JPH1133390A - 粉末原料気化装置 - Google Patents
粉末原料気化装置Info
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- JPH1133390A JPH1133390A JP9192137A JP19213797A JPH1133390A JP H1133390 A JPH1133390 A JP H1133390A JP 9192137 A JP9192137 A JP 9192137A JP 19213797 A JP19213797 A JP 19213797A JP H1133390 A JPH1133390 A JP H1133390A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 大量の原料ガスを発生させることが可能で、
かつ、原料ガスと反応ガスを十分混合することができる
粉末原料気化装置を提供する。 【解決手段】 振動機構８でもって振動動作させられ
て、粉末原料Ｇを供給する漏斗形状の原料容器２が内装
された原料供給室３と、傾斜支持されて原料容器２から
の粉末原料Ｇが通過する原料通路４と、この原料通路４
の排出端部４ａから排出された粉末原料Ｇを加熱して気
化させる原料気化室６とを備えており、少なくとも原料
供給室３内に加熱されていないキャリアガスが供給さ
れ、原料通路４内に原料通路４に沿って加熱されたキャ
リアガスが供給されており、かつ、少なくとも原料気化
室６内に加熱された反応ガスが供給されており、原料供
給室３の内圧は原料気化室６の内圧よりも高く設定され
ていることを特徴としている。
かつ、原料ガスと反応ガスを十分混合することができる
粉末原料気化装置を提供する。 【解決手段】 振動機構８でもって振動動作させられ
て、粉末原料Ｇを供給する漏斗形状の原料容器２が内装
された原料供給室３と、傾斜支持されて原料容器２から
の粉末原料Ｇが通過する原料通路４と、この原料通路４
の排出端部４ａから排出された粉末原料Ｇを加熱して気
化させる原料気化室６とを備えており、少なくとも原料
供給室３内に加熱されていないキャリアガスが供給さ
れ、原料通路４内に原料通路４に沿って加熱されたキャ
リアガスが供給されており、かつ、少なくとも原料気化
室６内に加熱された反応ガスが供給されており、原料供
給室３の内圧は原料気化室６の内圧よりも高く設定され
ていることを特徴としている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機金属化合物か
らなる粉末原料を用いた気相成長法を採用して金属酸化
物の薄膜を製造する際に使用される粉末原料気化装置に
関する。
らなる粉末原料を用いた気相成長法を採用して金属酸化
物の薄膜を製造する際に使用される粉末原料気化装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】近年における電子機器の小型軽量化及び
高性能化に伴っては誘電体や磁性体、超伝導体などとし
て機能する金属酸化物の薄膜を作製することが行われて
おり、この種の金属酸化物薄膜を作製するに際しては、
真空度が比較的低い条件下でも高品質薄膜を高速度で作
製することができ、かつ、コストを考慮したうえでの量
産性にも優れた気相成長法（ＭＯ−ＣＶＤ法）を採用す
るのが一般的となっている。そして、このＭＯ−ＣＶＤ
法にあっては、飽和蒸気圧が高くて常温下では気体また
は液体である原料を用いたうえで金属酸化物薄膜を作製
することが行われているが、ＭｇＯなどの誘電体やＹ−
Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系高温超伝導体などのような金属酸化物
薄膜を作製する場合には、飽和蒸気圧が低くて常温下で
は固体の原料を気化させたうえで金属酸化物薄膜を作製
する必要があるとされている。
高性能化に伴っては誘電体や磁性体、超伝導体などとし
て機能する金属酸化物の薄膜を作製することが行われて
おり、この種の金属酸化物薄膜を作製するに際しては、
