JPH11340102A - アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 - Google Patents
アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法Info
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- JPH11340102A JPH11340102A JP10142694A JP14269498A JPH11340102A JP H11340102 A JPH11340102 A JP H11340102A JP 10142694 A JP10142694 A JP 10142694A JP 14269498 A JP14269498 A JP 14269498A JP H11340102 A JPH11340102 A JP H11340102A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 単位面積当たりの静電容量を増大させること
ができるとともに漏れ電流を低減させることができるア
ルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法を提供す
ることを目的とする。 【解決手段】 エッチング箔を酸素濃度が１０％以下の
雰囲気中で熱処理してから化成を行うようにすることに
より、化成処理によってエッチング箔の表面には薄くて
耐電圧を有する緻密な酸化皮膜が形成され、これにより
単位面積当たりの静電容量を増大し、漏れ電流を低減さ
せたアルミニウム電解コンデンサ用電極箔を得ることが
できる。
ができるとともに漏れ電流を低減させることができるア
ルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法を提供す
ることを目的とする。 【解決手段】 エッチング箔を酸素濃度が１０％以下の
雰囲気中で熱処理してから化成を行うようにすることに
より、化成処理によってエッチング箔の表面には薄くて
耐電圧を有する緻密な酸化皮膜が形成され、これにより
単位面積当たりの静電容量を増大し、漏れ電流を低減さ
せたアルミニウム電解コンデンサ用電極箔を得ることが
できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は各種電子機器に使用
されるアルミニウム電解コンデンサの中で、特に低圧用
のアルミニウム電解コンデンサに使用される電極箔を製
造する際に最適なアルミニウム電解コンデンサ用電極箔
の製造方法に関するものである。
されるアルミニウム電解コンデンサの中で、特に低圧用
のアルミニウム電解コンデンサに使用される電極箔を製
造する際に最適なアルミニウム電解コンデンサ用電極箔
の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のアルミニウム電解コンデ
ンサは、エッチング工程によって実効表面積を拡大させ
たアルミニウム箔の表面に化成工程により誘電体となる
酸化皮膜を形成し、そしてこの陽極となるアルミニウム
箔と陰極箔とをその間に介在させたセパレータとともに
巻回することによりコンデンサ素子を構成し、このコン
デンサ素子に駆動用電解液を含浸させ、そしてこのコン
デンサ素子を金属ケース内に封止することにより構成し
ているのものであった。
ンサは、エッチング工程によって実効表面積を拡大させ
たアルミニウム箔の表面に化成工程により誘電体となる
酸化皮膜を形成し、そしてこの陽極となるアルミニウム
箔と陰極箔とをその間に介在させたセパレータとともに
巻回することによりコンデンサ素子を構成し、このコン
デンサ素子に駆動用電解液を含浸させ、そしてこのコン
デンサ素子を金属ケース内に封止することにより構成し
ているのものであった。
【０００３】上記アルミニウム電解コンデンサにおける
アルミニウム箔のエッチング工程とは、アルミニウム箔
を塩化物溶液を主とした溶液中で化学的あるいは電気化
学的に腐食させることにより粗面化し、これを硝酸、硫
酸、リン酸などを用いてアルミニウム箔に付着した塩素
成分を除去する脱塩素処理を行ってからアルミニウム箔
の表面に水和皮膜を生成させ、これを乾燥後あるいは乾
