JPH1131654A - 基板の端縁処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 厚みの異なる基板を処理する場合であって
も、その基板の端縁を適切に処理することができる基板
の端縁処理装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 基板の端縁処理装置は、その表面にレジ
ストが塗布されたガラス基板５をその下面より支持する
真空チャック５１と、その内部に処理液供給ノズル１４
を有する４個のレジスト除去ヘッド６１と、各レジスト
除去ヘッド６１をガラス基板５の各辺に沿って往復移動
させるためのレジスト除去ヘッド移動機構８１とを備え
る。真空チャック５１は昇降機構１２と連結されてお
り、入力装置３６により入力されたガラス基板５の厚み
に応じて、ガラス基板５を保持した状態で微少距離だけ
昇降する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は半導体ウエハや液
晶表示パネル用ガラス基板等のＦＰＤ（ＦｌａｔＰａｎ
ｅｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）用基板あるいは半導体製造装置
用マスク基板等の基板の端縁に処理液を供給することに
より基板の端縁を処理する基板の端縁処理装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】例えば液晶表示パネル用ガラス基板の製
造工程においては、スピンコータやロールコータ等の塗
布装置によりその表面にフォトレジストを供給して薄膜
を形成した基板を端縁処理装置に搬送し、この端縁処理
装置においてその端縁処理を行っている。このような端
縁処理としては、基板の端縁にリンス液を供給して基板
端縁に形成された不要な薄膜を除去する端縁洗浄処理
や、基板の端縁に現像液を供給してその端縁付近の現像
を促進する現像促進処理等の処理がある（例えば、特開
平７−１４２３８０号公報）。

【０００３】このような端縁処理を行う基板の端縁処理
装置は、基板をその下面から支持する支持手段と、前記
支持手段に支持された基板の端縁に処理液を供給する複
数の処理液供給ノズルと、基板の端縁に供給された処理
液を吸引除去するための排気部とを備える。そして、基
板の端縁処理を行う場合においては、処理液供給ノズル
を支持手段によって支持された基板の端縁に近接させ、
処理液供給ノズルから処理液を吐出することにより基板
端縁を処理するとともに、排気部から排気を行うことに
より処理に供された処理液を吸引除去するようにしてい
る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】このような基板の端縁
処理装置において処理すべき基板の厚みには、いくつか
の種類がある。例えば液晶表示パネル用の角形ガラス基
板においては、その厚みが０．７ｍｍのものと１．１ｍ
ｍのものとが常用されている。このような厚みの異なる
基板を同一の端縁処理装置で処理することは困難であ
る。

【０００５】すなわち、その厚みが１．１ｍｍの基板用
に設計された端縁処理装置で０．７ｍｍの厚さの基板を
処理した場合においては、基板の表面と処理液供給ノズ
ルとの距離が大きくなることから、処理液供給ノズルか
ら吐出された後基板表面に到達する前の、排気部による
吸引作用によって生じる処理液の軌跡の変化により、処
理液が基板の表面に十分に供給されなかったり、処理液
の基板表面に対する到達位置が不安定となって洗浄領域
と非洗浄領域の境界線の形状が悪化したりする現象が発
生する。

【０００６】一方、その厚みが０．７ｍｍの基板用に設
計された端縁処理装置で１．１ｍｍの厚さの基板を処理
した場合においては、基板の表面が処理液供給ノズルに
当接したり、基板の表面と処理液供給ノズルが過度に近
接することにより適切な洗浄が不可能となったりする現
象が発生する。

【０００７】この発明は上記課題を解決するためになさ
れたものであり、その厚みの異なる基板を処理する場合
であっても、上述した基板端縁の処理不良の発生を防止
し、基板の端縁を適切に処理することができる基板の端
縁処理装置を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、基板をその下面から支持する支持手段と、支持手段
に支持された基板の端縁に処理液を供給する処理液供給
ノズルとを有する基板の端縁処理装置において、被処理
基板の厚みに応じて、支持手段または処理液供給ノズル
を上下方向に移動させる移動手段を備えたことを特徴と
する。

