JPH11340156A - ２重壁反応室 - Google Patents
２重壁反応室Info
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- JPH11340156A JPH11340156A JP11072437A JP7243799A JPH11340156A JP H11340156 A JPH11340156 A JP H11340156A JP 11072437 A JP11072437 A JP 11072437A JP 7243799 A JP7243799 A JP 7243799A JP H11340156 A JPH11340156 A JP H11340156A
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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- C30B31/10—Reaction chambers; Selection of materials therefor
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 容易に排出可能であり、その製造中に疲労破
断の危険性を減少して製造できる２重壁の反応室構造を
提供する。 【解決手段】２重壁反応室体は、円筒状内壁２とそれに
軸方向に平行な円筒状外壁８とを含み、内壁２がその外
面に厚い環状の接合フランジ部分を有する環状接合部を
有している。外壁８の下端部は厚い環状接合部の外面に
溶合されている。内壁２の外面と環状の接合フランジの
内面とが傾斜する環状の排出溝を下向きに傾斜する排出
口に形成させ、液体を接合部から排出させる。２重壁反
応室体は、円筒状内壁とそれに軸方向に平行な円筒状外
壁とを有している。
断の危険性を減少して製造できる２重壁の反応室構造を
提供する。 【解決手段】２重壁反応室体は、円筒状内壁２とそれに
軸方向に平行な円筒状外壁８とを含み、内壁２がその外
面に厚い環状の接合フランジ部分を有する環状接合部を
有している。外壁８の下端部は厚い環状接合部の外面に
溶合されている。内壁２の外面と環状の接合フランジの
内面とが傾斜する環状の排出溝を下向きに傾斜する排出
口に形成させ、液体を接合部から排出させる。２重壁反
応室体は、円筒状内壁とそれに軸方向に平行な円筒状外
壁とを有している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウェーハの熱
処理及び化学気相堆積法に使用される炉のための改良２
重壁のガラス製品体に関する。特に、この発明は単一の
２重壁のガラス製品に関するものであり、該ガラス製品
は、旋盤による製造と熱の疲労破断の危険性を減少させ
る２つの円筒状壁の接合を可能にすると共に本体からの
凝縮液、洗浄及びすすぎ液の排出を完全にさせるもので
ある。
処理及び化学気相堆積法に使用される炉のための改良２
重壁のガラス製品体に関する。特に、この発明は単一の
２重壁のガラス製品に関するものであり、該ガラス製品
は、旋盤による製造と熱の疲労破断の危険性を減少させ
る２つの円筒状壁の接合を可能にすると共に本体からの
凝縮液、洗浄及びすすぎ液の排出を完全にさせるもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェーハの被覆は、化学気相から
の堆積、酸化、及び他の過程により製造され、酸化及び
熱処理により変化され集積回路及び他の電子製品を形成
する。これらの過程は炉の反応室で行われ、該反応室は
高純度の石英のような不活性材料の１以上の壁により形
成されている。ウェーハは半導体製造過程の操作の間、
炉の反応室内に置かれている。
の堆積、酸化、及び他の過程により製造され、酸化及び
熱処理により変化され集積回路及び他の電子製品を形成
する。これらの過程は炉の反応室で行われ、該反応室は
高純度の石英のような不活性材料の１以上の壁により形
成されている。ウェーハは半導体製造過程の操作の間、
炉の反応室内に置かれている。
【０００３】これらのタイプの炉の１つが米国特許5,32
0,680及び5,618,351に示されているような縦型反応炉で
あり、その全内容がインコーポレイテッドレファレンス
されている。本発明の多くの面が横型及び他のタイプの
反応炉に有益であり、本発明は縦型炉のガラス製品に限
定されるものではないが、説明の明確化の目的のため、
この出願で説明されたガラス製品の実施例は縦型反応炉
に対してなされている。この出願では、ガラス製品の構
成部品及び組立品に関して上下方向になされた言及部分
は、縦型反応炉のガラス製品の基本的な動作方向の縦軸
に沿って組立てたガラス製品の構成部品に関してなされ
ており、縦型及び横型の両方向を含むいかなる方向のガ
ラス製品製造に適用することを意図しているものであ
る。
0,680及び5,618,351に示されているような縦型反応炉で
あり、その全内容がインコーポレイテッドレファレンス
されている。本発明の多くの面が横型及び他のタイプの
反応炉に有益であり、本発明は縦型炉のガラス製品に限
定されるものではないが、説明の明確化の目的のため、