燥なしでエッチングにより粗面化したアルミニウム箔の
表面に熱酸化皮膜を形成させるために熱処理を行い（特
開平４−２７９０１８号公報参照）、この熱処理後のエ
ッチングされたアルミニウム箔を巻き取った状態で次の
化成工程に移すようにしたものであった。なお、上記熱
処理によって熱酸化皮膜を形成するのは、次の化成工程
に生成する酸化皮膜への転化を促進するために行うもの
であり、大気中で行われているものであった。
アルミニウム箔のエッチング工程とは、アルミニウム箔
を塩化物溶液を主とした溶液中で化学的あるいは電気化
学的に腐食させることにより粗面化し、これを硝酸、硫
酸、リン酸などを用いてアルミニウム箔に付着した塩素
成分を除去する脱塩素処理を行ってからアルミニウム箔
の表面に水和皮膜を生成させ、これを乾燥後あるいは乾
燥なしでエッチングにより粗面化したアルミニウム箔の
表面に熱酸化皮膜を形成させるために熱処理を行い（特
開平４−２７９０１８号公報参照）、この熱処理後のエ
ッチングされたアルミニウム箔を巻き取った状態で次の
化成工程に移すようにしたものであった。なお、上記熱
処理によって熱酸化皮膜を形成するのは、次の化成工程
に生成する酸化皮膜への転化を促進するために行うもの
であり、大気中で行われているものであった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の製造方法では、エッチングされたアルミニウム箔を大
気中で熱処理するために熱処理雰囲気の酸素濃度の影響
が大きく、酸素濃度が多すぎると単位面積当たりの静電
容量をロスさせるだけでなく漏れ電流の増加にもつなが
るという課題があった。
の製造方法では、エッチングされたアルミニウム箔を大
気中で熱処理するために熱処理雰囲気の酸素濃度の影響
が大きく、酸素濃度が多すぎると単位面積当たりの静電
容量をロスさせるだけでなく漏れ電流の増加にもつなが
るという課題があった。
【０００５】また、熱処理の狙いは、エッチングされた
アルミニウム箔の表面に生成した水和皮膜中に残存する
結晶水を幾分か除去して熱酸化皮膜に転化することで化
成工程での酸化皮膜の促進へ寄与させると考えられる
が、この熱酸化皮膜への転化時に結晶水除去に伴う体積
収縮が起こり、このために熱酸化皮膜中に化成後の漏れ
電流の原因となる亀裂が生じる。
アルミニウム箔の表面に生成した水和皮膜中に残存する
結晶水を幾分か除去して熱酸化皮膜に転化することで化
成工程での酸化皮膜の促進へ寄与させると考えられる
が、この熱酸化皮膜への転化時に結晶水除去に伴う体積
収縮が起こり、このために熱酸化皮膜中に化成後の漏れ
電流の原因となる亀裂が生じる。
【０００６】この時に酸素濃度が多すぎると、その亀裂
から雰囲気中の酸化がアルミニウム箔の表面に達し、ア
ルミニウム箔の表面で余分な熱酸化皮膜を生成しやすく
なり、この余分な熱酸化皮膜は、無定形酸化皮膜の生
成、熱酸化皮膜への変化、体積収縮による亀裂の発生が
順に繰り返されながら成長するため、熱酸化皮膜中の亀
裂が増加し過ぎて化成後の漏れ電流が増大し、期待され
るような静電容量を十分に得ることができないという課
題を有したものであった。
から雰囲気中の酸化がアルミニウム箔の表面に達し、ア
ルミニウム箔の表面で余分な熱酸化皮膜を生成しやすく
なり、この余分な熱酸化皮膜は、無定形酸化皮膜の生
成、熱酸化皮膜への変化、体積収縮による亀裂の発生が
順に繰り返されながら成長するため、熱酸化皮膜中の亀
裂が増加し過ぎて化成後の漏れ電流が増大し、期待され
るような静電容量を十分に得ることができないという課
題を有したものであった。
【０００７】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、従来より大きな静電容量が得られて漏れ電流を低減
させることができるアルミニウム電解コンデンサ用電極
箔の製造方法を提供することを目的とするものである。
で、従来より大きな静電容量が得られて漏れ電流を低減
させることができるアルミニウム電解コンデンサ用電極
箔の製造方法を提供することを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明のアルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造
