JPH11316915A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH11316915A JPH11316915A JP12495398A JP12495398A JPH11316915A JP H11316915 A JPH11316915 A JP H11316915A JP 12495398 A JP12495398 A JP 12495398A JP 12495398 A JP12495398 A JP 12495398A JP H11316915 A JPH11316915 A JP H11316915A
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁気ヘッドの機械加工工程の前にＥＳＤの発
生を防止して磁気抵抗効果素子の劣化や破壊を防止す
る。 【解決手段】 絶縁膜４１の上に再生用のパッド５１，
５２および書込用のパッド５３，５４を形成し、再生用
のパッド５１，５２は絶縁膜４１，３７ａを貫通してリ
ード３５，３６に接続され、書込用のパッド５３，５４
はリード５５，５６に接続される。再生用のパッド５
１，５２より延出してボンディングエリア５１ｂ，５２
ｂが形成されている。この後、これらの上に保護膜５７
を成膜し、研磨してパッド５１，５２，５３，５４の表
面を露出させる。ついで、再生用のパッド５１，５２よ
り延出して形成されたボンディングエリア５１ｂ，５２
ｂ間に金ボールボンド５８を形成して、ボンディングエ
リア５１ｂ，５２ｂ間を短絡させる。
生を防止して磁気抵抗効果素子の劣化や破壊を防止す
る。 【解決手段】 絶縁膜４１の上に再生用のパッド５１，
５２および書込用のパッド５３，５４を形成し、再生用
のパッド５１，５２は絶縁膜４１，３７ａを貫通してリ
ード３５，３６に接続され、書込用のパッド５３，５４
はリード５５，５６に接続される。再生用のパッド５
１，５２より延出してボンディングエリア５１ｂ，５２
ｂが形成されている。この後、これらの上に保護膜５７
を成膜し、研磨してパッド５１，５２，５３，５４の表
面を露出させる。ついで、再生用のパッド５１，５２よ
り延出して形成されたボンディングエリア５１ｂ，５２
ｂ間に金ボールボンド５８を形成して、ボンディングエ
リア５１ｂ，５２ｂ間を短絡させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、磁気ディスク記
憶装置（ハードディスク）などに用いられる磁気によっ
て抵抗値が変化するＭＲ（磁気抵抗効果）素子、ＧＭＲ
（巨大磁気抵抗効果）素子等の磁気抵抗効果素子を備え
た薄膜磁気ヘッドの製造方法に係わり、特に、その製造
過程において磁気抵抗効果素子が静電気により破壊され
るのを防止する工程を備えるようにした薄膜磁気ヘッド
の製造方法に関するものである。
憶装置（ハードディスク）などに用いられる磁気によっ
て抵抗値が変化するＭＲ（磁気抵抗効果）素子、ＧＭＲ
（巨大磁気抵抗効果）素子等の磁気抵抗効果素子を備え
た薄膜磁気ヘッドの製造方法に係わり、特に、その製造
過程において磁気抵抗効果素子が静電気により破壊され
るのを防止する工程を備えるようにした薄膜磁気ヘッド
の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスク記憶装置（ハードディス
ク）などに用いられる薄膜磁気ヘッドは、下シールドと
上シールドとの間の再生ギャップ内の磁気記録媒体（メ
ディア）との対向面に磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子ある
いはＧＭＲ素子）を配置した再生用ヘッドと、上シール
ドを下コアとして兼用してこの下コアと上コアとの間に
コイルを配置するとともに、下コアと上コアとの間の磁
気記録媒体（メディア）との対向面に書込ギャップを形
成した書込用ヘッドとを積層して構成されている。
ク）などに用いられる薄膜磁気ヘッドは、下シールドと
上シールドとの間の再生ギャップ内の磁気記録媒体（メ
ディア）との対向面に磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子ある
いはＧＭＲ素子）を配置した再生用ヘッドと、上シール
ドを下コアとして兼用してこの下コアと上コアとの間に
コイルを配置するとともに、下コアと上コアとの間の磁
気記録媒体（メディア）との対向面に書込ギャップを形
成した書込用ヘッドとを積層して構成されている。
【０００３】この種の薄膜磁気ヘッドは、１枚のセラミ
ック基板上に多数の磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子あるい
はＧＭＲ素子）と、この磁気抵抗効果素子にセンス電流
を供給するリードと、このリード端部を外部配線に接続
するためのパッドとを縦方向および横方向に一括して形
成し、この基板を短冊状にカットして複数の磁気ヘッド
を一列に配列したローを形成し、ロー上の磁気ヘッドを
所定の寸法に研削、研磨してレール面を形成し、保護膜
などをその上に被せた後、ローを個々のスライダにカッ
トして作製される。
ック基板上に多数の磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子あるい
はＧＭＲ素子）と、この磁気抵抗効果素子にセンス電流
