JPH11320174A - 炭酸ガスレーザー孔あけ用補助材料 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 銅張板に高出力の炭酸ガスレーザーを直接照
射し、小径のスルーホール用貫通孔、ビア孔を精度良
く、高速であけるための補助材料を得る。 【解決手段】 少なくとも金属粉の１種或いは２種以上
を3〜97容積％含む樹脂組成物からなる塗膜あるいはシ
ート状の補助材料を銅張板の上に配置し、この上から、
炭酸ガスレーザーの出力20〜60mJ／パルスから選ばれた
エネルギーを照射することにより、表面の銅箔に孔をあ
けるための補助材料。 【効果】 補助材料を銅箔表面に用いることにより、炭
酸ガスレーザーを直接照射して銅箔に孔をあけることが
でき、スルーホール用貫通孔、ビア孔を精度よく、高速
に形成でき、経済性の改善されたプリント配線板用の孔
を得ることができた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、少なくとも１層以上の
銅の層を有する銅張板の銅表面に、炭酸ガスレーザーを
直接照射して、孔あけするための補助材料に関する。さ
らに詳しくは、銅張板、多層板等の銅張板に、スルーホ
ール貫通孔あるいはビア孔を孔あけするための補助材料
に関する。本発明で得られる銅張板、多層板は、小径の
孔を有する、高密度の半導体プラスチックパッケージ用
小型プリント配線板等に主に使用される。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体プラスチックパッケージ等
に用いられる高密度のプリント配線板は、スルーホール
用の貫通孔をドリルであけていた。近年、ますますドリ
ルの径は小径となり、孔径が 0.15mmφ以下となってき
ており、このような小径の孔をあける場合、ドリル径が
細いため、孔あけ時にドリルが曲がる、折れる、加工速
度が遅い等の欠点があり、生産性、信頼性等に問題を生
じていた。また、炭酸ガスレーザーを照射する場合、直
接炭酸ガスレーザーを銅箔面に照射すると、レーザー光
が反射し、孔があかないため、従来は、まず表層の銅箔
を所定の大きさにエッチング等で除去し、これに炭酸ガ
スレーザーを照射して樹脂の露出した部分を加工してビ
ア孔を形成していた。この場合、100μｍ以下の小径の
孔を銅箔にエッチングであける場合、銅箔が厚いと孔径
精度が悪い等の欠点が見られた。また、スルーホール用
貫通孔をあける場合、上下の銅箔にあらかじめネガフィ
ルムを使用して所定の方法で同じ大きさの孔をあけてお
き、炭酸ガスレーザーで上下を貫通するスルーホールを
形成しようとすると、上下の孔の位置にズレを生じ、ラ
ンドが形成しにくい等の欠点があった。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上の問題
点を解決した、小径のスルーホール用貫通孔、ビア孔を
形成するための炭酸ガスレーザー用孔あけ補助材料を提
供するものである。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明は樹脂組成物の中
に、金属粉の１種或いは２種以上を3〜97容積％を含む
塗料、或いはこれを熱可塑性フィルム等に塗布してシー
ト状としたものを、総厚み30〜200μｍの厚みで銅箔表
面上に配置することにより、銅張板の銅箔の孔あけを容
易ならしめたものである。すなわち本発明は、炭酸ガス
レーザーの出力20〜60mJ／パルスから選ばれたエネルギ
ーの炭酸ガスレーザーをパルス発振により直接銅箔表面
に照射してスルーホール用貫通孔を形成するか、まず20
■60mJ/パルスの中の１つのエネルギーで銅箔を加工し
て、樹脂層まで到達した時点で止め、その後、出力を20
〜35ｍＪ／パルスにするか、或いは出力を落として、20
mJ／パルス未満、好ましくは5〜19mJ／パルスにて樹脂
層を加工し、ビア孔を形成する際に、表面の銅箔上に配
置して使用される加工用補助材料を提供する。加工用補
助材料と銅張板を交互に数枚重ね、または加工用補助材
料を１番上に置きその下に銅張板を数枚重ねて、上から
炭酸ガスレーザーで加工することも可能である。加工
後、銅箔の表面は機械的研磨でバリをとることも可能で
あるが、完全にバリを取るためには銅箔の両表面を平面
的にエッチングし、もとの金属箔の一部の厚さをエッチ
ング除去することにより、孔部に張り出した銅箔バリを
もエッチング除去し、孔周囲に銅箔が残存したスルーホ
ール用貫通孔を形成する。上記のようにして孔を形成
し、かつバリとりをすることによって、上下の孔の銅箔
位置がズレることもなくランドが形成でき、スルーホー
ルは上下曲がることもなく形成でき、且つ、銅箔が薄く
なるために、その後の金属メッキでメッキアップして得
られた表裏銅箔の細線の回路形成において、ショートや
パターン切れ等の不良の発生もなく、高密度のプリント
配線板を作成することができる。また、加工速度はメカ
ニカルドリルであける場合に比べて格段に速く、生産性
も良好で、経済性にも優れている。

