JPH11337968A - 液晶表示装置 - Google Patents
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- JPH11337968A JPH11337968A JP11363399A JP11363399A JPH11337968A JP H11337968 A JPH11337968 A JP H11337968A JP 11363399 A JP11363399 A JP 11363399A JP 11363399 A JP11363399 A JP 11363399A JP H11337968 A JPH11337968 A JP H11337968A
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- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 44
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims abstract description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 46
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 9
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 8
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 33
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 abstract description 27
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 10
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 abstract description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000006258 conductive agent Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】小型で開口率が大きく信頼性の高いドライバー
回路一体型の液晶表示装置を実現する。 【解決手段】ポリイミドで信号線と画素電極を絶縁して
間隔を小さくする。ドライバー回路はシールより内部に
配置してシールを横切る配線数を減らす。ドライバー回
路上とシールの下になるポリイミドは取り除く。
回路一体型の液晶表示装置を実現する。 【解決手段】ポリイミドで信号線と画素電極を絶縁して
間隔を小さくする。ドライバー回路はシールより内部に
配置してシールを横切る配線数を減らす。ドライバー回
路上とシールの下になるポリイミドは取り除く。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は２枚の基板間に封入
された液晶を用いて表示を行う、ドライバー回路一体形
成のアクティブマトリクス型液晶表示装置の構造に関す
る。
された液晶を用いて表示を行う、ドライバー回路一体形
成のアクティブマトリクス型液晶表示装置の構造に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来のドライバー回路内蔵アクティブマ
トリクス型液晶表示装置（以下、単に液晶表示装置とす
る）の一例を図１を用いて説明する。図１（ａ）は従来
の液晶表示装置の概略の外観図であり、図１（ｂ）は図
１（ａ）のＡ−Ａにおける縦断面図、図１（ｃ）は図１
（ａ）のＢ−Ｂ縦断面図である。素子基板１０１上には
表示領域１０２、走査線及び信号線のドライバー回路１
０３及び１０４、外部接続端子１０５が形成され、対向
基板１０６がシール１０７で素子基板１０１に接合さ
れ、素子基板１０１と対向基板１０６の間に液晶１０８
が封入されている。