方法は、エッチング箔を酸素濃度が１０％以下の雰囲気
中で熱処理してから化成を行うようにしたものであり、
この製造方法により化成工程での酸化皮膜の促進に寄与
し、大きな静電容量と漏れ電流の低減を図った優れたア
ルミニウム電解コンデンサ用電極箔を得ることができ
る。
に本発明のアルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造
方法は、エッチング箔を酸素濃度が１０％以下の雰囲気
中で熱処理してから化成を行うようにしたものであり、
この製造方法により化成工程での酸化皮膜の促進に寄与
し、大きな静電容量と漏れ電流の低減を図った優れたア
ルミニウム電解コンデンサ用電極箔を得ることができ
る。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、アルミニウム箔の表面をエッチングにより粗面化
し、続いてこのエッチングされたエッチング箔に付着し
た塩素成分を除去し、さらに表面に水和皮膜を形成した
後、このエッチング箔を酸素濃度が１０％以下の雰囲気
中で熱処理してから化成を行うようにしたもので、この
製造方法によれば、熱処理による余分な熱酸化皮膜は生
成しなくなるだけでなく、熱酸化皮膜の生成に伴う亀裂
が生じても、酸化濃度が適度にあるために熱酸化皮膜中
に生じる亀裂を埋める効果がある。その結果、化成工程
により上記エッチング箔の表面には薄くて耐電圧を有す
る緻密な酸化皮膜を形成されることになり、この電極箔
は単位面積当たりの静電容量を増大させることができる
とともに、漏れ電流を低減させることができるという作
用を有する。
は、アルミニウム箔の表面をエッチングにより粗面化
し、続いてこのエッチングされたエッチング箔に付着し
た塩素成分を除去し、さらに表面に水和皮膜を形成した
後、このエッチング箔を酸素濃度が１０％以下の雰囲気
中で熱処理してから化成を行うようにしたもので、この
製造方法によれば、熱処理による余分な熱酸化皮膜は生
成しなくなるだけでなく、熱酸化皮膜の生成に伴う亀裂
が生じても、酸化濃度が適度にあるために熱酸化皮膜中
に生じる亀裂を埋める効果がある。その結果、化成工程
により上記エッチング箔の表面には薄くて耐電圧を有す
る緻密な酸化皮膜を形成されることになり、この電極箔
は単位面積当たりの静電容量を増大させることができる
とともに、漏れ電流を低減させることができるという作
用を有する。
【００１０】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の発明において、熱処理の雰囲気が、酸素とアルゴン、
窒素、水素、二酸化炭素、一酸化炭素のうちの少なくと
も１種類以上の混合気体としたもので、これにより、ア
ルミニウムと反応しにくい気体を用いるためにエッチン
グ箔の表面で余分な熱酸化皮膜が増加しなくなり、さら
に高い静電容量が得られるという作用を有する。
の発明において、熱処理の雰囲気が、酸素とアルゴン、
窒素、水素、二酸化炭素、一酸化炭素のうちの少なくと
も１種類以上の混合気体としたもので、これにより、ア
ルミニウムと反応しにくい気体を用いるためにエッチン
グ箔の表面で余分な熱酸化皮膜が増加しなくなり、さら
に高い静電容量が得られるという作用を有する。
【００１１】請求項３に記載の発明は、請求項１に記載
の発明において、熱処理の温度を３００〜５７０℃と
し、かつ処理時間を０．００４〜１０時間としたもの
で、これにより、水和皮膜中の結晶水を幾分か除去して
熱酸化皮膜に転化し、この熱酸化皮膜が化成皮膜の促進
へ寄与するためにさらに高い静電容量が得られるという
作用を有する。
の発明において、熱処理の温度を３００〜５７０℃と
し、かつ処理時間を０．００４〜１０時間としたもの
で、これにより、水和皮膜中の結晶水を幾分か除去して
熱酸化皮膜に転化し、この熱酸化皮膜が化成皮膜の促進
へ寄与するためにさらに高い静電容量が得られるという
作用を有する。
【００１２】以下、本発明の実施の形態を従来例を比較
例として共に説明する。 （実施の形態１） エッチング工程：純度９９．９８％、厚み１００μｍ
のアルミニウム箔を塩酸７％、リン酸０．５％、硝酸１
％の水溶液からなる温度３０℃のエッチング液中に浸漬
し、正弦交流電流で電流密度０．２Ａ／cm2、電気量１
２０Ｃ／cm2のエッチングを行った。
