JPH11330772A - 高電磁波シールド性透明シート - Google Patents
高電磁波シールド性透明シートInfo
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- JPH11330772A JPH11330772A JP35685898A JP35685898A JPH11330772A JP H11330772 A JPH11330772 A JP H11330772A JP 35685898 A JP35685898 A JP 35685898A JP 35685898 A JP35685898 A JP 35685898A JP H11330772 A JPH11330772 A JP H11330772A
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Landscapes
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 透明性を低下させることなく、より高い電磁
波シールド性と合わせて視認性更にはモアレ干渉縞も解
決した高電磁波シールド性透明シートを提供すること。 【解決手段】 PETフィルム等の透明シート1の上
に、全光線透過率50%以上になるように銅を主成分と
する網の目状銅パターン(例えば正方形の格子パター
ン)Pと全面による透明導電性薄膜層(例えばITO)
2とを設ける。該薄膜層の積層順序は問わない。該銅パ
ターンの表面に酸化銅又は硫化銅等による黒褐色層3を
設けると視認性が上がり、また該銅パターンの線幅1〜
25μmに設定するとモアレ干渉縞が消滅するか軽減さ
れる。該透明シートは、PDP等の画面前面に懸垂して
使用する。
波シールド性と合わせて視認性更にはモアレ干渉縞も解
決した高電磁波シールド性透明シートを提供すること。 【解決手段】 PETフィルム等の透明シート1の上
に、全光線透過率50%以上になるように銅を主成分と
する網の目状銅パターン(例えば正方形の格子パター
ン)Pと全面による透明導電性薄膜層(例えばITO)
2とを設ける。該薄膜層の積層順序は問わない。該銅パ
ターンの表面に酸化銅又は硫化銅等による黒褐色層3を
設けると視認性が上がり、また該銅パターンの線幅1〜
25μmに設定するとモアレ干渉縞が消滅するか軽減さ
れる。該透明シートは、PDP等の画面前面に懸垂して
使用する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、透明性と共に、電
磁波シールド性を更に向上した高電磁波シールド性透明
シートの関する。
磁波シールド性を更に向上した高電磁波シールド性透明
シートの関する。
【0002】
【従来の技術】各種電子情報機器から発せられる電磁
波、逆に他界から受ける電磁波は各機器相互間の誤動作
の原因になったり、更には人体に対する悪影響を及ぼす
ものとして、問題となっている。現在一般に検討されて
いる電磁波シールド方法は次の2つの方式によってい
る。
波、逆に他界から受ける電磁波は各機器相互間の誤動作
の原因になったり、更には人体に対する悪影響を及ぼす
ものとして、問題となっている。現在一般に検討されて
いる電磁波シールド方法は次の2つの方式によってい
る。
【0003】その1つの方法は、ニッケルとか銅を表面
にメッキした導電性繊維をメッシュ状にして、これを2
枚の基板の間に挟持するとか、基板上に接着剤を介し
て、銅等の金属回路をメッシュ状にもうけたもの、つま
りメッシュ方式である。
にメッキした導電性繊維をメッシュ状にして、これを2
枚の基板の間に挟持するとか、基板上に接着剤を介し
て、銅等の金属回路をメッシュ状にもうけたもの、つま
りメッシュ方式である。
【0004】もう1つの方式は、ITO(インジウムス
ズ酸化物)、銀等を使って、これを基板の全面に薄膜状
でコーティングして得た薄膜方式である。
ズ酸化物)、銀等を使って、これを基板の全面に薄膜状
でコーティングして得た薄膜方式である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところが前記メッシュ
方式と薄膜方式とでは、効果上に次のような差がある。
方式と薄膜方式とでは、効果上に次のような差がある。
【0006】つまりメッシュ方式では、一般に電磁波シ
ールド性には優れている。しかし、特に透明性も必要と
する電磁波シールド材料にあっては、この電磁波シール
ド性と透明性とは二律背反の関係にあって、透明性は良
くない。更にはモアレ干渉縞も発生しやすい。
ールド性には優れている。しかし、特に透明性も必要と
する電磁波シールド材料にあっては、この電磁波シール
ド性と透明性とは二律背反の関係にあって、透明性は良
くない。更にはモアレ干渉縞も発生しやすい。
【0007】一方薄膜方式では透明性、モアレ干渉縞の
点については満足されているが電磁波シールド性は劣
り、それも波長依存性があって、特に高周波帯域でのシ
ールド性が悪い。尚、電磁波シールド部材を通してプラ
ズマディスプレイ(PDP)等の表示裏面を見る場合に
透明性以外に視認性、つまり長時間視聴しても見やす
く、目にあまり疲労感も持たないものという点について
も要求されているがこれについては両方式共に満足され
ていない。
点については満足されているが電磁波シールド性は劣
り、それも波長依存性があって、特に高周波帯域でのシ
ールド性が悪い。尚、電磁波シールド部材を通してプラ
ズマディスプレイ(PDP)等の表示裏面を見る場合に
透明性以外に視認性、つまり長時間視聴しても見やす
く、目にあまり疲労感も持たないものという点について
も要求されているがこれについては両方式共に満足され
ていない。
【0008】本発明者らは前記の種々の問題に対して、
透明性を低下させず、より高い透明性をもって、より高
い電磁波シールド性を有するシールド材の開発、そして
この両特性に更に視認性とモアレ干渉縞の発生を防止な
いし軽減する非モアレ干渉縞性も付与せしめるシールド
材をも開発するために鋭意検討した。その結果、次のよ
うな解決手段を見出し発明に至った。
透明性を低下させず、より高い透明性をもって、より高
い電磁波シールド性を有するシールド材の開発、そして
この両特性に更に視認性とモアレ干渉縞の発生を防止な
いし軽減する非モアレ干渉縞性も付与せしめるシールド
材をも開発するために鋭意検討した。その結果、次のよ
うな解決手段を見出し発明に至った。
【0009】
【課題を解決するための手段】即ち本発明の主たる課題
である優れた透明性を持って、より高い電磁波シールド
性を有する透明シートに対して、請求項1を提供するこ
とで解決する。つまり透明シート(1)上に、全光線透
過率(以下Ttと略す)が50%以上になるように銅を
主成分とする網の目状銅パターン(P)と透明導電性薄
膜層(2)の少なくとも2層を設けた高電磁波シールド
性透明シートである。
である優れた透明性を持って、より高い電磁波シールド
性を有する透明シートに対して、請求項1を提供するこ
とで解決する。つまり透明シート(1)上に、全光線透
過率(以下Ttと略す)が50%以上になるように銅を
主成分とする網の目状銅パターン(P)と透明導電性薄
膜層(2)の少なくとも2層を設けた高電磁波シールド
性透明シートである。
【0010】そして前記主たる課題に対して更に見やす
くする視認性の課題に対して請求項2を提供し、これを
解決する。つまり前記網の目銅パターン(P)の表面に
更に褐色から黒色の着色層(3)を加層することによる
ものである。
くする視認性の課題に対して請求項2を提供し、これを
解決する。つまり前記網の目銅パターン(P)の表面に
更に褐色から黒色の着色層(3)を加層することによる
ものである。
【0011】更なる課題であるモアレ干渉縞に対して
は、この現象が網の目状銅パターン(P)の中で正方形
又は長方形の格子状パターンが、他の形状よりもより発
生しやすいことから、請求項5でこれらの形状に対し
て、特に該パターンの線幅を1〜25μm、開口率を5
6〜96%にすることで解決をはかるものである。
は、この現象が網の目状銅パターン(P)の中で正方形
又は長方形の格子状パターンが、他の形状よりもより発
生しやすいことから、請求項5でこれらの形状に対し
て、特に該パターンの線幅を1〜25μm、開口率を5
6〜96%にすることで解決をはかるものである。
【0012】尚、請求項3〜4、請求項6は前記請求項
1〜2に対する従属発明として、1つの好ましい形態と
して提供するものである。以下に本発明をより詳細に説
明する。
1〜2に対する従属発明として、1つの好ましい形態と
して提供するものである。以下に本発明をより詳細に説
明する。
【0013】
【発明の実施形態】まず請求項1〜6における高電磁波
シールド性透明シートの基体となる透明シート(1)
は、全光線透過率Ttが約60%以上、好ましくは65
%以上を有する透明無機ガラス又は、合成樹脂よりなる
厚さ約0.05〜5mmのフィルム状又は、板状のもの
である。そして、特に合成樹脂シートの場合には、他に
耐熱性、耐候性、非収縮性、耐薬品性、その他の機械的
強度にも優れているのが良い。前記合成樹脂シートはア
クリル系、シリコーン系、ウレタン系等の熱硬化性樹脂
シートでもよいが所望する厚さのものが容易に得られ難
い等の理由から熱可塑性樹脂シートの方が好ましい。
シールド性透明シートの基体となる透明シート(1)
は、全光線透過率Ttが約60%以上、好ましくは65
%以上を有する透明無機ガラス又は、合成樹脂よりなる
