JPH11317606A - Ｐｉｎダイオードスイッチ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高いアイソレーションを有する反射型のＰＩ
Ｎダイオードスイッチを提供する。 【解決手段】 入力端子１と出力端子２との間にコンデ
ンサＣ１、Ｃ２を介して３ｄＢカプラ３の第１端子Ｔ１
及び第２端子Ｔ２を接続し、３ｄＢカプラ３の第２端子
Ｔ２及び第３端子Ｔ３に第１及び第２の整合回路７、８
を接続し、これにＰＩＮダイオードＤ１、Ｄ２を接続す
る。ＰＩＮダイオードＤ１、Ｄ２にそれぞれバイアス回
路４、５を設け、バイアス電圧供給端子６に接続し、バ
イアス電圧を供給する。整合回路７、８は、３ｄＢカプ
ラ３の第１端子Ｔ１から第４端子Ｔ４への高周波のリー
ク成分とＰＩＮダイオードから反射されて第４端子Ｔ４
に出力される高周波信号の反射成分の位相が逆位相とな
るように長さが選ばれる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＰＩＮダイオード
スイッチに関し、特に、反射型ＰＩＮダイオードスイッ
チに関する。

【０００２】

【従来の技術及びその解決すべき課題】ＰＩＮダイオー
ドは、バイアスを印加して流れる電流を変えることによ
り高周波抵抗が低抵抗（０Ω）から高抵抗（数ｋΩ）ま
で変化する性質を有するので、スイッチまたは減衰器を
構成するのに用いられている。

【０００３】図５は、ＰＩＮダイオードを用いたスイッ
チの基本形を示す回路図である。ＰＩＮダイオードを用
いたスイッチには、直列接続型と呼ばれるものと並列接
続型と呼ばれるものとの２種類がある。図５（ａ）に示
すスイッチは直列接続型と呼ばれるもので、入力端子４
１と出力端子４２との間に複数のＰＩＮダイオード４３
を直列接続してスイッチ回路が構成される。

【０００４】この回路では、入力端子４１と出力端子４
２との間に直流バイアスが印加されないときには、ＰＩ
Ｎダイオード４３に真性半導体層（ｉ層）が高抵抗とな
るため、入力端子４１と出力端子４２との間に電流が流
れ難くなり、信号オフのスイッチとして働く。入力端子
４１と出力端子４２との間に順方向に直流バイアスが印
加されたときには、ＰＩＮダイオード４３に真性半導体
層（ｉ層）が低抵抗となるため、入力端子４１と出力端
子４２との間に電流が流れ易くなり、信号オンのスイッ
チとして働く。

【０００５】しかし、この回路では、信号オフのスイッ
チとして働くときには入力端子４１が短絡状態となり、
高周波で用いるときはインピーダンス不整合が生じ、信
号に反射が生じるため電位が極めて高くなる瞬間があっ
て、ＰＩＮダイオード４３を飛び越して入力端子４１と
出力端子４２との間で結合を持ち、十分なアイソレーシ
ョンが取れないという問題がある。

【０００６】一方、図５（ｂ）に示すスイッチは並列接
続型と呼ばれるもので、入力端子４１と出力端子４２と
の間に複数のＰＩＮダイオード４４を並列接続してスイ
ッチ回路が構成される。

【０００７】この回路では、入力端子４１に負電圧を加
え、順方向に直流バイアスを印加すると、ＰＩＮダイオ
ード４４の真性半導体層がすべて低抵抗となるためオン
状態となり、ＰＩＮダイオード４４は短絡素子として働
き、この回路は信号オフのスイッチとして働く。

【０００８】一方、入力端子４１と出力端子４２との間
に直流バイアスが印加されないときには、ＰＩＮダイオ
ード４４が高抵抗となり、開放素子として働き、入力端
子４１と出力端子４２との間に電流が流れ、信号オンの
スイッチとして働く。

【０００９】しかし、この回路でも、信号オフのスイッ
チとして働くときには入力端子４１が短絡状態となるた
め、インピーダンス不整合が生じ、ＰＩＮダイオード４
４間で信号が飛び越して伝わり、十分なアイソレーショ
ンが取れないという問題がある。