を供給するリードと、このリード端部を外部配線に接続
するためのパッドとを縦方向および横方向に一括して形
成し、この基板を短冊状にカットして複数の磁気ヘッド
を一列に配列したローを形成し、ロー上の磁気ヘッドを
所定の寸法に研削、研磨してレール面を形成し、保護膜
などをその上に被せた後、ローを個々のスライダにカッ
トして作製される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記スライ
ダの製造過程において、パッドには静電気が印加される
機会が多く生じる。例えば、磁気抵抗効果素子の先端部
を所定の形状に仕上げる機械加工工程で、表面をクリー
ニングしたりあるいは保護膜を形成するときに、イオン
クリーニング等の工程を通過する。このとき、電荷を帯
びたプラズマの衝突でパッドが静電気を帯びることがあ
る。また、個々のスライダに分割された後に人や周囲の
摩擦静電気を帯びた物質に接触したり、高圧で動作する
ＣＲＴディスプレイなどに接近することによってパッド
が静電気を帯びることがある。
ダの製造過程において、パッドには静電気が印加される
機会が多く生じる。例えば、磁気抵抗効果素子の先端部
を所定の形状に仕上げる機械加工工程で、表面をクリー
ニングしたりあるいは保護膜を形成するときに、イオン
クリーニング等の工程を通過する。このとき、電荷を帯
びたプラズマの衝突でパッドが静電気を帯びることがあ
る。また、個々のスライダに分割された後に人や周囲の
摩擦静電気を帯びた物質に接触したり、高圧で動作する
ＣＲＴディスプレイなどに接近することによってパッド
が静電気を帯びることがある。
【０００５】そして、片側のパッドが静電気を帯びた場
合には両方のパッドの間に大きな電位差が生じて、いわ
ゆるＥＳＤ（Electro Static Discharge：静電気放電）
が発生する。両方のパッドの間にＥＳＤが発生すると、
磁気抵抗効果素子を通じて大きな電荷移動が生じて、磁
気抵抗効果素子に大きな電流が流れるようになる。
合には両方のパッドの間に大きな電位差が生じて、いわ
ゆるＥＳＤ（Electro Static Discharge：静電気放電）
が発生する。両方のパッドの間にＥＳＤが発生すると、
磁気抵抗効果素子を通じて大きな電荷移動が生じて、磁
気抵抗効果素子に大きな電流が流れるようになる。
【０００６】通常、薄膜磁気ヘッドにあっては、磁気抵
抗効果素子の大きさは縦、横が１〜５μｍと小さく、厚
さは１０ｎｍ以下である。これに対して、磁気抵抗効果
素子から引き出されるリードおよびリード端部を構成す
るパッドは厚さが数μｍで面積は１００〜３００μｍ×
３０〜２００μｍと大きい。このため、上述したＥＳＤ
が発生して電荷移動によって大きな電流が流れると、マ
イグレーションによる磁気抵抗効果素子の劣化（抵抗の
上昇）を生じたり、あるいは磁気抵抗効果素子が破壊さ
れることがあった。例えば、磁気抵抗効果素子間に２０
〜５０Ｖの電圧が印加されることにより、磁気抵抗効果
素子は破壊される。
抗効果素子の大きさは縦、横が１〜５μｍと小さく、厚
さは１０ｎｍ以下である。これに対して、磁気抵抗効果
素子から引き出されるリードおよびリード端部を構成す
るパッドは厚さが数μｍで面積は１００〜３００μｍ×
３０〜２００μｍと大きい。このため、上述したＥＳＤ
が発生して電荷移動によって大きな電流が流れると、マ
イグレーションによる磁気抵抗効果素子の劣化（抵抗の
上昇）を生じたり、あるいは磁気抵抗効果素子が破壊さ
れることがあった。例えば、磁気抵抗効果素子間に２０
〜５０Ｖの電圧が印加されることにより、磁気抵抗効果
素子は破壊される。
【０００７】そこで、薄膜磁気ヘッドの組立工程におい
て、各パッドにワイヤーを接続し、このワイヤーの端部
に接続した端子（パドルボード）端を短絡することによ
り、片側のパッドが静電気を帯びても両方のパッドの間
に電位差が生じないようにしてＥＳＤの発生を防止し
て、磁気抵抗効果素子の劣化や破壊を防止することが提
案されている。しかしながら、上述したワイヤーの端部
に接続した端子（パドルボード）端を短絡させる方法に
あっては、各パッドにワイヤーを接続するのはスライダ
の機械加工工程の後であるため、スライダの機械加工工
程においてパッドが静電気を帯びるという問題を生じ
た。
て、各パッドにワイヤーを接続し、このワイヤーの端部
に接続した端子（パドルボード）端を短絡することによ
り、片側のパッドが静電気を帯びても両方のパッドの間
に電位差が生じないようにしてＥＳＤの発生を防止し
て、磁気抵抗効果素子の劣化や破壊を防止することが提
案されている。しかしながら、上述したワイヤーの端部
に接続した端子（パドルボード）端を短絡させる方法に
あっては、各パッドにワイヤーを接続するのはスライダ
の機械加工工程の後であるため、スライダの機械加工工
程においてパッドが静電気を帯びるという問題を生じ
た。
【０００８】
【課題を解決するための手段およびその作用・効果】そ
こで、本発明は上述した問題に対処するためになされた
ものであって、磁気ヘッドの機械加工工程の前にＥＳＤ
の発生を防止して磁気抵抗効果素子の劣化や破壊を防止
することをその目的とするものである。
こで、本発明は上述した問題に対処するためになされた
ものであって、磁気ヘッドの機械加工工程の前にＥＳＤ
