JPH11333707A - キャリア - Google Patents
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- JPH11333707A JPH11333707A JP14464198A JP14464198A JPH11333707A JP H11333707 A JPH11333707 A JP H11333707A JP 14464198 A JP14464198 A JP 14464198A JP 14464198 A JP14464198 A JP 14464198A JP H11333707 A JPH11333707 A JP H11333707A
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Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】加工される半導体ウェーハの平面度のばらつき
を小さくすることができるキャリアを提供する。 【解決手段】キャリア１のキャリア本体２に設けられ半
導体ウェーハが収納される収納孔３に半導体ウェーハの
外周部に形成されたノッチと係合する係止部４を設け
る。
を小さくすることができるキャリアを提供する。 【解決手段】キャリア１のキャリア本体２に設けられ半
導体ウェーハが収納される収納孔３に半導体ウェーハの
外周部に形成されたノッチと係合する係止部４を設け
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウェーハの加
工用に用いられるキャリアに係わり、特に加工される半
導体ウェーハの平面度のばらつきを小さくすることがで
きるキャリアに関する。
工用に用いられるキャリアに係わり、特に加工される半
導体ウェーハの平面度のばらつきを小さくすることがで
きるキャリアに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェーハを製造するには、多結晶
シリコンから例えばチョクラルスキー法により単結晶の
半導体インゴットを作り、このインゴットをマルチワイ
ヤソーなどにより所定の厚さにスライシングし、半導体
ウェーハを製造する。
シリコンから例えばチョクラルスキー法により単結晶の
半導体インゴットを作り、このインゴットをマルチワイ
ヤソーなどにより所定の厚さにスライシングし、半導体
ウェーハを製造する。
【０００３】この半導体ウェーハの表面に存在する凹凸
のソーマークを除去して平滑にし、加工歪みの深さの均
一化、ウェーハ内およびウェーハ間の厚さの均一化のた
めにアルミナ砥粒等を用いたラッピングおよびポリッシ
ング液を用いた鏡面研磨工程で平滑で無歪みの鏡面に加
工される。
のソーマークを除去して平滑にし、加工歪みの深さの均
一化、ウェーハ内およびウェーハ間の厚さの均一化のた
めにアルミナ砥粒等を用いたラッピングおよびポリッシ
ング液を用いた鏡面研磨工程で平滑で無歪みの鏡面に加
工される。
【０００４】通常、鏡面研磨工程は、図７に示すような
両面研磨装置４０を用い、アルカリ溶液中に焼成シリカ
やコロイダルシリカ等を分散させたポリッシング液を上
定盤４１、下定盤４２と半導体ウェーハＷ１の間に流し
込み加圧下で回転、摺り合わせにより半導体ウェーハＷ
１の両面を化学的、機械的に研磨し、加工歪層がなく汚
れもないものにしている。
両面研磨装置４０を用い、アルカリ溶液中に焼成シリカ
やコロイダルシリカ等を分散させたポリッシング液を上
定盤４１、下定盤４２と半導体ウェーハＷ１の間に流し
込み加圧下で回転、摺り合わせにより半導体ウェーハＷ
１の両面を化学的、機械的に研磨し、加工歪層がなく汚
れもないものにしている。
【０００５】従来の鏡面研磨工程は、図５に示すように
ガラスエポキシ樹脂製のキャリア３０のなんら凹凸のな
い円形状の複数の収納孔３１に収納された半導体ウェー
ハＷ１を上述の図７に示すような両面研磨装置４０によ
り研磨して行う。
ガラスエポキシ樹脂製のキャリア３０のなんら凹凸のな
い円形状の複数の収納孔３１に収納された半導体ウェー
ハＷ１を上述の図７に示すような両面研磨装置４０によ
り研磨して行う。
【０００６】例えば、キャリア３０の外周に環状に設け
