JPH1131760A - 樹脂封止型半導体装置及びその製法 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置及びその製法

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JPH1131760A
JPH1131760A JP20082297A JP20082297A JPH1131760A JP H1131760 A JPH1131760 A JP H1131760A JP 20082297 A JP20082297 A JP 20082297A JP 20082297 A JP20082297 A JP 20082297A JP H1131760 A JPH1131760 A JP H1131760A
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JP
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resin
semiconductor chip
lead
semiconductor device
heat sink
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Katsumi Ito
勝美 伊藤
Takahiro Onishi
高弘 大西
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HIGASHINE SHINDENGEN KK
Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd
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HIGASHINE SHINDENGEN KK
Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/541—Dispositions of bond wires
    • H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】リードが樹脂の流れる力で放熱板と接触しおこ
る絶縁不良と、樹脂の流れをスムーズにし樹脂のモ−ル
ド不良を無くした樹脂封止型半導体装置を供給するもの
である。 【解決手段】放熱板上に半導体チップを固着し、前記半
導体チップは、所定間隔をもって固定される複数のリー
ドと電気的に接続され、樹脂封止される半導体装置にお
いて、前記放熱板は半導体チップの周辺に切り欠きもし
くは穴をもうけ、前記リードと放熱板が接触することを
防止した。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本願は放熱体上に半導体チップが
固着され、かつ半導体チップがリードフレームとワイヤ
ボンディングされる樹脂封止型半導体装置及びその製法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２に従来の樹脂封止型半導体装置をし
めす。多数の素子が形成されている半導体チップは放熱
板と電気的に接着固定されている。また放熱板はサポー
トピンによりリードフレームと固定されて樹脂封止され
放熱板が外に露出しないフルモールドあるいはフルパッ
クと呼ばれる樹脂封止型半導体装置を供給する。このタ （２） イプの半導体装置は取り付けるときに絶縁物をはさんで
取り付けないでも良い利点がある。しかし、欠点として放
熱板が樹脂で覆われているため、放熱板が外にでている
タイプより放熱が悪い。そのため放熱板は樹脂封止型半
導体装置のかなり下のほうにくるよう、リードと放熱板
は接触しないように通常０,５〜０,６m程度の間隔をも
つように設計されている。
【０００３】このタイプの製品を製造するには図４の状
態のものを、上型と下型からなる一対の樹脂封止用金型
の間に、放熱板と半導体チップを接続し、リードと半導
体チップを電気的に接続してリードフレームを挟み込
み、金型の空洞部に樹脂注入口から樹脂を流し込んで(ト
ランスファーモールド)硬化後、不要なフレームを切断し
て製品化する。この時樹脂は放熱板の上の広い方に早く
流れ、放熱板の下の狭いぼうは樹脂が流れにくくなる。そ
して放熱板の上側に樹脂が先に回り込み、リードの上か
ら下に向けて力が加わりでリードと放熱板が接触して不
良品になることがあった。
【０００４】特に最近はリードの本数は増加する傾向に
あるし、パッケージは小型化の傾向にあるのでリードも
小型軽量化しリードが樹脂の圧力で放熱板と接触し、絶
縁不良となることが増えた。
【０００５】また、あらかじめ放熱板とリード先端の接
触しそうな所に樹脂を塗布し樹脂モールドする方法もあ
る。しかし、樹脂を挟む工程が余計に必要になってしま
う。また、特開平５一６７７１７のように放熱板の半導体
チップが固着される部分を領域を除く全体に絶縁物を塗
布する方法もある。しかし、これは費用もかかるし放熱
板とリードが接触しても絶縁不良を起こさない程度の絶
縁膜を塗布するのはかなり手間のかかる作業であるし、
樹脂の流れは改善されないのでモールド後エアが残った
りしてモールド不良が発生しやすくなってしまう。 （３）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】この発明は簡単な方法
で、リードが樹脂の流れる力で放熱板と接触しおこる絶
縁不良と、樹脂の流れをスムーズにし樹脂のモ−ルド不
良を無くした樹脂封止型半導体装置を供給するものであ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の一実施例
である。この発明は放熱板のリードと接触しやすい部分
をくりぬき、あるいは切り欠きをももうけモールドする
ときに凹部から下から上に樹脂が流れる力を利用するこ
とにより、リード先端を上に押上げ、樹脂封止するとき
の樹脂の流れに影響を与えることによって、リードと放
熱板が接触することを防いだ。
【０００８】
【作用】図１の矢印が樹脂の流れであり要するに放熱板
のリードと接触し易い部分に穴をもうけるか、そこに切
り欠きをもうければそこを樹脂が通るようになり、リー
ドの下から上への樹脂注入口から流れ込む樹脂の圧力が
かかるのでリードの先端に下から上にリードを押し上げ
る樹脂の圧力が加わり、放熱板とリードが接触するのを
防ぐのである。
【０００９】
【実施例】図１はこの発明の一実施例である。これは一
番重く接触し易いリードの真下部分をくりぬいた例であ
る。製造法としてはリードの垂れ下がり易い部分は切り
欠きを設けた放熱板に半導体チップを搭載する。次にワ
イヤボンディングでリードと半導体チップを接続する。
その後樹脂注入穴から樹脂を注入し、硬化後、余分な
リードフレームを切断し完成する。 （４）
【００１０】
【発明の効果】簡単な方法で放熱板とリードが接触する
不良を防止することができ産業上利用可能性大なるもの
である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明一実施例平面図
【図２】図１のＡＡ断面図
【図３】従来の樹脂封止型半導体装置平面図
【図４】図３のＡＡ断面図
【図５】樹脂封止型半導体装置斜視図
【図６】切り欠きを設けた本願放熱板一実施例
【図７】穴を設けた本願放熱板一実施例
【図８】従来の樹脂を塗布した放熱板
【符号の説明】
１ リード ２ リードフレーム ３ 半導体チヅプ ４ 放熱板 ５ ワイヤボンディング ６ 樹脂注人口 ７ 上金型 ８ 下金型 ９ サポートピン １０ 切り欠き部 １１ 穴

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 放熱板上に半導体チップを固着し、前記
    半導体チップは、所定間隔をもって固定される複数のリ
    ードと電気的に接続され、樹脂封止される半導体装置に
    おいて、前記放熱板は半導体チップの周辺に切り欠きも
    しくは穴をもうけ、前記リードと放熱板が接触すること
    を防止したことを特徴とした樹脂封止型半導体装置。
  2. 【請求項２】前記切り欠きもしくは穴を半導体チップの
    上部にもうけた請求項１記載の樹脂封止型半導体装置
  3. 【請求項３】 半導体チップを搭載する場所の上部に切
    り欠きもしくは穴をもつ放熱板上に半導体チップを固着
    し、前記半導体チップを、複数のリードと電気的に接続
    し、トランスファーモールドする樹脂封止型半導体装置
    の製造方法において、前記放熱板は前記切り欠きもしく
    は穴により樹脂の流れを良好にすると同時に前記リード
    と放熱板が接触することを防止したことを特徴とした樹
    脂封止型半導体装置の製法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN113473803A (zh) * 2021-06-30 2021-10-01 青岛海信移动通信技术股份有限公司 均温板以及终端设备
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