JPH11330547A - 半導体発光素子およびその製造方法 - Google Patents
半導体発光素子およびその製造方法Info
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- JPH11330547A JPH11330547A JP13301098A JP13301098A JPH11330547A JP H11330547 A JPH11330547 A JP H11330547A JP 13301098 A JP13301098 A JP 13301098A JP 13301098 A JP13301098 A JP 13301098A JP H11330547 A JPH11330547 A JP H11330547A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 窒化物系半導体発光素子の活性層へ成長する
欠陥の個数を従来よりも少なくする。 【解決手段】 サファイア基板８上にＡｓを含んだＧａ
Ｎよりなるバッファ層９、ｎ型ＧａＮコンタクト層１
０、ｎ型Ｇａ0.9Ａｌ0.1Ｎクラッド層１１、活性層１
２、ｐ型Ｇａ0.9Ａｌ0.1Ｎクラッド層１３およびｐ型Ｇ
ａＮコンタクト層１４が順次積層された構造を有してい
る。バッファ層９におけるＡｓの含有量は約１０19／ｃ
ｍ3である。
欠陥の個数を従来よりも少なくする。 【解決手段】 サファイア基板８上にＡｓを含んだＧａ
Ｎよりなるバッファ層９、ｎ型ＧａＮコンタクト層１
０、ｎ型Ｇａ0.9Ａｌ0.1Ｎクラッド層１１、活性層１
２、ｐ型Ｇａ0.9Ａｌ0.1Ｎクラッド層１３およびｐ型Ｇ
ａＮコンタクト層１４が順次積層された構造を有してい
る。バッファ層９におけるＡｓの含有量は約１０19／ｃ
ｍ3である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、窒化物半導体発光
素子とその製造方法に関するものである。
素子とその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＧａＮ，ＩｎＮ，ＡｌＮ等の窒化物半導
体は、青色半導体レーザ装置等の発光素子や、高温で高
速動作するトランジスタ等に用いる材料として好適であ
る。
体は、青色半導体レーザ装置等の発光素子や、高温で高
速動作するトランジスタ等に用いる材料として好適であ
る。
【０００３】従来の半導体発光素子としては、例えば特
開平６−１７７４２３号公報に示すようなものが知られ
ており、図４を参照して説明する。
開平６−１７７４２３号公報に示すようなものが知られ
ており、図４を参照して説明する。
【０００４】この構造はサファイア基板１、多結晶また
はアモルファスのＧａＮよりなるバッファ層２、ｎ型Ｇ
ａＮコンタクト層３、ｎ型Ｇａ1-xＡｌxＮ（０≦ｘ≦
１）クラッド層４、ＩｎyＧａ1-yＮ（０≦ｙ≦１）活性
層５、ｐ型Ｇａ1-zＡｌzＮ（０≦ｚ≦１）クラッド層
６、ｐ型ＧａＮコンタクト層７が順次積層された構造を
有したものである。
はアモルファスのＧａＮよりなるバッファ層２、ｎ型Ｇ
ａＮコンタクト層３、ｎ型Ｇａ1-xＡｌxＮ（０≦ｘ≦
１）クラッド層４、ＩｎyＧａ1-yＮ（０≦ｙ≦１）活性
層５、ｐ型Ｇａ1-zＡｌzＮ（０≦ｚ≦１）クラッド層
６、ｐ型ＧａＮコンタクト層７が順次積層された構造を
有したものである。
【０００５】このような半導体発光素子においては、ｎ
型ＧａＮコンタクト層３等の結晶性を上げるために必ず
バッファ層２が必要である。バッファ層２の結晶成長の
方法は、例えば特開平７−３１２３５０号公報に技術が
開示されており、それは６００℃程度の温度で多結晶ま
たはアモルファスのＧａＮまたはＧａ1-tＡｌtＮ（０≦
ｔ＜１）よりなるバッファ層を堆積したのちに１，００
０℃の高温で窒化物半導体を成長させる方法である。こ
