JPH11325882A - ウェーハフラットネスデータ処理方法 - Google Patents
ウェーハフラットネスデータ処理方法Info
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- JPH11325882A JPH11325882A JP15205298A JP15205298A JPH11325882A JP H11325882 A JPH11325882 A JP H11325882A JP 15205298 A JP15205298 A JP 15205298A JP 15205298 A JP15205298 A JP 15205298A JP H11325882 A JPH11325882 A JP H11325882A
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- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 9
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 64
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウェーハの反りの大きさや平坦度などのデー
タを有機的に組み合わせることにより、ウェーハ処理プ
ロセスにおいてウェーハを吸着したときにおける平坦度
を予測できるようにしたウェーハフラットネスデータ処
理方法を提供すること。 【解決手段】 ウェーハを適宜大きさのセルに区分し、
この区分されたセルごとに平坦度と反り量とをそれぞれ
縦軸および横軸にとって、前記平坦度と反り量とを互い
に関連付けるようにした。
タを有機的に組み合わせることにより、ウェーハ処理プ
ロセスにおいてウェーハを吸着したときにおける平坦度
を予測できるようにしたウェーハフラットネスデータ処
理方法を提供すること。 【解決手段】 ウェーハを適宜大きさのセルに区分し、
この区分されたセルごとに平坦度と反り量とをそれぞれ
縦軸および横軸にとって、前記平坦度と反り量とを互い
に関連付けるようにした。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、シリコンウェー
ハなどにおける平坦度や反りなどウェーハフラットネス
のデータ処理方法に関する。ここで、ウェーハの平坦度
とは、ウェーハをチャック盤によって吸着させたときに
おけるウェーハの表面の状態を示すものであり、ウェー
ハの反りとは、ウェーハを吸着しない状態(例えば、表
面が平らで水平に保持されたベース板上に単に載置した
自然の状態)におけるウェーハの表面の状態をいうもの
であり、いずれも下記表1に示すような一定の基準のも
とに面の凹凸を表現した高さの値で評価する。
ハなどにおける平坦度や反りなどウェーハフラットネス
のデータ処理方法に関する。ここで、ウェーハの平坦度
とは、ウェーハをチャック盤によって吸着させたときに
おけるウェーハの表面の状態を示すものであり、ウェー
ハの反りとは、ウェーハを吸着しない状態(例えば、表
面が平らで水平に保持されたベース板上に単に載置した
自然の状態)におけるウェーハの表面の状態をいうもの
であり、いずれも下記表1に示すような一定の基準のも
とに面の凹凸を表現した高さの値で評価する。
【0002】
【表1】
【0003】
【従来の技術】シリコンウェーハは、棒状のシリコン単
結晶から切断、ラップ、エッチング、ポリッシングなど
の製造プロセスを経て製造されるが、これらのプロセス
処理に伴うウェーハへの影響(例えば、製造プロセス中
の応力の発生など)の評価は、従来においては、ウェー
ハの平坦度を単に測定し、この測定結果を、他の測定器
による測定結果と比較することにより行っていた。
結晶から切断、ラップ、エッチング、ポリッシングなど
の製造プロセスを経て製造されるが、これらのプロセス
処理に伴うウェーハへの影響(例えば、製造プロセス中
の応力の発生など)の評価は、従来においては、ウェー
ハの平坦度を単に測定し、この測定結果を、他の測定器
による測定結果と比較することにより行っていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、例えば
前記製造プロセスの一つである露光工程でいえば、平坦