この出願で説明されたガラス製品の実施例は縦型反応炉
に対してなされている。この出願では、ガラス製品の構
成部品及び組立品に関して上下方向になされた言及部分
は、縦型反応炉のガラス製品の基本的な動作方向の縦軸
に沿って組立てたガラス製品の構成部品に関してなされ
ており、縦型及び横型の両方向を含むいかなる方向のガ
ラス製品製造に適用することを意図しているものであ
る。
【０００４】縦型炉では、反応炉は石英又は他の不活性
材料の１組の同心の管又はシリンダにより形成でき、炉
で起こる反応に必要な高い温度においてその構造の完全
な形を保つようになっている。
材料の１組の同心の管又はシリンダにより形成でき、炉
で起こる反応に必要な高い温度においてその構造の完全
な形を保つようになっている。
【０００５】従来技術のデバイスの２重壁製造は重要な
洗浄の問題を示している。内部ガラス製品は使用中に堆
積した化学薬品で被覆されるようになり、特に繰り返さ
れる加熱及び冷却サイクル中に被覆が破片にされる時に
被覆材料からの汚染の危険にさらされる。したがって、
時々内部のガラス製品を除去及び洗浄する必要がある。
被覆は化学洗浄溶液器中でそれらを可溶性にすることに
より除去され、化学溶液が除去された後、残っている化
学薬品は消イオン水中で洗い落とされることにより除去
される。ガラス製品が再使用される前に、化学溶液とす
すぎ水の完全な除去が必要とされる。２重壁構造では、
特に壁接合部で化学溶液処理及び洗い落としの後の液体
残留物の除去は困難である。加熱炉又は長い期間大気中
でガラス製品を乾燥することが従来技術のデバイスでは
求められている。更に、低温サイクル作用中にガラス製
品の管内に形成される凝縮液が閉じ込められ、ガラス製
品の連続使用が妨げられ、継続的作用中にウェーハを汚
染する恐れがある。
洗浄の問題を示している。内部ガラス製品は使用中に堆
積した化学薬品で被覆されるようになり、特に繰り返さ
れる加熱及び冷却サイクル中に被覆が破片にされる時に
被覆材料からの汚染の危険にさらされる。したがって、
時々内部のガラス製品を除去及び洗浄する必要がある。
被覆は化学洗浄溶液器中でそれらを可溶性にすることに
より除去され、化学溶液が除去された後、残っている化
学薬品は消イオン水中で洗い落とされることにより除去
される。ガラス製品が再使用される前に、化学溶液とす
すぎ水の完全な除去が必要とされる。２重壁構造では、
特に壁接合部で化学溶液処理及び洗い落としの後の液体
残留物の除去は困難である。加熱炉又は長い期間大気中
でガラス製品を乾燥することが従来技術のデバイスでは
求められている。更に、低温サイクル作用中にガラス製
品の管内に形成される凝縮液が閉じ込められ、ガラス製
品の連続使用が妨げられ、継続的作用中にウェーハを汚
染する恐れがある。
【０００６】本体から起こる構造上の問題及び生産作業
のため石英管の単一の２重壁構造の生産は拘束されてい
た。液体排出のため、従来技術のデバイスは非同軸で軸
線から外れた構造で製作され、傾斜した排出面を提供し
ていた。その構造は手作業で組立て及び固定部品の溶接
をする必要があり、不均一な壁厚の不均一な溶接をもた
らしていた。構成部品が接合される点で、冷却中及び接
合部の疲労がアニールにより軽減される前の差別的な冷
却及び収縮は疲労破断を引き起こす。ガス分配管は高い
炉温度の重力下での曲げ又は他のゆがみに耐える構造上
の完全性を有さず、室内の多数箇所から反応ガス注入用
の多数の管の使用が求められるので、ガス分配管は一般
に縦に一直線に並べられていた。
のため石英管の単一の２重壁構造の生産は拘束されてい
た。液体排出のため、従来技術のデバイスは非同軸で軸
線から外れた構造で製作され、傾斜した排出面を提供し
ていた。その構造は手作業で組立て及び固定部品の溶接
をする必要があり、不均一な壁厚の不均一な溶接をもた
らしていた。構成部品が接合される点で、冷却中及び接
合部の疲労がアニールにより軽減される前の差別的な冷
却及び収縮は疲労破断を引き起こす。ガス分配管は高い
炉温度の重力下での曲げ又は他のゆがみに耐える構造上
の完全性を有さず、室内の多数箇所から反応ガス注入用
の多数の管の使用が求められるので、ガス分配管は一般
に縦に一直線に並べられていた。
【０００７】この形状の傾斜した排出面のガラス製品は
全ての部分を手作業で溶接することが求められ、不規則
な接合部及び不均一な溶接をもたらし、製品の構造上の
完全性を損ない、熱プロセッサの加熱及び冷却環境のサ
イクルで破断の問題がある。旋盤接合動作は旋盤上で接
合される構成部品のため一定の半径、同軸構造を必要と
するので、軸線を外れた構成部品の旋盤溶接はその構造
では不可能であった。
全ての部分を手作業で溶接することが求められ、不規則
な接合部及び不均一な溶接をもたらし、製品の構造上の
完全性を損ない、熱プロセッサの加熱及び冷却環境のサ
イクルで破断の問題がある。旋盤接合動作は旋盤上で接
合される構成部品のため一定の半径、同軸構造を必要と
するので、軸線を外れた構成部品の旋盤溶接はその構造
では不可能であった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】容易に排出可能な２重
壁の反応室構造を提供することが本発明の１つの目的で