の発生を防止して磁気抵抗効果素子の劣化や破壊を防止
することをその目的とするものである。
【０００９】このため、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造
方法においては、パッドを形成する工程と機械加工工程
との間にパッド間を短絡させる工程を備えるようにして
いる。このように、パッド間を短絡させる工程を備える
ようにすると、後の機械加工工程において片側のパッド
が静電気を帯びても両方のパッドの間に電位差が生じる
ことがないため、ＥＳＤも発生することがなく、磁気抵
抗効果素子の劣化や破壊を防止することができるように
なる。
方法においては、パッドを形成する工程と機械加工工程
との間にパッド間を短絡させる工程を備えるようにして
いる。このように、パッド間を短絡させる工程を備える
ようにすると、後の機械加工工程において片側のパッド
が静電気を帯びても両方のパッドの間に電位差が生じる
ことがないため、ＥＳＤも発生することがなく、磁気抵
抗効果素子の劣化や破壊を防止することができるように
なる。
【００１０】そして、パッド間を短絡させる工程をパッ
ドを形成する工程においてパッドより延出するボンディ
ングエリアを形成する工程と、このボンディングエリア
間に金ボールボンドを形成する工程あるいはボンディン
グエリア間にステッチングボンドを形成する工程とから
構成するようにすると、簡単な工程を付加するだけでパ
ッド間を短絡させることが可能になるため、容易に磁気
抵抗効果素子の劣化や破壊を防止することができるよう
になる。
ドを形成する工程においてパッドより延出するボンディ
ングエリアを形成する工程と、このボンディングエリア
間に金ボールボンドを形成する工程あるいはボンディン
グエリア間にステッチングボンドを形成する工程とから
構成するようにすると、簡単な工程を付加するだけでパ
ッド間を短絡させることが可能になるため、容易に磁気
抵抗効果素子の劣化や破壊を防止することができるよう
になる。
【００１１】また、パッド間が短絡されていると磁気ヘ
ッドとしての特性を評価することができないため、この
短絡部分を切断する切断工程を備えるようにようにし
て、特性評価試験の前にパッド間の短絡部分をパッドよ
り除去するようにしている。そして、この切断工程にお
いてはレーザ光線を用いて除去するようにすると、簡単
に短絡部分を除去することが可能となる。
ッドとしての特性を評価することができないため、この
短絡部分を切断する切断工程を備えるようにようにし
て、特性評価試験の前にパッド間の短絡部分をパッドよ
り除去するようにしている。そして、この切断工程にお
いてはレーザ光線を用いて除去するようにすると、簡単
に短絡部分を除去することが可能となる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の薄膜磁気ヘッド
の一実施の形態をハードディスク用ＭＲ型・誘導型複合
薄膜磁気ヘッド（以下、単に磁気ヘッドという）に適用
した場合について図１に基づいて説明する。なお、図１
は本発明の磁気ヘッドの全体構造を示す図であり、図１
（ａ）は本発明の磁気ヘッドをサスペンションに装着し
た状態を示す図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ部
を拡大して示す拡大図であり、図１（ｃ）は図１（ｂ）
のＢ部を拡大して示す拡大図である。
の一実施の形態をハードディスク用ＭＲ型・誘導型複合
薄膜磁気ヘッド（以下、単に磁気ヘッドという）に適用
した場合について図１に基づいて説明する。なお、図１
は本発明の磁気ヘッドの全体構造を示す図であり、図１
（ａ）は本発明の磁気ヘッドをサスペンションに装着し
た状態を示す図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ部
を拡大して示す拡大図であり、図１（ｃ）は図１（ｂ）
のＢ部を拡大して示す拡大図である。
【００１３】磁気ヘッド１０はサスペンション１１の先
端部に接着固定されており、本体がスライダ１２で構成
されている。スライダ１２の磁気記録媒体との対向面１
２ａには、レールパターンとしてのセンタレール１３と
サイドレール１４，１５とクロスレール１６が形成され
ている。サイドレール１４，１５とクロスレール１６と
は空気流入端側で連結されており、スライダ１２の空気
流出側端面１２ｂには磁気ヘッド部２０が配設されてい
る。
端部に接着固定されており、本体がスライダ１２で構成
されている。スライダ１２の磁気記録媒体との対向面１
２ａには、レールパターンとしてのセンタレール１３と
サイドレール１４，１５とクロスレール１６が形成され
ている。サイドレール１４，１５とクロスレール１６と
は空気流入端側で連結されており、スライダ１２の空気
流出側端面１２ｂには磁気ヘッド部２０が配設されてい
る。
【００１４】磁気ヘッド部２０は、図１（ｂ）に拡大し
て示すように、絶縁膜６１の上に再生専用のＭＲ型薄膜
磁気ヘッド部３０および書込専用の誘導型薄膜磁気ヘッ
ド部４０が積層配設されている。ＭＲ型薄膜磁気ヘッド
部３０は、図１（ｃ）に拡大して示すように、ＭＲ膜３
１とスペーサ膜３２とＳＡＬバイアス膜３３とを積層し
たＭＲ素子３４と、ＭＲ素子３４の両端に接続された左
右のリード３５，３６を有している。左右の両リード３
５，３６は長手バイアス磁石膜３５ａと導電膜３５ｂを