厚さ約0.05〜5mmのフィルム状又は、板状のもの
である。そして、特に合成樹脂シートの場合には、他に
耐熱性、耐候性、非収縮性、耐薬品性、その他の機械的
強度にも優れているのが良い。前記合成樹脂シートはア
クリル系、シリコーン系、ウレタン系等の熱硬化性樹脂
シートでもよいが所望する厚さのものが容易に得られ難
い等の理由から熱可塑性樹脂シートの方が好ましい。
【0014】具体的には厚さ1〜3mmの強化又は非強
化無機ガラス板、或いはポリメタルアクリレート、ポリ
スチレン、スチレンとアクリロニトリル又はメチルメタ
アクリレートとの共重合体、ポリ(4−メチルペンテン
−1)、ポリプロピレン、シクロペンテン、ノルボネ
ン、テトラシクロドデカン等の単独又はこれらとエチレ
ンとの共重合の環状オレフィン系ポリマ(非晶性)、ポ
リエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルホン、ポ
リカーボネート、各種液晶性ポリマ等による厚さ0.0
5〜5mm、好ましくは0.1〜3mmの熱可塑性樹脂
シートがあげられる。
化無機ガラス板、或いはポリメタルアクリレート、ポリ
スチレン、スチレンとアクリロニトリル又はメチルメタ
アクリレートとの共重合体、ポリ(4−メチルペンテン
−1)、ポリプロピレン、シクロペンテン、ノルボネ
ン、テトラシクロドデカン等の単独又はこれらとエチレ
ンとの共重合の環状オレフィン系ポリマ(非晶性)、ポ
リエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルホン、ポ
リカーボネート、各種液晶性ポリマ等による厚さ0.0
5〜5mm、好ましくは0.1〜3mmの熱可塑性樹脂
シートがあげられる。
【0015】尚、前記透明シート(1)は一般には単独
でのシートであるが、適宜2種以上を複合した複合透明
シートであっても良い。そして、該シート自身に、例え
ば近赤外線遮蔽性、反射防止性を付与せしめてもよい。
でのシートであるが、適宜2種以上を複合した複合透明
シートであっても良い。そして、該シート自身に、例え
ば近赤外線遮蔽性、反射防止性を付与せしめてもよい。
【0016】そして前記透明シート上に銅を主成分とす
る網の目状銅パターン(P)と透明導電性薄膜層(2)
とが設けられることになるが、まずこの形成に際して、
最終的に得られた透明シートの全体に有するTtを50
%以上、好ましくは60%以上のできるだけ透明性の高
い内容で設定する必要があることである。そして少なく
ともこの2構成要素がとられたことで、各々単独の場合
に比較して、電磁波シールド性とTtとが相乗的に向上
することになるのである。この相乗的効果は、単に該銅
パターンの開口部に透明導電性薄膜層が存在しているか
らということではなく、該銅パターン自身の形状が絡み
となって作用したためではないかと考えられる。
る網の目状銅パターン(P)と透明導電性薄膜層(2)
とが設けられることになるが、まずこの形成に際して、
最終的に得られた透明シートの全体に有するTtを50
%以上、好ましくは60%以上のできるだけ透明性の高
い内容で設定する必要があることである。そして少なく
ともこの2構成要素がとられたことで、各々単独の場合
に比較して、電磁波シールド性とTtとが相乗的に向上
することになるのである。この相乗的効果は、単に該銅
パターンの開口部に透明導電性薄膜層が存在しているか
らということではなく、該銅パターン自身の形状が絡み
となって作用したためではないかと考えられる。
【0017】ここで前記網の目状銅パターン(P)につ
いて説明する。ここでまず該パターンの材料が銅を主成
分とするのは他の金属に比較して電磁波シールド性を付
与する点から総合的(性能、品質、製造のしやすさ等)
にみて最も有効な材料であるからである。ここで銅を主
成分とするとは、銅のみ又は銅と他の金属との合金、例
えばCu/Zn(黄銅)、Cu/Sn(青銅)、Cu/
Al、Cu/Ni、Cu/Pb、Cu/Be等の銅を主
体とする二種合金、Cu/Sn/P(りん青銅)等の銅
を主体とする三種合金等をも含む意味である。但し、こ
れらの合金を含め、後述する銅パターンの製造手段(化
学エッチングとかスパッタリング等)に対して、不都合
なものは避けねばならない。
いて説明する。ここでまず該パターンの材料が銅を主成
分とするのは他の金属に比較して電磁波シールド性を付
与する点から総合的(性能、品質、製造のしやすさ等)
にみて最も有効な材料であるからである。ここで銅を主
成分とするとは、銅のみ又は銅と他の金属との合金、例
えばCu/Zn(黄銅)、Cu/Sn(青銅)、Cu/
Al、Cu/Ni、Cu/Pb、Cu/Be等の銅を主
体とする二種合金、Cu/Sn/P(りん青銅)等の銅
を主体とする三種合金等をも含む意味である。但し、こ
れらの合金を含め、後述する銅パターンの製造手段(化
学エッチングとかスパッタリング等)に対して、不都合
なものは避けねばならない。
【0018】また、前記パターンは網の目状である必要
があるが、この意味は連続した銅を主成分とする銅連続
線が、ある形状をもった開口部をもって規則的に網の目
に配置されているパターンということである。具体的に
は、開口部が正方形又は長方形でもってなる格子銅パタ
ーン、菱形とか、円形とかさらには3又は5〜10のい
ずれかによる多角形よりなる銅パターン等が例示できる
が、この中でも正方形又は長方形の格子銅パターンを網
の目状とする場合に前記効果がより有効に発現されるの
で好ましい。
があるが、この意味は連続した銅を主成分とする銅連続
線が、ある形状をもった開口部をもって規則的に網の目
に配置されているパターンということである。具体的に
は、開口部が正方形又は長方形でもってなる格子銅パタ
ーン、菱形とか、円形とかさらには3又は5〜10のい
ずれかによる多角形よりなる銅パターン等が例示できる
が、この中でも正方形又は長方形の格子銅パターンを網
の目状とする場合に前記効果がより有効に発現されるの
で好ましい。
【0019】前記正方形又は、長方形の格子銅パターン
が他の網の目銅パターンよりも有効であるのは、より高
い透明性を得て、より高い電磁波シールド性をバランス
よく発現するようにコントロールするのがより容易であ
るからである。
が他の網の目銅パターンよりも有効であるのは、より高
い透明性を得て、より高い電磁波シールド性をバランス
よく発現するようにコントロールするのがより容易であ
るからである。
【0020】しかし、前記格子銅パターンでは例えばP
DPの画面と対面した場合に他の網の目パターンよりも
モアレ干渉縞が発生し易くまた、強い縞模様になり易い
という欠点である。これは、特に該パターンの線幅を1
〜25μmに特定し、そしてそれによって透明性が維持
されるように開口部56〜96%として解決をはかる。
もちろん他の網の目銅パターンではこの線幅に特定され
ることなく、適宜効果との関係によって決めればよい。
尚、一般にモアレ干渉縞の解消又は軽減はPDP等の画
面との対面角度をかえることで行われているが、本発明
ではこの対面角度に関係なく解消又は、軽減することが
できる。
DPの画面と対面した場合に他の網の目パターンよりも
モアレ干渉縞が発生し易くまた、強い縞模様になり易い
という欠点である。これは、特に該パターンの線幅を1
〜25μmに特定し、そしてそれによって透明性が維持
されるように開口部56〜96%として解決をはかる。
もちろん他の網の目銅パターンではこの線幅に特定され
ることなく、適宜効果との関係によって決めればよい。
尚、一般にモアレ干渉縞の解消又は軽減はPDP等の画
面との対面角度をかえることで行われているが、本発明
ではこの対面角度に関係なく解消又は、軽減することが
できる。
【0021】前記線幅1〜25μm、好ましくは3〜2
0μm、更に好ましくは5〜15μmは、少なくともモ
アレ干渉縞の発生を解決するために必要である。ここで
線幅はより小さいほどその効果は大きくなり、開口率も
あがるので透明性も向上するが、これが1μm未満にな
ると、電磁波シールド効果において前記格子銅パターン
との相乗的効果もなくなり実用的でないレベルになるの
で好ましくない。一方25μmより大きいとモアレ干渉
縞が発生する傾向になると共に、開口率が小さくなりT
tの点からも好ましくないということになる。
0μm、更に好ましくは5〜15μmは、少なくともモ
アレ干渉縞の発生を解決するために必要である。ここで
線幅はより小さいほどその効果は大きくなり、開口率も
あがるので透明性も向上するが、これが1μm未満にな
ると、電磁波シールド効果において前記格子銅パターン
との相乗的効果もなくなり実用的でないレベルになるの
で好ましくない。一方25μmより大きいとモアレ干渉
縞が発生する傾向になると共に、開口率が小さくなりT
tの点からも好ましくないということになる。
【0022】従って、前記線幅にあっては透明性にも影
響することになるのでその線幅以内での透明性、つまり
Ttに対しては開口率でいえば56〜96%に対応する
ことになる。この開口率については数1と数2によって
求められるものであるが詳細に説明すると次の通りであ
る。
響することになるのでその線幅以内での透明性、つまり
Ttに対しては開口率でいえば56〜96%に対応する
ことになる。この開口率については数1と数2によって
求められるものであるが詳細に説明すると次の通りであ
る。
【0023】まず正方形の格子パターンの場合の開口率
について図2と共に、次の数1で説明する。該図で点線
と実線とで交差して表示する部分Bが正方形の開口部
で、この開口部Bは、該銅パターンの1個を構成単位と