【０００９】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の発明において、被処理基板の厚みを入力するための入
力手段をさらに有し、移動手段は、入力手段による入力
値に基づいて支持手段または処理液供給ノズルを上下方
向に移動させている。

【００１０】請求項３に記載の発明は、請求項１に記載
の発明において、被処理基板の厚みを測定するための測
定手段をさらに有し、移動手段は、測定手段による測定
値に基づいて支持手段または処理液供給ノズルを上下方
向に移動させている。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面に基づいて説明する。図１はこの発明の第１実施形態
に係る基板の端縁処理装置の側面図であり、図２はその
平面図である。なお、図２においては、一部のカバー等
を省略して図示している。

【００１２】この基板の端縁処理装置は、液晶表示パネ
ルを製造する際に、その素材である角形板状のガラス基
板５における端縁付近に塗布されたレジストを除去する
ためのものであり、回転塗布によりその表面にレジスト
が塗布されたガラス基板５をその下面より支持する真空
チャック５１と、矩形状のガラス基板５における各辺に
対応して配設された４個のレジスト除去ヘッド６１と、
各レジスト除去ヘッド６１をガラス基板５の各辺に沿っ
て往復移動させるためのレジスト除去ヘッド移動機構８
１とを備える。

【００１３】前記真空チャック５１は、その内部にエア
シリンダ等の駆動源を内蔵する昇降機構１２と連結され
ている。このため、この真空チャック５１は、ガラス基
板５を保持した状態で微少距離だけ昇降可能となってい
る。

【００１４】前記レジスト除去ヘッド６１は、前記真空
チャック５１に支持されたガラス基板５の端縁に処理液
を供給してレジストを除去するためのものである。図３
はこのレジスト除去ヘッド６１を真空チャック５１の一
部とともに示す断面図であり、図４はレジスト除去ヘッ
ド６１のカバー１３を破断して示す正面図である。

【００１５】これらの図に示すように、このレジスト除
去ヘッド６１は、ガラス基板５の端縁表面に溶剤等の処
理液を供給するための８本の処理液供給ノズル１４と、
ガラス基板５の端縁表面に窒素ガスや空気等の気体を供
給するための８本の気体供給ノズル１５と、ガラス基板
５の端縁裏面に溶剤等の処理液を供給するための８本の
裏面用処理液供給ノズル１６と、ガラス基板５の端縁裏
面に窒素ガスや空気等の気体を供給するための２本の裏
面用気体供給ノズル１７と、ガラス基板の端縁に供給さ
れた処理液を吸引除去するための排気部１８とを有す
る。

【００１６】８本の処理液供給ノズル１４は、各々処理
液供給管２４と接続されている。また、この処理液供給
管２４は、図示しない加圧タンクを介して処理液の供給
源と接続されている。一方、８本の気体供給ノズル１５
は、各々気体供給管２５と接続されている。また、この
気体供給管２５は、図示しない電磁弁等を介して気体の
供給源と接続されている。

【００１７】同様に、８本の裏面用処理液供給ノズル１
６は、各々処理液供給管２６と接続されている。また、
この処理液供給管２６は、図示しない加圧タンクを介し
て処理液の供給源と接続されている。一方、２本の気体
供給ノズル１７は、各々気体供給管２７と接続されてい
る。また、この気体供給管２７は、図示しない電磁弁等
を介して気体の供給源と接続されている。

【００１８】また、排気部１８は、図１および図２に示
す排気管６４と接続されている。この排気管６４は、図
示しない電磁弁等により作動するダンパーを介して真空
ポンプや排気ファン等の排気手段と接続されている。

【００１９】このレジスト除去ヘッド６１によりガラス
基板５の端縁付近に塗布れたレジストを除去する際に
は、処理液供給ノズル１４および裏面用処理液供給ノズ
ル１６からガラス基板５の端縁両面に処理液を供給する
とともに、気体供給ノズル１５および裏面用気体供給ノ
ズル１７からガラス基板５の端縁両面に向けて気体を噴
出することにより、処理液により溶解されたレジストを
含む処理液をガラス基板５の端縁から外方に吹き飛ば
す。そして、ガラス基板５の端縁から外方に吹き飛ばさ
れた処理液を排気部１８により吸引除去するように構成
されている。