の方法によれば、バッファ層２の成長後、１，０００℃
に昇温する時に多結晶またはアモルファスのＧａＮまた
はＧａ1-tＡｌtＮが部分的に単結晶化し、単結晶化した
部分を核として単結晶の窒化物半導体層が成長するため
発光が可能になると考えられている。
型ＧａＮコンタクト層３等の結晶性を上げるために必ず
バッファ層２が必要である。バッファ層２の結晶成長の
方法は、例えば特開平７−３１２３５０号公報に技術が
開示されており、それは６００℃程度の温度で多結晶ま
たはアモルファスのＧａＮまたはＧａ1-tＡｌtＮ（０≦
ｔ＜１）よりなるバッファ層を堆積したのちに１，００
０℃の高温で窒化物半導体を成長させる方法である。こ
の方法によれば、バッファ層２の成長後、１，０００℃
に昇温する時に多結晶またはアモルファスのＧａＮまた
はＧａ1-tＡｌtＮが部分的に単結晶化し、単結晶化した
部分を核として単結晶の窒化物半導体層が成長するため
発光が可能になると考えられている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらバッファ
層２を用いた場合、６００℃の成長温度においては、窒
素原料であるアンモニアとIII族原料との反応が十分で
ないため、バッファ層２中に１０19ｃｍ-3程度の窒素原
子の空孔ができ、これが種となってクラッド層４および
活性層５へ欠陥が成長し、その結果半導体発光素子の寿
命を短くしていた。またアンモニアとIII族原料との反
応を向上させるために、バッファ層２の成長温度を６０
０℃よりも高くすると、サファイア基板１の上にバッフ
ァ層２が均一に積層しなくなるので活性層５に成長する
欠陥の数を少なくすることはできなかった。
層２を用いた場合、６００℃の成長温度においては、窒
素原料であるアンモニアとIII族原料との反応が十分で
ないため、バッファ層２中に１０19ｃｍ-3程度の窒素原
子の空孔ができ、これが種となってクラッド層４および
活性層５へ欠陥が成長し、その結果半導体発光素子の寿
命を短くしていた。またアンモニアとIII族原料との反
応を向上させるために、バッファ層２の成長温度を６０
０℃よりも高くすると、サファイア基板１の上にバッフ
ァ層２が均一に積層しなくなるので活性層５に成長する
欠陥の数を少なくすることはできなかった。
【０００７】その結果、従来の半導体発光素子は、特に
レーザなどの大きな電流密度を必要とする使用におい
て、その信頼性に問題が生じていた。
レーザなどの大きな電流密度を必要とする使用におい
て、その信頼性に問題が生じていた。
【０００８】本発明は、以上のような事情を鑑みてなさ
れたものであり、活性層へ成長する欠陥の個数を極めて
少なくし、その結果高い信頼性を有する半導体発光素子
を提供することを目的とする。
れたものであり、活性層へ成長する欠陥の個数を極めて
少なくし、その結果高い信頼性を有する半導体発光素子
を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】以上の問題を解決するた
めに本発明の半導体発光素子は、基板と、前記基板上に
積層されたバッファ層と、前記バッファ層上に積層され
た窒化物半導体層とを有し、前記バッファ層がＶ族元素
を含む窒化物半導体層を有するものである。
めに本発明の半導体発光素子は、基板と、前記基板上に
積層されたバッファ層と、前記バッファ層上に積層され
た窒化物半導体層とを有し、前記バッファ層がＶ族元素
を含む窒化物半導体層を有するものである。
【００１０】この構成によれば、バッファ層中に生じる
窒素原子の空孔が窒素と同じＶ族元素の原子により埋め
られているので、バッファ層の窒素原子の空孔が種とな
って活性層へ成長する欠陥が生じない。
窒素原子の空孔が窒素と同じＶ族元素の原子により埋め
られているので、バッファ層の窒素原子の空孔が種とな
