JPH11337892A - Optical waveguide device and method of manufacturing the same - Google Patents

Optical waveguide device and method of manufacturing the same

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JPH11337892A
JPH11337892A JP10158485A JP15848598A JPH11337892A JP H11337892 A JPH11337892 A JP H11337892A JP 10158485 A JP10158485 A JP 10158485A JP 15848598 A JP15848598 A JP 15848598A JP H11337892 A JPH11337892 A JP H11337892A
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JP
Japan
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optical waveguide
optical
substrate
waveguide device
phase shift
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JP10158485A
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Japanese (ja)
Inventor
Mitsukazu Kondo
充和 近藤
Haruhiko Tsuchiya
治彦 土屋
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Tokin Corp
Original Assignee
Tokin Corp
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Publication date
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  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 変調効率とY分岐結合部の光損失のどちらも
改善された光導波路素子を提供するとともに、位相シフ
ト光導波路を導波する二つの光の間の位相差を制御した
光導波路素子の製造方法を示すこと。 【解決手段】 基板42の表面に位相シフト光導波路2
3,24およびその近傍に変調電極25が形成された素
子5と、Y分岐結合部28,29を有する光導波路が基
板43の表面に形成された素子6の、複数から構成さ
れ、これらの複数の素子が同一平面上で接合され、光導
波路が結合されている光導波路素子1である。また、Y
分岐結合部28,29で分岐された、一方の光導波路を
紫外線照射することによって、光学バイアスを制御した
光導波路素子1を製造することができる。
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical waveguide device in which both the modulation efficiency and the optical loss of a Y-branch coupling part are improved, and to reduce the phase difference between two lights guided through a phase-shifted optical waveguide. A method for manufacturing a controlled optical waveguide element is to be shown. A phase shift optical waveguide (2) is provided on a surface of a substrate (42).
3 and 24 and an element 5 in which a modulation electrode 25 is formed in the vicinity thereof, and an element 6 in which an optical waveguide having Y branch coupling portions 28 and 29 is formed on the surface of a substrate 43. Are bonded on the same plane, and the optical waveguides are coupled to each other. Also, Y
By irradiating one of the optical waveguides branched at the branch coupling portions 28 and 29 with ultraviolet light, the optical waveguide device 1 in which the optical bias is controlled can be manufactured.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、光変調素子等に用
いられる光導波路素子に関し、とくに光導波路素子の構
成および製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical waveguide device used for an optical modulation device or the like, and more particularly, to a configuration and a manufacturing method of the optical waveguide device.

【0002】[0002]

【従来の技術】ニオブ酸リチウム等、電気光学効果を有
する結晶を基板とし、その表面に形成された光導波路素
子は、光変調器や光電界センサのセンサヘッド等として
有用である。
2. Description of the Related Art An optical waveguide element formed on a substrate made of a crystal having an electro-optical effect, such as lithium niobate, is useful as an optical modulator or a sensor head of an optical electric field sensor.

【0003】図3は、従来の導波路型素子による透過型
光変調器2の構成を示す図である。図3において、ニオ
ブ酸リチウム結晶のZ軸に垂直に切り出した基板21上
にチタンを拡散して入射光導波路22が形成されてい
る。基板21には、入射光導波路22、そこから、点線
で囲んで示したY分岐結合部28で結合した位相シフト
光導波路23,24、および上記2本の位相シフト光導
波路が合流するY分岐結合部29(同じく点線で囲んで
示す)で結合した出射光導波路26が、X方向に形成さ
れて、さらに、位相シフト光導波路23,24上には、
変調電極25が形成され、透過型光変調器2が構成され
ている。入射光導波路22の入射端には、入力光用の光
ファイバ37が結合され、出射光導波路26の出射端に
は、出力光用の光ファイバ38が接続されている。
FIG. 3 is a diagram showing a configuration of a transmission type optical modulator 2 using a conventional waveguide element. In FIG. 3, an incident optical waveguide 22 is formed by diffusing titanium on a substrate 21 cut out perpendicularly to the Z axis of a lithium niobate crystal. The substrate 21 has an incident optical waveguide 22, a phase shift optical waveguides 23 and 24 coupled therefrom by a Y-branch coupling section 28 shown by a dotted line, and a Y-branch coupling where the two phase-shift optical waveguides merge. An outgoing optical waveguide 26 coupled by a portion 29 (also shown by a dotted line) is formed in the X direction, and further, on the phase shift optical waveguides 23 and 24,
The modulation electrode 25 is formed, and the transmission type optical modulator 2 is configured. An optical fiber 37 for input light is connected to an incident end of the incident optical waveguide 22, and an optical fiber 38 for output light is connected to an output end of the output optical waveguide 26.