トリクス型液晶表示装置（以下、単に液晶表示装置とす
る）の一例を図１を用いて説明する。図１（ａ）は従来
の液晶表示装置の概略の外観図であり、図１（ｂ）は図
１（ａ）のＡ−Ａにおける縦断面図、図１（ｃ）は図１
（ａ）のＢ−Ｂ縦断面図である。素子基板１０１上には
表示領域１０２、走査線及び信号線のドライバー回路１
０３及び１０４、外部接続端子１０５が形成され、対向
基板１０６がシール１０７で素子基板１０１に接合さ
れ、素子基板１０１と対向基板１０６の間に液晶１０８
が封入されている。
【０００３】対向基板１０６上には共通電極１０９が設
けられ、この共通電極１０９は素子基板１０１上のコモ
ン端子１１０に導通剤１１１で接続されている。また、
対向基板１０６上には遮光層１１２が設けられている。
素子基板１０１の表示領域１０２には、画素駆動トラン
ジスタ１１３が設けられ、画素電極１１４が画素駆動ト
ランジスタ１１３に接続されている。画素駆動トランジ
スタ１１３及びドライバー回路１０３（１０４）のゲー
ト電極と走査線を含む第１の配線層１１５は層間絶縁膜
１１６で第２の配線層１１７と隔てられ、必要な箇所で
第２の配線層１１７と接続されている。第２の配線層１
１７は表示領域の信号線を含み、画素電極１１４と同層
に設けられている。第２の配線層１１７の上層は液晶保
護絶縁膜１１８で第２の配線層１１７の信号が液晶に直
接漏れるのを防ぐために設けられる。液晶保護絶縁膜１
１８は画素電極１１４上は通常取り除いておく。素子基
板１０１上と対向基板１０６上には更に配向膜１１９が
ある。
けられ、この共通電極１０９は素子基板１０１上のコモ
ン端子１１０に導通剤１１１で接続されている。また、
対向基板１０６上には遮光層１１２が設けられている。
素子基板１０１の表示領域１０２には、画素駆動トラン
ジスタ１１３が設けられ、画素電極１１４が画素駆動ト
ランジスタ１１３に接続されている。画素駆動トランジ
スタ１１３及びドライバー回路１０３（１０４）のゲー
ト電極と走査線を含む第１の配線層１１５は層間絶縁膜
１１６で第２の配線層１１７と隔てられ、必要な箇所で
第２の配線層１１７と接続されている。第２の配線層１
１７は表示領域の信号線を含み、画素電極１１４と同層
に設けられている。第２の配線層１１７の上層は液晶保
護絶縁膜１１８で第２の配線層１１７の信号が液晶に直
接漏れるのを防ぐために設けられる。液晶保護絶縁膜１
１８は画素電極１１４上は通常取り除いておく。素子基
板１０１上と対向基板１０６上には更に配向膜１１９が
ある。
【０００４】図１の液晶表示装置では画素電極１１４と
信号線（第２の配線層１１７）が同層にあり、短絡を避
けるため有る程度の間隔を確保する必要があり、その間
隔の部分は表示に寄与しない。これは液晶表示装置の高
開口率化や高精細化の妨げとなる。この問題を解決する
ため、信号線上に更に層間絶縁膜を設け、この上層に画
素電極を設ける事で画素電極と信号線を絶縁し、画素電
極と信号線の距離を小さくする、あるいは信号線と画素
電極を重ねるといった方法がとられる場合がある。上記
の信号線上の層間絶縁膜はＳｉＯ２あるいはポリイミド
等の有機薄膜が用いられる。信号線上の層間絶縁膜は、
その形成方法の簡便さ、誘電率の小ささ（信号線と画素
電極の結合容量を小さくするため）、ストレスが小さい
事による厚膜化の容易さ（誘電率と同じ理由による）、
さらには膜表面の平坦性をＳｉＯ２よりも良くしやすい
ので表示品質が良い等の観点からポリイミドを用いるの
が有利である。
信号線（第２の配線層１１７）が同層にあり、短絡を避
けるため有る程度の間隔を確保する必要があり、その間
隔の部分は表示に寄与しない。これは液晶表示装置の高
開口率化や高精細化の妨げとなる。この問題を解決する
ため、信号線上に更に層間絶縁膜を設け、この上層に画
素電極を設ける事で画素電極と信号線を絶縁し、画素電
極と信号線の距離を小さくする、あるいは信号線と画素
電極を重ねるといった方法がとられる場合がある。上記
の信号線上の層間絶縁膜はＳｉＯ２あるいはポリイミド
等の有機薄膜が用いられる。信号線上の層間絶縁膜は、
その形成方法の簡便さ、誘電率の小ささ（信号線と画素