例として共に説明する。 （実施の形態１） エッチング工程：純度９９．９８％、厚み１００μｍ
のアルミニウム箔を塩酸７％、リン酸０．５％、硝酸１
％の水溶液からなる温度３０℃のエッチング液中に浸漬
し、正弦交流電流で電流密度０．２Ａ／cm2、電気量１
２０Ｃ／cm2のエッチングを行った。
【００１３】脱塩素処理：７％硝酸水溶液、液温６０
℃中に１分間浸漬して脱塩素処理行った。
℃中に１分間浸漬して脱塩素処理行った。
【００１４】水和処理：純水、液温７０℃中に３分間
浸漬して水和処理を行った。 乾燥：大気中２００℃で８分間乾燥を行った。
浸漬して水和処理を行った。 乾燥：大気中２００℃で８分間乾燥を行った。
【００１５】アルゴンガス中の酸素濃度がそれぞれ
５，７，１０，１３，１５，１８，２１％となる混合気
体中で３５０℃、０．５時間の熱処理を行った。
５，７，１０，１３，１５，１８，２１％となる混合気
体中で３５０℃、０．５時間の熱処理を行った。
【００１６】上記実施の形態１で得られたエッチング箔
と比較例として実施の形態１の〜まで行ったエッチ
ング箔とを、５％アジピン酸アルモニウム水溶液、液温
７０℃中で４５Ｖの定電流化成を行い、それらの単位面
積当たりの静電容量と漏れ電流を測定した結果を（表
１）に示す。
と比較例として実施の形態１の〜まで行ったエッチ
ング箔とを、５％アジピン酸アルモニウム水溶液、液温
７０℃中で４５Ｖの定電流化成を行い、それらの単位面
積当たりの静電容量と漏れ電流を測定した結果を（表
１）に示す。
【００１７】
【表１】
【００１８】（表１）から明らかなように、酸素濃度を
１０％以下にすることで比較例に比べ静電容量を高める
と共に漏れ電流も低減することができる。
１０％以下にすることで比較例に比べ静電容量を高める
と共に漏れ電流も低減することができる。
【００１９】（実施の形態２） エッチング工程：実施の形態１と同じ。
【００２０】脱塩素処理：実施の形態１と同じ。 水和処理：実施の形態１と同じ。
【００２１】乾燥：実施の形態１と同じ。 熱処理雰囲気が、酸素とアルゴン、窒素、水素、二酸
化炭素、一酸化炭素のうちの少なくとも１種類以上とし
た混合気体中で４００℃、１時間の熱処理を行った。
化炭素、一酸化炭素のうちの少なくとも１種類以上とし
た混合気体中で４００℃、１時間の熱処理を行った。
【００２２】上記実施の形態２で得られたエッチング箔
と比較例として実施の形態２の〜まで行ったエッチ
ング箔とを５％アジピン酸アンモニウム水溶液、液温７
０℃中で４５Ｖの定電流化成を行い、それらの単位面積
当たりの静電容量と漏れ電流を測定した結果を（表２）
に示す。
と比較例として実施の形態２の〜まで行ったエッチ
ング箔とを５％アジピン酸アンモニウム水溶液、液温７
０℃中で４５Ｖの定電流化成を行い、それらの単位面積
当たりの静電容量と漏れ電流を測定した結果を（表２）
に示す。
【００２３】
【表２】
【００２４】（表２）から明らかなように、熱処理雰囲
気が、酸素とアルゴン、窒素、水素、二酸化炭素、一酸
化炭素のうちの少なくとも１種類以上とした混合気体中
であれば、比較例に比べ静電容量を高めると共に漏れ電
流も低減することができる。
気が、酸素とアルゴン、窒素、水素、二酸化炭素、一酸
化炭素のうちの少なくとも１種類以上とした混合気体中
であれば、比較例に比べ静電容量を高めると共に漏れ電
流も低減することができる。
【００２５】（実施の形態３） エッチング工程：実施の形態１と同じ。
【００２６】脱塩素処理：実施の形態１と同じ。 水和処理：実施の形態１と同じ。
【００２７】乾燥：実施の形態１と同じ。 窒素濃度９６％、水素濃度３％および酸素濃度１％の
混合気体中で処理時間０，０．００４，０．１，１，１
０，１５時間で４００℃で熱処理を行った。
混合気体中で処理時間０，０．００４，０．１，１，１
０，１５時間で４００℃で熱処理を行った。
【００２８】上記実施の形態３で得られたエッチング箔
を５％アジピン酸アンモニウム水溶液、液温７０℃中で
４５Ｖの定電流化成を行い、それらの単位面積当たりの
静電容量と漏れ電流を測定した結果を（表３）に示す。
を５％アジピン酸アンモニウム水溶液、液温７０℃中で
４５Ｖの定電流化成を行い、それらの単位面積当たりの
静電容量と漏れ電流を測定した結果を（表３）に示す。
【００２９】
【表３】
【００３０】（表３）から明らかなように、熱処理の処