ある。その製造中に疲労破断の危険性を減少して製造で
きる２重壁の石英反応室構造を提供することが本発明の
別の目的である。高い炉温度の間に構造的に安定する分
岐したガス分配器を有する２重壁の石英製反応室構造を
提供することが本発明の更なる目的である。十分に能力
のある排出溝を組み込んだ同軸で対称的なガラス製品構
造、回転旋盤上で回転組立及び溶接を可能にする構造を
提供し、溶接部に沿って均一な壁厚をもたらし、加熱炉
の加熱及び冷却環境の繰り返しで製品の完全性及び寿命
を著しく増加させることが更なる目的である。
壁の反応室構造を提供することが本発明の１つの目的で
ある。その製造中に疲労破断の危険性を減少して製造で
きる２重壁の石英反応室構造を提供することが本発明の
別の目的である。高い炉温度の間に構造的に安定する分
岐したガス分配器を有する２重壁の石英製反応室構造を
提供することが本発明の更なる目的である。十分に能力
のある排出溝を組み込んだ同軸で対称的なガラス製品構
造、回転旋盤上で回転組立及び溶接を可能にする構造を
提供し、溶接部に沿って均一な壁厚をもたらし、加熱炉
の加熱及び冷却環境の繰り返しで製品の完全性及び寿命
を著しく増加させることが更なる目的である。
【０００９】
【課題を解決するための手段】要約すると、この発明の
２重壁の半導体反応室のガラス製品体は、円筒状内壁と
それに軸方向に平行な円筒状外壁とを含み、前記内壁が
その外面により形成された厚い環状の接合フランジを有
する環状接合部を有し、フランジ部分が内壁の厚さより
厚くなっているのが好ましい。前記外壁の下端部は厚く
なっている環状接合部の外面に溶合されている。前記内
壁は対向する第１及び第２側面を有し、前記内壁の外面
と前記環状の接合フランジの内面とが円筒状壁の第１側
面の最高点から円筒状壁の第２側面の最低点へ傾斜する
環状の排出溝を形成している。この本体では、前記内壁
が下向きに傾斜する排出口を有し、その上端部が前記排
出溝の最低点と連通し、排出溝の液体が前記溝から完全
に排出される。
２重壁の半導体反応室のガラス製品体は、円筒状内壁と
それに軸方向に平行な円筒状外壁とを含み、前記内壁が
その外面により形成された厚い環状の接合フランジを有
する環状接合部を有し、フランジ部分が内壁の厚さより
厚くなっているのが好ましい。前記外壁の下端部は厚く
なっている環状接合部の外面に溶合されている。前記内
壁は対向する第１及び第２側面を有し、前記内壁の外面
と前記環状の接合フランジの内面とが円筒状壁の第１側
面の最高点から円筒状壁の第２側面の最低点へ傾斜する
環状の排出溝を形成している。この本体では、前記内壁
が下向きに傾斜する排出口を有し、その上端部が前記排
出溝の最低点と連通し、排出溝の液体が前記溝から完全
に排出される。
【００１０】また、前記本体は、円筒状内壁とそれに軸
方向に平行な円筒状外壁とを含み、前記内壁に溶解して
接続された下端部、ガス入口端部とガス分配器端部を有
するガス分配管、接合部を有する分岐Ｔ字管を含むガス
分配器端部を含んでいる。前記内壁回りの接合部から第
１出口末端部への第１方向に伸びるＴ字管の一方の脚部
と、前記内壁回りの第２方向の接合部から第１方向の反
対方向の第２出口末端部へ伸びるＴ字管の他方の脚部、
前記接合部からそれぞれの出口末端部へ下向きに傾斜す
るＴ字管の各脚部の傾斜部を有し、ガス分配器の液体が
本体から完全に排出する。
方向に平行な円筒状外壁とを含み、前記内壁に溶解して
接続された下端部、ガス入口端部とガス分配器端部を有
するガス分配管、接合部を有する分岐Ｔ字管を含むガス
分配器端部を含んでいる。前記内壁回りの接合部から第
１出口末端部への第１方向に伸びるＴ字管の一方の脚部
と、前記内壁回りの第２方向の接合部から第１方向の反
対方向の第２出口末端部へ伸びるＴ字管の他方の脚部、
前記接合部からそれぞれの出口末端部へ下向きに傾斜す
るＴ字管の各脚部の傾斜部を有し、ガス分配器の液体が
本体から完全に排出する。
【００１１】
【発明の実施の形態】この発明の２重壁反応室のガラス
製品は、向上した対称性、より信頼性のある本体を可能
にする同軸及び好ましくは円筒状の構造を有し、製造中
の冷却により起こる疲労破断による製品損失を減らし、
洗浄中のシステムからの液体の排出を速く直ちに可能に
する構造である。ここに説明された構造は石英だが、該
構造はシリコンカーバイド等のような半導体デバイス構
造の使用のために必要な純度の熱的に安定な他の材料に
容易に適用可能である。
製品は、向上した対称性、より信頼性のある本体を可能
にする同軸及び好ましくは円筒状の構造を有し、製造中
の冷却により起こる疲労破断による製品損失を減らし、
洗浄中のシステムからの液体の排出を速く直ちに可能に
する構造である。ここに説明された構造は石英だが、該
構造はシリコンカーバイド等のような半導体デバイス構
造の使用のために必要な純度の熱的に安定な他の材料に
容易に適用可能である。
【００１２】図１はこの発明の２重壁反応室の構造の平
面図であり、図２は線Ａ−Ａに沿って切断した図１の２
重壁反応室の構造の断面図である。２重壁反応室の構造
は環状支持フランジ４とその下端部にガス排出口６とを
有する内壁２を含んでいる。外壁８はその下端部で２重
壁接合部１０に接合され、その上端部に閉鎖端部１２を