られたドリブンギア３２に外側構体４３に設けられた金
属製のドライブギア（インターナルギア）４４および中
央駆動軸４５に設けられた金属製のドライブギア（サン
ギア）４６を噛合させ駆動させることにより、キャリア
３０の収納孔３１内の半導体ウェーハＷ１を研磨布４７
が設けられた下定盤４３と研磨布４８が設けられた上定
盤４１間で研磨剤を供給しながら遊星回転させて研磨を
行っている。
られたドリブンギア３２に外側構体４３に設けられた金
属製のドライブギア（インターナルギア）４４および中
央駆動軸４５に設けられた金属製のドライブギア（サン
ギア）４６を噛合させ駆動させることにより、キャリア
３０の収納孔３１内の半導体ウェーハＷ１を研磨布４７
が設けられた下定盤４３と研磨布４８が設けられた上定
盤４１間で研磨剤を供給しながら遊星回転させて研磨を
行っている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このような鏡面研磨工
程において、円形状の半導体ウェーハＷ１は円形状の収
納孔３１に微小間隙をもって収納され、上下の研磨布４
７、４８間で挟持されているだけなので、外部から半導
体ウェーハＷ１の面に平行な剪断方向の力が加えられる
と半導体ウェーハＷ１は収納孔３１内で自由な回転運動
をしてしまう。
程において、円形状の半導体ウェーハＷ１は円形状の収
納孔３１に微小間隙をもって収納され、上下の研磨布４
７、４８間で挟持されているだけなので、外部から半導
体ウェーハＷ１の面に平行な剪断方向の力が加えられる
と半導体ウェーハＷ１は収納孔３１内で自由な回転運動
をしてしまう。
【０００８】この半導体ウェーハＷ１の回転はキャリア
３０自体の回転とは独立の不規則な回転である。
３０自体の回転とは独立の不規則な回転である。
【０００９】この不規則な回転が生じると半導体ウェー
ハＷ１の研磨状態も不規則になり、研磨された半導体ウ
ェーハＷ１の平面度のばらつきは大きくなる。
ハＷ１の研磨状態も不規則になり、研磨された半導体ウ
ェーハＷ１の平面度のばらつきは大きくなる。
【００１０】また、半導体ウェーハＷ１に対するキャリ
ア３０内部における半導体ウェーハＷ１の自転方向の剪
断力の合計ベクトルが研磨布４７、４８との摩擦力に負
けると半導体ウェーハＷ１の回転運動は停止してしま
い、図６に示すように半導体ウェーハＷ１はテーパ形状
に加工される。
ア３０内部における半導体ウェーハＷ１の自転方向の剪
断力の合計ベクトルが研磨布４７、４８との摩擦力に負
けると半導体ウェーハＷ１の回転運動は停止してしま
い、図６に示すように半導体ウェーハＷ１はテーパ形状
に加工される。
【００１１】そこで、加工される半導体ウェーハの平面
度のばらつきを小さくすることができるキャリアが要望
されていた。
度のばらつきを小さくすることができるキャリアが要望
されていた。
【００１２】一方、従来半導体ウェーハはシリコン単結
晶の特性を活かすためにはその結晶方位による異方性を
上手く引き出す必要があり、この特定の結晶方位を示す
ために半導体ウェーハの外周円弧部を加工してオリエン
テーションフラットを形成していた。しかし、近年半導
体ウェーハの大口径化に伴い、ウェーハの有効活用等の
観点から、図９に示すように半導体ウェーハＷ１の外周
円弧部４９を加工してＶノッチ５０といわれるＶ形の溝
を形成することが行われている。このノッチ５０は半導
体ウェーハＷ１の面上に加工を施す際の位置決めに用い
られるため、極めて高精度に形成されている。
晶の特性を活かすためにはその結晶方位による異方性を
上手く引き出す必要があり、この特定の結晶方位を示す
ために半導体ウェーハの外周円弧部を加工してオリエン
テーションフラットを形成していた。しかし、近年半導
体ウェーハの大口径化に伴い、ウェーハの有効活用等の
観点から、図９に示すように半導体ウェーハＷ１の外周
円弧部４９を加工してＶノッチ５０といわれるＶ形の溝
を形成することが行われている。このノッチ５０は半導
体ウェーハＷ１の面上に加工を施す際の位置決めに用い
られるため、極めて高精度に形成されている。
【００１３】本発明はこの半導体ウェーハに形成された
ノッチに着目し、このノッチを活用することにより、平
