JPH11320385A - 研磨方法及びその装置 - Google Patents

研磨方法及びその装置

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Publication number
JPH11320385A
JPH11320385A JP13091798A JP13091798A JPH11320385A JP H11320385 A JPH11320385 A JP H11320385A JP 13091798 A JP13091798 A JP 13091798A JP 13091798 A JP13091798 A JP 13091798A JP H11320385 A JPH11320385 A JP H11320385A
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JP
Japan
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polishing
work
cleaning
head
section
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Pending
Application number
JP13091798A
Other languages
English (en)
Inventor
Hidetaka Tsutsumi
英貴 堤
Noriyuki Inagaki
典之 稲垣
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Pending legal-status Critical Current

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  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 薄板状にワークに対する研磨を安定した品質
に維持すると共に、稼働率の向上、設置スペースの削減
を図る研磨方法及び装置を提供する。 【解決手段】 ワークは裏面洗浄部3を経て研磨加工部
4aに移載されてその表面が研磨された後、ワーク洗浄
部5で洗浄乾燥される。研磨加工部4aでワークを研磨
した研磨ヘッド8はヘッド洗浄部4bに移動してドレッ
シング及び洗浄を受けた後、再び研磨加工部4aに移動
して次のワークに対する研磨を実施する。ワークは洗浄
により異物の付着のない状態で研磨されると同時に清浄
化された状態に仕上げられ、研磨ヘッド8は常に一定の
状態に維持されるので研磨品質が安定する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハーや
液晶基板等の薄板状ワークを研磨する研磨装置に関する
ものある。
【0002】
【従来の技術】図5に従来技術に係る研磨装置の構成を
示す。この研磨装置は薄い円板状に形成された半導体ウ
エハーの表面を研磨することを目的として構成されてお
り、半導体ウエハー30はワークカセット32に複数枚
が収容されてワーク供給部31に供給される。第1の移
載ロボット33は前記ワークカセット32から1枚づつ
半導体ウエハー30を取り出してセンタリング部34に
移載する。半導体ウエハー30はセンタリング部34に
おいて中心位置の位置決めがなされた後、再び第1の移
載ロボット33により取り出されて仮置き部35に2枚
の半導体ウエハー30が配置されるように移載される。
この仮置き部35に配置された半導体ウエハー30は仮
置き部35のターンテーブルの回転により180度移動
した位置でワークキャリヤ36により吸着保持される。
ワークキャリヤ36はレール41上を直線移動して、仮
置き部35で吸着保持した半導体ウエハー30を研磨ス
テージ37上に移載する。この研磨ステージ37におい
て図示しない研磨ヘッドにより、その表面が研磨された
半導体ウエハー30は、再びワークキャリヤ36により
吸着保持されて仮置き部35に移載される。研磨ステー
ジ37において半導体ウエハー30が研磨されている間
に、次に研磨加工する半導体ウエハー30が仮置き部3
5のターンテーブル上に載置されているので、ターンテ
ーブルの180度回転により研磨済の半導体ウエハー3
0と未研磨の半導体ウエハー30との位置が入れ代わ
り、未研磨の半導体ウエハー30は先と同様に研磨ステ