有している。
て示すように、絶縁膜６１の上に再生専用のＭＲ型薄膜
磁気ヘッド部３０および書込専用の誘導型薄膜磁気ヘッ
ド部４０が積層配設されている。ＭＲ型薄膜磁気ヘッド
部３０は、図１（ｃ）に拡大して示すように、ＭＲ膜３
１とスペーサ膜３２とＳＡＬバイアス膜３３とを積層し
たＭＲ素子３４と、ＭＲ素子３４の両端に接続された左
右のリード３５，３６を有している。左右の両リード３
５，３６は長手バイアス磁石膜３５ａと導電膜３５ｂを
有している。
【００１５】左右のリード３５，３６の対向面３５ｃ，
３６ｃは傾斜面に形成されており、ＭＲ素子３４の両端
部はこの傾斜面においてリード３５，３６と接続されて
いる。ＭＲ素子３４と左右の両リード３５，３６の前後
には、再生ギャップを構成するアルミナ膜３７ａ（再生
下ギャップ），３７ｂ（再生上ギャップ）を挟んで下シ
ールド膜３８および上シールド膜３９が配設されてＭＲ
型薄膜磁気ヘッド部３０を構成している。
３６ｃは傾斜面に形成されており、ＭＲ素子３４の両端
部はこの傾斜面においてリード３５，３６と接続されて
いる。ＭＲ素子３４と左右の両リード３５，３６の前後
には、再生ギャップを構成するアルミナ膜３７ａ（再生
下ギャップ），３７ｂ（再生上ギャップ）を挟んで下シ
ールド膜３８および上シールド膜３９が配設されてＭＲ
型薄膜磁気ヘッド部３０を構成している。
【００１６】ＭＲ型薄膜磁気ヘッド部３０の上には書込
ギャップを構成するアルミナ膜４１を挟んでコイルおよ
び絶縁層４２が形成され、その上に上コア４３が配設さ
れて誘導型薄膜磁気ヘッド部４０を構成している。上述
したＭＲ型薄膜磁気ヘッド部３０の上シールド膜３９は
下コアを兼ねている。アルミナ膜４１の上には、外部配
線５０と接続するための金属製のパッド５１，５２，５
３，５４が配設されている。このうちパッド５１，５２
はアルミナ膜４１，３７ａを貫通してＭＲ型薄膜磁気ヘ
ッド部３０のリード３５，３６の端部に接続されてい
る。また、パッド５３，５４はアルミナ膜４１上に配線
されたリード５５，５６を介して誘導型薄膜磁気ヘッド
部４０のコイルおよび絶縁層４２のコイル端子に接続さ
れている。
ギャップを構成するアルミナ膜４１を挟んでコイルおよ
び絶縁層４２が形成され、その上に上コア４３が配設さ
れて誘導型薄膜磁気ヘッド部４０を構成している。上述
したＭＲ型薄膜磁気ヘッド部３０の上シールド膜３９は
下コアを兼ねている。アルミナ膜４１の上には、外部配
線５０と接続するための金属製のパッド５１，５２，５
３，５４が配設されている。このうちパッド５１，５２
はアルミナ膜４１，３７ａを貫通してＭＲ型薄膜磁気ヘ
ッド部３０のリード３５，３６の端部に接続されてい
る。また、パッド５３，５４はアルミナ膜４１上に配線
されたリード５５，５６を介して誘導型薄膜磁気ヘッド
部４０のコイルおよび絶縁層４２のコイル端子に接続さ
れている。
【００１７】ここで、パッド５１およびパッド５２より
延出してボンディングエリア５１ｂ，５２ｂが形成され
ており、このボンディングエリア５１ｂ，５２ｂ間に
は、ボンディングエリア５１ｂ，５２ｂ間を短絡させる
ための金ボールボンド５８あるいは金線からなるステッ
チボンドが形成されている。これにより、後の機械加工
工程において片側のパッド５１あるいは５２が静電気を
帯びても両方のパッド５１，５２の間に電位差が生じな
いために、ＥＳＤも発生することがなく、ＭＲ型薄膜磁
気ヘッド部３０の劣化あるいは破壊を防止することがで
きるようになる。
延出してボンディングエリア５１ｂ，５２ｂが形成され
ており、このボンディングエリア５１ｂ，５２ｂ間に
は、ボンディングエリア５１ｂ，５２ｂ間を短絡させる
ための金ボールボンド５８あるいは金線からなるステッ
チボンドが形成されている。これにより、後の機械加工
工程において片側のパッド５１あるいは５２が静電気を
帯びても両方のパッド５１，５２の間に電位差が生じな
いために、ＥＳＤも発生することがなく、ＭＲ型薄膜磁
気ヘッド部３０の劣化あるいは破壊を防止することがで
きるようになる。
【００１８】なお、アルミナ膜４１上にはアルミナ保護
膜５７が被着されて磁気ヘッド部２０全体を被覆してい
る。パッド５１，５２，５３，５４の上面はアルミナ保
護膜５７の表面に露出して、ボンディングパッド部５１
ａ，５２ａ，５３ａ，５４ａを構成する。そして、下シ
ールド膜３８、再生ギャップ用アルミナ膜３７ａ，３７
ｂ，４１、ＭＲ素子３４両リード３５，３６、上シール
ド膜３９、上コア４３の先端部はセンターレール１３の
後端部付近のレール面に露出している。
膜５７が被着されて磁気ヘッド部２０全体を被覆してい
る。パッド５１，５２，５３，５４の上面はアルミナ保
護膜５７の表面に露出して、ボンディングパッド部５１
ａ，５２ａ，５３ａ，５４ａを構成する。そして、下シ
ールド膜３８、再生ギャップ用アルミナ膜３７ａ，３７
ｂ，４１、ＭＲ素子３４両リード３５，３６、上シール
ド膜３９、上コア４３の先端部はセンターレール１３の
後端部付近のレール面に露出している。
【００１９】ついで、上述したような構造の薄膜磁気ヘ
ッドの製造工程の一例を図２〜図４に基づいて以下に説
明する。なお、本発明の薄膜磁気ヘッドは以下の（１）
〜（９）までの工程を経て作製される。即ち、 （１）まず、図２（１）に示すように、基板（アルチッ