面度のばらつきを小さくすることができるキャリアを提
供することを目的とする。
ノッチに着目し、このノッチを活用することにより、平
面度のばらつきを小さくすることができるキャリアを提
供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
になされた本願請求項１の発明は、円板形状で外縁部に
被駆動用係合溝が形成されたキャリア本体と、このキャ
リア本体に設けられ半導体ウェーハが収納される収納孔
と、この収納孔の周縁部に設けられ半導体ウェーハの外
周部に形成されたノッチに係合する係止部とを有するこ
とを特徴とするキャリアであることを要旨としている。
になされた本願請求項１の発明は、円板形状で外縁部に
被駆動用係合溝が形成されたキャリア本体と、このキャ
リア本体に設けられ半導体ウェーハが収納される収納孔
と、この収納孔の周縁部に設けられ半導体ウェーハの外
周部に形成されたノッチに係合する係止部とを有するこ
とを特徴とするキャリアであることを要旨としている。
【００１５】本願請求項２の発明では、上記収納孔はキ
ャリア本体にキャリア本体の中心を中心点として回転対
称に複数個設けられ、係止部は前記中心を中心点として
回転対称に前記収納部の周縁部に各々設けられたことを
特徴とする請求項１に記載のキャリアであることを要旨
としている。
ャリア本体にキャリア本体の中心を中心点として回転対
称に複数個設けられ、係止部は前記中心を中心点として
回転対称に前記収納部の周縁部に各々設けられたことを
特徴とする請求項１に記載のキャリアであることを要旨
としている。
【００１６】本願請求項３の発明では、上記収納孔はキ
ャリア本体にキャリア本体の中心を中心点として回転対
称に複数個設けられ、係止部は前記収納孔の周縁部の少
肉域円弧部以外の部位に設けられたことを特徴とする請
求項１または２に記載のキャリアであることを要旨とし
ている。
ャリア本体にキャリア本体の中心を中心点として回転対
称に複数個設けられ、係止部は前記収納孔の周縁部の少
肉域円弧部以外の部位に設けられたことを特徴とする請
求項１または２に記載のキャリアであることを要旨とし
ている。
【００１７】本願請求項４の発明では、上記係止部は収
納孔の周縁部の多肉域円弧部に設けられたことを特徴と
する請求項３に記載のキャリアであることを要旨として
いる。
納孔の周縁部の多肉域円弧部に設けられたことを特徴と
する請求項３に記載のキャリアであることを要旨として
いる。
【００１８】本願請求項５の発明では、上記係止部は山
形または半円形状の内方突起であることを特徴とする請
求項１ないし４にいずれかに記載のキャリアであること
を要旨としている。
形または半円形状の内方突起であることを特徴とする請
求項１ないし４にいずれかに記載のキャリアであること
を要旨としている。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係わるキャリアの
実施の形態について添付図面に基づき説明する。
実施の形態について添付図面に基づき説明する。
【００２０】図１に示すように、キャリア１は、半導体
ウェーハの加工例えば鏡面研磨工程に用いられ、円板状
（ディスク状）で厚さが例えば５００μｍの薄いガラス
エポキシ樹脂製のキャリア本体２とこのキャリア本体２
に設けられた半導体ウェーハ収納用の収納孔３が設けら
れている。
ウェーハの加工例えば鏡面研磨工程に用いられ、円板状
（ディスク状）で厚さが例えば５００μｍの薄いガラス
エポキシ樹脂製のキャリア本体２とこのキャリア本体２
に設けられた半導体ウェーハ収納用の収納孔３が設けら
れている。
【００２１】上記の収納孔３は例えば半導体ウェーハＷ
の直径が３００ｍｍである場合にはウェーハ直径よりも
若干大きな例えば３０１ｍｍの直径を有する。
の直径が３００ｍｍである場合にはウェーハ直径よりも
若干大きな例えば３０１ｍｍの直径を有する。
【００２２】この収納孔３はキャリア本体２の中心Ｃに
対し回転対称、例えば各１２０°の角度を有して同一円
周上に例えば３個設けられている。この収納孔３には各
収納孔３毎に１個の係止部４が周縁部５に設けられてお
り、この係止部４は例えば底辺の長さが約４ｍｍ、高さ
が約１．５ｍｍを有し頂点が多少丸みを帯びた山形形状
