JPH11335346A - ペルフルオロアルキルビニルエーテル誘導体の製造方法 - Google Patents
ペルフルオロアルキルビニルエーテル誘導体の製造方法Info
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- JPH11335346A JPH11335346A JP10139745A JP13974598A JPH11335346A JP H11335346 A JPH11335346 A JP H11335346A JP 10139745 A JP10139745 A JP 10139745A JP 13974598 A JP13974598 A JP 13974598A JP H11335346 A JPH11335346 A JP H11335346A
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Fuel Cell (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 官能基を有するペルフルオロアルキルビニル
エーテル誘導体を、高収率で安価に製造する方法を提供
すること。 【解決手段】 式(A) で表されるヨウ化ペルフルオロア
ルキルビニルエーテル化合物に、極性溶媒中でチオシア
ン酸塩を作用させ、得られた-SCN基を有する中間生成物
を酸化して-SCN基を-SO2Cl基とした後、フッ化アルカリ
金属で処理することを特徴とする式(B) で表されるペル
フルオロアルキルビニルエーテル誘導体の製造方法。 【化1】CF2=CF(OCF2CFY)nOCF2CF2I (A) CF2=CF(OCF2CFY)nOCF2CF2SO2F (B) 〔式 (A),(B)中、Yはフッ素原子又はトリフルオロメチ
ル基、nは1〜3の整数を表す〕
エーテル誘導体を、高収率で安価に製造する方法を提供
すること。 【解決手段】 式(A) で表されるヨウ化ペルフルオロア
ルキルビニルエーテル化合物に、極性溶媒中でチオシア
ン酸塩を作用させ、得られた-SCN基を有する中間生成物
を酸化して-SCN基を-SO2Cl基とした後、フッ化アルカリ
金属で処理することを特徴とする式(B) で表されるペル
フルオロアルキルビニルエーテル誘導体の製造方法。 【化1】CF2=CF(OCF2CFY)nOCF2CF2I (A) CF2=CF(OCF2CFY)nOCF2CF2SO2F (B) 〔式 (A),(B)中、Yはフッ素原子又はトリフルオロメチ
ル基、nは1〜3の整数を表す〕
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は官能基(-SO2F) を有
するペルフルオロアルキルビニルエーテル誘導体の製造
方法に関する。
するペルフルオロアルキルビニルエーテル誘導体の製造
方法に関する。
【0002】
【従来の技術】官能基(-SO2F) を有するペルフルオロア
ルキルビニルエーテル誘導体は、スルホン酸基(-SO3H)
を有するイオン交換膜を製造するためのモノマーとして
有用であり、テトラフルオロエチレンなどのフッ素系モ
ノマーと共重合することで、機能性を有する高分子化合
物を製造することができる。この機能性高分子化合物は
スルホン酸基のイオン交換特性に基づいて様々な利用方
法が考えられており、固体高分子電解質膜として燃料電
池や水分解装置などに使用されている。従来、上記官能
基(-SO2F) を有するペルフルオロアルキルビニルエーテ
ル誘導体の製造方法として、官能基(-SO2F) を有する酸
フッ化物(CFOCF2SO2F)をヘキサフルオロプロペンオキサ
イド(HFPO)と反応させ、得られたエポキシ付加物
を熱分解して、官能基(-SO2F) を有するペルフルオロア
ルキルビニルエーテル誘導体を製造する方法が知られて
いる。
ルキルビニルエーテル誘導体は、スルホン酸基(-SO3H)
を有するイオン交換膜を製造するためのモノマーとして
有用であり、テトラフルオロエチレンなどのフッ素系モ
ノマーと共重合することで、機能性を有する高分子化合
物を製造することができる。この機能性高分子化合物は
