JPH11329761A - 放電灯装置 - Google Patents
放電灯装置Info
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- JPH11329761A JPH11329761A JP12629298A JP12629298A JPH11329761A JP H11329761 A JPH11329761 A JP H11329761A JP 12629298 A JP12629298 A JP 12629298A JP 12629298 A JP12629298 A JP 12629298A JP H11329761 A JPH11329761 A JP H11329761A
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- Japan
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- ballast case
- core
- closed magnetic
- magnetic circuit
- gap
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- Y02B20/204—
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 放電灯装置におけるバラストケースを薄型化
した場合に、性能の低下を防ぐ。 【解決手段】 バラストケース１０内に収納されたスタ
ータトランス１のコア１ａの断面積Ｓとバラストケース
１０の内側高さＨが、Ｈ≦−０．００１５・Ｓ2＋０．
５４・Ｓ−１１．４９の関係を満たし、コアとして閉磁
路コア１ａを用いた。また、閉磁路コア１ａのギャップ
１ｃをバラストケース１０内の中央側に設けた。
した場合に、性能の低下を防ぐ。 【解決手段】 バラストケース１０内に収納されたスタ
ータトランス１のコア１ａの断面積Ｓとバラストケース
１０の内側高さＨが、Ｈ≦−０．００１５・Ｓ2＋０．
５４・Ｓ−１１．４９の関係を満たし、コアとして閉磁
路コア１ａを用いた。また、閉磁路コア１ａのギャップ
１ｃをバラストケース１０内の中央側に設けた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高圧放電灯を点灯
する放電灯装置に関し、特に車両の前照灯に用いて好適
なるものである。
する放電灯装置に関し、特に車両の前照灯に用いて好適
なるものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、高圧放電灯（以下、ランプとい
う）を車両用前照灯に適用し、バラスト（ランプの点灯
回路）によりランプを交流点灯させるようにしたものが
種々提案されている。ここで、ランプの点灯始動時に
は、スタータトランスを用いて２０ｋＶ程度の電圧を
得、その２０ｋＶ程度の電圧によりランプの電極間に容
量放電を生じさせてアークを形成し、その後安定点灯に
移行させるようにしている。
う）を車両用前照灯に適用し、バラスト（ランプの点灯
回路）によりランプを交流点灯させるようにしたものが
種々提案されている。ここで、ランプの点灯始動時に
は、スタータトランスを用いて２０ｋＶ程度の電圧を
得、その２０ｋＶ程度の電圧によりランプの電極間に容
量放電を生じさせてアークを形成し、その後安定点灯に
移行させるようにしている。
【０００３】上記したバラストのケースは、前照灯のハ
ウジング外に配置されている。すなわち、図７に示すよ
うに、バラストケース１０は、前照灯のハウジング１１
の外側に取り付けられており、バラストケース１０から
配線１２を介してランプ１３に電気的に接続されてい
る。なお、１４はリフレクタである。
ウジング外に配置されている。すなわち、図７に示すよ
うに、バラストケース１０は、前照灯のハウジング１１
の外側に取り付けられており、バラストケース１０から
配線１２を介してランプ１３に電気的に接続されてい
る。なお、１４はリフレクタである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、バラ
ストケース１０を前照灯のハウジング１１の外側に取り