有している。内壁２及び外壁８はそれぞれ同じ半径を有
し、旋盤接合を可能にするため一定の半径のシリンダで
あることが好ましい。
面図であり、図２は線Ａ−Ａに沿って切断した図１の２
重壁反応室の構造の断面図である。２重壁反応室の構造
は環状支持フランジ４とその下端部にガス排出口６とを
有する内壁２を含んでいる。外壁８はその下端部で２重
壁接合部１０に接合され、その上端部に閉鎖端部１２を
有している。内壁２及び外壁８はそれぞれ同じ半径を有
し、旋盤接合を可能にするため一定の半径のシリンダで
あることが好ましい。
【００１３】共面及び好ましくは外壁８に均等な間隔で
配列された窪み又は凹み１４が内壁２の外面に接触して
伸びており、両壁の間に正確な距離を維持すると共に壁
接合部１０を曲げ応力から保護する安定スペーサとして
作動する。内壁及び外壁は同軸で対称であるのが望まし
い。
配列された窪み又は凹み１４が内壁２の外面に接触して
伸びており、両壁の間に正確な距離を維持すると共に壁
接合部１０を曲げ応力から保護する安定スペーサとして
作動する。内壁及び外壁は同軸で対称であるのが望まし
い。
【００１４】温度センサウェル１６は閉鎖端部１２を貫
通して伸びそこに溶合されている。それは壁構造の中心
軸に平行な方向の内壁近傍に位置し、該内壁は図８によ
り詳細に示された支持部１８を有している。
通して伸びそこに溶合されている。それは壁構造の中心
軸に平行な方向の内壁近傍に位置し、該内壁は図８によ
り詳細に示された支持部１８を有している。
【００１５】また、ガス分配導管２０は閉鎖端部１２を
貫通して伸びそこに溶合されている。それは内壁２と外
壁８との間に位置している。ガス分配器は図５に非常に
詳細に示された下方に傾斜する端部２２を有する分岐部
を有している。該分岐部の中央では、前記分配器は図７
に非常に詳細に示された中央支持部２４を有している。
貫通して伸びそこに溶合されている。それは内壁２と外
壁８との間に位置している。ガス分配器は図５に非常に
詳細に示された下方に傾斜する端部２２を有する分岐部
を有している。該分岐部の中央では、前記分配器は図７
に非常に詳細に示された中央支持部２４を有している。
【００１６】温度センサウェル１６の外面及びガス分配
導管２０は気密な接合部を形成するように貫通する閉鎖
端部に溶合されるのが望ましい。
導管２０は気密な接合部を形成するように貫通する閉鎖
端部に溶合されるのが望ましい。
【００１７】図３は内管又は該内管を形成するシリンダ
４０及び４２と溶合する前の壁接合部分１０の断面図で
ある。それは排出溝３０の配置を示している。図４は図
３で示した接合部分１０の排出口部分の拡大断面図であ
り、排出口３８の傾斜した構成を含んでいる。
４０及び４２と溶合する前の壁接合部分１０の断面図で
ある。それは排出溝３０の配置を示している。図４は図
３で示した接合部分１０の排出口部分の拡大断面図であ
り、排出口３８の傾斜した構成を含んでいる。
【００１８】接合部分は正確に機械加工された環状円形
の接合リング２６であり、該接合リングは一定の半径を
有し、その外面上又は外面により形成された環状接合フ
ランジ２８を有する石英製である。環状で下向きに傾斜
する排出溝は内フランジ壁３２と外リング壁３４とによ
り形成され、最高高さ３６から排出口３８近傍の最低高
さへリングの両側面周辺に伸びている。排出口３８はそ
の上端部３９から下向きに傾斜し排出溝３０の最下端部
を壁２６の反対側面の下点に連通させている。
の接合リング２６であり、該接合リングは一定の半径を
有し、その外面上又は外面により形成された環状接合フ
ランジ２８を有する石英製である。環状で下向きに傾斜
する排出溝は内フランジ壁３２と外リング壁３４とによ
り形成され、最高高さ３６から排出口３８近傍の最低高
さへリングの両側面周辺に伸びている。排出口３８はそ
の上端部３９から下向きに傾斜し排出溝３０の最下端部
を壁２６の反対側面の下点に連通させている。
【００１９】図２に戻ると、内壁２は上半部分４０と下
半部分４２とで形成され、その間には接合リング２６が
単一構造を形成する標準で従来の旋盤による接合手順に
より接合部４１及び４３に沿って旋盤上で溶合されてい
る。これらの手続きでは、接合部分が配置され同軸方向
に接合され、旋盤上の共通軸回りの部分の回転前又は回
転中のいずれかに接合表面が密着されるようになる。そ
の時、熱が接合部の縁部に加えられ、近接表面を共通部
分に溶合する。壁構造は一定で均一な半径の円筒形状を
有しており、それらは組立て及び溶合中に旋盤上で回転
され、組立後に検出できない一定の壁厚の均一な溶接部
を製造することができる。この種の接合部は反応炉での
熱サイクル中に元のシリンダ壁と同じ完全な状態を有し
ている。
半部分４２とで形成され、その間には接合リング２６が
単一構造を形成する標準で従来の旋盤による接合手順に
より接合部４１及び４３に沿って旋盤上で溶合されてい
る。これらの手続きでは、接合部分が配置され同軸方向
に接合され、旋盤上の共通軸回りの部分の回転前又は回
転中のいずれかに接合表面が密着されるようになる。そ
の時、熱が接合部の縁部に加えられ、近接表面を共通部
分に溶合する。壁構造は一定で均一な半径の円筒形状を
有しており、それらは組立て及び溶合中に旋盤上で回転
