JPH11330043A - シリコンウエーハの評価方法 - Google Patents
シリコンウエーハの評価方法Info
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- JPH11330043A JPH11330043A JP15362298A JP15362298A JPH11330043A JP H11330043 A JPH11330043 A JP H11330043A JP 15362298 A JP15362298 A JP 15362298A JP 15362298 A JP15362298 A JP 15362298A JP H11330043 A JPH11330043 A JP H11330043A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 シリコンウエーハの測定のための手間のかか
る前処理や高額装置を必要とせず、安全、簡便、低コス
ト、迅速にウエーハ面内全面について重金属汚染の有無
及びライフタイムの低下等を信頼性高く評価出来るシリ
コンウエーハの評価方法を提供する。 【解決手段】 シリコンウエーハをアルカリ水溶液でエ
ッチングし、その後シリコンウエーハの表面状態を観察
することを特徴とするシリコンウエーハの評価方法。
る前処理や高額装置を必要とせず、安全、簡便、低コス
ト、迅速にウエーハ面内全面について重金属汚染の有無
及びライフタイムの低下等を信頼性高く評価出来るシリ
コンウエーハの評価方法を提供する。 【解決手段】 シリコンウエーハをアルカリ水溶液でエ
ッチングし、その後シリコンウエーハの表面状態を観察
することを特徴とするシリコンウエーハの評価方法。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコンウエーハ
の評価方法に関する。より詳しくは本発明は、ウエーハ
の手間のかかる前処理や高価な装置を必要とせず、安
全、簡便、低コスト、迅速にウエーハ面内全面について
重金属汚染の有無及びライフタイムの低下等を信頼性高
く評価出来るシリコンウエーハの評価方法に関する。
の評価方法に関する。より詳しくは本発明は、ウエーハ
の手間のかかる前処理や高価な装置を必要とせず、安
全、簡便、低コスト、迅速にウエーハ面内全面について
重金属汚染の有無及びライフタイムの低下等を信頼性高
く評価出来るシリコンウエーハの評価方法に関する。
【0002】
【従来の技術】デバイス製造の原料となるシリコンウエ
ーハの製造工程で、特に単結晶製造直後又は鏡面ウエー
ハの状態で、重金属不純物や結晶欠陥を見つけ出すこと
は、その後のデバイス製造プロセスでの歩留り等を考え
ると大変重要である。そのため、シリコンウエーハに対
しては、重金属等による不純物汚染の有無、ライフタイ
ムの低下、更には結晶欠陥の有無等の評価が行なわれ
る。
ーハの製造工程で、特に単結晶製造直後又は鏡面ウエー
ハの状態で、重金属不純物や結晶欠陥を見つけ出すこと
は、その後のデバイス製造プロセスでの歩留り等を考え
ると大変重要である。そのため、シリコンウエーハに対
しては、重金属等による不純物汚染の有無、ライフタイ
ムの低下、更には結晶欠陥の有無等の評価が行なわれ
る。
【0003】従来、重金属不純物の汚染度の評価方法と
しては、DLTS(Deep LevelTransient Spectromet
ry)等により電気的に不純物汚染度を定量評価したり、
X線を用いた全反射蛍光X線分析法(TRXF)や原子
吸光分析法、原子発光分析法、二次イオン質量分析法
(SIMS)等により定量分析する方法がある。しか
し、これらはウエーハの面内全面測定するには非常に時
間と手間がかかったり高額な分析装置が必要であるとい
う問題がある。
しては、DLTS(Deep LevelTransient Spectromet
ry)等により電気的に不純物汚染度を定量評価したり、
X線を用いた全反射蛍光X線分析法(TRXF)や原子
吸光分析法、原子発光分析法、二次イオン質量分析法
(SIMS)等により定量分析する方法がある。しか
し、これらはウエーハの面内全面測定するには非常に時
間と手間がかかったり高額な分析装置が必要であるとい
う問題がある。
【0004】また、ライフタイムを評価する方法として
は、シリコンウエーハに前処理、例えばケミカルパッシ
ベーション(CP)処理、酸化熱処理、クロム酸処理等
を施した後、ライフタイム測定装置、例えば光導電減衰
法、マイクロ波検出光導電減衰法、あるいは容量−時間
法等を用いた測定装置により、ライフタイム測定を行な
う方法がある。しかし、これらの方法は上記のような手
間のかかる前処理が必要であったり、ライフタイム測定
装置が必要であるという問題がある。
は、シリコンウエーハに前処理、例えばケミカルパッシ
ベーション(CP)処理、酸化熱処理、クロム酸処理等
を施した後、ライフタイム測定装置、例えば光導電減衰
法、マイクロ波検出光導電減衰法、あるいは容量−時間
法等を用いた測定装置により、ライフタイム測定を行な
う方法がある。しかし、これらの方法は上記のような手
間のかかる前処理が必要であったり、ライフタイム測定
装置が必要であるという問題がある。
【0005】結晶欠陥の評価法では、セコ液(Secco E
tchant)[HF:100体積部+0.15MのK2 Cr
2O 7:50体積部の混合液]による選択エッチング(セ
コエッチング)後ウエーハを検査する方法がよく用いら
れている。この方法は、結晶欠陥のエッチピット或は面
粗れを検知し、間接的に評価する方法である。しかし、
有害な重クロム酸カリウムを含有する液を使用しなけれ
ばならず、廃水処理もやっかいである。
