】前記カラーフィルタは赤、緑及び青の色
相を有し、前記青色を有するカラフィルタを露出する開
口部の面積は前記赤及び緑色のカラーフィルタを露出す
る開口部の面積より大きい請求項２６に記載の液晶表示
装置。
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Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002040484A (ja) * | 2000-07-26 | 2002-02-06 | Hitachi Ltd | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| WO2002040422A1 (en) * | 2000-11-17 | 2002-05-23 | Furuya Metal Co.,Ltd. | Material for forming transparent electroconductive film and method for production thereof |
| JP2002268074A (ja) * | 2001-03-07 | 2002-09-18 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2006227661A (ja) * | 2000-03-16 | 2006-08-31 | Seiko Epson Corp | 液晶装置及び電子機器 |
| US7196760B2 (en) | 2001-03-06 | 2007-03-27 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal device, projection type display and electronic equipment |
| WO2008018235A1 (en) * | 2006-08-08 | 2008-02-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Tft substrate, liquid crystal display panel and liquid crystal display device having the substrate, and method of manufacturing tft substrate |
| KR100824060B1 (ko) | 2007-03-07 | 2008-04-21 | (주)엔디스 | 4개의 단자 전극을 갖는 쌍안정 키랄 스플레이 네마틱 액정표시 장치 |
| JP2008197343A (ja) * | 2007-02-13 | 2008-08-28 | Epson Imaging Devices Corp | 液晶表示装置 |
| US7486365B2 (en) | 2005-03-25 | 2009-02-03 | Epson Imaging Devices Corporation | Liquid crystal device and electronic apparatus |
| US7504766B2 (en) | 2003-08-12 | 2009-03-17 | Seiko Epson Corporation | Color filter, method of manufacturing a color filter, display apparatus, electro-optical apparatus, and electronic appliance |
| US7567327B2 (en) | 2001-06-28 | 2009-07-28 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display device |
| JP2010020289A (ja) * | 2008-07-08 | 2010-01-28 | Samsung Electronics Co Ltd | アレイ基板及びこれを有する液晶表示装置 |
| JP2011100170A (ja) * | 2011-02-25 | 2011-05-19 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
| US8120746B2 (en) | 2005-09-20 | 2012-02-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display panel and display device having medium whose optical anisotropy magnitude changes according to electric field |
| JP2012190026A (ja) * | 1999-09-07 | 2012-10-04 | Japan Display East Co Ltd | 液晶表示装置 |
| WO2013061806A1 (ja) * | 2011-10-28 | 2013-05-02 | シャープ株式会社 | 液晶パネルおよび液晶表示装置 |
| US8547510B2 (en) | 2007-08-17 | 2013-10-01 | Nlt Technologies, Ltd. | Liquid crystal display panel and liquid crystal display device using the same |
Families Citing this family (47)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1173216C (zh) | 1997-11-03 | 2004-10-27 | 三星电子株式会社 | 具有改变的电极排列的液晶显示器 |
| US6750933B1 (en) * | 1998-08-06 | 2004-06-15 | Lg.Phillips Lcd Co., Ltd. | Liquid-crystal display and the method of its fabrication |
| KR20020052562A (ko) * | 2000-12-26 | 2002-07-04 | 구본준, 론 위라하디락사 | 횡전계방식 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| TWI281582B (en) * | 2001-01-20 | 2007-05-21 | Ind Tech Res Inst | Silicon wafer liquid crystal display and its fabrication method |
| KR100704510B1 (ko) * | 2001-02-12 | 2007-04-09 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 횡전계형 액정표시장치용 하부 기판 및 그의 제조방법 |
| JP3608562B2 (ja) * | 2003-03-07 | 2005-01-12 | ソニー株式会社 | 反射型液晶表示素子および液晶表示装置 |
| JP4142019B2 (ja) * | 2004-01-20 | 2008-08-27 | シャープ株式会社 | 表示素子および表示装置 |
| JP4429779B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2010-03-10 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 表示装置 |
| KR20060001662A (ko) * | 2004-06-30 | 2006-01-06 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 수평전계방식 액정표시소자 및 그 제조방법 |
| TWI236559B (en) * | 2004-07-19 | 2005-07-21 | Quanta Display Inc | Liquid crystal display |
| TWI257517B (en) * | 2004-11-26 | 2006-07-01 | Innolux Display Corp | In-plane switching liquid crystal display device |
| KR101146444B1 (ko) * | 2005-06-24 | 2012-05-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치 제조방법 |
