JPH11340091A - コンデンサー及びその製造方法 - Google Patents
コンデンサー及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH11340091A JPH11340091A JP14314398A JP14314398A JPH11340091A JP H11340091 A JPH11340091 A JP H11340091A JP 14314398 A JP14314398 A JP 14314398A JP 14314398 A JP14314398 A JP 14314398A JP H11340091 A JPH11340091 A JP H11340091A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capacitor
- dielectric layer
- electrode layer
- activated carbon
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 75
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 75
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 39
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 19
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 118
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 76
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 description 35
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 31
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 31
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 25
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 description 22
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 22
- -1 activated carbon Chemical compound 0.000 description 21
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 20
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 20
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 18
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 14
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 13
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 12
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 10
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 150000002738 metalloids Chemical class 0.000 description 8
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 7
- FPCJKVGGYOAWIZ-UHFFFAOYSA-N butan-1-ol;titanium Chemical compound [Ti].CCCCO.CCCCO.CCCCO.CCCCO FPCJKVGGYOAWIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 7
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 7
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N acetic anhydride Substances CC(=O)OC(C)=O WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 5
- 229910001510 metal chloride Inorganic materials 0.000 description 5
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 4
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 3
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CPUJSIVIXCTVEI-UHFFFAOYSA-N barium(2+);propan-2-olate Chemical compound [Ba+2].CC(C)[O-].CC(C)[O-] CPUJSIVIXCTVEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N butan-2-ol Chemical compound CCC(C)O BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N isobutanol Chemical compound CC(C)CO ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960004592 isopropanol Drugs 0.000 description 2
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 2
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- SMZOGRDCAXLAAR-UHFFFAOYSA-N aluminium isopropoxide Chemical compound [Al+3].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-] SMZOGRDCAXLAAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001273 butane Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008240 homogeneous mixture Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001960 metal nitrate Inorganic materials 0.000 description 1
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N n-pentane Natural products CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);titanium(4+) Chemical class [O-2].[O-2].[Ti+4] SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 229920003987 resole Polymers 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高いコンデンサー容量を有する，コンデンサ
ー及びその製造方法を提供すること。 【解決手段】 比表面積が１×１０8ｍ2／ｍ3以上であ
る誘電体層を有するコンデンサー。導電性多孔質基材の
表面に誘電体層を形成する工程と，該誘電体層の上に対
電極層を被覆する工程とを行ない，導電性多孔質基材１
１と誘電体層２と対電極層３３とよりなるコンデンサー
１を得る。
ー及びその製造方法を提供すること。 【解決手段】 比表面積が１×１０8ｍ2／ｍ3以上であ
る誘電体層を有するコンデンサー。導電性多孔質基材の
表面に誘電体層を形成する工程と，該誘電体層の上に対
電極層を被覆する工程とを行ない，導電性多孔質基材１
１と誘電体層２と対電極層３３とよりなるコンデンサー
１を得る。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は，高いコンデンサー容量を有する
コンデンサー及びその製造方法に関する。
コンデンサー及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術】電子部品であるコンデンサーの製造方法と
しては，例えば特開昭５６−６７９１９号公報に示され
る方法がある。この方法は，基盤上に形成した金属から
なる導電体薄膜の表面を，イオン注入法で酸化し，その
導体薄膜表面に誘電体層を形成した後，更に該誘電体層
の上に，スパッタ法により導電体層（対電極層）を被覆
して超薄膜コンデンサーを作製する方法である。そし
て，コンデンサーは，できるだけ高いコンデンサー容量
を有することが望まれている。
しては，例えば特開昭５６−６７９１９号公報に示され