度測定装置における真空チャック板と露光装置における
それとでは互いに異なるため、露光装置における平坦度
がどのようなものであるかが不明であり、必ずしも意味
のある結果を得られるものではなかった。例えば、ウェ
ーハに反りがないときには、ウェーハの表面の平坦度
は、ある程度、チャック盤の面精度に従うことは自明で
あり、これらの検討は意味がない。すなわち、ウェーハ
にある程度以上の反りがあり、吸着によって十分な平坦
度が得られない可能性がある場合に、それらの検討に意
味がでてくる。
前記製造プロセスの一つである露光工程でいえば、平坦
度測定装置における真空チャック板と露光装置における
それとでは互いに異なるため、露光装置における平坦度
がどのようなものであるかが不明であり、必ずしも意味
のある結果を得られるものではなかった。例えば、ウェ
ーハに反りがないときには、ウェーハの表面の平坦度
は、ある程度、チャック盤の面精度に従うことは自明で
あり、これらの検討は意味がない。すなわち、ウェーハ
にある程度以上の反りがあり、吸着によって十分な平坦
度が得られない可能性がある場合に、それらの検討に意
味がでてくる。
【0005】また、前記平坦度測定は、ウェーハを強制
的に吸着させた状態で測定を行うものであるから、ウェ
ーハ裏面に異物が存在しないようにする工程を必要と
し、そのため、製造プロセス中にウェーハの全数につい
ては行うことは困難であった。
的に吸着させた状態で測定を行うものであるから、ウェ
ーハ裏面に異物が存在しないようにする工程を必要と
し、そのため、製造プロセス中にウェーハの全数につい
ては行うことは困難であった。
【0006】この発明は、上述の事柄に留意してなされ
たもので、その目的は、ウェーハの反りの大きさや平坦
度などのデータを有機的に組み合わせることにより、ウ
ェーハ処理プロセスにおいてウェーハを吸着したときに
おける平坦度を予測できるようにしたウェーハフラット
ネスデータ処理方法を提供することである。
たもので、その目的は、ウェーハの反りの大きさや平坦
度などのデータを有機的に組み合わせることにより、ウ
ェーハ処理プロセスにおいてウェーハを吸着したときに
おける平坦度を予測できるようにしたウェーハフラット
ネスデータ処理方法を提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明のウェーハフラットネスデータ処理方法
は、ウェーハを適宜大きさのセルに区分し、この区分さ
れたセルごとに平坦度と反り量とをそれぞれ縦軸および
横軸にとって、前記平坦度と反り量とを互いに関連付け
るようにした点に特徴がある。
め、この発明のウェーハフラットネスデータ処理方法
は、ウェーハを適宜大きさのセルに区分し、この区分さ
れたセルごとに平坦度と反り量とをそれぞれ縦軸および
横軸にとって、前記平坦度と反り量とを互いに関連付け
るようにした点に特徴がある。
【0008】上記ウェーハフラットネスデータ処理方法
によれば、反り量に基づいて、ウェーハ処理プロセスに
おいてウェーハを吸着したときにおける平坦度を予測す
ることができ、製造プロセス中において測定が困難であ
る平坦度を実際の平坦度測定を行うことなく予測でき
る。そして、プロセス中における平坦度の影響を予測す
ることもできる。また、ウェーハに回路パターンを転写
する際における真空吸着の影響や真空吸着の精度を容易
に評価できる。
によれば、反り量に基づいて、ウェーハ処理プロセスに
おいてウェーハを吸着したときにおける平坦度を予測す
ることができ、製造プロセス中において測定が困難であ
る平坦度を実際の平坦度測定を行うことなく予測でき
る。そして、プロセス中における平坦度の影響を予測す
ることもできる。また、ウェーハに回路パターンを転写
する際における真空吸着の影響や真空吸着の精度を容易
に評価できる。
【0009】
【発明の実施の形態】発明の実施の形態を、図面を参照
しながら説明する。図1〜図7は、この発明の一つの実
施の形態を示すものである。まず、図1は、この発明の
ウェーハフラットネスデータ処理方法を実施するための
構成を概略的に示すもので、この図1において、1は平
坦度測定装置、2は反り測定装置、3は両測定装置1,
2から入力される平坦度データおよび反りデータを適宜
処理するためのデータ処理部で、例えばパソコンであ
る。