真空度が比較的低い条件下でも高品質薄膜を高速度で作
製することができ、かつ、コストを考慮したうえでの量
産性にも優れた気相成長法（ＭＯ−ＣＶＤ法）を採用す
るのが一般的となっている。そして、このＭＯ−ＣＶＤ
法にあっては、飽和蒸気圧が高くて常温下では気体また
は液体である原料を用いたうえで金属酸化物薄膜を作製
することが行われているが、ＭｇＯなどの誘電体やＹ−
Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系高温超伝導体などのような金属酸化物
薄膜を作製する場合には、飽和蒸気圧が低くて常温下で
は固体の原料を気化させたうえで金属酸化物薄膜を作製
する必要があるとされている。
【０００３】そこで、固体である原料を気化させる際に
は、例えば図２で簡略化して示すような粉末原料気化装
置が使用されることになる。すなわち、この粉末原料気
化装置３１は、有機金属化合物である粉末原料Ｇを加熱
して気化させる原料気化室３３を備えたものであり、原
料気化室３３はガス通路３４を介したうえで成膜室３５
と連通接続されている。そして、この際における成膜室
３５は金属酸化物薄膜を作製すべく載置されたガラス製
などの基板Ｗを加熱する基板台３６が内装されたもので
ある一方、ガス通路３４は原料気化室３３内で発生した
原料ガスを成膜室３５内へと導入するものであり、その
途中位置には流量調節弁３７が介装されている。なお、
図示省略しているが、基板台３６にはヒータが埋設され
ており、また、原料気化室３３及びガス通路３４、成膜
室３５のそれぞれには壁面ヒータ３８が設けられてい
る。
は、例えば図２で簡略化して示すような粉末原料気化装
置が使用されることになる。すなわち、この粉末原料気
化装置３１は、有機金属化合物である粉末原料Ｇを加熱
して気化させる原料気化室３３を備えたものであり、原
料気化室３３はガス通路３４を介したうえで成膜室３５
と連通接続されている。そして、この際における成膜室
３５は金属酸化物薄膜を作製すべく載置されたガラス製
などの基板Ｗを加熱する基板台３６が内装されたもので
ある一方、ガス通路３４は原料気化室３３内で発生した
原料ガスを成膜室３５内へと導入するものであり、その
途中位置には流量調節弁３７が介装されている。なお、
図示省略しているが、基板台３６にはヒータが埋設され
ており、また、原料気化室３３及びガス通路３４、成膜
室３５のそれぞれには壁面ヒータ３８が設けられてい
る。
【０００４】また、原料気化室３３の上側位置には、粉
末原料Ｇを収納したうえ、バイブレータといわれる振動
機構８でもって振動動作させられることに伴って粉末原
料Ｇを供給する漏斗形状の原料容器２が備えられた原料
供給室３が設けられ、かつ、粉末原料Ｇは傾斜支持され
た原料通路４を通過したうえで原料気化室３３内に供給
されることになっている。
末原料Ｇを収納したうえ、バイブレータといわれる振動
機構８でもって振動動作させられることに伴って粉末原
料Ｇを供給する漏斗形状の原料容器２が備えられた原料
供給室３が設けられ、かつ、粉末原料Ｇは傾斜支持され
た原料通路４を通過したうえで原料気化室３３内に供給
されることになっている。
【０００５】さらに、この際における原料供給室３に対
しては、マスフローコントローラといわれる流量調節機
構１０が介装されたキャリアガス導入管１１を通じて窒
素ガスなどのキャリアガスが導入されているとともに、
真空排気機器４６でもって真空度が調節される成膜室３
５内には酸素ガスなどのような反応ガスが反応ガス導入
管４７を通じたうえで導入されている。したがって、こ
の粉末原料気化装置３１を使用することによっては、つ
ぎのような成膜処理が実施されることになる。
しては、マスフローコントローラといわれる流量調節機
構１０が介装されたキャリアガス導入管１１を通じて窒
素ガスなどのキャリアガスが導入されているとともに、
真空排気機器４６でもって真空度が調節される成膜室３
５内には酸素ガスなどのような反応ガスが反応ガス導入
管４７を通じたうえで導入されている。したがって、こ
の粉末原料気化装置３１を使用することによっては、つ