| JP2007219346A (ja) * | 2006-02-20 | 2007-08-30 | Seiko Epson Corp | 液晶装置、及び電子機器 |
| JP4432914B2 (ja) * | 2006-02-20 | 2010-03-17 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置、電子機器 |
| JP4380642B2 (ja) * | 2006-02-20 | 2009-12-09 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶装置、及び電子機器 |
| JP2007219347A (ja) * | 2006-02-20 | 2007-08-30 | Seiko Epson Corp | 液晶装置、及び電子機器 |
| JP4572854B2 (ja) * | 2006-03-29 | 2010-11-04 | ソニー株式会社 | 液晶装置及び電子機器 |
| JP4449953B2 (ja) | 2006-07-27 | 2010-04-14 | エプソンイメージングデバイス株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP2008164787A (ja) | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Epson Imaging Devices Corp | 液晶表示装置 |
| EP2140304B1 (en) * | 2007-04-17 | 2011-08-31 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Beam-shaping device |
| KR101264722B1 (ko) * | 2007-09-20 | 2013-05-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치의 제조방법 |
| US20110181575A1 (en) * | 2008-02-26 | 2011-07-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Matrix-Addressable Display Device |
| JP5246782B2 (ja) | 2008-03-06 | 2013-07-24 | 株式会社ジャパンディスプレイウェスト | 液晶装置および電子機器 |
| KR20110089915A (ko) | 2010-02-02 | 2011-08-10 | 삼성전자주식회사 | 표시 기판, 이의 제조 방법 및 표시 패널 |
| KR101127588B1 (ko) * | 2010-03-09 | 2012-03-22 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 액정 표시 장치 및 액정 표시 장치의 제조 방법 |
| KR101701229B1 (ko) * | 2010-04-19 | 2017-02-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 기판 및 이의 제조 방법 |
| CN102262322B (zh) * | 2010-05-24 | 2015-08-26 | 上海天马微电子有限公司 | 液晶显示装置与液晶显示装置基板 |
| CN102566155B (zh) * | 2010-12-28 | 2014-07-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | Tft-lcd的阵列基板及其制造方法 |
| KR101394938B1 (ko) * | 2011-05-03 | 2014-05-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| CN102629055B (zh) * | 2011-10-24 | 2015-06-03 | 北京京东方光电科技有限公司 | 显示器件的阵列基板、彩膜基板及其制备方法 |
| CN102563028A (zh) * | 2012-01-16 | 2012-07-11 | 重庆长安汽车股份有限公司 | 一种dct变速器在堵车工况下的换挡控制方法 |
| CN104204927B (zh) | 2012-04-04 | 2016-10-12 | 夏普株式会社 | 液晶显示装置 |
| KR102040812B1 (ko) | 2013-02-12 | 2019-11-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
| CN104181733A (zh) * | 2013-05-20 | 2014-12-03 | 群创光电股份有限公司 | 显示装置及其晶体管阵列基板 |
| KR102060802B1 (ko) | 2013-06-11 | 2019-12-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
| CN103941461B (zh) | 2013-08-26 | 2016-12-28 | 上海中航光电子有限公司 | 一种平板显示器 |
| CN104076552B (zh) * | 2014-06-25 | 2016-08-24 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 彩膜基板及曲面显示装置 |
| CN104503178A (zh) * | 2014-12-31 | 2015-04-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、其制备方法及显示装置 |
| US20160216575A1 (en) * | 2015-01-28 | 2016-07-28 | Innolux Corporation | Liquid crystal display panel having three conductive layers |
| JP6664896B2 (ja) | 2015-07-22 | 2020-03-13 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置 |
| CN105223743B (zh) * | 2015-08-25 | 2018-06-01 | 昆山龙腾光电有限公司 | 视角可切换的液晶显示装置 |
| KR102148491B1 (ko) | 2015-12-14 | 2020-08-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터 기판 |
| CN105487316A (zh) * | 2016-01-19 | 2016-04-13 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶显示面板及液晶显示装置 |
| US11442149B2 (en) * | 2016-10-06 | 2022-09-13 | GM Global Technology Operations LLC | LiDAR system |
| US11675078B2 (en) | 2016-10-06 | 2023-06-13 | GM Global Technology Operations LLC | LiDAR system |
| CN117178226B (zh) * | 2021-04-28 | 2026-03-17 | 株式会社日本显示器 | 光学装置 |
| KR102852912B1 (ko) * | 2021-08-23 | 2025-09-02 | 가부시키가이샤 재팬 디스프레이 | 액정 광 제어 소자 및 조명 장치 |
Family Cites Families (37)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US598285A (en) * | 1898-02-01 | Telephone apparatus | ||
| DE2443733A1 (de) * | 1974-09-12 | 1976-03-25 | Siemens Ag | Anordnung zur modulation von licht |
| US3981559A (en) * | 1974-11-25 | 1976-09-21 | Rca Corporation | Liquid crystal display |
| JPS56156817A (en) * | 1980-05-09 | 1981-12-03 | Hitachi Ltd | Liquid-crystal display element |