【００１０】図６は、従来のＰＩＮダイオードを用いた
スイッチの第１例の回路図である。これは、特開昭５７
−１９４６２９号公報に開示された回路であって、図５
（ａ）に示す直列型スイッチのアイソレーションを改善
したものである。この回路は、直列接続された複数のＰ
ＩＮダイオード４３の入力端子４１及び出力端子４２と
接地４５との間にそれぞれＰＩＮダイオード５２、５３
と終端抵抗５４とキャパシタンス５７を接続し、さらに
終端抵抗５４とキャパシタンス５７との接続点５０、５
１をインダクタンス５８で接続して接続点５０、５１間
を高周波的に分離したものである。

【００１１】この回路において、入力端子４１と出力端
子４２との間にＰＩＮダイオード５２、５３がオンとな
るような直流バイアスを印加すると、ＰＩＮダイオード
４３はオフとなり、ＰＩＮダイオード５２、５３が低抵
抗となるため、この回路は信号オフのスイッチとして働
く。また、入力端子４１はインピーダンス整合された状
態となるため、入力端子４１または出力端子４２の電位
は一定になる。

【００１２】これにより、ＰＩＮダイオード４３を飛び
越しての結合がなくなり、アイソレーションを向上する
ことができる。これとは逆に、入力端子４１と出力端子
４２との間にＰＩＮダイオード５２、５３がオフとなる
ような直流バイアスを印加すると、ＰＩＮダイオード４
３はオンとなり、信号オンのスイッチとして働く。

【００１３】しかし、この回路では、インダクタンス５
８で接続点５０、５１間を高周波的に分離するので、ア
イソレーションは周波数に依存し、周波数が低くなれば
アイソレーションが低下するという問題がある。

【００１４】図７は、ＰＩＮダイオードを用いた減衰器
の第１の基本形を示す回路図である。入力端子６１と出
力端子６２との間にＰＩＮダイオード６３を接続し、Ｐ
ＩＮダイオード６３の両側にコンデンサＣ１２、Ｃ１３
を接続する。コンデンサＣ１２、Ｃ１３は、直流阻止用
である。また、ＰＩＮダイオード６３の両側に抵抗Ｒ１
２、Ｒ１３を接続し、抵抗Ｒ１５の端子ＩｂからＰＩＮ
ダイオード６３を通して接地へバイアス電流を流す。

【００１５】この回路では、入力端子６１から入力する
高周波信号の減衰量は、ＰＩＮダイオード６３のインピ
ーダンスによって決まる。また、ＰＩＮダイオード６３
のインピーダンスは、バイアス電流が大きいときはイン
ピーダンスが小さくなり、バイアス電流が小さいときは
インピーダンスが大きくなるから、バイアス電流を変え
ることにより減衰量を変えることができる可変減衰器が
得られる。

【００１６】しかし、 この回路において、インピーダ
ンスが大きくなると、入力端子６１の入力インピーダン
スが負荷インピーダンスと異なってきて整合が取れなく
なり、位相特性が劣化するという問題がある。

【００１７】さらに、図８は従来のＰＩＮダイオードを
用いた減衰器の第１の例の回路図である。これは、特開
昭６１−２７４５０７号公報に開示された回路であっ
て、図７に示す減衰器の整合性と位相特性を改善したも
のである。この回路には、抵抗Ｒ１２の入力側と抵抗Ｒ
１３の出力側にそれぞれ増幅器６４、６５が備えられ、
整合がとれるようにしたので、位相特性が改善される。

【００１８】一方、図９は、ＰＩＮダイオードを用いた
減衰器の第２の基本形を示す回路図である。この減衰器
は、分布定数線路８１〜８４で構成される特性インピー
ダンス５０Ωの伝送線路にＰＩＮダイオード８５を並列
に接続することにより構成される。この減衰器では、Ｐ
ＩＮダイオード８５に順バイアスを印加して通電すると
きは、図９（ｂ）に示すように、ＰＩＮダイオード８５
は数Ωの抵抗として働き、信号は反射される。逆バイア
ス時には、図９（ｃ）に示すように、ＰＩＮダイオード
８５は容量として働き、不整合により損失するだけで信
号は通過する。しかし、この減衰器では、アイソレーシ
ョンは特性インピーダンスによって決まるため、特性イ
ンピーダンスを変えることなくアイソレーションを改善
することが出来ないという問題がある。