ぎのような成膜処理が実施されることになる。
【０００６】まず、原料容器２内に粉末原料Ｇを充填
し、かつ、原料容器２の排出開口２ａを開操作したう
え、振動機構８でもって原料容器２を振動動作させる
と、原料容器２の排出開口２ａからは粉末原料Ｇが排出
されてくることになり、排出されてきた粉末原料Ｇは原
料通路４を通過したうえで原料気化室３３内に供給され
る。
し、かつ、原料容器２の排出開口２ａを開操作したう
え、振動機構８でもって原料容器２を振動動作させる
と、原料容器２の排出開口２ａからは粉末原料Ｇが排出
されてくることになり、排出されてきた粉末原料Ｇは原
料通路４を通過したうえで原料気化室３３内に供給され
る。
【０００７】そして、壁面ヒーター３８により粉末原料
Ｇを加熱すると、加熱された粉末原料Ｇは気化させられ
ることになり、発生した原料ガスはキャリアガスととも
にガス通路３４を通ったうえで成膜室３５内へと流入す
る。一方、この際における成膜室３５は真空排気機器４
６でもって減圧されており、その内部には反応ガスが導
入されている。そのため、成膜室３５内に流入した原料
ガスと反応ガスとは、基板台３６によって加熱された基
板Ｗ上で反応することになり、基板Ｗ上には所要の金属
酸化物薄膜が作製される。
Ｇを加熱すると、加熱された粉末原料Ｇは気化させられ
ることになり、発生した原料ガスはキャリアガスととも
にガス通路３４を通ったうえで成膜室３５内へと流入す
る。一方、この際における成膜室３５は真空排気機器４
６でもって減圧されており、その内部には反応ガスが導
入されている。そのため、成膜室３５内に流入した原料
ガスと反応ガスとは、基板台３６によって加熱された基
板Ｗ上で反応することになり、基板Ｗ上には所要の金属
酸化物薄膜が作製される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記従来
の粉末原料気化装置３１においては、加熱していないキ
ャリアガスを原料供給室３に供給しており、前記キャリ
アガスが原料気化室３３に流れていくため、原料気化室
３３内の温度が下がり原料気化室３３内で粉末原料Ｇを
十分気化させることができなかった。また、加熱したキ
ャリアガスを供給すると、振動機構８などの温度が上が
り原料容器２の振動動作の制御性が低下し、粉末原料Ｇ
の定量供給ができなかった。
の粉末原料気化装置３１においては、加熱していないキ
ャリアガスを原料供給室３に供給しており、前記キャリ
アガスが原料気化室３３に流れていくため、原料気化室
３３内の温度が下がり原料気化室３３内で粉末原料Ｇを
十分気化させることができなかった。また、加熱したキ
ャリアガスを供給すると、振動機構８などの温度が上が
り原料容器２の振動動作の制御性が低下し、粉末原料Ｇ
の定量供給ができなかった。
【０００９】また、成膜室３５内に反応ガスを導入して
いるため原料ガスと反応ガスが十分混合されず、化学反
応を均一に発生させることができないため、膜質を均一
化させることができなっかった。
いるため原料ガスと反応ガスが十分混合されず、化学反
応を均一に発生させることができないため、膜質を均一
化させることができなっかった。
【００１０】本発明は、これらの点に鑑みなされたもの
で、大量の原料ガスを発生させることが可能であり、か
つ、基板上に均一な金属酸化物を製膜することができる
粉末原料気化装置の提供を目的としている。
で、大量の原料ガスを発生させることが可能であり、か
つ、基板上に均一な金属酸化物を製膜することができる
粉末原料気化装置の提供を目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の粉末原料気化装
置は、粉末原料を供給する原料容器が内装された原料供
給室と、原料容器からの粉末原料が通過する原料通路
と、この原料通路の排出端部から供給された粉末原料を
加熱して気化させる原料気化室とを備え、少なくとも原
料供給室内に加熱されていないキャリアガスが供給さ
れ、原料通路内に原料通路に沿って加熱されたキャリア
ガスが供給され、また、前記原料気化室内に加熱された