【０００５】

【発明の実施の形態】本発明は、銅箔を除去できるに十
分な20〜60ｍＪ／パルスから選ばれたエネルギーの炭酸
ガスレーザーを用いて、少なくとも１層以上の、好適に
は２層以上の銅の層を有する銅張板にスルーホール用貫
通孔、ビア孔等、特に小径の孔をあける銅張板の炭酸ガ
スレーザーによる銅箔の孔あげにおいて、レーザーを照
射する銅箔面に配置される、金属粉と有機物とを混合し
た塗料あるいはシートからなる孔あけ用補助材料を提供
する。該補助材料の上から炭酸ガスレーザーを直接銅箔
表面に照射し、銅箔を加工除去することにより、スルー
ホール用貫通孔、ビア孔が形成される、あるいはその形
成が容易にされる。

【０００６】本発明で使用する銅張板は、１層以上、好
適には２層以上の銅の層を有する銅張板であり、熱硬化
性樹脂銅張積層板としては、無機、有機基材の熱硬化性
樹脂銅張積層板、その銅張積層板を内層に使用し、その
外側に樹脂付き銅箔、あるいは無機、有機基材補強熱硬
化性樹脂層を配置し、さらにその外側に、必要により銅
箔を置いて、積層成形して得られる多層板等、一般に公
知の構成の銅張板を含むものである。またポリイミドフ
ィルム、ポリパラバン酸フィルム等の耐熱性フィルムに
銅箔を接着させた銅張板、多層板等、一般に公知のもの
も使用できる。

【０００７】基材としては、一般に公知の無機、有機の
繊維の織布、不織布が使用できる。具体的には、無機繊
維としては、Ｅ，Ａ，Ｃ，Ｌ，Ｍ，Ｓ，Ｄ，Ｎ、クォー
ツガラス等が挙げられ、単独あるいは混抄で用いられ
る。有機繊維としては、全芳香族ポリアミド、液晶ポリ
エステル等が挙げられる。

【０００８】本発明で使用される熱硬化性樹脂組成物の
樹脂としては、一般に公知の熱硬化性樹脂が挙げられ
る。具体的には、エポキシ樹脂、多官能性シアン酸エス
テル樹脂、多官能性マレイミドーシアン酸エステル樹
脂、多官能性マレイミド樹脂、不飽和基含有ポリフェニ
レンエーテル樹脂等が挙げられ、１種或いは２種類以上
が組み合わせて使用される。出力の高い炭酸ガスレーザ
ー照射により加工されたスルーホール形状を適正なもの
とするためには、ガラス転移温度150℃以上の熱硬化性
樹脂組成物が好ましい。また耐湿性、耐マイグレーショ
ン性、吸湿後の電気的特性等を考慮すると多官能性シア
ン酸エステル樹脂組成物が好適である。

【０００９】本発明の好適な熱硬化性樹脂分である多官
能性シアン酸エステル化合物とは、分子内に２個以上の
シアナト基を有する化合物である。具体的に例示する
と、1,3 −又は 1,4−ジシアナトベンゼン、1,3,5 −ト
リシアナトベンゼン、1,3 −、1,4 −、1,6 −、1,8
−、2,6 −又は2,7 −ジシアナトナフタレン、1,3,6 −
トリシアナトナフタレン、4,4 −ジシアナトビフェニ
ル、ビス（４−ジシアナトフェニル）メタン、2,2 −ビ
ス (４−シアナトフェニル) プロパン、2,2 −ビス (3,
5 −ジブロモー４−シアナトフェニル) プロパン、ビス
(４−シアナトフェニル) エーテル、ビス (４−シアナ
トフェニル) チオエーテル、ビス (４−シアナトフェニ
ル) スルホン、トリス (４−シアナトフェニル) ホスフ
ァイト、トリス(４−シアナトフェニル) ホスフェー
ト、およびノボラックとハロゲン化シアンとの反応によ
り得られるシアネート類などである。