【００２０】再度図１および図２を参照して、前記レジ
スト除去ヘッド移動機構８１は、支持具８２を介して各
レジスト除去ヘッド６１を支持するとともに、固定フレ
ーム８４に付設された上下一対のガイド部材８５に案内
され、矩形状をなすガラス基板５の端縁に沿って移動可
能な４個の支持アーム８３を有する。そして、各支持ア
ーム８３は、駆動モータ８６に連動連結された駆動プー
リ８７と複数の従動プーリ８８とに亘って巻回されたワ
イヤー８９に連結されている。このため、駆動モータ８
６を正逆転させることにより、各レジスト除去ヘッド６
１は、ガラス基板５の端縁に沿って往復移動する。

【００２１】図５は上述した基板の端縁処理装置の主要
な電気的構成を示すブロック図である。

【００２２】この基板の端縁処理装置は、装置の制御に
必要な動作プログラムが格納されたＲＯＭ３１と、制御
時にデータ等が一時的にストアされるＲＡＭ３２と、論
理演算を実行するＣＰＵ３３とから成る制御部３４を有
する。この制御部３４は、インターフェース３５を介し
て、真空チャック５１を昇降駆動する昇降機構１２と、
キーボード等の入力装置３６とに接続されている。

【００２３】次に、上述した基板の端縁処理装置におけ
るガラス基板５のレジスト除去動作について説明する。

【００２４】処理を開始するに先立って、図５に示す入
力装置３６から、レジスト除去を行うべきガラス基板５
の厚みを入力する。この入力値は、インターフェース３
５を介して制御部３４のＲＡＭ３２に記憶される。そし
て、制御部３４は、この入力値に基づいて昇降機構１２
を制御し、真空チャック５１を昇降することにより、処
理液供給ノズル１４の下端部と真空チャック５１に支持
されたガラス基板５の表面との間隔がレジスト除去に適
した値となるように調整する。

【００２５】図６は、このような状態におけるガラス基
板５の端縁付近と処理液供給ノズル１４および裏面用処
理液供給ノズル１６との位置関係を拡大して示す模式図
である。

【００２６】この図に示すように、その厚みがＴ１のガ
ラス基板５に対してレジスト除去を行う場合において
は、処理液供給ノズル１４の下端部と真空チャック５１
に支持されたガラス基板５の表面との間隔がＬ１、ま
た、裏面用処理液供給ノズル１６の下端部と真空チャッ
ク５１に支持されたガラス基板５の裏面との間隔がＬ２
となるように、各ノズル１４、１６や真空チャック５１
等の高さ位置が設定されている。なお、これらの距離Ｌ
１、Ｌ２は、通常、数百ミクロン程度である。

【００２７】この状態において、レジスト除去ヘッド６
１における処理液供給ノズル１４および裏面用処理液供
給ノズル１６からガラス基板５の端縁両面に処理液を供
給するとともに、気体供給ノズル１５および裏面用気体
供給ノズル１７からガラス基板５の端縁両面に向けて気
体を噴出する。

【００２８】そして、レジスト除去ヘッド移動機構８１
により、各レジスト除去ヘッド６１をガラス基板５の端
縁に沿って移動させる。これにより、ガラス基板５の端
縁両面に処理液が供給され、ガラス基板５の端縁付近に
塗布されたレジストが溶解除去される。レジストの除去
に供された処理液と溶解除去されたレジストは、気体供
給ノズル１５および裏面用気体供給ノズル１７からガラ
ス基板５の端縁両面に向けて噴出される気体により、ガ
ラス基板５の端縁から外方に吹き飛ばされた後、排気部
１８により吸引除去される。この状態において、各吸引
ヘッド６１がガラス基板５の端縁全域に沿って移動する
ことにより、ガラス基板５の端縁全域に亘ってレジスト
を吸引除去することができる。