しながら説明する。図1〜図7は、この発明の一つの実
施の形態を示すものである。まず、図1は、この発明の
ウェーハフラットネスデータ処理方法を実施するための
構成を概略的に示すもので、この図1において、1は平
坦度測定装置、2は反り測定装置、3は両測定装置1,
2から入力される平坦度データおよび反りデータを適宜
処理するためのデータ処理部で、例えばパソコンであ
る。
【0010】そして、前記平坦度測定装置1は、図2に
示すように構成されている。すなわち、4は測定対象で
あるウェーハ5を載置し、これを真空吸着するチャック
盤で、二次元走査機構(図示していない)によってX方
向(図2において左右方向)とこれに直交するY方向
(図2において紙面に垂直な方向)との二次元方向に移
動するように構成されている。そして、このチャック盤
4の上方には、測定用のレーザ光6を発するレーザ光源
7、レンズ8、ハーフミラー9、コリメータレンズ1
0、参照板11をこの順に上から下に設けるとともに、
ハーフミラー9によって分割された光路側に光検出部と
してのCCDカメラ12を設けてなるものである。
示すように構成されている。すなわち、4は測定対象で
あるウェーハ5を載置し、これを真空吸着するチャック
盤で、二次元走査機構(図示していない)によってX方
向(図2において左右方向)とこれに直交するY方向
(図2において紙面に垂直な方向)との二次元方向に移
動するように構成されている。そして、このチャック盤
4の上方には、測定用のレーザ光6を発するレーザ光源
7、レンズ8、ハーフミラー9、コリメータレンズ1
0、参照板11をこの順に上から下に設けるとともに、
ハーフミラー9によって分割された光路側に光検出部と
してのCCDカメラ12を設けてなるものである。
【0011】上記構成の平坦度測定装置1においては、
レーザ光源7からレーザ光6を照射したとき、CCDカ
メラ12において生ずる干渉縞を解析することによっ
て、ウェーハ5における平坦度が得られる。
レーザ光源7からレーザ光6を照射したとき、CCDカ
メラ12において生ずる干渉縞を解析することによっ
て、ウェーハ5における平坦度が得られる。
【0012】また、前記反り測定装置2は、図3および
図4に示すように構成されている。すなわち、図3にお
いて、13はウェーハ5を単に載置するための水平な保
持ベースで、その上方には、レーザ光14を発するレー
ザ光源15、レーザ光14を平行光にするためのレンズ
16、図4(A)に示すように、複数の孔17を方形に
配置したパターン18が形成されたマスク19、ハーフ
ミラー20をこの順に上から下に設けるとともに、ハー
フミラー20によって分割された光路側に、集光レンズ
21を介して光検出部としてのCCDカメラ22を設け
てなるものである。
図4に示すように構成されている。すなわち、図3にお
いて、13はウェーハ5を単に載置するための水平な保
持ベースで、その上方には、レーザ光14を発するレー
ザ光源15、レーザ光14を平行光にするためのレンズ
16、図4(A)に示すように、複数の孔17を方形に
配置したパターン18が形成されたマスク19、ハーフ
ミラー20をこの順に上から下に設けるとともに、ハー
フミラー20によって分割された光路側に、集光レンズ
21を介して光検出部としてのCCDカメラ22を設け
てなるものである。
【0013】上記構成の反り測定装置2においては、レ
ーザ光源15を発したレーザ光14は、レンズ16を通
過して平行光となり、この平行光はマスク19の孔17
を通過し、さらに、ハーフミラー20を透過してウェー
ハ5の表面に垂直に入射し、ここで反射した光の一部
は、ハーフミラー20を透過するが、他の光はハーフミ
ラー20において反射されて、集光レンズ21を透過し
てCCDカメラ22に入射する。
ーザ光源15を発したレーザ光14は、レンズ16を通
過して平行光となり、この平行光はマスク19の孔17
を通過し、さらに、ハーフミラー20を透過してウェー
ハ5の表面に垂直に入射し、ここで反射した光の一部
は、ハーフミラー20を透過するが、他の光はハーフミ
ラー20において反射されて、集光レンズ21を透過し
てCCDカメラ22に入射する。
【0014】そして、ウェーハ5が、図3において実線
で示すように平坦(フラット)な場合、CCDカメラ2
2において得られる像は、図4(A)に示したマスク1