【００１０】これらのほかに特公昭 41-1928、同 43-18
468 、同 44-4791、同 45-11712 、同 46-41112 、同 4
7-26853および特開昭 51-63149号公報等に記載の多官能
性シアン酸エステル化合物類も用いられ得る。また、こ
れら多官能性シアン酸エステル化合物のシアナト基の三
量化によって形成されるトリアジン環を有する分子量40
0〜6,000のプレポリマーも使用される。このプレポリマ
ーは、上記の多官能性シアン酸エステルモノマーを、例
えば鉱酸、ルイス酸等の酸類；ナトリウムアルコラート
等、第三級アミン類等の塩基；炭酸ナトリウム等の塩類
等を触媒として重合させることにより得られる。このプ
レポリマー中には一部未反応のモノマーも含まれてお
り、モノマーとプレポリマーとの混合物の形態をしてお
り、このような原料は本発明の用途に好適に使用され
る。熱硬化性樹脂は通常これを可溶な有機溶剤に溶解さ
せて使用する。

【００１１】エポキシ樹脂としては、一般に公知のもの
が使用できる。具体的には、液状或いは固形のビスフェ
ノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ
樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾー
ルノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂；ブ
タジエン、ペンタジエン、ビニルシクロヘキセン、ジシ
クロペンチルエーテル等の二重結合をエポキシ化したポ
リエポキシ化合物類；ポリオール、水酸基含有シリコン
樹脂類とエポハロヒドリンとの反応によって得られるポ
リグリシジル化合物類等が挙げられる。これらは１種或
いは２種類以上が組み合わせて使用され得る。

【００１２】ポリイミド樹脂としては、一般に公知のも
のが使用され得る。具体的には、多官能性マレイミド類
とポリアミド類との反応物、特公昭57−005406に記載の
末端三重結合のポリイミド類が挙げられる。

【００１３】これらの熱硬化性樹脂は、単独でも使用さ
れるが、特性のバランスを考え、適宜組み合わせて使用
するのが良い。

【００１４】本発明の熱硬化性樹脂組成物には、組成物
本来の特性が損なわれない範囲で、所望に応じて種々の
添加物を配合することができる。これらの添加物として
は、不飽和ポリエステル等の重合性二重結合含有モノマ
ー類及びそのプレポリマー類；ポリブタジエン、エポキ
シ化ブタジエン、マレイン化ブタジエン、ブタジエン−
アクリロニトリル共重合体、ポリクロロプレン、ブタジ
エン−スチレン共重合体、ポリイソプレン、ブチルゴ
ム、フッ素ゴム、天然ゴム等の低分子量液状〜高分子量
のelastic なゴム類；ポリエチレン、ポリプロピレン、
ポリブテン、ポリ−４−メチルペンテン、ポリスチレ
ン、ＡＳ樹脂、ＡＢＳ樹脂、ＭＢＳ樹脂、スチレン−イ
ソプレンゴム、ポリエチレン−プロピレン共重合体、４
−フッ化エチレン−６−フッ化エチレン共重合体類；ポ
リカーボネート、ポリフェニレンエーテル、ポリスルホ
ン、ポリエステル、ポリフェニレンサルファイド等の高
分子量プレポリマー若しくはオリゴマー；ポリウレタン
等が例示され、適宜使用される。また、その他、公知の
有機の充填剤、染料、顔料、増粘剤、滑剤、消泡剤、分
散剤、レベリング剤、光増感剤、難燃剤、光沢剤、重合
禁止剤、チキソ性付与剤等の各種添加剤が、所望に応じ
て適宜組み合わせて用いられる。必要により、反応基を
有する化合物は硬化剤、触媒が適宜配合される。