【００１９】図１０は従来のＰＩＮダイオードを用いた
減衰器の第２の例の回路図である。これは、特開昭６４
−４９４１２号公報に開示された回路であって、図９に
示す減衰器の特性インピーダンスを変えることなくアイ
ソレーションを改善したものである。

【００２０】この減衰器では、図９に示す減衰器のＰＩ
Ｎダイオード８５の入力側及び出力側の伝送路にそれぞ
れ長さが１／４波長、インピーダンスが６１Ωの整合回
路８６〜８９が設けられる。

【００２１】この構成により、インピーダンス変成作用
によりＰＩＮダイオード８５から入力側、出力側を見た
インピーダンスは７５Ωとなり、整合回路８６〜８９の
外側の入力側及び出力側から見たインピーダンスは５０
Ωのままである。このようにＰＩＮダイオード８５から
入力側、出力側を見たインピーダンスを高くすることに
より、アイソレーションを改善することができる。しか
し、挿入損失はわずかに増える。

【００２２】図１１は従来のＰＩＮダイオードを用いた
スイッチの第２例の回路図である。このスイッチは、反
射型ＰＩＮダイオードスイッチと呼ばれるもので、任意
のバイアス値において反射波がない場合、最大減衰量が
無限大となる理想的スイッチ（減衰器）として考案され
たものである。

【００２３】この回路は、一般的には分波器カプラまた
はハイブリッドカプラと呼ばれるカプラを使用する。こ
こでは分波器カプラとして３ｄＢカプラを用いた場合に
ついて説明する。

【００２４】この回路は、入力端子１と、この入力端子
１に第１コンデンサＣ１ を介して第１端子（入力端
子）Ｔ１ が接続される３ｄＢカプラ３と、この３ｄＢ
カプラ３の第２端子（結合端子）Ｔ２ に接続される第
１ＰＩＮダイオードＤ１ と、３ｄＢカプラ３の第３端
子（出力端子）Ｔ３ に接続される第２ＰＩＮダイオー
ドＤ２ と、３ｄＢカプラ３の第４端子（出力端子）Ｔ
４に第２コンデンサＣ２ を介して接続される出力端子
２と、第１及び第２のＰＩＮダイオードＤ１ 、Ｄ２の
それぞれに設けられたバイアス回路４、５とで構成され
る。

【００２５】ここで、バイアス回路４、５は、それぞれ
インダクタンスＬ１ 、Ｌ２ 、抵抗Ｒ１ 、Ｒ２ 、コン
デンサＣ３ 、Ｃ４ で構成され、バイアス電圧供給端子
６からバイアス電圧が供給される。また、コンデンサＣ
１ 、Ｃ２ は、入力端子１から入力される高周波信号及
び出力端子２から出力される高周波信号の直流成分を遮
断するためのものである。

【００２６】次に、このＰＩＮダイオードスイッチの動
作について説明する。入力端子１に入力された高周波信
号は、３ｄＢカプラ３の第１端子Ｔ１ を経由して第２
端子Ｔ２ と第３端子Ｔ３ に約３ｄＢ低い信号レベルで
分配され、第１及び第２のＰＩＮダイオードＤ１ 、Ｄ
２ に入力される。

【００２７】ＰＩＮダイオードＤ１ 、Ｄ２ にはバイア
ス電圧供給端子６からバイアス回路４、５を通ってバイ
アス電圧が供給される。ＰＩＮダイオードＤ１ 、Ｄ２
にバイアス電圧を印加した場合、ＰＩＮダイオードに流
れる電流値によりＰＩＮダイオードの高周波抵抗が低抵
抗（約０Ω）から高抵抗（約数ｋΩ）に変化する。これ
を利用してＰＩＮダイオードの高周波抵抗が約５０Ωに
なるようにバイアスを印加したとき、ＰＩＮダイオード
スイッチはオン状態になる。