付けると、その取り付けのためのスペースをハウジング
１１外に確保しなければならない。そこで、図８に示す
ように、バラストケース１０を前照灯のハウジング１１
内に配置することが考えられる。この場合、ハウジング
１１内の狭いスペースに適合させるためには、バラスト
ケース１０を薄型化する必要がある。
ストケース１０を前照灯のハウジング１１の外側に取り
付けると、その取り付けのためのスペースをハウジング
１１外に確保しなければならない。そこで、図８に示す
ように、バラストケース１０を前照灯のハウジング１１
内に配置することが考えられる。この場合、ハウジング
１１内の狭いスペースに適合させるためには、バラスト
ケース１０を薄型化する必要がある。
【０００５】しかしながら、バラストケース１０を薄型
化すると、バラストケース１０内に収納されているスタ
ータトランスの性能が低下するという問題が生じる。す
なわち、スタータトランスとしては、開磁路タイプのも
のが用いられており、バラストケース１０は、電磁波を
シールドするためアルミニウムなどの導電体で構成され
ているため、バラストケース１０を薄型化すると、漏れ
磁束が多くなり、大幅に性能が低下する。以下、この点
について説明する。
化すると、バラストケース１０内に収納されているスタ
ータトランスの性能が低下するという問題が生じる。す
なわち、スタータトランスとしては、開磁路タイプのも
のが用いられており、バラストケース１０は、電磁波を
シールドするためアルミニウムなどの導電体で構成され
ているため、バラストケース１０を薄型化すると、漏れ
磁束が多くなり、大幅に性能が低下する。以下、この点
について説明する。
【０００６】図９（ａ）に、スタータトランス１をバラ
ストケース１０内に収納した状態を示す。また、図９
（ｂ）に、図９（ａ）のＤ−Ｄ断面状態を示す。スター
タトランス１は、コア１ａにコイル１ｂが巻かれた開磁
路タイプのもので、コイル１ｂには、図９（ａ）中の実
線の矢印で示す方向に電流が流れている。このとき、図
９（ｂ）に示す矢印方向に磁束が形成されている。そし
て、巻線部有効磁束をφ１、バラストケース１０内の磁
束をφ２、バラストケース１０外に漏れる磁束をφ３と
すると、φ１＝φ２＋φ３となる。
ストケース１０内に収納した状態を示す。また、図９
（ｂ）に、図９（ａ）のＤ−Ｄ断面状態を示す。スター
タトランス１は、コア１ａにコイル１ｂが巻かれた開磁
路タイプのもので、コイル１ｂには、図９（ａ）中の実
線の矢印で示す方向に電流が流れている。このとき、図
９（ｂ）に示す矢印方向に磁束が形成されている。そし
て、巻線部有効磁束をφ１、バラストケース１０内の磁
束をφ２、バラストケース１０外に漏れる磁束をφ３と
すると、φ１＝φ２＋φ３となる。
【０００７】このとき、バラストケース１０内の総磁束
はφ１−φ２（＝φ３）となり、導電体であるバラスト
ケース１０には、φ１−φ２を打ち消す方向（図９
（ａ）中の点線の矢印で示す方向）に渦電流が流れる。
従って、スタータトランス１に有効な磁束は、約（φ１
−φ３）となり、バラストケース１０の外への漏れ磁束
量に応じて性能が低下する。この場合、１次昇圧回路の
追加、充電用コンデンサ容量の増大等の対策をとらざる
を得ず、性能確保のためのコストアップが大きくなる。
はφ１−φ２（＝φ３）となり、導電体であるバラスト
ケース１０には、φ１−φ２を打ち消す方向（図９
（ａ）中の点線の矢印で示す方向）に渦電流が流れる。
従って、スタータトランス１に有効な磁束は、約（φ１
−φ３）となり、バラストケース１０の外への漏れ磁束
量に応じて性能が低下する。この場合、１次昇圧回路の
追加、充電用コンデンサ容量の増大等の対策をとらざる
を得ず、性能確保のためのコストアップが大きくなる。
【０００８】このような問題に対し、スタータトランス
１として閉磁路タイプのものを用いれば、上記した磁束
φ３の割合を減少させることができ、性能低下を防ぐこ
とができる。しかし、閉磁路タイプのものでも、磁気飽
和を防ぐために閉磁路コアにギャップが設けられている
ため、そのギャップ部分による漏れ磁束によって性能が
低下する場合があり得る。
１として閉磁路タイプのものを用いれば、上記した磁束
φ３の割合を減少させることができ、性能低下を防ぐこ
