JPH11338567A - Reference voltage generation circuit - Google Patents
Reference voltage generation circuitInfo
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- JPH11338567A JPH11338567A JP10145358A JP14535898A JPH11338567A JP H11338567 A JPH11338567 A JP H11338567A JP 10145358 A JP10145358 A JP 10145358A JP 14535898 A JP14535898 A JP 14535898A JP H11338567 A JPH11338567 A JP H11338567A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 起動期間に、制御信号なしに低電流で希望電
圧に安定化する基準電圧発生回路を得ることを目的とす
る。
【解決手段】 カレントミラートランジスタを有し、非
反転入力端子に加えられる電圧と反転入力端子に加えら
れる電圧との差に応じた電圧を出力する差動回路と、電
圧源から基準電圧を出力するための基準電圧出力端子
と、基準電圧出力端子に接続され、複数の抵抗素子を有
し、基準電圧出力を決定するための回路と、前記差動回
路の出力電圧により前記抵抗素子への電流を制御するた
めの第1のNチャネルトランジスタと、基準電圧を発生
させる起動期間に前記抵抗素子へ電流を供給するための
第2のNチャネルトランジスタとを有し、前記第2のN
チャネルトランジスタのゲート電圧の供給をカレントミ
ラートランジスタのゲートに接続されていることを特徴
とする。
(57) [Problem] To provide a reference voltage generating circuit that stabilizes to a desired voltage at a low current without a control signal during a start-up period. A differential circuit having a current mirror transistor and outputting a voltage corresponding to a difference between a voltage applied to a non-inverting input terminal and a voltage applied to an inverting input terminal, and outputting a reference voltage from a voltage source A reference voltage output terminal for connecting, a reference voltage output terminal, a plurality of resistance elements, a circuit for determining the reference voltage output, and a current to the resistance element by the output voltage of the differential circuit A first N-channel transistor for controlling, and a second N-channel transistor for supplying a current to the resistance element during a start-up period for generating a reference voltage;
The supply of the gate voltage of the channel transistor is connected to the gate of the current mirror transistor.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、携帯端末に使用
する液晶パネルを駆動する液晶ドライバ回路等に内蔵さ
れ、液晶用電源の発生に用いる基準電圧発生回路に関す
るものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a reference voltage generating circuit incorporated in a liquid crystal driver circuit for driving a liquid crystal panel used in a portable terminal and used for generating a power supply for a liquid crystal.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来の基準電圧発生回路は、図3に示す
ように、差動回路1、PN接合2、PN接合2と同一特
性を持つPN接合を複数組並列に接続してできたPN接
合群3、抵抗素子Rba4、Rbb9、Rbc10、差
動回路1の出力電圧により抵抗素子への電流を制御する
ための第1のNチャネルトランジスタ5と第1のPチャ
ネルトランジスタ7と第2のPチャネルトランジスタ
8、および動作開始時に使用する第3のPチャネルトラ
ンジスタ6から構成されている。2. Description of the Related Art As shown in FIG. 3, a conventional reference voltage generating circuit is formed by connecting a plurality of differential circuits 1, PN junctions 2, and PN junctions having the same characteristics as PN junctions 2 in parallel. A first N-channel transistor 5, a first P-channel transistor 7, and a second P-channel transistor 5 for controlling current to the resistance element by the junction group 3, the resistance elements Rba4, Rbb9, Rbc10, and the output voltage of the differential circuit 1. It comprises a channel transistor 8 and a third P-channel transistor 6 used at the start of operation.
【0003】差動回路1の出力は第1のNチャネルトラ
ンジスタ5のゲートと第3のPチャネルトランジスタ6
のドレインに接続され、第1のNチャネルトランジスタ
5のドレインは第1のPチャネルトランジスタ7のドレ
インとゲートと第2のPチャネルトランジスタ8のゲー
トに接続され、第2のPチャネルトランジスタ8のドレ
インは2つの抵抗素子Rbb9とRbc10のそれぞれ
の1端子に接続され、抵抗素子の第2のPチャネルトラ
ンジスタ8のドレインに接続していない別の1端子がそ
れぞれ、PN接合2と抵抗素子Rba4に接続されてお
り、PN接合2はもう一端をVSS電源に接続し、抵抗
素子Rba4はPN接合群3と接続され、PN接合群3
のもう一端をVSS電源に接続されている。The output of the differential circuit 1 is connected to the gate of a first N-channel transistor 5 and a third P-channel transistor 6
The drain of the first N-channel transistor 5 is connected to the drain and gate of the first P-channel transistor 7 and the gate of the second P-channel transistor 8, and the drain of the second P-channel transistor 8 Is connected to one terminal of each of two resistance elements Rbb9 and Rbc10, and another one terminal not connected to the drain of the second P-channel transistor 8 of the resistance element is connected to the PN junction 2 and the resistance element Rba4, respectively. The other end of the PN junction 2 is connected to the VSS power supply, the resistance element Rba4 is connected to the PN junction group 3, and the PN junction group 3
Is connected to a VSS power supply.