スルホン酸基のイオン交換特性に基づいて様々な利用方
法が考えられており、固体高分子電解質膜として燃料電
池や水分解装置などに使用されている。従来、上記官能
基(-SO2F) を有するペルフルオロアルキルビニルエーテ
ル誘導体の製造方法として、官能基(-SO2F) を有する酸
フッ化物(CFOCF2SO2F)をヘキサフルオロプロペンオキサ
イド(HFPO)と反応させ、得られたエポキシ付加物
を熱分解して、官能基(-SO2F) を有するペルフルオロア
ルキルビニルエーテル誘導体を製造する方法が知られて
いる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような官
能基を有するペルフルオロアルキルビニルエーテル誘導
体の製造方法は、次のような理由からコストが高くなっ
てしまうという問題がある。 原料である官能基を有する酸フッ化物の合成には、
多くの特殊な工程が必要となり、また、これらの原料薬
品の入手が難しい。 原料の官能基を有するエポキシ付加物を熱分解して
目的物を合成しようとすると、環化反応により異なった
化合物を生じるため収率が低い。 本発明は、前記従来技術において収率を低下させる主要
因となっている環化反応の発生のおそれがなく、目的と
する官能基を有するペルフルオロアルキルビニルエーテ
ル誘導体を、高収率で安価に製造する方法を提供するも
のである。
能基を有するペルフルオロアルキルビニルエーテル誘導
体の製造方法は、次のような理由からコストが高くなっ
てしまうという問題がある。 原料である官能基を有する酸フッ化物の合成には、
多くの特殊な工程が必要となり、また、これらの原料薬
品の入手が難しい。 原料の官能基を有するエポキシ付加物を熱分解して
目的物を合成しようとすると、環化反応により異なった
化合物を生じるため収率が低い。 本発明は、前記従来技術において収率を低下させる主要
因となっている環化反応の発生のおそれがなく、目的と
する官能基を有するペルフルオロアルキルビニルエーテ
ル誘導体を、高収率で安価に製造する方法を提供するも
のである。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は式(A) で表され
るヨウ化ペルフルオロアルキルビニルエーテル化合物
に、極性溶媒中でチオシアン酸塩を作用させ、得られた
-SCN基を有する中間生成物を酸化して-SCN基を-SO2Cl基
とした後、フッ化アルカリ金属で処理することを特徴と
する式(B) で表されるペルフルオロアルキルビニルエー
テル誘導体の製造方法である。
るヨウ化ペルフルオロアルキルビニルエーテル化合物
に、極性溶媒中でチオシアン酸塩を作用させ、得られた
-SCN基を有する中間生成物を酸化して-SCN基を-SO2Cl基
とした後、フッ化アルカリ金属で処理することを特徴と
する式(B) で表されるペルフルオロアルキルビニルエー
テル誘導体の製造方法である。
【化2】CF2=CF(OCF2CFY)nOCF2CF2I (A) CF2=CF(OCF2CFY)nOCF2CF2SO2F (B) 〔式 (A),(B)中、Yはフッ素原子又はトリフルオロメチ
ル基、nは1〜3の整数を表す〕
ル基、nは1〜3の整数を表す〕
【0005】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るペルフルオロ
アルキルビニルエーテル誘導体の製造方法の実施形態を
説明する。本発明の方法においては、先ず前記式(A) で
表されるヨウ化ペルフルオロアルキルビニルエーテル化
合物とチオシアン酸塩とを極性溶媒中で反応させる。チ
オシアン酸塩としてはチオシアン酸カリウム、チオシア
ン酸ナトリウム、チオシアン酸カルシウム等が使用でき
るが、反応収率の点からチオシアン酸カリウムが特に好
適である。使用する極性溶媒としてはアセトニトリル、
スルホラン、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムア
ミド、ヘキサメチルホスホロトリアミドなどがあるが、
副生成物の生成が少なく、高収率が得られるジメチルス
ルホキシド、ジメチルホルムアミドが好ましい。