電極の結合容量を小さくするため）、ストレスが小さい
事による厚膜化の容易さ（誘電率と同じ理由による）、
さらには膜表面の平坦性をＳｉＯ２よりも良くしやすい
ので表示品質が良い等の観点からポリイミドを用いるの
が有利である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図１のような従来の液
晶表示装置では、ドライバー回路がシールよりも外側に
あるため装置自体が大きくなってしまい、また、素子基
板と対向基板の接合後の製造途上における取扱い中にド
ライバー回路を傷つけ易く故障を招き易いという問題が
あった。また、ドライバー回路がシールよりも外側にあ
るため、シールを横切る配線（信号線と走査線）が多
く、ドライバー回路から表示領域につながる配線とシー
ルの界面を通じて水分が液晶中に浸入し、液晶を劣化さ
せるという問題があった。
晶表示装置では、ドライバー回路がシールよりも外側に
あるため装置自体が大きくなってしまい、また、素子基
板と対向基板の接合後の製造途上における取扱い中にド
ライバー回路を傷つけ易く故障を招き易いという問題が
あった。また、ドライバー回路がシールよりも外側にあ
るため、シールを横切る配線（信号線と走査線）が多
く、ドライバー回路から表示領域につながる配線とシー
ルの界面を通じて水分が液晶中に浸入し、液晶を劣化さ
せるという問題があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、素子基板上に形成された素子駆動薄膜トランジス
タ、信号線及び走査線を有機膜で覆い、前記有機膜上に
画素電極を設ける事で信号線と画素電極を絶縁し、ドラ
イバー回路を素子基板と対向基板を接合するシールより
画素電極側に形成し、ドライバー回路上には有機膜を設
けず、かつドライバー回路に対向する部分の対向基板上
の共通電極が無いことを特徴とする。
は、素子基板上に形成された素子駆動薄膜トランジス
タ、信号線及び走査線を有機膜で覆い、前記有機膜上に
画素電極を設ける事で信号線と画素電極を絶縁し、ドラ
イバー回路を素子基板と対向基板を接合するシールより
画素電極側に形成し、ドライバー回路上には有機膜を設
けず、かつドライバー回路に対向する部分の対向基板上
の共通電極が無いことを特徴とする。
【０００７】
【実施例】以下に、本発明のドライバー回路内蔵アクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置とその製造工程について
実施例に基づき詳しく説明する。
ィブマトリクス型液晶表示装置とその製造工程について
実施例に基づき詳しく説明する。
【０００８】図２に本実施例の液晶表示装置の構造を示
す。図２（ａ）は本実施例の液晶表示装置の平面図であ
り、図２（ｂ）、図２（ｃ）はそれぞれ図２（ａ）のＡ
−Ａ、Ｂ−Ｂにおける縦断面図である。透明な素子基板
２０１上には表示領域２０２、ドライバー回路２０３、
外部接続端子２０４、コモン端子２０５およびこれらを
接続する配線等が形成されており、シール２０６によっ
て素子基板２０１と対向基板２０７が接合され、両基板
間に液晶２０８が封入されている。ドライバー回路２０
３はシール２０６と表示領域２０２の間に設けてある。
こうすることでドライバー回路２０３が表示領域２０２
より外側にある場合に比べ液晶表示装置を小型にでき
る。表示領域２０２には画素駆動トランジスタ２０９、
画素電極２１０、画素駆動トランジスタ２０９及びドラ
イバー回路２０３のゲート電極と共に第１の配線層２１
１に含まれる走査線、第２の配線層２１２に含まれる信
号線が形成され、第１の配線層２１１と第２の配線層２
１２は第１の層間絶縁膜２１３で、また、第２の配線層
２１２と画素電極２１０は第２の層間絶縁膜２１４で絶
縁されている。第２の層間絶縁膜２１４は、ドライバー
回路２０３上とシール２０６の下の部分を取り除いてお
く。これは、主にポリイミドが用いられる第２の層間絶
縁膜２１４がドライバー回路２０３の配線の電界によっ
て恒常的な分極を起こし、長期的には大きな面積に及ん
で液晶の配向を乱すことによる表示品質の劣化を防ぐこ
とが目的であると共に、ポリイミドを通じて水分や不純