【0004】つぎに、この基準電圧発生回路の動作を説
明する。この基準電圧発生回路では、差動回路1に負帰
還のフィードバックを行うことにより反転入力端子と非
反転入力端子の電圧を一致させる。Next, the operation of the reference voltage generation circuit will be described. In this reference voltage generation circuit, the voltage of the inverting input terminal is made equal to the voltage of the non-inverting input terminal by performing negative feedback to the differential circuit 1.
【0005】また、PN接合の順方向電圧は電流が少な
いほど小さいため、PN接合2とPN接合群3を比べる
とPN接合群3の方が電圧が低い。このPN接合群3の
順方向電圧に抵抗素子Rba4の電圧降下を加えたもの
と、PN接合2を比較し、電圧を一致させる。Since the forward voltage of the PN junction is smaller as the current is smaller, the voltage of the PN junction group 3 is lower than that of the PN junction group 3 when compared with the PN junction group 3. The voltage obtained by adding the voltage drop of the resistance element Rba4 to the forward voltage of the PN junction group 3 is compared with the PN junction 2, and the voltages are matched.
【0006】電流の変化によるPN接合の順方向電圧V
pnは(数式1)の通りlnで変化し、 Vpn=kT/q×ln(Ipn/Is)・・・(数式1) 抵抗素子の電圧Vrbaは(数式2)の通り Vrba=Irba×Rrba ・・・(数式2) リニアに変化するため、抵抗素子Rba4の電圧降下の
変化の方が大きいため、抵抗素子Rba4を流れる電流
を調節することにより制御できる。The forward voltage V of the PN junction due to a change in current
pn changes by ln as in (Equation 1), Vpn = kT / q × ln (Ipn / Is) (Equation 1) The voltage Vrba of the resistance element is as follows (Equation 2): Vrba = Irba × Rrba · (Equation 2) Since the change is linear, the change in the voltage drop of the resistance element Rba4 is larger, so that control can be performed by adjusting the current flowing through the resistance element Rba4.
【0007】ここで、kはボルツマン定数、Tは絶対温
度、qは電子の電荷量、IpnはPN接合に流れる電
流、IsはPN接合の飽和電流、Irbaは抵抗素子R
ba4を流れる電流で、Rrbaは抵抗素子Rba4の
抵抗値である。数式でこれを説明すると、PN接合2の
順方向電圧をVpn2、PN接合群3の順方向電圧をV
pn3、抵抗素子Rba4の電圧降下をVrbaとする
と Vpn2=Vpn3+Vrba ・・・(数式3) になる。PN接合2に流れる電流をI2、PN接合群3
に流れる電流をI3とし、PN接合群3のPN接合の個
数をNとすると、(数式1)、(数式2)、(数式3)
から kT/q×ln(I2/Is)=kT/q×ln(I3/N/Is)+I3× Rrba kT/q×ln(I2×N/I3)=I3×Rrba ・・・(数式4) になる。Here, k is the Boltzmann constant, T is the absolute temperature, q is the charge of electrons, Ipn is the current flowing through the PN junction, Is is the saturation current of the PN junction, and Irba is the resistance element R.
In the current flowing through ba4, Rrba is the resistance value of the resistance element Rba4. To explain this with a mathematical expression, the forward voltage of the PN junction 2 is Vpn2, and the forward voltage of the PN junction group 3 is Vpn.
Assuming that the voltage drop of pn3 and the resistance element Rba4 is Vrba, Vpn2 = Vpn3 + Vrba (Equation 3). The current flowing through the PN junction 2 is I2, and the PN junction group 3
Is I3, and the number of PN junctions in the PN junction group 3 is N, (Equation 1), (Equation 2), and (Equation 3).