するAによって形成されている。従って開口率(%)
(56〜96%)と線幅とは数1の関係にある。但しa
は1〜25μm、bは構成単位Aの一辺の長さ(μm)
である。尚、数1における(b−a)はオープニングと
も呼ばれる。
について図2と共に、次の数1で説明する。該図で点線
と実線とで交差して表示する部分Bが正方形の開口部
で、この開口部Bは、該銅パターンの1個を構成単位と
するAによって形成されている。従って開口率(%)
(56〜96%)と線幅とは数1の関係にある。但しa
は1〜25μm、bは構成単位Aの一辺の長さ(μm)
である。尚、数1における(b−a)はオープニングと
も呼ばれる。
【0024】
【数1】
【0025】次に長方形の格子銅パターンについては、
図3と共に次の数2で説明する。該図で点線と実線とで
交差して表示する部分が開口部Gであり、これは前記銅
パターンの1個を構成単位とするHによって形成されて
いる。従って開口率(%)(56〜96%)と線幅とは
数2の関係にある。但し、cとdとは1〜25μmで一
般にはc=dであるが、c≠dの場合もある。eとfと
は各々長辺と短(μm)の長さで1つの単位Hを構成す
る。この両辺はe>fの場合もあれば、e<fの場合も
ある。またe>d、f>cである。尚、数2で(e−
d)、(f−c)はオープニングとも呼ばれる。
図3と共に次の数2で説明する。該図で点線と実線とで
交差して表示する部分が開口部Gであり、これは前記銅
パターンの1個を構成単位とするHによって形成されて
いる。従って開口率(%)(56〜96%)と線幅とは
数2の関係にある。但し、cとdとは1〜25μmで一
般にはc=dであるが、c≠dの場合もある。eとfと
は各々長辺と短(μm)の長さで1つの単位Hを構成す
る。この両辺はe>fの場合もあれば、e<fの場合も
ある。またe>d、f>cである。尚、数2で(e−
d)、(f−c)はオープニングとも呼ばれる。
【0026】
【数2】
【0027】尚、前記網の目状銅パターンの厚さについ
ては電磁波シールド効果が最大限に発現されるように透
明導電性薄膜層(2)の膜厚よりも、より厚膜である必
要があるがあまり厚くても該効果は上がらない。かかる
意味から約0.5〜10μm、好ましくは1〜7μmに
設定するのがよい。
ては電磁波シールド効果が最大限に発現されるように透
明導電性薄膜層(2)の膜厚よりも、より厚膜である必
要があるがあまり厚くても該効果は上がらない。かかる
意味から約0.5〜10μm、好ましくは1〜7μmに
設定するのがよい。
【0028】次に前記透明導電膜層(2)について説明
する。まず該薄膜層は前記網の目状銅パターン(P)の
下層又は上層として全面に設けられるものである。そし
てこの層は透明で導電性、つまりより低抵抗性を有する
導電性素材によって形成されるが、この透明性は少なく
とも全体のTtが50%より小さくならないようなもの
で可能な限りTtの高いものが好ましい。また、薄膜層
が形成し易く透明シート(1)および網の目状銅パター
ン(P)とも十分な密着力を有するものであることも望
まれることである。そして膜厚については少なくとも導
電性、つまり電磁波シールド作用が有効に行われないよ
うなあまりにも薄くても好ましくなく、逆にあまりにも
厚くても衝撃とか屈曲によってクラックが入り易くなる
のでこれらのバランスを考えて決める必要があり、10
0〜1500Å、好ましくは150〜1200Åであ
る。
する。まず該薄膜層は前記網の目状銅パターン(P)の
下層又は上層として全面に設けられるものである。そし
てこの層は透明で導電性、つまりより低抵抗性を有する
導電性素材によって形成されるが、この透明性は少なく
とも全体のTtが50%より小さくならないようなもの
で可能な限りTtの高いものが好ましい。また、薄膜層
が形成し易く透明シート(1)および網の目状銅パター
ン(P)とも十分な密着力を有するものであることも望
まれることである。そして膜厚については少なくとも導
電性、つまり電磁波シールド作用が有効に行われないよ
うなあまりにも薄くても好ましくなく、逆にあまりにも
厚くても衝撃とか屈曲によってクラックが入り易くなる
のでこれらのバランスを考えて決める必要があり、10
0〜1500Å、好ましくは150〜1200Åであ
る。
【0029】前記透明で導電性を有しかつ薄膜層の形成
し易い導電性材としては、例えば銀、白金、アルミニウ
ム、クロム等の金属単体、酸化インジウム、二酸化ス
ズ、酸化亜鉛、酸化カドミウム等の金属酸化物、酸化イ
ンジウムにスズをドーピングしたインジウムスズ酸化物
(ITO)、二酸化スズにアンチモンをドーピングした
アンチモンスズ酸化物(ATO)、二酸化スズにフッ素
をドーピングしたフッ素スズ酸化物(FTO)、酸化亜
鉛をアルミニウムでドーピングしたアルミニウム亜鉛酸
化物(AZO)、酸化インジウムと酸化亜鉛の複合酸化
物等が挙げられる。これらの中で前記金属単体の場合
は、他よりも導電性は高いが透明性の点では劣るので透
明性を上げようとするならば膜厚をより薄くする必要が
ある。しかし膜厚を薄くすると導電性が悪くなる。従っ
て網の目状銅パターンとの相乗的効果も減退することに
なる。
し易い導電性材としては、例えば銀、白金、アルミニウ
ム、クロム等の金属単体、酸化インジウム、二酸化ス
ズ、酸化亜鉛、酸化カドミウム等の金属酸化物、酸化イ
ンジウムにスズをドーピングしたインジウムスズ酸化物
(ITO)、二酸化スズにアンチモンをドーピングした
アンチモンスズ酸化物(ATO)、二酸化スズにフッ素
をドーピングしたフッ素スズ酸化物(FTO)、酸化亜
鉛をアルミニウムでドーピングしたアルミニウム亜鉛酸
化物(AZO)、酸化インジウムと酸化亜鉛の複合酸化
物等が挙げられる。これらの中で前記金属単体の場合
は、他よりも導電性は高いが透明性の点では劣るので透
明性を上げようとするならば膜厚をより薄くする必要が
ある。しかし膜厚を薄くすると導電性が悪くなる。従っ
て網の目状銅パターンとの相乗的効果も減退することに
なる。
【0030】従って前記例示する導電性材の中でも導電
性つまり電磁波シールド効果と共に透明性とがバランス
よく相乗的に発現するものとしては金属単体よりも、金
属酸化物又は、ドーピングされた金属酸化物の方が好ま
しく、代表的なものとしてITOを挙げることができ
る。
性つまり電磁波シールド効果と共に透明性とがバランス
よく相乗的に発現するものとしては金属単体よりも、金
属酸化物又は、ドーピングされた金属酸化物の方が好ま
しく、代表的なものとしてITOを挙げることができ
る。
【0031】次に前記請求項1の高電磁波シールド性透
明シートの製造方法について説明するがこの製造方法に
ついて制限するものでなく、例えば次の4例を挙げるこ
とができる。
明シートの製造方法について説明するがこの製造方法に
ついて制限するものでなく、例えば次の4例を挙げるこ
とができる。
【0032】その例1の方法は前記透明シート(1)の
片面に無電解メッキのためのメッキ核を形成するための
アンカ層(親水性樹脂)(例えばポリヒドロキシエチル
アクリレート)を設け、そして該アンカ層にパラジウム
を触媒とする化学メッキ用の無電解メッキ層を設け、そ
のメッキ層を銅の無電解メッキ液にて処理し、場合によ
っては更に電解による銅メッキを行って、1〜10μm
の銅層を全面に設ける。次に所望の網の目状パターンを
有するマスキングフィルムを使って一般に行われるフォ
トエッチング法によって網の目状銅パターンを形成す
る。
片面に無電解メッキのためのメッキ核を形成するための
アンカ層(親水性樹脂)(例えばポリヒドロキシエチル
アクリレート)を設け、そして該アンカ層にパラジウム
を触媒とする化学メッキ用の無電解メッキ層を設け、そ
のメッキ層を銅の無電解メッキ液にて処理し、場合によ
っては更に電解による銅メッキを行って、1〜10μm
の銅層を全面に設ける。次に所望の網の目状パターンを
有するマスキングフィルムを使って一般に行われるフォ
トエッチング法によって網の目状銅パターンを形成す
る。
【0033】次に前記の網の目状銅パターンを含む全面
に透明導電性薄膜層(2)を積層する。該薄膜層の積層
法には特に制限はないが前記で例示する導電性素材を使
って真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティ
ング法等の物理的薄膜形成手段によって積層するのがよ
い。これらの中でもスパッタリング法は速やかにかつ高
品質の透明導電性薄膜を形成することができるので好ま
しい。
に透明導電性薄膜層(2)を積層する。該薄膜層の積層
法には特に制限はないが前記で例示する導電性素材を使
って真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティ
ング法等の物理的薄膜形成手段によって積層するのがよ
い。これらの中でもスパッタリング法は速やかにかつ高
品質の透明導電性薄膜を形成することができるので好ま
しい。
【0034】例2の方法は前記透明シート(1)に銅箔
を接着ラミネートした銅張りシートを使う方法である。
つまり該銅張り面を前記例1と同様にフォトエッチング
法によって所望の網の目状銅パターンとなし、更に該パ
ターンの上から全面に物理的薄膜形成手段によって透明
導電性薄膜を設けるものである。
を接着ラミネートした銅張りシートを使う方法である。
つまり該銅張り面を前記例1と同様にフォトエッチング
法によって所望の網の目状銅パターンとなし、更に該パ
ターンの上から全面に物理的薄膜形成手段によって透明
導電性薄膜を設けるものである。