とができる。しかし、閉磁路タイプのものでも、磁気飽
和を防ぐために閉磁路コアにギャップが設けられている
ため、そのギャップ部分による漏れ磁束によって性能が
低下する場合があり得る。
【０００９】本発明は上記問題に鑑みたもので、バラス
トケースを薄型化した場合に、コストアップとなること
なく性能低下を防ぐことを第１の目的とする。また、ス
タータトランストとして閉磁路タイプのものとした場合
に、性能低下が生じないようにすることを第２の目的と
する。
トケースを薄型化した場合に、コストアップとなること
なく性能低下を防ぐことを第１の目的とする。また、ス
タータトランストとして閉磁路タイプのものとした場合
に、性能低下が生じないようにすることを第２の目的と
する。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記した閉
磁路タイプのものにおいて閉磁路コアのギャップ部分の
漏れ磁束評価を行った。ギャップ部分の磁路を計算する
方法として、簡単な幾何学的図形に限定するＲｏｔｅｒ
ｓのパーミアンス計算式がある。そこで、ギャップ部分
の磁路を、図１０に示すように、５箇所に分けて考え
る。なお、図１０において、（ａ）は斜視状態、（ｂ）
は断面状態を示している。各磁路のパーミアンスＰ１〜
Ｐ５（Ｐ１は半円柱部分、Ｐ２は半中空円柱部分、Ｐ３
は４分球部分、Ｐ４は４分球殻、Ｐ５は対向部分におけ
る磁路のパーミアンス）は、空気の透磁率をμ0 とする
と、数式１〜数式５で表される。
磁路タイプのものにおいて閉磁路コアのギャップ部分の
漏れ磁束評価を行った。ギャップ部分の磁路を計算する
方法として、簡単な幾何学的図形に限定するＲｏｔｅｒ
ｓのパーミアンス計算式がある。そこで、ギャップ部分
の磁路を、図１０に示すように、５箇所に分けて考え
る。なお、図１０において、（ａ）は斜視状態、（ｂ）
は断面状態を示している。各磁路のパーミアンスＰ１〜
Ｐ５（Ｐ１は半円柱部分、Ｐ２は半中空円柱部分、Ｐ３
は４分球部分、Ｐ４は４分球殻、Ｐ５は対向部分におけ
る磁路のパーミアンス）は、空気の透磁率をμ0 とする
と、数式１〜数式５で表される。
【００１１】
【数１】Ｐ１＝２・０．２６・μ0 ・（ａ＋ｂ）
【００１２】
【数２】Ｐ２＝２・μ0 ・（ａ＋ｂ）／π・ｌｎ（１＋
２・Ｘ／ｇ）
２・Ｘ／ｇ）
【００１３】
【数３】Ｐ３＝４・０．０７７・μ0 ・ｇ
【００１４】
【数４】Ｐ４＝μ0 ・Ｘ
【００１５】
【数５】Ｐ５＝μ0 ・ａ・ｂ／ｇ 各磁路を通る磁束の割合は、各磁路が並列につながって
いるとすると、上記パーミアンスの比率に比例する。こ
こで、バラストケース１０を薄型化した場合、最外殻と
なるＰ２、Ｐ４部分がバラストケース１０外を通るよう
になり、性能低下を磁束比率で見積もることができる。
この場合、その性能低下の見積もりはＸの取り方によっ
て左右されるが、Ｘとしては漏れ磁束として影響がでる
最大値２０ｍｍに設定した。また、ギャップの大きさｇ
が大きくなると、Ｐ１、Ｐ３部分の磁束も漏れ磁束とな
り、更に性能低下が大きくなる。ｇ≫ａ、ｂとすれば、
性能低下割合がほぼ飽和し、開磁路での性能低下を見積
もることもできる。
いるとすると、上記パーミアンスの比率に比例する。こ
こで、バラストケース１０を薄型化した場合、最外殻と
なるＰ２、Ｐ４部分がバラストケース１０外を通るよう
になり、性能低下を磁束比率で見積もることができる。
この場合、その性能低下の見積もりはＸの取り方によっ
て左右されるが、Ｘとしては漏れ磁束として影響がでる
最大値２０ｍｍに設定した。また、ギャップの大きさｇ
が大きくなると、Ｐ１、Ｐ３部分の磁束も漏れ磁束とな
り、更に性能低下が大きくなる。ｇ≫ａ、ｂとすれば、
性能低下割合がほぼ飽和し、開磁路での性能低下を見積
もることもできる。
【００１６】このようにしてギャップ部分の漏れ磁束評
価を行い、性能低下についてコアの断面積Ｓ（ｍｍ2 ）
とバラストケース１０の内側高さＨ（ｍｍ）の関係につ
いて調べた。なお、コア断面積Ｓとバラストケース内側
高さＨを図１１に示す。コア断面積Ｓを一定とした場
合、バラストケース内側高さＨが小さくなるほど性能が
低下し、逆にバラストケース内側高さＨを一定とした場
合、コア断面積Ｓが大きくなるほど、性能が低下する。