【００１５】本発明の熱硬化性樹脂組成物は、それ自体
は加熱により硬化するが硬化速度が遅く、作業性、経済
性等に劣るため使用した熱硬化性樹脂に対して公知の熱
硬化触媒を用い得る。使用量は、熱硬化性樹脂100 重量
部に対して0.005〜10重量部、好ましくは0.01〜5重量部
である。

【００１６】本発明の孔あけ用補助材料中で使用する金
属粉としては、一般に公知のものが使用できる。具体的
には、チタン、鉄、銅、ニッケル、マンガン、亜鉛、コ
バルト、スズ、タングステン等の単体、あるいはその合
金が挙げられる。これらは、一種或いは二種以上が組み
合わせて使用される。炭酸ガスレーザーの照射で、金属
が孔壁等に付着して、半導体チップ、銅メッキ中の孔壁
密着性等に悪影響を及ぼさないようなものが好ましい。
Ｎａ，Ｋイオン等は、特に半導体の信頼性に悪影響を及
ぼすため、これらの金属は好適でない。銅箔表面に、補
助材料中3〜97容積％、好適には5〜95容積％以下が使用
され、通常平均粒径５μｍ以下の粉体で、有物物、特に
樹脂組成物に配合され、均一に分散される。平均粒径
は、１μｍ以下が特に好ましい。

【００１７】補助材料の有機物としとは、特に制限はし
ないが、混練して銅箔表面に塗布、乾燥した場合は、或
いは熱可塑性フィルムに塗ってシート状とした場合、剥
離欠落しないものが選択される。好ましくは、樹脂が使
用される。特に、環境あるいは加工後の銅箔表面の洗浄
等を考慮すると、水溶性の樹脂、例えばポリビニルアル
コール、ポリエステル、澱粉等が好適に使用される。

【００１８】金属化合物と樹脂からなる組成物を用いて
補助材料を作成する方法は、特に限定しないが、ニーダ
ー等で無溶剤にて高温で練り、シート状に押し出す方
法、溶剤あるいは水に溶解する樹脂組成物を用い、これ
に金属粉を加え、均一に撹拌混合し、これを塗料として
銅箔表面に塗布、乾燥して膜を形成する方法、スプレー
で銅箔面に直接吹き付ける方法、フィルムに塗布、乾燥
してシート状にする方法、有機、無機基材に含浸、乾燥
して基材入りシートとする方法等、一般に公知の方法が
使用できる。

【００１９】銅張板の最外層の銅箔は、一般に公知のも
のが使用できる。好適には厚さ３〜18μｍの電解銅箔が
使用される。

【００２０】基材補強銅張板は、まず上記基材に熱硬化
性樹脂組成物を含浸、乾燥させてＢステージとし、プリ
プレグを作成する。次に、このプリプレグを所定枚数用
い、少なくとも片面に銅箔を配置して、加熱、加圧下に
積層成形し、銅張板とする。

【００２１】銅張板或いは多層板の、炭酸ガスレーザー
を照射する面の、少なくとも孔形成位置の銅箔表面に、
金属粉3〜97容積％、好ましくは5〜95容積％含む樹脂組
成物からなる塗膜またはシートを、好適には総厚み30〜
200μｍに形成したものを配置する。この上から20〜60m
J／パルスから選ばれた高出力の１つのエネルギーの炭
酸ガスレーザー光を照射することにより、銅箔を加工し
て孔あけを行なう。

【００２２】炭酸ガスレーザーを、出力20〜60mJ／パル
スから選ばれたエネルギーを照射して孔を形成した場
合、孔周辺はバリが発生する。そのため、炭酸ガスレー
ザー照射後、銅箔の両表面を平面的にエッチングし、も
との金属箔の一部の厚さをエッチング除去することによ
り、同時にバリをもエッチング除去する。これにより、
得られた銅箔は細密パターン形成に適しており、高密度
のプリント配線板に適した孔周囲の銅箔が残存したスル
ーホール用貫通孔、またはビア孔が形成される。