【0004】図3において、光ファイバ37からの入射
光11は入射光導波路22に入射した後、Y分岐結合部
28で位相シフト光導波路23と24にエネルギーが分
割される。変調電極25に電圧信号が印加された場合、
位相シフト光導波路23と24には、深さ方向に互いに
反対向きの電界成分が生ずる。この結果、電気光学効果
により屈折率変化が生じて、位相シフト光導波路23、
24を伝搬する光波間に、印加電圧に応じた位相差が生
じ、それらがY分岐結合部29で合流する出射光導波路
26では、二つの光波間の干渉により、出力光14の強
度が変化する。すなわち、変調電極25に印加される電
圧に応じて、光ファイバ38に出射される出力光14の
強度が変化する。
In FIG. 3, an incident light 11 from an optical fiber 37 is incident on an incident optical waveguide 22, and then energy is split by a Y-branch coupling section 28 into phase-shift optical waveguides 23 and 24. When a voltage signal is applied to the modulation electrode 25,
In the phase shift optical waveguides 23 and 24, electric field components that are opposite to each other in the depth direction are generated. As a result, the refractive index changes due to the electro-optic effect, and the phase shift optical waveguide 23,
A phase difference corresponding to the applied voltage is generated between the light waves propagating through the light guide 24, and the intensity of the output light 14 changes due to interference between the two light waves in the output light waveguide 26 where they are joined at the Y-branch coupling unit 29. . That is, the intensity of the output light 14 emitted to the optical fiber 38 changes according to the voltage applied to the modulation electrode 25.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】図3に示される従来の
透過型光変調器2の場合、入射光導波路22から位相シ
フト光導波路23、24に分岐されるY分岐結合部28
の角度は極めて小さい。このため、Y分岐結合部28の
分岐部分と位相シフト光導波路23,24の間は、必然
的に長くなる。Y分岐結合部29についても、同様であ
る。ニオブ酸リチウム結晶を基板21に使うため、その
長さには限りがあり、透過型光変調器2において位相シ
フト光導波路23、24を十分に長くとることが困難で
ある。実際には、全長50mmの透過型光変調器の場
合、位相シフト光導波路23、24に電圧を印加する変
調電極の長さは約25mmで、全長の半分に過ぎない。
透過型光変調器の例では、このため、半波長電圧は2V
程度が下限となり、変調効率を高くとることも困難であ
った。この透過型光変調器2に受信アンテナを接続し、
電界センサヘッドとして使ったときには、C/Nは50
dB程度であった。
In the case of the conventional transmission type optical modulator 2 shown in FIG. 3, a Y-branch coupling section 28 which is branched from an incident optical waveguide 22 to phase shift optical waveguides 23 and 24.
Is extremely small. Therefore, the distance between the branch portion of the Y-branch coupling unit 28 and the phase shift optical waveguides 23 and 24 is inevitably long. The same applies to the Y-branch coupling unit 29. Since the lithium niobate crystal is used for the substrate 21, the length thereof is limited, and it is difficult to make the phase shift optical waveguides 23 and 24 sufficiently long in the transmission type optical modulator 2. Actually, in the case of a transmission type optical modulator having a total length of 50 mm, the length of the modulation electrode for applying a voltage to the phase shift optical waveguides 23 and 24 is about 25 mm, which is only half of the total length.
In the example of the transmission type optical modulator, therefore, the half-wave voltage is 2 V
The degree was the lower limit, and it was difficult to increase the modulation efficiency. A receiving antenna is connected to the transmission type optical modulator 2,
When used as an electric field sensor head, C / N is 50
It was about dB.