され、組立後に検出できない一定の壁厚の均一な溶接部
を製造することができる。この種の接合部は反応炉での
熱サイクル中に元のシリンダ壁と同じ完全な状態を有し
ている。
【００２０】単一接合を形成する上述した標準手続きに
より旋盤上で回転している間に、外壁シリンダ８の下縁
部４４は接合フランジ２８の外面に溶合される。
より旋盤上で回転している間に、外壁シリンダ８の下縁
部４４は接合フランジ２８の外面に溶合される。
【００２１】接合フランジ２８は厚さを増し大きな質量
又は蓄熱器を提供し、シリンダが溶合で接合された後直
ちに温度変化率を減少させる。これはアニール炉への単
一構造の動きを可能にし、製品を破壊する疲労破断の危
険性を著しく減少させる。また、増加した厚みは接合部
を強化し、１つの位置から別の位置への移動中又は炉へ
の配置又は炉からの除去中及び反応炉での熱サイクル
中、単一部品の破断を減少させる。
又は蓄熱器を提供し、シリンダが溶合で接合された後直
ちに温度変化率を減少させる。これはアニール炉への単
一構造の動きを可能にし、製品を破壊する疲労破断の危
険性を著しく減少させる。また、増加した厚みは接合部
を強化し、１つの位置から別の位置への移動中又は炉へ
の配置又は炉からの除去中及び反応炉での熱サイクル
中、単一部品の破断を減少させる。
【００２２】図５は線Ｅ−Ｅに沿って切断した図２の２
重壁反応室の構造の断面図であり、分岐したガス分配器
を示している。ガス分配器２０の下端部４４はＴ又はＴ
字型に分岐し、Ｔ字管の１つの脚部４６は内壁表面周辺
でその出口末端部４８へ１方向に伸び、Ｔの他の脚部５
０は内壁表面周辺で出口末端部５２へ反対方向に伸びて
いる。図２に示されているように、Ｔの脚部（４６,５
０）はそれらの最高点５４のＴの接合部からそれらの最
低点のそれぞれの末端部（４８,５２）へ下向きに傾斜
し、そこにある液体が管から完全に排出するようになっ
ている。
重壁反応室の構造の断面図であり、分岐したガス分配器
を示している。ガス分配器２０の下端部４４はＴ又はＴ
字型に分岐し、Ｔ字管の１つの脚部４６は内壁表面周辺
でその出口末端部４８へ１方向に伸び、Ｔの他の脚部５
０は内壁表面周辺で出口末端部５２へ反対方向に伸びて
いる。図２に示されているように、Ｔの脚部（４６,５
０）はそれらの最高点５４のＴの接合部からそれらの最
低点のそれぞれの末端部（４８,５２）へ下向きに傾斜
し、そこにある液体が管から完全に排出するようになっ
ている。
【００２３】図６は線Ｈ−Ｈに沿って切断した図５に示
された分岐したガス分配器の断面図を示している。Ｔ字
間の脚部を支持すると共に高い作用温度の間に崩れ落ち
るのを防ぐため、それぞれの末端部（４８,５２）近傍
の脚部支持部５６は例えば外壁８の内面に溶合されてい
る。
された分岐したガス分配器の断面図を示している。Ｔ字
間の脚部を支持すると共に高い作用温度の間に崩れ落ち
るのを防ぐため、それぞれの末端部（４８,５２）近傍
の脚部支持部５６は例えば外壁８の内面に溶合されてい
る。
【００２４】図７は図２に示された分岐したガス分配器
の支持部２４の拡大断面図である。Ｔ字管で分配導管２
０の下端部４４に溶合された突起部５８は外壁８に溶合
された支持部６２上のレセプター６０に適合し、ガス分
配管２０を適所に支持又は固定し管に軸方向の支持を提
供する。
の支持部２４の拡大断面図である。Ｔ字管で分配導管２
０の下端部４４に溶合された突起部５８は外壁８に溶合
された支持部６２上のレセプター６０に適合し、ガス分
配管２０を適所に支持又は固定し管に軸方向の支持を提
供する。
【００２５】図８は図２に示された温度センサウェル支
持部１８の断面図である。温度センサウェル１６の下端
部に溶合された突起部６４は外壁８に溶合された支持部
６８上のレセプター６６に適合し、ウェル１６を適所に
支持又は固定しウェルに軸方向の支持を提供する。
持部１８の断面図である。温度センサウェル１６の下端
部に溶合された突起部６４は外壁８に溶合された支持部
６８上のレセプター６６に適合し、ウェル１６を適所に
支持又は固定しウェルに軸方向の支持を提供する。
【００２６】この発明の２重壁反応室体は増した強度と
蓄熱器を提供する壁接合部用の厚くした接合フランジを
提供し、それが形成された後の接合部の冷却率を減少さ
せ、アニール炉に新たに溶接された部品の動作中、高い
温度を維持する。
蓄熱器を提供する壁接合部用の厚くした接合フランジを
提供し、それが形成された後の接合部の冷却率を減少さ
せ、アニール炉に新たに溶接された部品の動作中、高い
温度を維持する。
【００２７】内外壁が接合される排出口３８に伸びる傾
斜した排出溝３０と、Ｔ字管の接合部から各脚部の出口
末端部へ下向きに傾斜する脚部４６及び５０を有するＴ
字型のガス分配器との提供により、本体からの洗浄溶液
及びすすぎ液の排出が容易になる。
斜した排出溝３０と、Ｔ字管の接合部から各脚部の出口
末端部へ下向きに傾斜する脚部４６及び５０を有するＴ
字型のガス分配器との提供により、本体からの洗浄溶液
及びすすぎ液の排出が容易になる。
【００２８】２つの壁システムの同軸の構成と接合部の
環状形状のため、接合リングは回転する旋盤上で組立て
られると共に溶接されることができ、均一な壁厚の継ぎ