って活性層へ成長する欠陥が生じない。
【００１１】また本発明の半導体発光素子の製造方法
は、基板上に窒化物半導体からなるバッファ層および発
光素子形成層を順次積層し、前記バッファ層を形成する
ために用いる原料にアンモニアとＶ族水素化物とを含む
ものである。
は、基板上に窒化物半導体からなるバッファ層および発
光素子形成層を順次積層し、前記バッファ層を形成する
ために用いる原料にアンモニアとＶ族水素化物とを含む
ものである。
【００１２】この構成により、Ｖ族水素化物からＶ族原
子が供給されるので、バッファ層の結晶成長において生
じる窒素原子の空孔をＶ族原子によって埋めることがで
きる。
子が供給されるので、バッファ層の結晶成長において生
じる窒素原子の空孔をＶ族原子によって埋めることがで
きる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の半導体発光素子の
実施の形態について図面を用いて説明する。
実施の形態について図面を用いて説明する。
【００１４】本発明の実施の形態における半導体発光素
子は、図１に示すようにサファイア基板８上に層厚が
１，０００Åの砒素を含んだＧａＮ［以降、ＧａＮ（Ａ
ｓ）と記す］よりなるバッファ層９、層厚が２μｍのＳ
ｉドープのｎ型ＧａＮコンタクト層１０、層厚が０．５
μｍのＳｉドープのｎ型Ｇａ0.9Ａｌ0.1Ｎクラッド層１
１、活性層１２、層厚が０．５μｍのＭｇドープのｐ型
Ｇａ0.9Ａｌ0.1Ｎクラッド層１３および層厚が１μｍの
Ｍｇドープのｐ型ＧａＮコンタクト層１４が順次積層さ
れた構造のものである。バッファ層９における砒素の含
有量は約１０19／ｃｍ3、すなわち窒素に対する砒素の
量は１０-3程度である。
子は、図１に示すようにサファイア基板８上に層厚が
１，０００Åの砒素を含んだＧａＮ［以降、ＧａＮ（Ａ
ｓ）と記す］よりなるバッファ層９、層厚が２μｍのＳ
ｉドープのｎ型ＧａＮコンタクト層１０、層厚が０．５
μｍのＳｉドープのｎ型Ｇａ0.9Ａｌ0.1Ｎクラッド層１
１、活性層１２、層厚が０．５μｍのＭｇドープのｐ型
Ｇａ0.9Ａｌ0.1Ｎクラッド層１３および層厚が１μｍの
Ｍｇドープのｐ型ＧａＮコンタクト層１４が順次積層さ
れた構造のものである。バッファ層９における砒素の含
有量は約１０19／ｃｍ3、すなわち窒素に対する砒素の
量は１０-3程度である。
【００１５】また、活性層１２は、層厚が５０ÅのＧａ
Ｎバリア層と層厚が５０ÅのＩｎ0. 2Ｇａ0.8Ｎ井戸層と
を交互に積層した、合計６層の多重量子井戸構造を有し
ている（図示せず）。
Ｎバリア層と層厚が５０ÅのＩｎ0. 2Ｇａ0.8Ｎ井戸層と
を交互に積層した、合計６層の多重量子井戸構造を有し
ている（図示せず）。
【００１６】さらにｎ型ＧａＮコンタクト層１０、ｎ型
Ｇａ0.9Ａｌ0.1Ｎクラッド層１１、活性層１２、ｐ型Ｇ
ａ0.9Ａｌ0.1Ｎクラッド層１３およびｐ型ＧａＮコンタ
クト層１４の一部は、図示していないがドライエッチン
グにより、ｎ型ＧａＮコンタクト層１０の一部を残し厚
みが１．５μｍになるまでエッチングされ、ｎ型ＧａＮ
コンタクト層１０の表面を露出させている。そのｎ型Ｇ
ａＮコンタクト層１０の露出した表面にＴｉを含む合
金、例えばＴｉ／Ａｕよりなるｎ型電極１５が積層さ
れ、ｐ型ＧａＮコンタクト層１４の表面にはＮｉを含む
合金、例えばＮｉ／Ａｕよりなるｐ型電極１６が積層さ
れている。
Ｇａ0.9Ａｌ0.1Ｎクラッド層１１、活性層１２、ｐ型Ｇ
ａ0.9Ａｌ0.1Ｎクラッド層１３およびｐ型ＧａＮコンタ
クト層１４の一部は、図示していないがドライエッチン
グにより、ｎ型ＧａＮコンタクト層１０の一部を残し厚
みが１．５μｍになるまでエッチングされ、ｎ型ＧａＮ
コンタクト層１０の表面を露出させている。そのｎ型Ｇ
ａＮコンタクト層１０の露出した表面にＴｉを含む合
金、例えばＴｉ／Ａｕよりなるｎ型電極１５が積層さ