をしている内方突起である。
対し回転対称、例えば各１２０°の角度を有して同一円
周上に例えば３個設けられている。この収納孔３には各
収納孔３毎に１個の係止部４が周縁部５に設けられてお
り、この係止部４は例えば底辺の長さが約４ｍｍ、高さ
が約１．５ｍｍを有し頂点が多少丸みを帯びた山形形状
をしている内方突起である。
【００２３】上記周縁部５に設けられる係止部４の位置
は、周縁部５の多肉域円弧部Ａである。この多肉域円弧
部Ａは円形状の周縁部５を中心角度が９０度になるよう
に４個の円弧部に分割した円弧部のうちの２個であり、
また多肉域円弧部Ａはキャリア本体２の中心線Ｌと直交
する収納孔３の中心線Ｌｈの両側に４５度の角度を有す
る円弧部で、キャリア本体２の多肉域２ａに対応する部
位に位置している。
は、周縁部５の多肉域円弧部Ａである。この多肉域円弧
部Ａは円形状の周縁部５を中心角度が９０度になるよう
に４個の円弧部に分割した円弧部のうちの２個であり、
また多肉域円弧部Ａはキャリア本体２の中心線Ｌと直交
する収納孔３の中心線Ｌｈの両側に４５度の角度を有す
る円弧部で、キャリア本体２の多肉域２ａに対応する部
位に位置している。
【００２４】他の円弧部は中心線Ｌの両側に４５度の角
度を有しキャリア本体２の外縁部６側に位置する少肉域
円弧部Ｂと、この少肉域円弧部Ｂと中心Ｃｈに対して点
対称の関係にあり中心Ｃ側に位置する中央域円弧部Ｄと
である。
度を有しキャリア本体２の外縁部６側に位置する少肉域
円弧部Ｂと、この少肉域円弧部Ｂと中心Ｃｈに対して点
対称の関係にあり中心Ｃ側に位置する中央域円弧部Ｄと
である。
【００２５】なお、係止部４を設ける位置は、少肉域円
弧部Ｂ以外、すなわち多肉域円弧部および中央域円円弧
域Ｄでもよいが、キャリア本体２の材質がガラスエポキ
シ樹脂である場合には、応力の集中を避けるために、多
肉域円弧部Ａが好ましい。
弧部Ｂ以外、すなわち多肉域円弧部および中央域円円弧
域Ｄでもよいが、キャリア本体２の材質がガラスエポキ
シ樹脂である場合には、応力の集中を避けるために、多
肉域円弧部Ａが好ましい。
【００２６】キャリア本体２の外縁部６には被駆動用の
係合溝、例えばギア（ドリブンギア）７が環状に形成さ
れ、図７および図８に示すような研磨装置４０の金属製
あるいはセラミック製ドライブギア（インターナルギ
ア）４４とドライブギア（サンギア）４６に噛合し半導
体ウェーハＷを保持するキャリア１を遊星運動させるよ
うになっている。
係合溝、例えばギア（ドリブンギア）７が環状に形成さ
れ、図７および図８に示すような研磨装置４０の金属製
あるいはセラミック製ドライブギア（インターナルギ
ア）４４とドライブギア（サンギア）４６に噛合し半導
体ウェーハＷを保持するキャリア１を遊星運動させるよ
うになっている。
【００２７】なお、半導体ウェーハの加工に用いられる
本発明に係わるキャリアを鏡面研磨に用いた例で説明し
たが、ラッピングに用いることも可能であり、ラッピン
グに用いる場合には、強度の点から金属製が望ましく、
例えば鋼板製がよい。また係止部４は上述のような山形
形状の内方突起に限らず、半導体ウェーハのノッチに凹
凸係合する形状であれば半円形状を含めいかなる形状で
あってもよい。
本発明に係わるキャリアを鏡面研磨に用いた例で説明し
たが、ラッピングに用いることも可能であり、ラッピン
グに用いる場合には、強度の点から金属製が望ましく、
例えば鋼板製がよい。また係止部４は上述のような山形
形状の内方突起に限らず、半導体ウェーハのノッチに凹
凸係合する形状であれば半円形状を含めいかなる形状で
あってもよい。
【００２８】さらに、キャリア１への動力の伝達は、キ
ャリア１に設けられた係合溝、例えばドリブンギア７と
遊星運動のインターナルギアのドライブギア４４および
サンギアのドライブギア４６との噛合により行ったが、
ギア７、４４、４６はキャリアに設けられたピン溝とこ
のピン溝に噛合する駆動ピンであってもよい。
ャリア１に設けられた係合溝、例えばドリブンギア７と
遊星運動のインターナルギアのドライブギア４４および
サンギアのドライブギア４６との噛合により行ったが、
ギア７、４４、４６はキャリアに設けられたピン溝とこ
のピン溝に噛合する駆動ピンであってもよい。