ク（Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ）などのセラミック材料で構成さ
れたウェファーで、後にカットされてスライダを構成す
る）６０の上にアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）などからなる絶縁
膜６１を成膜し、この絶縁膜６１の上に下シールド膜３
８を形成する。下シールド膜３８は、透磁率が高い８１
パーマロイ（ＮｉＦｅ）、センダスト（ＦｅＡｌＳｉ）
等の軟磁性膜をスパッタ、蒸着あるいは電気メッキによ
り絶縁膜６１の上に堆積して形成する。
ッドの製造工程の一例を図２〜図４に基づいて以下に説
明する。なお、本発明の薄膜磁気ヘッドは以下の（１）
〜（９）までの工程を経て作製される。即ち、 （１）まず、図２（１）に示すように、基板（アルチッ
ク（Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ）などのセラミック材料で構成さ
れたウェファーで、後にカットされてスライダを構成す
る）６０の上にアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）などからなる絶縁
膜６１を成膜し、この絶縁膜６１の上に下シールド膜３
８を形成する。下シールド膜３８は、透磁率が高い８１
パーマロイ（ＮｉＦｅ）、センダスト（ＦｅＡｌＳｉ）
等の軟磁性膜をスパッタ、蒸着あるいは電気メッキによ
り絶縁膜６１の上に堆積して形成する。
【００２０】（２）この後、図２（２）に示すように、
下シールド膜３８上の全面にアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）など
からなる絶縁膜６２をスパッタ等で堆積させる。
下シールド膜３８上の全面にアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）など
からなる絶縁膜６２をスパッタ等で堆積させる。
【００２１】（３）この後、図２（３）に示すように、
この全面を研磨し、下シールド３８を所定の厚さに形成
する。
この全面を研磨し、下シールド３８を所定の厚さに形成
する。
【００２２】（４）ついで、図３（４）に示すように、
この全面にアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）などからなる絶縁膜を
スパッタ等で堆積させて再生下ギャップ３７ｂを形成す
る。
この全面にアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）などからなる絶縁膜を
スパッタ等で堆積させて再生下ギャップ３７ｂを形成す
る。
【００２３】（５）ついで、図３（５）に示すように、
再生下ギャップ３７ｂの上にＣｏＣｒＰｔ等の長手方向
バイアス用磁石膜３５ａと、Ｗ，Ｔａ，Ｎｂ等の電気導
電膜３５ｂをスパッタ、蒸着あるいは電気メッキにより
積層する。この後、これらの膜３５ａ，３５ｂの上のリ
ード３５，３６となる部分にレジスト膜を塗布し、これ
らの膜を一括してエッチングして逆台形状にカットして
台形状の溝部を形成する。これにより長手方向バイアス
用磁石膜３５ａと、電気導電膜３５ｂの上に左右のリー
ド３５，３６が形成される。
再生下ギャップ３７ｂの上にＣｏＣｒＰｔ等の長手方向
バイアス用磁石膜３５ａと、Ｗ，Ｔａ，Ｎｂ等の電気導
電膜３５ｂをスパッタ、蒸着あるいは電気メッキにより
積層する。この後、これらの膜３５ａ，３５ｂの上のリ
ード３５，３６となる部分にレジスト膜を塗布し、これ
らの膜を一括してエッチングして逆台形状にカットして
台形状の溝部を形成する。これにより長手方向バイアス
用磁石膜３５ａと、電気導電膜３５ｂの上に左右のリー
ド３５，３６が形成される。
【００２４】左右のリード３５，３６を形成した後、基
板全面にＭＲ素子材料として、ＭＲ膜（ＮｉＦｅ等）３
１、スペーサ膜（Ｔｉ等）３２、ＳＡＬバイアス膜（Ｃ
ｏＺｒＭ（Ｎｂ，Ｍｏ））３３を順次積層してＭＲ素子
層を形成する。そして、これらのＭＲ素子層上に、形成
すべきＭＲ素子３４のパターン形状にレジストを塗布
し、イオンミリングにより、ＭＲ素子層の不要部分を除
去して、ＭＲ素子（ＭＲｅｌｅｍｅｎｔ）３４を矩形の
平面形状にカットする。これにより、ＭＲ素子３４はそ
の左右両端部が傾斜面の途中でカットされた状態に形成
されてリード３５，３６に接続される。
板全面にＭＲ素子材料として、ＭＲ膜（ＮｉＦｅ等）３
１、スペーサ膜（Ｔｉ等）３２、ＳＡＬバイアス膜（Ｃ
ｏＺｒＭ（Ｎｂ，Ｍｏ））３３を順次積層してＭＲ素子
層を形成する。そして、これらのＭＲ素子層上に、形成
すべきＭＲ素子３４のパターン形状にレジストを塗布
し、イオンミリングにより、ＭＲ素子層の不要部分を除
去して、ＭＲ素子（ＭＲｅｌｅｍｅｎｔ）３４を矩形の
平面形状にカットする。これにより、ＭＲ素子３４はそ
の左右両端部が傾斜面の途中でカットされた状態に形成
されてリード３５，３６に接続される。
【００２５】（６）ついで、図３（６）に示すように、
全面に上シールド膜（兼下コア）３９とＭＲ素子３４と
の絶縁のため、および上シールド膜（兼下コア）３９と
リード３５，３６とのシールドギャップのためにアルミ
ナ（Ａｌ2Ｏ3）などからなる絶縁膜をスパッタ等で堆積
させて再生上ギャップ３７ａを形成する。なお、再生下