アルキルビニルエーテル誘導体の製造方法の実施形態を
説明する。本発明の方法においては、先ず前記式(A) で
表されるヨウ化ペルフルオロアルキルビニルエーテル化
合物とチオシアン酸塩とを極性溶媒中で反応させる。チ
オシアン酸塩としてはチオシアン酸カリウム、チオシア
ン酸ナトリウム、チオシアン酸カルシウム等が使用でき
るが、反応収率の点からチオシアン酸カリウムが特に好
適である。使用する極性溶媒としてはアセトニトリル、
スルホラン、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムア
ミド、ヘキサメチルホスホロトリアミドなどがあるが、
副生成物の生成が少なく、高収率が得られるジメチルス
ルホキシド、ジメチルホルムアミドが好ましい。
【0006】ヨウ化ペルフルオロアルキルビニルエーテ
ル化合物に対するチオシアン酸塩の添加量は、モル比で
1〜3、特に1.5〜2.5の範囲が好ましい。チオシ
アン酸塩の量がモル比で1未満では反応が十分に進ま
ず、未反応のヨウ化ペルフルオロアルキルビニルエーテ
ル化合物が残留しやすく、一方、モル比で3を超える場
合には、反応系中に不要なチオシアン酸塩が増えるのみ
で反応上メリットがなく、工業的にもコスト高となり、
ともに好ましくないからである。
ル化合物に対するチオシアン酸塩の添加量は、モル比で
1〜3、特に1.5〜2.5の範囲が好ましい。チオシ
アン酸塩の量がモル比で1未満では反応が十分に進ま
ず、未反応のヨウ化ペルフルオロアルキルビニルエーテ
ル化合物が残留しやすく、一方、モル比で3を超える場
合には、反応系中に不要なチオシアン酸塩が増えるのみ
で反応上メリットがなく、工業的にもコスト高となり、
ともに好ましくないからである。
【0007】ここで原料となる式(A) で表されるヨウ化
ペルフルオロアルキルビニルエーテル化合物は、例え
ば、ヨウ化ジフルオロアセチルフルオライド(ICF2CFO)
のような酸フルオライド化合物とHFPOとをテトラエ
チレングリコールジメチルエーテル中でセシウムフルオ
ライドを触媒として反応させ、得られた化合物をアルカ
リ処理後、250℃で熱分解することによって得ること
ができる。
ペルフルオロアルキルビニルエーテル化合物は、例え
ば、ヨウ化ジフルオロアセチルフルオライド(ICF2CFO)
のような酸フルオライド化合物とHFPOとをテトラエ
チレングリコールジメチルエーテル中でセシウムフルオ
ライドを触媒として反応させ、得られた化合物をアルカ
リ処理後、250℃で熱分解することによって得ること
ができる。
【0008】前記酸フルオライド化合物とHFPOとを
反応させる際の反応温度は、原料の種類などによって好
ましい範囲が適宜採用されるが、通常は20〜100℃
の範囲が好ましい。これは、20℃未満であると反応の
進行が遅く収率は低くなり、一方、反応温度を100℃
を超えて高くすると圧力容器を使用する必要があり、設
備が大がかりとなってしまい、工業的に好ましくないか
らである。
反応させる際の反応温度は、原料の種類などによって好
ましい範囲が適宜採用されるが、通常は20〜100℃
の範囲が好ましい。これは、20℃未満であると反応の
進行が遅く収率は低くなり、一方、反応温度を100℃
を超えて高くすると圧力容器を使用する必要があり、設
備が大がかりとなってしまい、工業的に好ましくないか
らである。
【0009】ヨウ化ペルフルオロアルキルビニルエーテ
ル化合物とチオシアン酸塩とを反応させた後、得られた
反応生成物(-SCN基を有する中間生成物)を酸化して-S
CN基を-SO2Cl基に変換させる。一般的には前記中間生成
物に対しモル比で1〜10の量の塩素ガスを吹き込ん
で、室温で1〜8時間反応させてスルホニルクロライド
化(-SO2Cl基の導入)する。次いで、このスルホニルク
ロライド化合物に対しモル比で1〜3に相当する量のフ
ッ化ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化リチウムなど
のフッ化アルカリ金属を添加して反応させることによ
り、スルホニルフルオライド基(-SO2F) を有するペルフ
ルオロアルキルビニルエーテル誘導体を得ることができ