【００２３】孔部に発生した銅のバリおよび表裏の銅箔
の一部をエッチング除去する方法は、特に限定はされな
い。例えば、特開平02−22887、同02−22896、同02−25
089、同02−25090、同02−59337、同02−60189、同02−
166789、同03−25995、同03−60183、同03−94491、同0
4−199592、同04−263488号公報で開示された、薬品で
金属表面を溶解除去する方法（ＳＵＥＰ法と呼ぶ）が採
用される。エッチング速度は、一般的には0.02〜1.0μ
ｍ／秒で行う。

【００２４】炭酸ガスレーザーは、赤外線波長域にある
9.3〜10.6μｍの波長が一般に使用される。出力は20〜6
0mJ／パルス、好適には22〜50mJ／パルスにて銅箔を加
工し、孔をあける。

【００２５】

【実施例】以下に実施例、比較例で本発明を具体的に説
明する。尚、特に断らない限り、「部」は重量部を表
す。

【００２６】実施例１ 2,2 −ビス（４−シアナトフェニル）プロパン900部、
ビス（４−マレイミドフェニル）メタン100部を150℃で
溶融し、撹拌しながら４時間反応させ、プレポリマーを
得た。これをメチルエチルケトンとジメチルホルムアミ
ドの混合溶剤に溶解した。これにビスフェノールＡ型エ
ポキシ樹脂（商品名：エピコート1001、油化シェルエポ
キシ＜株＞製）400部、クレゾールノボラック型エポキ
シ樹脂（商品名：ESCN−220F、住友化学工業＜株＞製）
600部を加え、均一に溶解混合した。更に触媒としてオ
クチル酸亜鉛0.4部を加え、溶解混合し、これに無機充
填（商品名：焼成タルク BST−＃200 、日本タルク＜株
＞製）500部、および黒色顔料８部を加え、均一撹拌混
合してワニスＡを得た。このワニスＡを厚さ100μｍの
ガラス織布に含浸し150℃で乾燥して、ゲル化時間（at1
70 ℃）120秒、ガラス布の含有量が54重量％のプリプレ
グ（プリプレグＢ）を作成した。厚さ12μｍの電解銅箔
を、上記プリプレグＢ４枚の上下に配置し、200℃、20k
gf/cm² 、30mmHg以下の真空下で２時間積層成形し、絶
縁層厚み400μｍの両面銅張積層板Ｃを得た。

【００２７】一方、金属として銅粉（平均粒子径：0.7
μｍ）を、ポリビニルアルコールを水に溶解したワニス
に加え、均一に撹拌混合した（ワニスＤ）。これを上記
両面銅張積層板Ｃの上に、厚さ35μｍ塗布し、110℃で3
0分間乾燥して、金属含有量10容積％の皮膜を形成し
た。この上から、間隔300μｍで、孔径100μｍの孔を90
0個直接炭酸ガスレーザーで、出力40mJ／パルスで８パ
ルス（ショット）かけ、70ブロックのスルーホール用貫
通孔をあけた（図１（１）（２））。表面の塗膜を60℃
の温水で洗浄除去し、デスミア処理後、ＳＵＥＰ法に
て、孔周辺の銅箔バリを溶解除去すると同時に、表面の
銅箔も６μｍまで溶解した（図１（３））。この板に通
常の方法にて銅メッキを15μｍ（総厚み：21μｍ）施し
た（図１（４））。この孔周辺のランド用の銅箔は全て
残存していた。この表裏に、定法にて回路（ライン／ス
ペース＝50／50μｍを200 個）、ソルダーボール用ラン
ド等を形成し、少なくとも半導体チップ搭載部、ボンデ
ィング用パッド、ハンダボール用パッドを除てメッキレ
ジストで被覆し、ニッケル、金メッキを施し、プリント
配線板を作成した。このプリント配線板の評価結果を表
１に示す。