ージ37に移載され、研磨済の半導体ウエハー30は第
1の移載ロボット33により取り出され、第2の移載ロ
ボット39に受け渡されて収容部40に収容される。
【0003】前記研磨ステージ37は、研磨の終了時に
研磨ヘッドと共にドレッシングユニット38によりドレ
ッシング及びクリーニングがなされる。このドレッシン
グ及びクリーニングは、ドレッシングユニット38から
水をかけながら研磨ステージ37及び研磨ヘッドを洗浄
すると共に研磨ヘッドのドレッシングを行うように構成
されている。また、この従来構成では、仮置き部35及
びワークキャリヤ36、研磨ステージ37は2組が並列
配置されており、第1及び第2の各移載ロボット33、
39の間で半導体ウエハー30を受渡す動作によって並
列動作ができるように構成されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術における
研磨装置の構成においては、以下に示すような課題があ
った。
【0005】(1)研磨加工時には研磨液等の飛散があ
り、その飛散による他のワークや構成要素の汚染を避け
るため、研磨加工部から他のワークや構成要素を離して
配置する必要があり、装置が大型化して設置スペースが
増大する。
【0006】(2)研磨後の研磨ヘッドに対する洗浄
は、水をかけて汚れを落とすだけなのなので研磨ヘッド
の表面状態を一定の状態に維持することが困難で、頻繁
なメンテナンスが必要となり、研磨ヘッドのメンテナン
スのために装置の稼働を停止する頻度が増加すると稼働
率が低下する。
【0007】(3)研磨ステージに搬入されるワークに
異物が付着していると、研磨時にワークの破損が生じた
り、研磨不良が発生する恐れがある。
【0008】(4)研磨処理されたワークはそのまま排
出されるので、研磨時の汚れを除去する後処理が必要で
あり、後処理が実行されるまでの時間経過により汚れの
除去が困難になる。
【0009】(5)研磨ヘッドの温度上昇の対策がなさ
れていないため、温度上昇による研磨レートの低下によ
り単位時間当たりの研磨量が減少し、一定の研磨状態を
得ることが困難である。
【0010】本発明は、上記従来技術に係る課題を解決
するために創案されたもので、一定の品質で研磨がなさ
れるように構成した研磨方法及びその装置を提供するこ
とを目的とするものである。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本願の第1発明に係る研磨方法は、薄板状に形成され
たワークの表面を研磨加工する研磨方法において、前記
ワークを研磨ステージ上に移載し、ワークの表面を研磨
ヘッドにより研磨する研磨工程を終了させた後、研磨さ
れたワークは洗浄乾燥させるワーク洗浄工程に移載し、
前記研磨ヘッドはドレッシング及び洗浄を行うヘッド洗
浄工程に移動させる一連の動作を各ワークに対する研磨
加工毎に実行するようにしたことを特徴とする。
【0012】この研磨方法によれば、研磨されたワーク
はワーク洗浄工程において洗浄されるので、研磨液等の
付着が除去された状態に仕上げられる。また、研磨ヘッ
ドはワークに対する研磨を終了させる毎にヘッド洗浄工
程においてドレッシング及び洗浄がなされるので、常に
一定の研磨品質を維持することができる。
【0013】上記研磨方法において、研磨工程に移載す
る以前に、ワークを洗浄する事前洗浄工程を実行するよ
うにすることにより、異物が付着した状態のワークが研
磨工程に移載されることがなくなる。異物が付着したワ
ークを研磨すると、薄板状のワークは研磨ヘッドの加圧
により破損したり、異物による研磨不良を発生させるこ
とになるが、この事前洗浄によりワークから異物が除去
されると同時に研磨工程に異物が持ち込まれることがな
くなる。
【0014】また、研磨工程は、研磨ステージ及び研磨
ヘッドの周囲を囲った閉鎖空間内で実施されるようにす
ることにより、研磨液等の飛散により他の構成要素が汚
染されることが防止できる。また、研磨液等の飛散の影
響をさけるために研磨工程の周囲に設けるスペースを削
減することができ、装置の大型化を抑制して設置スペー
スの削減を図ることができる。
【0015】上記目的を達成するための本願の第2発明
に係る研磨装置は、薄板状に形成されたワークの表面を
研磨加工する研磨装置において、研磨加工するワークを
供給するワーク供給部と、研磨ステージ上に配置された
ワークの表面を研磨ヘッドにより研磨する研磨加工部