る。スルホニルクロライド化合物に対するフッ化アルカ
リ金属の量がモル比で1未満であると反応が十分に進ま
ず、未反応のスルホニルクロライド化合物が残り、一
方、モル比で3を超える場合には、反応系中に不要なフ
ッ化アルカリ金属が増えるのみで反応上メリットがな
く、工業的にもコスト高となり、ともに好ましくない。
ル化合物とチオシアン酸塩とを反応させた後、得られた
反応生成物(-SCN基を有する中間生成物)を酸化して-S
CN基を-SO2Cl基に変換させる。一般的には前記中間生成
物に対しモル比で1〜10の量の塩素ガスを吹き込ん
で、室温で1〜8時間反応させてスルホニルクロライド
化(-SO2Cl基の導入)する。次いで、このスルホニルク
ロライド化合物に対しモル比で1〜3に相当する量のフ
ッ化ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化リチウムなど
のフッ化アルカリ金属を添加して反応させることによ
り、スルホニルフルオライド基(-SO2F) を有するペルフ
ルオロアルキルビニルエーテル誘導体を得ることができ
る。スルホニルクロライド化合物に対するフッ化アルカ
リ金属の量がモル比で1未満であると反応が十分に進ま
ず、未反応のスルホニルクロライド化合物が残り、一
方、モル比で3を超える場合には、反応系中に不要なフ
ッ化アルカリ金属が増えるのみで反応上メリットがな
く、工業的にもコスト高となり、ともに好ましくない。
【0010】本発明の方法によって得られる官能基とし
て-SO2F 基を有するペルフルオロアルキルビニルエーテ
ル誘導体は、ペルオキシド系開始剤を用いて水性媒体中
で他のフッ素系オレフィン類と共重合させ、共重合体を
得ることができる。共重合体の製造において、重合温度
は30℃から100℃が好ましい。これは、温度が30
℃未満であると共重合が抑えられ、目的とする共重合体
を得ることができず、一方、100℃を超えて加熱して
も設備が大がかりとなってしまい、工業的に好ましくな
いからである。
て-SO2F 基を有するペルフルオロアルキルビニルエーテ
ル誘導体は、ペルオキシド系開始剤を用いて水性媒体中
で他のフッ素系オレフィン類と共重合させ、共重合体を
得ることができる。共重合体の製造において、重合温度
は30℃から100℃が好ましい。これは、温度が30
℃未満であると共重合が抑えられ、目的とする共重合体
を得ることができず、一方、100℃を超えて加熱して
も設備が大がかりとなってしまい、工業的に好ましくな
いからである。
【0011】また、重合圧力は2〜10kg/cm2 G
が望ましい。これは、圧力が2kg/cm2 G未満の加
圧であると、共重合反応の速度を実用上満足できる速さ
に維持することが困難で、目的とする共重合体を得るこ
とができないからである。一方、圧力が10kg/cm
2 Gを超えて加圧しても、共重合体中の官能基濃度が低
くなり、性能の低下につながるとともに、工業的にも装
置及びその操作の点で好ましくないからである。
が望ましい。これは、圧力が2kg/cm2 G未満の加
圧であると、共重合反応の速度を実用上満足できる速さ
に維持することが困難で、目的とする共重合体を得るこ
とができないからである。一方、圧力が10kg/cm
2 Gを超えて加圧しても、共重合体中の官能基濃度が低
くなり、性能の低下につながるとともに、工業的にも装
置及びその操作の点で好ましくないからである。
【0012】本発明の-SO2F 基を有するペルフルオロア
ルキルビニルエーテル誘導体をフッ素系オレフィン類と
共重合させた共重合体は、-SO2F 基を含有する共重合体
であり、この共重合体を酸処理することでスルホン酸基
(-SO3H) を含有する共重合体とすることができる。この
スルホン酸基を有する共重合体はイオン交換膜などの機
能性高分子化合物として有用であり、親水性の隔膜、分
離膜、イオン交換膜として応用が可能である。
ルキルビニルエーテル誘導体をフッ素系オレフィン類と
共重合させた共重合体は、-SO2F 基を含有する共重合体
であり、この共重合体を酸処理することでスルホン酸基
(-SO3H) を含有する共重合体とすることができる。この