る方法がある。この方法は，基盤上に形成した金属から
なる導電体薄膜の表面を，イオン注入法で酸化し，その
導体薄膜表面に誘電体層を形成した後，更に該誘電体層
の上に，スパッタ法により導電体層（対電極層）を被覆
して超薄膜コンデンサーを作製する方法である。そし
て，コンデンサーは，できるだけ高いコンデンサー容量
を有することが望まれている。
【０００３】
【解決しようとする課題】しかしながら，上記公報に示
される方法では，誘電体層の形成法としてイオン注入
法，対電極層形成法としてスパッタ法を用いている。そ
のため，基板が平坦な場合には，これらの手法の使用は
可能であるが，複雑な細孔によって大比表面積を形成し
ている活性炭には使用できない。そのため，コンデンサ
ーの容量を支配する誘電体の表面積を大きくすることが
できず，コンデンサー容量を高くできない。
される方法では，誘電体層の形成法としてイオン注入
法，対電極層形成法としてスパッタ法を用いている。そ
のため，基板が平坦な場合には，これらの手法の使用は
可能であるが，複雑な細孔によって大比表面積を形成し
ている活性炭には使用できない。そのため，コンデンサ
ーの容量を支配する誘電体の表面積を大きくすることが
できず，コンデンサー容量を高くできない。
【０００４】また，従来，コンデンサー容量の向上のた
めに種々の技術が検討されているが，結局のところ誘電
体層の比表面積を充分に大きくできないために，高いコ
ンデンサー容量を有するコンデンサーを得ることができ
ない。
めに種々の技術が検討されているが，結局のところ誘電
体層の比表面積を充分に大きくできないために，高いコ
ンデンサー容量を有するコンデンサーを得ることができ
ない。
【０００５】本発明は，かかる従来の問題点に鑑み，高
いコンデンサー容量を有する，コンデンサー及びその製
造方法を提供しようとするものである。
いコンデンサー容量を有する，コンデンサー及びその製
造方法を提供しようとするものである。
【０００６】
【課題の解決手段】請求項１の発明は，比表面積が１×
１０8ｍ2／ｍ3 以上である誘電体層を有することを特徴
とするコンデンサーにある。
１０8ｍ2／ｍ3 以上である誘電体層を有することを特徴
とするコンデンサーにある。
【０００７】上記コンデンサーは，基本的には，上記誘
電体層の両側に電極層を有している。この電極層は，後
述するごとく，誘電体層の一方の表面に形成した対電極
層と，他方の表面に形成した導電性多孔質基材であって
もよい（図２参照）。また，後表の導電性多孔質基材の
代わりに対電極層と同様の電極層を形成したものであっ
てもよい（図７参照）。
電体層の両側に電極層を有している。この電極層は，後
述するごとく，誘電体層の一方の表面に形成した対電極
層と，他方の表面に形成した導電性多孔質基材であって
もよい（図２参照）。また，後表の導電性多孔質基材の
代わりに対電極層と同様の電極層を形成したものであっ
てもよい（図７参照）。
【０００８】そして，本発明においては，上記電極層の
間に設けた誘電体層が，上記のごとく１×１０8ｍ2／ｍ
3という比表面積を有しているので，極めて高いコンデ
ンサー容量を発揮する。即ち，例えば，従来，多孔質基
材の表面に誘電体層を被覆することによって比表面積を
向上させることは試みられているが，このものでもせい
ぜい３×１０7ｍ2／ｍ3の比表面積しか得られず，その
結果コンデンサー容量も０．０２ｍＡｈ／ｇしかない。
間に設けた誘電体層が，上記のごとく１×１０8ｍ2／ｍ
3という比表面積を有しているので，極めて高いコンデ
ンサー容量を発揮する。即ち，例えば，従来，多孔質基
材の表面に誘電体層を被覆することによって比表面積を
向上させることは試みられているが，このものでもせい
ぜい３×１０7ｍ2／ｍ3の比表面積しか得られず，その
結果コンデンサー容量も０．０２ｍＡｈ／ｇしかない。
【０００９】これに対して，本発明では，上記のごとき
大きな比表面積を有するので，少なくとも２ｍＡｈ／ｇ
という高いコンデンサー容量を得ることができる（実施
形態例参照）。なお，上記比表面積（ｍ2／ｍ3）とは，
誘電体層を被覆した多孔質基材の体積（ｍ3）に対する
誘電体層表面の表面積（ｍ2）の割合をいう。
大きな比表面積を有するので，少なくとも２ｍＡｈ／ｇ
という高いコンデンサー容量を得ることができる（実施
形態例参照）。なお，上記比表面積（ｍ2／ｍ3）とは，
誘電体層を被覆した多孔質基材の体積（ｍ3）に対する
誘電体層表面の表面積（ｍ2）の割合をいう。
【００１０】次に，上記のごとき高いコンデンサー容量
を有するコンデンサーを製造する方法としては，請求項
２の発明のように，導電性多孔質基材の表面に誘電体層
を形成する工程と，該誘電体層の上に対電極層を被覆す
る工程とを行ない，導電性多孔質基材と誘電体層と対電
極層とよりなるコンデンサーを得ることを特徴とするコ
ンデンサーの製造方法がある。
を有するコンデンサーを製造する方法としては，請求項
２の発明のように，導電性多孔質基材の表面に誘電体層
を形成する工程と，該誘電体層の上に対電極層を被覆す
る工程とを行ない，導電性多孔質基材と誘電体層と対電
極層とよりなるコンデンサーを得ることを特徴とするコ
ンデンサーの製造方法がある。
【００１１】本発明においては，導電性多孔質基材の表
面に誘電体層を形成し，更にその上に対電極層を被覆形
成している。そのため，導電性多孔質基材を一方の電極
層として兼用することができる。また，導電性多孔質基
材を用いており，このものは比表面積が非常に大きい鋳
型としての役割を発揮するので，容易に，比表面積１×
１０8ｍ2／ｍ3以上の誘電体層を形成することができ
る。そのため，高いコンデンサー容量を有するコンデン
サーを容易に得ることができる。
面に誘電体層を形成し，更にその上に対電極層を被覆形
成している。そのため，導電性多孔質基材を一方の電極
層として兼用することができる。また，導電性多孔質基
材を用いており，このものは比表面積が非常に大きい鋳
型としての役割を発揮するので，容易に，比表面積１×
１０8ｍ2／ｍ3以上の誘電体層を形成することができ
る。そのため，高いコンデンサー容量を有するコンデン
サーを容易に得ることができる。
【００１２】本発明において，上記導電性多孔質基材と
は，導電性を持ち，かつ多孔質である基材をいう。この
ような導電性多孔質基材としては，例えば活性炭等の多
孔質炭素，多孔質アルミや多孔質タンタル等の多孔質金
属，多孔質酸化ルテニウム，多孔質酸化バナジウム，多
孔質酸化インジウム，多孔質酸化錫，多孔質酸化ニッケ
ル等の金属および／または半金属の導電性を持つ酸化物
からなる多孔体等を用いることができる。上記の中，特
に活性炭は比表面積が高く，コンデンサー容量を高くで
きるので，好ましい。
は，導電性を持ち，かつ多孔質である基材をいう。この
ような導電性多孔質基材としては，例えば活性炭等の多
孔質炭素，多孔質アルミや多孔質タンタル等の多孔質金
属，多孔質酸化ルテニウム，多孔質酸化バナジウム，多
孔質酸化インジウム，多孔質酸化錫，多孔質酸化ニッケ
ル等の金属および／または半金属の導電性を持つ酸化物
からなる多孔体等を用いることができる。上記の中，特
に活性炭は比表面積が高く，コンデンサー容量を高くで
きるので，好ましい。
【００１３】誘電体層としては，金属および／半金属の
酸化物，窒化物の１種又は２種以上の組合せを用いるこ
とができる。特に，金属および／半金属の酸化物のう
ち，ペロブスカイト型化合物や酸化チタン系化合物は，
誘電率が高く，コンデンサー容量を高くできるので，よ
り好ましい。
酸化物，窒化物の１種又は２種以上の組合せを用いるこ
とができる。特に，金属および／半金属の酸化物のう
ち，ペロブスカイト型化合物や酸化チタン系化合物は，
誘電率が高く，コンデンサー容量を高くできるので，よ
り好ましい。
【００１４】ペロブスカイト型化合物には，ＢａＴｉＯ
3，ＳｒＴｉＯ3，ＣａＴｉＯ3，ＰｂＴｉＯ3，ＢａＺｒ
Ｏ3，ＰｂＺｒＯ3，ＰｂxＳｒ1-x（ＺｒＴ1-y ）Ｏ3等
の２価と４価の元素の組合せからなるＡ2+Ｂ4+Ｏ3型化
合物，ＮａＴａＯ3，ＫＴａＯ 3，ＮａＮｂＯ3，ＫxＮａ
1-x （ＮｂyＴａ1-y ）Ｏ3等の１価と５価の元素の組合
せからなるＡ1+Ｂ5+Ｏ3型化合物，ＬａＡｌＯ3等の３価
の元素の組合せからなるＡ3+Ｂ3+Ｏ3型化合物，２価，
３価，５価の元素の組合せからなるＡ2+（Ｂ3+ 0 .5Ｂ’
5+ 0.5）Ｏ3型化合物，２価と６価の元素の組合せからな
るＡ2+（Ｂ2+ 0.5Ｂ’6+ 0.5）Ｏ3 型化合物，１価，２
価，７価の元素の組合せからなるＡ2+（Ｂ1 + 0.5Ｂ’7+
0.5）Ｏ3型化合物，２価，３価，４価の元素の組合せか
らなるＡ3+（Ｂ2+ 0.5Ｂ’4+ 0.5）Ｏ3型化合物，１価，
２価，５価の元素の組合せからなるＡ2 +（Ｂ1+ 0.25Ｂ’
5+ 0.75）Ｏ3型化合物等があり，これらのうちの１種ま
たは２種以上よりなる化合物および／または混合物を用
いることができる。
3，ＳｒＴｉＯ3，ＣａＴｉＯ3，ＰｂＴｉＯ3，ＢａＺｒ
Ｏ3，ＰｂＺｒＯ3，ＰｂxＳｒ1-x（ＺｒＴ1-y ）Ｏ3等
の２価と４価の元素の組合せからなるＡ2+Ｂ4+Ｏ3型化
合物，ＮａＴａＯ3，ＫＴａＯ 3，ＮａＮｂＯ3，ＫxＮａ
1-x （ＮｂyＴａ1-y ）Ｏ3等の１価と５価の元素の組合
せからなるＡ1+Ｂ5+Ｏ3型化合物，ＬａＡｌＯ3等の３価
の元素の組合せからなるＡ3+Ｂ3+Ｏ3型化合物，２価，
３価，５価の元素の組合せからなるＡ2+（Ｂ3+ 0 .5Ｂ’
5+ 0.5）Ｏ3型化合物，２価と６価の元素の組合せからな
るＡ2+（Ｂ2+ 0.5Ｂ’6+ 0.5）Ｏ3 型化合物，１価，２
価，７価の元素の組合せからなるＡ2+（Ｂ1 + 0.5Ｂ’7+
0.5）Ｏ3型化合物，２価，３価，４価の元素の組合せか
らなるＡ3+（Ｂ2+ 0.5Ｂ’4+ 0.5）Ｏ3型化合物，１価，
２価，５価の元素の組合せからなるＡ2 +（Ｂ1+ 0.25Ｂ’