tchant)[HF:100体積部+0.15MのK2 Cr
2O 7:50体積部の混合液]による選択エッチング(セ
コエッチング)後ウエーハを検査する方法がよく用いら
れている。この方法は、結晶欠陥のエッチピット或は面
粗れを検知し、間接的に評価する方法である。しかし、
有害な重クロム酸カリウムを含有する液を使用しなけれ
ばならず、廃水処理もやっかいである。
【0006】また、フッ酸、硝酸、酢酸、水からなる混
酸液による選択エッチングによる評価も検討されてい
る。これは、エッチピットの他にスリップ転位、OSF
(酸化誘起積層欠陥)等の結晶性についての評価にも用
いられている。しかし、セコ液に比べ元来面が粗れやす
い傾向があり観察しずらく、本来のエッチピット或は特
に面粗れに対する信頼性に欠けるという問題がある。別
の結晶欠陥の評価法としては、X線トポグラフによる方
法があるが、これも高額な分析装置が必要であるという
問題がある。
酸液による選択エッチングによる評価も検討されてい
る。これは、エッチピットの他にスリップ転位、OSF
(酸化誘起積層欠陥)等の結晶性についての評価にも用
いられている。しかし、セコ液に比べ元来面が粗れやす
い傾向があり観察しずらく、本来のエッチピット或は特
に面粗れに対する信頼性に欠けるという問題がある。別
の結晶欠陥の評価法としては、X線トポグラフによる方
法があるが、これも高額な分析装置が必要であるという
問題がある。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような問
題点に鑑みなされたもので、ウエーハの重金属汚染等の
測定のための手間のかかる前処理や高額測定装置を必要
とせず、安全、簡便、低コスト、迅速にウエーハ面内全
面について重金属汚染の有無及びライフタイムの低下等
を信頼性高く評価出来るシリコンウエーハの評価方法を
提供することを目的とする。
題点に鑑みなされたもので、ウエーハの重金属汚染等の
測定のための手間のかかる前処理や高額測定装置を必要
とせず、安全、簡便、低コスト、迅速にウエーハ面内全
面について重金属汚染の有無及びライフタイムの低下等
を信頼性高く評価出来るシリコンウエーハの評価方法を
提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するためになされたもので、請求項1に記載した発明
は、シリコンウエーハをアルカリ水溶液でエッチング
し、その後シリコンウエーハの表面状態を観察すること
を特徴とするシリコンウエーハの評価方法である。
するためになされたもので、請求項1に記載した発明
は、シリコンウエーハをアルカリ水溶液でエッチング
し、その後シリコンウエーハの表面状態を観察すること
を特徴とするシリコンウエーハの評価方法である。
【0009】このように、シリコンウエーハをアルカリ
水溶液でエッチングすることにより、ウエーハ表面中の
重金属汚染部等は短周期の面粗れを起こし、その結果そ
の部分が「くもる」ようになり、目視により容易にウエ
ーハの全面について重金属汚染等の有無を確認できるよ
うになる。また、スリップ転位、OSF等の発生してい
るウエーハでは、くもりは観察されないものの、集光灯
下又は光学顕微鏡で観察するとピット状の欠陥が確認出
来る。
水溶液でエッチングすることにより、ウエーハ表面中の
重金属汚染部等は短周期の面粗れを起こし、その結果そ
の部分が「くもる」ようになり、目視により容易にウエ
ーハの全面について重金属汚染等の有無を確認できるよ
うになる。また、スリップ転位、OSF等の発生してい
るウエーハでは、くもりは観察されないものの、集光灯
下又は光学顕微鏡で観察するとピット状の欠陥が確認出
来る。
【0010】この場合、請求項2に記載したように、上
記アルカリ水溶液はNaOH及び/又はKOH水溶液と
するのが好ましい。これらの水溶液は入手が非常に容易
であり、又廃水処理においても、簡単に中和・無害化出
来るので有利である。
記アルカリ水溶液はNaOH及び/又はKOH水溶液と
するのが好ましい。これらの水溶液は入手が非常に容易
であり、又廃水処理においても、簡単に中和・無害化出
来るので有利である。
【0011】また、請求項3に記載したように、本発明
においては上記シリコンウエーハの表面状態の観察を蛍
光灯又は集光灯下、目視により行うことが出来る。即
ち、本発明では目視による表面状態の観察をすればよい
ので、従来の評価方法のようにウエーハ前処理等の手間
や時間、高価な特殊装置等を必要とせず、安全、簡便、
低コスト、迅速にウエーハ面内全面について重金属汚染
の有無及びライフタイムの低下等を信頼性高く評価出来
る。
においては上記シリコンウエーハの表面状態の観察を蛍
光灯又は集光灯下、目視により行うことが出来る。即
ち、本発明では目視による表面状態の観察をすればよい
ので、従来の評価方法のようにウエーハ前処理等の手間
や時間、高価な特殊装置等を必要とせず、安全、簡便、
低コスト、迅速にウエーハ面内全面について重金属汚染
の有無及びライフタイムの低下等を信頼性高く評価出来
る。
【0012】次に、請求項4に記載したように、本発明
においては、エッチング速度を0.01〜1.5μm/
min とするのが好ましい。このようにエッチング速度を
通常のエッチング速度より遙かに小さくすれば、重金属
汚染等によるシリコンウエーハの表面異常の程度に応じ
てエッチング速度に選択性を生じさせることが出来、
「くもり」の程度に差異が生じるようになり、簡単に目
視でも観察出来るようになる。
においては、エッチング速度を0.01〜1.5μm/
min とするのが好ましい。このようにエッチング速度を
通常のエッチング速度より遙かに小さくすれば、重金属