From kT / q × ln (I2 / Is) = kT / q × ln (I3 / N / Is) + I3 × Rrba kT / q × ln (I2 × N / I3) = I3 × Rrba (Equation 4) become.
【0008】今、仮にRbb9とRbc10の抵抗値が
等しいと仮定すると、差動回路1の反転入力端子と非反
転入力端子の電圧が一致した場合、Rbb9とRbc1
0の両端にかかる電圧は等しくなり、I2=I3=Ir
になる。これより、(数式4)より kT/q×ln(N)=I3×Rrba I3=kT/q×ln(N)/Rrba ・・・(数式5) になり抵抗素子Rba4に流れる電流を調節することに
より制御できることがわかる。Now, assuming that the resistance values of Rbb9 and Rbc10 are equal, if the voltages of the inverting input terminal and the non-inverting input terminal of the differential circuit 1 match, Rbb9 and Rbc1
0 are equal, I2 = I3 = Ir
become. Thus, from (Equation 4), kT / q × ln (N) = I3 × Rrba I3 = kT / q × In (N) / Rrba (Equation 5), and the current flowing through the resistance element Rba4 is adjusted. It can be seen that control can be performed by this.
【0009】しかしながら、差動回路1の反転入力端子
と非反転入力端子の電圧を一致させる安定条件は(数式
5)から求められる電流の時とPN接合と抵抗素子でで
きた回路に電流が流れていない時の2点あるため電源投
入時に回路電流が流れないと電流が流れない状態で安定
することがある。基準電圧発生回路としては、この状態
を避ける必要があるため、次の対策を取っている。However, the stability conditions for matching the voltages of the inverting input terminal and the non-inverting input terminal of the differential circuit 1 are as follows: the current is obtained from (Equation 5) and the current flows through the circuit formed by the PN junction and the resistance element. Since there are two points when no power is supplied, the circuit may stabilize in a state where no current flows unless a circuit current flows when the power is turned on. Since the reference voltage generation circuit needs to avoid this state, the following measures are taken.
【0010】図4は基準電圧発生回路の動作シーケンス
を示すタイミングチャートである。t=0から始まる起
動期間にSTART信号により第3のPチャネルトラン
ジスタ6がONし、第1のNチャネルトランジスタ5の
ゲート電圧を上げドレイン電流を流す。第1のNチャネ
ルトランジスタ5の電流が流れることにより、第1のP
チャネルトランジスタ7と第2のPチャネルトランジス
タ8の電流が流れPN接合と抵抗素子でできた回路に電
流が流れる。起動期間後に通常動作に戻った時、電流が
流れた状態から安定化するため、(数式5)の条件で安
定する。FIG. 4 is a timing chart showing an operation sequence of the reference voltage generation circuit. In a start period starting from t = 0, the third P-channel transistor 6 is turned on by a START signal, and the gate voltage of the first N-channel transistor 5 is increased to flow a drain current. When the current of the first N-channel transistor 5 flows, the first P channel
A current flows through the channel transistor 7 and the second P-channel transistor 8, and a current flows through a circuit formed by the PN junction and the resistance element. When the operation returns to the normal operation after the start-up period, the current is stabilized from the current flowing state, so that the condition is satisfied under the condition of (Equation 5).
【0011】[0011]
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の基
準電圧発生回路は、起動期間に、専用の制御信号により
第3のPチャネルトランジスタ6をONすることによ
り、強制的に第1のNチャネルトランジスタ5のドレイ
ン電流を流し、第1のPチャネルトランジスタ7と第2
のPチャネルトランジスタ8に大電流を流すという問題
があった。In the conventional reference voltage generating circuit as described above, the third N-channel transistor 6 is forcibly turned on by a dedicated control signal during the start-up period, thereby forcibly setting the first N-channel transistor. The drain current of the channel transistor 5 flows, and the first P-channel transistor 7 and the second
However, there is a problem that a large current flows through the P-channel transistor 8.
【0012】したがって、本発明は起動期間において、
制御信号なしに、低電流で希望電圧に安定化する基準電
圧発生回路を得ることを目的とする。[0012] Therefore, the present invention, during the start-up period,
An object of the present invention is to provide a reference voltage generating circuit that stabilizes at a desired voltage with a low current without a control signal.