5+ 0.75）Ｏ3型化合物等があり，これらのうちの１種ま
たは２種以上よりなる化合物および／または混合物を用
いることができる。
【００１５】また，酸化チタン系化合物には，ＴｉＯ２
およびＴｉＯ２に熔剤を２０％以下の範囲で加えたもの
がある。熔剤としては，Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ，Ｂｅ
のチタン酸塩，ＣａＯ，ＭｇＯ，ＢｅＯ，ＢａＣＯ3，
ＳｉＯ２ＢｅＯ，ＢａＣＯ３，ＳｉＯ２等を用いること
ができる。
およびＴｉＯ２に熔剤を２０％以下の範囲で加えたもの
がある。熔剤としては，Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ，Ｂｅ
のチタン酸塩，ＣａＯ，ＭｇＯ，ＢｅＯ，ＢａＣＯ3，
ＳｉＯ２ＢｅＯ，ＢａＣＯ３，ＳｉＯ２等を用いること
ができる。
【００１６】上記導電性多孔質基材の表面に誘電体層を
形成する誘電体層形成工程としては，ＣＶＤコート法，
後述する超臨界コート法を用いることができる。特に超
臨界コート法は，均一な誘電体層を短時間で形成するこ
とができるので，より好ましい。また，誘電体層のコー
ト後に熱処理を行い，誘電体層を結晶化させることによ
り，誘電率を向上させることができる。熱処理を行った
ほうが誘電体層の誘電率を向上できるので，より好まし
い。上記熱処理は，３００〜１２００℃に加熱すること
が好ましい。なお，更に好ましくは，６００〜９００℃
である。
形成する誘電体層形成工程としては，ＣＶＤコート法，
後述する超臨界コート法を用いることができる。特に超
臨界コート法は，均一な誘電体層を短時間で形成するこ
とができるので，より好ましい。また，誘電体層のコー
ト後に熱処理を行い，誘電体層を結晶化させることによ
り，誘電率を向上させることができる。熱処理を行った
ほうが誘電体層の誘電率を向上できるので，より好まし
い。上記熱処理は，３００〜１２００℃に加熱すること
が好ましい。なお，更に好ましくは，６００〜９００℃
である。
【００１７】また，上記超臨界コート法は，超臨界流体
に反応前駆体を溶解して前駆体流体を作製する溶解工程
と，反応開始剤を含有させた多孔質基材と接触させて，
上記前駆体と反応開始剤とを反応させ，該多孔質基材の
表面に反応生成物をコーティングするコート工程とから
なる。
に反応前駆体を溶解して前駆体流体を作製する溶解工程
と，反応開始剤を含有させた多孔質基材と接触させて，
上記前駆体と反応開始剤とを反応させ，該多孔質基材の
表面に反応生成物をコーティングするコート工程とから
なる。
【００１８】上記の超臨界流体としては，例えば，メタ
ン，エタン，プロパン，ブタン，エチレン，プロピレン
等の炭化水素，メタノール，エタノール，プロパノー
ル，ｉｓｏ−プロパノール，ブタノール，ｉｓｏ−ブタ
ノール，ｓｅｃ−ブタノール，ｔｅｒｔ−ブタノール等
のアルコール，アセトン，メチルエチルケトン等のケト
ン類，二酸化炭素，アンモニア，塩素，クロロホルム，
フレオン類等を用いることができる。
ン，エタン，プロパン，ブタン，エチレン，プロピレン
等の炭化水素，メタノール，エタノール，プロパノー
ル，ｉｓｏ−プロパノール，ブタノール，ｉｓｏ−ブタ
ノール，ｓｅｃ−ブタノール，ｔｅｒｔ−ブタノール等
のアルコール，アセトン，メチルエチルケトン等のケト
ン類，二酸化炭素，アンモニア，塩素，クロロホルム，
フレオン類等を用いることができる。
【００１９】また，反応前駆体の超臨界流体への溶解度
を調整するために，メタノール，エタノール，プロパノ
ール等のアルコール，アセトン，エチルメチルケトン等
のケトン類，ベンゼン，トルエン，キシレン等の芳香族
炭化水素等をエントレーナとして用いることができる。
を調整するために，メタノール，エタノール，プロパノ
ール等のアルコール，アセトン，エチルメチルケトン等
のケトン類，ベンゼン，トルエン，キシレン等の芳香族
炭化水素等をエントレーナとして用いることができる。
【００２０】上記の反応前駆体としては，金属または／
および半金属のアルコキシド，金属または／および半金
属のアセチルアセテート，金属または／および半金属の
有機酸塩，金属または／および半金属の硝酸塩，金属ま
たは／および半金属のオキシ塩化物，金属または／およ
び半金属の塩化物等の単独，又は２種以上よりなる混合
物を用いることができる。
および半金属のアルコキシド，金属または／および半金
属のアセチルアセテート，金属または／および半金属の
有機酸塩，金属または／および半金属の硝酸塩，金属ま
たは／および半金属のオキシ塩化物，金属または／およ
び半金属の塩化物等の単独，又は２種以上よりなる混合
物を用いることができる。
【００２１】上記の反応開始剤としては，上記反応前駆
体に対するものとして水がある。なお，外部から反応開
始剤を加えず，ＯＨ基などの多孔質基材の表面官能基を
反応開始剤として用いることもできる。
体に対するものとして水がある。なお，外部から反応開
始剤を加えず，ＯＨ基などの多孔質基材の表面官能基を
反応開始剤として用いることもできる。
【００２２】上記反応開始剤を上記多孔質基材に含有さ
せる方法としては，例えば気層接触法，液層接触法等が
ある。多孔質基材は細孔を有するので，反応開始剤を含
む気体，液体と接触させることで容易に，反応開始剤を
含有させることができる。反応生成物である誘電体層の
コーティング厚みは，反応開始剤の量および／または反
応前駆体の量を調整することによって，数原子の厚みま
で調整できる。
せる方法としては，例えば気層接触法，液層接触法等が
ある。多孔質基材は細孔を有するので，反応開始剤を含
む気体，液体と接触させることで容易に，反応開始剤を
含有させることができる。反応生成物である誘電体層の
コーティング厚みは，反応開始剤の量および／または反
応前駆体の量を調整することによって，数原子の厚みま
で調整できる。
【００２３】例えば，反応開始剤が水および／またはＯ
Ｈ基等の多孔質基材の表面官能基であり，反応生成物が
チタニア（ＴｉＯ２），多孔質基材が活性炭の場合，活
性炭中の水分量は，活性炭が接する雰囲気中の水分量を
調整することにより，活性炭の表面積，等温吸着線等の
データをもとに加減でき，ＯＨ基等の活性炭の表面官能
基の量は，活性炭の賦活条件を最適化することによって
調整できる。このようにして，所定のチタニア等の反応
生成物からなる誘電体層を数原子の厚みから種々の厚み
に設計することが可能である。
Ｈ基等の多孔質基材の表面官能基であり，反応生成物が
チタニア（ＴｉＯ２），多孔質基材が活性炭の場合，活
性炭中の水分量は，活性炭が接する雰囲気中の水分量を
調整することにより，活性炭の表面積，等温吸着線等の
データをもとに加減でき，ＯＨ基等の活性炭の表面官能
基の量は，活性炭の賦活条件を最適化することによって
調整できる。このようにして，所定のチタニア等の反応
生成物からなる誘電体層を数原子の厚みから種々の厚み
に設計することが可能である。
【００２４】なお，従来，多孔質基材の表面に誘電体層
を形成する方法としては，誘電体層用材料をエタノール
等の溶媒に溶かして，これを多孔質基材の表面にコート
する方法が提案されている。しかし，このように液体を
溶媒とした誘電体層のコート方法では，液体の表面張力
が高いため，多孔質基材の細孔内まで溶媒が入らず，コ
ート層が基材の細孔を塞いでしまう。そのため，この方
法では多孔質基材自体は比表面積が大きいものの，この
表面に形成した誘電体層の比表面積は非常に低くなって
しまう。
を形成する方法としては，誘電体層用材料をエタノール
等の溶媒に溶かして，これを多孔質基材の表面にコート
する方法が提案されている。しかし，このように液体を
溶媒とした誘電体層のコート方法では，液体の表面張力
が高いため，多孔質基材の細孔内まで溶媒が入らず，コ
ート層が基材の細孔を塞いでしまう。そのため，この方
法では多孔質基材自体は比表面積が大きいものの，この
表面に形成した誘電体層の比表面積は非常に低くなって
しまう。
【００２５】次に，上記電極層としては，Ｐｔ，Ｐｄ，
Ａｕ，Ｒｈ等の金属，導電性炭素，金属酸化物導電体，
金属酸化物半導体等を用いることができる。また，電極
層形成工程としては，上記誘電体層の上に，上記超臨界
コート法により電極層前駆体をコートし，後処理により
電極層前駆体を反応させて導電体の上に対電極層を得る
方法がある。或いはＣＶＤにより対電極層を形成する方
法がある。
Ａｕ，Ｒｈ等の金属，導電性炭素，金属酸化物導電体，
金属酸化物半導体等を用いることができる。また，電極
層形成工程としては，上記誘電体層の上に，上記超臨界
コート法により電極層前駆体をコートし，後処理により
電極層前駆体を反応させて導電体の上に対電極層を得る
方法がある。或いはＣＶＤにより対電極層を形成する方
法がある。
【００２６】上記の電極層前駆体としては，金属または
／および半金属のアルコキシド，金属または／および半
金属のアセチルアセテート，金属または／および半金属
の有機酸塩，金属または／および半金属の硝酸塩，金属
または／および半金属のオキシ塩化物，金属または／お
よび半金属の塩化物，熱処理により炭化する炭化水素，
酸素含有炭化水素，塩素含有炭化水素等を用いることが
できる。また，それらの１種又は２種以上よりなる化合
物および／または，それら化合物の１種又は２種以上よ
りなる混合物を用いることができる。
／および半金属のアルコキシド，金属または／および半
金属のアセチルアセテート，金属または／および半金属
の有機酸塩，金属または／および半金属の硝酸塩，金属
または／および半金属のオキシ塩化物，金属または／お
よび半金属の塩化物，熱処理により炭化する炭化水素，
酸素含有炭化水素，塩素含有炭化水素等を用いることが
できる。また，それらの１種又は２種以上よりなる化合
物および／または，それら化合物の１種又は２種以上よ
りなる混合物を用いることができる。
【００２７】また，上記の反応前駆体コート後の後処理