スルホン酸基を有する共重合体はイオン交換膜などの機
能性高分子化合物として有用であり、親水性の隔膜、分
離膜、イオン交換膜として応用が可能である。
【0013】
【実施例】以下、本発明の効果を示す実施例を比較例と
ともに説明する。 (参考例)攪拌器、冷却器及び滴下ロートの付いた30
0ミリリットルの三つ口フラスコにテトラエチレングリ
コールジメチルエーテル100ミリリットル、セシウム
フルオライド1.5gを入れ容器内の温度を0℃に保っ
た。次に、攪拌しながらヨウ化ジフルオロアセチルフル
オライド( ICF2CFO ) 22.4gをゆっくりと滴下し
て、セシウムアルコキシド化合物とした。次に、コール
ドトラップを−80℃に冷却しながら、HFPOを3
3.2g加えて反応させると下層に油状物が生成し、こ
の油状物を蒸留精製することにより式(C) の化合物が2
8.9g生成した。次にこの化合物に水酸化ナトリウム
のエチルアルコール溶液10wt%を加えてカルボン酸
塩とした後、エチルアルコールを除去して固形物とし、
250℃の加熱下、脱炭酸反応を行うことにより式(D)
のオレフィン化合物19.6g得られた。
ともに説明する。 (参考例)攪拌器、冷却器及び滴下ロートの付いた30
0ミリリットルの三つ口フラスコにテトラエチレングリ
コールジメチルエーテル100ミリリットル、セシウム
フルオライド1.5gを入れ容器内の温度を0℃に保っ
た。次に、攪拌しながらヨウ化ジフルオロアセチルフル
オライド( ICF2CFO ) 22.4gをゆっくりと滴下し
て、セシウムアルコキシド化合物とした。次に、コール
ドトラップを−80℃に冷却しながら、HFPOを3
3.2g加えて反応させると下層に油状物が生成し、こ
の油状物を蒸留精製することにより式(C) の化合物が2
8.9g生成した。次にこの化合物に水酸化ナトリウム
のエチルアルコール溶液10wt%を加えてカルボン酸
塩とした後、エチルアルコールを除去して固形物とし、
250℃の加熱下、脱炭酸反応を行うことにより式(D)
のオレフィン化合物19.6g得られた。
【化3】FOCCF(CF3)OCF2CF(CF3)OCF2CF2I (C) CF2=CFOCF2CF(CF3)OCF2CF2I (D)
【0014】(実施例1)300ミリリットルの三つ口
フラスコにジメチルスルホキシド100ミリリットル、
ヨウ化ペルフルオロアルキルビニルエーテル化合物とし
て前記式(D) の化合物を10g、チオシアン酸カリウム
を3.9g入れ、激しく攪拌しながら120℃で8時間
反応させた。反応終了後、下層の油状物を分離して蒸留
水を加え、この溶液を300ミリリットルの耐圧容器中
に入れ塩素ガスを圧力3kg/cm 2 Gまで吹き込んで
室温で5時間反応させた。反応液の下層の油状物を分離
精製した後、フッ化ナトリウムを1.7g加え生成物を
エーテル抽出した。得られた溶液から溶媒を留去した
後、蒸留精製することで無色透明の式(E) で表されるペ
ルフルオロアルキルビニルエーテル誘導体7.1gが得
られた。式(D) の化合物を基準とした式(E) のペルフル
オロアルキルビニルエーテル誘導体の収率は80%であ
った。得られた化合物は、赤外線吸収スペクトル及びN
MRスペクトル測定により、ペルフルオロアルキルビニ
ルエーテル誘導体の構造であることを確認した。
フラスコにジメチルスルホキシド100ミリリットル、
ヨウ化ペルフルオロアルキルビニルエーテル化合物とし
て前記式(D) の化合物を10g、チオシアン酸カリウム
を3.9g入れ、激しく攪拌しながら120℃で8時間
反応させた。反応終了後、下層の油状物を分離して蒸留
水を加え、この溶液を300ミリリットルの耐圧容器中
に入れ塩素ガスを圧力3kg/cm 2 Gまで吹き込んで
室温で5時間反応させた。反応液の下層の油状物を分離
精製した後、フッ化ナトリウムを1.7g加え生成物を
エーテル抽出した。得られた溶液から溶媒を留去した
後、蒸留精製することで無色透明の式(E) で表されるペ
ルフルオロアルキルビニルエーテル誘導体7.1gが得
られた。式(D) の化合物を基準とした式(E) のペルフル
オロアルキルビニルエーテル誘導体の収率は80%であ