れ、ｐ型ＧａＮコンタクト層１４の表面にはＮｉを含む
合金、例えばＮｉ／Ａｕよりなるｐ型電極１６が積層さ
れている。
【００１７】この構成により、バッファ層９中の窒素原
子の空孔が砒素により埋められているので、窒素原子の
空孔が種となって活性層１２へ成長する欠陥が生じず、
その結果窒化物半導体発光素子の寿命が従来より長くな
る。
子の空孔が砒素により埋められているので、窒素原子の
空孔が種となって活性層１２へ成長する欠陥が生じず、
その結果窒化物半導体発光素子の寿命が従来より長くな
る。
【００１８】次に本発明の実施の形態における窒化物半
導体発光素子の製造方法を、図２を用いて説明する。
導体発光素子の製造方法を、図２を用いて説明する。
【００１９】まず、サファイア基板８の表面上に、有機
金属気相エピタキシャル成長法により、ＧａＮ（Ａｓ）
からなるバッファ層９を結晶成長させる。バッファ層９
の結晶成長に用いる原料として、トリメチルガリウム、
アンモニア（ＮＨ3）およびアルシン（ＡｓＨ3）を用い
る。アルシンの流量は、アンモニアの流量の０．１％と
する。また、バッファ層９の成長温度は６００℃である
［図２（ａ）］。
金属気相エピタキシャル成長法により、ＧａＮ（Ａｓ）
からなるバッファ層９を結晶成長させる。バッファ層９
の結晶成長に用いる原料として、トリメチルガリウム、
アンモニア（ＮＨ3）およびアルシン（ＡｓＨ3）を用い
る。アルシンの流量は、アンモニアの流量の０．１％と
する。また、バッファ層９の成長温度は６００℃である
［図２（ａ）］。
【００２０】次にアルシンの供給をストップし、成長温
度を１，０００℃にしてｎ型ＧａＮコンタクト層１０を
結晶成長させる［図２（ｂ）］。
度を１，０００℃にしてｎ型ＧａＮコンタクト層１０を
結晶成長させる［図２（ｂ）］。
【００２１】さらに、成長温度を１，０００℃に保って
ｎ型Ｇａ0.9Ａｌ0.1Ｎクラッド層１１、活性層１２、ｐ
型Ｇａ0.9Ａｌ0.1Ｎクラッド層１３およびｐ型ＧａＮコ
ンタクト層１４を順次積層する［図２（ｃ）］。
ｎ型Ｇａ0.9Ａｌ0.1Ｎクラッド層１１、活性層１２、ｐ
型Ｇａ0.9Ａｌ0.1Ｎクラッド層１３およびｐ型ＧａＮコ
ンタクト層１４を順次積層する［図２（ｃ）］。
【００２２】しかる後、ｐ型ＧａＮコンタクト層１４の
表面にニッケルマスクをかけ、ｎ型ＧａＮコンタクト層
１０、ｎ型Ｇａ0.9Ａｌ0.1Ｎクラッド層１１、活性層１
２、ｐ型Ｇａ0.9Ａｌ0.1Ｎクラッド層１３およびｐ型Ｇ
ａＮコンタクト層１４の一部をドライエッチングによ
り、ｎ型ＧａＮコンタクト層１０の一部を残し厚みが
１．５μｍになるまでエッチングし、ｎ型ＧａＮコンタ
クト層１０の表面を露出させる。
表面にニッケルマスクをかけ、ｎ型ＧａＮコンタクト層
１０、ｎ型Ｇａ0.9Ａｌ0.1Ｎクラッド層１１、活性層１
２、ｐ型Ｇａ0.9Ａｌ0.1Ｎクラッド層１３およびｐ型Ｇ
ａＮコンタクト層１４の一部をドライエッチングによ
り、ｎ型ＧａＮコンタクト層１０の一部を残し厚みが
１．５μｍになるまでエッチングし、ｎ型ＧａＮコンタ
クト層１０の表面を露出させる。
【００２３】しかる後、ニッケルマスクを除去し、ｎ型
ＧａＮコンタクト層１０の露出した表面にｎ型電極１５
を蒸着し、ｐ型ＧａＮコンタクト層１４の表面にｐ型電
極１６を蒸着する（図１）。
ＧａＮコンタクト層１０の露出した表面にｎ型電極１５
を蒸着し、ｐ型ＧａＮコンタクト層１４の表面にｐ型電
極１６を蒸着する（図１）。
【００２４】この製造方法により、アルシンから砒素が
供給されるので、バッファ層９の結晶成長において生じ
る窒素原子の空孔を砒素によって埋めることができ、そ
の結果欠陥の少ない活性層を形成できるため、従来より
寿命の長い窒化物半導体発光素子を製造することができ
る。
供給されるので、バッファ層９の結晶成長において生じ
る窒素原子の空孔を砒素によって埋めることができ、そ