【００２９】本発明に係るキャリア１は以上のような構
造になっているから、半導体ウェーハＷの加工、例えば
両面鏡面研磨加工を行う場合には、最初に図３に示すよ
うに、半導体ウェーハＷのノッチ５０にキャリア本体２
の係合部４を係合させながら、キャリア１の収納孔３に
半導体ウェーハＷを収納する。
造になっているから、半導体ウェーハＷの加工、例えば
両面鏡面研磨加工を行う場合には、最初に図３に示すよ
うに、半導体ウェーハＷのノッチ５０にキャリア本体２
の係合部４を係合させながら、キャリア１の収納孔３に
半導体ウェーハＷを収納する。
【００３０】キャリア１に収納された半導体ウェーハＷ
は、図７および図８に示すような研磨装置４０により両
面が鏡面研磨される。
は、図７および図８に示すような研磨装置４０により両
面が鏡面研磨される。
【００３１】例えば、半導体ウェーハＷが各々収納され
たキャリア１を、研磨布４８が設けられた下定盤４２に
載置し、キャリア１の外縁部６に環状に設けられたドリ
ブンギア７を外側構体４３に設けられた遊星運動のイン
ターナルギアのドライブギア４４および中央駆動軸４５
に設けられたサンギアのドライブギア４６に噛合する。
たキャリア１を、研磨布４８が設けられた下定盤４２に
載置し、キャリア１の外縁部６に環状に設けられたドリ
ブンギア７を外側構体４３に設けられた遊星運動のイン
ターナルギアのドライブギア４４および中央駆動軸４５
に設けられたサンギアのドライブギア４６に噛合する。
【００３２】しかる後、研磨布４７が設けられた下定盤
４２と研磨布４８が設けられた上定盤４１間でキャリア
１を加圧挟持し、研磨剤を供給しながらキャリア１を遊
星回転させる。研磨剤はアルカリ溶液中に焼成シリカや
コロイダルシリカ等を分散させたものである。
４２と研磨布４８が設けられた上定盤４１間でキャリア
１を加圧挟持し、研磨剤を供給しながらキャリア１を遊
星回転させる。研磨剤はアルカリ溶液中に焼成シリカや
コロイダルシリカ等を分散させたものである。
【００３３】キャリア１の遊星回転に伴い、キャリア１
の収納孔３に収納された半導体ウェーハＷはキャリア１
の公転と自転にともなって回転を繰り返し、研磨液と研
磨布４７、４８の働きでウェーハＷの両面は化学的、機
械的に加工ストレスもなく鏡面研磨される。
の収納孔３に収納された半導体ウェーハＷはキャリア１
の公転と自転にともなって回転を繰り返し、研磨液と研
磨布４７、４８の働きでウェーハＷの両面は化学的、機
械的に加工ストレスもなく鏡面研磨される。
【００３４】要するに半導体ウェーハＷはノッチ５０と
係合部４が係合しているので、半導体ウェーハＷは収納
孔３内で自転することなく、キャリア１の自転、公転に
ともなって強制的に連れ回されるのである。
係合部４が係合しているので、半導体ウェーハＷは収納
孔３内で自転することなく、キャリア１の自転、公転に
ともなって強制的に連れ回されるのである。
【００３５】従って、半導体ウェーハＷはキャリア１の
回転に連れ回される規則的な回転となるので、半導体ウ
ェーハＷにはキャリア１自体の回転とは独立の不規則な
回転が生じず、図４に示すように半導体ウェーハＷをウ
ェーハの中心に対してほぼ対称な形状に研磨することが
でき、半導体ウェーハＷの平面度のばらつきも小さくす
ることができる。
回転に連れ回される規則的な回転となるので、半導体ウ
ェーハＷにはキャリア１自体の回転とは独立の不規則な
回転が生じず、図４に示すように半導体ウェーハＷをウ
ェーハの中心に対してほぼ対称な形状に研磨することが
でき、半導体ウェーハＷの平面度のばらつきも小さくす
ることができる。
【００３６】また、収納孔３はキャリア本体２の中心Ｃ
を中心点として回転対称に複数個設けられ、かつ係止部
４は収納孔３の周縁部５にキャリア本体２の中心Ｃを中
心点とする回転対称に設けられており、半導体ウェーハ
Ｗが収納されたキャリア本体２の回転によりキャリア本
体２に不均一な応力がかからずキャリア１の長寿命化が
期待できる。
を中心点として回転対称に複数個設けられ、かつ係止部
４は収納孔３の周縁部５にキャリア本体２の中心Ｃを中
心点とする回転対称に設けられており、半導体ウェーハ
Ｗが収納されたキャリア本体２の回転によりキャリア本