と、ワークに対する研磨を行った後の前記研磨ヘッドの
ドレッシングを行うドレッシングステージ及び研磨ヘッ
ドの洗浄を行うヘッド洗浄槽とを備えたヘッド洗浄部
と、研磨されたワークの全面を洗浄すると共に乾燥させ
るワーク洗浄部と、洗浄及び乾燥が終了したワークを収
容するワーク収容部と、ワークを1枚づつ前記ワーク供
給部から前記研磨加工部、ワーク洗浄部、ワーク収容部
に移載するワーク移載手段と、前記研磨ヘッドを研磨加
工部とヘッド洗浄部との間に移動させるヘッド移動手段
とを具備してなることを特徴とする。
【0016】この構成によれば、ワークはワーク移載手
段によりワーク供給部から1枚づつ取り出されて研磨加
工部、ワーク洗浄部、ワーク収容部に各処理工程の進行
にあわせて移載される。研磨加工部でその表面が研磨さ
れたワークはワーク洗浄部で洗浄されて研磨液等が付着
しない仕上がり状態で取り出されるので、このワークを
使用した製品加工の品質を向上させることができる。ま
た、研磨終了した研磨ヘッドはヘッド移動手段によりヘ
ッド洗浄部に移動してドレッシング及び洗浄されるの
で、常に安定した研磨状態を得ることができる。
【0017】上記構成において、ワーク供給部から取り
出されたワークを研磨加工部に移載する以前に洗浄する
事前洗浄部を設けて構成することにより、ワークに付着
した異物が研磨加工部に持ち込まれることが防止され、
ワークに異物が付着した状態で研磨されたときの研磨不
良の発生が防止される。ワークは薄板状に形成されてい
るので、微細な異物が存在しても研磨ヘッドからの加圧
を受けたワークに変形が生じて、ワークが損傷したり研
磨不良を発生させることになるが、事前洗浄部を設ける
ことにより、異物の付着による不良発生が防止される。
【0018】また、研磨加工部に、研磨が実施されると
きに研磨ステージ及び研磨ヘッドの周囲を覆う遮蔽手段
を設けて構成することにより、研磨液等の飛散が遮蔽手
段により防御されるので、研磨加工部の周囲に飛散の影
響を防止するためのスペースを設ける必要がなく、装置
の大型化を抑制して設置スペースの削減を図ることがで
きる。
【0019】上記構成は、遮蔽手段で囲まれた中の空気
を排出する吸気手段を設けて構成することにより、飛散
した研磨ミスト等の粒子が吸気手段により外部に排出さ
れるので、研磨液等の飛散はより効果的に防止され、カ
バーで覆われた研磨加工部内の汚染を抑制することがで
きる。
【0020】また、ヘッド洗浄槽は、超音波洗浄手段を
備えて構成することにより、洗浄効果を高めることがで
き、より微細な汚れの除去も可能となる。
【0021】また、研磨ヘッドに、研磨ヘッド内に流体
を循環させる流体循環手段と、流体の温度を調節する温
度調節手段とを設けて構成することにより、研磨ヘッド
の温度を一定の状態に維持することが可能となり、研磨
ヘッドの温度上昇による研磨レートの低下を防止して、
常に一定の研磨状態が得られるように構成することがで
きる。
【0022】ワーク洗浄部は、ワークを洗浄する洗浄ブ
ラシ及びワークに付着した水分を飛散させる遠心脱水手
段を設けて構成することにより、研磨されたワークに付
着する研磨液や研磨粕等の異物を除去し、乾燥した状態
で取り出すことができ、このワークを使用した製品の品
質を向上させることができる。
【0023】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の一実施形態について説明し、本発明の理解に供する。
尚、以下に示す実施形態は本発明を具体化した一例であ
って、本発明の技術的範囲を限定するものではない。
【0024】図1は本実施形態に係る研磨装置の全体構
成を示すもので、半導体ウエハーを研磨対象のワークと
して、この表面を鏡面仕上げに研磨することができるよ
うに構成されている。研磨装置1は、研磨加工する複数
枚の半導体ウエハー11をワークカセット10に収容し
て供給すると共に、研磨加工が終了し洗浄された半導体
ウエハー11を収容するワーク供給収容部2と、研磨加
工部4aに移載される以前に半導体ウエハー11を洗浄
する事前洗浄部3と、半導体ウエハー11の表面を研磨
する研磨加工部4a及び研磨ヘッド8のドレッシング及
び洗浄を行うヘッド洗浄部4bを備えた研磨部4と、研
磨を終えた半導体ウエハー11を洗浄し乾燥させるワー
ク洗浄部5と、前記ワーク供給収容部2から事前洗浄部
3に半導体ウエハー11を移載すると共に、ワーク洗浄
部5で洗浄乾燥がなされて加工終了した半導体ウエハー