9のパターン18と同じものが得られるが、ウェーハ5
が、図3において仮想線で示すように、その一部が上方
に撓むなどしてフラットでない場合には、CCDカメラ
22において得られる像は、図4(B)に示すように、
歪んだものとなる。そして、この歪んだ画像における歪
み量を積分することにより、ウェーハ5の反り具合を定
量的に求めることができる。なお、図4(B)におい
て、符号17aは歪んだ孔を示している。
で示すように平坦(フラット)な場合、CCDカメラ2
2において得られる像は、図4(A)に示したマスク1
9のパターン18と同じものが得られるが、ウェーハ5
が、図3において仮想線で示すように、その一部が上方
に撓むなどしてフラットでない場合には、CCDカメラ
22において得られる像は、図4(B)に示すように、
歪んだものとなる。そして、この歪んだ画像における歪
み量を積分することにより、ウェーハ5の反り具合を定
量的に求めることができる。なお、図4(B)におい
て、符号17aは歪んだ孔を示している。
【0015】なお、図示していないが、平坦度測定装置
1および反り測定装置2には、それぞれ、装置全体を制
御したり、測定データを記憶する機能を有する演算制御
部が設けられており、これらの演算制御部はデータ処理
部としてのパソコン3と信号を授受できるように構成さ
れている。
1および反り測定装置2には、それぞれ、装置全体を制
御したり、測定データを記憶する機能を有する演算制御
部が設けられており、これらの演算制御部はデータ処理
部としてのパソコン3と信号を授受できるように構成さ
れている。
【0016】次に、上記構成の装置を用いてウェーハフ
ラットネスデータを処理する手法について、図5〜図7
をも参照しながら説明する。図5は、測定対象であるウ
ェーハ5の一例を示している。このウェーハ5は、適宜
大きさの矩形状(図示例では正方形)の複数の領域(こ
れをセルという)23に区画されている。
ラットネスデータを処理する手法について、図5〜図7
をも参照しながら説明する。図5は、測定対象であるウ
ェーハ5の一例を示している。このウェーハ5は、適宜
大きさの矩形状(図示例では正方形)の複数の領域(こ
れをセルという)23に区画されている。
【0017】まず、ウェーハ5の平坦度を平坦度測定装
置1を用いて測定するに際して、ウェーハ5をチャック
盤4に載置する。このとき、ウェーハ5における各セル
23の位置は、ウェーハ5のオリエンテーションフラッ
ト24またはノッチ25を基準としてデータ処理部3に
記憶される。
置1を用いて測定するに際して、ウェーハ5をチャック
盤4に載置する。このとき、ウェーハ5における各セル
23の位置は、ウェーハ5のオリエンテーションフラッ
ト24またはノッチ25を基準としてデータ処理部3に
記憶される。
【0018】そして、前記チャック4上のウェーハ5を
真空吸着し、ウェーハ5における各点における面の高さ
を測定し、表1に例示した基準に基づいて各点の高さ
(平坦度データ)を計算で求める。この平坦度データ
は、データ処理部3に送られ、記憶される。
真空吸着し、ウェーハ5における各点における面の高さ
を測定し、表1に例示した基準に基づいて各点の高さ
(平坦度データ)を計算で求める。この平坦度データ
は、データ処理部3に送られ、記憶される。
【0019】次に、前記ウェーハ5を反り量を反り測定
装置2を用いて測定するが、このとき、前記平坦度測定
において記憶しておいた位置データに合うように、ウェ
ーハ5を保持ベース13上にセットし、前記平坦度測定
を行った各点における反りの高さを測定し、表1に例示
した基準に基づいて各点の高さ(反りデータ)を計算で
求める。この反りデータは、データ処理部3に送られ、
記憶される。
装置2を用いて測定するが、このとき、前記平坦度測定
において記憶しておいた位置データに合うように、ウェ
ーハ5を保持ベース13上にセットし、前記平坦度測定
を行った各点における反りの高さを測定し、表1に例示
した基準に基づいて各点の高さ(反りデータ)を計算で
求める。この反りデータは、データ処理部3に送られ、
記憶される。
【0020】図6は、前記基準として「表面基準」のう
ちの最小自乗平面基準を採用した場合を説明するための
図で、この例では、一つのセル23AにおけるGFLR
(最大値−最小値)の求め方を示しており、この図にお