目のない接合部をもたらす。同様な方法で、外壁シリン
ダは回転する旋盤上で組立てられると共に接合フランジ
に溶接されることができ、２つの壁に高度で均一な溶接
接合をもたらす。この同軸で十分に能力のある排出溝を
組み込んだ対称的なガラス製品構造、旋盤上での組立て
及び溶接を可能にする構造は、溶接部に沿って一様で均
一な壁厚をもたらし、熱反応炉中での加熱及び冷却環境
の繰り返しで製品の完全性及び寿命を著しく増加させ
る。
環状形状のため、接合リングは回転する旋盤上で組立て
られると共に溶接されることができ、均一な壁厚の継ぎ
目のない接合部をもたらす。同様な方法で、外壁シリン
ダは回転する旋盤上で組立てられると共に接合フランジ
に溶接されることができ、２つの壁に高度で均一な溶接
接合をもたらす。この同軸で十分に能力のある排出溝を
組み込んだ対称的なガラス製品構造、旋盤上での組立て
及び溶接を可能にする構造は、溶接部に沿って一様で均
一な壁厚をもたらし、熱反応炉中での加熱及び冷却環境
の繰り返しで製品の完全性及び寿命を著しく増加させ
る。
【００２９】当業者であれば、上記開示に照らして本発
明の非常に多くの修正及び変更が可能であることが容易
に分かるであろう。そのため、添付した特許請求の範囲
の範囲内において本発明は特にここに説明した以外の他
の状態で実施してもよいことが分かるであろう。
明の非常に多くの修正及び変更が可能であることが容易
に分かるであろう。そのため、添付した特許請求の範囲
の範囲内において本発明は特にここに説明した以外の他
の状態で実施してもよいことが分かるであろう。
【図１】この発明の２重壁反応室の構造の平面図であ
る。
る。
【図２】線Ａ−Ａに沿って切断した図１の２重壁反応室
の構造の断面図である。
の構造の断面図である。
【図３】内管を形成する管材料を溶合する前の接合部分
であり、排出溝の形状を示す断面図である。
であり、排出溝の形状を示す断面図である。
【図４】図３に示された接合部分の排出口部分であり、
排出口の形状を示す拡大断面図である。
排出口の形状を示す拡大断面図である。
【図５】線Ｅ−Ｅに沿って切断した図２の２重壁反応室
構造であり、分離したガス分配器を示す断面図である。
構造であり、分離したガス分配器を示す断面図である。
【図６】線Ｈ−Ｈに沿って切断した図５に示す分岐した
ガス分配器の断面図である。
ガス分配器の断面図である。
【図７】図２に示す分岐したガス分配器の支持部２４の
拡大断面図である。
拡大断面図である。
【図８】図２に示す温度センサのウェル支持部１８の断
面図である。
面図である。
２ 内壁 ４ 支持フランジ ８ 外壁 １０ 接合部分 １８ 支持部 ２０ ガス分配器 ３０ 排出口 ４６ 脚部 ４８ 末端部 ５０ 脚部 ５２ 末端部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ロバート パーヴィン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 92687 ヨーバ リンダ ブラッシュ キ ャニオン ドライヴ 28375 (72)発明者 ジェフリー コワルスキー アメリカ合衆国 カリフォルニア州 92679 ドーヴ キャニオン バーンバー グ ２エイ (72)発明者 パトリック ダブリュー ウィーゼン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 92677 ラグナ ニジエール ニジエール ヴィスタ 28952
Claims (7)
- 【請求項１】円筒状内壁とそれに軸方向に平行な円筒状
外壁とを含み、前記内壁はその外面に円筒状内壁より厚
い環状の接合フランジ部分を有する環状接合部を有し、
前記外壁の下端部は厚くした環状接合フランジの外面に
溶合されていることを特徴とする２重壁の半導体炉の反
応室ガラス製品体。 - 【請求項２】前記内壁が対向する第１及び第２側面を有
し、前記内壁の外面と前記環状の接合フランジの内面と
が円筒状壁の第１側面の最高点から円筒状壁の第２側面
の最低点へ傾斜する環状の排出溝を形成する請求項１に
記載の２重壁反応室体。 - 【請求項３】前記内壁が下向きに傾斜する排出口を有
し、その上端部が前記排出溝の最低点と連通し、排出溝
の液体が前記溝から完全に排出される請求項２に記載の
２重壁反応室体。 - 【請求項４】円筒状内壁とそれに軸方向に平行な円筒状
外壁とを含み、前記内壁に溶解して接続された下端部、
ガス入口とガス分配器端部を有するガス分配管、接合部
を有する分岐Ｔ字管を含むガス分配器端部、前記内壁回
りの接合部から第１出口末端部へ第１方向に伸びるＴ字
管の一方の脚部と、前記内壁回りの第２方向の接合部か
ら第１方向の反対方向の第２出口末端部へ伸びるＴ字管
の他方の脚部、前記接合部からそれぞれの出口末端部に
下向きに傾斜するＴ字管の各脚部の傾斜部を有し、ガス
分配器の液体が製品体から完全に排出することを特徴と
する２重壁の半導体炉の反応室ガラス製品体。 - 【請求項５】円筒状内壁とそれに軸方向に平行な円筒状
外壁とを含み、前記内壁はその外面に円筒状内壁より厚
い環状の接合フランジ部分を有する環状接合部を有し、
前記外壁の下端部は厚くした環状接合フランジの外面に