11をワーク供給収容部2の所定位置に収容する第1の
移載ロボット(ワーク移載手段)6と、事前洗浄部3か
ら半導体ウエハー11を研磨部4に移載すると共に、研
磨終了した半導体ウエハー11を研磨部4からワーク洗
浄部5に移載する第2の移載ロボット(ワーク移載手
段)7とを備えて構成されている。
【0025】上記研磨装置1の各部の詳細な構成を説明
すると共に、半導体ウエハー11を研磨する各工程動作
について以下に説明する。
【0026】半導体ウエハー11は複数枚をカセット1
0に収容してワーク供給収容部2に供給される。第1の
ロボット6は図示しない吸着ハンドによりカセット10
から1枚づつ半導体ウエハー11を取り出し、事前洗浄
部3に半導体ウエハー11を移載する。事前洗浄部3に
は、半導体ウエハー11を把持して昇降するチャックユ
ニット12が設けられており、チャックユニット12は
上昇位置で第1の移載ロボット6から移載された半導体
ウエハー11を受け取ると、下降して把持した半導体ウ
エハー11を事前洗浄槽13内に浸漬させる。事前洗浄
槽13は超音波洗浄等の洗浄方法により半導体ウエハー
11の裏面を主として全面に付着した異物を除去する。
半導体ウエハー11はシリコン単結晶等を約500μm
の厚さに薄くスライスして形成されており、スライス屑
などの微細な粒子が付着した状態でも、研磨加工時の加
圧や摩擦によって半導体ウエハー11に変形が生じ、半
導体ウエハー11に割れや凹凸変形が形成されて不良を
発生させる原因となる。従って、この事前洗浄部3にお
ける事前洗浄工程が実施されることによって異物の除去
がなされるので、研磨工程においての異物付着による不
良の発生を防止することができる。
【0027】事前洗浄部3で洗浄が完了した半導体ウエ
ハー11はチャックユニット12により事前洗浄槽13
から取り出され、第2の移載ロボット7の吸着ハンド7
aにより保持されて研磨加工部4aの研磨ステージ9上
に移載される。
【0028】研磨部4は、図2にその構成を単独で示す
ように、台上に研磨ステージ9、ヘッド洗浄槽14、ド
レッシングステージ15が並列配置されており、これら
の並列方向に沿って敷設されたレール16上を研磨ヘッ
ド8を搭載したヘッド駆動機構(ヘッド移動手段)17
が直線移動できるように構成されている。前記ヘッド駆
動機構17は、前記レール16上を直線移動する支持台
20に研磨ヘッド8を搭載した研磨アーム18が昇降移
動できるように支持されている。従って、研磨ヘッド8
は研磨アーム18に搭載されたモータにより回転駆動さ
れると共に、昇降移動及び水平移動することができる。
また、研磨ステージ9はその周囲を遮蔽カバー(遮蔽手
段)19で取り囲まれ、研磨時には研磨アーム18に取
り付けられた遮蔽蓋(遮蔽手段)21が前記遮蔽カバー
19の上方開放部を塞ぐことができるように構成されて
いる。
【0029】前記第2の移載ロボット7により半導体ウ
エハー11が研磨ステージ9上に移載されるときには、
支持台20は研磨ステージ9上が開放された状態になる
位置に移動しており、半導体ウエハー11が研磨ステー
ジ9上に移載されると、支持台20は研磨ヘッド8が研
磨ステージ9の上方に位置するように移動し、研磨アー
ム18を下降させて研磨ヘッド8を半導体ウエハー11
上に所定圧力で当接させる。半導体ウエハー11の表面
研磨は、半導体ウエハー11の表面と研磨ヘッド8との
間に研磨液が供給され、研磨ヘッド8の回転と研磨ステ
ージ9の回転との相対回転によりなされる。このとき、
研磨アーム18の下降により遮蔽蓋21によって遮蔽カ
バー19の上方開放部が閉じられので、研磨時に研磨液
等が周囲に飛散することがない。
【0030】研磨が終了すると、研磨アーム18は上昇
し、支持台20が移動することにより、研磨ヘッド8及
び遮蔽蓋21が研磨ステージ9上から退避するので、第
2の移載ロボット7は研磨された半導体ウエハー11を
保持してワーク洗浄部5に移載する。ワーク洗浄部5
は、昇降駆動及び回転駆動されるワーク支持台(遠心脱
水手段)22及びブラシ洗浄ユニット23を備えて構成
されており、ワーク支持台22上に半導体ウエハー11
が移載されると、これを保持して下降し、ブラシ洗浄ユ
ニット23の配設位置に半導体ウエハー11を移動させ
る。半導体ウエハー11は洗浄水が供給された状態でワ
ーク支持台22の回転とブラシ回転とにより洗浄され、
残存する研磨液や研磨粕が除去される。洗浄が終了する