【0006】他方、Y分岐結合部では、光損失が生じ
る。Y分岐結合部での光損失を低くするために、Y分岐
結合部の形状、分岐の角度等々が規定される。このた
め、光変調器としての変調効率を上げることができない
などの問題がこれまでに経験されたところである。
On the other hand, light loss occurs in the Y-branch joint. In order to reduce light loss at the Y-branch joint, the shape of the Y-branch joint, the angle of branching, and the like are defined. Therefore, problems such as the inability to increase the modulation efficiency of the optical modulator have been experienced so far.

【0007】本発明の目的は、分岐干渉型光導波路を有
する、従来の光導波路素子における前記問題を解消し、
変調効率とY分岐結合部における光損失の、双方が独立
に改善された光導波路素子およびその製造方法を提供す
ることである。
An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems in a conventional optical waveguide device having a branch interference type optical waveguide,
It is an object of the present invention to provide an optical waveguide device in which both the modulation efficiency and the optical loss at the Y-branch joint are independently improved, and a method for manufacturing the same.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に分岐
干渉型光導波路および変調電極が形成された光導波路素
子において、光導波路素子は、分割された複数の素子が
同一平面上で接合され、光導波路が結合して構成されて
いる光導波路素子である。
According to the present invention, there is provided an optical waveguide device having a branch interference optical waveguide and a modulation electrode formed on a substrate, wherein the optical waveguide device comprises a plurality of divided elements joined on the same plane. And an optical waveguide element formed by coupling the optical waveguides.

【0009】本発明において、光導波路素子は、基板表
面に位相シフト光導波路およびその近傍に変調電極が形
成された素子と、Y分岐結合部を有する光導波路が基板
表面に形成された素子から構成されることを特徴とす
る。
In the present invention, the optical waveguide device comprises a device having a phase shift optical waveguide formed on the substrate surface and a modulation electrode formed in the vicinity thereof, and a device having an optical waveguide having a Y-branch coupling portion formed on the substrate surface. It is characterized by being performed.

【0010】また、本発明の光導波路素子は、変調電極
と位相シフト光導波路が表面に形成された素子の基板
は、電気光学効果を示す材料からなり、Y分岐結合部を
有する光導波路が表面に形成された素子の基板は、電気
光学効果を示す材料、シリコン、ガラスのいずれかから
なることを特徴とする。
Further, in the optical waveguide device of the present invention, the substrate of the device having the modulation electrode and the phase shift optical waveguide formed on the surface is made of a material exhibiting an electro-optic effect, and the optical waveguide having the Y-branch coupling portion is formed on the surface. The substrate of the element formed as described above is characterized by being made of any one of a material exhibiting an electro-optic effect, silicon, and glass.

【0011】また、本発明によれば、Y分岐結合部で分
岐された、少なくとも一方の光導波路を紫外線照射し、
光導波路の屈折率を変化させて光学バイアスを制御し
て、光導波路素子を製造することができる。
According to the present invention, at least one of the optical waveguides branched at the Y-branch joint is irradiated with ultraviolet light,
By controlling the optical bias by changing the refractive index of the optical waveguide, an optical waveguide device can be manufactured.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態につ
いて、図面を参照して説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0013】図1は、本発明による光導波路素子である
透過型光変調器の構成を示す図である。図1において、
透過型光変調器1は、3個の基板42、43の上にそれ
ぞれ形成された素子5,6が、同一平面上で接合して構
成されている。すなわち、位相シフト光導波路23、2
4および変調電極25が形成されている素子5の基板4
2は、ニオブ酸リチウム結晶のZ軸に垂直に切り出した
基板である。そして、素子5の光の入出射の両側に、Y
分岐結合部28、29をもつ光導波路が形成された素子
6がそれぞれ接合されている。素子6の基板43は、シ
リコンである。シリコンの基板43上に光導波路を形成
する場合には、基板43上に予め酸化膜(SiO2)を
形成し、光導波路は、その上に形成される。これらの素
子5,6は、予め別々に作製され、同一平面上で互いに
接合されて透過型光変調器1が構築される。
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a transmission type optical modulator which is an optical waveguide device according to the present invention. In FIG.
The transmission type optical modulator 1 is configured by joining elements 5 and 6 formed on three substrates 42 and 43 on the same plane. That is, the phase shift optical waveguides 23, 2
4 of the element 5 on which the modulation electrode 25 is formed
Reference numeral 2 denotes a substrate cut out perpendicular to the Z axis of the lithium niobate crystal. Then, on both sides of the incoming and outgoing light of the element 5, Y
The elements 6 on which the optical waveguides having the branch coupling portions 28 and 29 are formed are joined. The substrate 43 of the element 6 is silicon. When an optical waveguide is formed on the silicon substrate 43, an oxide film (SiO 2 ) is formed on the substrate 43 in advance, and the optical waveguide is formed thereon. These elements 5 and 6 are separately manufactured in advance, and are joined to each other on the same plane to construct the transmission optical modulator 1.