【００２９】このような基板の端縁処理装置において、
端縁処理としてのレジスト除去を行うべき基板の厚みが
Ｔ１からＴ２に変更された場合においては、図５に示す
入力装置３６から、再度レジスト除去を行うべきガラス
基板５の厚みを入力する。この入力値は、インターフェ
ース３５を介して制御部３４のＲＡＭ３２に再度記憶さ
れる。そして、制御部３４は、この入力値に基づいて昇
降機構１２を制御し、真空チャック５１を昇降すること
により、処理液供給ノズル１４の下端部と真空チャック
５１に支持されたガラス基板５の表面との間隔がレジス
ト除去に適した値となるように調整する。

【００３０】図７は、このような状態におけるガラス基
板５の端縁付近と処理液供給ノズル１４および裏面用処
理液供給ノズル１６との位置関係を拡大して示す模式図
である。

【００３１】この図に示すように、その厚みがＴ２のガ
ラス基板５のレジスト除去を行う場合においても、真空
チャック５１が基板の厚みの差に相当する距離［Ｔ１−
Ｔ２］だけ上昇することにより、処理液供給ノズル１４
の下端部と真空チャック５１に支持されたガラス基板５
の表面との間隔はＬ１となっている。このため、ガラス
基板５の厚みがＴ１からＴ２に変化した場合であって
も、処理液供給ノズル１４の下端部と真空チャック５１
に支持されたガラス基板５の表面との間隔をレジスト除
去に適した値Ｌ１に維持することが可能となり、端縁処
理としてのレジスト除去を精度よく実行することが可能
となる。

【００３２】一方、上記のように処理液供給ノズル１４
の下端部と真空チャック５１に支持されたガラス基板５
の表面との間隔を一定にするために真空チャック５１を
上昇させた場合においては、裏面用処理液供給ノズル１
６の上端部と真空チャック５１に支持されたガラス基板
５の裏面との間隔がＬ２からＬ３に変化する。このＬ３
の値は、［Ｌ２＋（Ｔ１−Ｔ２）］であり、Ｌ２より
［Ｔ１−Ｔ２］だけ大きい。しかしながら、ガラス基板
５の裏面においては、レジストはガラス基板５の端縁に
線状に付着しているに過ぎないことから、裏面用処理液
供給ノズル１６の下端部とガラス基板５の裏面との間隔
がこのように変化した場合においても、ガラス基板５の
裏面におけるレジスト除去に実質的な影響はない。

【００３３】なお、上記のように、図５に示す入力装置
３６からガラス基板５の厚みを入力する場合において
は、予め設定した複数のガラス基板５の厚みのうちから
処理すべきガラス基板５の厚みを選択するようにしても
よく、また、実際のガラス基板５の厚みを数値として入
力してもよい。同様に、昇降機構１２は、真空チャック
５１を予め設定した複数の位置のうちのいずれかの位置
まで昇降させてもよく、また、入力装置３６により入力
された数値から計算された位置まで昇降させてもよい。

【００３４】次に、この発明の他の実施の形態を図面に
基づいて説明する。図８はこの発明の第２実施形態に係
る基板の端縁処理装置の側面図であり、図９はそのレジ
スト除去ヘッド６１を真空チャック５１の一部とともに
示す断面図である。なお、上述した第１実施形態と同一
の部材については、同一の符号を付して詳細な説明を省
略する。

【００３５】上述した第１実施形態に係る基板の端縁処
理装置においては、ガラス基板５の厚みに合わせて、ガ
ラス基板５を支持する真空チャック５１を昇降させてい
るが、この第２実施形態に係る基板の端縁処理装置にお
いては、ガラス基板５の厚みに合わせて処理液供給ノズ
ル１４を昇降させるようにしている。より具体的には、
この第２実施形態に係る基板の端縁処理装置においては
第１実施形態に係る基板の端縁処理装置における昇降機
構１２を省略するとともに、処理液供給ノズル１４等を
各レジスト除去ヘッド６１にそれぞれ内蔵されたエアシ
リンダ４１からなる昇降機構４２により昇降させてい
る。