とワーク支持台22は高速回転して遠心脱水により半導
体ウエハー11を乾燥させる。乾燥された半導体ウエハ
ー11を保持したワーク支持台22は上昇し、第1の移
載ロボット6はその吸着ハンドにより半導体ウエハー1
1の裏面を吸着保持してワーク供給収容部2の所定位置
に半導体ウエハー11を収容する。
【0031】一方、研磨加工部4aにおいて半導体ウエ
ハー11の研磨を終了した研磨ヘッド8は、支持台20
の移動によりヘッド洗浄部4bのドレッシングステージ
15の上方に移動する。研磨アーム18の下降によりド
レッシングステージ15上に下降した研磨ヘッド8はド
レッシングステージ15により研磨面の乱れを整形する
ドレッシング処理を受けた後、研磨アーム18の上昇、
支持台20の移動により研磨ヘッド8はヘッド洗浄槽1
4上に移動する。ヘッド洗浄槽14はその底面に超音波
発振子を具備し、槽内に満たされた洗浄液を超音波加振
するように構成されているので、研磨アーム18の下降
により研磨ヘッド8が槽内の洗浄液中に浸漬されると、
研磨ヘッド8に付着した研磨液、研磨粕等の異物が超音
波洗浄により除去される。この研磨ヘッド8のドレッシ
ング及び洗浄の間に研磨ステージ9上に次に研磨加工す
る半導体ウエハー11が移載されているので、研磨ヘッ
ド8は研磨アーム18及び支持台20の移動により研磨
ステージ9上に移動して研磨動作を実施することができ
る。このように研磨ヘッド8は、研磨終了毎にヘッド洗
浄部4bでドレッシング及び洗浄を受けるので、常に一
定の状態に維持され、安定した研磨を実施することがで
きるので、研磨品質を一定の状態に維持することができ
る。
【0032】上記構成において、研磨ヘッド8は研磨に
よる摩擦により温度上昇すると、この温度変化により研
磨レートが変化して、一定の研磨状態が維持され難くな
る。
【0033】この研磨ヘッド8の温度上昇を防止して一
定温度に保つために、研磨ヘッド8に図3に示すような
温度調節の構成を設けることができる。
【0034】図3に示すように、研磨ヘッド8を中空形
状に形成し、研磨ヘッド8の回転駆動軸8aを中心とし
て同心円状に、流体循環手段である給気筒25と排気筒
26とを配設し、吸気筒25と温度調節装置(温度調節
手段)24との間を給気パイプ28で接続し、排気筒2
6と温度調節装置24との間を排気パイプ29で接続す
る。研磨ヘッド8により研磨加工が実施されている状態
で温度調節装置24は前記給気筒25と排気筒26とを
通じて空気を循環させると共に空気温度を検出し、その
温度が研磨ヘッド8が所定温度の状態にあるときの空気
温度となるように空気の送給を制御する。この構成によ
り、研磨ヘッド8の温度は一定の状態に維持され、研磨
レートが変化しないので、研磨時間で制御される研磨状
態は一定の状態に維持される。
【0035】また、研磨ステージ9を囲む遮蔽カバー1
9には、図4に示すように吸引ポンプ27を接続して構
成することができる。遮蔽カバー19の上方開放部が遮
蔽蓋21で閉じられた研磨時の状態において、前記吸引
ポンプ27により遮蔽カバー19及び遮蔽蓋21で閉鎖
された空間内の空気を吸引することにより、研磨時に研
磨液等が飛散することがより効果的に抑えられ、閉鎖空
間内の研磨液のミストや研磨粒子の漂う空気は吸引ポン
プ27により吸い出され、外部への飛散が抑えられると
同時に閉鎖空間内の汚れが抑制される。このように研磨
ステージ9の周囲を研磨液等の飛散を防ぐように遮蔽
し、飛散ミスとの類を吸引する構成により、研磨加工工
程を少ない設置スペースに配設することができ、研磨装
置1の小型化を図ることができる。
【0036】以上説明した研磨装置は、半導体ウエハー
11の表面を研磨する構成を示したが、液晶基板等の薄
板状のワークを研磨する場合にも同様に適用することが
できる。
【0037】
【発明の効果】以上の説明の通り本発明によれば、研磨
ステージへのワークの入れ換えの間に研磨ヘッドのドレ
ッシング及び洗浄がなされ、常にメンテナンスされた状
態の研磨ヘッドにより研磨加工がなされ、また、研磨ヘ
ッドの温度を一定に保つことができるので、研磨状態が
安定し、常に品質のよい研磨加工が実施される。また、
研磨工程における研磨ミストの飛散を防止する遮蔽カバ
ー及び遮蔽蓋が設けられているので、研磨部を最小スペ
ースに構成しても研磨ミストにより他の構成要素に悪影
響を及ぼさず、装置の小型化を図ることができる。ま
た、研磨加工するワークを事前に洗浄することによっ