反応ガスが供給されていることを特徴としており、ま
た、原料供給室の内圧は原料気化室の内圧よりも高く設
定されていることを特徴としている。
置は、粉末原料を供給する原料容器が内装された原料供
給室と、原料容器からの粉末原料が通過する原料通路
と、この原料通路の排出端部から供給された粉末原料を
加熱して気化させる原料気化室とを備え、少なくとも原
料供給室内に加熱されていないキャリアガスが供給さ
れ、原料通路内に原料通路に沿って加熱されたキャリア
ガスが供給され、また、前記原料気化室内に加熱された
反応ガスが供給されていることを特徴としており、ま
た、原料供給室の内圧は原料気化室の内圧よりも高く設
定されていることを特徴としている。
【００１２】
【発明の実施の形態】第１の発明の粉末原料気化装置
は、粉末原料を供給する原料容器が内装された原料供給
室と、前記原料容器からの粉末原料が通過する原料通路
と、この原料通路の排出端部から供給された粉末原料を
加熱して気化させる原料気化室とを備えており、少なく
とも原料供給室内に加熱されていないキャリアガスが供
給され、原料通路内に原料通路に沿って加熱されたキャ
リアガスが供給されているものである。
は、粉末原料を供給する原料容器が内装された原料供給
室と、前記原料容器からの粉末原料が通過する原料通路
と、この原料通路の排出端部から供給された粉末原料を
加熱して気化させる原料気化室とを備えており、少なく
とも原料供給室内に加熱されていないキャリアガスが供
給され、原料通路内に原料通路に沿って加熱されたキャ
リアガスが供給されているものである。
【００１３】また、第２の発明の粉末原料気化装置は、
粉末原料を供給する原料容器が内装された原料供給室
と、原料容器からの粉末原料が通過する原料通路と、こ
の原料通路の排出端部から供給された粉末原料を加熱し
て気化させる原料気化室とを備えており、少なくとも原
料気化室内に加熱された反応ガスが供給されているもの
である。
粉末原料を供給する原料容器が内装された原料供給室
と、原料容器からの粉末原料が通過する原料通路と、こ
の原料通路の排出端部から供給された粉末原料を加熱し
て気化させる原料気化室とを備えており、少なくとも原
料気化室内に加熱された反応ガスが供給されているもの
である。
【００１４】以下、本発明の実施の形態を図面に基づい
て説明する。図１は本発明の一実施の形態における粉末
原料気化装置の全体構成を簡略化して示す縦断面図であ
り、図１における符号１は粉末原料気化装置を示してい
る。なお、ここでのガス通路及び成膜室は従来の形態と
同じ構成を有し、同様の処理を実行するものであるか
ら、図１において図２と互いに同一もしくは相当する部
品、部分については同一符号を付し、ここでの説明は省
略する。
て説明する。図１は本発明の一実施の形態における粉末
原料気化装置の全体構成を簡略化して示す縦断面図であ
り、図１における符号１は粉末原料気化装置を示してい
る。なお、ここでのガス通路及び成膜室は従来の形態と
同じ構成を有し、同様の処理を実行するものであるか
ら、図１において図２と互いに同一もしくは相当する部
品、部分については同一符号を付し、ここでの説明は省
略する。
【００１５】粉末原料気化装置１は、有機金属化合物か
らなる粉末原料Ｇを収納しており、これらの粉末原料Ｇ
を定量ずつ排出して供給する漏斗形状の原料容器２が内
装された原料供給室３と、傾斜支持されたうえで原料容
器２から排出された粉末原料Ｇが通過する原料通路４
と、この原料通路４の排出端部４ａから供給された粉末
原料Ｇを加熱して気化させる原料気化室６とを備えて構
成されたものである。
らなる粉末原料Ｇを収納しており、これらの粉末原料Ｇ
を定量ずつ排出して供給する漏斗形状の原料容器２が内
装された原料供給室３と、傾斜支持されたうえで原料容
器２から排出された粉末原料Ｇが通過する原料通路４
と、この原料通路４の排出端部４ａから供給された粉末
原料Ｇを加熱して気化させる原料気化室６とを備えて構
成されたものである。
【００１６】尚、原料気化室６がガス通路３４を介した
うえで成膜室３５と連通接続されていることは従来の形