【００２８】実施例２ ポリビニルアルコールと澱粉よりなる樹脂水溶液の中
に、金属粉（ステンレスＳＵＳ304 、平均粒子径：0.6
μｍ）を加え、均一に撹拌混合した後、これを100μｍ
のポリエチレンテレフタレートフィルムに、厚さ10μｍ
となるように塗布し、110 ℃で25分間乾燥し、金属含有
量95容積％のフィルム状補助材料Ｅとした。一方、エポ
キシ樹脂（商品名：エピコート 5045 ）700部、および
エポキシ樹脂（商品名：ESCN220F)300部、ジシアンジア
ミド35部、２−エチル−４−メチルイミダゾール１部を
メチルエチルケトンとジメチルホルムアミドの混合溶剤
に溶解、さらに焼成タルク（商品名；ＢＳＴ−＃200 ）
を800部、黒色顔料５部を加え、強制撹拌して均一分散
し、ワニスＦを得た。これを厚さ100 μｍのガラス織布
に含浸、乾燥して、ゲル化時間 150秒、ガラス布含有量
55重量％のプリプレグ（プリプレグＧ）を作成した。こ
のプリプレグＧを２枚使用し、両面に12μｍの電解銅箔
を置き、190 ℃、20kgf/cm² 、30mmHg以下の真空下で２
時間積層成形して両面銅張積層板Ｈを作成した。絶縁層
の厚みは200μｍであった。上記補助材料Ｅを１枚、そ
の下に上記銅張積層板Ｈを２枚置き、炭酸ガスレーザー
の出力30mJ／パルスにて10パルス照射し、孔径80μｍの
スルーホール用貫通孔をあけた。この表面を実施例１と
同様にＳＵＥＰ法で処理し、同様にプリント配線板とし
た。評価結果を表１に示す。

【００２９】比較例１ 実施例１の両面銅張積層板Ｃを用い、表面処理を行なわ
ずに炭酸ガスレーザーで同様に孔あけを行なったが、孔
はあかなかった。

【００３０】比較例２ 実施例１の両面銅張積層板Ｃを用い、黒のマジックで孔
あけする箇所の銅箔表面に塗り、炭酸ガスレーザーを同
様に照射したが、孔はあかなかった。

【００３１】比較例３ 実施例２において、エポキシ樹脂としてエピコート5045
単独を1,000 部使用し、他は同様にして作成した両面銅
張積層板を用い、銅箔表面に同様に補助材料Ｅを置き、
出力17mJ／パルスにて炭酸ガスレーザーで同様に50ショ
ット照射し、スルーホール用貫通孔をあけた。この孔壁
は、ガラス繊維が一部孔内に見られ、孔形状は真円では
なく、楕円形状であった。後は実施例２と同様にして銅
メッキ回路形成を行い、プリント配線板を作成した。本
例においてはＳＵＥＰ法による処理は実施しなかった。
評価結果を表１に示す。

【００３２】比較例４ 実施例１の両面銅張積層板Ｃを用い、径 100μｍのメカ
ニカルドリルにて、回転数10万rpm 、送り速度１m/min,
にて同様に300μｍ間隔で孔をあけた。後は同様に銅メ
ッキを15μｍ施し、表裏に回路形成し、同様に加工して
プリント配線板を作成した。ＳＵＥＰ法による処理は実
施しなかった。途中でドリルの折れが２本発生した。評
価結果を表１に示す。

【００３３】比較例５ 実施例１の両面銅張積層板Ｃの銅箔表面に間隔300μｍ
にて、孔径 100μｍの孔を900個、銅箔をエッチングし
てあけた（図２（１））。同様に裏面にも同じ位置に孔
径100μｍの孔を900個あけ、１パターン900個を70ブロ
ック、合計63,000の孔を、表面から炭酸ガスレーザー
で、出力40mJ／パルスにて８パルス（ショット）かけ、
スルーホール用貫通孔をあけた（図２（２））。後は比
較例４と同様にして、銅メッキを15μｍ施し（図２
（３））、表裏に回路を形成し、同様にプリント配線板
を作成した。本例においてもＳＵＥＰ法による処理は実
施しなかった。評価結果を表１に示す。