による反応としては，次の方法がある。 （１）電極層が金属の場合，例えば，電極層前駆体とし
て金属塩化物を用い，ＣＶＤコート法或いは超臨界コー
ト法によりコートし，金属塩化物を熱分解し，金属層を
得る方法がある。金属塩化物の代りに金属アセチルアセ
テートを用いることもできる。
による反応としては，次の方法がある。 （１）電極層が金属の場合，例えば，電極層前駆体とし
て金属塩化物を用い，ＣＶＤコート法或いは超臨界コー
ト法によりコートし，金属塩化物を熱分解し，金属層を
得る方法がある。金属塩化物の代りに金属アセチルアセ
テートを用いることもできる。
【００２８】（２）電極層が導電性炭素の場合，例え
ば，熱処理により炭化する炭化水素，酸素含有炭化水
素，塩素含有炭化水素等をＣＶＤコート法，或いは超臨
界コート法によりコートし，熱処理により炭化させ，導
電性炭素層を形成する方法がある。
ば，熱処理により炭化する炭化水素，酸素含有炭化水
素，塩素含有炭化水素等をＣＶＤコート法，或いは超臨
界コート法によりコートし，熱処理により炭化させ，導
電性炭素層を形成する方法がある。
【００２９】（３）電極層が金属酸化物導電体或いは金
属酸化物半導体である場合は，例えば，金属アルコキシ
ドをＣＶＤコート法或いは超臨界コート法によりコート
し，加水分解して形成することができる。上記の金属ア
ルコキシドの代りに，金属アセチルアセテート，金属有
機酸塩，金属硝酸塩，金属オキシ塩化物，金属塩化物を
用いることもできる。
属酸化物半導体である場合は，例えば，金属アルコキシ
ドをＣＶＤコート法或いは超臨界コート法によりコート
し，加水分解して形成することができる。上記の金属ア
ルコキシドの代りに，金属アセチルアセテート，金属有
機酸塩，金属硝酸塩，金属オキシ塩化物，金属塩化物を
用いることもできる。
【００３０】（４）電極層が半金属酸化物導電体或いは
半金属酸化物半導体である場合は，例えば，金属アルコ
キシドをＣＶＤコート法，或いは超臨界コート法により
コートし，加水分解して形成することができる。半金属
アルコキシドの代りに，半金属アセチルアセテート，半
金属有機酸塩，半金属硝酸塩，半金属オキシ塩化物，半
金属塩化物を用いることもできる。
半金属酸化物半導体である場合は，例えば，金属アルコ
キシドをＣＶＤコート法，或いは超臨界コート法により
コートし，加水分解して形成することができる。半金属
アルコキシドの代りに，半金属アセチルアセテート，半
金属有機酸塩，半金属硝酸塩，半金属オキシ塩化物，半
金属塩化物を用いることもできる。
【００３１】上記のいずれの場合も，超臨界コート法
は，対電極層を短時間で誘電体層の細孔内部まで形成す
ることができるので，より好ましい方法である。
は，対電極層を短時間で誘電体層の細孔内部まで形成す
ることができるので，より好ましい方法である。
【００３２】また，上記のいずれの場合も，前述の対電
極層製造工程で形成した電極層の上に，液相コート法に
より，電極層前駆体をより厚くコートし，後処理により
反応させて電極層を形成し，より導電率を向上させても
よい。また，２種類以上の電極層を積層してもよい。
極層製造工程で形成した電極層の上に，液相コート法に
より，電極層前駆体をより厚くコートし，後処理により
反応させて電極層を形成し，より導電率を向上させても
よい。また，２種類以上の電極層を積層してもよい。
【００３３】上記誘電体層の表面に対電極層を形成する
液相コート法とは，アルコール等の溶媒に反応前駆体を
溶解してコート液を作製する溶解工程と，反応開始剤を
含有させた誘電体層と接触させて，上記前駆体と反応開
始剤とを反応させ，誘電体層の表面に反応生成物をコー
ティングするコート工程を有する被覆方法をいう。
液相コート法とは，アルコール等の溶媒に反応前駆体を
溶解してコート液を作製する溶解工程と，反応開始剤を
含有させた誘電体層と接触させて，上記前駆体と反応開
始剤とを反応させ，誘電体層の表面に反応生成物をコー
ティングするコート工程を有する被覆方法をいう。
【００３４】次に，上記コンデンサーを製造する他の製
造方法としては，請求項３の発明のように，多孔質基材
の表面に基材側電極層を形成する工程と，該基材側電極
層の上に誘電体層を形成する工程と，該誘電体層の上に
対電極層を形成する工程とを行ない，多孔質基材と基材
側電極層と誘電体層と対電極層とよりなるコンデンサー
を得ることを特徴とするコンデンサーの製造方法があ
る。
造方法としては，請求項３の発明のように，多孔質基材
の表面に基材側電極層を形成する工程と，該基材側電極
層の上に誘電体層を形成する工程と，該誘電体層の上に
対電極層を形成する工程とを行ない，多孔質基材と基材
側電極層と誘電体層と対電極層とよりなるコンデンサー
を得ることを特徴とするコンデンサーの製造方法があ
る。
【００３５】本発明においても，上記のごとき優れたコ
ンデンサーを容易に得ることができる。
ンデンサーを容易に得ることができる。
【００３６】上記多孔質基材としては，活性炭等の多孔
質炭素，多孔質アルミ，多孔質タンタル等の多孔質金
属，多孔質シリカ，多孔質アルミナ，多孔質チタニア，
多孔質アルミナシリケート，多孔質酸化ルテニウム，多
孔質酸化バナジウム，多孔質酸化インジウム，多孔質酸
化錫，多孔質酸化ニッケル等の金属および／または半金
属の酸化物からなる多孔体等がある。また，これらの多
孔質基材に導電体および半導体をコートした基材も用い
ることができる。特に活性炭は比表面積が高く，コンデ
ンサー容量を高くできるので，好ましい。
質炭素，多孔質アルミ，多孔質タンタル等の多孔質金
属，多孔質シリカ，多孔質アルミナ，多孔質チタニア，
多孔質アルミナシリケート，多孔質酸化ルテニウム，多
孔質酸化バナジウム，多孔質酸化インジウム，多孔質酸
化錫，多孔質酸化ニッケル等の金属および／または半金
属の酸化物からなる多孔体等がある。また，これらの多
孔質基材に導電体および半導体をコートした基材も用い
ることができる。特に活性炭は比表面積が高く，コンデ
ンサー容量を高くできるので，好ましい。
【００３７】基材側電極層形成工程においては，多孔質
基材の表面に基材側電極層を形成する点を除き，上記請
求項２に示した対電極層形成工程と同様の工程を用いる
ことができる。誘電体層形成工程と対電極層形成工程
は，上記請求項２の発明の場合と同じである。
基材の表面に基材側電極層を形成する点を除き，上記請
求項２に示した対電極層形成工程と同様の工程を用いる
ことができる。誘電体層形成工程と対電極層形成工程
は，上記請求項２の発明の場合と同じである。
【００３８】更に，上記コンデンサーを製造する他の方
法としては，請求項４の発明のように，上記対電極層を
形成する工程の後に，上記多孔質基材を除去する工程を
行ない，基材側電極層と誘電体層と対電極層とよりなる
コンデンサーを得る方法がある。
法としては，請求項４の発明のように，上記対電極層を
形成する工程の後に，上記多孔質基材を除去する工程を
行ない，基材側電極層と誘電体層と対電極層とよりなる
コンデンサーを得る方法がある。
【００３９】本発明においても，上記のごとき優れたコ
ンデンサーを容易に得ることができる。
ンデンサーを容易に得ることができる。
【００４０】上記において，基材除去処理が可能な多孔
質基材としては，活性炭などの多孔質炭素，多孔質アル
ミ，多孔質タンタル等の多孔質金属がある。基材除去工
程としては，基材が多孔質炭素の場合は，酸化雰囲気下
で加熱し，炭素を酸化して，一酸化炭素および／または
二酸化炭素に分解し，基材を除去する方法がある。ま
た，基材が多孔質金属の場合は，塩酸等の酸により溶解
し，基材を除去することができる。その他は，上記請求
項３の発明と同様である。
質基材としては，活性炭などの多孔質炭素，多孔質アル
ミ，多孔質タンタル等の多孔質金属がある。基材除去工
程としては，基材が多孔質炭素の場合は，酸化雰囲気下
で加熱し，炭素を酸化して，一酸化炭素および／または
二酸化炭素に分解し，基材を除去する方法がある。ま
た，基材が多孔質金属の場合は，塩酸等の酸により溶解
し，基材を除去することができる。その他は，上記請求
項３の発明と同様である。
【００４１】
【発明の実施の形態】実施形態例１ （実施例１）フェノール系活性炭粉末［比表面積６．２
×１０９ｍ2／ｍ3（活性炭の比重０．５，活性炭の単位
重量あたりの比表面積３１００ｍ2／ｇ）］７０重量部
と，フェノール樹脂粉末３０重量部との均一混合物を，
加圧成形し，突起部を有する直径２０ｍｍ，厚さ１ｍｍ
の成形体を得た（図１参照）。次に，この成形体を窒素
雰囲気中８００℃で，１時間炭化してＣ／Ｃコンポジッ
ト（炭素／炭素複合材料）製活性炭基材を得た。この活
性炭基材８は，図１に示すごとく，円板状のコンデンサ
ー形成用の本体部８１と突起部８２とよりなる。更に，
マスキングのためテフロン製テープを活性炭基材８の突
起部８２に巻き付けた。
×１０９ｍ2／ｍ3（活性炭の比重０．５，活性炭の単位
重量あたりの比表面積３１００ｍ2／ｇ）］７０重量部
と，フェノール樹脂粉末３０重量部との均一混合物を，
加圧成形し，突起部を有する直径２０ｍｍ，厚さ１ｍｍ
の成形体を得た（図１参照）。次に，この成形体を窒素
雰囲気中８００℃で，１時間炭化してＣ／Ｃコンポジッ
ト（炭素／炭素複合材料）製活性炭基材を得た。この活
性炭基材８は，図１に示すごとく，円板状のコンデンサ
ー形成用の本体部８１と突起部８２とよりなる。更に，
マスキングのためテフロン製テープを活性炭基材８の突
起部８２に巻き付けた。
【００４２】次に，誘電体層形成工程として超臨界コー
ト法を用いた。即ち，チタニア（ＴｉＯ２）の反応前駆
体であるテトラブトキシチタン［Ｔｉ（Ｃ4Ｈ9Ｏ）4］
１ｇを，温度１２０℃，圧力２４０気圧の超臨界二酸化
炭素に溶解し，水を含有した上記活性炭基材を接触さ
せ，活性炭基材表面にチタニアをコートし，非晶質チタ
ニア−活性炭複合体を作製した。更に，上記突起部８２
におけるマスキングのテフロンテープを外した後，この
複合体を窒素雰囲気下で，１０００℃，１時間アニール