溶合されている請求項４に記載の２重壁反応室体。 - 【請求項６】前記内壁は対向する第１及び第２側面を有
し、前記内壁の外面と前記環状の接合フランジの内面と
が円筒状壁の第１側面の最高点から円筒状壁の第２側面
の最低点へ傾斜する環状の排出溝を形成する請求項５に
記載の２重壁反応室体。 - 【請求項７】前記内壁が下向きに傾斜する排出口を有
し、その上端部が前記排出溝の最低点と連通し、排出溝
の液体が前記溝から完全に排出される請求項６に記載の
２重壁反応室体。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/022056 | 1998-02-10 | ||
| US09/022,056 US6101844A (en) | 1998-02-10 | 1998-02-10 | Double wall reaction chamber glassware |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11340156A true JPH11340156A (ja) | 1999-12-10 |
Family
ID=21807589
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11072437A Abandoned JPH11340156A (ja) | 1998-02-10 | 1999-02-10 | ２重壁反応室 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6101844A (ja) |
| EP (1) | EP0936661A3 (ja) |
| JP (1) | JPH11340156A (ja) |
| KR (1) | KR19990072526A (ja) |
| AU (1) | AU1551299A (ja) |
| CA (1) | CA2261394A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102007063363B4 (de) * | 2007-05-21 | 2016-05-12 | Centrotherm Photovoltaics Ag | Vorrichtung zur Dotierung und Beschichtung von Halbleitermaterial bei niedrigem Druck |
| USD655258S1 (en) * | 2010-10-21 | 2012-03-06 | Tokyo Electron Limited | Side wall for reactor for manufacturing semiconductor |
| USD655262S1 (en) * | 2010-10-21 | 2012-03-06 | Tokyo Electron Limited | Side wall for reactor for manufacturing semiconductor |
| TWI470105B (zh) * | 2013-06-03 | 2015-01-21 | Adpv Technology Ltd | Gas Reaction Continuous Cavity and Gas Reaction |
| US11041836B2 (en) | 2016-11-08 | 2021-06-22 | O.I. Corporation | Catalyst guard |
| DE102019002940A1 (de) | 2018-05-02 | 2019-11-07 | Holger Kleim | Glas als Werkstoff zur Konstruktion, Fertigung und Anwendung kreativer Erzeugnisse als Basis für neue Technologien zur absolut CO2-freien Energieversorgung und zum Schutz vor Naturgewalten auf der Welt |
| JP6987017B2 (ja) * | 2018-05-14 | 2021-12-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 反応管ユニットの搬送方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4640223A (en) * | 1984-07-24 | 1987-02-03 | Dozier Alfred R | Chemical vapor deposition reactor |
| DE3544812A1 (de) * | 1985-12-18 | 1987-06-25 | Heraeus Schott Quarzschmelze | Doppelwand-quarzglasrohr fuer die durchfuehrung halbleitertechnologischer prozesse |
| DE3721636A1 (de) * | 1987-06-30 | 1989-01-12 | Aixtron Gmbh | Quarzglasreaktor fuer mocvd-anlagen |