物が液晶中に浸入するのをふせぐ。素子基板２０１上に
は、さらに液晶を配向するための配向膜２１５が形成さ
れている。コモン端子２０５と対向基板２０７上の共通
電極２１６は導通剤２１７で電気的に接続され共通電極
２１６の電位が制御される。対向基板２０７上には共通
電極２１６の他に配向膜２１５と必要に応じて遮光膜２
１８及びカラーフィルターが予め形成されている。（本
実施例ではカラーフィルターは省略してある。）対向基
板２０７上の共通電極２１６は、シール２０６と重なる
部分とドライバー回路２０３に対向する部分を取り除い
ておく。こうすることで素子基板２０１上のコモン端子
２０５以外の配線と共通電極２１６が、シール２０６中
やドライバー回路２０３上のごみ等により短絡すること
を防ぐ。
す。図２（ａ）は本実施例の液晶表示装置の平面図であ
り、図２（ｂ）、図２（ｃ）はそれぞれ図２（ａ）のＡ
−Ａ、Ｂ−Ｂにおける縦断面図である。透明な素子基板
２０１上には表示領域２０２、ドライバー回路２０３、
外部接続端子２０４、コモン端子２０５およびこれらを
接続する配線等が形成されており、シール２０６によっ
て素子基板２０１と対向基板２０７が接合され、両基板
間に液晶２０８が封入されている。ドライバー回路２０
３はシール２０６と表示領域２０２の間に設けてある。
こうすることでドライバー回路２０３が表示領域２０２
より外側にある場合に比べ液晶表示装置を小型にでき
る。表示領域２０２には画素駆動トランジスタ２０９、
画素電極２１０、画素駆動トランジスタ２０９及びドラ
イバー回路２０３のゲート電極と共に第１の配線層２１
１に含まれる走査線、第２の配線層２１２に含まれる信
号線が形成され、第１の配線層２１１と第２の配線層２
１２は第１の層間絶縁膜２１３で、また、第２の配線層
２１２と画素電極２１０は第２の層間絶縁膜２１４で絶
縁されている。第２の層間絶縁膜２１４は、ドライバー
回路２０３上とシール２０６の下の部分を取り除いてお
く。これは、主にポリイミドが用いられる第２の層間絶
縁膜２１４がドライバー回路２０３の配線の電界によっ
て恒常的な分極を起こし、長期的には大きな面積に及ん
で液晶の配向を乱すことによる表示品質の劣化を防ぐこ
とが目的であると共に、ポリイミドを通じて水分や不純
物が液晶中に浸入するのをふせぐ。素子基板２０１上に
は、さらに液晶を配向するための配向膜２１５が形成さ
れている。コモン端子２０５と対向基板２０７上の共通
電極２１６は導通剤２１７で電気的に接続され共通電極
２１６の電位が制御される。対向基板２０７上には共通
電極２１６の他に配向膜２１５と必要に応じて遮光膜２
１８及びカラーフィルターが予め形成されている。（本
実施例ではカラーフィルターは省略してある。）対向基
板２０７上の共通電極２１６は、シール２０６と重なる
部分とドライバー回路２０３に対向する部分を取り除い
ておく。こうすることで素子基板２０１上のコモン端子
２０５以外の配線と共通電極２１６が、シール２０６中
やドライバー回路２０３上のごみ等により短絡すること
を防ぐ。
【０００９】次に、本実施例の液晶表示装置の製造工程
を図３を用いて説明する。図３は本実施例の液晶表示装
置の構造を説明した図２（ｂ）に相当する部分の縦断面
で製造工程を説明する図である。
を図３を用いて説明する。図３は本実施例の液晶表示装
置の構造を説明した図２（ｂ）に相当する部分の縦断面
で製造工程を説明する図である。
【００１０】まず、素子基板３０１上に画素駆動トラン
ジスタ３０２、ドライバー回路３０３を形成する。走査
線及び画素駆動トランジスタ３０２とドライバー回路３
０３のゲート電極を含む第１の配線層３０４、第１の層
間絶縁膜３０５、信号線を含む第２の配線層３０６をこ
の時形成する（図３（ａ））。本実施例では画素トラン
ジスタ３０２とドライバー回路３０３は多結晶シリコン
薄膜トランジスタで構成される。第１の配線層３０４に
は多結晶シリコンを用いるが、金属シリサイドあるいは
金属を用いても良く、第１の層間絶縁膜３０５はシリコ
ン酸化膜（ＳｉＯ2）かシリコン窒化膜（Ｓｉ3Ｎ4）、
あるいはそれらの多層膜である。第２の配線層３０６に
は通常アルミニウム（Ａｌ）合金（銅とシリコンを含