【0014】図2は、本発明による他の光導波路素子で
ある反射型光変調器3の構成を示す図である。図2にお
いて、反射型光変調器3は、2個の基板42,43の上
にそれぞれ別々に形成された素子5,6が、同一平面上
で互いに接合して構成されている。図1に示される透過
型光変調器1と同様に、位相シフト光導波路23、24
および変調電極25が形成されている素子5の基板42
は、ニオブ酸リチウム結晶のZ軸に垂直に切り出した基
板である。そして、位相シフト光導波路23、24の一
端には、反射部27がもうけられ、他の一端には、シリ
コンを基板43とし、この基板43上にY分岐結合部2
8をもつ光導波路が形成された素子6が接合されてい
る。前述したように、シリコンの基板43上に光導波路
を形成する場合には、予め酸化膜(SiO2)を形成
し、光導波路はその上に形成される。
FIG. 2 is a diagram showing a configuration of a reflection type optical modulator 3 which is another optical waveguide device according to the present invention. In FIG. 2, the reflection type optical modulator 3 is configured such that elements 5 and 6 separately formed on two substrates 42 and 43 are joined to each other on the same plane. As in the transmission type optical modulator 1 shown in FIG.
And substrate 42 of element 5 on which modulation electrode 25 is formed
Is a substrate cut out perpendicular to the Z axis of a lithium niobate crystal. At one end of each of the phase shift optical waveguides 23 and 24, a reflection portion 27 is provided, and at the other end, a silicon substrate 43 is provided.
The element 6 on which the optical waveguide 8 is formed is joined. As described above, when forming an optical waveguide on the silicon substrate 43, an oxide film (SiO 2 ) is formed in advance, and the optical waveguide is formed thereon.

【0015】図1および図2において、位相シフト光導
波路23、24および変調電極25が形成された素子5
と、入射光導波路22、出射光導波路26、あるいは入
出射光導波路20、およびY分岐結合部28,29が形
成された素子6は、互いに異なる基板上に形成されてい
る。このため、素子5は、ニオブ酸リチウム結晶の基板
42の長さ50mmを十分に活用することができる。こ
れにより半波長電圧を従来の2Vから1Vまで低くする
ことができ、変調効率の増大が可能となる。本発明によ
る透過型光変調器2および反射型光変調器3にそれぞれ
受信アンテナを接続し、電界センサヘッドとして使った
ときには、56dBのC/Nが得られた。
In FIG. 1 and FIG. 2, an element 5 having phase shift optical waveguides 23 and 24 and a modulation electrode 25 is formed.
The element 6 having the incident optical waveguide 22, the outgoing optical waveguide 26 or the incoming / outgoing optical waveguide 20, and the Y-branch coupling portions 28 and 29 are formed on different substrates. Therefore, the element 5 can sufficiently utilize the length of 50 mm of the substrate 42 of the lithium niobate crystal. As a result, the half-wave voltage can be reduced from the conventional 2V to 1V, and the modulation efficiency can be increased. When a receiving antenna was connected to each of the transmission type optical modulator 2 and the reflection type optical modulator 3 according to the present invention and used as an electric field sensor head, a C / N of 56 dB was obtained.