【0013】[0013]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、カレントミラートランジスタを有し、非
反転入力端子に加えられる電圧と反転入力端子に加えら
れる電圧との差に応じた電圧を出力する差動回路と、電
圧源から基準電圧を出力するための基準電圧出力端子
と、基準電圧出力端子に接続され、複数の抵抗素子を有
し、基準電圧出力を決定するための回路と、前記差動回
路の出力電圧により前記抵抗素子への電流を制御するた
めの第1のNチャネルトランジスタと、基準電圧を発生
させる起動期間に前記抵抗素子へ電流を供給するための
第2のNチャネルトランジスタとを有し、前記第2のN
チャネルトランジスタのゲート電圧の供給をカレントミ
ラートランジスタのゲートに接続されていることを特徴
とする。In order to achieve the above object, the present invention has a current mirror transistor, and is adapted to respond to a difference between a voltage applied to a non-inverting input terminal and a voltage applied to an inverting input terminal. A differential circuit that outputs a voltage, a reference voltage output terminal for outputting a reference voltage from a voltage source, and a circuit that is connected to the reference voltage output terminal and that has a plurality of resistance elements and determines a reference voltage output A first N-channel transistor for controlling a current to the resistance element by an output voltage of the differential circuit; and a second N-channel transistor for supplying a current to the resistance element during a startup period for generating a reference voltage. An N-channel transistor, wherein the second N
The supply of the gate voltage of the channel transistor is connected to the gate of the current mirror transistor.
【0014】上記構成によれば、第1のNチャネルトラ
ンジスタのドレインと並列に第2のNチャネルトランジ
スタのドレインが接続され、第2のNチャネルトランジ
スタのゲートに差動回路1のカレントミラートランジス
タのゲート電圧を入力することにより安定した出力電流
が得られPN接合と抵抗素子でできた回路に電流が常時
流れることにより電流が流れない状態での安定を避け、
制御信号なしに、低電流で希望電圧に安定化する基準電
圧発生回路を得ることができる。According to the above structure, the drain of the second N-channel transistor is connected in parallel with the drain of the first N-channel transistor, and the gate of the current mirror transistor of the differential circuit 1 is connected to the gate of the second N-channel transistor. A stable output current can be obtained by inputting the gate voltage, and the current always flows through the circuit consisting of the PN junction and the resistance element.
It is possible to obtain a reference voltage generation circuit that stabilizes at a desired voltage with a low current without a control signal.
【0015】[0015]
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面を参照しながら説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【0016】[第1の実施の形態;請求項1に対応]図
1にこの発明の第1の実施の形態の基準電圧発生回路の
回路図を示す。基準電圧発生回路は図1に示すように、
差動回路1とPN接合2とPN接合2と同一特性を持つ
PN接合を複数組並列に接続してできたPN接合群3と
抵抗素子Rba4、Rbb9、Rbc10と差動回路1
の出力電圧により抵抗素子への電流を制御するための第
1のNチャネルトランジスタ5と第1のPチャネルトラ
ンジスタ7と第2のPチャネルトランジスタ8と、PN
接合と抵抗素子でできた回路の回路電流を流し続けるた
めの第2のNチャネルトランジスタ11とから構成され
ている。FIG. 1 shows a circuit diagram of a reference voltage generating circuit according to a first embodiment of the present invention. The reference voltage generation circuit is as shown in FIG.
A differential circuit 1, a PN junction 2, a PN junction group 3 formed by connecting a plurality of sets of PN junctions having the same characteristics as the PN junction 2 in parallel, resistance elements Rba4, Rbb9, Rbc10, and a differential circuit 1.
A first N-channel transistor 5, a first P-channel transistor 7, a second P-channel transistor 8, and a PN
It comprises a junction and a second N-channel transistor 11 for keeping the circuit current of the circuit made of the resistance element flowing.