【００３６】すなわち、図９に示すように、図示しない
加圧タンクを介して処理液の供給源と接続された８本の
処理液供給ノズル１４と図示しない電磁弁等を介して気
体の供給源と接続された８本の気体供給ノズル１５とを
支持する支持部材４３は、エアシリンダ４１を介してレ
ジスト除去ヘッド６１本体に固定されている。このた
め、各処理液供給ノズル１４と各気体供給ノズル１５と
は、エアシリンダ４１の駆動により支持部材４３ととも
に昇降する。

【００３７】このように構成された基板の端縁処理装置
によりガラス基板５の端縁付近のレジストを除去する場
合においては、第１実施形態に係る基板の端縁処理装置
の場合と同様、処理を開始するに先立って、図５に示す
入力装置３６から、レジスト除去を行うべきガラス基板
５の厚みを入力する。この入力値は、インターフェース
３５を介して制御部３４のＲＡＭ３２に記憶される。そ
して、制御部３４は、この入力値に基づいて昇降機構４
２を制御し、エアシリンダ４１の駆動で各処理液供給ノ
ズル１４と各気体供給ノズル１５を支持部材４３ととも
に昇降させることにより、処理液供給ノズル１４の下端
部と真空チャック５１に支持されたガラス基板５の表面
との間隔がレジスト除去に適した値となるように調整す
る。

【００３８】図１０は、このような状態におけるガラス
基板５の端縁付近と処理液供給ノズル１４および裏面用
処理液供給ノズル１６との位置関係を拡大して示す模式
図である。

【００３９】この図に示すように、その厚みがＴ１のガ
ラス基板５に対してレジスト除去を行う場合において
は、第１実施形態に係る基板の端縁処理装置の場合と同
様、処理液供給ノズル１４の下端部と真空チャック５１
に支持されたガラス基板５の表面との間隔がＬ１、ま
た、裏面用処理液供給ノズル１６の下端部と真空チャッ
ク５１に支持されたガラス基板５の裏面との間隔がＬ２
となるように、各ノズル１４、１６や真空チャック５１
等の高さ位置が設定されている。

【００４０】この状態において、レジスト除去ヘッド６
１における処理液供給ノズル１４および裏面用処理液供
給ノズル１６からガラス基板５の端縁両面に処理液を供
給するとともに、気体供給ノズル１５および裏面用気体
供給ノズル１７からガラス基板５の端縁両面に向けて気
体を噴出する。そして、レジスト除去ヘッド移動機構８
１により、各レジスト除去ヘッド６１をガラス基板５の
端縁全域に沿って移動させることにより、ガラス基板５
の端縁全域に亘ってレジストを吸引除去する。

【００４１】また、このような基板の端縁処理装置にお
いて、端縁処理としてのレジスト除去を行うべき基板の
厚みがＴ１からＴ２に変更された場合においては、図５
に示す入力装置３６から、再度レジスト除去を行うべき
ガラス基板５の厚みを入力する。この入力値は、インタ
ーフェース３５を介して制御部３４のＲＡＭ３２に再度
記憶される。そして、制御部３４は、この入力値に基づ
いて昇降機構４２を制御し、エアシリンダ４１の駆動で
処理液供給ノズル１４等を昇降することにより、処理液
供給ノズル１４の下端部と真空チャック５１に支持され
たガラス基板５の表面との間隔がレジスト除去に適した
値となるように調整する。

【００４２】図１１は、このような状態におけるガラス
基板５の端縁付近と処理液供給ノズル１４および裏面用
処理液供給ノズル１６との位置関係を拡大して示す模式
図である。

【００４３】この図に示すように、その厚みがＴ２のガ
ラス基板５のレジスト除去を行う場合においても、処理
液供給ノズル１４が基板の厚みの差に相当する距離［Ｔ
１−Ｔ２］だけ下降することにより、処理液供給ノズル
１４の下端部と真空チャック５１に支持されたガラス基
板５の表面との間隔はＬ１となっている。このため、ガ
ラス基板５の厚みがＴ１からＴ２に変化した場合であっ
ても、処理液供給ノズル１４の下端部と真空チャック５
１に支持されたガラス基板５の表面との間隔をレジスト
除去に適した値Ｌ１に維持することが可能となり、端縁
処理としてのレジスト除去を精度よく実行することが可
能となる。