【0016】本発明では、基板が分割され、各素子を独
立に形成することができるため、Y分岐結合部における
光損失を小さくするための措置と、位相シフト光導波路
および変調電極における高変調度確保のための措置と
は、互いに独立にとることができる。すなわち、本発明
によって光導波路素子の設計の自由度が広がったことに
なる。
In the present invention, since the substrate is divided and each element can be formed independently, measures for reducing the optical loss in the Y-branch coupling portion and the high modulation degree in the phase shift optical waveguide and the modulation electrode are provided. Security measures may be taken independently of each other. That is, according to the present invention, the degree of freedom in designing the optical waveguide device is expanded.

【0017】なお、位相シフト光導波路および変調電極
が形成されている素子に接合される、Y分岐結合部をも
つ素子の基板は、シリコンのほか、ガラスを使ってもよ
い。また、光導波路は、SiO2に限らず、有機材料か
ら構成されたものでもよい。Y分岐結合部をもつ素子の
基板に、位相シフト光導波路および変調電極が形成され
ている基板と同じニオブ酸リチウム結晶を用いてもよい
ことはいうまでもない。
The substrate of the element having the Y-branch coupling portion, which is joined to the element on which the phase shift optical waveguide and the modulation electrode are formed, may be made of glass other than silicon. Further, the optical waveguide is not limited to SiO 2 , and may be made of an organic material. It goes without saying that the same lithium niobate crystal as the substrate on which the phase shift optical waveguide and the modulation electrode are formed may be used for the substrate of the element having the Y-branch coupling portion.

【0018】また、変調電極の構成は図1の場合とは異
なるが、素子5の基板42として、ニオブ酸リチウム結
晶のいわゆるX板、あるいはY板を用いてもよい。X
板、Y板は、それぞれX軸、Y軸に垂直に切り出した基
板である。
Although the configuration of the modulation electrode is different from that of FIG. 1, the substrate 42 of the element 5 may be a so-called X plate or Y plate of lithium niobate crystal. X
The plate and the Y plate are substrates cut out perpendicularly to the X axis and the Y axis, respectively.

【0019】複数の入射光に対応して、複数の光導波路
素子のパターンを集積した光導波路素子についても、本
発明を適用することができる。
The present invention can be applied to an optical waveguide device in which a plurality of patterns of optical waveguide devices are integrated corresponding to a plurality of incident lights.

【0020】シリコン、およびガラスからなる基板は、
紫外線照射を受けると、光の屈折率が非可逆変化する。
例えば、図1に示す透過型光導波路素子1において、Y
分岐結合部を有する光導波路が表面に形成され素子の基
板が、シリコン、ガラスのいずれかの場合に、この現象
を適用することができる。すなわち、Y分岐結合部で分
岐された一方の光導波路を紫外線照射し、その光導波路
の屈折率を変化させることによって、光学バイアスを制
御した透過型光導波路素子1を作製することができる。
ここで、光学バイアスは、変調電極25に電圧が印加さ
れないときの、透過型光導波路素子1の出射光強度をい
う。紫外線の照射は、前述した反射型光変調器2につい
ても、同様に適用することができる。なお、紫外線照射
は、光変調器を形成した後でも、あるいは、接合前にお
ける個々の素子の状態で行ってもよい。また、Y分岐結
合部で分岐された二つの光導波路を、照射量に差が生じ
るように紫外線照射してもよい。
The substrate made of silicon and glass is
When irradiated with ultraviolet light, the refractive index of light changes irreversibly.
For example, in the transmission type optical waveguide device 1 shown in FIG.
This phenomenon can be applied to the case where the optical waveguide having the branch coupling portion is formed on the surface and the substrate of the element is either silicon or glass. That is, the transmission type optical waveguide device 1 in which the optical bias is controlled can be manufactured by irradiating one of the optical waveguides branched at the Y-branch coupling portion with ultraviolet rays and changing the refractive index of the optical waveguide.
Here, the optical bias refers to the intensity of light emitted from the transmission optical waveguide element 1 when no voltage is applied to the modulation electrode 25. Irradiation with ultraviolet light can be similarly applied to the above-mentioned reflection type optical modulator 2. The ultraviolet irradiation may be performed after the formation of the optical modulator or in the state of each element before bonding. Further, the two optical waveguides branched at the Y-branch coupling portion may be irradiated with ultraviolet rays so as to cause a difference in irradiation amount.