て、ワークに付着した異物による研磨不良の発生を防止
することができる。また、研磨後のワークは洗浄乾燥さ
れるので、研磨液や研磨粕が除去された状態に仕上げる
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施形態に係る研磨装置の構成を示す斜視図。
【図2】実施形態に係る研磨部の構成を示す斜視図。
【図3】研磨ヘッドの温度調節構造の例を示す模式図。
【図4】研磨ステージ部分の遮蔽空間から研磨ミスとを
吸引する構成例を示す模式図。
【図5】従来構成に係る研磨装置の構成を示す平面図。
【符号の説明】
1 研磨装置 2 ワーク供給収容部 3 事前洗浄部 4 研磨部 4a 研磨加工部 4b ヘッド洗浄部 5 ワーク洗浄部 6 第1の移載ロボット(ワーク移載手段) 7 第2の移載ロボット(ワーク移載手段) 8 研磨ヘッド 9 研磨ステージ 11 半導体ウエハー(ワーク) 14 ヘッド洗浄槽 15 ドレッシングステージ 17 ヘッド駆動機構(ヘッド移動手段) 19 遮蔽カバー(遮蔽手段) 21 遮蔽蓋(遮蔽手段) 22 ワーク支持台(遠心脱水手段) 23 ブラシ洗浄ユニット 24 温度調節装置(温度調節手段) 25 給気筒(流体循環手段) 26 排気筒(流体循環手段) 27 吸引ポンプ(ミスト吸引手段)

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 薄板状に形成されたワークの表面を研磨
    加工する研磨方法において、 前記ワークを研磨ステージ上に移載し、ワークの表面を
    研磨ヘッドにより研磨する研磨工程を終了させた後、ワ
    ークはこれを洗浄及び乾燥を行うワーク洗浄工程に移載
    し、前記研磨ヘッドはドレッシング及び洗浄を行うヘッ
    ド洗浄工程に移動させる一連の動作を各ワークに対する
    研磨加工毎に実施するようにしたことを特徴とする研磨
    方法。
  2. 【請求項2】 研磨工程に移載する以前に、ワークを洗
    浄する事前洗浄工程を実施するようにした請求項1記載
    の研磨方法。
  3. 【請求項3】 研磨工程が、研磨ステージ及び研磨ヘッ
    ドの周囲を囲った閉鎖空間内で実施されるようにした請
    求項1記載の研磨方法。
  4. 【請求項4】 薄板状に形成されたワークの表面を研磨
    加工する研磨装置において、 研磨加工するワークを供給するワーク供給部と、研磨ス
    テージ上に配置されたワークの表面を研磨ヘッドにより
    研磨する研磨加工部と、ワークに対する研磨を行った後
    の前記研磨ヘッドのドレッシングを行うドレッシングス
    テージ及び研磨ヘッドの洗浄を行うヘッド洗浄槽とを備
    えたヘッド洗浄部と、研磨されたワークを洗浄すると共
    に乾燥させるワーク洗浄部と、洗浄及び乾燥が終了した
    ワークを収容するワーク収容部と、ワークを1枚づつ前
    記ワーク供給部から前記研磨加工部、ワーク洗浄部、ワ
    ーク収容部に移載するワーク移載手段と、前記研磨ヘッ
    ドを研磨加工部とヘッド洗浄部との間に移動させるヘッ
    ド移動手段とを具備してなることを特徴とする研磨装
    置。
  5. 【請求項5】 ワーク供給部から取り出されたワークを
    研磨加工部に移載する以前に洗浄する事前洗浄部を設け
    て構成されてなる請求項4記載の研磨装置。
  6. 【請求項6】 研磨加工部に、研磨が実施されるときに
    研磨ステージ及び研磨ヘッドの周囲を覆う遮蔽手段が設
    けられてなる請求項4記載の研磨装置。
  7. 【請求項7】 遮蔽手段で囲まれた中の空気を排出する
    吸気手段が設けられてなる請求項6記載の研磨装置。
  8. 【請求項8】 ヘッド洗浄槽が、超音波洗浄手段を備え
    て構成されてなる請求項4記載の研磨装置。
  9. 【請求項9】 研磨ヘッドが、研磨ヘッド内に流体を循
    環させる流体循環手段と、流体の温度を調節する温度調
    節手段とを設けて構成されてなる請求項4記載の研磨装
    置。
  10. 【請求項10】 ワーク洗浄部が、ワークを洗浄する洗
    浄ブラシ及びワークに付着した水分を飛散させる遠心脱
    水手段を設けて構成されてなる請求項4記載の研磨装
    置。
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