ギャップ３７ｂと再生上ギャップ３７ａとで再生ギャッ
プが形成される。これにより、再生ギャップ内にＭＲ素
子３４が形成されることとなる。
全面に上シールド膜（兼下コア）３９とＭＲ素子３４と
の絶縁のため、および上シールド膜（兼下コア）３９と
リード３５，３６とのシールドギャップのためにアルミ
ナ（Ａｌ2Ｏ3）などからなる絶縁膜をスパッタ等で堆積
させて再生上ギャップ３７ａを形成する。なお、再生下
ギャップ３７ｂと再生上ギャップ３７ａとで再生ギャッ
プが形成される。これにより、再生ギャップ内にＭＲ素
子３４が形成されることとなる。
【００２６】（７）この後、図４（７）に示すように、
下シールド膜３８と同様の透磁率が高い８１パーマロイ
（ＮｉＦｅ）、センダスト（ＦｅＡｌＳｉ）等の軟磁性
膜をスパッタ、蒸着あるいは電気メッキにより堆積させ
た後、所定の形状にカットして上シールド膜（兼下コ
ア）３９を形成する。
下シールド膜３８と同様の透磁率が高い８１パーマロイ
（ＮｉＦｅ）、センダスト（ＦｅＡｌＳｉ）等の軟磁性
膜をスパッタ、蒸着あるいは電気メッキにより堆積させ
た後、所定の形状にカットして上シールド膜（兼下コ
ア）３９を形成する。
【００２７】（８）ついで、図４（８）に示すように、
上シールド膜（兼下コア）３９の上にアルミナ（Ａｌ2
Ｏ3）などからなる絶縁膜４１をスパッタ等で堆積させ
て成膜して書込ギャップを形成する。
上シールド膜（兼下コア）３９の上にアルミナ（Ａｌ2
Ｏ3）などからなる絶縁膜４１をスパッタ等で堆積させ
て成膜して書込ギャップを形成する。
【００２８】（９）ついで、図４（９）に示すように、
絶縁膜４１の上に絶縁層４２ａおよびコイル４２ｂから
なるコイルおよび絶縁層４２を形成した後、絶縁層４２
ａおよびコイル４２ｂを跨ぐようにして上コア４３を形
成する。そして、絶縁膜４１の上に再生用のパッド５
１，５２および書込用のパッド５３，５４を形成し、再
生用のパッド５１，５２は絶縁膜４１，３７ａを貫通し
てリード３５，３６に接続され、書込用のパッド５３，
５４はリード５５，５６に接続される。なお、再生用の
パッド５１，５２の形成時において、各パッド５１，５
２より延出してボンディングエリア５１ｂ，５２ｂが形
成されるように各パッド５１，５２を形成する。
絶縁膜４１の上に絶縁層４２ａおよびコイル４２ｂから
なるコイルおよび絶縁層４２を形成した後、絶縁層４２
ａおよびコイル４２ｂを跨ぐようにして上コア４３を形
成する。そして、絶縁膜４１の上に再生用のパッド５
１，５２および書込用のパッド５３，５４を形成し、再
生用のパッド５１，５２は絶縁膜４１，３７ａを貫通し
てリード３５，３６に接続され、書込用のパッド５３，
５４はリード５５，５６に接続される。なお、再生用の
パッド５１，５２の形成時において、各パッド５１，５
２より延出してボンディングエリア５１ｂ，５２ｂが形
成されるように各パッド５１，５２を形成する。
【００２９】この後、これらの上に保護膜５７（図１参
照）を成膜し、研磨してパッド５１，５２，５３，５４
の表面を露出させる。ついで、再生用のパッド５１，５
２より延出して形成されたボンディングエリア５１ｂ，
５２ｂ間に金ボールボンド５８（図１参照）を形成し
て、ボンディングエリア５１ｂ，５２ｂ間を短絡させ
る。これにより、後の工程で所定形状のレール面を形成
する機械加工において片側のパッド５１あるいは５２が
静電気を帯びても両方のパッド５１，５２の間に電位差
が生じないために、ＥＳＤも発生することがなく、ＭＲ
型薄膜磁気ヘッド部３０の破壊を防止することができる
ようになる。なお、ボンディングエリア５１ｂ，５２ｂ
間を短絡させるために、金ボールボンド５８に代えて金
線からなるステッチボンドを接続するようにしてもよ
い。
照）を成膜し、研磨してパッド５１，５２，５３，５４
の表面を露出させる。ついで、再生用のパッド５１，５
２より延出して形成されたボンディングエリア５１ｂ，
５２ｂ間に金ボールボンド５８（図１参照）を形成し
て、ボンディングエリア５１ｂ，５２ｂ間を短絡させ
る。これにより、後の工程で所定形状のレール面を形成
する機械加工において片側のパッド５１あるいは５２が
静電気を帯びても両方のパッド５１，５２の間に電位差
が生じないために、ＥＳＤも発生することがなく、ＭＲ
型薄膜磁気ヘッド部３０の破壊を防止することができる
ようになる。なお、ボンディングエリア５１ｂ，５２ｂ
間を短絡させるために、金ボールボンド５８に代えて金
線からなるステッチボンドを接続するようにしてもよ
い。
【００３０】金ボールボンド５８によりボンディングエ
リア５１ｂ，５２ｂ間を短絡させた後、基板６０をカッ
トしてローを形成するロー形成工程、所定のレール形状
になるように切削、研磨してセンタレール１３，サイド
レール１４，１５およびクロスレール１６を形成するレ
ール形成工程、各ローをカットして個々のスライダを形
成するスライダ形成工程、個々のスライダの特性を評価
する特性評価工程などを経て、シールド型磁気抵抗効果
薄膜磁気ヘッド１０を作製する。なお、特性評価工程の
前に、金ボールボンド５８により短絡されたボンディン
グエリア５１ｂ，５２ｂ間をレーザ等により切断して、
再生用のパッド５１，５２間の短絡状態を除去して、各
シールド型磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッド１０の特性評価