価を行い、性能低下についてコアの断面積Ｓ（ｍｍ2 ）
とバラストケース１０の内側高さＨ（ｍｍ）の関係につ
いて調べた。なお、コア断面積Ｓとバラストケース内側
高さＨを図１１に示す。コア断面積Ｓを一定とした場
合、バラストケース内側高さＨが小さくなるほど性能が
低下し、逆にバラストケース内側高さＨを一定とした場
合、コア断面積Ｓが大きくなるほど、性能が低下する。
【００１７】図１２に、ｇが十分大きい場合、すなわち
ほぼ開磁路となる場合において、漏れ磁束により性能が
１０％低下するときの、コア断面積Ｓとバラストケース
内側高さＨの境界線を示す。この境界線は、Ｈ＝−０．
００１５・Ｓ2 ＋０．５４・Ｓ−１１．４９で表され
る。そして、この境界線の下側部分は、開磁路タイプで
は性能低下が大きく、閉磁路タイプでなければ性能確保
が困難なことを示している。従って、請求項１に記載し
たように、Ｈ≦−０．００１５・Ｓ2 ＋０．５４・Ｓ−
１１．４９の関係を満たせば、閉磁路タイプのものとし
て、コストアップとなることなく性能低下を防ぐことが
できる。
ほぼ開磁路となる場合において、漏れ磁束により性能が
１０％低下するときの、コア断面積Ｓとバラストケース
内側高さＨの境界線を示す。この境界線は、Ｈ＝−０．
００１５・Ｓ2 ＋０．５４・Ｓ−１１．４９で表され
る。そして、この境界線の下側部分は、開磁路タイプで
は性能低下が大きく、閉磁路タイプでなければ性能確保
が困難なことを示している。従って、請求項１に記載し
たように、Ｈ≦−０．００１５・Ｓ2 ＋０．５４・Ｓ−
１１．４９の関係を満たせば、閉磁路タイプのものとし
て、コストアップとなることなく性能低下を防ぐことが
できる。
【００１８】また、閉磁路タイプにてスタータトランス
を構成した場合、そのスタータトランス１は２０ｋＶ程
度の電圧を発生させる高圧部となるため、バラストケー
ス１０内でも中央部に配置することができない。このた
め、スタータトランス１をバラストケース１０内の端部
に配置することになるが、この場合にギャップ部分での
漏れ磁束がバラストケース１０内の側壁と鎖交すると、
性能が低下する。
を構成した場合、そのスタータトランス１は２０ｋＶ程
度の電圧を発生させる高圧部となるため、バラストケー
ス１０内でも中央部に配置することができない。このた
め、スタータトランス１をバラストケース１０内の端部
に配置することになるが、この場合にギャップ部分での
漏れ磁束がバラストケース１０内の側壁と鎖交すると、
性能が低下する。
【００１９】そこで、請求項２に記載の発明において
は、バラストケース１０内の対向する両側壁の一方側に
偏ってスタータトランス１が配置され、閉磁路コアのう
ち両側壁の他方側の位置に閉磁路コアのギャップが設け
られていることを特徴としている。この場合、両側壁の
他方側においては、バラストケース１０内の側壁から離
れているため、ギャップ部分での漏れ磁束がバラストケ
ース１０内の側壁と鎖交するのを少なくし、性能低下を
防ぐことができる。
は、バラストケース１０内の対向する両側壁の一方側に
偏ってスタータトランス１が配置され、閉磁路コアのう
ち両側壁の他方側の位置に閉磁路コアのギャップが設け
られていることを特徴としている。この場合、両側壁の
他方側においては、バラストケース１０内の側壁から離
れているため、ギャップ部分での漏れ磁束がバラストケ
ース１０内の側壁と鎖交するのを少なくし、性能低下を
防ぐことができる。
【００２０】また、請求項３に記載の発明においては、
バラストケース１０の長手方向の一方側に偏ってスター
タトランス１が配置され、閉磁路コアのうち長手方向の
他方側の位置に閉磁路コアのギャップが設けられている
ことを特徴としている。この場合も、閉磁路コアのギャ
ップをバラストケース１０内の側壁から離れた位置に置
くことができるため、性能低下を防ぐことができる。
バラストケース１０の長手方向の一方側に偏ってスター
タトランス１が配置され、閉磁路コアのうち長手方向の
他方側の位置に閉磁路コアのギャップが設けられている
ことを特徴としている。この場合も、閉磁路コアのギャ
ップをバラストケース１０内の側壁から離れた位置に置
くことができるため、性能低下を防ぐことができる。
【００２１】また、請求項４に記載の発明においては、