【0035】例3の方法は、まず透明シート(1)上に
設けられる網の目状銅パターン(P)自身が、銅を主成
分とする銅の薄膜を下地層としてその上にメッキ手段、
例えば電解メッキによって銅を厚膜にメッキすることに
よってつくられる。そしてこの形成された該銅パターン
(P)の上に全面に前記と同様にして透明導電性薄膜層
(2)を積層する方法である。尚、該銅パターン自身を
形成する方法には次の2つの場合がある。
設けられる網の目状銅パターン(P)自身が、銅を主成
分とする銅の薄膜を下地層としてその上にメッキ手段、
例えば電解メッキによって銅を厚膜にメッキすることに
よってつくられる。そしてこの形成された該銅パターン
(P)の上に全面に前記と同様にして透明導電性薄膜層
(2)を積層する方法である。尚、該銅パターン自身を
形成する方法には次の2つの場合がある。
【0036】まずその1つは、前記透明シート(1)面
に前記の銅を主成分とする銅素材を使って前記の物理的
薄膜形成手段によって厚さ50〜1μm、好ましくは1
00〜0.7μmの厚さの薄膜層を設ける。次に該薄膜
層の全面に電解メッキによって銅メッキを行って、厚さ
1〜10μmの厚膜層を積層する。最後に所望する網の
目状パターン画像を有するマスキングフィルムを使って
フォトリソグラフィ法を経由フォトエッチングする。こ
れにより銅の薄膜層を下地層にその上に銅の厚膜が積層
された2層よりなる網の目状銅パターンが形成されるこ
とになる。
に前記の銅を主成分とする銅素材を使って前記の物理的
薄膜形成手段によって厚さ50〜1μm、好ましくは1
00〜0.7μmの厚さの薄膜層を設ける。次に該薄膜
層の全面に電解メッキによって銅メッキを行って、厚さ
1〜10μmの厚膜層を積層する。最後に所望する網の
目状パターン画像を有するマスキングフィルムを使って
フォトリソグラフィ法を経由フォトエッチングする。こ
れにより銅の薄膜層を下地層にその上に銅の厚膜が積層
された2層よりなる網の目状銅パターンが形成されるこ
とになる。
【0037】もう1つは、まず前記と同様に透明シート
(1)面に物理的薄膜形成手段によって銅を主成分とす
る厚さ50Å〜1μm、好ましくは100Å〜0.7μ
mの薄膜層を設ける。次に該薄膜層を所望する網の目状
パターン画像を有するマスキングフィルムを使って、フ
ォトリソグラフィ法により現像して該パターン部を露出
する。つまりここでは非パターン部は感光性レジストに
よりマスクされている状態にしておく。次に露出した該
パターン部の該薄膜層上にメッキ手段によって銅を電解
メッキして厚さ1〜10μmの厚膜の該パターン層を積
層する。次に非パターン部に残存する該レジスト膜を溶
媒で剥離除去する。
(1)面に物理的薄膜形成手段によって銅を主成分とす
る厚さ50Å〜1μm、好ましくは100Å〜0.7μ
mの薄膜層を設ける。次に該薄膜層を所望する網の目状
パターン画像を有するマスキングフィルムを使って、フ
ォトリソグラフィ法により現像して該パターン部を露出
する。つまりここでは非パターン部は感光性レジストに
よりマスクされている状態にしておく。次に露出した該
パターン部の該薄膜層上にメッキ手段によって銅を電解
メッキして厚さ1〜10μmの厚膜の該パターン層を積
層する。次に非パターン部に残存する該レジスト膜を溶
媒で剥離除去する。
【0038】最後に全面を化学エッチングし前記非パタ
ーン部の該薄膜層が溶解除去されたら、直ちにエッチン
グを停止する。全面を化学エッチングするので、既に該
パターンを形成しているメッキによる銅も同時にエッチ
ングされる。しかし非パターン部の薄膜層がはるかに早
くエッチングされるので、該メッキによって厚膜にある
銅の減少はきわめて小さく実質的に元の厚さを維持して
残る。
ーン部の該薄膜層が溶解除去されたら、直ちにエッチン
グを停止する。全面を化学エッチングするので、既に該
パターンを形成しているメッキによる銅も同時にエッチ
ングされる。しかし非パターン部の薄膜層がはるかに早
くエッチングされるので、該メッキによって厚膜にある
銅の減少はきわめて小さく実質的に元の厚さを維持して
残る。
【0039】例4の方法は透明導電性薄膜層(2)を下
層にその上に網の目状銅パターン(P)を設ける方法で
ある。具体的にはまず透明シート(1)の片面の全面に
前記する導電性材を使ってこれを物理的薄膜形成手段に
よって透明導電性薄膜(2)を設ける。次に所望する網
の目状パターン画像を有するマスキングフィルムを使っ
てフォトリソグラフィ法により現像してパターンに相当
する部分を露光する。つまりここでは非パターン部は感
光性レジストによりマスクされている状態にある。
層にその上に網の目状銅パターン(P)を設ける方法で
ある。具体的にはまず透明シート(1)の片面の全面に
前記する導電性材を使ってこれを物理的薄膜形成手段に
よって透明導電性薄膜(2)を設ける。次に所望する網
の目状パターン画像を有するマスキングフィルムを使っ
てフォトリソグラフィ法により現像してパターンに相当
する部分を露光する。つまりここでは非パターン部は感
光性レジストによりマスクされている状態にある。
【0040】そして前記のパターン部を形成する露出部
分(透明導電性薄膜部分)に厚さ1〜10μmの銅を電
解メッキする。最後に非パターン部分の残存レジストを
剥離(又は溶解)除去する。つまりこの方法では、透明
導電性薄膜層(2)が下層となって全面に設けられその
上層に所望する網の目状銅パターン(P)が設けられる
という構成をとることになる。尚、導電性薄膜層(2)
に銅を電解メッキする場合該薄膜層の材質によっては、
電解メッキ環境(通電性、電解メッキ液に対する耐性
等)、メッキされる銅との密着性等が問題になる場合が
ある。このような場合には予め種々のテストして密着の
ための前処理条件を知る必要がある。例えば該薄膜層を
ITOとした場合には、銅メッキ層との密着性が弱いの
で予めITO層にパラジウムとニッケルとの各無電解メ
ッキを行ってその上に銅を電解メッキする方法をとる。
分(透明導電性薄膜部分)に厚さ1〜10μmの銅を電
解メッキする。最後に非パターン部分の残存レジストを
剥離(又は溶解)除去する。つまりこの方法では、透明
導電性薄膜層(2)が下層となって全面に設けられその
上層に所望する網の目状銅パターン(P)が設けられる
という構成をとることになる。尚、導電性薄膜層(2)
に銅を電解メッキする場合該薄膜層の材質によっては、
電解メッキ環境(通電性、電解メッキ液に対する耐性
等)、メッキされる銅との密着性等が問題になる場合が
ある。このような場合には予め種々のテストして密着の
ための前処理条件を知る必要がある。例えば該薄膜層を
ITOとした場合には、銅メッキ層との密着性が弱いの
で予めITO層にパラジウムとニッケルとの各無電解メ
ッキを行ってその上に銅を電解メッキする方法をとる。
【0041】しかし、前記4例の方法の中でも例3又は
例4のいずれかが好ましい。その理由は次の通りであ
る。つまり例1、2のように接着剤層を設けることなく
導電性材料でもって接着機能をもたせているので接着剤
による透明性の低下は全くないこと、接着剤によるより
も接着力が高く安定し寿命が長いこと。更に厚膜の銅パ
ターンの電磁波シールド効果自身に若干の該シールド効
果が加えられること、接着剤層を設けるための別途工程
を必要としないこと等である。
例4のいずれかが好ましい。その理由は次の通りであ
る。つまり例1、2のように接着剤層を設けることなく
導電性材料でもって接着機能をもたせているので接着剤
による透明性の低下は全くないこと、接着剤によるより
も接着力が高く安定し寿命が長いこと。更に厚膜の銅パ
ターンの電磁波シールド効果自身に若干の該シールド効
果が加えられること、接着剤層を設けるための別途工程
を必要としないこと等である。
【0042】次に請求項2の着色層(3)を設ける方法
について説明する。この方法は前記網の目状銅パターン
(P)の表面を着色するものであるが、まずその着色の
色としては特に褐色から黒色が選ばれる。この色で着色
した網の目状銅パターンではこれを通してPDP等の画
面等を見た場合に他の色より見やすく長時間凝視しつづ
けても目の疲労も小さいということで目にやさしさを与
える。これはモアレ干渉縞とは別の意味での視認性を付
与するものである。尚ここで褐色から黒色の意味は褐色
又は黒色の単色もあれば両色が適宜混色された場合もあ
り、好ましいのは黒の強い黒褐色の混色がよい。
について説明する。この方法は前記網の目状銅パターン
(P)の表面を着色するものであるが、まずその着色の
色としては特に褐色から黒色が選ばれる。この色で着色
した網の目状銅パターンではこれを通してPDP等の画
面等を見た場合に他の色より見やすく長時間凝視しつづ
けても目の疲労も小さいということで目にやさしさを与
える。これはモアレ干渉縞とは別の意味での視認性を付
与するものである。尚ここで褐色から黒色の意味は褐色
又は黒色の単色もあれば両色が適宜混色された場合もあ
り、好ましいのは黒の強い黒褐色の混色がよい。
【0043】具体的に着色の方法は次の例5〜7が例示
できるがこれに制限はない。まず例5として褐色から黒
色顔料をコーティング樹脂に混合して調整したコーティ
ング樹脂液を網の目状銅パターン(P)の表面に薄くコ
ーティングする方法。そして例6としてはフォトエッチ
ング法を使って網の目状銅パターン(P)を形成する際
に使用する感光性レジストを予め着色しておき該銅パタ
ーン上に残る該レジストを剥離せずにそのまま残してお
く方法。
できるがこれに制限はない。まず例5として褐色から黒