し，結晶チタニア−活性炭複合体を得た。
ト法を用いた。即ち，チタニア（ＴｉＯ２）の反応前駆
体であるテトラブトキシチタン［Ｔｉ（Ｃ4Ｈ9Ｏ）4］
１ｇを，温度１２０℃，圧力２４０気圧の超臨界二酸化
炭素に溶解し，水を含有した上記活性炭基材を接触さ
せ，活性炭基材表面にチタニアをコートし，非晶質チタ
ニア−活性炭複合体を作製した。更に，上記突起部８２
におけるマスキングのテフロンテープを外した後，この
複合体を窒素雰囲気下で，１０００℃，１時間アニール
し，結晶チタニア−活性炭複合体を得た。
【００４３】次に，以下の超臨界コート法を用いて，対
電極層を形成した。即ち，結晶チタニア−活性炭複合体
の突起部に再びマスキングのテフロンテープを巻きつ
け，結晶チタニア−活性炭複合体に対して更に水を含有
させた。次に，テトラエトキシ錫［Ｓｎ（Ｃ２Ｈ5Ｏ）
4 ］０．０６ｇとトリイソプロポキシインジウム［Ｉｎ
（ｉ−Ｃ３Ｈ7Ｏ）３］０．９４ｇを，エタノールを１
０重量部を含む超臨界二酸化炭素（温度１２０℃，圧力
２００気圧）に溶解し，上記チタニア−活性炭複合体を
接触させ，活性炭上に，チタニア層と非晶質ＩＴＯ層を
積層した多層体を得た。
電極層を形成した。即ち，結晶チタニア−活性炭複合体
の突起部に再びマスキングのテフロンテープを巻きつ
け，結晶チタニア−活性炭複合体に対して更に水を含有
させた。次に，テトラエトキシ錫［Ｓｎ（Ｃ２Ｈ5Ｏ）
4 ］０．０６ｇとトリイソプロポキシインジウム［Ｉｎ
（ｉ−Ｃ３Ｈ7Ｏ）３］０．９４ｇを，エタノールを１
０重量部を含む超臨界二酸化炭素（温度１２０℃，圧力
２００気圧）に溶解し，上記チタニア−活性炭複合体を
接触させ，活性炭上に，チタニア層と非晶質ＩＴＯ層を
積層した多層体を得た。
【００４４】更に，この多層体から，再び上記マスキン
グのテフロンテープを取り外した後，窒素雰囲気下で，
６００℃，１時間アニールし，導電性多孔質基材として
の活性炭上に，チタニアからなる誘電体層，ＩＴＯから
なる対電極層を積層したコンデンサーを得た。
グのテフロンテープを取り外した後，窒素雰囲気下で，
６００℃，１時間アニールし，導電性多孔質基材として
の活性炭上に，チタニアからなる誘電体層，ＩＴＯから
なる対電極層を積層したコンデンサーを得た。
【００４５】図２は，コンデンサー１における細孔１０
内の状態を例示したもので，このものは，導電性多孔質
基材１１の細孔１０内に，誘電体層２，更にその上に対
電極層３３を有している。
内の状態を例示したもので，このものは，導電性多孔質
基材１１の細孔１０内に，誘電体層２，更にその上に対
電極層３３を有している。
【００４６】（実施例２）実施例１と同様の手法でＣ／
Ｃコンポジット製活性炭基材を得，更に，マスキングの
ためテフロン製テープを活性炭基材の突起部に巻き付け
た。次に，誘電体層形成工程として超臨界コート法を用
いた。即ち，チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）の反応
前駆体であるジイソプロポキシドバリウム［Ｂａ（ｉ−
Ｃ３Ｈ7Ｏ）２］０．５３９ｇおよびテトライソプロプ
キシドチタン［Ｔｉ（ｉ−Ｃ３Ｈ7Ｏ）4 ］０．６００
ｇを，温度２５０℃，圧力２２０気圧の超臨界イソプロ
パノールに溶解した。そして，水を含有した上記活性炭
基材を接触させ，活性炭基材表面にチタン酸バリウムを
コートし，非晶質チタン酸バリウム−活性炭複合体を作
製した。
Ｃコンポジット製活性炭基材を得，更に，マスキングの
ためテフロン製テープを活性炭基材の突起部に巻き付け
た。次に，誘電体層形成工程として超臨界コート法を用
いた。即ち，チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）の反応
前駆体であるジイソプロポキシドバリウム［Ｂａ（ｉ−
Ｃ３Ｈ7Ｏ）２］０．５３９ｇおよびテトライソプロプ
キシドチタン［Ｔｉ（ｉ−Ｃ３Ｈ7Ｏ）4 ］０．６００
ｇを，温度２５０℃，圧力２２０気圧の超臨界イソプロ
パノールに溶解した。そして，水を含有した上記活性炭
基材を接触させ，活性炭基材表面にチタン酸バリウムを
コートし，非晶質チタン酸バリウム−活性炭複合体を作
製した。
【００４７】更に，マスキングのテフロンテープを外し
た後，この複合体を窒素雰囲気下で，１０００℃，１時
間アニールし，結晶チタン酸バリウム−活性炭複合体を
得た。最後に，実施例１と同じ条件で，対電極層を形成
し，活性炭上に，チタン酸バリウム誘電体層，ＩＴＯ電
極層を積層したコンデンサーを得た。
た後，この複合体を窒素雰囲気下で，１０００℃，１時
間アニールし，結晶チタン酸バリウム−活性炭複合体を
得た。最後に，実施例１と同じ条件で，対電極層を形成
し，活性炭上に，チタン酸バリウム誘電体層，ＩＴＯ電
極層を積層したコンデンサーを得た。
【００４８】（実施例３）ジイソプロポキシドバリウム
０．５３９ｇの代わりに，ジイソプロポキシドストロン
チウム［Ｓｒ（ｉ−Ｃ３Ｈ7Ｏ）２］０．４３４ｇを用
いる以外は，実施例２と同じ条件で，活性炭上に，チタ
ン酸ストロンチウム誘電体層，ＩＴＯ電極層を積層した
コンデンサーを得た。
０．５３９ｇの代わりに，ジイソプロポキシドストロン
チウム［Ｓｒ（ｉ−Ｃ３Ｈ7Ｏ）２］０．４３４ｇを用
いる以外は，実施例２と同じ条件で，活性炭上に，チタ
ン酸ストロンチウム誘電体層，ＩＴＯ電極層を積層した
コンデンサーを得た。
【００４９】（実施例４）実施例１において，テトラブ
トキシチタン［Ｔｉ（Ｃ4 Ｈ9 Ｏ）4］１ｇの代わり
に，トリイソプロポキシドアルミニウム［Ａｌ（ｉ−Ｃ
３Ｈ7Ｏ）３］１ｇを用いる以外は，実施例１と同じ条
件で，活性炭上に，アルミナ誘電体層，ＩＴＯ電極を積
層したコンデンサーを得た。
トキシチタン［Ｔｉ（Ｃ4 Ｈ9 Ｏ）4］１ｇの代わり
に，トリイソプロポキシドアルミニウム［Ａｌ（ｉ−Ｃ
３Ｈ7Ｏ）３］１ｇを用いる以外は，実施例１と同じ条
件で，活性炭上に，アルミナ誘電体層，ＩＴＯ電極を積
層したコンデンサーを得た。
【００５０】（実施例５）実施例１において，テトラブ
トキシチタンのコート後に結晶化させない以外は，実施
例１と同じ条件で，活性炭上に，チタニア誘電体層，Ｉ
ＴＯ電極を積層したコンデンサーを得た。
トキシチタンのコート後に結晶化させない以外は，実施
例１と同じ条件で，活性炭上に，チタニア誘電体層，Ｉ
ＴＯ電極を積層したコンデンサーを得た。
【００５１】（実施例６）フェノール系活性炭繊維の布
［比表面積２．４×１０９ｍ2／ｍ3（活性炭の比重０．
７２，活性炭の単位重量あたりの比表面積１７４０ｍ2
／ｇ）］比表面積１７４０ｍ2／ｇ）に，レゾール樹脂
からなる液状レジンを１０重量部加えてよくなじませ
た。次に，この繊維布を窒素雰囲気中８００℃，１時間
炭化して活性炭素繊維布基材を得た。更に，この活性炭
素繊維布基材から０．３ｇを切り取り，その一部をマス
キングのためテフロン製テープを被覆した。
［比表面積２．４×１０９ｍ2／ｍ3（活性炭の比重０．
７２，活性炭の単位重量あたりの比表面積１７４０ｍ2
／ｇ）］比表面積１７４０ｍ2／ｇ）に，レゾール樹脂
からなる液状レジンを１０重量部加えてよくなじませ
た。次に，この繊維布を窒素雰囲気中８００℃，１時間
炭化して活性炭素繊維布基材を得た。更に，この活性炭
素繊維布基材から０．３ｇを切り取り，その一部をマス
キングのためテフロン製テープを被覆した。
【００５２】次に，チタニア（ＴｉＯ２）の反応前駆体
であるテトラブトキシチタン１ｇを，温度１２０℃，圧
力２４０気圧の超臨界二酸化炭素に溶解し，水を含有し
た上記活性炭素繊維布基材を接触させ，その基材表面に
チタニアをコートし，非晶質チタニア−活性炭繊維布複
合体を得た。更に，マスキングのテフロンテープを外し
た後，この複合体を窒素雰囲気下で，１０００℃，１時
間アニールし，結晶チタニア−活性炭繊維布複合体を得
た。
であるテトラブトキシチタン１ｇを，温度１２０℃，圧
力２４０気圧の超臨界二酸化炭素に溶解し，水を含有し
た上記活性炭素繊維布基材を接触させ，その基材表面に
チタニアをコートし，非晶質チタニア−活性炭繊維布複
合体を得た。更に，マスキングのテフロンテープを外し
た後，この複合体を窒素雰囲気下で，１０００℃，１時
間アニールし，結晶チタニア−活性炭繊維布複合体を得
た。
【００５３】次に，この複合体の一部にテフロンテープ
を被覆し，更に水を含有させた。次に，ＰｔＣｌ２を，
エタノールを１０重量部を含む超臨界二酸化炭素（温度
１２０℃，圧力２００気圧）に溶解した。そして，上記
チタニア−活性炭繊維布複合体を接触させ，活性炭繊維
布上に，チタニア層とＰｔＣｌ２層を積層した多層体を
作製した。更に，上記多層体から突起部に巻き付けたテ
フロン製のマスクを外した後，窒素雰囲気中６００℃の
熱処理によりＰｔＣ１２を熱分解してＰｔ層とし，活性
炭繊維布上に，チタニア誘電体層，Ｐｔ電極を積層した
コンデンサーを得た。
を被覆し，更に水を含有させた。次に，ＰｔＣｌ２を，
エタノールを１０重量部を含む超臨界二酸化炭素（温度
１２０℃，圧力２００気圧）に溶解した。そして，上記
チタニア−活性炭繊維布複合体を接触させ，活性炭繊維
布上に，チタニア層とＰｔＣｌ２層を積層した多層体を
作製した。更に，上記多層体から突起部に巻き付けたテ
フロン製のマスクを外した後，窒素雰囲気中６００℃の
熱処理によりＰｔＣ１２を熱分解してＰｔ層とし，活性
炭繊維布上に，チタニア誘電体層，Ｐｔ電極を積層した
コンデンサーを得た。
【００５４】（実施例７）実施例１と同様の手法でＣ／
Ｃコンポジット製活性炭基材を得た。次に，テトラエト
キシ錫０．０６ｇとトリイソプロポキシインジウム０．
９４ｇを，エタノールを１０重量部含む超臨界二酸化炭
素（温度１２０℃，圧力２００気圧）に溶解した。そし
て，水を含有した上記活性炭基材を接触させ反応させた
後，窒素雰囲気下で６００℃，１時間アニールし，活性
炭表面をＩＴＯ電極層で被覆したＩＴＯ被覆からなる活