の結果欠陥の少ない活性層を形成できるため、従来より
寿命の長い窒化物半導体発光素子を製造することができ
る。
【００２５】本発明の実施の形態における窒化物半導体
発光素子（以下素子Ａという）と従来の窒化物半導体発
光素子（以下素子Ｂという）との寿命特性を比較した結
果を図３に示す。
発光素子（以下素子Ａという）と従来の窒化物半導体発
光素子（以下素子Ｂという）との寿命特性を比較した結
果を図３に示す。
【００２６】寿命特性を調べる実験を、周囲の温度を７
０℃、素子からの波長が４２０ｎｍのレーザ光を用い、
５ｍＷの一定の出力条件のもとで行った。素子Ａおよび
素子Ｂに関する、動作時間と動作電流の変化率との関係
を図３に示す。図３において、曲線Ａおよび曲線Ｂはそ
れぞれ素子Ａおよび素子Ｂに対応する。なお、動作電流
の変化率とは、素子をある時間動作させたときの５ｍＷ
出力の電流値の素子を動作させた直後の５ｍＷ出力の電
流値に対する比を表し、それが１に近いほど素子の劣化
が少ないことを示す。
０℃、素子からの波長が４２０ｎｍのレーザ光を用い、
５ｍＷの一定の出力条件のもとで行った。素子Ａおよび
素子Ｂに関する、動作時間と動作電流の変化率との関係
を図３に示す。図３において、曲線Ａおよび曲線Ｂはそ
れぞれ素子Ａおよび素子Ｂに対応する。なお、動作電流
の変化率とは、素子をある時間動作させたときの５ｍＷ
出力の電流値の素子を動作させた直後の５ｍＷ出力の電
流値に対する比を表し、それが１に近いほど素子の劣化
が少ないことを示す。
【００２７】図３に示すように、素子Ａの動作電流の変
化率は動作時間が１０，０００時間経過してもほとんど
１であり、素子Ａが１０，０００時間の動作後もほとん
ど劣化しないことがわかる。一方、素子Ｂの動作電流の
変化率は動作時間が５，０００時間経過した後急激に増
加する。これは、素子Ａにおいてバッファ層９中の窒素
原子の空孔が砒素により埋められ、空孔が種となって活
性層１２へ成長する欠陥が生じず、結果として素子Ｂに
比べて劣化が小さいと考えられる。
化率は動作時間が１０，０００時間経過してもほとんど
１であり、素子Ａが１０，０００時間の動作後もほとん
ど劣化しないことがわかる。一方、素子Ｂの動作電流の
変化率は動作時間が５，０００時間経過した後急激に増
加する。これは、素子Ａにおいてバッファ層９中の窒素
原子の空孔が砒素により埋められ、空孔が種となって活
性層１２へ成長する欠陥が生じず、結果として素子Ｂに
比べて劣化が小さいと考えられる。
【００２８】上記実施の形態において、以下に示す置き
換えを行っても同様の効果が得られる。
換えを行っても同様の効果が得られる。
【００２９】バッファ層９として、砒素もしくはリンあ
るいは両方とも含んだＧａ1-v-wＡｌvＩｎwＮ（０≦ｖ
≦１、０≦ｗ≦１、ｖ＋ｗ＝１）を用いても同様の効果
が得られる。
るいは両方とも含んだＧａ1-v-wＡｌvＩｎwＮ（０≦ｖ
≦１、０≦ｗ≦１、ｖ＋ｗ＝１）を用いても同様の効果
が得られる。
【００３０】バッファ層９を結晶成長する際に用いる、
砒素以外のＶ族原料としてアルシンの代わりにターチャ
ルブチルアルシン（ＴＢＡｓ）等の有機Ｖ族化合物を用
いてもよい。
砒素以外のＶ族原料としてアルシンの代わりにターチャ
ルブチルアルシン（ＴＢＡｓ）等の有機Ｖ族化合物を用
いてもよい。
【００３１】バッファ層９を結晶成長する際に用いる、
アンモニア以外のＶ族原料の流量は、バッファ層９にお
ける窒素原子の空孔を埋めることができる程度以上であ
ればよい。
アンモニア以外のＶ族原料の流量は、バッファ層９にお
ける窒素原子の空孔を埋めることができる程度以上であ
ればよい。
【００３２】サファイア基板８の代わりにスピネル（Ｍ
ｇＡｌ2Ｏ4）、ＭｇＯ、ＬｉＮｂＯ 3，ＬｉＧａＯ2等の
絶縁性基板、あるいはＳｉＣ、Ｓｉ、ＧａＡｓ等の導電
性基板を用いてもよい。