態と同じであり、これらの原料気化室６及びガス通路３
４、成膜室３５それぞれには壁面ヒータ３８が設けられ
ていることも従来の形態と同様である。
うえで成膜室３５と連通接続されていることは従来の形
態と同じであり、これらの原料気化室６及びガス通路３
４、成膜室３５それぞれには壁面ヒータ３８が設けられ
ていることも従来の形態と同様である。
【００１７】ここでの原料供給室３は原料気化室６の上
側位置に配設されたものであり、原料供給室３に内装さ
れた原料容器２は、その下端部の側面位置に粉末原料Ｇ
を排出して供給するための排出開口２ａが形成され、か
つ、排出開口２ａから水平方向に沿って樋部２ｂが延出
されているとともに、バイブレータといわれる振動機構
８でもって全体的に振動動作させられるものとなってい
る。
側位置に配設されたものであり、原料供給室３に内装さ
れた原料容器２は、その下端部の側面位置に粉末原料Ｇ
を排出して供給するための排出開口２ａが形成され、か
つ、排出開口２ａから水平方向に沿って樋部２ｂが延出
されているとともに、バイブレータといわれる振動機構
８でもって全体的に振動動作させられるものとなってい
る。
【００１８】すなわち、原料容器２は振動機構８を用い
た振動動作に伴って側面位置の排出開口２ａから樋部２
ｂへと粉末原料Ｇを排出する構成とされており、排出開
口２ａ近くには粉末原料Ｇの排出量、ひいては、原料気
化室６への供給量を調整するための開閉板９が設けられ
ている。
た振動動作に伴って側面位置の排出開口２ａから樋部２
ｂへと粉末原料Ｇを排出する構成とされており、排出開
口２ａ近くには粉末原料Ｇの排出量、ひいては、原料気
化室６への供給量を調整するための開閉板９が設けられ
ている。
【００１９】また、マスフローコントローラといわれる
流量調節機構１０、１４が介装されたキャリアガス導入
管１１、１５を通じて窒素ガスなどのキャリアガスが導
入されるようになっており、壁面ヒーター３９により加
熱することにより、キャリアガス導入管１５からは３５
０℃程度に加熱されたキャリアガスが導入される。
流量調節機構１０、１４が介装されたキャリアガス導入
管１１、１５を通じて窒素ガスなどのキャリアガスが導
入されるようになっており、壁面ヒーター３９により加
熱することにより、キャリアガス導入管１５からは３５
０℃程度に加熱されたキャリアガスが導入される。
【００２０】さらに、原料通路４は水平に対して６０度
程度傾斜させられたうえで原料供給室３と原料気化室６
との間に架設されたものである。
程度傾斜させられたうえで原料供給室３と原料気化室６
との間に架設されたものである。
【００２１】一方、原料気化室６には、流量調節機構１
２が介装された反応ガス導入管１３を通じて酸素ガスな
どの反応ガスが導入されており、この原料気化室６の内
圧は原料供給室３の内圧よりも低めとなるように設定さ
れている。すなわち、原料容器２が内装された原料供給
室３の内圧は、キャリアガス導入管１１に介装された流
量調節機構１０でもってキャリアガスの流量調節を行う
ことによって原料気化室６の内圧よりも高くなるように
設定されている。なお、このようにしておいた際には、
原料気化室６内で粉末原料Ｇを気化することによって発
生した原料ガスが原料通路４を通じて原料供給室３内に
流入することが防止されることになる。
２が介装された反応ガス導入管１３を通じて酸素ガスな
どの反応ガスが導入されており、この原料気化室６の内
圧は原料供給室３の内圧よりも低めとなるように設定さ
れている。すなわち、原料容器２が内装された原料供給
室３の内圧は、キャリアガス導入管１１に介装された流
量調節機構１０でもってキャリアガスの流量調節を行う
ことによって原料気化室６の内圧よりも高くなるように
設定されている。なお、このようにしておいた際には、
原料気化室６内で粉末原料Ｇを気化することによって発
生した原料ガスが原料通路４を通じて原料供給室３内に
流入することが防止されることになる。
【００２２】したがって、この粉末原料気化装置１を使
用することによっては、つぎのような成膜処理が実施さ