汚染等によるシリコンウエーハの表面異常の程度に応じ
てエッチング速度に選択性を生じさせることが出来、
「くもり」の程度に差異が生じるようになり、簡単に目
視でも観察出来るようになる。
【0013】本発明では、請求項5に記載したように、
アルカリ水溶液の液温を10〜80℃、濃度を1〜40
重量%としてエッチングすることができる。このような
条件にすることによって例えば、上記エッチング速度が
達成され、くもりの検出感度が良好となる。
アルカリ水溶液の液温を10〜80℃、濃度を1〜40
重量%としてエッチングすることができる。このような
条件にすることによって例えば、上記エッチング速度が
達成され、くもりの検出感度が良好となる。
【0014】また、請求項6に記載したように、エッチ
ング量を0.2〜1.5μmとするのが好ましい。エッ
チング量が余りに少ないと「くもり」自体が生じず、逆
にエッチング量が多過ぎると評価したい表面近傍領域が
除去されてしまい正確な評価が出来なくなると共に「く
もり」に差異が生じなくなり、共に目視による確認が困
難となる。
ング量を0.2〜1.5μmとするのが好ましい。エッ
チング量が余りに少ないと「くもり」自体が生じず、逆
にエッチング量が多過ぎると評価したい表面近傍領域が
除去されてしまい正確な評価が出来なくなると共に「く
もり」に差異が生じなくなり、共に目視による確認が困
難となる。
【0015】請求項7に記載したように、本発明ではシ
リコンウエーハ表面を撥水性にする前処理をした後に、
アルカリエッチングするのが好ましい。シリコンウエー
ハの表面を撥水性にしておくことでエッチング反応の開
始を安定させることが出来、「くもり」を安定的に観察
することが出来るからである。請求項8に記載したよう
に、本発明のシリコンウエーハの評価方法においては、
重金属汚染の有無及びライフタイムの低下を評価するの
に特に適している。
リコンウエーハ表面を撥水性にする前処理をした後に、
アルカリエッチングするのが好ましい。シリコンウエー
ハの表面を撥水性にしておくことでエッチング反応の開
始を安定させることが出来、「くもり」を安定的に観察
することが出来るからである。請求項8に記載したよう
に、本発明のシリコンウエーハの評価方法においては、
重金属汚染の有無及びライフタイムの低下を評価するの
に特に適している。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明するが、本発明はこれに限定されない。本発明の
評価方法で評価されるシリコンウエーハとしては、公知
のシリコン単結晶基板作製方法により作製したものであ
ればいずれでも適用でき、特にその作製方法は問わな
い。例えば、チョコラルスキー法により引き上げたシリ
コン単結晶インゴットをスライスして作製したものを本
発明のシリコンウエーハの評価方法に付すことが出来
る。
て説明するが、本発明はこれに限定されない。本発明の
評価方法で評価されるシリコンウエーハとしては、公知
のシリコン単結晶基板作製方法により作製したものであ
ればいずれでも適用でき、特にその作製方法は問わな
い。例えば、チョコラルスキー法により引き上げたシリ
コン単結晶インゴットをスライスして作製したものを本
発明のシリコンウエーハの評価方法に付すことが出来
る。
【0017】ただし、シリコンウエーハの表面から深さ
数μm程度までに残留する加工歪みは、予め酸エッチン
グ等により除去しておくのが好ましい。このような加工
歪みが表面に存在すると、「くもり」(面粗れ)を観察
しにくくなる。更に、シリコンウエーハは鏡面研磨工程
後のものが好ましい。表面が鏡面であることから歪みも
無く、表面状態を観察し易いからである。また、ウエー
ハ製造工程の最終段階であり、評価の必要性も高い。
数μm程度までに残留する加工歪みは、予め酸エッチン
グ等により除去しておくのが好ましい。このような加工
歪みが表面に存在すると、「くもり」(面粗れ)を観察
しにくくなる。更に、シリコンウエーハは鏡面研磨工程
後のものが好ましい。表面が鏡面であることから歪みも
無く、表面状態を観察し易いからである。また、ウエー
ハ製造工程の最終段階であり、評価の必要性も高い。
【0018】本発明のシリコンウエーハの評価方法にお
いては、簡単な前処理により予め上記シリコンウエーハ
表面を撥水性にした後に、アルカリエッチングするのが
好ましい。前処理は、例えば希薄なHF水溶液により行
なえばよい。これにより、ウエーハ表面に形成されてい
る自然酸化膜が除去され、ウエーハ表面は撥水性とな
る。ウエーハ表面を撥水性としておけば、エッチング反
応の開始を安定させることが出来、「くもり」を安定的
に観察することが出来る。
いては、簡単な前処理により予め上記シリコンウエーハ
表面を撥水性にした後に、アルカリエッチングするのが
好ましい。前処理は、例えば希薄なHF水溶液により行
なえばよい。これにより、ウエーハ表面に形成されてい
る自然酸化膜が除去され、ウエーハ表面は撥水性とな
る。ウエーハ表面を撥水性としておけば、エッチング反
応の開始を安定させることが出来、「くもり」を安定的
に観察することが出来る。
【0019】次に、アルカリエッチングに使用するアル
カリ水溶液としては、NaOH水溶液、KOH水溶液、
又はこれらの混合液が挙げられる。エッチング速度は、
0.01〜1.5μm/min とするのが好ましい。上記
エッチング速度は、例えばアルカリ水溶液の液温を10
〜80℃とすることにより達成される。特に、15〜2
5℃の常温で行なえば、加熱設備や温度コントローラ等
による温度管理の手間を必要としないのでより好まし
い。アルカリ水溶液の濃度は、1〜40重量%、特に1
0〜20重量%が好ましい。