性炭−ＩＴＯ複合体を得た。更に，マスキングのため，
テフロン製テープを該複合体の突起部に巻き付けた。
Ｃコンポジット製活性炭基材を得た。次に，テトラエト
キシ錫０．０６ｇとトリイソプロポキシインジウム０．
９４ｇを，エタノールを１０重量部含む超臨界二酸化炭
素（温度１２０℃，圧力２００気圧）に溶解した。そし
て，水を含有した上記活性炭基材を接触させ反応させた
後，窒素雰囲気下で６００℃，１時間アニールし，活性
炭表面をＩＴＯ電極層で被覆したＩＴＯ被覆からなる活
性炭−ＩＴＯ複合体を得た。更に，マスキングのため，
テフロン製テープを該複合体の突起部に巻き付けた。
【００５５】次に，チタニア（ＴｉＯ２）の反応前駆体
であるテトラブトキシチタン１ｇを，温度１２０℃，圧
力２４０気圧の超臨界二酸化炭素に溶解した。そして，
水を含有した上記活性炭−ＩＴＯ複合体を接触させ，Ｉ
ＴＯ表面にチタニアをコートし，活性炭−ＩＴＯ非晶質
チタニア複合体を作製した。更に，マスキングのテフロ
ンテープを外した後，この複合体を窒素雰囲気下で，１
０００℃，１時間アニールし，活性炭−ＩＴＯ−結晶チ
タニア複合体を得た。
であるテトラブトキシチタン１ｇを，温度１２０℃，圧
力２４０気圧の超臨界二酸化炭素に溶解した。そして，
水を含有した上記活性炭−ＩＴＯ複合体を接触させ，Ｉ
ＴＯ表面にチタニアをコートし，活性炭−ＩＴＯ非晶質
チタニア複合体を作製した。更に，マスキングのテフロ
ンテープを外した後，この複合体を窒素雰囲気下で，１
０００℃，１時間アニールし，活性炭−ＩＴＯ−結晶チ
タニア複合体を得た。
【００５６】次に，この複合体の突起部に，再びマスキ
ングのテフロンテープを巻つけ，更に水を含有させた。
次に，テトラエトキシ錫０．０６ｇとトリイソプロポキ
シインジウム０．９４ｇを，エタノールを１０重量部を
含む超臨界二酸化炭素（温度１２０℃，圧力２００気
圧）に溶解し，上記活性炭−ＩＴＯ−結晶チタニア複合
体を接触させ，活性炭上に，ＩＴＯ層，結晶チタニア
層，非晶質ＩＴＯ層を積層した多層体を得た。更に，こ
の多層体から再びマスキングのテフロンテープを取り外
した後，窒素雰囲気下で，６００℃，１時間アニール
し，活性炭上に，ＩＴＯ電極，チタニア誘電体層，ＩＴ
Ｏ電極を積層したコンデンサーを得た。
ングのテフロンテープを巻つけ，更に水を含有させた。
次に，テトラエトキシ錫０．０６ｇとトリイソプロポキ
シインジウム０．９４ｇを，エタノールを１０重量部を
含む超臨界二酸化炭素（温度１２０℃，圧力２００気
圧）に溶解し，上記活性炭−ＩＴＯ−結晶チタニア複合
体を接触させ，活性炭上に，ＩＴＯ層，結晶チタニア
層，非晶質ＩＴＯ層を積層した多層体を得た。更に，こ
の多層体から再びマスキングのテフロンテープを取り外
した後，窒素雰囲気下で，６００℃，１時間アニール
し，活性炭上に，ＩＴＯ電極，チタニア誘電体層，ＩＴ
Ｏ電極を積層したコンデンサーを得た。
【００５７】（実施例８）実施例７のコンデンサーを，
酸化雰囲気下で，７００℃，１時間加熱し，多孔質基材
としての活性炭層を取り除き，基材側電極層としてのＩ
ＴＯ電極，チタニア誘電体層，対電極層としてのＩＴＯ
電極からなるコンデンサーを得た。
酸化雰囲気下で，７００℃，１時間加熱し，多孔質基材
としての活性炭層を取り除き，基材側電極層としてのＩ
ＴＯ電極，チタニア誘電体層，対電極層としてのＩＴＯ
電極からなるコンデンサーを得た。
【００５８】（実施例９）テトラエトキシ錫０．０６ｇ
とトリイソプロポキシインジウム０．９４ｇを，エタノ
ール１０重量部を含む超臨界二酸化炭素（温度１２０
℃，圧力２００気圧）に溶解し，水を含有させたシリカ
（比表面積８００ｍ2／ｇ）と接触させ反応させ，シリ
カ−非晶ＩＴＯ複合体を得た。
とトリイソプロポキシインジウム０．９４ｇを，エタノ
ール１０重量部を含む超臨界二酸化炭素（温度１２０
℃，圧力２００気圧）に溶解し，水を含有させたシリカ
（比表面積８００ｍ2／ｇ）と接触させ反応させ，シリ
カ−非晶ＩＴＯ複合体を得た。
【００５９】次に，この複合体に未硬化のエポキシ２重
量部を加え，良くなじませた。更に，窒素雰囲気下で８
００℃，１時間アニールし，ＩＴＯの結晶化とエポキシ
の炭化を進めた。これにより，ＩＴＯでコートしたシリ
カを，エポキシが炭化して生成した炭素で固めた，シリ
カ−ＩＴＯ複合体を得た。更に，マスキングのためテフ
ロン製テープを該複合体の突起部に巻き付けた。
量部を加え，良くなじませた。更に，窒素雰囲気下で８
００℃，１時間アニールし，ＩＴＯの結晶化とエポキシ
の炭化を進めた。これにより，ＩＴＯでコートしたシリ
カを，エポキシが炭化して生成した炭素で固めた，シリ
カ−ＩＴＯ複合体を得た。更に，マスキングのためテフ
ロン製テープを該複合体の突起部に巻き付けた。
【００６０】次に，チタニア（ＴｉＯ２）の反応前駆体
であるテトラブトキシチタン１ｇを，温度１２０℃，圧
力２４０気圧の超臨界二酸化炭素に溶解し，水を含有し
た上記シリカ−ＩＴＯ複合体を接触させ，ＩＴＯ表面に
チタニアをコートし，シリカ−ＩＴＯ−非晶質チタニア
複合体を作製した。更に，マスキングのテフロンテープ
を外した後，この複合体を窒素雰囲気下で，１０００
℃，１時間アニールし，シリカ−ＩＴＯ−結晶チタニア
複合体を得た。
であるテトラブトキシチタン１ｇを，温度１２０℃，圧
力２４０気圧の超臨界二酸化炭素に溶解し，水を含有し
た上記シリカ−ＩＴＯ複合体を接触させ，ＩＴＯ表面に
チタニアをコートし，シリカ−ＩＴＯ−非晶質チタニア
複合体を作製した。更に，マスキングのテフロンテープ
を外した後，この複合体を窒素雰囲気下で，１０００
℃，１時間アニールし，シリカ−ＩＴＯ−結晶チタニア
複合体を得た。
【００６１】次に，この複合体の突起部に，再びマスキ
ングのテフロンテープを巻きつけ，更に水を含有させ
た。次に，テトラエトキシ錫０．０６ｇとトリイソプロ
ポキシインジウム０．９４ｇを，エタノールを１０重量
部含む超臨界二酸化炭素（温度１２０℃，圧力２００気
圧）に溶解し，上記シリカ−ＩＴＯ−結晶チタニア複合
体を接触させ，シリカ上に，ＩＴＯ層，結晶チタニア
層，非晶質ＩＴＯ層を積層した多層体を得た。更に，こ
の多層体から再びマスキングのテフロンテープを取り外
した後，窒素雰囲気下で，６００℃，１時間アニール
し，シリカ上に，ＩＴＯ電極，チタニア誘電体層，ＩＴ
Ｏ電極を積層したコンデンサーを得た。
ングのテフロンテープを巻きつけ，更に水を含有させ
た。次に，テトラエトキシ錫０．０６ｇとトリイソプロ
ポキシインジウム０．９４ｇを，エタノールを１０重量
部含む超臨界二酸化炭素（温度１２０℃，圧力２００気
圧）に溶解し，上記シリカ−ＩＴＯ−結晶チタニア複合
体を接触させ，シリカ上に，ＩＴＯ層，結晶チタニア
層，非晶質ＩＴＯ層を積層した多層体を得た。更に，こ
の多層体から再びマスキングのテフロンテープを取り外
した後，窒素雰囲気下で，６００℃，１時間アニール
し，シリカ上に，ＩＴＯ電極，チタニア誘電体層，ＩＴ
Ｏ電極を積層したコンデンサーを得た。
【００６２】（比較例１）本例は，誘電体層形成工程と
して液相法を用いた例である。その他は，実施例１と同
じ条件で，コンデンサーを作製した。即ち，実施例１と
同様の手法でＣ／Ｃコンポジット製活性炭基材を得た。
更に，マスキングのためテフロン製テープを活性炭基材
の突起部に巻き付けた。
して液相法を用いた例である。その他は，実施例１と同
じ条件で，コンデンサーを作製した。即ち，実施例１と
同様の手法でＣ／Ｃコンポジット製活性炭基材を得た。
更に，マスキングのためテフロン製テープを活性炭基材
の突起部に巻き付けた。
【００６３】次に，水を含有した上記活性炭基材を，テ
トラブトキシチタン１ｇを含むエタノール溶液に浸漬
し，活性炭基材表面にチタニアをコートし，非晶質チタ
ニア活性炭複合体を作製した。処理温度は１２０℃とし
た。更に，マスキングのテフロンテープを外した後，こ
の複合体を窒素雰囲気下で，１０００℃，１時間アニー
ルし，結晶チタニア−活性炭複合体を得た。最後に，実
施例１と同じ条件で，対電極層を形成し，導電性多孔質
基材としての活性炭上に，チタニア誘電体層，対電極層
としてのＩＴＯ電極を積層したコンデンサーを得た。
トラブトキシチタン１ｇを含むエタノール溶液に浸漬
し，活性炭基材表面にチタニアをコートし，非晶質チタ
ニア活性炭複合体を作製した。処理温度は１２０℃とし
た。更に，マスキングのテフロンテープを外した後，こ
の複合体を窒素雰囲気下で，１０００℃，１時間アニー
ルし，結晶チタニア−活性炭複合体を得た。最後に，実
施例１と同じ条件で，対電極層を形成し，導電性多孔質
基材としての活性炭上に，チタニア誘電体層，対電極層
としてのＩＴＯ電極を積層したコンデンサーを得た。
【００６４】次に，上記実施例１〜９，及び比較例に示
した各コンデンサーにおいて，誘電体層をコートした多
孔質基材の比表面積，即ち誘電体層の比表面積および各
コンデンサーの容量を表１に示す。表１より知られるご
とく，液相法を用いた比較例では，誘電体層をコートし
た多孔質基材の比表面積は，導電性多孔質基材が実施例
１と同じであるにも拘わらず，大幅に減少している（実
施例１と比較）。これは，活性炭の細孔を誘電体層が塞
いだためと思われる。
した各コンデンサーにおいて，誘電体層をコートした多
孔質基材の比表面積，即ち誘電体層の比表面積および各
コンデンサーの容量を表１に示す。表１より知られるご
とく，液相法を用いた比較例では，誘電体層をコートし
た多孔質基材の比表面積は，導電性多孔質基材が実施例
１と同じであるにも拘わらず，大幅に減少している（実
施例１と比較）。これは，活性炭の細孔を誘電体層が塞
いだためと思われる。
【００６５】これに対し，実施例１〜９では，いずれも
大きな比表面積を示した。これは，細孔を塞ぐことな
く，細孔内部までコートできたためと思われる。また，
実施例１〜９は，誘電体層の比表面積が３．５×１０8
ｍ2／ｍ3以上と大きいため，コンデンサー容量は２．３
ｍＡｈ／ｇ以上と大きく，比較例に比べて１００倍以上