理時間は０．００４〜１０時間であれば比較例に比べ静
電容量を高めると共に漏れ電流も低減することができ
る。
理時間は０．００４〜１０時間であれば比較例に比べ静
電容量を高めると共に漏れ電流も低減することができ
る。
【００３１】（実施の形態４） エッチング工程：実施の形態１と同じ。
【００３２】脱塩素処理：実施の形態１と同じ。 水和処理：実施の形態１と同じ。
【００３３】乾燥：実施の形態１と同じ。 一酸化酸素濃度９５％と酸素濃度５％の混合気体中で
１００，２００，３００，４００，５７０℃で０．５時
間の熱処理を行った。
１００，２００，３００，４００，５７０℃で０．５時
間の熱処理を行った。
【００３４】上記実施の形態４で得られたエッチング箔
と比較例として実施の形態４の〜まで行ったエッチ
ング箔とを、５％アジピン酸アンモニウム水溶液、液温
７０℃中で４５Ｖの定電流化成を行い、それらの単位面
積当たりの静電容量と漏れ電流を測定した結果を（表
４）に示す。
と比較例として実施の形態４の〜まで行ったエッチ
ング箔とを、５％アジピン酸アンモニウム水溶液、液温
７０℃中で４５Ｖの定電流化成を行い、それらの単位面
積当たりの静電容量と漏れ電流を測定した結果を（表
４）に示す。
【００３５】
【表４】
【００３６】（表４）から明らかなように、熱処理の処
理温度は３００℃未満では効果が無く、５７０℃以上で
はアルミニウムの溶解が起こるため、３００〜５７０℃
であれば比較例に比べ静電容量を高めると共に漏れ電流
も低減することができる。
理温度は３００℃未満では効果が無く、５７０℃以上で
はアルミニウムの溶解が起こるため、３００〜５７０℃
であれば比較例に比べ静電容量を高めると共に漏れ電流
も低減することができる。
【００３７】
【発明の効果】以上のように本発明のアルミニウム電解
コンデンサ用電極箔の製造方法によれば、エッチング箔
を酸素濃度が１０％以下の雰囲気中で熱処理してから化
成を行うようにすることにより、熱処理による余分な熱
酸化皮膜は生成しなくなるだけでなく、熱酸化皮膜の生
成に伴う亀裂が生じても、酸素濃度が適度にあるために
熱酸化皮膜中に生じる亀裂を埋める効果がある。その結
果、化成処理により上記エッチング箔の表面には薄くて
耐電圧を有する緻密な酸化皮膜が形成されることにな
り、この電極箔は単位面積当たりの静電容量を増大させ
ることができるとともに、漏れ電流を低減させることが
できるものである。
コンデンサ用電極箔の製造方法によれば、エッチング箔
を酸素濃度が１０％以下の雰囲気中で熱処理してから化
成を行うようにすることにより、熱処理による余分な熱
酸化皮膜は生成しなくなるだけでなく、熱酸化皮膜の生
成に伴う亀裂が生じても、酸素濃度が適度にあるために
熱酸化皮膜中に生じる亀裂を埋める効果がある。その結
果、化成処理により上記エッチング箔の表面には薄くて
耐電圧を有する緻密な酸化皮膜が形成されることにな
り、この電極箔は単位面積当たりの静電容量を増大させ
ることができるとともに、漏れ電流を低減させることが
できるものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｃ２２Ｆ 1/00 ６９１ Ｃ２２Ｆ 1/00 ６９１Ｃ
Claims (3)
- 【請求項１】 アルミニウム箔の表面をエッチングによ
り粗面化し、続いてこのエッチングされたエッチング箔
に付着した塩素成分を除去し、さらに表面に水和皮膜を
形成した後、このエッチング箔を酸素濃度が１０％以下
の雰囲気中で熱処理してから化成を行うようにしたアル
ミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法。 - 【請求項２】 熱処理の雰囲気が、酸素とアルゴン、窒
素、水素、二酸化炭素、一酸化炭素のうち少なくとも１
種類以上の混合気体である請求項１に記載のアルミニウ
ム電解コンデンサ用電極箔の製造方法。 - 【請求項３】 熱処理の温度を３００〜５７０℃とし、
かつ処理時間を０．００４〜１０時間とした請求項１に