ができるようにしている。
リア５１ｂ，５２ｂ間を短絡させた後、基板６０をカッ
トしてローを形成するロー形成工程、所定のレール形状
になるように切削、研磨してセンタレール１３，サイド
レール１４，１５およびクロスレール１６を形成するレ
ール形成工程、各ローをカットして個々のスライダを形
成するスライダ形成工程、個々のスライダの特性を評価
する特性評価工程などを経て、シールド型磁気抵抗効果
薄膜磁気ヘッド１０を作製する。なお、特性評価工程の
前に、金ボールボンド５８により短絡されたボンディン
グエリア５１ｂ，５２ｂ間をレーザ等により切断して、
再生用のパッド５１，５２間の短絡状態を除去して、各
シールド型磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッド１０の特性評価
ができるようにしている。
【００３１】上述のように構成した本発明の薄膜磁気ヘ
ッドにあっては、ロー形成工程、レール形成工程、スラ
イダ形成工程等の機械加工を行う前に、再生用のパッド
５１，５２間を短絡させるようにしているので、機械加
工において片側のパッド５１あるいは５２が静電気を帯
びても両方のパッド５１，５２の間に電位差が生じるこ
とはない。このために、ＥＳＤ（静電気放電）も発生す
ることがなくなって、ＭＲ型薄膜磁気ヘッド部３０のＥ
ＳＤによる劣化あるいは破壊を防止できるようになる。
ッドにあっては、ロー形成工程、レール形成工程、スラ
イダ形成工程等の機械加工を行う前に、再生用のパッド
５１，５２間を短絡させるようにしているので、機械加
工において片側のパッド５１あるいは５２が静電気を帯
びても両方のパッド５１，５２の間に電位差が生じるこ
とはない。このために、ＥＳＤ（静電気放電）も発生す
ることがなくなって、ＭＲ型薄膜磁気ヘッド部３０のＥ
ＳＤによる劣化あるいは破壊を防止できるようになる。
【００３２】そして、再生用のパッド５１，５２間を短
絡させるに際して、各パッド５１，５２の形成時に各パ
ッド５１，５２より延出してボンディングエリア５１
ａ，５２ａを形成し、このボンディングエリア５１ａ，
５２ａ間に金ボールボンド５８を形成するので、簡単な
工程を付加するだけで各パッド５１，５２間を短絡させ
ることが可能になる。このため、容易にＭＲ型薄膜磁気
ヘッド部３０のＥＳＤによる劣化あるいは破壊を防止で
きるようになる。
絡させるに際して、各パッド５１，５２の形成時に各パ
ッド５１，５２より延出してボンディングエリア５１
ａ，５２ａを形成し、このボンディングエリア５１ａ，
５２ａ間に金ボールボンド５８を形成するので、簡単な
工程を付加するだけで各パッド５１，５２間を短絡させ
ることが可能になる。このため、容易にＭＲ型薄膜磁気
ヘッド部３０のＥＳＤによる劣化あるいは破壊を防止で
きるようになる。
【００３３】また、各パッド５１，５２間が短絡されて
いると磁気ヘッドとしての特性を評価することができな
いため、特性評価工程の前に、金ボールボンド５８によ
り短絡されたボンディングエリア５１ｂ，５２ｂ間をレ
ーザ等により切断して、再生用のパッド５１，５２間の
短絡状態を除去して、薄膜磁気ヘッド１０の特性評価が
できるようにしている。
いると磁気ヘッドとしての特性を評価することができな
いため、特性評価工程の前に、金ボールボンド５８によ
り短絡されたボンディングエリア５１ｂ，５２ｂ間をレ
ーザ等により切断して、再生用のパッド５１，５２間の
短絡状態を除去して、薄膜磁気ヘッド１０の特性評価が
できるようにしている。
【図１】 本発明の薄膜磁気ヘッドの要部を模式的に示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図２】 本発明の薄膜磁気ヘッドの製造工程の第１工
程〜第３工程を模式的に示す斜視図である。
程〜第３工程を模式的に示す斜視図である。
【図３】 本発明の薄膜磁気ヘッドの製造工程の第４工
程〜第６工程を模式的に示す斜視図である。
程〜第６工程を模式的に示す斜視図である。
【図４】 本発明の薄膜磁気ヘッドの製造工程の第７工
程〜第９工程を模式的に示す斜視図である。
程〜第９工程を模式的に示す斜視図である。
１０…磁気ヘッド、１１…サスペンション、１２…スラ
イダ、１２ａ…対向面、１３…センタレール、１４，１
５…サイドレール、１６…クロスレール、２０…磁気ヘ
ッド部、３０…ＭＲ型薄膜磁気ヘッド部、３４…ＭＲ素
子、３５，３６…リード、３７ａ…再生下ギャップ、３
７ｂ…再生上ギャップ、３８…下シールド膜、３９…上
シールド膜（兼下コア）、４０…誘導型薄膜磁気ヘッド
部、４１…アルミナ膜（書込ギャップ）、４２…コイル
および絶縁層、４３…上コア、５０…外部配線、５１，
５２…再生用パッド、５１ｂ，５２ｂ…ボンディングエ
リア、５３，５４…記録用パッド、５５，５６…リー
ド、５８…金ボールボンド
イダ、１２ａ…対向面、１３…センタレール、１４，１
５…サイドレール、１６…クロスレール、２０…磁気ヘ
ッド部、３０…ＭＲ型薄膜磁気ヘッド部、３４…ＭＲ素
子、３５，３６…リード、３７ａ…再生下ギャップ、３
７ｂ…再生上ギャップ、３８…下シールド膜、３９…上
シールド膜（兼下コア）、４０…誘導型薄膜磁気ヘッド
部、４１…アルミナ膜（書込ギャップ）、４２…コイル
および絶縁層、４３…上コア、５０…外部配線、５１，