む）を用いる。
ジスタ３０２、ドライバー回路３０３を形成する。走査
線及び画素駆動トランジスタ３０２とドライバー回路３
０３のゲート電極を含む第１の配線層３０４、第１の層
間絶縁膜３０５、信号線を含む第２の配線層３０６をこ
の時形成する（図３（ａ））。本実施例では画素トラン
ジスタ３０２とドライバー回路３０３は多結晶シリコン
薄膜トランジスタで構成される。第１の配線層３０４に
は多結晶シリコンを用いるが、金属シリサイドあるいは
金属を用いても良く、第１の層間絶縁膜３０５はシリコ
ン酸化膜（ＳｉＯ2）かシリコン窒化膜（Ｓｉ3Ｎ4）、
あるいはそれらの多層膜である。第２の配線層３０６に
は通常アルミニウム（Ａｌ）合金（銅とシリコンを含
む）を用いる。
【００１１】次に、素子基板３０１上に第２の層間絶縁
膜３０７を形成し、その上に画素電極３０８を形成し、
画素駆動トランジスタ３０２に第２の層間絶縁膜３０７
に開けたコンタクト孔を通じて接続する。さらに配向膜
３０９を形成する（図３（ｂ））。図３（ｂ）の工程を
より詳しく説明すると、本実施例では第２の層間絶縁膜
３０７（ここではポリイミドである）をスピンコートで
塗布成膜した後、画素電極３０８と画素トランジスタ３
０２とを接続するコンタクト孔をフォトリソグラフ法で
形成するが、この時第２の配線層３０６が露出しない様
にする。即ちドライバー回路３０３の上やシールの下に
なる部分にはこの時点ではまだ第２の層間絶縁膜３０７
が残っている。次に画素電極３０８を形成し、その後ド
ライバー回路３０３の上とシールの下になる部分の第２
の層間絶縁膜３０７を取り除く。
膜３０７を形成し、その上に画素電極３０８を形成し、
画素駆動トランジスタ３０２に第２の層間絶縁膜３０７
に開けたコンタクト孔を通じて接続する。さらに配向膜
３０９を形成する（図３（ｂ））。図３（ｂ）の工程を
より詳しく説明すると、本実施例では第２の層間絶縁膜
３０７（ここではポリイミドである）をスピンコートで
塗布成膜した後、画素電極３０８と画素トランジスタ３
０２とを接続するコンタクト孔をフォトリソグラフ法で
形成するが、この時第２の配線層３０６が露出しない様
にする。即ちドライバー回路３０３の上やシールの下に
なる部分にはこの時点ではまだ第２の層間絶縁膜３０７
が残っている。次に画素電極３０８を形成し、その後ド
ライバー回路３０３の上とシールの下になる部分の第２
の層間絶縁膜３０７を取り除く。
【００１２】これは画素電極３０８に酸化インジウムス
ズ（ＩＴＯ）を用い、そのエッチング成形に王水系のエ
ッチング剤（硝酸と塩酸を含む水溶液）を用いる場合、
第２の配線層３０６即ちＡｌが露出しているとＩＴＯの
エッチング剤にＡｌが侵されるためである。ＩＴＯ（即
ち画素電極３０８）を例えば水素やメタンを含むプラズ
マ中でエッチング成形する場合には第２の配線層３０６
は露出していてもかまわないので、第２の層間絶縁膜３
０７成形工程を１回にすることもできる。第２の層間絶
縁膜３０７はここではポリイミド薄膜であるが、他の樹
脂薄膜でも比較的耐熱性が高く、透明であれば用いる事
が出来る。また、第２の層間絶縁膜３０７はポリイミド
とＳｉＯ2あるいはＳｉ3Ｎ4との多層膜でも良い。この
場合にはドライバー回路３０３上及びシール下となる第
２の層間絶縁膜３０７のうち必ず取り除く必要のあるの
はポリイミドで他は残しても取り去っても良い。また配
向膜３０９もポリイミド薄膜であり、形成は印刷技術
（フレキソ印刷等）を用いて行い、液晶を配向するため
に必要な部分にのみ形成する。配向膜３０９の形成はス
ピンコート法で行うこともある。
ズ（ＩＴＯ）を用い、そのエッチング成形に王水系のエ
ッチング剤（硝酸と塩酸を含む水溶液）を用いる場合、
第２の配線層３０６即ちＡｌが露出しているとＩＴＯの
エッチング剤にＡｌが侵されるためである。ＩＴＯ（即
ち画素電極３０８）を例えば水素やメタンを含むプラズ
マ中でエッチング成形する場合には第２の配線層３０６
は露出していてもかまわないので、第２の層間絶縁膜３
０７成形工程を１回にすることもできる。第２の層間絶
縁膜３０７はここではポリイミド薄膜であるが、他の樹