| US4992044A (en) * | 1989-06-28 | 1991-02-12 | Digital Equipment Corporation | Reactant exhaust system for a thermal processing furnace |
| US5320680A (en) * | 1991-04-25 | 1994-06-14 | Silicon Valley Group, Inc. | Primary flow CVD apparatus comprising gas preheater and means for substantially eddy-free gas flow |
| US5308955A (en) * | 1991-07-11 | 1994-05-03 | Tokyo Electron Sagami Kabushiki Kaisha | Vertical heat treatment apparatus with vented heat insulation cover means |
| US5383984A (en) * | 1992-06-17 | 1995-01-24 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus etching tunnel-type |
| US5370736A (en) * | 1992-10-26 | 1994-12-06 | Texas Instruments Incorporated | Horizontal reactor hardware design |
| US5441570A (en) * | 1993-06-22 | 1995-08-15 | Jein Technics Co., Ltd. | Apparatus for low pressure chemical vapor deposition |
| US5578132A (en) * | 1993-07-07 | 1996-11-26 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Apparatus for heat treating semiconductors at normal pressure and low pressure |
| US5622639A (en) * | 1993-07-29 | 1997-04-22 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Heat treating apparatus |
| US5618351A (en) * | 1995-03-03 | 1997-04-08 | Silicon Valley Group, Inc. | Thermal processing apparatus and process |
-
1998
- 1998-02-10 US US09/022,056 patent/US6101844A/en not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-02-08 CA CA002261394A patent/CA2261394A1/en not_active Abandoned
- 1999-02-08 AU AU15512/99A patent/AU1551299A/en not_active Abandoned
- 1999-02-09 KR KR1019990004491A patent/KR19990072526A/ko not_active Ceased
- 1999-02-09 EP EP99300909A patent/EP0936661A3/en not_active Withdrawn
- 1999-02-10 JP JP11072437A patent/JPH11340156A/ja not_active Abandoned
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19990072526A (ko) | 1999-09-27 |
| US6101844A (en) | 2000-08-15 |
| CA2261394A1 (en) | 1999-08-10 |
| EP0936661A2 (en) | 1999-08-18 |
| AU1551299A (en) | 1999-08-26 |
| EP0936661A3 (en) | 2003-11-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060210 |
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| A762 | Written abandonment of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20070126 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20070126 |