いて、26はセル23における最小自乗平面、P1 ,P
2 はそれぞれ最小自乗平面26に対するプラス側最大値
を示す点、マイナス側最小値を示す点である。
ちの最小自乗平面基準を採用した場合を説明するための
図で、この例では、一つのセル23AにおけるGFLR
(最大値−最小値)の求め方を示しており、この図にお
いて、26はセル23における最小自乗平面、P1 ,P
2 はそれぞれ最小自乗平面26に対するプラス側最大値
を示す点、マイナス側最小値を示す点である。
【0021】そして、前記各セル23におけるローカル
スロープ(LS)を求める。一般に、平坦度は反りに比
べて面の歪みが小さいが、前記LSで平坦度を表すと
き、一つ一つの凹凸より全体の反り(曲がり)の方がL
Sの値に反映される。セル23の幅は一定であるから、
LSが各セル23における反りの曲率の大きさを反映し
ていることとなる。
スロープ(LS)を求める。一般に、平坦度は反りに比
べて面の歪みが小さいが、前記LSで平坦度を表すと
き、一つ一つの凹凸より全体の反り(曲がり)の方がL
Sの値に反映される。セル23の幅は一定であるから、
LSが各セル23における反りの曲率の大きさを反映し
ていることとなる。
【0022】図7は、反りを有するウェーハ5における
反り量と平坦度との関係を示すもので、この図におい
て、横軸は反り量を、縦軸は平坦度を示している。そし
て、横軸において右方へいくほど反りが大きくなり、ま
た、縦軸において上方へいくほど平坦度が悪くなる。そ
して、この図7は、前記平坦度測定と反り測定とにおい
て得られた同じ地点の平坦度データと反りデータとを対
応するようにして、それぞれ縦軸、横軸にプロットする
ことによって得られる。
反り量と平坦度との関係を示すもので、この図におい
て、横軸は反り量を、縦軸は平坦度を示している。そし
て、横軸において右方へいくほど反りが大きくなり、ま
た、縦軸において上方へいくほど平坦度が悪くなる。そ
して、この図7は、前記平坦度測定と反り測定とにおい
て得られた同じ地点の平坦度データと反りデータとを対
応するようにして、それぞれ縦軸、横軸にプロットする
ことによって得られる。
【0023】前記図7により、ウェーハ5の曲率と高さ
の状態から、チャック盤4にウェーハ5を吸着した際、
ウェーハ5の平坦度にどの様に影響するかを推測するこ
とができる。
の状態から、チャック盤4にウェーハ5を吸着した際、
ウェーハ5の平坦度にどの様に影響するかを推測するこ
とができる。
【0024】すなわち、平坦度測定装置1に比べて、よ
り簡易に測定を行うことができる反り測定装置2の測定
結果に基づいて、例えば露光工程でのチャック盤上にお
けるウェーハ5の表面の凹凸の状態を推測することがで
きる。
り簡易に測定を行うことができる反り測定装置2の測定
結果に基づいて、例えば露光工程でのチャック盤上にお
けるウェーハ5の表面の凹凸の状態を推測することがで
きる。
【0025】また、ウェーハ5は、その各種の製造工程
においてチャックされるが、上記したデータを用いるこ
とにより、ウェーハ5を吸着したときの平坦度を予測す
ることができ、それらのプロセス中における平坦度の影
響を予測することも可能になる。例えば、ウェーハ5へ
の回路パターンを転写する際における真空吸着の影響や
真空吸着の精度を容易に評価することができる。
においてチャックされるが、上記したデータを用いるこ
とにより、ウェーハ5を吸着したときの平坦度を予測す
ることができ、それらのプロセス中における平坦度の影
響を予測することも可能になる。例えば、ウェーハ5へ
の回路パターンを転写する際における真空吸着の影響や
真空吸着の精度を容易に評価することができる。
【0026】この発明は、上述の実施の形態に限られる
ものではなく、例えば、ウェーハ5の平坦度や反り量を
測定するときに用いる基準としては、表1に掲げた各種
の基準を適宜用いてもよく、また、これ以外の基準を用
いることもできる。
ものではなく、例えば、ウェーハ5の平坦度や反り量を
測定するときに用いる基準としては、表1に掲げた各種
の基準を適宜用いてもよく、また、これ以外の基準を用
いることもできる。
【0027】また、平坦度や反り量を測定する装置とし
ては、上記例示した装置1,2以外のものを用いてもよ
いことはいうまでもない。
ては、上記例示した装置1,2以外のものを用いてもよ