った。得られた化合物は、赤外線吸収スペクトル及びN
MRスペクトル測定により、ペルフルオロアルキルビニ
ルエーテル誘導体の構造であることを確認した。
【化4】CF2=CFOCF2CF(CF3)OCF2CF2SO2F (E)
【0015】(実施例2)実施例1において、ヨウ化ペ
ルフルオロアルキルビニルエーテル化合物として式(D)
の化合物の代わりに式(F) の化合物を13.1g添加し
た以外は、実施例1と同様の操作を行った。その結果、
ペルフルオロアルキルビニルエーテル誘導体である式
(G) の化合物が10.2g得られた(収率84%)。
ルフルオロアルキルビニルエーテル化合物として式(D)
の化合物の代わりに式(F) の化合物を13.1g添加し
た以外は、実施例1と同様の操作を行った。その結果、
ペルフルオロアルキルビニルエーテル誘導体である式
(G) の化合物が10.2g得られた(収率84%)。
【化5】 CF2=CFOCF2CF(CF3)OCF2CF(CF3)OCF2CF2I (F) CF2=CFOCF2CF(CF3)OCF2CF(CF3)OCF2CF2SO2F (G)
【0016】(実施例3)実施例1において、チオシア
ン酸カリウムを5.8g添加した以外は、実施例1と同
様に操作した。その結果ペルフルオロアルキルビニルエ
ーテル誘導体である式(E) の化合物6.5gが得られた
(収率73%)。
ン酸カリウムを5.8g添加した以外は、実施例1と同
様に操作した。その結果ペルフルオロアルキルビニルエ
ーテル誘導体である式(E) の化合物6.5gが得られた
(収率73%)。
【0017】(実施例4)実施例1において、溶媒とし
てジメチルホルムアミドを添加した以外は、実施例1と
同様に操作した。その結果ペルフルオロアルキルビニル
エーテル誘導体である式(E) の化合物が6.7g得られ
た(収率75%)。
てジメチルホルムアミドを添加した以外は、実施例1と
同様に操作した。その結果ペルフルオロアルキルビニル
エーテル誘導体である式(E) の化合物が6.7g得られ
た(収率75%)。
【0018】(応用例1)内容積300ミリリットルの
ステンレス製オートクレーブ中に脱酸素水100ミリリ
ットルを入れ、この中に前記式(E) の化合物を10g、
ペルオキソ二硫酸アンモニウム0.4gを加え、容器内
をテトラフルオロエチレンガスで置換して3kg/cm
2 Gを保持し、攪拌下60℃で8時間反応させた。反応
終了後、未反応のテトラフルオロエチレンガスを放出し
て水中に分散している生成物を回収し、共重合体8.8
gを得た。この共重合体は、赤外線吸収スペクトル及び
NMRスペクトル測定により、官能基(-SO2F) 濃度30
モル%の共重合体であることを確認した。なお、官能基
濃度は共重合体の単位繰り返し量を100%とし、その
中の官能基を有するモノマーの含有量をモル%で表示し
たものである。
ステンレス製オートクレーブ中に脱酸素水100ミリリ
ットルを入れ、この中に前記式(E) の化合物を10g、
ペルオキソ二硫酸アンモニウム0.4gを加え、容器内
をテトラフルオロエチレンガスで置換して3kg/cm
2 Gを保持し、攪拌下60℃で8時間反応させた。反応
終了後、未反応のテトラフルオロエチレンガスを放出し
て水中に分散している生成物を回収し、共重合体8.8
gを得た。この共重合体は、赤外線吸収スペクトル及び
NMRスペクトル測定により、官能基(-SO2F) 濃度30
モル%の共重合体であることを確認した。なお、官能基
濃度は共重合体の単位繰り返し量を100%とし、その
中の官能基を有するモノマーの含有量をモル%で表示し
たものである。
【0019】(応用例2)内容積300ミリリットルの
ステンレス製オートクレーブ中に脱酸素水100ミリリ
ットルを入れ、この中に前記式(G) の化合物を10g、
ペルオキソ二硫酸アンモニウム0.3gを加え、容器内
をテトラフルオロエチレンガスで置換して3kg/cm
2 Gを保持し、攪拌下60℃で8時間反応させた。反応
終了後、未反応のテトラフルオロエチレンガスを放出し
て水中に分散している生成物を回収し、共重合体7.6
gを得た。この共重合体は、赤外線吸収スペクトル及び
NMRスペクトル測定により、官能基(-SO2F) 濃度27