れることになる。
用することによっては、つぎのような成膜処理が実施さ
れることになる。
【００２３】まず、原料容器２内に粉末原料Ｇを充填
し、かつ、原料容器２の排出開口２ａを開操作したう
え、振動機構８でもって原料容器２を振動動作させる
と、原料容器２の下端部における側面位置に形成された
排出開口２ａからは粉末原料Ｇが定量ずつ排出されるこ
とになる。そして、原料容器２の排出開口２ａから排出
された粉末原料Ｇは原料通路４を通過したうえで原料気
化室６内に供給されることになる。
し、かつ、原料容器２の排出開口２ａを開操作したう
え、振動機構８でもって原料容器２を振動動作させる
と、原料容器２の下端部における側面位置に形成された
排出開口２ａからは粉末原料Ｇが定量ずつ排出されるこ
とになる。そして、原料容器２の排出開口２ａから排出
された粉末原料Ｇは原料通路４を通過したうえで原料気
化室６内に供給されることになる。
【００２４】また、本実施例では、加熱されていない２
０℃のキャリアガスはキャリアガス導入ノズル１１から
７０ｃｃ／分の流量で、加熱された３５０℃のキャリア
ガスはキャリアガス導入ノズル１５から１８０ｃｃ／分
の流量で導入したところ、原料容器２や振動機構８の温
度はあまり上がらず、粉末原料Ｇの供給量は振動機構８
により制御することができた。また、原料気化室６へは
原料通路４を通して、２５０℃のキャリアガスが流入し
た。
０℃のキャリアガスはキャリアガス導入ノズル１１から
７０ｃｃ／分の流量で、加熱された３５０℃のキャリア
ガスはキャリアガス導入ノズル１５から１８０ｃｃ／分
の流量で導入したところ、原料容器２や振動機構８の温
度はあまり上がらず、粉末原料Ｇの供給量は振動機構８
により制御することができた。また、原料気化室６へは
原料通路４を通して、２５０℃のキャリアガスが流入し
た。
【００２５】そこで、壁面ヒーター３８により粉末原料
Ｇを加熱すると、粉末原料Ｇは十分に加熱されることに
なり、加熱された粉末原料Ｇは気化させられる結果、粉
末原料Ｇが気化して発生した原料ガスは、原料通路４か
ら流入したキャリアガスと、反応ガス導入ノズル１３か
ら流入した反応ガスとともにガス通路３４を通ったうえ
で成膜室３５へと流入することになる。
Ｇを加熱すると、粉末原料Ｇは十分に加熱されることに
なり、加熱された粉末原料Ｇは気化させられる結果、粉
末原料Ｇが気化して発生した原料ガスは、原料通路４か
ら流入したキャリアガスと、反応ガス導入ノズル１３か
ら流入した反応ガスとともにガス通路３４を通ったうえ
で成膜室３５へと流入することになる。
【００２６】このとき反応ガスを、原料気化室６に導入
することにより、原料ガスと反応ガスが十分混合されて
成膜室３５へ流入することになる。その一方、成膜室３
５は真空排気機器４６でもって減圧されており、成膜室
３５内に流入した原料ガスと反応ガスとは基板台３６に
よって加熱されたガラス製などの基板Ｗ上で反応するこ
とになり、基板Ｗ上には所要の金属酸化物薄膜が均一に
作製される。
することにより、原料ガスと反応ガスが十分混合されて
成膜室３５へ流入することになる。その一方、成膜室３
５は真空排気機器４６でもって減圧されており、成膜室
３５内に流入した原料ガスと反応ガスとは基板台３６に
よって加熱されたガラス製などの基板Ｗ上で反応するこ
とになり、基板Ｗ上には所要の金属酸化物薄膜が均一に
作製される。
【００２７】なお、以上のような手順を採用した場合に
は、構造式がＭｇ（Ｃ5Ｈ7Ｏ2）2で示されるマグネシウ
ムアセチルアセトンなどのような粉末原料Ｇ、つまり、
飽和蒸気圧が低くて常温下では固体の原料であっても、
常温下で液体や気体の原料と同様、大量にガス化して供
給することが可能であることが発明者らによって確認さ
れている。
は、構造式がＭｇ（Ｃ5Ｈ7Ｏ2）2で示されるマグネシウ
ムアセチルアセトンなどのような粉末原料Ｇ、つまり、
飽和蒸気圧が低くて常温下では固体の原料であっても、
常温下で液体や気体の原料と同様、大量にガス化して供
給することが可能であることが発明者らによって確認さ
れている。
【００２８】