脂薄膜でも比較的耐熱性が高く、透明であれば用いる事
が出来る。また、第２の層間絶縁膜３０７はポリイミド
とＳｉＯ2あるいはＳｉ3Ｎ4との多層膜でも良い。この
場合にはドライバー回路３０３上及びシール下となる第
２の層間絶縁膜３０７のうち必ず取り除く必要のあるの
はポリイミドで他は残しても取り去っても良い。また配
向膜３０９もポリイミド薄膜であり、形成は印刷技術
（フレキソ印刷等）を用いて行い、液晶を配向するため
に必要な部分にのみ形成する。配向膜３０９の形成はス
ピンコート法で行うこともある。
【００１３】配向膜３０９を形成した素子基板３０１は
シール３１０で対向基板３１１と接合し、液晶３１２を
封入する（図３（ｃ））。さらに外部回路を外部接続端
子に接続して液晶表示装置を完成する。
シール３１０で対向基板３１１と接合し、液晶３１２を
封入する（図３（ｃ））。さらに外部回路を外部接続端
子に接続して液晶表示装置を完成する。
【００１４】
【発明の効果】本発明の液晶表示装置では、信号線と画
素電極がポリイミドを層間絶縁膜として別層に形成され
ることで開口率を大きくすることが可能な上に、ポリイ
ミドはスピンコート法で形成されるので、素子基板表面
が平坦なため液晶の配向の乱れが無く高品質な表示が得
られる。さらに素子基板上のドライバー回路がシールよ
り表示領域側にあるためドライバー回路から画素領域に
延びる延べ数百本に及ぶ信号線や走査線がシールを横切
ることがなく、シールを横切る配線を外部接続端子から
ドライバー回路につながる電源線、クロック線、ビデオ
信号線など高々数十本と従来比べ格段に少なくできるの
で、シールを横切る配線とシール界面から浸入する水分
を格段に少なくでき、信頼性が高い。また、ドライバー
回路がシールの内側にあるのでドライバー回路がシール
の外にある場合に比べて装置を小型にできる効果があ
り、また素子基板と対向基板を接合した後の取扱い（例
えばダイシング工程）でドライバー回路を傷つけるよう
なこともない。
素電極がポリイミドを層間絶縁膜として別層に形成され
ることで開口率を大きくすることが可能な上に、ポリイ
ミドはスピンコート法で形成されるので、素子基板表面
が平坦なため液晶の配向の乱れが無く高品質な表示が得
られる。さらに素子基板上のドライバー回路がシールよ
り表示領域側にあるためドライバー回路から画素領域に
延びる延べ数百本に及ぶ信号線や走査線がシールを横切
ることがなく、シールを横切る配線を外部接続端子から
ドライバー回路につながる電源線、クロック線、ビデオ
信号線など高々数十本と従来比べ格段に少なくできるの
で、シールを横切る配線とシール界面から浸入する水分
を格段に少なくでき、信頼性が高い。また、ドライバー
回路がシールの内側にあるのでドライバー回路がシール
の外にある場合に比べて装置を小型にできる効果があ
り、また素子基板と対向基板を接合した後の取扱い（例
えばダイシング工程）でドライバー回路を傷つけるよう
なこともない。
【図１】従来のドライバー回路内蔵のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置の構造図。
クス型液晶表示装置の構造図。
【図２】本発明のドライバー回路内蔵のアクティブマト
リクス型液晶表示装置の構造図。
リクス型液晶表示装置の構造図。
【図３】本発明のドライバー回路内蔵のアクティブマト
リクス型液晶表示装置の製造方法を説明する工程図。
リクス型液晶表示装置の製造方法を説明する工程図。
【符号の説明】 １０１、２０１、３０１ …素子基板 １０２、２０２ …表示領域 １０３、１０４、２０３、３０３…ドライバー回路 １０５、２０４ …外部接続端子 １０６、２０７、３１１ …対向基板 １０７、２０６、３１０ …シール １０８、２０８、３１２ …液晶 １０９、２１６ …共通電極 １１０、２０５ …コモン端子 １１１、２１７ …導通剤 １１２、２１８ …遮光層 １１３、２０９、３０２ …画素駆動トランジス
タ １１４、２１０、３０８ …画素電極 １１５、２１１、３０４ …第１の配線層 １１６ …層間絶縁膜 １１７、２１２、３０６ …第２の配線層 １１８ …液晶保護絶縁膜 １１９、２１５、３０９ …配向膜 ２１３、３０５ …第１の層間絶縁膜 ２１４、３０７ …第２の層間絶縁膜