色顔料をコーティング樹脂に混合して調整したコーティ
ング樹脂液を網の目状銅パターン(P)の表面に薄くコ
ーティングする方法。そして例6としてはフォトエッチ
ング法を使って網の目状銅パターン(P)を形成する際
に使用する感光性レジストを予め着色しておき該銅パタ
ーン上に残る該レジストを剥離せずにそのまま残してお
く方法。
【0044】そして例7としては網の目状銅パターン
(P)を酸化処理又は硫化処理して表面を酸化銅又は硫
化銅に変える化学的方法である。しかしこれらの3例の
中でも例7の方法は好ましいものである。それは他の2
法よりも着色層が該銅パターンと表面で一体的に形成さ
れるので、その界面で剥離するような懸念は一切ないこ
と。そして単に酸化又は硫化処理条件を変えることで酸
化銅層又は硫化銅層の膜厚とが、着色の色調を自由に変
えることができるためである。
(P)を酸化処理又は硫化処理して表面を酸化銅又は硫
化銅に変える化学的方法である。しかしこれらの3例の
中でも例7の方法は好ましいものである。それは他の2
法よりも着色層が該銅パターンと表面で一体的に形成さ
れるので、その界面で剥離するような懸念は一切ないこ
と。そして単に酸化又は硫化処理条件を変えることで酸
化銅層又は硫化銅層の膜厚とが、着色の色調を自由に変
えることができるためである。
【0045】前記酸化処理は例えば得られた網の目状銅
パターン(P)を亜塩素酸ナトリウムを水酸化ナトリウ
ムでアルカリ性にした水溶液、つまりアルカリ性の強酸
化剤水溶液に浸漬するだけで容易に酸化銅に変えること
ができる。この時の条件(温度、浸漬時間、アルカリ濃
度亜塩素酸濃度等)については事前にテストし最適条件
を決めるのがよい。また硫化処理は、例えば硫黄又はそ
の無機化合物(例えば硫化カリ)を主成分として水溶液
化して、これに該銅パターン面を接する。ここで硫黄に
よる場合は、それ単独では効率的でないのでこれに生石
灰、カゼイン、必要によっては更に助剤的に硫化カリを
添加して水溶液化する。一方硫化カリの場合には、反応
促進の為に塩化アンモニウム等を併用して水溶液化す
る。いずれの場合も接触の時間、温度は適宜実験により
決める。尚、酸化銅又は硫化銅による表面層の厚さは酸
化又は硫化条件によって自由に変えることができるが、
あまり厚くすると銅パターンとしての電気抵抗値が大き
くなり、その結果電磁波シールド効果を下げる方向に傾
く。その電気抵抗値としては約200mΩ/囗であり、
これを超えないように可能な限り薄い酸化銅層又は硫化
銅層にするのがよい。
パターン(P)を亜塩素酸ナトリウムを水酸化ナトリウ
ムでアルカリ性にした水溶液、つまりアルカリ性の強酸
化剤水溶液に浸漬するだけで容易に酸化銅に変えること
ができる。この時の条件(温度、浸漬時間、アルカリ濃
度亜塩素酸濃度等)については事前にテストし最適条件
を決めるのがよい。また硫化処理は、例えば硫黄又はそ
の無機化合物(例えば硫化カリ)を主成分として水溶液
化して、これに該銅パターン面を接する。ここで硫黄に
よる場合は、それ単独では効率的でないのでこれに生石
灰、カゼイン、必要によっては更に助剤的に硫化カリを
添加して水溶液化する。一方硫化カリの場合には、反応
促進の為に塩化アンモニウム等を併用して水溶液化す
る。いずれの場合も接触の時間、温度は適宜実験により
決める。尚、酸化銅又は硫化銅による表面層の厚さは酸
化又は硫化条件によって自由に変えることができるが、
あまり厚くすると銅パターンとしての電気抵抗値が大き
くなり、その結果電磁波シールド効果を下げる方向に傾
く。その電気抵抗値としては約200mΩ/囗であり、
これを超えないように可能な限り薄い酸化銅層又は硫化
銅層にするのがよい。
【0046】尚、全面に設ける透明導電性薄膜層(2)
は、前記の通り網の目状銅パターン(P)の下層又は上
層として、設ければ良いが、該パターンを挟んで上下の
両層に設けることもできる。この両層の場合には、更に
電磁波シールド性の向上と該パターンの保護も期待され
る。
は、前記の通り網の目状銅パターン(P)の下層又は上
層として、設ければ良いが、該パターンを挟んで上下の
両層に設けることもできる。この両層の場合には、更に
電磁波シールド性の向上と該パターンの保護も期待され
る。
【0047】
【実施例】以下に比較例と共に、実施例によって更に詳
述する。尚、本文中、該例中でいう電磁波シールド性、
全光線透過率Tt(%)及びモアレ干渉縞は、次のよう
な測定方法によって求めたものである。
述する。尚、本文中、該例中でいう電磁波シールド性、
全光線透過率Tt(%)及びモアレ干渉縞は、次のよう
な測定方法によって求めたものである。
【0048】電磁波シールド性は、(財)関西電子工業
振興センター法(一般にKEC法と呼んでいる)におけ
る測定装置によって、周波数100〜1000MHz
(メガヘルツ)の範囲で測定した電磁波の減衰率(dB
−デシベル)でもって表したものである。
振興センター法(一般にKEC法と呼んでいる)におけ
る測定装置によって、周波数100〜1000MHz
(メガヘルツ)の範囲で測定した電磁波の減衰率(dB
−デシベル)でもって表したものである。
【0049】全光線透過率Ttは、JIS K7105
(1981)に基づいた日本電色工業株式会社製の濁度
計タイプNDH−20D型によって測定した透過率
(%)である。
(1981)に基づいた日本電色工業株式会社製の濁度
計タイプNDH−20D型によって測定した透過率
(%)である。
【0050】モアレ干渉縞は、得られた高電磁波シール
ド性透明シートを市販のPDPの画面の全面に隙間10
mmにして懸垂してセットした時に、モアレ干渉縞が現
れているかどうか肉眼にて目測したものである。その発
生程度を3段階で評価し、全く発生しない場合を◎、若
干発生しているが、それが微少で実用上問題にならない
場合を○、発生が明白で実用上問題になるのを×とし
た。尚、開口率については、本文中で説明した数1又は
数2により求めた。
ド性透明シートを市販のPDPの画面の全面に隙間10
mmにして懸垂してセットした時に、モアレ干渉縞が現
れているかどうか肉眼にて目測したものである。その発
生程度を3段階で評価し、全く発生しない場合を◎、若
干発生しているが、それが微少で実用上問題にならない
場合を○、発生が明白で実用上問題になるのを×とし
た。尚、開口率については、本文中で説明した数1又は
数2により求めた。
【0051】(実施例1)まず、透明シートとして厚さ
125μm、大きさ400×1000mm、Tt90%
の二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム(以
下、PETフィルムと呼ぶ)を用い、この片面をグロー
放電によって前処理した。そしてこの前処理PETフィ
ルムをマグネトロン式スパッタ装置の真空槽内に、IT
O(ターゲット)と対峙して配置し、次の条件でITO
をスパッタリングして、全面にITO薄膜をスパッタ蒸
着した。 ・スパッタリング動作圧・・・・真空槽内が4.5%の
酸素を含有するアルゴンガスにて置換して得た真空度2
×10−3トール ・スパッタリング温度・・・・90℃ ・スパッタリング時間・・・・4秒 このスパッタ蒸着によって形成されたITO薄膜層の厚
さは、200Åで表面抵抗値は、400Ω/囗であり、
またTtは88.9%であった。
125μm、大きさ400×1000mm、Tt90%
の二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム(以
下、PETフィルムと呼ぶ)を用い、この片面をグロー
放電によって前処理した。そしてこの前処理PETフィ
ルムをマグネトロン式スパッタ装置の真空槽内に、IT
O(ターゲット)と対峙して配置し、次の条件でITO
をスパッタリングして、全面にITO薄膜をスパッタ蒸
着した。 ・スパッタリング動作圧・・・・真空槽内が4.5%の
酸素を含有するアルゴンガスにて置換して得た真空度2
×10−3トール ・スパッタリング温度・・・・90℃ ・スパッタリング時間・・・・4秒 このスパッタ蒸着によって形成されたITO薄膜層の厚
さは、200Åで表面抵抗値は、400Ω/囗であり、
またTtは88.9%であった。
【0052】次に前記ITO薄膜面にポジ型フォトレジ
ストをロールコータにて厚さ2μmになるようにコーテ
ィングした。そして次に線幅15μm、ピッチ150μ
mでもって作られた正方形の格子パターン画像を有する
マスク用ネガフィルムを使って、これをコーティング面
と真空密着しつつ、130mJ/cm2の強度で紫外線
を照射した。そして、紫外光の照射された該パターン画
像に相当するパターン部分を現像して、剥離除去した。
従って、非パターン画像に相当する部分の該レジスト
は、残存しマスクされている。以下これをITOパター
ンPETフィルムと呼ぶ。
ストをロールコータにて厚さ2μmになるようにコーテ
ィングした。そして次に線幅15μm、ピッチ150μ
mでもって作られた正方形の格子パターン画像を有する
マスク用ネガフィルムを使って、これをコーティング面
と真空密着しつつ、130mJ/cm2の強度で紫外線
を照射した。そして、紫外光の照射された該パターン画
像に相当するパターン部分を現像して、剥離除去した。
従って、非パターン画像に相当する部分の該レジスト
は、残存しマスクされている。以下これをITOパター
ンPETフィルムと呼ぶ。
【0053】次に、前記ITOパターンPETフィルム
を、まずパラジウム無電解液浴印鉱メタルプレーティン
グ株式会社製、品番CG−535A、pH=3〜3.