【００２８】このとき、ＰＩＮダイオードＤ１ 、Ｄ２
に入力された高周波信号は、そのほどんどがＰＩＮダイ
オードＤ１ 、Ｄ２ の高周波抵抗で終端されるが、残り
のわずかの高周波信号がＰＩＮダイオードＤ１ 、Ｄ２
で反射され、３ｄＢカプラ３の第２端子Ｔ２ と第３端
子Ｔ３ を通って第４端子Ｔ４ に出力される。

【００２９】また、３ｄＢカプラ３の第１端子Ｔ１ か
ら第４端子Ｔ４ へ流れる高周波信号がリーク成分とな
り、このリーク成分とＰＩＮダイオードＤ１ 、Ｄ２ か
らの反射波成分との合成成分が出力端子２に現われるた
めアイソレーションが低くなる。

【００３０】図１２は図１１のスイッチのアイソレーシ
ョン特性を示す図である。バイアス電圧を高くして行く
と、ＰＩＮダイオードＤ１ 、Ｄ２ の抵抗は高い値から
段々小さくなって行き、それに伴ってアイソレーション
（ｄＢ）は大きくなって行き、抵抗値が５０Ωのときア
イソレーションは最大値となり、さらにバイアス電圧を
高くして行くと、逆にアイソレーションは低下して行
く。最大アイソレーション値は、約２０ｄＢである。ア
イソレーションが約２０ｄＢで最大値になるのは、前述
の理由による。

【００３１】図１３は、図１１のスイッチの最大アイソ
レーション値における出力成分のベクトル図である。３
ｄＢカプラ３の第１端子Ｔ１ から第４端子Ｔ４ へのリ
ーク成分１０１とＰＩＮダイオードＤ１ 、Ｄ２ からの
反射波成分１０２との合成ベクトルが出力端子２に現わ
れる信号成分１０３となる。

【００３２】しかし、図１１に示した従来のスイッチ
は、理想的スイッチとして考案されたが、最大アイソレ
ーション値が約２０ｄＢ程度しか得られないという問題
がある。これは、第１及び第２のＰＩＮダイオードＤ１
、Ｄ２ からの反射特性にばらつきがあることと、３ｄ
Ｂカプラ３の第１端子Ｔ１ から第４端子Ｔ４ へのリー
ク成分があるため、その合成ベクトルが出力端子２に現
われるためである。

【００３３】そこで、本発明は、上記従来のＰＩＮダイ
オードスイッチ等における問題点に鑑みてなされたもの
であって、高いアイソレーションを有する反射型のＰＩ
Ｎダイオードスイッチを提供することを目的とする。

【００３４】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
入力端子と、この入力端子に第１コンデンサを介して第
１端子が接続する分波器カプラと、この分波器カプラの
第２端子に接続する第１ＰＩＮダイオードと、前記分波
器カプラの第３端子に接続する第２ＰＩＮダイオード
と、前記分波器カプラの第４端子に第２コンデンサを介
して接続する出力端子と、前記第１及び第２のＰＩＮダ
イオードのそれぞれに設けられたバイアス回路とを備え
たＰＩＮダイオードスイッチにおいて、前記分波器カプ
ラの第２端子と第１ＰＩＮダイオードとの間に接続する
第１整合回路と、前記分波器カプラの第３端子と第２Ｐ
ＩＮダイオードとの間に接続する第２整合回路を設けた
ことを特徴とする。

【００３５】請求項２記載の発明は、前記整合回路が、
前記ＰＩＮダイオードからの反射波成分を、前記分波器
カプラの第１端子から第４端子へのリーク成分に対して
位相が互いに逆位相となる長さに設定されていることを
特徴とする。