【0017】差動回路1の出力は第1のNチャネルトラ
ンジスタ5のゲートに接続され、第2のNチャネルトラ
ンジスタ11のゲートは差動回路1のカレントミラート
ランジスタのゲート電圧に接続され、第1のNチャネル
トランジスタ5のドレインは第2のNチャネルトランジ
スタ11のドレインと第1のPチャネルトランジスタ7
のドレインとゲートと第2のPチャネルトランジスタ8
のゲートに接続され、第2のPチャネルトランジスタ8
のドレインは2つの抵抗素子Rbb9とRbc10のそ
れぞれの1端子に接続され、抵抗素子の第2のPチャネ
ルトランジスタ8のドレインに接続していない別の1端
子がそれぞれ、PN接合2と抵抗素子Rba4に接続さ
れており、PN接合2はもう一端をVSS電源に接続
し、抵抗素子Rba4はPN接合群3と接続され、PN
接合群3のもう一端をVSS電源に接続されている。The output of the differential circuit 1 is connected to the gate of the first N-channel transistor 5, the gate of the second N-channel transistor 11 is connected to the gate voltage of the current mirror transistor of the differential circuit 1, The drain of the N-channel transistor 5 is connected to the drain of the second N-channel transistor 11 and the first P-channel transistor 7.
Drain, gate and second P-channel transistor 8
Of the second P-channel transistor 8
Is connected to one terminal of each of the two resistance elements Rbb9 and Rbc10, and another one terminal not connected to the drain of the second P-channel transistor 8 of the resistance element is connected to the PN junction 2 and the resistance element Rba4, respectively. The other end of the PN junction 2 is connected to the VSS power supply, and the resistance element Rba4 is connected to the PN junction group 3,
The other end of the junction group 3 is connected to a VSS power supply.
【0018】つぎに、この基準電圧発生回路の動作を説
明する。基本動作は従来例と同一のため説明を省く。第
2のNチャネルトランジスタ11は差動回路1のカレン
トミラートランジスタのゲート電圧を入力して安定した
ドレイン電流を流す。飽和動作時のトランジスタのドレ
イン電流は Id=β/2×(Vgs−Vt)(Vgs−Vt)・・・(数式6) β/2=1/2×μnCox×W/L ・・・(数式7) で表されることから、第1のPチャネルトランジスタの
ドレイン電流をIdp1、第2のPチャネルトランジス
タのドレイン電流をIdp2とすると、 Idp1=βp1/2×(Vgs−Vt)(Vgs−Vt)・・・(数式8) Idp2=βp2/2×(Vgs−Vt)(Vgs−Vt)・・・(数式9) で第2のNチャネルトランジスタの電流In2に対し、
PN接合と抵抗素子でできた回路の回路電流Ipnは In2=Idp1 ・・・(数式10) Ipn=Idp2 ・・・(数式11) (数式8)と(数式9)より Idp2=βp2/βp1×Idp1 ・・・(数式12) から、 Ipn=βp2/βp1×In2 ・・・(数式13) になる。これにより、第2のNチャネルトランジスタ1
1に常時電流を流すことにより、βp2/βp1倍され
た電流が最低電流としてPN接合と抵抗素子でできた回
路に流れるため、(数式5)の条件の安定状態になる。Next, the operation of the reference voltage generating circuit will be described. Since the basic operation is the same as that of the conventional example, the description is omitted. The second N-channel transistor 11 receives the gate voltage of the current mirror transistor of the differential circuit 1 and allows a stable drain current to flow. The drain current of the transistor during the saturation operation is Id = β / 2 × (Vgs−Vt) (Vgs−Vt) (6) β / 2 = 1/2 × μnCox × W / L (5) 7) Assuming that the drain current of the first P-channel transistor is Idp1 and the drain current of the second P-channel transistor is Idp2, Idp1 = βp1 / 2 × (Vgs−Vt) (Vgs−Vt) (Equation 8) Idp2 = βp2 / 2 × (Vgs−Vt) (Vgs−Vt) (Equation 9) where, for the current In2 of the second N-channel transistor,
The circuit current Ipn of the circuit formed by the PN junction and the resistance element is In2 = Idp1 (Equation 10) Ipn = Idp2 (Equation 11) From Equations 8 and 9, Idp2 = βp2 / βp1 × From Idp1 (Equation 12), Ipn = βp2 / βp1 × In2 (Equation 13). Thereby, the second N-channel transistor 1
When a current always flows through the circuit No. 1, a current multiplied by βp2 / βp1 flows as a minimum current through a circuit formed by a PN junction and a resistance element.