5)に常温で1分間浸漬し、十分洗浄後、今度はニッケ
ル無電解浴印鉱メタルプレーティング株式会社製、品番
ニコムN、pH=4.5〜5)中に70℃で、5分間浸
漬して、ニッケル層を設けた。尚、このパラジウム無電
解とニッケル無電解は、前述するように、次に行う銅の
電解メッキのための下地層(この場合、層厚は0.2μ
mであった)となるもので、これの介在によってITO
パターン層と銅メッキによる厚膜層とが密着してより強
固な銅パターンが形成されることになる。従って、この
下地層は、全面に設ける透明導電性薄膜層(2)がIT
Oによって、下層として設けられる場合に行う前処理と
いった1例であり、該薄膜層がITO以外の種類のもの
であれば、前処理の内容(前処理はしない場合もあれ
ば、他の方法での前処理を行う場合等)も異なることに
なる。
を、まずパラジウム無電解液浴印鉱メタルプレーティン
グ株式会社製、品番CG−535A、pH=3〜3.
5)に常温で1分間浸漬し、十分洗浄後、今度はニッケ
ル無電解浴印鉱メタルプレーティング株式会社製、品番
ニコムN、pH=4.5〜5)中に70℃で、5分間浸
漬して、ニッケル層を設けた。尚、このパラジウム無電
解とニッケル無電解は、前述するように、次に行う銅の
電解メッキのための下地層(この場合、層厚は0.2μ
mであった)となるもので、これの介在によってITO
パターン層と銅メッキによる厚膜層とが密着してより強
固な銅パターンが形成されることになる。従って、この
下地層は、全面に設ける透明導電性薄膜層(2)がIT
Oによって、下層として設けられる場合に行う前処理と
いった1例であり、該薄膜層がITO以外の種類のもの
であれば、前処理の内容(前処理はしない場合もあれ
ば、他の方法での前処理を行う場合等)も異なることに
なる。
【0054】次に、前記下地層を有するITOパターン
層を陰極として、硫酸銅と硫酸との混合水溶液を陰極と
するメッキ浴に浸漬し、常温で電解(陰極電流密度2A
/dm2、メッキ速度0.28μm/分)メッキした。
このメッキによって積層された銅の厚さは、1.1μm
であった。以下これを銅メッキパターンPETフィルム
と呼ぶ。
層を陰極として、硫酸銅と硫酸との混合水溶液を陰極と
するメッキ浴に浸漬し、常温で電解(陰極電流密度2A
/dm2、メッキ速度0.28μm/分)メッキした。
このメッキによって積層された銅の厚さは、1.1μm
であった。以下これを銅メッキパターンPETフィルム
と呼ぶ。
【0055】次に、前記銅メッキパターンPETフィル
ムの非パターン部分に残る前記レジスト膜をアセトンに
よって溶解除去した。これによって、下層としての全面
ITO透明導電薄膜層とその上層として、正方形状の格
子銅パターンとがPETフィルム上に形成されているこ
とになる。得られた該パターンの線幅は14μmであ
り、他の電磁波シールド性、Tt及びモアレ干渉縞につ
いては表1にまとめた。尚開口率は、数1によって求め
たものである。
ムの非パターン部分に残る前記レジスト膜をアセトンに
よって溶解除去した。これによって、下層としての全面
ITO透明導電薄膜層とその上層として、正方形状の格
子銅パターンとがPETフィルム上に形成されているこ
とになる。得られた該パターンの線幅は14μmであ
り、他の電磁波シールド性、Tt及びモアレ干渉縞につ
いては表1にまとめた。尚開口率は、数1によって求め
たものである。
【0056】
【表1】
【0057】(実施例2)(請求項2の実施例) 前記実施例1によって得られた正方形格子銅パターンを
持つPETフィルムに、次の条件で酸化処理し、該パタ
ーンの銅の表面を着色し黒褐色の着色層3を形成した。
つまり、前記PETフィルムの全体を70℃に加熱した
水酸化ナトリウムと亜塩素酸ナトリウムとを水に溶解し
て得た混合水溶液の浴中に、5分間浸漬し取り出して水
洗乾燥した。銅パターンの表面は酸化され、黒褐色の酸
化銅層に変化した。この酸化銅着色層の厚さは、0.8
μmであった。このものと実施例1とを各々PDPに懸
垂して、表示画像を見た。その結果は、本例が、まず見
た瞬間気分的に落ち着きを感じ、更に長時間凝視した
が、目が疲労するような感じは受けなかった。尚、その
他の電磁波シールド性、Tt及びモアレ干渉縞について
は、実施例1との間に差はなかった。
持つPETフィルムに、次の条件で酸化処理し、該パタ
ーンの銅の表面を着色し黒褐色の着色層3を形成した。
つまり、前記PETフィルムの全体を70℃に加熱した
水酸化ナトリウムと亜塩素酸ナトリウムとを水に溶解し
て得た混合水溶液の浴中に、5分間浸漬し取り出して水
洗乾燥した。銅パターンの表面は酸化され、黒褐色の酸
化銅層に変化した。この酸化銅着色層の厚さは、0.8
μmであった。このものと実施例1とを各々PDPに懸
垂して、表示画像を見た。その結果は、本例が、まず見
た瞬間気分的に落ち着きを感じ、更に長時間凝視した
が、目が疲労するような感じは受けなかった。尚、その
他の電磁波シールド性、Tt及びモアレ干渉縞について
は、実施例1との間に差はなかった。
【0058】前記実施例1と実施例2とを合わせてその
構造を図示すると図1に示すとおりである。つまり、1
はPETフィルム、2は下層として全面に設けられたI
TO透明薄膜層、Pは電解メッキによる銅パターン層、
3は酸化銅による黒褐色の着色層である。
構造を図示すると図1に示すとおりである。つまり、1
はPETフィルム、2は下層として全面に設けられたI
TO透明薄膜層、Pは電解メッキによる銅パターン層、
3は酸化銅による黒褐色の着色層である。
【0059】(実施例3)実施例1と同じPETフィル
ムを4枚準備し、同様にグロー放電による前処理を行っ
た。そして、この各々の前処理したPETフィルムをマ
グネトロン式スパッタリング装置の真空槽内に銅ターゲ
ットと対峙して配置し、該槽内の空気をアルゴンガスに
て完全置換して得た真空度2×10−3トールの動作圧
下において、投入電力9kW(DC)で、1m/分の速
度で走行しつつ、スパッタリングを行い、これを3回反
復して、膜厚0.12μm(±0.01)の銅の薄膜層
を蒸着した。尚、各々についてその一部を切り取って、
180℃の折り曲げテストを行ったが、いずれも該薄膜
層がPETフィルム面から剥離するようなことはなかっ
た。
ムを4枚準備し、同様にグロー放電による前処理を行っ
た。そして、この各々の前処理したPETフィルムをマ
グネトロン式スパッタリング装置の真空槽内に銅ターゲ
ットと対峙して配置し、該槽内の空気をアルゴンガスに
て完全置換して得た真空度2×10−3トールの動作圧
下において、投入電力9kW(DC)で、1m/分の速
度で走行しつつ、スパッタリングを行い、これを3回反
復して、膜厚0.12μm(±0.01)の銅の薄膜層
を蒸着した。尚、各々についてその一部を切り取って、
180℃の折り曲げテストを行ったが、いずれも該薄膜
層がPETフィルム面から剥離するようなことはなかっ
た。
【0060】次に、前記得られた4枚のPETフィルム
の銅薄膜面をフォトリソグラフィ法により処理し、開口
率の異なる正方形格子パターンに変えた。つまり、まず
該薄膜面にポジ型レジスト(光分解型)を2μmコーテ
ィングし、そのコーティング面に線幅15μm一定と
し、ピッチを100μm、150μm、200μmおよ
び250μmに各々変えて作製したマスク用ネガフィル
ムを用い、各々について真空密着し、110mJ/cm
2の紫外光源を照射した。そして、露光された該パター
ン部分の該レジストを現像して溶解除去した(非パター
ン部分の該レジストはそのまま密着残存している。)。
の銅薄膜面をフォトリソグラフィ法により処理し、開口
率の異なる正方形格子パターンに変えた。つまり、まず
該薄膜面にポジ型レジスト(光分解型)を2μmコーテ
ィングし、そのコーティング面に線幅15μm一定と
し、ピッチを100μm、150μm、200μmおよ
び250μmに各々変えて作製したマスク用ネガフィル
ムを用い、各々について真空密着し、110mJ/cm
2の紫外光源を照射した。そして、露光された該パター
ン部分の該レジストを現像して溶解除去した(非パター
ン部分の該レジストはそのまま密着残存している。)。
【0061】次に、前記得られた各々4枚のPETフィ
ルム上に形成されている正方形格子パターンの銅薄膜層
に、次の条件で銅を電解メッキし、厚膜の銅を積層し、
銅パターンとなし、最後に非パターン部の残存レジスト
膜を溶解除去した。つまり、該パターンを陰極として、
硫酸銅と硫酸の混合水溶液をメッキ浴として、これを陽
極として、浴温23℃、電流密度1.7A/dm2、メ
ッキ速度0.3μm/分の速度で電解メッキした。この
電解メッキによる銅パターンの厚さは、各々一様に2.