【0021】[0021]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
光導波路素子の、変調効率とY分岐結合部の光損失の、
どちらも改善することができ、また、位相シフト光導波
路を導波する二つの光の間の位相差を制御して光導波路
素子を得ることができる。
As described above, according to the present invention,
Of the optical waveguide element, the modulation efficiency and the optical loss
Both can be improved, and the optical waveguide device can be obtained by controlling the phase difference between two lights guided in the phase shift optical waveguide.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明による透過型光変調器の構成を示す図。FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a transmission type optical modulator according to the present invention.

【図2】本発明による反射型光変調器の構成を示す図。FIG. 2 is a diagram showing a configuration of a reflection type optical modulator according to the present invention.

【図3】従来の透過型の光変調器の構成を示す図。FIG. 3 is a diagram showing a configuration of a conventional transmission type optical modulator.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、2 透過型光変調器 3 反射型光変調器 5、6 素子 11 入射光 14 出力光 20 入出射光導波路 21 基板 22 入射光導波路 23、24 位相シフト光導波路 25 変調電極 26 出射光導波路 27 反射部 28、29 Y分岐結合部 37、38 光ファイバ 42 基板 (ニオブ酸リチウム結晶) 43 基板(シリコンまたはガラス) DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 2 Transmission-type light modulator 3 Reflection-type light modulator 5, 6 Element 11 Incident light 14 Output light 20 Input / output optical waveguide 21 Substrate 22 Incident optical waveguide 23, 24 Phase shift optical waveguide 25 Modulation electrode 26 Output optical waveguide 27 Reflecting portions 28, 29 Y-branch coupling portions 37, 38 Optical fiber 42 Substrate (lithium niobate crystal) 43 Substrate (silicon or glass)

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上に分岐干渉型光導波路および変調
電極が形成された光導波路素子において、該光導波路素
子は、分割された複数の素子が同一平面上で接合され、
光導波路が結合して構成されていることを特徴とする光
導波路素子。
1. An optical waveguide device in which a branch interference optical waveguide and a modulation electrode are formed on a substrate, wherein the optical waveguide device is formed by joining a plurality of divided elements on the same plane,
An optical waveguide device, wherein an optical waveguide is formed by coupling.
【請求項2】 前記光導波路素子は、前記基板表面に位
相シフト光導波路および該位相シフト光導波路の近傍に
前記変調電極が形成された素子と、Y分岐結合部を有す
る光導波路が基板表面に形成された素子から構成されて
いる請求項1記載の光導波路素子。
2. An optical waveguide device comprising: an element in which a phase shift optical waveguide is formed on the surface of the substrate and the modulation electrode formed in the vicinity of the phase shift optical waveguide; and an optical waveguide having a Y-branch coupling portion is formed on the surface of the substrate. 2. The optical waveguide device according to claim 1, wherein the optical waveguide device comprises a formed device.
【請求項3】 前記変調電極と位相シフト光導波路が表
面に形成された前記素子の基板は、電気光学効果を示す
材料からなることを特徴とする請求項2記載の光導波路
素子。
3. The optical waveguide device according to claim 2, wherein the substrate of the device on which the modulation electrode and the phase shift optical waveguide are formed is made of a material exhibiting an electro-optic effect.
【請求項4】 Y分岐結合部を有する光導波路が表面に
形成された前記素子の基板は、電気光学効果を示す材
料、シリコン、ガラスのいずれかからなることを特徴と
する請求項2記載の光導波路素子。
4. The device according to claim 2, wherein the substrate of the element having an optical waveguide having a Y-branch coupling portion formed on the surface is made of any one of a material exhibiting an electro-optic effect, silicon, and glass. Optical waveguide device.
【請求項5】 前記Y分岐結合部で分岐された、少なく
とも一方の光導波路を紫外線照射し、該光導波路の屈折
率を変化させて光学バイアスを制御して、請求項2ない
し4のいずれかに記載の光導波路素子を製造する方法。
5. The optical waveguide according to claim 2, wherein at least one of the optical waveguides branched at the Y-branch coupling portion is irradiated with ultraviolet light, and the optical bias is controlled by changing the refractive index of the optical waveguide. A method for producing an optical waveguide device according to the above item.
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