【００３６】請求項３記載の発明は、前記整合回路が、
可変容量コンデンサとこれに直列接続するインダクタン
スで構成されることを特徴とする。

【００３７】請求項４記載の発明は、前記整合回路が、
移相器で構成されることを特徴とする。

【００３８】そして、請求項１記載の発明によれば、整
合回路で分波器カプラの第１端子から第４端子へ流れる
信号のリークと、第１及び第２のＰＩＮダイオードから
の反射波を相殺させることができ、高いアイソレーショ
ンを有するＰＩＮダイオードスイッチを得ることができ
る。また、２個の整合回路を追加するだけでよく、従来
の他の回路に比べて回路構成が簡単な反射型ＰＩＮダイ
オードスイッチを得ることができる。

【００３９】請求項２記載の発明によれば、ＰＩＮダイ
オードからの反射波成分を、分波器カプラの第１端子か
ら第４端子へ流れる信号のリーク成分に対して位相が互
いに逆位相となる長さを有するように整合回路を設定す
るので、前記リーク成分を相殺することができ、高いア
イソレーションが得られる。

【００４０】請求項３記載の発明によれば、前記整合回
路が、可変容量コンデンサとこれに直列接続するインダ
クタンスという簡単な回路で構成でき、インピーダンス
を調整することにより反射波成分とリーク成分の位相が
互いに逆位相となるように調整することできるので、リ
ーク成分を相殺することができ、高いアイソレーション
が得られる。

【００４１】請求項４記載の発明によれば、前記整合回
路が、移相器一つで構成でき、反射波成分とリーク成分
の位相が互いに逆位相となるように容易に調整できるの
で、リーク成分を相殺することができ、高いアイソレー
ションが得られる。

【００４２】

【発明の実施の形態】次に、本発明にかかるＰＩＮダイ
オードスイッチの実施の形態の具体例を図面を参照しな
がら説明する。図１は、本発明にかかるＰＩＮダイオー
ドスイッチの一実施例の回路図であって、本実施例にお
いても分波器カプラとして３ｄＢカプラを用いる。本実
施例は、図１１に示したＰＩＮダイオードスイッチにお
いて、３ｄＢカプラ３の第２端子Ｔ２ と第１ＰＩＮダ
イオードＤ１ との間に接続する第１整合回路７と、３
ｄＢカプラ３の第３端子Ｔ３ と第２ＰＩＮダイオード
Ｄ２ との間に接続する第２整合回路８とを設けたもの
である。これ以外は図１１に示したＰＩＮダイオードス
イッチと同じである。

【００４３】図２は図１の実施例の整合回路の例を示す
回路図である。図２（ａ）に、整合回路７、８を、可変
容量コンデンサＣＶ とこれに直列接続するインダクタ
ンスＬで構成した例を示す。周波数が低い（２ＧＨｚ未
満）場合は、集中定数回路部品で構成することができる
が、周波数が高い（２ＧＨｚ以上）場合は、分布定数回
路で構成する。

【００４４】図２（ｂ）に、整合回路７、８を、移相器
９で構成した例を示す。移相器を用いた場合、回路全体
が大きくなるという問題があるが、移相器は周波数に対
して位相量のみが変化し、減衰量が変化しない伝達関数
を持っているので使い易いという利点がある。

【００４５】次に、この実施例のＰＩＮダイオードスイ
ッチの動作について説明する。入力端子１に入力された
高周波信号は、３ｄＢカプラ３の第１端子Ｔ１ を経由
して第２端子Ｔ２ と第３端子Ｔ３ に約３ｄＢ低い信号
レベルで分配され、第１及び第２の整合回路７、８を通
って第１及び第２のＰＩＮダイオードＤ１ 、 Ｄ２に入
力される。

【００４６】ＰＩＮダイオードＤ１ 、Ｄ２ にはバイア
ス電圧供給端子６からバイアス回路４、５を通ってバイ
アス電圧が供給される。ＰＩＮダイオードＤ１ 、Ｄ２
の高周波抵抗が約５０Ωになる手前のバイアス、即ち５
０Ω＋αΩを印加したときに、ＰＩＮダイオードＤ１
、Ｄ２ からの反射信号は、３ｄＢカプラ３の第２端子
Ｔ２ と第３端子Ｔ３ を通って第４端子Ｔ４ に出力さ
れる。