体２に不均一な応力がかからずキャリア１の長寿命化が
期待できる。
【００３７】さらに、応力が集中する係合部４をキャリ
ア本体２の外縁部６に近い少肉域円弧部Ｂ以外の部位に
設けることで、キャリア本体２での応力の集中を回避で
きキャリア本体２の使用中の破損を防止できる。
ア本体２の外縁部６に近い少肉域円弧部Ｂ以外の部位に
設けることで、キャリア本体２での応力の集中を回避で
きキャリア本体２の使用中の破損を防止できる。
【００３８】また、係合部４を多肉域円弧部Ａに設ける
ことにより、係止部４はキャリア本体２の多肉域２ａに
設けられかつ各収納孔３の各係止部４間の距離が最大に
なるので、キャリア本体２での応力の集中を一層確実に
回避でき、金属に比べ強度的に劣るガラスエポキシ樹脂
等のキャリア本体２の使用中の破損を防止できる。
ことにより、係止部４はキャリア本体２の多肉域２ａに
設けられかつ各収納孔３の各係止部４間の距離が最大に
なるので、キャリア本体２での応力の集中を一層確実に
回避でき、金属に比べ強度的に劣るガラスエポキシ樹脂
等のキャリア本体２の使用中の破損を防止できる。
【００３９】
【発明の効果】請求項１記載の本発明に係わるキャリア
を用いて半導体ウェーハを加工することで、キャリア本
体の収納孔の周縁部に設けられた係止部を半導体ウェー
ハの外周部に形成されたノッチに係合させて半導体ウェ
ーハに強制的で規則的な回転を行わせ、半導体ウェーハ
の平面度のばらつきも小さくすることができる。
を用いて半導体ウェーハを加工することで、キャリア本
体の収納孔の周縁部に設けられた係止部を半導体ウェー
ハの外周部に形成されたノッチに係合させて半導体ウェ
ーハに強制的で規則的な回転を行わせ、半導体ウェーハ
の平面度のばらつきも小さくすることができる。
【００４０】また、請求項２から５記載の本発明におい
て、係止部の位置を特定することで、キャリアの長寿命
化も実現できる。
て、係止部の位置を特定することで、キャリアの長寿命
化も実現できる。
【図１】本発明に係わるキャリアの平面図。
【図２】図１のＸ―Ｘ線に沿う断面図。
【図３】本発明に係わるキャリアの要部を拡大して示し
た斜視図。
た斜視図。
【図４】本発明に係わるキャリアを用いて加工された半
導体ウェーハの形状を説明する断面図。
導体ウェーハの形状を説明する断面図。
【図５】従来のキャリアの平面図。
【図６】従来のキャリアを用いて加工された半導体ウェ
ーハの形状を説明する断面図。
ーハの形状を説明する断面図。
【図７】一般に用いられる両面研磨製造装置の説明図。
【図８】図７に示すような両面研磨製造装置におけるキ
ャリアの動作説明図。
ャリアの動作説明図。
【図９】一般に用いられている半導体ウェーハの平面
図。
図。
１ キャリア ２ キャリア本体 ２ａ 多肉域 ３ 収納孔 ４ 係止部 ５ 周縁部 ６ 外縁部 ７ ギア（ドリブンギア） Ａ 多肉域円弧部 Ｂ 少肉域円弧部 Ｃ 中心 Ｄ 中央域円弧部 ４０ 研磨装置 ４１ 上定盤 ４２ 下定盤 ４３ 外側構体 ４４ ドライブギア（インターナルギア） ４５ 中央駆動軸 ４６ ドライブギア（サンギア） ４７ 研磨布 ４８ 研磨布 ４９ 外周 ５０ ノッチ Ｗ 半導体ウェーハ
Claims (5)
- 【請求項１】 円板形状で外縁部に被駆動用係合溝が形
成されたキャリア本体と、このキャリア本体に設けられ
半導体ウェーハが収納される収納孔と、この収納孔の周
縁部に設けられ半導体ウェーハの外周部に形成されたノ
ッチに係合する係止部とを有することを特徴とするキャ
リア。 - 【請求項２】 上記収納孔はキャリア本体にキャリア本
体の中心を中心点として回転対称に複数個設けられ、係
止部は前記中心を中心点として回転対称に前記収納部の
周縁部に各々設けられたことを特徴とする請求項１に記
載のキャリア。 - 【請求項３】 上記収納孔はキャリア本体にキャリア本
体の中心を中心点として回転対称に複数個設けられ、係
止部は前記収納孔の周縁部の少肉域円弧部以外の部位に
設けられたことを特徴とする請求項１または２に記載の
キャリア。 - 【請求項４】 上記係止部は収納孔の周縁部の多肉域円
弧部に設けられたことを特徴とする請求項３に記載のキ
ャリア。 - 【請求項５】 上記係止部は山形または半円形状の内方