閉磁路コアの断面積をＳ（ｍｍ2 ）、閉磁路コアのギャ
ップの大きさをｇ（ｍｍ）としたとき、バラストケース
の内壁と閉磁路コアのギャップとの間のクリアランスＬ
（ｍｍ）が、Ｌ≧２８．２・ｅ-0.075(S/g) の関係を満
たしていることを特徴としている。クリアランスＬを上
記した関係とすることにより、ギャップ部分での漏れ磁
束がバラストケース１０内の側壁と鎖交するのを少なく
し、性能低下を防ぐことができる。
閉磁路コアの断面積をＳ（ｍｍ2 ）、閉磁路コアのギャ
ップの大きさをｇ（ｍｍ）としたとき、バラストケース
の内壁と閉磁路コアのギャップとの間のクリアランスＬ
（ｍｍ）が、Ｌ≧２８．２・ｅ-0.075(S/g) の関係を満
たしていることを特徴としている。クリアランスＬを上
記した関係とすることにより、ギャップ部分での漏れ磁
束がバラストケース１０内の側壁と鎖交するのを少なく
し、性能低下を防ぐことができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】図１に、本発明の一実施形態を示
す放電灯装置におけるバラストの部分断面構成を示す。
（ａ）は（ｂ）のＡ−Ａ断面を示し、（ｂ）は（ａ）の
Ｂ−Ｂ断面を示している。この実施形態においては、ア
ルミニウムで構成されたバラストケース１０が図８に示
すように前照灯のハウジング１１内に配置されている。
バラストケース１０内には、ランプ１３を点灯させるた
めの種々の電気部品が収納されており、図１にはスター
タトランス１の部分のみ断面状態で示している。
す放電灯装置におけるバラストの部分断面構成を示す。
（ａ）は（ｂ）のＡ−Ａ断面を示し、（ｂ）は（ａ）の
Ｂ−Ｂ断面を示している。この実施形態においては、ア
ルミニウムで構成されたバラストケース１０が図８に示
すように前照灯のハウジング１１内に配置されている。
バラストケース１０内には、ランプ１３を点灯させるた
めの種々の電気部品が収納されており、図１にはスター
タトランス１の部分のみ断面状態で示している。
【００２３】スタータトランス１は、閉磁路コア１ａと
コイル１ｂから構成されており、閉磁路コア１ａには、
ギャップ１ｃが設けられている。本実施形態では、閉磁
路コア１ａとして断面積Ｓが約１２０ｍｍ2 となるもの
を用い、バラストケース１０として内側高さＨが約１７
ｍｍとなるものを用いている。この場合、コア断面積Ｓ
とバラストケース内側高さＨは、Ｈ≦−０．００１５・
Ｓ2 ＋０．５４・Ｓ−１１．４９の関係を満たしている
ため、スタータトランス１としては閉磁路タイプのもの
でなければ十分な性能が得られないものとなっている。
コイル１ｂから構成されており、閉磁路コア１ａには、
ギャップ１ｃが設けられている。本実施形態では、閉磁
路コア１ａとして断面積Ｓが約１２０ｍｍ2 となるもの
を用い、バラストケース１０として内側高さＨが約１７
ｍｍとなるものを用いている。この場合、コア断面積Ｓ
とバラストケース内側高さＨは、Ｈ≦−０．００１５・
Ｓ2 ＋０．５４・Ｓ−１１．４９の関係を満たしている
ため、スタータトランス１としては閉磁路タイプのもの
でなければ十分な性能が得られないものとなっている。
【００２４】また、スタータトランス１は高圧部である
ため、バラストケース１０内における端部、直方体であ
るバラストケース１０内の長手方向の一方側（言い換え
ればバラストケース１０内の対向する両側壁１０ａ、１
０ｂの一方の側壁１０ａ側）に偏った位置に配置されて
いる。ここで、閉磁路コア１ａのうち中央側、すなわち
バラストケース１０内の長手方向の他方側（言い換えれ
ば他方の側壁１０ｂ側）の位置にギャップ１ｃが設けら
れている。このことによって、ギャップ１ｃの漏れ磁束
がバラストケース１０に鎖交しないようにすることがで
き、性能低下を防止することができる。
ため、バラストケース１０内における端部、直方体であ
るバラストケース１０内の長手方向の一方側（言い換え
ればバラストケース１０内の対向する両側壁１０ａ、１
０ｂの一方の側壁１０ａ側）に偏った位置に配置されて
いる。ここで、閉磁路コア１ａのうち中央側、すなわち
バラストケース１０内の長手方向の他方側（言い換えれ
ば他方の側壁１０ｂ側）の位置にギャップ１ｃが設けら