5μmであった。
ルム上に形成されている正方形格子パターンの銅薄膜層
に、次の条件で銅を電解メッキし、厚膜の銅を積層し、
銅パターンとなし、最後に非パターン部の残存レジスト
膜を溶解除去した。つまり、該パターンを陰極として、
硫酸銅と硫酸の混合水溶液をメッキ浴として、これを陽
極として、浴温23℃、電流密度1.7A/dm2、メ
ッキ速度0.3μm/分の速度で電解メッキした。この
電解メッキによる銅パターンの厚さは、各々一様に2.
5μmであった。
【0062】次に、前記銅薄膜上に形成されている銅パ
ターンを有する4枚のPETフィルムを次の条件で、化
学エッチング処理し、非パターン部分の銅薄膜層を溶解
除去した。つまり、各々4枚のPETフィルムの全体を
エッチング装置内にセットし、20℃過酸化水素/硫酸
系エッチング液を30秒間接触した。非パターン部分の
銅薄膜は溶解除去されたので、直ちにエッチングを停止
し、水洗乾燥した。これによって得られた銅パターンの
厚さは、各々一様に2.41(±0.01)μmであっ
た。この厚さは、エッチング前の前記厚さ(2.5μ
m)と実質的な差はないことがわかる。このことは、銅
パターン部分も非パターン部分の銅薄膜と同時にエッチ
ングされるが、両者の膜厚に大きな差があり、かつ両者
の銅の膜質に差が生じ、該銅薄膜の方が優先してエッチ
ングされたものと考えられる。尚、実施例1の方法によ
る銅パターンよりも線幅の減少は小さく、1対1で再現
された。次ぎに硫黄を主成分として、これに生石灰、カ
ゼイン及び硫化カリを添加して蒸留水に溶解した。これ
を硫化浴として40℃で該銅パターン面と約60秒間接
して後水洗・乾燥した。表面は着色され、実施例2の酸
化銅層の色よりもより黒色で鮮明であった。
ターンを有する4枚のPETフィルムを次の条件で、化
学エッチング処理し、非パターン部分の銅薄膜層を溶解
除去した。つまり、各々4枚のPETフィルムの全体を
エッチング装置内にセットし、20℃過酸化水素/硫酸
系エッチング液を30秒間接触した。非パターン部分の
銅薄膜は溶解除去されたので、直ちにエッチングを停止
し、水洗乾燥した。これによって得られた銅パターンの
厚さは、各々一様に2.41(±0.01)μmであっ
た。この厚さは、エッチング前の前記厚さ(2.5μ
m)と実質的な差はないことがわかる。このことは、銅
パターン部分も非パターン部分の銅薄膜と同時にエッチ
ングされるが、両者の膜厚に大きな差があり、かつ両者
の銅の膜質に差が生じ、該銅薄膜の方が優先してエッチ
ングされたものと考えられる。尚、実施例1の方法によ
る銅パターンよりも線幅の減少は小さく、1対1で再現
された。次ぎに硫黄を主成分として、これに生石灰、カ
ゼイン及び硫化カリを添加して蒸留水に溶解した。これ
を硫化浴として40℃で該銅パターン面と約60秒間接
して後水洗・乾燥した。表面は着色され、実施例2の酸
化銅層の色よりもより黒色で鮮明であった。
【0063】次に前記得られた着色銅パターンを有する
各々のPETフィルムについて、該銅パターンを覆って
全面に上層被覆する形で、ITOをスパッタリングし
た。ここでのスパッタリング条件は、スパッタリング時
間を8秒とする以外は、実施例1と同様条件にて行っ
た。スパッタ蒸着されたITOの膜厚は410Åであ
り、その表面抵抗値は、300Ω/囗であった。
各々のPETフィルムについて、該銅パターンを覆って
全面に上層被覆する形で、ITOをスパッタリングし
た。ここでのスパッタリング条件は、スパッタリング時
間を8秒とする以外は、実施例1と同様条件にて行っ
た。スパッタ蒸着されたITOの膜厚は410Åであ
り、その表面抵抗値は、300Ω/囗であった。
【0064】前記得られた4枚について、形成された銅
パターンの線幅/ピッチに対する電磁波シールド性、T
t及びモアレ干渉縞について測定し、これを表1にまと
めた。
パターンの線幅/ピッチに対する電磁波シールド性、T
t及びモアレ干渉縞について測定し、これを表1にまと
めた。
【0065】(比較例1)(銅パターンのみの場合) 実施例3において、ITO薄膜層は設けない以外は全く
同一条件にてPETフィルム上に各々銅パターンを形成
し、4種の正方形銅パターンを有する4枚のPETフィ
ルムを作製した。各PETフィルムについて、実施例3
と同様に測定し結果を表1にまとめた。
同一条件にてPETフィルム上に各々銅パターンを形成
し、4種の正方形銅パターンを有する4枚のPETフィ
ルムを作製した。各PETフィルムについて、実施例3
と同様に測定し結果を表1にまとめた。
【0066】(比較例2)(ITO薄膜層のみの場合) 実施例1で使用したと同じPETフィルムを用い、同様
にグロー放電による前処理を行い、そしてその処理面に
実施例3で実施したと同じ条件にてITOを全面スパッ
タリングして、同じ膜厚のITO薄膜層を設けた。得ら
れたITO透明薄膜層のみを有するPETフィルムにつ
いて実施例3と同様に測定し結果を表1にまとめた。
にグロー放電による前処理を行い、そしてその処理面に
実施例3で実施したと同じ条件にてITOを全面スパッ
タリングして、同じ膜厚のITO薄膜層を設けた。得ら
れたITO透明薄膜層のみを有するPETフィルムにつ
いて実施例3と同様に測定し結果を表1にまとめた。
【0067】(比較例3)(正方形格子銅パターンの線
幅を25μmより広くした場合) 線幅30μm、ピッチ180μmで作製された正方形格
子パターン画像を有するマスク用ネガフィルムを使用す
る以外は、実施例1と同一条件で実施し、PETフィル
ム上に全面ITO薄膜層、その上に銅格子パターンを順
次積層した。この得られたものについて、実施例1と同
様にして各測定し表1にまとめたがモアレ干渉縞が見ら
れる。
幅を25μmより広くした場合) 線幅30μm、ピッチ180μmで作製された正方形格
子パターン画像を有するマスク用ネガフィルムを使用す
る以外は、実施例1と同一条件で実施し、PETフィル
ム上に全面ITO薄膜層、その上に銅格子パターンを順
次積層した。この得られたものについて、実施例1と同
様にして各測定し表1にまとめたがモアレ干渉縞が見ら
れる。
【0068】表1から明らかなように、まず電磁波シー
ルド性は、勿論銅パターン単独、ITO薄膜単独の場合
よりも両者併用の場合がはるかに高いシールド効果を発
現していることがわかる。更に、特に100MHzより
も高電磁波長では、相乗的効果となって現れており、こ
れは驚くべき結果である。そして、透明性と電磁波シー
ルド性のバランスにおいて、透明性を上げても、その上
がった分の透明性に対して、電磁波シールド性の低下も
小さい。このことは、電磁波シールド性を低下せずに、
透明性を上げることが可能になった事として大きく評価
されるものである。
ルド性は、勿論銅パターン単独、ITO薄膜単独の場合
よりも両者併用の場合がはるかに高いシールド効果を発
現していることがわかる。更に、特に100MHzより
も高電磁波長では、相乗的効果となって現れており、こ
れは驚くべき結果である。そして、透明性と電磁波シー
ルド性のバランスにおいて、透明性を上げても、その上
がった分の透明性に対して、電磁波シールド性の低下も
小さい。このことは、電磁波シールド性を低下せずに、
透明性を上げることが可能になった事として大きく評価
されるものである。
【0069】
【発明の効果】本発明は、前記のとおり構成されている
ので、次のような効果を奏する。
ので、次のような効果を奏する。
【0070】まず、電磁波をシールドする効果が、各々
単独(銅パターンのみ、透明導電性薄膜層のみ)の場合
に比較して、大きく向上すると共に、特に高い電磁波長
領域で相乗的に向上する。
単独(銅パターンのみ、透明導電性薄膜層のみ)の場合
に比較して、大きく向上すると共に、特に高い電磁波長
領域で相乗的に向上する。
【0071】電磁波シールド効果を下げずして、透明性
を上げることが可能になった。このことは、一般に両者
は二律背反の関係にあることに対して、これをくつがえ
すものである。
を上げることが可能になった。このことは、一般に両者
は二律背反の関係にあることに対して、これをくつがえ
すものである。
【0072】網の目状銅パターンの表面に更に褐色から
黒色の着色層を設けることで、視認性が付与されるこ
と。また、特に正方形又は長方形の格子銅パターンの場
合のモアレ干渉縞の発生を、該パターンの線幅を特定す
ることでこれを解消又は軽減することもできる。
黒色の着色層を設けることで、視認性が付与されるこ
と。また、特に正方形又は長方形の格子銅パターンの場
合のモアレ干渉縞の発生を、該パターンの線幅を特定す
ることでこれを解消又は軽減することもできる。
【0073】前記のような各効果を有することで、その
用途は電磁波を発生するPDP、CRT等を初め、各々
電子機器の電磁波シールド部材としての使用を更に拡大
することになる。
用途は電磁波を発生するPDP、CRT等を初め、各々
電子機器の電磁波シールド部材としての使用を更に拡大
することになる。
【図1】実施例1〜2で得られた高電磁波シールド性透
明シートを斜視断面図で示す。
明シートを斜視断面図で示す。
【図2】網の目状銅パターンが、正方形格子パターンで
ある場合を平面図で示す。
ある場合を平面図で示す。
【図3】網の目状銅パターンが、長方形格子パターンで
ある場合を平面図で示す。
ある場合を平面図で示す。
1 PETフイルム 2 ITO透明薄膜層 P 銅パターン層 3 酸化銅着色層 A 正方形の銅パターンの構成単位 B 正方形の開口部 H 長方形の銅パターンの構成単位 G 長方形の開口部
Claims (6)
- 【請求項1】透明シート(1)上に、全光線透過率が5
0%以上になるように、銅を主成分とする網の目状銅パ