【００４４】一方、上記のように処理液供給ノズル１４
の下端部と真空チャック５１に支持されたガラス基板５
の表面との間隔を一定にするために処理液供給ノズル１
４を下降させた場合においては、上述した第１実施例の
場合とは異なり、裏面用処理液供給ノズル１６の上端部
と真空チャック５１に支持されたガラス基板５の裏面と
の間隔はＬ２のまま維持される。このため、ガラス基板
５の裏面におけるレジスト除去作業への影響はない。

【００４５】上述した実施の形態においては、いずれ
も、ガラス基板５の厚みを入力装置３６から入力するこ
とにより、真空チャック５１または処理液供給ノズル１
４を上下方向に移動させる場合について説明したが、ガ
ラス基板５の厚みを測定装置により測定し、この測定結
果に基づいて真空チャック５１または処理液供給ノズル
１４を自動的に上下方向に移動させるようにしてもよ
い。

【００４６】図１２は、このような実施形態に係る基板
の端縁処理装置に使用される測定装置としてのＣＣＤカ
メラ４３を真空チャック５１の一部とともに示す側面概
要図である。

【００４７】この図に示すように、ガラス基板５の厚み
を測定するための測定装置としてのＣＣＤカメラ４３
は、真空チャック５１に支持されたガラス基板５の端縁
を撮像し得るように配置されている。そして、このＣＣ
Ｄカメラ４３は、画像処理装置を介して図５に示すイン
ターフェース３５に接続されている。

【００４８】この実施の形態に係る基板の端縁処理装置
によりガラス基板５のレジスト除去を行う際には、真空
チャック５１により支持されたガラス基板５の端縁を撮
像して得た画像を画像処理することにより、ガラス基板
５の厚みを測定する。この測定値は、図５に示すインタ
ーフェース３５を介して制御部３４のＲＡＭ３２に再度
記憶される。そして、制御部３４は、この入力値に基づ
いて昇降機構１２または４２を制御し、真空チャック５
１または処理液供給ノズル１４を昇降することにより、
処理液供給ノズル１４の下端部と真空チャック５１に支
持されたガラス基板５の表面との間隔がレジスト除去に
適した値となるように調整する。そして、上述した第
１、第２実施形態の場合と同様の動作により、レジスト
除去を行う。

【００４９】なお、ＣＣＤカメラ４３を、上述した４個
のレジスト除去ヘッド６１のうち、最初に真空チャック
５１に支持されたガラス基板５と対向するガラス基板５
の長辺側に配置された２個のレジスト除去ヘッド６１の
いずれか一方に内蔵し、レジスト除去ヘッド６１が走行
を開始したときに、このＣＣＤカメラ４３によりガラス
基板５の厚みを測定して、処理液供給ノズル１４の下端
部とガラス基板５の表面との間隔を調整するようにして
もよい。

【００５０】さらに、ガラス基板５の厚みを測定するた
めの測定手段として、上記ＣＣＤカメラ４３に換えて、
図１３に示すような接触子４５を有する接触式変位セン
サ４４を使用することも可能である。この接触式変位セ
ンサ４４を使用する場合においては、真空チャック５１
に支持されたガラス基板５と接触子４５とを接触させる
ことにより、ガラス基板５の厚みを測定する。

【００５１】なお、図１３に示すように、ガラス基板５
の表面から接触子４５をガラス基板５と当接させるかわ
りに、一対の接触子４５によりガラス基板５を挟持する
ことにより、このガラス基板５の厚みを測定するように
してもよい。

【００５２】上述した実施の形態においては、いずれ
も、基板として液晶表示パネル用のガラス基板５を使用
した場合について説明したが、他のＦＰＤ用基板や半導
体ウエハあるいは半導体製造装置用マスク基板等の各種
の基板の端縁処理を行う装置にこの発明を適用すること
も可能である。