いことはいうまでもない。
【0028】
【発明の効果】この発明のウェーハフラットネスデータ
処理方法においては、ウェーハに関する平坦度と反り量
とを有機的に関連づけるようにしているので、ウェーハ
処理プロセスにおいてウェーハを吸着したときにおける
平坦度を予測できるようになり、ウェーハの平坦度を実
際に測定する必要がなくなり、ウェーハの製造工程にお
ける煩雑な平坦度測定工程を省略または大幅に少なくす
ることができる。
処理方法においては、ウェーハに関する平坦度と反り量
とを有機的に関連づけるようにしているので、ウェーハ
処理プロセスにおいてウェーハを吸着したときにおける
平坦度を予測できるようになり、ウェーハの平坦度を実
際に測定する必要がなくなり、ウェーハの製造工程にお
ける煩雑な平坦度測定工程を省略または大幅に少なくす
ることができる。
【0029】そして、上記ウェーハフラットネスデータ
処理方法を有効に利用することにより、品質に優れたウ
ェーハを大量にしかも安価に製造することができる。
処理方法を有効に利用することにより、品質に優れたウ
ェーハを大量にしかも安価に製造することができる。
【図1】この発明のウェーハフラットネスデータ処理方
法を実施するための構成を概略的に示す図である。
法を実施するための構成を概略的に示す図である。
【図2】平坦度測定装置の一例を概略的に示す図であ
る。
る。
【図3】反り測定装置の一例を概略的に示す図である。
【図4】前記反り測定装置の動作を説明するための図で
ある。
ある。
【図5】ウェーハの一例を示す平面図である。
【図6】平坦度測定を説明するための図である。
【図7】反り量と平坦度との関係の一例を示す図であ
る。
る。
5…ウェーハ、23…セル。
Claims (1)
- 【請求項1】 ウェーハを適宜大きさのセルに区分し、
この区分されたセルごとに平坦度と反り量とをそれぞれ
縦軸および横軸にとって、前記平坦度と反りとを互いに
関連付けるようにしたことを特徴とするウェーハフラッ
トネスデータ処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15205298A JPH11325882A (ja) | 1998-05-16 | 1998-05-16 | ウェーハフラットネスデータ処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15205298A JPH11325882A (ja) | 1998-05-16 | 1998-05-16 | ウェーハフラットネスデータ処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11325882A true JPH11325882A (ja) | 1999-11-26 |
Family
ID=15532004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15205298A Pending JPH11325882A (ja) | 1998-05-16 | 1998-05-16 | ウェーハフラットネスデータ処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11325882A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100655446B1 (ko) | 2005-10-14 | 2006-12-08 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 휨 시뮬레이션 방법 |
| US7679122B2 (en) | 2005-09-16 | 2010-03-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device including source strapping line |
-
1998
- 1998-05-16 JP JP15205298A patent/JPH11325882A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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