カリ水溶液としては、NaOH水溶液、KOH水溶液、
又はこれらの混合液が挙げられる。エッチング速度は、
0.01〜1.5μm/min とするのが好ましい。上記
エッチング速度は、例えばアルカリ水溶液の液温を10
〜80℃とすることにより達成される。特に、15〜2
5℃の常温で行なえば、加熱設備や温度コントローラ等
による温度管理の手間を必要としないのでより好まし
い。アルカリ水溶液の濃度は、1〜40重量%、特に1
0〜20重量%が好ましい。
【0020】通常、シリコンウエーハを加工歪み除去の
目的でアルカリエッチングする場合にはエッチング速度
がフッ酸と硝酸の混酸で行う酸エッチングに比べて遅い
ため、液温60〜80℃と高温にし且つ濃度を40〜6
0重量%と濃い状態で使用している。それに対して本発
明では、温度又は濃度あるいはその両方を低くし、エッ
チング速度を更に遅くすることで、重金属汚染等による
シリコンウエーハの表面異常の程度に応じてエッチング
速度に選択性を生じさせるようにする。その結果「くも
り」の程度に差異が生じるようになり、目視でも容易に
観察出来るようになるため本発明の作用効果を発揮する
ようになる。
目的でアルカリエッチングする場合にはエッチング速度
がフッ酸と硝酸の混酸で行う酸エッチングに比べて遅い
ため、液温60〜80℃と高温にし且つ濃度を40〜6
0重量%と濃い状態で使用している。それに対して本発
明では、温度又は濃度あるいはその両方を低くし、エッ
チング速度を更に遅くすることで、重金属汚染等による
シリコンウエーハの表面異常の程度に応じてエッチング
速度に選択性を生じさせるようにする。その結果「くも
り」の程度に差異が生じるようになり、目視でも容易に
観察出来るようになるため本発明の作用効果を発揮する
ようになる。
【0021】アルカリエッチングは、シリコンウエーハ
をアルカリ水溶液中に浸漬して行なう。浸漬の方法は通
常の方法で良い。即ち、シリコンウエーハを例えばフッ
素樹脂製のキャリアに入れてアルカリ水溶液中に漬け
る。アルカリ水溶液を入れる容器は、昇温する必要がな
ければ塩化ビニル製のもので十分であり、昇温する場合
は石英、パイレックス等の容器が用いられる。浸漬中
は、撹拌をしてもしなくてもよい。アルカリ水溶液は、
前記セコ液又は混酸液等の酸性水溶液の場合のような撹
拌をしないとエッチングムラができてしまうということ
がないからである。
をアルカリ水溶液中に浸漬して行なう。浸漬の方法は通
常の方法で良い。即ち、シリコンウエーハを例えばフッ
素樹脂製のキャリアに入れてアルカリ水溶液中に漬け
る。アルカリ水溶液を入れる容器は、昇温する必要がな
ければ塩化ビニル製のもので十分であり、昇温する場合
は石英、パイレックス等の容器が用いられる。浸漬中
は、撹拌をしてもしなくてもよい。アルカリ水溶液は、
前記セコ液又は混酸液等の酸性水溶液の場合のような撹
拌をしないとエッチングムラができてしまうということ
がないからである。
【0022】次に本発明では、エッチングによる除去量
を、0.2〜1.5μmとするのが好ましい。エッチン
グ量が0.2μmより少ないと十分に目視確認出来るほ
どくもりが発生しないことがあり、逆に1.5μmより
多いと評価したい表面近傍領域が除去されてしまう可能
性がある。
を、0.2〜1.5μmとするのが好ましい。エッチン
グ量が0.2μmより少ないと十分に目視確認出来るほ
どくもりが発生しないことがあり、逆に1.5μmより
多いと評価したい表面近傍領域が除去されてしまう可能
性がある。
【0023】上記アルカリエッチング終了後、必要に応
じシリコンウエーハを洗浄・乾燥し、シリコンウエーハ
の表面状態を観察する。本発明においては、アルカリエ
ッチングにより重金属汚染等があると高感度でウエーハ
にくもりが発生するので、単に蛍光灯又は集光灯下、目
視により観察を行うことができる。この場合、重金属汚
染部は蛍光灯下、目視で確認することが出来るし、スリ
ップ転位等によるエッチピット等は集光灯下、目視で確
認することが出来る。また、顕微鏡観察すればOSF等
の欠陥も確認できる。
じシリコンウエーハを洗浄・乾燥し、シリコンウエーハ
の表面状態を観察する。本発明においては、アルカリエ
ッチングにより重金属汚染等があると高感度でウエーハ
にくもりが発生するので、単に蛍光灯又は集光灯下、目
視により観察を行うことができる。この場合、重金属汚
染部は蛍光灯下、目視で確認することが出来るし、スリ
ップ転位等によるエッチピット等は集光灯下、目視で確
認することが出来る。また、顕微鏡観察すればOSF等
の欠陥も確認できる。
【0024】このように本発明においては単に蛍光灯又
は集光灯下、目視観察するだけであり、従来のように高
価な分析・観察装置を必要としない。しかし、たとえ従
来の分析・観察装置、例えば光学顕微鏡等を使用した場
合でも、従来の場合よりもはっきりと高感度で重金属汚
染部やエッチピット、OSF等を確認することが出来
る。
は集光灯下、目視観察するだけであり、従来のように高
価な分析・観察装置を必要としない。しかし、たとえ従
来の分析・観察装置、例えば光学顕微鏡等を使用した場
合でも、従来の場合よりもはっきりと高感度で重金属汚
染部やエッチピット、OSF等を確認することが出来
る。
【0025】本発明のシリコンウエーハの評価方法にお
いて、上記蛍光灯又は集光灯下で目視観察した結果、シ
リコンウエーハに「くもり」が無ければ、そのシリコン
ウエーハは「重金属汚染されておらず、ライフタイムの
低下も無く且つスリップ転位等の結晶性異常も無い」、
と評価出来る。一方、シリコンウエーハに「くもり」が
あれば、そのシリコンウエーハは「重金属汚染されてい
る」、と評価出来る。更に、重金属はシリコンウエーハ