【００４７】インピーダンスを５０Ω＋αΩにすると反
射波成分１３がリーク成分１１と同じ大きさになる。一
方、３ｄＢカプラ３の第１端子Ｔ１ から第４端子Ｔ４
へのリーク成分も第４端子Ｔ４ に出力される。そし
て、これらの信号のベクトル合成値が出力端子２に出力
される。

【００４８】ここで、３ｄＢカプラ３の第１端子Ｔ１
から第４端子Ｔ４ への高周波のリーク成分とＰＩＮダ
イオードから反射されて第４端子Ｔ４ に出力される高
周波信号の反射成分とが、位相が１８０°異なる（逆位
相となる）ように、第１及び第２の整合回路７、８の長
さを選べば、両高周波信号は相殺されて第４端子Ｔ４か
ら高周波信号が出力されず、高いアイソレーションが得
られる。

【００４９】図３は図１のスイッチのアイソレーション
特性を示す図である。バイアス電圧を高くして行くと、
ＰＩＮダイオードＤ１ 、Ｄ２ の抵抗は高い値から段々
小さくなって行き、それに伴ってアイソレーション（ｄ
Ｂ）は大きくなって行く。ＰＩＮダイオードＤ１ 、Ｄ
２ の高周波抵抗が約５０Ωになる手前のバイアスを印
加したときに、ＰＩＮダイオードＤ１ 、Ｄ２ からの反
射信号は、３ｄＢカプラ３の第２端子Ｔ２ と第３端子
Ｔ３ を通って第４端子Ｔ４ に出力される。

【００５０】第１及び第２の整合回路７、８は、３ｄＢ
カプラ３の第１端子Ｔ１ から第４端子Ｔ４ へのリーク
成分とＰＩＮダイオードから反射波成分とが、位相が１
８０°異なる（逆位相となる）ように長さが調整されて
いるので、高周波抵抗が約５０Ωになる手前のバイアス
値（高周波抵抗値５０Ω＋αΩ）でアイソレーションは
極めて大きくなる。

【００５１】図４は図１のスイッチの最大アイソレーシ
ョン値における出力成分のベクトル図である。３ｄＢカ
プラ３の第１端子Ｔ１ から第４端子Ｔ４ へのリーク成
分を符号１１で、ＰＩＮダイオードのインピーダンスが
５０ΩのときのＰＩＮダイオードからの反射波成分を符
号１２で、ＰＩＮダイオードのインピーダンスが５０Ω
＋αΩのときのＰＩＮダイオードからの反射波成分を符
号１３で表すことにする。

【００５２】インピーダンスを５０Ω＋αΩにするの
は、反射波成分１３をリーク成分１１と同じ大きさにす
るためである。反射波成分１３は、整合回路７、８によ
ってリーク成分１１と位相が１８０°異なる（逆位相）
信号成分１４に変換される。そのため、リーク成分１１
と信号成分１４との合成ベクトルは０となり、出力端子
２に高周波信号は出力されない。

【００５３】このように、整合回路７、８によってＰＩ
ＮダイオードＤ１ 、Ｄ２ からの反射波成分を、３ｄＢ
カプラ３の第１端子Ｔ１ から第４端子Ｔ４ へのリーク
成分と位相が１８０°異なる（逆位相となる）信号に調
整することによってリーク成分を相殺し、出力端子２に
高周波信号が出力されないようにしてアイソレーション
を高めることができる。

【００５４】以上の説明は、分波器カプラとして３ｄＢ
カプラを用いた例で説明したが、本発明は３ｄＢカプラ
に限定されず、一般の分波器カプラに適用されるもので
ある。

【００５５】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明に
よれば、分波器カプラの第１端子から第４端子へ流れる
高周波信号のリーク成分と、第１及び第２のＰＩＮダイ
オードからの反射波を相殺させる整合回路を設けること
により、出力端子２の出力を０にすることができ、高い
アイソレーションを有するＰＩＮダイオードスイッチを
提供することができる。また、２個の整合回路を追加す
るだけでよく、多数の回路部品を要していた従来の他の
回路に比べて回路構成が簡単なＰＩＮダイオードスイッ
チを提供することができる。