| US4455576A (en) * | 1981-04-07 | 1984-06-19 | Seiko Instruments & Electronics Ltd. | Picture display device |
| US5365079A (en) * | 1982-04-30 | 1994-11-15 | Seiko Epson Corporation | Thin film transistor and display device including same |
| US4542960A (en) * | 1982-06-30 | 1985-09-24 | International Business Machines Corporation | Fringe-field switched storage-effect liquid crystal display devices |
| US4617646A (en) * | 1984-06-29 | 1986-10-14 | International Business Machines Corporation | Electric field gradient excited liquid crystal cell having bistability |
| FR2568393B1 (fr) * | 1984-07-26 | 1986-11-14 | Commissariat Energie Atomique | Cellule a cristal liquide nematique faiblement dope par un solute chiral, et du type a birefringence controlee electriquement |
| JPS62194231A (ja) * | 1986-02-20 | 1987-08-26 | Seiko Epson Corp | 液晶駆動装置 |
| JPS6459318A (en) * | 1987-08-18 | 1989-03-07 | Ibm | Color liquid crystal display device and manufacture thereof |
| JPH03144610A (ja) * | 1989-10-31 | 1991-06-20 | Matsushita Electron Corp | 液晶画像表示装置 |
| JPH04191820A (ja) * | 1990-11-27 | 1992-07-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 液晶素子 |
| EP1061404A1 (en) | 1992-09-18 | 2000-12-20 | Hitachi, Ltd. | A liquid crystal display device |
| KR960006205B1 (ko) * | 1992-12-30 | 1996-05-09 | 엘지전자주식회사 | 티에프티-엘씨디(tft-lcd)의 구조 |
| JP3238230B2 (ja) | 1993-02-26 | 2001-12-10 | 株式会社東芝 | 液晶表示装置 |
| JPH0792504A (ja) * | 1993-09-20 | 1995-04-07 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
| KR100367869B1 (ko) | 1993-09-20 | 2003-06-09 | 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 | 액정표시장치 |
| US5576861A (en) | 1993-12-15 | 1996-11-19 | Ois Optical Imaging Systems, Inc. | Liquid crystal display having a retarder with 100-200nm retardation and having high contrast viewing zone centered in positive or negative vertical region |
| JPH0943590A (ja) * | 1995-07-27 | 1997-02-14 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| TW460728B (en) * | 1995-08-03 | 2001-10-21 | Hitachi Ltd | Color LCD |
| JPH0980473A (ja) | 1995-09-08 | 1997-03-28 | Hitachi Ltd | 液晶表示素子 |
| JPH09113937A (ja) * | 1995-10-23 | 1997-05-02 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| JP3963974B2 (ja) * | 1995-12-20 | 2007-08-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶電気光学装置 |
| JP3708620B2 (ja) * | 1996-03-01 | 2005-10-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | アクティブマトリクス型液晶電気光学装置 |
| JP3484702B2 (ja) * | 1996-03-14 | 2004-01-06 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶装置及びそれを用いた電子機器 |
| KR100209531B1 (ko) * | 1996-06-22 | 1999-07-15 | 구자홍 | 액정표시장치 |
| JP3126661B2 (ja) * | 1996-06-25 | 2001-01-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| KR100250795B1 (ko) * | 1996-11-29 | 2000-04-01 | 김영환 | 액정 표시 소자 및 그 제조방법 |
| JPH10206857A (ja) * | 1997-01-21 | 1998-08-07 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| KR100226785B1 (ko) * | 1997-02-22 | 1999-10-15 | 김영환 | 액정표시장치 |
| KR100244710B1 (ko) * | 1997-04-18 | 2000-02-15 | 김영환 | 액정 표시 장치 |
| JP3966614B2 (ja) | 1997-05-29 | 2007-08-29 | 三星電子株式会社 | 広視野角液晶表示装置 |
| KR100248210B1 (ko) * | 1997-06-30 | 2000-03-15 | 김영환 | 액정 표시 소자 |
| CN1173216C (zh) * | 1997-11-03 | 2004-10-27 | 三星电子株式会社 | 具有改变的电极排列的液晶显示器 |
| TW387997B (en) * | 1997-12-29 | 2000-04-21 | Hyundai Electronics Ind | Liquid crystal display and fabrication method |
| KR100293811B1 (ko) * | 1998-05-29 | 2001-10-26 | 박종섭 | 아이피에스모드의액정표시장치 |
-
1998