中で再結合中心になるので、重金属汚染があると必然的
にシリコンウエーハのライフタイムが低下する。従っ
て、シリコンウエーハに「くもり」があれば、そのシリ
コンウエーハは「ライフタイムが低下している」、と評
価出来る。更に、エッチピット等の結晶性異常は、集光
灯下、目視観察又は顕微鏡観察によって確認出来る。
いて、上記蛍光灯又は集光灯下で目視観察した結果、シ
リコンウエーハに「くもり」が無ければ、そのシリコン
ウエーハは「重金属汚染されておらず、ライフタイムの
低下も無く且つスリップ転位等の結晶性異常も無い」、
と評価出来る。一方、シリコンウエーハに「くもり」が
あれば、そのシリコンウエーハは「重金属汚染されてい
る」、と評価出来る。更に、重金属はシリコンウエーハ
中で再結合中心になるので、重金属汚染があると必然的
にシリコンウエーハのライフタイムが低下する。従っ
て、シリコンウエーハに「くもり」があれば、そのシリ
コンウエーハは「ライフタイムが低下している」、と評
価出来る。更に、エッチピット等の結晶性異常は、集光
灯下、目視観察又は顕微鏡観察によって確認出来る。
【0026】
【実施例】以下、本発明を実施例で具体的に説明する。 (実施例1)チョクラルスキー法により製造された直径
200mm、面方位<100>、導電型P型、抵抗率約
13Ωcmの鏡面研磨シリコンウエーハで、金属汚染し
た可能性のあるもの及び無いものの2種類のウエーハを
サンプルとしてそれぞれ複数枚用意し、各シリコンウエ
ーハを本発明のシリコンウエーハの評価方法により評価
した。
200mm、面方位<100>、導電型P型、抵抗率約
13Ωcmの鏡面研磨シリコンウエーハで、金属汚染し
た可能性のあるもの及び無いものの2種類のウエーハを
サンプルとしてそれぞれ複数枚用意し、各シリコンウエ
ーハを本発明のシリコンウエーハの評価方法により評価
した。
【0027】先ず、液温20℃、濃度11.4重量%の
KOH水溶液を、塩化ビニル製容器に入れた。これに、
キャリアに収容した上記2種類の各シリコンウエーハを
浸漬し、撹拌することなくエッチング速度0.08μm
/min で、エッチング量片面で1.2μmになるまで、
エッチングした。その後、各シリコンウエーハを洗浄後
乾燥し、蛍光灯下、表面状態を目視観察した。
KOH水溶液を、塩化ビニル製容器に入れた。これに、
キャリアに収容した上記2種類の各シリコンウエーハを
浸漬し、撹拌することなくエッチング速度0.08μm
/min で、エッチング量片面で1.2μmになるまで、
エッチングした。その後、各シリコンウエーハを洗浄後
乾燥し、蛍光灯下、表面状態を目視観察した。
【0028】その結果、図1(a)に示すように、面粗
れを起こし「くもり」が発生していたシリコンウエーハ
のグループと、面粗れを起こさず「くもり」の発生は見
られなかったシリコンウエーハのグループとに、二分さ
れた。
れを起こし「くもり」が発生していたシリコンウエーハ
のグループと、面粗れを起こさず「くもり」の発生は見
られなかったシリコンウエーハのグループとに、二分さ
れた。
【0029】従って、面粗れを起こし「くもり」が発生
していたシリコンウエーハについては、「重金属汚染さ
れており且つライフタイムが低下している」と評価し
た。一方、面粗れを起こさず「くもり」の発生は見られ
なかったシリコンウエーハについては「重金属汚染され
ておらず且つライフタイムは低下していない」と評価し
た。このことを確認するために、以下のライフタイム及
び重金属不純物濃度の各測定を行なった。
していたシリコンウエーハについては、「重金属汚染さ
れており且つライフタイムが低下している」と評価し
た。一方、面粗れを起こさず「くもり」の発生は見られ
なかったシリコンウエーハについては「重金属汚染され
ておらず且つライフタイムは低下していない」と評価し
た。このことを確認するために、以下のライフタイム及
び重金属不純物濃度の各測定を行なった。
【0030】上記各シリコンウエーハについて、SPV
(Surface Photo Voltage)法に
よりライフタイムを測定した。その結果、図2に示すよ
うに、「くもり」が発生していたグループの各シリコン
ウエーハは、「くもり」の発生が見られなかったグルー
プの各シリコンウエーハに比し、ライフタイムが約1/
2〜1/5に低下していた。尚、SPV法での評価では
酸素析出物が形成している場合もライフタイムが低下す
るが、本実施例で用いたサンプルは特に高温の熱処理は
行っておらず、析出物は形成されていないことを確認し
てある。
(Surface Photo Voltage)法に
よりライフタイムを測定した。その結果、図2に示すよ
うに、「くもり」が発生していたグループの各シリコン
ウエーハは、「くもり」の発生が見られなかったグルー
プの各シリコンウエーハに比し、ライフタイムが約1/
2〜1/5に低下していた。尚、SPV法での評価では
酸素析出物が形成している場合もライフタイムが低下す
るが、本実施例で用いたサンプルは特に高温の熱処理は
行っておらず、析出物は形成されていないことを確認し
てある。
【0031】また、上記各シリコンウエーハについて、
重金属不純物(Fe)濃度を測定した。その結果、「く
もり」が発生していたグループの各シリコンウエーハの
重金属不純物(Fe)濃度は約1×1010atm/cm
3 レベルと高かったが、「くもり」の発生は見られなか
ったグループの各シリコンウエーハはいずれも検出下限
以下であった。更に、上記各シリコンウエーハについ
て、DLTS法により重金属不純物(Ni)濃度を測定
した。その結果、「くもり」が発生していたグループの
各シリコンウエーハの重金属不純物(Ni)濃度は1.