ｇＡｌ2Ｏ4）、ＭｇＯ、ＬｉＮｂＯ 3，ＬｉＧａＯ2等の
絶縁性基板、あるいはＳｉＣ、Ｓｉ、ＧａＡｓ等の導電
性基板を用いてもよい。
【００３３】
【発明の効果】本発明の窒化物半導体発光素子およびそ
の製造方法によれば、窒化物半導体で形成されたバッフ
ァ層にＶ族の元素を含ませることにより、窒素原子の空
孔をＶ族元素の原子により埋めることができるので、種
となって活性層へ成長する欠陥が生じず、結果として窒
化物半導体発光素子の寿命を従来よりも長くすることが
できる。
の製造方法によれば、窒化物半導体で形成されたバッフ
ァ層にＶ族の元素を含ませることにより、窒素原子の空
孔をＶ族元素の原子により埋めることができるので、種
となって活性層へ成長する欠陥が生じず、結果として窒
化物半導体発光素子の寿命を従来よりも長くすることが
できる。
【図１】本発明の実施の形態における窒化物半導体発光
素子の断面図
素子の断面図
【図２】本発明の実施の形態における窒化物半導体発光
素子の製造方法を示す図
素子の製造方法を示す図
【図３】本発明の実施の形態における窒化物半導体発光
素子と従来の窒化物半導体発光素子との寿命特性を比較
した図
素子と従来の窒化物半導体発光素子との寿命特性を比較
した図
【図４】従来の窒化物半導体発光素子の断面図
８ サファイア基板 ９ バッファ層 １０ ｎ型ＧａＮコンタクト層 １１ ｎ型Ｇａ0.9Ａｌ0.1Ｎクラッド層 １２ 活性層 １３ ｐ型Ｇａ0.9Ａｌ0.1Ｎクラッド層 １４ ｐ型ＧａＮコンタクト層 １５ ｎ型電極 １６ ｐ型電極
Claims (7)
- 【請求項１】 基板と、前記基板上に積層されたバッフ
ァ層と、前記バッファ層上に積層された窒化物半導体層
とを有し、前記バッファ層がＶ族元素を含む窒化物半導
体層であることを特徴とする半導体発光素子。 - 【請求項２】 前記Ｖ族元素が砒素またはリンであるこ
とを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。 - 【請求項３】 前記基板が絶縁性基板であることを特徴
とする請求項１記載の半導体発光素子。 - 【請求項４】 前記絶縁性基板がサファイア、スピネ
ル、ＭｇＯ、ＬｉＮｂＯ 3またはＬｉＧａＯ2よりなるこ
とを特徴とする請求項３記載の半導体発光素子。 - 【請求項５】 基板上に窒化物半導体層からなるバッフ
ァ層および発光素子形成層を順次積層し、前記バッファ
層を形成するために用いる原料にアンモニアとＶ族水素
化物とを含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方
法。 - 【請求項６】 前記Ｖ族水素化物の流量は前記アンモニ
アの流量の１％以下であることを特徴とする請求項５記
載の半導体発光素子の製造方法。 - 【請求項７】 前記Ｖ族水素化物の代わりに有機Ｖ族化
合物を用いることを特徴とする請求項５または６記載の
半導体発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13301098A JPH11330547A (ja) | 1998-05-15 | 1998-05-15 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13301098A JPH11330547A (ja) | 1998-05-15 | 1998-05-15 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11330547A true JPH11330547A (ja) | 1999-11-30 |
Family