モル%の共重合体であることを確認した。
ステンレス製オートクレーブ中に脱酸素水100ミリリ
ットルを入れ、この中に前記式(G) の化合物を10g、
ペルオキソ二硫酸アンモニウム0.3gを加え、容器内
をテトラフルオロエチレンガスで置換して3kg/cm
2 Gを保持し、攪拌下60℃で8時間反応させた。反応
終了後、未反応のテトラフルオロエチレンガスを放出し
て水中に分散している生成物を回収し、共重合体7.6
gを得た。この共重合体は、赤外線吸収スペクトル及び
NMRスペクトル測定により、官能基(-SO2F) 濃度27
モル%の共重合体であることを確認した。
【0020】
【発明の効果】本発明によれば、前記式 (A)で表される
ヨウ化ペルフルオロアルキルビニルエーテル化合物に、
極性溶媒中でチオシアン酸塩を作用させ、得られた-SCN
基を-SO2Cl基を有する中間生成物を酸化して-SCN基を-S
O2Cl基とした後、フッ化アルカリ金属で処理することに
より、式 (B)で表されるペルフルオロアルキルビニルエ
ーテル誘導体を高収率かつ安価に得ることが可能とな
る。また、得られたペルフルオロアルキルビニルエーテ
ル誘導体をフッ素系オレフィンと共重合し、さらに-SO2
F 基を-SO3H 基に変えることにより、親水性の隔膜、分
離膜、イオン交換膜として有用な機能性高分子化合物を
得ることができる。
ヨウ化ペルフルオロアルキルビニルエーテル化合物に、
極性溶媒中でチオシアン酸塩を作用させ、得られた-SCN
基を-SO2Cl基を有する中間生成物を酸化して-SCN基を-S
O2Cl基とした後、フッ化アルカリ金属で処理することに
より、式 (B)で表されるペルフルオロアルキルビニルエ
ーテル誘導体を高収率かつ安価に得ることが可能とな
る。また、得られたペルフルオロアルキルビニルエーテ
ル誘導体をフッ素系オレフィンと共重合し、さらに-SO2
F 基を-SO3H 基に変えることにより、親水性の隔膜、分
離膜、イオン交換膜として有用な機能性高分子化合物を
得ることができる。
Claims (1)
- 【請求項1】 式(A) で表されるヨウ化ペルフルオロア
ルキルビニルエーテル化合物に、極性溶媒中でチオシア
ン酸塩を作用させ、得られた-SCN基を有する中間生成物
を酸化して-SCN基を-SO2Cl基とした後、フッ化アルカリ
金属で処理することを特徴とする式(B) で表されるペル
フルオロアルキルビニルエーテル誘導体の製造方法。 【化1】CF2=CF(OCF2CFY)nOCF2CF2I (A) CF2=CF(OCF2CFY)nOCF2CF2SO2F (B) 〔式 (A),(B)中、Yはフッ素原子又はトリフルオロメチ
ル基、nは1〜3の整数を表す〕
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10139745A JPH11335346A (ja) | 1998-05-21 | 1998-05-21 | ペルフルオロアルキルビニルエーテル誘導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10139745A JPH11335346A (ja) | 1998-05-21 | 1998-05-21 | ペルフルオロアルキルビニルエーテル誘導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11335346A true JPH11335346A (ja) | 1999-12-07 |
Family
ID=15252399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10139745A Withdrawn JPH11335346A (ja) | 1998-05-21 | 1998-05-21 | ペルフルオロアルキルビニルエーテル誘導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11335346A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003106408A1 (ja) * | 2002-06-14 | 2003-12-24 | ダイキン工業株式会社 | 含フッ素フルオロスルホニルアルキルビニルエーテルの製造法 |