72×1011〜2.05×1011atm/cm3 も検出
されたが、「くもり」の発生は見られなかったグループ
の各シリコンウエーハはいずれも検出下限以下であっ
た。
重金属不純物(Fe)濃度を測定した。その結果、「く
もり」が発生していたグループの各シリコンウエーハの
重金属不純物(Fe)濃度は約1×1010atm/cm
3 レベルと高かったが、「くもり」の発生は見られなか
ったグループの各シリコンウエーハはいずれも検出下限
以下であった。更に、上記各シリコンウエーハについ
て、DLTS法により重金属不純物(Ni)濃度を測定
した。その結果、「くもり」が発生していたグループの
各シリコンウエーハの重金属不純物(Ni)濃度は1.
72×1011〜2.05×1011atm/cm3 も検出
されたが、「くもり」の発生は見られなかったグループ
の各シリコンウエーハはいずれも検出下限以下であっ
た。
【0032】又、図1(b)に示すように、「くもり」
が発生していたシリコンウエーハの代表的なものを光学
顕微鏡(500倍率)で観察したところ面粗れの状態が
従来より非常に高感度ではっきり観察出来た。一方、
「くもり」の発生は見られなかったシリコンウエーハの
代表的なものについては、面粗れは殆ど観察されなかっ
た。従って、本発明により検出されるくもりと、重金属
汚染あるいはライフタイム低下は明らかに対応がとれる
ことが判った。
が発生していたシリコンウエーハの代表的なものを光学
顕微鏡(500倍率)で観察したところ面粗れの状態が
従来より非常に高感度ではっきり観察出来た。一方、
「くもり」の発生は見られなかったシリコンウエーハの
代表的なものについては、面粗れは殆ど観察されなかっ
た。従って、本発明により検出されるくもりと、重金属
汚染あるいはライフタイム低下は明らかに対応がとれる
ことが判った。
【0033】(実施例2)濃度11.4重量%のKOH
水溶液、エッチング速度0.08μm/min 、エッチン
グ量1.2μmの替わりに、それぞれ濃度12.7重量
%のNaOH水溶液、エッチング速度0.046μm/
min 、エッチング量片面で0.92μmとした以外は実
施例1と同様にして、本発明のシリコンウエーハの評価
方法により評価を行なった。
水溶液、エッチング速度0.08μm/min 、エッチン
グ量1.2μmの替わりに、それぞれ濃度12.7重量
%のNaOH水溶液、エッチング速度0.046μm/
min 、エッチング量片面で0.92μmとした以外は実
施例1と同様にして、本発明のシリコンウエーハの評価
方法により評価を行なった。
【0034】その結果、実施例1と同様に、面粗れを起
こし「くもり」が発生していたシリコンウエーハのグル
ープと、面粗れを起こさず「くもり」の発生は見られな
かったシリコンウエーハのグループとに、二分された。
こし「くもり」が発生していたシリコンウエーハのグル
ープと、面粗れを起こさず「くもり」の発生は見られな
かったシリコンウエーハのグループとに、二分された。
【0035】従って、「くもり」が発生していたシリコ
ンウエーハについては、「重金属汚染されており且つラ
イフタイムが低下している」と評価した。一方、「くも
り」の発生は見られなかったシリコンウエーハについて
は「重金属汚染されておらず且つライフタイムは低下し
ていない」と評価した。このことを確認するために、実
施例1と同様のライフタイム及び重金属不純物濃度、顕
微鏡観察の各測定を行なった。その結果、実施例1と同
様に、評価の正しさが立証出来た。
ンウエーハについては、「重金属汚染されており且つラ
イフタイムが低下している」と評価した。一方、「くも
り」の発生は見られなかったシリコンウエーハについて
は「重金属汚染されておらず且つライフタイムは低下し
ていない」と評価した。このことを確認するために、実
施例1と同様のライフタイム及び重金属不純物濃度、顕
微鏡観察の各測定を行なった。その結果、実施例1と同
様に、評価の正しさが立証出来た。
【0036】(実施例3)実施例1のサンプルの替わり
にチョクラルスキー法により製造された直径200m
m、面方位<100>、導電型N型、抵抗率20Ωcm
の鏡面研磨シリコンウエーハで、スリップ転位の発生し
ている可能性のあるシリコンウエーハをサンプルとして
使用し、液温20℃、エッチング速度0.08μm/mi
n 、エッチング量1.2μmの替わりに、それぞれ液温
23℃、エッチング速度0.05μm/min 、エッチン
グ量片面で1.0μmとした以外は実施例1と同様にし
て、アルカリエッチングを行ない、洗浄後乾燥した。次
いで、このシリコンウエーハを集光灯下、目視観察し
た。その結果、シリコンウエーハ表面には明確な「くも
り」は観察されないものの、ウエーハ周辺部にくっきり
とスリップ転位を見出すことができた。従って、本発明
によりシリコンウエーハに結晶異常がある場合も評価で
きることが判った。上記評価が正しいことを確認するた
めに、光学顕微鏡(500倍率)で観察したところ、図
3に示すようにスリップ転位に沿って四角のピットが従
来より高感度ではっきりと確認出来た。
にチョクラルスキー法により製造された直径200m
m、面方位<100>、導電型N型、抵抗率20Ωcm
の鏡面研磨シリコンウエーハで、スリップ転位の発生し
ている可能性のあるシリコンウエーハをサンプルとして
使用し、液温20℃、エッチング速度0.08μm/mi
n 、エッチング量1.2μmの替わりに、それぞれ液温
23℃、エッチング速度0.05μm/min 、エッチン
グ量片面で1.0μmとした以外は実施例1と同様にし
て、アルカリエッチングを行ない、洗浄後乾燥した。次
いで、このシリコンウエーハを集光灯下、目視観察し
た。その結果、シリコンウエーハ表面には明確な「くも
り」は観察されないものの、ウエーハ周辺部にくっきり
とスリップ転位を見出すことができた。従って、本発明
によりシリコンウエーハに結晶異常がある場合も評価で
きることが判った。上記評価が正しいことを確認するた