５２…再生用パッド、５１ｂ，５２ｂ…ボンディングエ
リア、５３，５４…記録用パッド、５５，５６…リー
ド、５８…金ボールボンド
Claims (5)
- 【請求項１】 セラミック基板上の縦方向および横方向
に一括して多数の磁気抵抗効果素子を形成する工程と、
この磁気抵抗効果素子にセンス電流を供給するリードを
形成する工程と、このリード端部を外部配線に接続する
ためのパッドを形成する工程とを備えるとともに、 前記パッドを形成する工程の後、この基板を短冊状にカ
ットして複数の磁気ヘッドを一列に配列したローを形成
する工程と、同ロー上の磁気ヘッドを所定の寸法に研
削、研磨して所定形状のレール面を形成する工程と、同
ローを個々のスライダにカットする工程とからなる機械
加工工程を備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、 前記パッドを形成する工程と前記機械加工工程との間に
前記パッド間を短絡させる工程を備えるようにしたこと
を特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項２】 前記パッド間を短絡させる工程は、 前記パッドを形成する工程において同パッドより延出す
るボンディングエリアを形成する工程と、 前記ボンディングエリア間に金ボールボンドを形成する
工程とからなることを特徴とする請求項１に記載の薄膜
磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項３】 前記パッド間を短絡させる工程は、 前記パッドを形成する工程において同パッドより延出す
るボンディングエリアを形成する工程と、 前記ボンディングエリア間にステッチングボンドを形成
する工程とからなることを特徴とする請求項１に記載の
薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項４】 前記パッド間を短絡させる工程により短
絡された部分を特性評価試験の前に切断する切断工程を
備えるようにしたことを特徴とする請求項１から請求項
３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項５】 前記切断工程においてレーザ光線を用い
て切断するようにしたことを特徴とする請求項４に記載
の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12495398A JPH11316915A (ja) | 1998-05-07 | 1998-05-07 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12495398A JPH11316915A (ja) | 1998-05-07 | 1998-05-07 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11316915A true JPH11316915A (ja) | 1999-11-16 |
Family
ID=14898308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12495398A Withdrawn JPH11316915A (ja) | 1998-05-07 | 1998-05-07 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11316915A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6721140B2 (en) | 2000-11-22 | 2004-04-13 | Tdk Corporation | Magnetoresistive device and method of manufacturing same and thin-film magnetic head and method of manufacturing same |
| JP2005339782A (ja) * | 2004-05-25 | 2005-12-08 | Shinka Jitsugyo Kk | 磁気記録再生トランスデューサの製造方法およびヘッドジンバルアセンブリの製造方法 |
-
1998
- 1998-05-07 JP JP12495398A patent/JPH11316915A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6721140B2 (en) | 2000-11-22 | 2004-04-13 | Tdk Corporation | Magnetoresistive device and method of manufacturing same and thin-film magnetic head and method of manufacturing same |
| JP2005339782A (ja) * | 2004-05-25 | 2005-12-08 | Shinka Jitsugyo Kk | 磁気記録再生トランスデューサの製造方法およびヘッドジンバルアセンブリの製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050802 |