【0019】[第2の実施の形態;請求項2に対応]図
2にこの発明の第2の実施の形態の基準電圧発生回路の
回路図を示す。基準電圧発生回路は図2に示すように、
差動回路1とゲートとドレインを接続した基準電圧用N
チャネルトランジスタ12と基準電圧用Nチャネルトラ
ンジスタ12と同一特性を持つ基準電圧用Nチャネルト
ランジスタを複数組並列に接続してできた基準電圧用N
チャネルトランジスタ群13と抵抗素子Rba4、Rb
b9、Rbc10と差動回路1の出力電圧により前記抵
抗素子への電流を制御するための第1のNチャネルトラ
ンジスタ5と第1のPチャネルトランジスタ7と第2の
Pチャネルトランジスタ8と、基準電圧用Nチャネルト
ランジスタと抵抗素子でできた回路の回路電流を流し続
けるための第2のNチャネルトランジスタ11とから構
成されている。[Second Embodiment: Corresponding to Claim 2] FIG. 2 is a circuit diagram of a reference voltage generating circuit according to a second embodiment of the present invention. The reference voltage generation circuit is as shown in FIG.
N for reference voltage connecting differential circuit 1 with gate and drain
A reference voltage N formed by connecting in parallel a plurality of sets of a reference voltage N-channel transistor having the same characteristics as the channel transistor 12 and the reference voltage N-channel transistor 12.
Channel transistor group 13 and resistance elements Rba4, Rb
b9, Rbc10, a first N-channel transistor 5, a first P-channel transistor 7, a second P-channel transistor 8, and a reference voltage for controlling a current to the resistance element by an output voltage of the differential circuit 1. And a second N-channel transistor 11 for continuously flowing a circuit current of a circuit made of a resistance element.
【0020】差動回路1の出力は第1のNチャネルトラ
ンジスタ5のゲートに接続され、第2のNチャネルトラ
ンジスタ11のゲートは差動回路1のカレントミラート
ランジスタのゲート電圧に接続され、第1のNチャネル
トランジスタ5のドレインは第2のNチャネルトランジ
スタ11のドレインと第1のPチャネルトランジスタ7
のドレインとゲートと第2のPチャネルトランジスタ8
のゲートに接続され、第2のPチャネルトランジスタ8
のドレインは2つの抵抗素子Rbb9とRbc10のそ
れぞれの1端子に接続され、抵抗素子の第2のPチャネ
ルトランジスタ8のドレインに接続していない別の1端
子がそれぞれ、基準電圧用Nチャネルトランジスタ12
と抵抗素子Rba4に接続されており、基準電圧用Nチ
ャネルトランジスタ12はもう一端をVSS電源に接続
し、抵抗素子Rba4は基準電圧用Nチャネルトランジ
スタ群13と接続され、基準電圧用Nチャネルトランジ
スタ群13のもう一端をVSS電源に接続されている。The output of the differential circuit 1 is connected to the gate of the first N-channel transistor 5, the gate of the second N-channel transistor 11 is connected to the gate voltage of the current mirror transistor of the differential circuit 1, The drain of the N-channel transistor 5 is connected to the drain of the second N-channel transistor 11 and the first P-channel transistor 7.
Drain, gate and second P-channel transistor 8
Of the second P-channel transistor 8
Is connected to one terminal of each of two resistance elements Rbb9 and Rbc10, and another one terminal not connected to the drain of the second P-channel transistor 8 of the resistance element is connected to the N-channel transistor 12 for reference voltage.
And the resistor Rba4, the other end of the reference voltage N-channel transistor 12 is connected to the VSS power supply, and the resistor Rba4 is connected to the reference voltage N-channel transistor group 13, and the reference voltage N-channel transistor group The other end of 13 is connected to the VSS power supply.
【0021】次に、この基準電圧発生回路の動作を説明
する。基準電圧用Nチャネルトランジスタは、ゲートと
ドレインが接続されており、飽和動作をする。ドレイン
電流は(数式6)で表され、その電圧は Vgs=Vt+√(2Id/β) ・・・(数式14) で表され、PN接号と同様に抵抗素子の方が電流による
変化量が大きいため、電流を調節することによる制御が
可能である。他の動作は請求項1記載の実施例と同じで
あるため省略する。Next, the operation of the reference voltage generating circuit will be described. The gate and drain of the reference voltage N-channel transistor are connected and perform a saturation operation. The drain current is expressed by (Equation 6), and the voltage is expressed by Vgs = Vt + √ (2Id / β) (Equation 14). As in the case of the PN symbol, the amount of change in the resistance element due to the current is smaller. Because it is large, control by adjusting the current is possible. The other operation is the same as that of the first embodiment, and thus the description is omitted.