【発明の効果】以上のように本発明の粉末原料気化装置
によれば、原料通路内に原料通路に沿って加熱されたキ
ャリアガスを供給することにより、原料供給室から原料
気化室へ加熱されたキャリアガスが流れるため、原料気
化室内での粉末原料のガス化が容易になり大量のガスを
発生させることができる。
によれば、原料通路内に原料通路に沿って加熱されたキ
ャリアガスを供給することにより、原料供給室から原料
気化室へ加熱されたキャリアガスが流れるため、原料気
化室内での粉末原料のガス化が容易になり大量のガスを
発生させることができる。
【００２９】また、原料気化室内に反応ガスを導入する
ことにより、反応ガスと原料ガスを十分混合させること
ができるので、成膜室内での化学反応が均一に発生し均
一な成膜が可能となる。
ことにより、反応ガスと原料ガスを十分混合させること
ができるので、成膜室内での化学反応が均一に発生し均
一な成膜が可能となる。
【図１】本発明の一実施の形態にかかる粉末原料気化装
置の全体構成を簡略化して示す縦断面図
置の全体構成を簡略化して示す縦断面図
【図２】従来の粉末原料気化装置の全体構成を簡略化し
て示す縦断面図
て示す縦断面図
１ 粉末原料気化装置 ２ 原料容器 ２ａ 排出開口 ３ 原料供給室 ４ 原料通路 ４ａ 排出端部 ６ 原料気化室 ７ 揺動機構 １５ キャリアガス導入管 ３８ 壁面ヒーター ３９ 壁面ヒーター Ｇ 粉末原料
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 塩川 晃 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 佐々木 良樹 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 村井 隆一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 青木 正樹 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】振動機構により粉末原料を供給する原料容
器が内装された原料供給室と、傾斜支持されて前記原料
容器からの粉末原料が通過する原料通路と、この原料通
路の排出端部から供給された粉末原料を加熱して気化さ
せる原料気化室とからなり、少なくとも原料供給室内に
加熱されていないキャリアガスが供給され、前記原料通
路内に前記原料通路に沿って加熱されたキャリアガスが
供給されており、前記原料供給室の内圧は前記原料気化
室の内圧よりも高く設定されていることを特徴とする粉
末原料気化装置。 - 【請求項２】振動機構により粉末原料を供給する原料容
器が内装された原料供給室と、傾斜支持されて前記原料
容器からの粉末原料が通過する原料通路と、この原料通
路の排出端部から供給された粉末原料を加熱して気化さ
せる原料気化室とからなり、少なくとも前記原料供給室
内に加熱されていないキャリアガスが供給され、かつ前
記原料気化室内に加熱された反応ガスが供給されてお
り、前記原料供給室の内圧は前記原料気化室の内圧より
も高く設定されていることを特徴とする粉末原料気化装
置。 - 【請求項３】粉末原料を供給する原料容器が内装された
原料供給室と、前記原料容器からの粉末原料が通過する
原料通路と、この原料通路の排出端部から供給された粉
末原料を加熱して気化させる原料気化室を備え、少なく
とも前記原料供給室内にキャリアガスが供給され、前記
原料通路内に前記原料通路に沿って加熱されたキャリア
ガスが供給されていることを特徴とする粉末原料気化装
置。 - 【請求項４】粉末原料を供給する原料容器が内装された
原料供給室と、前記原料容器からの粉末原料が通過する
原料通路と、この原料通路の排出端部から供給された粉
末原料を加熱して気化させる原料気化室を備え、少なく
とも前記原料供給室内にキャリアガスが供給され、かつ
前記原料気化室内に加熱された反応ガスが供給されてい