記載のアルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14269498A JP3480311B2 (ja) | 1998-05-25 | 1998-05-25 | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14269498A JP3480311B2 (ja) | 1998-05-25 | 1998-05-25 | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11340102A true JPH11340102A (ja) | 1999-12-10 |
| JP3480311B2 JP3480311B2 (ja) | 2003-12-15 |
Family
ID=15321374
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14269498A Expired - Lifetime JP3480311B2 (ja) | 1998-05-25 | 1998-05-25 | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3480311B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002198265A (ja) * | 2000-12-26 | 2002-07-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電解コンデンサ用電極箔の製造方法およびこれを用いた電解コンデンサ |
| WO2004070749A1 (ja) * | 2003-02-07 | 2004-08-19 | Showa Denko K.K. | コンデンサおよび該コンデンサの製造方法 |
| JP2006108395A (ja) * | 2004-10-06 | 2006-04-20 | Nichicon Corp | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
| CN100578701C (zh) | 2003-10-20 | 2010-01-06 | 昭和电工株式会社 | 电容器的制造方法 |
| CN115148501A (zh) * | 2022-07-15 | 2022-10-04 | 新疆众和股份有限公司 | 热压箔及其制备方法、电极以及电容器 |
-
1998
- 1998-05-25 JP JP14269498A patent/JP3480311B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002198265A (ja) * | 2000-12-26 | 2002-07-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電解コンデンサ用電極箔の製造方法およびこれを用いた電解コンデンサ |
| WO2004070749A1 (ja) * | 2003-02-07 | 2004-08-19 | Showa Denko K.K. | コンデンサおよび該コンデンサの製造方法 |
| KR101049431B1 (ko) | 2003-02-07 | 2011-07-15 | 쇼와 덴코 가부시키가이샤 | 콘덴서 및 그 콘덴서의 제조방법 |
| CN100578701C (zh) | 2003-10-20 | 2010-01-06 | 昭和电工株式会社 | 电容器的制造方法 |
| JP2006108395A (ja) * | 2004-10-06 | 2006-04-20 | Nichicon Corp | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
| CN115148501A (zh) * | 2022-07-15 | 2022-10-04 | 新疆众和股份有限公司 | 热压箔及其制备方法、电极以及电容器 |
| CN115148501B (zh) * | 2022-07-15 | 2023-10-03 | 新疆众和股份有限公司 | 热压箔及其制备方法、电极以及电容器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3480311B2 (ja) | 2003-12-15 |
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