タ １１４、２１０、３０８ …画素電極 １１５、２１１、３０４ …第１の配線層 １１６ …層間絶縁膜 １１７、２１２、３０６ …第２の配線層 １１８ …液晶保護絶縁膜 １１９、２１５、３０９ …配向膜 ２１３、３０５ …第１の層間絶縁膜 ２１４、３０７ …第２の層間絶縁膜
Claims (2)
- 【請求項１】少なくともマトリクス状に配置された画素
電極、前記画素電極のそれぞれに接続された画素駆動薄
膜トランジスタ、前記画素駆動薄膜トランジスタに接続
された一組の信号配線と一組の走査配線、さらに前記信
号配線及び走査配線をそれぞれ駆動するドライバー回路
を有する素子基板と、共通電極を有し前記素子基板に対
向する対向基板と、前記素子基板と前記対向基板の間に
封止した液晶からなるアクティブマトリクス型液晶表示
装置において、前記素子基板上の画素駆動用薄膜トラン
ジスタ上、前記信号配線上及び前記走査配線上に有機膜
があり、前記有機膜上に前記画素電極があり、前記ドラ
イバー回路が前記素子基板と前記対向電極とを接合する
と同時に液晶を封止するシール部より画素電極側にあ
り、前記ドライバー回路上及び前記シール部には前記有
機膜が無く、前記ドライバー回路に対向する部分には前
記対向基板上の前記共通電極が無いことを特徴とする液
晶表示装置。 - 【請求項２】前記有機膜がポリイミド膜である事を特徴
とする請求項１の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11363399A JPH11337968A (ja) | 1999-04-21 | 1999-04-21 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11363399A JPH11337968A (ja) | 1999-04-21 | 1999-04-21 | 液晶表示装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07986593A Division JP3413239B2 (ja) | 1993-04-06 | 1993-04-06 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11337968A true JPH11337968A (ja) | 1999-12-10 |
Family
ID=14617191
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11363399A Pending JPH11337968A (ja) | 1999-04-21 | 1999-04-21 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11337968A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013012483A (ja) * | 2000-04-19 | 2013-01-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及び電子機器 |
-
1999
- 1999-04-21 JP JP11363399A patent/JPH11337968A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013012483A (ja) * | 2000-04-19 | 2013-01-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及び電子機器 |
| US9443461B2 (en) | 2000-04-19 | 2016-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device and method of driving the same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010612 |