ることを特徴とする粉末原料気化装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9192137A JPH1133390A (ja) | 1997-07-17 | 1997-07-17 | 粉末原料気化装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9192137A JPH1133390A (ja) | 1997-07-17 | 1997-07-17 | 粉末原料気化装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1133390A true JPH1133390A (ja) | 1999-02-09 |
Family
ID=16286308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9192137A Withdrawn JPH1133390A (ja) | 1997-07-17 | 1997-07-17 | 粉末原料気化装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1133390A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008274430A (ja) * | 2007-05-04 | 2008-11-13 | Tera Semicon Corp | ソースガス供給装置及び方法 |
| WO2010098308A1 (ja) * | 2009-02-24 | 2010-09-02 | 株式会社アルバック | 有機化合物蒸気発生装置及び有機薄膜製造装置 |
| KR101069171B1 (ko) | 2009-01-16 | 2011-09-30 | (주)지오엘리먼트 | 분말소스 이송장치, 정량방법, 및 이에 사용되는 계량 용기파트 |
| CN104024469A (zh) * | 2011-09-02 | 2014-09-03 | 第一太阳能有限公司 | 用于气相传输沉积系统的给料器系统和给料方法 |
-
1997
- 1997-07-17 JP JP9192137A patent/JPH1133390A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008274430A (ja) * | 2007-05-04 | 2008-11-13 | Tera Semicon Corp | ソースガス供給装置及び方法 |
| TWI383065B (zh) * | 2007-05-04 | 2013-01-21 | Tera Semicon Corp | 來源氣體供給裝置及方法 |
| KR101069171B1 (ko) | 2009-01-16 | 2011-09-30 | (주)지오엘리먼트 | 분말소스 이송장치, 정량방법, 및 이에 사용되는 계량 용기파트 |
| WO2010098308A1 (ja) * | 2009-02-24 | 2010-09-02 | 株式会社アルバック | 有機化合物蒸気発生装置及び有機薄膜製造装置 |
| CN102239275A (zh) * | 2009-02-24 | 2011-11-09 | 株式会社爱发科 | 有机化合物蒸汽发生装置及有机薄膜制造装置 |
| KR101286803B1 (ko) * | 2009-02-24 | 2013-07-17 | 가부시키가이샤 알박 | 유기 화합물 증기 발생 장치 및 유기 박막 제조 장치 |
| CN104024469A (zh) * | 2011-09-02 | 2014-09-03 | 第一太阳能有限公司 | 用于气相传输沉积系统的给料器系统和给料方法 |
| US9359668B2 (en) | 2011-09-02 | 2016-06-07 | First Solar, Inc. | Feeder system and method for a vapor transport deposition system |
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