めに、光学顕微鏡(500倍率)で観察したところ、図
3に示すようにスリップ転位に沿って四角のピットが従
来より高感度ではっきりと確認出来た。
【0037】(実施例4)実施例3のサンプルの替わり
にチョクラルスキー法により製造された直径200m
m、面方位<100>、導電型N型、抵抗率約20Ωc
mの鏡面研磨シリコンウエーハをサンプルとして使用
し、液温23℃、エッチング量1.0μmの替わりにそ
れぞれ、液温18℃、エッチング量片面で1.5μmと
した以外は実施例3と同様にして、アルカリエッチング
を行ない、洗浄後乾燥した。次いで、このシリコンウエ
ーハを集光灯下、目視観察した。その結果、シリコンウ
エーハ表面には「くもり」は観察されなかった。また、
ライフタイムの低下も見られなかった。
にチョクラルスキー法により製造された直径200m
m、面方位<100>、導電型N型、抵抗率約20Ωc
mの鏡面研磨シリコンウエーハをサンプルとして使用
し、液温23℃、エッチング量1.0μmの替わりにそ
れぞれ、液温18℃、エッチング量片面で1.5μmと
した以外は実施例3と同様にして、アルカリエッチング
を行ない、洗浄後乾燥した。次いで、このシリコンウエ
ーハを集光灯下、目視観察した。その結果、シリコンウ
エーハ表面には「くもり」は観察されなかった。また、
ライフタイムの低下も見られなかった。
【0038】但し、このウエーハを、光学顕微鏡(50
0倍率)で観察したところ、図4に示すように四角のピ
ットが高感度ではっきりと確認出来た。尚、このピット
は面内でサイズの異なるものがあり、深さ方向に分布を
持っていることがわかった。又、このウエーハではスリ
ップ転位は観察されておらず、従って本発明ではスリッ
プ転位以外の未知の結晶欠陥も感度良く評価出来ること
が判った。このように、ライフタイムの低下は「くも
り」の発生により簡便に評価できるが、「くもり」が発
生しない場合でも顕微鏡を用いて更に詳しく観察するこ
とにより他の結晶欠陥を評価することが出来る。
0倍率)で観察したところ、図4に示すように四角のピ
ットが高感度ではっきりと確認出来た。尚、このピット
は面内でサイズの異なるものがあり、深さ方向に分布を
持っていることがわかった。又、このウエーハではスリ
ップ転位は観察されておらず、従って本発明ではスリッ
プ転位以外の未知の結晶欠陥も感度良く評価出来ること
が判った。このように、ライフタイムの低下は「くも
り」の発生により簡便に評価できるが、「くもり」が発
生しない場合でも顕微鏡を用いて更に詳しく観察するこ
とにより他の結晶欠陥を評価することが出来る。
【0039】(実施例5)実施例3のサンプルの替わり
にチョクラルスキー法により製造された直径100m
m、面方位<111>、導電型N型、抵抗率0.019
Ωcmの鏡面研磨シリコンウエーハで、酸化熱処理によ
りOSFの発生しているシリコンウエーハをサンプルと
して使用し、エッチング量1.0μm、エッチング速度
0.05μm/min の替わりにそれぞれ、エッチング量
片面で0.6μm、エッチング速度0.03μm/min
とした以外は実施例3と同様にして、アルカリエッチン
グを行ない、洗浄後乾燥した。次いで、このシリコンウ
エーハを光学顕微鏡(500倍率)で観察したところ、
図5に示すように楕円形のピットが従来より高感度では
っきりと確認出来た。従って、本発明によりOSFの検
出も可能であることがわかった。
にチョクラルスキー法により製造された直径100m
m、面方位<111>、導電型N型、抵抗率0.019
Ωcmの鏡面研磨シリコンウエーハで、酸化熱処理によ
りOSFの発生しているシリコンウエーハをサンプルと
して使用し、エッチング量1.0μm、エッチング速度
0.05μm/min の替わりにそれぞれ、エッチング量
片面で0.6μm、エッチング速度0.03μm/min
とした以外は実施例3と同様にして、アルカリエッチン
グを行ない、洗浄後乾燥した。次いで、このシリコンウ
エーハを光学顕微鏡(500倍率)で観察したところ、
図5に示すように楕円形のピットが従来より高感度では
っきりと確認出来た。従って、本発明によりOSFの検
出も可能であることがわかった。
【0040】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明
の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同
一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いか
なるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
るものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明
の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同
一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いか
なるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【0041】例えば、上記では蛍光灯又は集光灯下、目
視による観察を中心に説明したが、本発明は、この場合
に限定されるものではなく、従来の分析・観察装置、例
えば光学顕微鏡等を使用して観察しても、従来の場合よ
りもはっきりと高感度で重金属汚染部やエッチピット等
を確認することが出来るという利点を有するものであ
る。また、Cu等の重金属不純物による汚染についても
評価出来る。
視による観察を中心に説明したが、本発明は、この場合
に限定されるものではなく、従来の分析・観察装置、例
えば光学顕微鏡等を使用して観察しても、従来の場合よ
りもはっきりと高感度で重金属汚染部やエッチピット等
を確認することが出来るという利点を有するものであ
る。また、Cu等の重金属不純物による汚染についても