ターン(P)と透明導電性薄膜層(2)とが設けられて
いることを特徴とする高電磁波シールド性透明シート。 - 【請求項2】請求項1において、網の目状銅パターン
(P)上に、更に褐色から黒色の着色層(3)が設けら
れていることを特徴とする高電磁波シールド性透明シー
ト。 - 【請求項3】前記褐色から黒色の着色層(3)が酸化銅
又は硫化銅よりなる請求項2に記載の高電磁波シールド
性透明シート。 - 【請求項4】前記透明シート(1)が全光線透過率60
%以上を有する熱可塑性樹脂シートである請求項1〜3
のいずれか1項の記載の高電磁波シールド性透明シー
ト。 - 【請求項5】前記網の目状銅パターン(P)が線幅1〜
25μm、開口率56〜96%よりなる正方形又は長方
形の格子状パターンである請求項1〜4のいずれか1項
に記載の高電磁波シールド性透明シート。 - 【請求項6】前記透明導電性薄膜層(2)の膜厚が10
0〜1500Åである請求項1〜5のいずれか1項に記
載の高電磁波シールド性透明シート。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35685898A JPH11330772A (ja) | 1998-03-17 | 1998-11-09 | 高電磁波シールド性透明シート |
| KR10-1999-7007683A KR100374222B1 (ko) | 1997-12-24 | 1998-12-22 | 전자파 실드용 투명부재 및 그 제조방법 |
| EP98961498A EP0963146B1 (en) | 1997-12-24 | 1998-12-22 | Transparent member for shielding electromagnetic waves and method of producing the same |
| AU16869/99A AU1686999A (en) | 1997-12-24 | 1998-12-22 | Transparent member for shielding electromagnetic waves and method of producing the same |
| CA002282532A CA2282532C (en) | 1997-12-24 | 1998-12-22 | Transparent members for use as shields against electromagnetic waves and process for producing the same |
| PCT/JP1998/005836 WO1999034658A1 (en) | 1997-12-24 | 1998-12-22 | Transparent member for shielding electromagnetic waves and method of producing the same |
| DE69834805T DE69834805T8 (de) | 1997-12-24 | 1998-12-22 | Durchsichtiges element zur abschirmung gegen die elektromagnetischen wellen sowie dessen herstellungsverfahren |
| US09/367,782 US6448492B1 (en) | 1997-12-24 | 1998-12-22 | Transparent member for shielding electromagnetic waves and method of producing the same |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10-89313 | 1998-03-17 | ||
| JP8931398 | 1998-03-17 | ||
| JP35685898A JPH11330772A (ja) | 1998-03-17 | 1998-11-09 | 高電磁波シールド性透明シート |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11330772A true JPH11330772A (ja) | 1999-11-30 |
Family
ID=26430741
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35685898A Pending JPH11330772A (ja) | 1997-12-24 | 1998-11-09 | 高電磁波シールド性透明シート |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11330772A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002198687A (ja) * | 2000-12-25 | 2002-07-12 | Sumitomo Rubber Ind Ltd | 透光性電磁波シールド部材の製造方法 |
| JP2002341780A (ja) * | 2001-05-16 | 2002-11-29 | Bridgestone Corp | 電磁波シールド性光透過窓材 |
| JP2002353684A (ja) * | 2001-05-24 | 2002-12-06 | Kyodo Printing Co Ltd | シールド材 |
| JP2006024501A (ja) * | 2004-07-09 | 2006-01-26 | Gunze Ltd | 透明面状発熱体及びその製造方法 |
| JP2007027389A (ja) * | 2005-07-15 | 2007-02-01 | Dainippon Printing Co Ltd | 電磁波シールドフィルタ、その製造方法、およびこの電磁波シールドフィルタを具備するディスプレイならびに電磁波シールド構成体 |
| JP2007115881A (ja) * | 2005-10-20 | 2007-05-10 | Fujimori Kogyo Co Ltd | 電磁波シールド材及びその製造方法 |
| CN100438738C (zh) * | 2002-08-08 | 2008-11-26 | 大日本印刷株式会社 | 电磁波屏蔽用薄片 |
| US8970515B2 (en) | 2009-02-26 | 2015-03-03 | 3M Innovative Properties Company | Touch screen sensor and patterned substrate having overlaid micropatterns with low visibility |
| KR20210144963A (ko) * | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 김제근 | 산화피막을 형성시킨 순동판을 이용한 액화가스 저장탱크 보강재 및 그 제조 방법 |
-
1998
- 1998-11-09 JP JP35685898A patent/JPH11330772A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002198687A (ja) * | 2000-12-25 | 2002-07-12 | Sumitomo Rubber Ind Ltd | 透光性電磁波シールド部材の製造方法 |
| JP2002341780A (ja) * | 2001-05-16 | 2002-11-29 | Bridgestone Corp | 電磁波シールド性光透過窓材 |
| JP2002353684A (ja) * | 2001-05-24 | 2002-12-06 | Kyodo Printing Co Ltd | シールド材 |
| CN100438738C (zh) * | 2002-08-08 | 2008-11-26 | 大日本印刷株式会社 | 电磁波屏蔽用薄片 |
| JP2006024501A (ja) * | 2004-07-09 | 2006-01-26 | Gunze Ltd | 透明面状発熱体及びその製造方法 |
| JP2007027389A (ja) * | 2005-07-15 | 2007-02-01 | Dainippon Printing Co Ltd | 電磁波シールドフィルタ、その製造方法、およびこの電磁波シールドフィルタを具備するディスプレイならびに電磁波シールド構成体 |
| JP2007115881A (ja) * | 2005-10-20 | 2007-05-10 | Fujimori Kogyo Co Ltd | 電磁波シールド材及びその製造方法 |
| US8970515B2 (en) | 2009-02-26 | 2015-03-03 | 3M Innovative Properties Company | Touch screen sensor and patterned substrate having overlaid micropatterns with low visibility |
| KR20210144963A (ko) * | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 김제근 | 산화피막을 형성시킨 순동판을 이용한 액화가스 저장탱크 보강재 및 그 제조 방법 |
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