- 1998-11-03 CN CNB981261914A patent/CN1173216C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1998-11-03 US US09/184,953 patent/US6577368B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-11-03 CN CNB2004100445463A patent/CN100409088C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1998-11-04 JP JP37862998A patent/JP4317282B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-03-18 US US10/389,888 patent/US7280176B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-02-01 US US11/669,991 patent/US7733454B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-02-06 JP JP2009025962A patent/JP4768036B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2009-11-23 US US12/623,505 patent/US7990507B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-02-21 JP JP2011034456A patent/JP5543394B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-02-21 JP JP2011034443A patent/JP5543393B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-07-26 US US13/191,069 patent/US8233125B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014160279A (ja) * | 1999-09-07 | 2014-09-04 | Japan Display Inc | 液晶表示装置 |
| JP2012190026A (ja) * | 1999-09-07 | 2012-10-04 | Japan Display East Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2006227661A (ja) * | 2000-03-16 | 2006-08-31 | Seiko Epson Corp | 液晶装置及び電子機器 |
| JP2002040484A (ja) * | 2000-07-26 | 2002-02-06 | Hitachi Ltd | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| WO2002040422A1 (en) * | 2000-11-17 | 2002-05-23 | Furuya Metal Co.,Ltd. | Material for forming transparent electroconductive film and method for production thereof |
| US7196760B2 (en) | 2001-03-06 | 2007-03-27 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal device, projection type display and electronic equipment |
| US7251008B2 (en) | 2001-03-06 | 2007-07-31 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal device, projection type display and electronic equipment |
| US7609352B2 (en) | 2001-03-06 | 2009-10-27 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal device, projection type display and electronic equipment |
| JP2002268074A (ja) * | 2001-03-07 | 2002-09-18 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| US7567327B2 (en) | 2001-06-28 | 2009-07-28 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display device |
| US7504766B2 (en) | 2003-08-12 | 2009-03-17 | Seiko Epson Corporation | Color filter, method of manufacturing a color filter, display apparatus, electro-optical apparatus, and electronic appliance |
| US7486365B2 (en) | 2005-03-25 | 2009-02-03 | Epson Imaging Devices Corporation | Liquid crystal device and electronic apparatus |
| US8120746B2 (en) | 2005-09-20 | 2012-02-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display panel and display device having medium whose optical anisotropy magnitude changes according to electric field |
| JP4812839B2 (ja) * | 2006-08-08 | 2011-11-09 | シャープ株式会社 | Ｔｆｔ基板およびそれを備える液晶表示パネルならびに液晶表示装置、ｔｆｔ基板の製造方法 |
| WO2008018235A1 (en) * | 2006-08-08 | 2008-02-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Tft substrate, liquid crystal display panel and liquid crystal display device having the substrate, and method of manufacturing tft substrate |
| JP2008197343A (ja) * | 2007-02-13 | 2008-08-28 | Epson Imaging Devices Corp | 液晶表示装置 |
| KR100824060B1 (ko) | 2007-03-07 | 2008-04-21 | (주)엔디스 | 4개의 단자 전극을 갖는 쌍안정 키랄 스플레이 네마틱 액정표시 장치 |
| US8547510B2 (en) | 2007-08-17 | 2013-10-01 | Nlt Technologies, Ltd. | Liquid crystal display panel and liquid crystal display device using the same |
| JP2010020289A (ja) * | 2008-07-08 | 2010-01-28 | Samsung Electronics Co Ltd | アレイ基板及びこれを有する液晶表示装置 |
| US8643815B2 (en) | 2008-07-08 | 2014-02-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Array substrate and liquid crystal display apparatus having the same |
| US9281320B2 (en) | 2008-07-08 | 2016-03-08 | Samsung Display Co., Ltd. | Array substrate and liquid crystal display apparatus having the same |
| JP2011100170A (ja) * | 2011-02-25 | 2011-05-19 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
| WO2013061806A1 (ja) * | 2011-10-28 | 2013-05-02 | シャープ株式会社 | 液晶パネルおよび液晶表示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1173216C (zh) | 2004-10-27 |
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