| WO2004018527A1 (ja) * | 2002-06-17 | 2004-03-04 | Daikin Industries, Ltd. | 含フッ素ポリマー分散体及び含フッ素ポリマー分散体製造方法 |
| JPWO2005003082A1 (ja) * | 2003-07-04 | 2006-08-10 | 旭硝子株式会社 | 含フッ素スルホニルフルオリドの製造方法 |
| JPWO2005003062A1 (ja) * | 2003-07-02 | 2006-08-10 | 旭硝子株式会社 | 含フッ素スルホニルフルオリド化合物の製造方法 |
| CN105753742A (zh) * | 2014-12-19 | 2016-07-13 | 山东东岳高分子材料有限公司 | 一种制备全氟烯醚磺酰氟化合物的方法 |
-
1998
- 1998-05-21 JP JP10139745A patent/JPH11335346A/ja not_active Withdrawn
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003106408A1 (ja) * | 2002-06-14 | 2003-12-24 | ダイキン工業株式会社 | 含フッ素フルオロスルホニルアルキルビニルエーテルの製造法 |
| US7005545B2 (en) | 2002-06-14 | 2006-02-28 | Daikin Industries, Ltd. | Process for producing fluorinated fluorosulfonylalkyl vinyl ether |
| WO2004018527A1 (ja) * | 2002-06-17 | 2004-03-04 | Daikin Industries, Ltd. | 含フッ素ポリマー分散体及び含フッ素ポリマー分散体製造方法 |
| CN100480281C (zh) | 2002-06-17 | 2009-04-22 | 大金工业株式会社 | 含氟聚合物分散体以及含氟聚合物分散体的制造方法 |
| US9109053B2 (en) | 2002-06-17 | 2015-08-18 | Daikin Industries, Ltd. | Fluoropolymer dispersion and process for producing fluoropolymer dispersion |
| JPWO2005003062A1 (ja) * | 2003-07-02 | 2006-08-10 | 旭硝子株式会社 | 含フッ素スルホニルフルオリド化合物の製造方法 |
| JP2011153162A (ja) * | 2003-07-02 | 2011-08-11 | Asahi Glass Co Ltd | 含フッ素スルホニルフルオリド化合物およびその製造方法 |
| JP4792972B2 (ja) * | 2003-07-02 | 2011-10-12 | 旭硝子株式会社 | 含フッ素スルホニルフルオリド化合物 |
| JPWO2005003082A1 (ja) * | 2003-07-04 | 2006-08-10 | 旭硝子株式会社 | 含フッ素スルホニルフルオリドの製造方法 |
| JP4770461B2 (ja) * | 2003-07-04 | 2011-09-14 | 旭硝子株式会社 | 含フッ素スルホニルフルオリドの製造方法 |
| CN105753742A (zh) * | 2014-12-19 | 2016-07-13 | 山东东岳高分子材料有限公司 | 一种制备全氟烯醚磺酰氟化合物的方法 |
| CN105753742B (zh) * | 2014-12-19 | 2018-03-09 | 山东东岳高分子材料有限公司 | 一种制备全氟烯醚磺酰氟化合物的方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050802 |