【００３４】＜測定方法＞ １）表裏孔位置のズレ及び孔あけ時間 ワークサイズ 250mm角内に、孔径100μｍの孔を、900孔
／ブロックとして70ブロック（孔数計63,000）作成し
た。炭酸ガスレーザー及びメカニカルドリルで孔あけを
行ない、１枚の銅張積層板に63,000孔をあけるに要した
時間、および表裏の孔位置のズレの最大値を示した。 ２）回路パターン切れ、およびショート 実施例、比較例で、作成したプリント配線板のライン／
スペース＝50／50μｍのパターンを拡大鏡でエッチング
後の200パターンを目視にて観察し、パターン切れ、お
よびショートしているパターンの合計を分子に示した。 ３）ガラス転移温度 ＤＭＡ法にて測定した。 ４）スルーホール・ヒートサイクル試験 各スルーホールに径200μｍのランドを作成し、900 孔
を表裏交互につなぎ、260℃・ハンダ・浸せき30秒→室
温・５分の１サイクルを、200 サイクル実施し、抵抗値
の変化率の最大値を示した。

【００３５】 表１ 項目 実施例 比較例 １ ２ ３ ４ ５ 表裏孔位置のズレ（μm) ０ ０ ０ ０ ２５ 孔の形状 円形 円形 楕円形 円形 円形 孔壁形状 直線 直線 凹凸大 直線 ほぼ直線 パターン切れと ショート（個数） 0/200 0/200 55/200 57/100 57/200 ガラス転移温度（℃） 235 160 139 235 235 スルーホール・ヒート サイクル試験（％） 2.4 3.9 25.9 2.6 5.0 孔あけ加工時間（分） 24 15 - 630 - 注：孔の形状は実施例１、２、比較例３、４においては上下とも同形であったが 、比較例５は上は円形、下は変形していた。

【００３６】

【発明の効果】本発明によれば、銅箔を炭酸ガスレーザ
ーで除去できるに十分な20〜60mJ／パルスから選ばれた
１つのエネルギーを用い、炭酸ガスレーザーをパルス発
振により直接銅箔表面に照射し、銅張板の銅箔に孔を形
成する際に銅箔表面に用いられる孔あけ用補助材料が提
供される。本発明の孔あけ用補助材料を使用することに
より、少なくとも１層以上の銅の層を有する銅張板の銅
表面に直接、高出力の１つのエネルギーの炭酸ガスレー
ザーを照射して銅箔を孔あけする際に、事前に銅箔をエ
ッチング除去する必要もなく、スルーホール用貫通孔に
おいては銅張板の表裏の孔位置のズレもなく、メカニカ
ルドリルで孔あけするのに比べて数１０倍の加工速度で
加工可能であり、生産性についても大幅に改善される。
さらに、孔あけ後の後処理で銅箔の両表面を平面的にエ
ッチングし、もとの銅箔の一部 の厚さをエッチング除
去することにより、同時に孔部に発生した銅箔のバリを
もエッチング除去でき、その後の銅メッキでメッキアッ
プして得られた表裏面銅箔の回路形成においても、ショ
ートやパターン切れ等の不良発生もなく高密度のプリン
ト配線板を作成でき、信頼性に優れた半導体パッケージ
ングが提供される。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１の炭酸ガスレーザーによるスルーホー
ル用貫通孔あけの工程図である。

【図２】比較例５の炭酸ガスレーザーによる同様の工程
図である。

【符号の説明】

ａ 金属粉含有樹脂層 ｂ 銅箔 ｃ ガラス布基材熱硬化性樹脂層 ｄ 炭酸ガスレーザーによるスルーホール貫通孔あけ
部 ｅ 発生したバリ ｆ 表裏銅箔位置のズレが生じたスルーホール貫通孔
あけ部 ｇ ＳＵＥＰ処理を行わずに銅メッキを施した貫通孔
あけ部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 加藤 禎啓 東京都葛飾区新宿６丁目１番１号 三菱瓦 斯化学株式会社東京工場内

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 銅箔を炭酸ガスレーザーで除去できるに
   十分な20〜60mJ／パルスから選ばれたエネルギーを用
   い、炭酸ガスレーザーをパルス発振により銅箔表面に照
   射し、銅張板の銅箔を加工して孔を形成する際に銅箔表
   面に用いる孔あけ用補助材料として、少なくとも、金属
   粉の１種或いは２種以上を3〜97容積％含む有機物の塗
   膜あるいはシートを使用することを特徴とする炭酸ガス
   レーザー孔あけ用補助材料。
2. 【請求項２】 塗膜あるいはシートが、総厚み30〜200
   μｍであることを特徴とする請求項１記載の孔あけ用補
   助材料。