【００５６】請求項２の発明によれば、ＰＩＮダイオー
ドからの反射波成分を、分波器カプラの第１端子から第
４端子へ流れる信号のリーク成分に対して位相が互いに
逆位相となる長さを有するように整合回路を設定するの
で、前記リーク成分を相殺することができ、高いアイソ
レーションを有するＰＩＮダイオードスイッチを提供す
ることができる。

【００５７】請求項３の発明によれば、整合回路が、可
変容量コンデンサとこれに直列接続するインダクタンス
という簡単な回路で構成でき、インピーダンスを調整す
ることにより反射波成分とリーク成分の位相が互いに逆
位相となるように調整することできるので、リーク成分
を相殺することができ、高いアイソレーションを有する
ＰＩＮダイオードスイッチを提供することができる。

【００５８】請求項４の発明によれば、整合回路が、移
相器一つで構成でき、反射波成分とリーク成分の位相が
互いに逆位相となるように容易に調整できるので、リー
ク成分を相殺することができ、高いアイソレーションを
有するＰＩＮダイオードスイッチを提供することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明にかかるＰＩＮダイオードスイッチの一
実施例を示す回路図である。

【図２】図１のＰＩＮダイオードスイッチの整合回路の
例を示す回路図である。

【図３】図１のＰＩＮダイオードスイッチのアイソレー
ション特性を示す図である。

【図４】図１のＰＩＮダイオードスイッチの最大アイソ
レーション値における出力成分のベクトル図である。

【図５】ＰＩＮダイオードを用いたスイッチの基本形を
示す回路図である。

【図６】従来のＰＩＮダイオードを用いたスイッチの第
１の例の回路図である。

【図７】ＰＩＮダイオードを用いた減衰器の第１の基本
形を示す回路図である。

【図８】従来のＰＩＮダイオードを用いた減衰器の第１
の例の回路図である。

【図９】ＰＩＮダイオードを用いた減衰器の第２の基本
形を示す回路図である。

【図１０】従来のＰＩＮダイオードを用いた減衰器の第
２の例の回路図である。

【図１１】従来のＰＩＮダイオードを用いたスイッチの
第２例の回路図である。

【図１２】図１１のスイッチのアイソレーション特性を
示す図である。

【図１３】図１１のスイッチの最大アイソレーション値
における出力成分のベクトル図である。

【符号の説明】

１ 入力端子 ２ 出力端子 ３ ３ｄＢカプラ ４、５ バイアス回路 ６ バイアス電圧供給端子 ７ 第１整合回路 ８ 第２整合回路 ９ 送相器

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 入力端子と、この入力端子に第１コンデ
   ンサを介して第１端子が接続する分波器カプラと、この
   分波器カプラの第２端子に接続する第１ＰＩＮダイオー
   ドと、前記分波器カプラの第３端子に接続する第２ＰＩ
   Ｎダイオードと、前記分波器カプラの第４端子に第２コ
   ンデンサを介して接続する出力端子と、前記第１及び第
   ２のＰＩＮダイオードのそれぞれに設けられたバイアス
   回路とを備えたＰＩＮダイオードスイッチにおいて、 前記分波器カプラの第２端子と第１ＰＩＮダイオードと
   の間に接続する第１整合回路と、 前記分波器カプラの第３端子と第２ＰＩＮダイオードと
   の間に接続する第２整合回路を設けたことを特徴とする
   ＰＩＮダイオードスイッチ。
2. 【請求項２】 前記整合回路が、前記ＰＩＮダイオード
   からの反射波成分を、前記分波器カプラの第１端子から
   第４端子へのリーク成分に対して位相が互いに逆位相と
   なる長さに設定されていることを特徴とする請求項１記
   載のＰＩＮダイオードスイッチ。
3. 【請求項３】 前記整合回路が、可変容量コンデンサと
   これに直列接続するインダクタンスで構成されることを
   特徴とする請求項１または請求項２記載のＰＩＮダイオ
   ードスイッチ。
4. 【請求項４】 前記整合回路が、移相器で構成されるこ
   とを特徴とする請求項１または請求項２記載のＰＩＮダ
   イオードスイッチ。