のコンデンサー容量を示している。
大きな比表面積を示した。これは，細孔を塞ぐことな
く，細孔内部までコートできたためと思われる。また，
実施例１〜９は，誘電体層の比表面積が３．５×１０8
ｍ2／ｍ3以上と大きいため，コンデンサー容量は２．３
ｍＡｈ／ｇ以上と大きく，比較例に比べて１００倍以上
のコンデンサー容量を示している。
【００６６】
【表１】
【００６７】実施形態例２ 本例は，図３，上記実施例１の図２に示すごとく，本発
明にかかるコンデンサーの製造方法及びそれにより得ら
れたコンデンサーの要部断面状態を示すものである。図
３は，図２に示す導電性多孔質基材１１−誘電体層２−
対電極層３３からなるコンデンサーの製造方法を示すフ
ローチャートである。これにより，上記図２に示したご
とき表面を有するコンデンサー１が得られる。このもの
は，例えば上記実施例１に対応する。
明にかかるコンデンサーの製造方法及びそれにより得ら
れたコンデンサーの要部断面状態を示すものである。図
３は，図２に示す導電性多孔質基材１１−誘電体層２−
対電極層３３からなるコンデンサーの製造方法を示すフ
ローチャートである。これにより，上記図２に示したご
とき表面を有するコンデンサー１が得られる。このもの
は，例えば上記実施例１に対応する。
【００６８】実施形態例３ 本例は，図４，図５に示すごとく，本発明にかかるコン
デンサーの他の製造方法及びそれにより得られたコンデ
ンサーの要部断面状態を示すものである。図４は，図５
に示す多孔質基材１１−基材側電極層３２−誘電体層２
−対電極層３３からなるコンデンサーの製造方法を示す
フローチャートである。これにより，上記図５に示した
ごとき表面を有するコンデンサー１０が得られる。この
ものは，例えば上記実施例７に対応する。
デンサーの他の製造方法及びそれにより得られたコンデ
ンサーの要部断面状態を示すものである。図４は，図５
に示す多孔質基材１１−基材側電極層３２−誘電体層２
−対電極層３３からなるコンデンサーの製造方法を示す
フローチャートである。これにより，上記図５に示した
ごとき表面を有するコンデンサー１０が得られる。この
ものは，例えば上記実施例７に対応する。
【００６９】実施形態例４ 本例は，図６，図７に示すごとく，本発明にかかるコン
デンサーの更に他の製造方法及びそれにより得られたコ
ンデンサーの要部断面状態を示すものである。図６は，
図７に示す，基材側電極層３２−誘電体層２−対電極層
３３からなるコンデンサーの製造方法を示すフローチャ
ートである。これにより，上記図７に示したごとき表面
を有するコンデンサー１００が得られる。このものは，
例えば上記実施例８に対応する。
デンサーの更に他の製造方法及びそれにより得られたコ
ンデンサーの要部断面状態を示すものである。図６は，
図７に示す，基材側電極層３２−誘電体層２−対電極層
３３からなるコンデンサーの製造方法を示すフローチャ
ートである。これにより，上記図７に示したごとき表面
を有するコンデンサー１００が得られる。このものは，
例えば上記実施例８に対応する。
【００７０】
【発明の効果】上述のごとく，本発明によれば，高いコ
ンデンサー容量を有する，コンデンサー及びその製造方
法を提供することができる。
ンデンサー容量を有する，コンデンサー及びその製造方
法を提供することができる。
【図１】実施例１における活性炭基材の（Ａ）平面図，
（Ｂ）側面図。
（Ｂ）側面図。
【図２】実施例１における導電性多孔質基材−誘電体層
−対電極層からなるコンデンサーの表面部分の説明図。
−対電極層からなるコンデンサーの表面部分の説明図。
【図３】実施形態例２における導電性多孔質基材−誘電
体層−対電極層からなるコンデンサーの製造方法を示す
フローチャート。
体層−対電極層からなるコンデンサーの製造方法を示す
フローチャート。
【図４】実施形態例３における導電性多孔質基材−多孔
質基材−基材側電極層からなるコンデンサーの製造方法
を示すフローチャート。
質基材−基材側電極層からなるコンデンサーの製造方法
を示すフローチャート。
【図５】実施形態例３における多孔質基材−基材側電極
層−誘電体層−対電極層からなるコンデンサーの説明
図。
層−誘電体層−対電極層からなるコンデンサーの説明
図。
【図６】実施形態例４における基材側電極層−誘電体層
−対電極層からなるコンデンサーの製造方法を示すフロ
ーチャート。
−対電極層からなるコンデンサーの製造方法を示すフロ
ーチャート。
【図７】実施形態例４における基材側電極層−誘電体層
−対電極層からなるコンデンサーの説明図。
−対電極層からなるコンデンサーの説明図。
１．．．コンデンサー， １１．．．導電性多孔質基材， ２．．．誘電体層， ３２．．．基材側電極層， ３３．．．対電極層，
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小島 由継 愛知県愛知郡長久手町大字長湫字横道41番 地の１ 株式会社豊田中央研究所内 (72)発明者 福嶋 喜章 愛知県愛知郡長久手町大字長湫字横道41番 地の１ 株式会社豊田中央研究所内 (72)発明者 上垣外 修己 愛知県愛知郡長久手町大字長湫字横道41番 地の１ 株式会社豊田中央研究所内
Claims (4)
- 【請求項１】 比表面積が１×１０８ｍ2／ｍ3以上であ
る誘電体層を有することを特徴とするコンデンサー。 - 【請求項２】 導電性多孔質基材の表面に誘電体層を形
成する工程と，該誘電体層の上に対電極層を被覆する工
程とを行ない，導電性多孔質基材と誘電体層と対電極層
とよりなるコンデンサーを得ることを特徴とするコンデ
ンサーの製造方法。 - 【請求項３】 多孔質基材の表面に基材側電極層を形成
する工程と，該基材側電極層の上に誘電体層を形成する
工程と，該誘電体層の上に対電極層を形成する工程とを
行ない，多孔質基材と基材側電極層と誘電体層と対電極
層とよりなるコンデンサーを得ることを特徴とするコン
デンサーの製造方法。 - 【請求項４】 請求項３において，上記対電極層を形成
する工程の後に，上記多孔質基材を除去する工程を行な
い，基材側電極層と誘電体層と対電極層とよりなるコン
デンサーを得ることを特徴とするコンデンサーの製造方
法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14314398A JP3644251B2 (ja) | 1998-05-25 | 1998-05-25 | コンデンサーの製造方法 |
| EP98940586A EP0934819A4 (en) | 1997-08-27 | 1998-08-26 | COATED BODY AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME |
| PCT/JP1998/003822 WO1999010167A1 (en) | 1997-08-27 | 1998-08-26 | Coated object and process for producing the same |
| US09/297,051 US6194650B1 (en) | 1997-08-27 | 1998-08-26 | Coated object and process for producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14314398A JP3644251B2 (ja) | 1998-05-25 | 1998-05-25 | コンデンサーの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11340091A true JPH11340091A (ja) | 1999-12-10 |
| JP3644251B2 JP3644251B2 (ja) | 2005-04-27 |
Family
ID=15331944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14314398A Expired - Fee Related JP3644251B2 (ja) | 1997-08-27 | 1998-05-25 | コンデンサーの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3644251B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006225211A (ja) * | 2005-02-18 | 2006-08-31 | Dainippon Printing Co Ltd | 多孔質体 |
| EP2073225A1 (en) * | 2007-12-18 | 2009-06-24 | General Electric Company | High capacitance film capacitor system and method for manufacturing the same |
| WO2009125620A1 (ja) | 2008-04-08 | 2009-10-15 | 株式会社村田製作所 | コンデンサおよびその製造方法 |
| JP5195921B2 (ja) * | 2008-12-25 | 2013-05-15 | 株式会社村田製作所 | セラミック体の製造方法 |
| WO2017026247A1 (ja) * | 2015-08-12 | 2017-02-16 | 株式会社村田製作所 | コンデンサおよびその製造方法 |
| JPWO2015118901A1 (ja) * | 2014-02-07 | 2017-03-23 | 株式会社村田製作所 | コンデンサ |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101912286B1 (ko) | 2017-03-27 | 2018-10-29 | 삼성전기 주식회사 | 커패시터 부품 |