【0022】[0022]
【発明の効果】本発明の基準電圧発生回路によれば、制
御信号なしに、低電流で希望電圧に安定化する基準電圧
発生回路を得ることができる。According to the reference voltage generation circuit of the present invention, it is possible to obtain a reference voltage generation circuit that stabilizes at a desired voltage with a low current without a control signal.
【図1】この発明の第1の実施の形態の基準電圧発生回
路の構成を示す回路図FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of a reference voltage generating circuit according to a first embodiment of the present invention;
【図2】この発明の第2の実施の形態の基準電圧発生回
路の構成を示す回路図FIG. 2 is a circuit diagram showing a configuration of a reference voltage generating circuit according to a second embodiment of the present invention;
【図3】従来の基準電圧発生回路の一例の構成を示す回
路図FIG. 3 is a circuit diagram showing a configuration of an example of a conventional reference voltage generation circuit.
【図4】従来の基準電圧発生回路の電源投入時の制御信
号STARTの動作を示すタイミングチャートFIG. 4 is a timing chart showing an operation of a control signal START when power is supplied to a conventional reference voltage generation circuit.
1 差動回路 2 PN接合 3 PN接合群 4 抵抗素子Rba 5 第1のNチャネルトランジスタ 6 第3のPチャネルトランジスタ 7 第1のPチャネルトランジスタ 8 第2のPチャネルトランジスタ 9 抵抗素子Rbb 10 抵抗素子Rbc 11 第2のNチャネルトランジスタ 12 基準電圧用Nチャネルトランジスタ 13 基準電圧用Nチャネルトランジスタ群 REFERENCE SIGNS LIST 1 differential circuit 2 PN junction 3 PN junction group 4 resistive element Rba 5 first N-channel transistor 6 third P-channel transistor 7 first P-channel transistor 8 second P-channel transistor 9 resistive element Rbb 10 resistive element Rbc 11 Second N-channel transistor 12 N-channel transistor for reference voltage 13 N-channel transistor group for reference voltage
Claims (3)
反転入力端子に加えられる電圧と反転入力端子に加えら
れる電圧との差に応じた電圧を出力する差動回路と、 電圧源から基準電圧を出力するための基準電圧出力端子
と、 基準電圧出力端子に接続され、複数の抵抗素子を有し、
基準電圧出力を決定するための回路と、 前記差動回路の出力電圧により前記抵抗素子への電流を
制御するための第1のNチャネルトランジスタと、 基準電圧を発生させる起動期間に前記抵抗素子へ電流を
供給するための第2のNチャネルトランジスタとを有
し、 前記第2のNチャネルトランジスタのゲート電圧の供給
をカレントミラートランジスタのゲートに接続されてい
ることを特徴とする基準電圧発生回路。1. A differential circuit having a current mirror transistor and outputting a voltage corresponding to a difference between a voltage applied to a non-inverting input terminal and a voltage applied to an inverting input terminal, and outputting a reference voltage from a voltage source A reference voltage output terminal for connection, and a plurality of resistance elements connected to the reference voltage output terminal,
A circuit for determining a reference voltage output; a first N-channel transistor for controlling a current to the resistance element by an output voltage of the differential circuit; and a resistance element to the resistance element during a startup period for generating a reference voltage. And a second N-channel transistor for supplying a current, wherein the supply of the gate voltage of the second N-channel transistor is connected to the gate of a current mirror transistor.
N接合を備えていることを特徴とする請求項1記載の基
準電圧発生回路。2. The circuit for determining a reference voltage output is P
2. The reference voltage generating circuit according to claim 1, further comprising an N junction.
ゲートとドレインが接続されたNチャネルトランジスタ
を備えていることを特徴とする請求項1記載の基準電圧
発生回路。3. A circuit for determining a reference voltage output, comprising:
2. The reference voltage generating circuit according to claim 1, further comprising an N-channel transistor having a gate and a drain connected to each other.
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1998
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