【００５３】また、上述した実施の形態においては、い
ずれも、ガラス基板５の端縁付近に塗布されたレジスト
を除去するレジスト除去にこの発明を適用した場合につ
いて説明したが、基板の端縁に現像液を供給してその端
縁付近の現像を促進する現像促進処理等のその他の端縁
処理にこの発明を適用することも可能である。

【００５４】

【発明の効果】請求項１に記載の発明によれば、被処理
基板の厚みに応じて支持手段または処理液供給ノズルを
上下方向に移動させる移動手段を備えたことから、厚み
の異なる基板を処理する場合であっても、その基板の端
縁を適切に処理することが可能となる。

【００５５】請求項２に記載の発明によれば、入力手段
による入力値に基づいて、移動手段により、支持手段ま
たは処理液供給ノズルを上下方向に移動させることがで
きる。

【００５６】請求項３に記載の発明によれば、測定手段
による測定値に基づいて、移動手段により、支持手段ま
たは処理液供給ノズルを上下方向に移動させることがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１実施形態に係る基板の端縁処理
装置の側面図である。

【図２】この発明の第１実施形態に係る基板の端縁処理
装置の平面図である。

【図３】レジスト除去ヘッド６１を真空チャック５１の
一部とともに示す断面図である。

【図４】レジスト除去ヘッド６１のカバー１３を破断し
て示す正面図である。

【図５】基板の端縁処理装置の主要な電気的構成を示す
ブロック図である。

【図６】ガラス基板５の端縁付近と処理液供給ノズル１
４および裏面用処理液供給ノズル１６との位置関係を拡
大して示す模式図である。

【図７】ガラス基板５の端縁付近と処理液供給ノズル１
４および裏面用処理液供給ノズル１６との位置関係を拡
大して示す模式図である。

【図８】この発明の第２実施形態に係る基板の端縁処理
装置の側面図である。

【図９】レジスト除去ヘッド６１を真空チャック５１の
一部とともに示す断面図である。

【図１０】ガラス基板５の端縁付近と処理液供給ノズル
１４および裏面用処理液供給ノズル１６との位置関係を
拡大して示す模式図である。

【図１１】ガラス基板５の端縁付近と処理液供給ノズル
１４および裏面用処理液供給ノズル１６との位置関係を
拡大して示す模式図である。

【図１２】ＣＣＤカメラ４３を真空チャック５１の一部
とともに示す側面概要図である。

【図１３】接触式変位センサ４４を真空チャック５１の
一部とともに示す側面概要図である。

【符号の説明】

５ ガラス基板 １２ 昇降機構 １４ 処理液供給ノズル １５ 気体供給ノズル １８ 排気部 ２４ 処理液供給管 ３４ 制御部 ３６ 入力装置 ４１ エアシリンダ ４２ 昇降機構 ４３ ＣＣＤカメラ ４４ 接触式変位センサ ５１ 真空チャック ６１ レジスト除去ヘッド ８１ レジスト除去ヘッド移動機構

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板をその下面から支持する支持手段
   と、前記支持手段に支持された基板の端縁に処理液を供
   給する処理液供給ノズルとを有する基板の端縁処理装置
   において、 被処理基板の厚みに応じて、前記支持手段または前記処
   理液供給ノズルを上下方向に移動させる移動手段を備え
   たことを特徴とする基板の端縁処理装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の基板の端縁処理装置に
   おいて、 被処理基板の厚みを入力するための入力手段をさらに有
   し、 前記移動手段は、前記入力手段による入力値に基づいて
   前記支持手段または前記処理液供給ノズルを上下方向に
   移動させる基板の端縁処理装置。
3. 【請求項３】 請求項１に記載の基板の端縁処理装置に
   おいて、 被処理基板の厚みを測定するための測定手段をさらに有
   し、 前記移動手段は、前記測定手段による測定値に基づいて
   前記支持手段または前記処理液供給ノズルを上下方向に
   移動させる基板の端縁処理装置。