突起であることを特徴とする請求項１ないし４にいずれ
かに記載のキャリア。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14464198A JPH11333707A (ja) | 1998-05-26 | 1998-05-26 | キャリア |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14464198A JPH11333707A (ja) | 1998-05-26 | 1998-05-26 | キャリア |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11333707A true JPH11333707A (ja) | 1999-12-07 |
Family
ID=15366796
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14464198A Pending JPH11333707A (ja) | 1998-05-26 | 1998-05-26 | キャリア |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11333707A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007331034A (ja) * | 2006-06-12 | 2007-12-27 | Epson Toyocom Corp | ワークキャリア及び両面研磨機 |
| JP2009285768A (ja) * | 2008-05-28 | 2009-12-10 | Sumco Corp | 半導体ウェーハの研削方法および研削装置 |
| JP2009289925A (ja) * | 2008-05-28 | 2009-12-10 | Sumco Corp | 半導体ウェーハの研削方法、研削用定盤および研削装置 |
| CN102387894A (zh) * | 2009-04-13 | 2012-03-21 | 株式会社有恒商会 | 工件夹具、刷子用毛材、刷子以及工件夹具和刷子用毛材的制造方法 |
| EP2705930A2 (en) | 2012-09-05 | 2014-03-12 | Koyo Machine Industries Co., Ltd. | Carrier apparatus of thin disk-shaped workpiece, method of manufacturing the same, and both-side grinding machine |
-
1998
- 1998-05-26 JP JP14464198A patent/JPH11333707A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007331034A (ja) * | 2006-06-12 | 2007-12-27 | Epson Toyocom Corp | ワークキャリア及び両面研磨機 |
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| KR20140031816A (ko) | 2012-09-05 | 2014-03-13 | 고요 기카이 고교 가부시키가이샤 | 얇은 원판 형상 공작물의 캐리어 장치 및 그 제조 방법, 및 양면 연삭 장치 |
| EP2705930A3 (en) * | 2012-09-05 | 2014-08-13 | Koyo Machine Industries Co., Ltd. | Carrier apparatus of thin disk-shaped workpiece, method of manufacturing the same, and both-side grinding machine |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040803 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050111 |