評価出来る。
【0042】
【発明の効果】本発明のシリコンウエーハの評価方法に
より、ウエーハの手間のかかる前処理や高額測定装置を
必要とせず、安全、簡便、低コスト、迅速にウエーハ面
内全面について重金属汚染の有無及びライフタイムの低
下等を信頼性高く評価出来る。
より、ウエーハの手間のかかる前処理や高額測定装置を
必要とせず、安全、簡便、低コスト、迅速にウエーハ面
内全面について重金属汚染の有無及びライフタイムの低
下等を信頼性高く評価出来る。
【図1】実施例1の結果図である。(a)は本発明の評
価法によりシリコンウエーハを評価した結果図である。
(b)は対応する顕微鏡観察図である。
価法によりシリコンウエーハを評価した結果図である。
(b)は対応する顕微鏡観察図である。
【図2】「くもり」発生シリコンウエーハ及び「くも
り」未発生シリコンウエーハのライフタイム比較図であ
る。
り」未発生シリコンウエーハのライフタイム比較図であ
る。
【図3】実施例3の顕微鏡による観察図である。
【図4】実施例4の顕微鏡による観察図である。
【図5】実施例5の顕微鏡による観察図である。
Claims (8)
- 【請求項1】 シリコンウエーハをアルカリ水溶液でエ
ッチングし、その後シリコンウエーハの表面状態を観察
することを特徴とするシリコンウエーハの評価方法。 - 【請求項2】 前記アルカリ水溶液をNaOH及び/又
はKOH水溶液とすることを特徴とする請求項1記載の
シリコンウエーハの評価方法。 - 【請求項3】 前記表面状態の観察を蛍光灯又は集光灯
下、目視により行うことを特徴とする請求項1又は請求
項2に記載のシリコンウエーハの評価方法。 - 【請求項4】 エッチング速度を0.01〜1.5μm
/minとすることを特徴とする請求項1乃至請求項3
のいずれか1項に記載のシリコンウエーハの評価方法。 - 【請求項5】 アルカリ水溶液によるエッチングを液温
10〜80℃、濃度1〜40重量%で行なうことを特徴
とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載のシ
リコンウエーハの評価方法。 - 【請求項6】 エッチング量を0.2〜1.5μmとす
る請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載のシリコ
ンウエーハの評価方法。 - 【請求項7】 シリコンウエーハ表面を撥水性にする前
処理をした後に、アルカリエッチングすることを特徴と
する請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載のシリ
コンウエーハの評価方法。 - 【請求項8】 前記請求項1乃至請求項7のいずれか1
項に記載のシリコンウエーハの評価方法において、重金
属汚染の有無及びライフタイムの低下を評価することを
特徴とするシリコンウエーハの評価方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15362298A JPH11330043A (ja) | 1998-05-18 | 1998-05-18 | シリコンウエーハの評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15362298A JPH11330043A (ja) | 1998-05-18 | 1998-05-18 | シリコンウエーハの評価方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11330043A true JPH11330043A (ja) | 1999-11-30 |
Family
ID=15566526
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15362298A Pending JPH11330043A (ja) | 1998-05-18 | 1998-05-18 | シリコンウエーハの評価方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11330043A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002029883A1 (en) * | 2000-10-06 | 2002-04-11 | Aoti Operating Company, Inc. | Method to detect surface metal contamination |
| JP2007157818A (ja) * | 2005-12-01 | 2007-06-21 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶基板の結晶欠陥評価方法 |
| US7601538B2 (en) | 2004-05-24 | 2009-10-13 | Sumco Corporation | Method for analyzing impurity |
-
1998
- 1998-05-18 JP JP15362298A patent/JPH11330043A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002029883A1 (en) * | 2000-10-06 | 2002-04-11 | Aoti Operating Company, Inc. | Method to detect surface metal contamination |
| US6911347B2 (en) | 2000-10-06 | 2005-06-28 | Aoti Operating Company, Inc. | Method to detect surface metal contamination |
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