れている。このことによって、ギャップ１ｃの漏れ磁束
がバラストケース１０に鎖交しないようにすることがで
き、性能低下を防止することができる。
【００２５】すなわち、スタータトランス１をバラスト
ケース１０内の端部に配置する場合、図２、図３に示す
ように、閉磁路コア１ａのギャップ１ｃをバラストケー
ス１０内の端部側に設けるものが考えられるが、この場
合には、ギャップ１ｃの漏れ磁束がバラストケース１０
に鎖交するため、性能が低下してしまうことになる。こ
れに対し、図１に示すように、閉磁路コア１ａのギャッ
プ１ｃをバラストケース１０内の中央側に設けた場合に
は、ギャップ１ｃが側壁１０ａ、１０ｂから離れた位置
に設けられるため、ギャップ１ｃの漏れ磁束がバラスト
ケース１０に鎖交するのが少なくなり、従って性能低下
を防止することができる。
ケース１０内の端部に配置する場合、図２、図３に示す
ように、閉磁路コア１ａのギャップ１ｃをバラストケー
ス１０内の端部側に設けるものが考えられるが、この場
合には、ギャップ１ｃの漏れ磁束がバラストケース１０
に鎖交するため、性能が低下してしまうことになる。こ
れに対し、図１に示すように、閉磁路コア１ａのギャッ
プ１ｃをバラストケース１０内の中央側に設けた場合に
は、ギャップ１ｃが側壁１０ａ、１０ｂから離れた位置
に設けられるため、ギャップ１ｃの漏れ磁束がバラスト
ケース１０に鎖交するのが少なくなり、従って性能低下
を防止することができる。
【００２６】なお、閉磁路コア１ａのギャップ１ｃとし
ては、図４に示すように、バラストケース１０内の中央
側に２箇所設けたものであってもよい。また、バラスト
ケース１０内の長手方向の他方側、すなわち側壁１０ｂ
側にギャップ１ｃを設ければ、バラストケース１０内の
広いスペースを利用して漏れ磁束がバラストケース１０
に鎖交しないようにすることができるが、スタータトラ
ンス１をバラストケース１０内の対向する両側壁１０
ｃ、１０ｄの一方の側壁側に偏った位置に配置される場
合には、その他方の側壁側に設けるようにすることもで
きる。
ては、図４に示すように、バラストケース１０内の中央
側に２箇所設けたものであってもよい。また、バラスト
ケース１０内の長手方向の他方側、すなわち側壁１０ｂ
側にギャップ１ｃを設ければ、バラストケース１０内の
広いスペースを利用して漏れ磁束がバラストケース１０
に鎖交しないようにすることができるが、スタータトラ
ンス１をバラストケース１０内の対向する両側壁１０
ｃ、１０ｄの一方の側壁側に偏った位置に配置される場
合には、その他方の側壁側に設けるようにすることもで
きる。
【００２７】また、磁気回路の構成上あるいは製造上の
制約から、図２に示すように、ギャップ１ｃをバラスト
ケース１０内の端部側、すなわち側壁１０ｂ側に設けざ
るを得ない場合がある。この場合も以下の検討を行うこ
とによって、性能低下を防止することができる。図２の
ようにバラストケース１０壁側にギャップがあると、図
２のＣ−Ｃ断面を示す図５において、特に壁側のＰ２、
Ｐ４領域での性能低下が大きくなる。そして、数式１〜
数式５を用いて、種々のコア断面積Ｓとギャップの大き
さｇについて計算を行い、性能低下を算出すると、図６
のようになる。
制約から、図２に示すように、ギャップ１ｃをバラスト
ケース１０内の端部側、すなわち側壁１０ｂ側に設けざ
るを得ない場合がある。この場合も以下の検討を行うこ
とによって、性能低下を防止することができる。図２の
ようにバラストケース１０壁側にギャップがあると、図
２のＣ−Ｃ断面を示す図５において、特に壁側のＰ２、
Ｐ４領域での性能低下が大きくなる。そして、数式１〜
数式５を用いて、種々のコア断面積Ｓとギャップの大き
さｇについて計算を行い、性能低下を算出すると、図６
のようになる。
【００２８】この図６は、横軸がＳ（ｍｍ2 ）／ｇ（ｍ
ｍ）で、縦軸がバラストケース１０の内壁とギャップ１
ｃとの間のクリアランスＬ（ｍｍ）を示すもので、必要
なクリアランスＬはＳ／ｇに支配的で、このことはギャ
ップ１ｃの磁気抵抗（＝Ｓ／μｇ：漏れ磁束を考慮しな
いＰ５領域）が大きくなれば、漏れ磁束の割合が大きく
なり、その結果、バラストケース１０とのクリアランス
が必要なことを示している。
ｍ）で、縦軸がバラストケース１０の内壁とギャップ１
ｃとの間のクリアランスＬ（ｍｍ）を示すもので、必要
なクリアランスＬはＳ／ｇに支配的で、このことはギャ
ップ１ｃの磁気抵抗（＝Ｓ／μｇ：漏れ磁束を考慮しな
いＰ５領域）が大きくなれば、漏れ磁束の割合が大きく
なり、その結果、バラストケース１０とのクリアランス
が必要なことを示している。
【００２９】そして、この図６から分かるように、Ｌ≧
２８．２・ｅ-0.075(S/g) の関係を満たしていれば、性
能低下を１０％以下に抑えることができる。
２８．２・ｅ-0.075(S/g) の関係を満たしていれば、性
能低下を１０％以下に抑えることができる。
【図１】本発明の一実施形態を示す放電灯装置における
バラストの部分断面構成を示す図である。
バラストの部分断面構成を示す図である。
【図２】閉磁路コア１ａのギャップ１ｃをバラストケー
ス１０内の端部側に設けた例を示す図である。
ス１０内の端部側に設けた例を示す図である。
【図３】閉磁路コア１ａのギャップ１ｃをバラストケー
ス１０内の端部側に設けた他の例を示す図である。
ス１０内の端部側に設けた他の例を示す図である。
【図４】閉磁路コア１ａのギャップ１ｃをバラストケー
ス１０内の中央側に設けた他の例を示す図である。
ス１０内の中央側に設けた他の例を示す図である。
【図５】図２中のＣ−Ｃ断面状態を示す図である。
【図６】コア断面積Ｓ／ギャップの大きさｇに対するク
リアランスＬの関係を示す図である。
リアランスＬの関係を示す図である。
【図７】従来のバラストケース１０の取り付け位置を示
す図である。
す図である。
【図８】本発明の一実施形態におけるバラストケース１
０の取り付け位置を示す図である。
０の取り付け位置を示す図である。
【図９】従来のものにおいて、スタータトランス１をバ
ラストケース１０内に収納した状態を示す図である。
ラストケース１０内に収納した状態を示す図である。
【図１０】閉磁路コアのギャップ部分の漏れ磁束評価を
行う場合の説明図である。
行う場合の説明図である。
【図１１】コア断面積Ｓとバラストケース内側高さＨを
説明するための説明図である。
説明するための説明図である。
【図１２】コア断面積Ｓとバラストケース内側高さＨの
関係を示す図である。
関係を示す図である。
１…スタータトランス、１ａ…閉磁路コア、１ｂ…コイ
ル、１ｃ…ギャップ、１０…バラストケース、１１…前
照灯のハウジング、１２…配線、１３…ランプ、１４…
リフレクタ。
ル、１ｃ…ギャップ、１０…バラストケース、１１…前
照灯のハウジング、１２…配線、１３…ランプ、１４…
リフレクタ。
フロントページの続き (72)発明者 野寄 靖史 静岡県清水市北脇500番地 株式会社小糸 製作所静岡工場内 (72)発明者 舟山 友幸 愛知県豊田市トヨタ町１番地 トヨタ自動 車株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 スタータトランスをバラストケース内に
収納してなる放電灯装置において、 前記スタータトランスのコアとして閉磁路コアを用い、
前記バラストケースの内側の高さＨ（ｍｍ）と前記閉磁
路コアの断面積Ｓ（ｍｍ2 ）が、 Ｈ≦−０．００１５・Ｓ2 ＋０．５４・Ｓ−１１．４９ の関係を満たしていることを特徴とする放電灯装置。 - 【請求項２】 スタータトランスをバラストケース内に
収納してなる放電灯装置において、 前記スタータトランスのコアとして閉磁路コアを用い、 前記バラストケース内の対向する両側壁の一方側に偏っ
て前記スタータトランスが配置されており、 前記閉磁路コアのうち前記両側壁の他方側の位置に前記
閉磁路コアのギャップが設けられていることを特徴とす
る放電灯装置。 - 【請求項３】 スタータトランスを直方体のバラストケ
ース内に収納してなる放電灯装置において、 前記スタータトランスのコアとして閉磁路コアを用い、 前記バラストケース内において前記バラストケースの長
手方向の一方側に偏って前記スタータトランスが配置さ
れており、 前記閉磁路コアのうち長手方向の他方側の位置に前記閉
磁路コアのギャップが設けられていることを特徴とする
放電灯装置。 - 【請求項４】 スタータトランスをバラストケース内に
収納してなる放電灯装置において、 前記スタータトランスのコアとして閉磁路コアを用い、 前記閉磁路コアの断面積をＳ（ｍｍ2 ）、前記閉磁路コ
アのギャップの大きさをｇ（ｍｍ）としたとき、前記バ
ラストケースの内壁と前記閉磁路コアのギャップとの間
のクリアランスＬ（ｍｍ）が、Ｌ≧２８．２・ｅ
-0.075(S/g) の関係を満たしていることを特徴とする放
電灯装置。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12629298A JPH11329761A (ja) | 1998-05-08 | 1998-05-08 | 放電灯装置 |
| DE69916668T DE69916668T2 (de) | 1998-05-08 | 1999-05-05 | Zündtransformator für Gasentadungslampe |
| EP99108914A EP0955793B1 (en) | 1998-05-08 | 1999-05-05 | Discharge lamp apparatus |
| US09/304,840 US6232728B1 (en) | 1998-05-08 | 1999-05-05 | Discharge lamp apparatus |
| EP02023984A EP1278403B1 (en) | 1998-05-08 | 1999-05-05 | Starter transformer for discharge lamp |
| DE69915164T DE69915164T2 (de) | 1998-05-08 | 1999-05-05 | Gerät für eine Entladungslampe |
| US09/770,194 US6441713B1 (en) | 1998-05-08 | 2001-01-29 | Discharge lamp apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12629298A JPH11329761A (ja) | 1998-05-08 | 1998-05-08 | 放電灯装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11329761A true JPH11329761A (ja) | 1999-11-30 |
Family
ID=14931605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12629298A Pending JPH11329761A (ja) | 1998-05-08 | 1998-05-08 | 放電灯装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11329761A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6688917B2 (en) | 2001-10-30 | 2004-02-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Power output control apparatus |
-
1998
- 1998-05-08 JP JP12629298A patent/JPH11329761A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6688917B2 (en) | 2001-10-30 | 2004-02-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Power output control apparatus |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20031218 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040113 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040312 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040608 |