ID=15094688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13301098A Pending JPH11330547A (ja) | 1998-05-15 | 1998-05-15 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11330547A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002003517A1 (en) * | 2000-07-03 | 2002-01-10 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Iii group nitride compound semiconductor light emitting element |
| US6720584B2 (en) * | 2000-12-04 | 2004-04-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride type compound semiconductor light emitting element |
| US7005685B2 (en) | 2002-02-28 | 2006-02-28 | Shiro Sakai | Gallium-nitride-based compound semiconductor device |
| WO2006095379A1 (en) | 2005-03-11 | 2006-09-14 | Omb S.R.L. | Mounting system for a household appliance |
-
1998
- 1998-05-15 JP JP13301098A patent/JPH11330547A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002003517A1 (en) * | 2000-07-03 | 2002-01-10 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Iii group nitride compound semiconductor light emitting element |
| US6838706B2 (en) | 2000-07-03 | 2005-01-04 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Group III nitride compound semiconductor light-emitting device which emits light having a wavelength in a range from 360 to 550 NM |
| US6720584B2 (en) * | 2000-12-04 | 2004-04-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride type compound semiconductor light emitting element |
| US7005685B2 (en) | 2002-02-28 | 2006-02-28 | Shiro Sakai | Gallium-nitride-based compound semiconductor device |
| WO2006095379A1 (en) | 2005-03-11 | 2006-09-14 | Omb S.R.L. | Mounting system for a household appliance |
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| A977 | Report on retrieval |
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