-
1998
- 1998-05-25 JP JP14314398A patent/JP3644251B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006225211A (ja) * | 2005-02-18 | 2006-08-31 | Dainippon Printing Co Ltd | 多孔質体 |
| EP2073225A1 (en) * | 2007-12-18 | 2009-06-24 | General Electric Company | High capacitance film capacitor system and method for manufacturing the same |
| US7852611B2 (en) | 2007-12-18 | 2010-12-14 | General Electric Company | High capacitance film capacitor system and method for manufacturing the same |
| WO2009125620A1 (ja) | 2008-04-08 | 2009-10-15 | 株式会社村田製作所 | コンデンサおよびその製造方法 |
| JPWO2009125620A1 (ja) * | 2008-04-08 | 2011-08-04 | 株式会社村田製作所 | コンデンサおよびその製造方法 |
| JP5012996B2 (ja) * | 2008-04-08 | 2012-08-29 | 株式会社村田製作所 | コンデンサおよびその製造方法 |
| JP5195921B2 (ja) * | 2008-12-25 | 2013-05-15 | 株式会社村田製作所 | セラミック体の製造方法 |
| US8448313B2 (en) | 2008-12-25 | 2013-05-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for producing ceramic body |
| JPWO2015118901A1 (ja) * | 2014-02-07 | 2017-03-23 | 株式会社村田製作所 | コンデンサ |
| US10186383B2 (en) | 2014-02-07 | 2019-01-22 | Murata Manufacturing Co., Ltd | Capacitor |
| WO2017026247A1 (ja) * | 2015-08-12 | 2017-02-16 | 株式会社村田製作所 | コンデンサおよびその製造方法 |
| CN107851515A (zh) * | 2015-08-12 | 2018-03-27 | 株式会社村田制作所 | 电容器及其制造方法 |
| JPWO2017026247A1 (ja) * | 2015-08-12 | 2018-05-24 | 株式会社村田製作所 | コンデンサおよびその製造方法 |
| CN107851515B (zh) * | 2015-08-12 | 2019-09-24 | 株式会社村田制作所 | 电容器及其制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3644251B2 (ja) | 2005-04-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI270326B (en) | Thin film dielectrics for capacitors and methods of making thereof | |
| US10943733B2 (en) | Ceramic dielectric and method of manufacturing the same and ceramic electronic component and electronic device | |
| WO2008064035A1 (en) | Method of forming a structure having a high dielectric constant and a structure having a high dielectric constant | |
| EP1316976A1 (en) | Dielectric structure for solid capacitor and method for making it | |
| JP2006140454A (ja) | コンデンサ構造 | |
| EP1599887A2 (en) | Barium stronium titanate containing multilayer structures on metal foils | |
| JPH06158328A (ja) | 酸化物系誘電体薄膜用ｃｖｄ原料およびメモリー用キャパシタ | |
| JPH04230011A (ja) | 単一層コンデンサーの製造方法 | |
| JP2006093663A (ja) | 誘電体構造 | |
| JPH11340091A (ja) | コンデンサー及びその製造方法 | |
| Wu et al. | Preparation of (Ba0. 5Sr0. 5) TiO3 thin films by sol–gel method with rapid thermal annealing | |
| JP2000124056A (ja) | 薄膜積層コンデンサおよびその製造方法 | |
| JP2009242204A (ja) | ペロブスカイト構造酸化物の製造方法 | |
| CN104160456B (zh) | 导电性膜的形成方法 | |
| EP1770725B1 (en) | Dielectric film production process and capacitor | |
| JPH11163273A (ja) | 誘電体薄膜、誘電体キャパシタの製造方法、および誘電体メモリ | |
| WO2005085496A2 (en) | Ferroelectric thin film composites with improved top contact adhesion and devices containing the same | |
| CN101872680A (zh) | 电介质薄膜、薄膜电容器及其制作方法 | |
| Paik et al. | Ba titanate and barium/strontium titanate thin films from hydroxide precursors: Preparation and ferroelectric behavior | |
| Gao et al. | Hydrothermal syntheses of barium strontium titanate thin films | |
| JPH02270311A (ja) | 薄膜コンデンサ | |
| JP2009246242A (ja) | ペロブスカイト構造酸化物の製造方法 | |
| JPH1149600A (ja) | 層状ペロブスカイト膜の形成方法 | |
| CN100380540C (zh) | 介电结构 | |
| JP4058843B2 (ja) | セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040330 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040528 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050111 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050124 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090210 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090210 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100210 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100210 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110210 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110210 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120210 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120210 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130210 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130210 Year of fee payment: 8 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313532 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130210 Year of fee payment: 8 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130210 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |