JPH11340187A

JPH11340187A - 洗浄乾燥装置および洗浄乾燥方法

Info

Publication number: JPH11340187A
Application number: JP10147200A
Authority: JP
Inventors: Yoshihisa Harada; 佳尚原田; Masaaki Niwa; 正昭丹羽
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1998-05-28
Filing date: 1998-05-28
Publication date: 1999-12-10

Abstract

(57)【要約】【課題】有機媒体等を用いる蒸気乾燥をより短い時間
で均一に達成する。【解決手段】洗浄乾燥チャンバ１２内で半導体基板１
３などの被洗浄物を洗浄した直後に、回転する半導体基
板１３に対してイソプロピルアルコールなどの乾燥用媒
体蒸気を噴射し、それによって被洗浄物上の水滴状液体
を被洗浄物から除去し、速やかな乾燥を実現する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、洗浄乾燥装置およ
び洗浄乾燥方法ならびに蒸気乾燥装置および蒸気乾燥方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体ウエハ表面の水分を遠心力
を利用し乾燥を行うスピン乾燥装置に取って変わり、有
機溶媒を利用し静的に乾燥を行う蒸気乾燥装置が使用さ
れつつある。以下、図５を参照しながら、蒸気乾燥装置
の従来例（特開平６−９７１４９号に記載）を説明す
る。

【０００３】この蒸気乾燥装置は、石英チャンバー１の
底部に配置した抵抗加熱器３を備え、石英チャンバー１
の底部には抵抗加熱器３を浸すようにして液化乾燥用媒
体２が貯蔵されている。チャンバー１の上部には蒸気吹
き付け板５が設けられており、この蒸気吹き付け板５に
は外部蒸気源６が接続されている。蒸気吹き付け板５の
上には、乾燥用媒体冷却用の冷却パイプ７が設置されて
いる。

【０００４】次に、従来の蒸気乾燥方法を説明する。

【０００５】まず、別の洗浄装置によって洗浄された被
洗浄物である濡れた半導体基板４を石英チャンバー１内
に搬送する。石英チャンバー１の底部の液化乾燥用媒体
２は、前もって抵抗加熱器３によって加熱され、沸騰
し、乾燥用媒体蒸気８を発生させている。半導体基板４
を石英チャンバー１内に挿入し、蒸気吹き付け板５でタ
ンク内外を隔離した後、外部蒸気源６から乾燥用媒体蒸
気１０を発生させ、乾燥用媒体蒸気１０を蒸気吹き付け
板５からタンク１内に噴射する。乾燥用媒体蒸気８およ
び乾燥用媒体蒸気１０は、半導体基板４上の残存する水
滴状の液体中に溶解する。その結果、水滴状の液体と半
導体基板４との間の接触角（コンタクトアングル）が大
きくなるため、水滴状液体と半導体基板４との間の付着
力が弱まる。こうして、水滴状の液体は重力によって半
導体基板４から下方向に流れ落ち、半導体基板１３の蒸
気乾燥が達成される。蒸気乾燥が達成された後、半導体
基板４をチャナバ１から取り出す。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術によれば、被洗浄物である半導体基板１３の洗浄
工程終了後に、濡れた状態の半導体基板１３を洗浄装置
から蒸気乾燥装置へ搬送しなければならないため、搬送
に要する時間がスループットを低下させるという問題が
ある。また、半導体基板１３の搬送中に被洗浄物にパー
ティクルが付着してしまうおそれもある。更に、搬送中
に半導体基板１３が大気に触れるため、半導体基板１３
の自然乾燥が部分的に生じ、ウォーターマークが形成さ
れるおそれもある。また、上記従来技術によれば、半導
体基板１３の上部と下部とで不均一に乾燥が進行する可
能性がある。

【０００７】本発明は上記問題点に鑑みてなされたもの
であり、その目的は、高いスループットで洗浄乾燥工程
を実行できる洗浄乾燥装置および洗浄乾燥方法を提供す
ることにある。

【０００８】本発明の他の目的は、均一な乾燥を実現す
る蒸気乾燥装置および蒸気乾燥方法を提供することにあ
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明による洗浄乾燥装
置は、洗浄チャンバーと、前記洗浄チャンバー内で被洗
浄物を回転可能に保持するホルダーと、前記ホルダーを
前記被洗浄物とともに回転させる駆動部と、前記ホルダ
ー上の前記被洗浄物に洗浄液を供給する洗浄液供給器
と、前記ホルダー上の前記被洗浄物上の液体を乾燥させ
るための乾燥用蒸気を前記洗浄チャンバー内に供給する
乾燥用媒体供給器とを備えている。

【００１０】加熱によって揮発性薬液を気化し、前記乾
燥用蒸気を生成し、前記乾燥用蒸気を前記乾燥用媒体供
給器に供給する蒸気発生器を備えていてもよい。

【００１１】前記蒸気発生器は、前記揮発性薬液を貯蔵
するタンクと、前記タンクと前記乾燥用媒体供給器とを
連結する通路と、前記通路の少なくとも一部を加熱する
加熱器とを備えていることが好ましい。

【００１２】前記乾燥用媒体供給器は、前記乾燥用蒸気
を前記被洗浄物に対して噴射する少なくともひとつのノ
ズルを有していていることが好ましい。

【００１３】前記洗浄終了後に前記ホルダー上の前記被
洗浄物上に残存している液体を乾燥させるための不活性
ガスを前記ホルダー上の前記被洗浄物に噴射する不活性
ガス供給器を備えていてもよい。

【００１４】前記不活性ガスを加熱する他の加熱器を備
えていることが好ましい。

【００１５】前記ホルダーは、水平方向に実質的に平行
な面内で回転できるように配置されていても、鉛直方向
に実質的に平行な面内で回転できるように配置されてい
てもよい。

【００１６】前記駆動部によって前記ホルダーを前記被
洗浄物とともに回転させながら、前記乾燥用媒体供給器
によって前記乾燥用蒸気を前記チャンバー内に供給させ
る制御装置を備えていることが好ましい。

【００１７】本発明による他の洗浄乾燥装置は、洗浄チ
ャンバーと、前記洗浄チャンバー内で被洗浄物を保持す
るホルダーと、前記ホルダー上の前記被洗浄物に洗浄液
を供給する洗浄液供給器と、洗浄終了後に前記ホルダー
上の前記被洗浄物上に残存している液体を乾燥させるた
めの乾燥用蒸気を前記洗浄チャンバー内に供給する乾燥
用媒体供給器とを備えている。

【００１８】被洗浄物を洗浄する工程と、前記被洗浄物
を回転させながら、前記被洗浄物上の液体を乾燥させる
ための乾燥用蒸気を前記被洗浄物に供給する工程とを包
含することが好ましい。

【００１９】被洗浄物を回転させながら前記被洗浄物に
洗浄液を供給する工程と、前記被洗浄物を回転させなが
ら、前記被洗浄物に前記洗浄液および前記洗浄液を乾燥
させるための乾燥用蒸気の両方を前記被洗浄物に供給す
る工程と、前記被洗浄物を回転させながら、前記被洗浄
物の供給は停止するが、前記乾燥用蒸気を前記被洗浄物
に供給する工程とを包含してもよい。

【００２０】前記乾燥用蒸気を前記被洗浄物に供給する
工程において、不活性ガスを前記被洗浄物に噴射するこ
とが好ましい。

【００２１】前記乾燥用蒸気はアルコール蒸気であるこ
とが好ましい。

【００２２】本発明による蒸気乾燥装置は、乾燥チャン
バーと、前記乾燥チャンバー内で被洗浄物を回転可能に
保持するホルダーと、前記ホルダーを前記被洗浄物とと
もに回転させる駆動部と、前記ホルダー上の前記被洗浄
物上の液体を乾燥させるための乾燥用蒸気を前記洗浄チ
ャンバー内に供給する乾燥用媒体供給器とを備えてい
る。

【００２３】本発明による蒸気乾燥方法は、被洗浄物を
回転させながら、前記被洗浄物上の液体を乾燥させるた
めの乾燥用蒸気を前記被洗浄物に供給する。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。（実施形態１）図１を参照しながら、本発明による洗浄
乾燥装置の第１の実施形態を説明する。

【００２５】本実施形態の洗浄乾燥装置は、石英または
耐薬品性を有するテフロンなどを材料として作製された
洗浄チャンバー１２と、洗浄チャンバー１２内で被洗浄
物（半導体基板）１３を回転可能に保持するホルダー１
４と、ホルダー１４上の半導体基板１３に洗浄液を供給
する洗浄液供給器１７および１８とを備えている。洗浄
チャンバー１２は、洗浄のためだけに使用されるのでは
なく、後述するように乾燥のためにも使用される。ホル
ダー１４は、たとえば真空チャックなどの機構によって
被洗浄物を保持する。本実施形態では、被洗浄物とし
て、８インチのシリコンウェハを用いるので、このよう
なシリコンウェハをしっかり固定できる大きさのホルダ
ー１４が採用される。ここで使用する洗浄液供給器１７
および１８は２本のノズル（先端部の内径：０．１〜５
ｍｍ）である。洗浄液供給器１７および１８は、ノズル
形状を持つものに限定されないし、また、その数も２個
に限定されない。ノズルに代えて、複数の微細な開口部
を持つ器具を使用し、そこから洗浄液をシャワー状に噴
出させてもよい。ホルダー１４は、チャンバー１２の外
に配置された駆動モータ１５によって回転させられる。
本実施形態では、ホルダー１４が水平方向に実質的に平
行な面内で回転する配置構成を採用している。

【００２６】洗浄工程中においては、洗浄液供給器１７
および１８から半導体基板１３に供給された洗浄液によ
って半導体基板１３の洗浄が実行される。その後、洗浄
工程に引き続いて、同一の洗浄チャンバー１２内で乾燥
工程が実行される。このため、洗浄チャンバー１２は、
洗浄乾燥チャンバーとして機能する。

【００２７】洗浄液供給器１７および１８は、それぞ
れ、導入管２１および２２を介してポンプ２０につなが
れ、最終的には洗浄液タンク１９に接続されている。導
入管２１および２２は、例えば石英から形成されてお
り、その内径は、例えば１〜３０ｍｍである。ポンプ２
０としては、パーティクル除去フィルターを有するもの
が好適に使用され得る。

【００２８】洗浄チャンバー１２内には、ノズル状の乾
燥用媒体供給器２３および２４も配置されている。乾燥
用媒体供給器２３および２４は、乾燥用媒体蒸気を生成
する蒸気発生器に接続されている。蒸気発生器は、揮発
性薬液を加熱して気化し、それよって乾燥用蒸気を生成
し、乾燥用媒体供給器２３および２４に供給する。この
蒸気発生器は、イソプロピルアルコールなどの揮発性薬
液を貯蔵するタンク２５と、このタンク２５と乾燥用媒
体供給器２３および２４とを連結する通路（導入管）２
７および２８と、通路２７および２８を加熱する一組の
加熱器２９とから構成されている。乾燥用媒体は、イソ
プロピルアルコールに限らず、水と置換し得る溶媒、例
えば、エチルアルコール、メチルアルコール、２プロパ
ノール等の有機溶媒が好適に用いられる。各過熱器２９
内にはヒータ３０が配置され、通路２７または２８の一
部を加熱し、これらの乾燥用媒体を液体から気体に変化
させる。通路２７および２８の加熱部分の温度は、乾燥
用蒸気の沸点にできるだけ近づける方が良い。イソプロ
ピルアルコールを用いる場合、通路２７および２８の加
熱部分の温度は、例えば８２〜１００℃に上昇させるこ
とが好ましい。加熱部分から乾燥用媒体供給器２３およ
び２４の先端部までの距離は、例えば、１０から１００
ｍｍ程度に設定されうる。加熱装置としては、ヒータ加
熱を用いる代わりに、ランプ加熱や高周波加熱等も用い
てもよい。なお、この装置は、好適には、洗浄終了後に
半導体基板１３上に不活性ガスを噴射する不活性ガス供
給器３１を備えている。また、不活性ガスを加熱する他
の加熱器（２９、３０）を備えていてもよい。

【００２９】次に、図１の洗浄乾燥装置を用いた本発明
の洗浄乾燥方法の実施形態を説明する。

【００３０】まず、チャンバー１２に設けられた開閉扉
（不図示）から半導体基板１３をチャンバー１２内に挿
入し、半導体基板１３をホルダー１４に固定する。その
後、回転軸１６を通してモーター１５の動力をホルダー
１４に伝え、半導体基板１３をホルダー１４とともに回
転させる。洗浄液タンク１９に貯蔵されている洗浄液
は、ポンプ２０によって導入管２１および２２内を輸送
され、洗浄液供給器１７および１８から回転する半導体
基板１３に噴出される。このときの半導体基板１３の回
転数は、例えば、１０〜６０ｒ．ｐ．ｍ．に設定され
る。洗浄液としては、例えば、ＮＨ₄ＯＨ／Ｈ₂Ｏ₂／Ｈ₂
ＯやＨ₂ＳＯ₄／Ｈ₂Ｏ₂／Ｈ₂ＯやＨＦ／Ｈ₂Ｏなどが用途
に応じて適宜選択される。

【００３１】洗浄が充分に実行された段階で、洗浄液の
噴出を止める。その後、乾燥用媒体の蒸気を乾燥用媒体
供給器２３および２４から半導体基板１３に噴出させ
る。乾燥用媒体の蒸気は、乾燥用媒体タンク２５に貯蔵
されていた乾燥用媒体がポンプ２６によって導入管２７
および２８内を輸送され、輸送途中に加熱装置２９のヒ
ーター線３０によって加熱されることによって、蒸気へ
変化したものである。

【００３２】乾燥用媒体蒸気は、半導体基板１３が回転
しているため、半導体基板１３に対して均一に噴出され
ることになる。乾燥用媒体蒸気は半導体基板１３に付着
していた液体に溶けこみ、その液体は半導体基板１３の
中心から円周方向に向く遠心力によって半導体基板１３
から除去される。こうして、半導体基板１３の乾燥が達
成される。乾燥用媒体蒸気の噴出を停止した後、半導体
基板１３の回転を停止する。その後、半導体基板１３を
洗浄チャンバー１２から取り出す。

【００３３】図示されていないが、チャンバー１２には
チャンバー１２内の液体および気体を外部に排出するた
めの排気／排液装置が設けられている。排気装置の動作
を調整することによって、チャンバー１２内の圧力を大
気圧に比べて正圧化または負圧化してもよい。

【００３４】本実施形態によれば、半導体基板１３を回
転させながら乾燥用媒体蒸気を吹き付けることにより、
半導体基板１３の全体が短時間のうちに乾燥用媒体蒸気
に暴露され、半導体基板表面が均一に乾燥される。ま
た、洗浄と乾燥を同一容器内で処理し、半導体基板１３
の搬送に要する時間を省略できるため、高いスループッ
トを実現できる。更に、半導体基板１３を回転させるた
め、遠心力を利用した乾燥と蒸気乾燥とを同時に行うた
め、高速乾燥が可能になる。半導体基板を回転しない場
合に比較して、所要時間を約２０〜５０％に短縮するこ
とが可能にある。

【００３５】本実施形態では、被洗浄物として半導体基
板を例にとったが、半導体基板以外のもの、例えばガラ
ス基板を洗浄乾燥することも可能である。このことは、
以下に説明する他の実施形態についても同様にあてはま
る。

【００３６】なお、本実施形態では、洗浄液ノズル１７
および１８と乾燥用媒体ノズル２３および２４は、半導
体基板１３の上下にそれぞれ１対づづ配置しているが、
ノズルの配置及び数はこれに限定されない。

【００３７】（実施形態２）次に、本発明の他の洗浄乾
燥方法の実施形態を説明する。使用する洗浄乾燥装置
は、図１の装置である。

【００３８】チャンバー１２に設けられた開閉扉（不図
示）から半導体基板１３をチャンバー１２内に挿入し、
半導体基板１３をホルダー１４に固定する。その後、回
転軸１６を通してモーター１５の動力をホルダー１４に
与え、半導体基板１３をホルダー１４とともに回転させ
る。洗浄液タンク１９に貯蔵されている洗浄液は、ポン
プ２０によって導入管２１および２２内を輸送され、洗
浄液供給器１７および１８から回転する半導体基板１３
に噴出される。このときの回転数は、例えば、１０〜１
００ｒ．ｐ．ｍ．である。

【００３９】洗浄が十分に実行された後、洗浄液の噴出
を停止することなく、乾燥用媒体を乾燥用媒体供給器２
３および２４から蒸気の状態で半導体基板１３に噴出す
る。ある時間、例えば１〜１０秒間、洗浄液の噴出およ
び乾燥用媒体蒸気の噴出が同時に行われる。

【００４０】その後、乾燥用媒体蒸気の噴出は停止しな
いで、洗浄液の噴出を停止する。乾燥用媒体蒸気は回転
する半導体基板１３に均一に噴射され、半導体基板１３
に付着していた液体に溶けこむ。そして、遠心力により
半導体基板から除去され、半導体基板１３の乾燥が達成
される。その後、乾燥用媒体蒸気の噴出を停止し、半導
体基板１３の回転も停止した後、チャンバー１２内から
半導体基板１３を外部へ取り出す。

【００４１】本実施形態によれば、洗浄液を噴出する工
程と乾燥用媒体蒸気を噴出する工程とが時間的に重複し
て行われるため、半導体基板の表面が大気に曝されるこ
となく、乾燥用媒体蒸気に暴露される。このため、大気
中の酸素によって半導体基板表面に酸化物が形成された
り、半導体基板表面にパーティクルが付着することを防
止でき、ウォーターマーク等の形成を抑制する。

【００４２】（実施形態３）次に、本発明の他の洗浄乾
燥方法の実施形態を説明する。使用する洗浄乾燥装置
は、図１の装置である。

【００４３】チャンバー１２に設けられた開閉扉（不図
示）から半導体基板１３をチャンバー１２内に挿入し、
半導体基板１３をホルダー１４に固定する。その後、回
転軸１６を通してモーター１５の動力をホルダー１４に
与え、半導体基板１３をホルダー１４とともに回転させ
る。洗浄液タンク１９に貯蔵されている洗浄液は、ポン
プ２０によって導入管２１および２２内を輸送され、洗
浄液供給器１７および１８から回転する半導体基板１３
に噴出される。このときの回転数は、例えば、１０〜６
００ｒ．ｐ．ｍ．である。

【００４４】洗浄が十分に実行された後、洗浄液の噴出
を停止することなく、乾燥用媒体を乾燥用媒体供給器２
３および２４から蒸気の状態で半導体基板１３に噴出す
る。ある時間、例えば１〜１０秒間、洗浄液の噴出およ
び乾燥用媒体蒸気の噴出が同時に行われる。また、この
とき、加熱装置２９内のヒーター３０により乾燥用蒸気
の沸点温度に近い温度に加熱した窒素を窒素吹き付けノ
ズル３１から半導体基板１３の表面に吹き付ける。

【００４５】その後、乾燥用媒体蒸気および加熱窒素の
噴出は停止しないで、洗浄液の噴出を停止する。乾燥用
媒体蒸気は回転する半導体基板１３に均一に噴射され、
半導体基板１３に付着していた液体に溶けこむ。同時
に、窒素の吹き付けによって、高い効率で半導体基板上
の液体は半導体基板からすみやかに除去され、半導体基
板１３の乾燥が達成される。その後、乾燥用媒体蒸気の
噴出を停止する。次に、加熱窒素の吹き付けを停止し、
半導体基板１３の回転も停止した後、チャンバー１２内
から半導体基板１３を外部へ取り出す。

【００４６】本実施形態によれば、洗浄液を噴出する工
程と乾燥用媒体蒸気を噴出する工程とが時間的に重複し
て行われるため、半導体基板の表面が大気に曝されるこ
となく、乾燥用媒体蒸気に暴露される。

【００４７】また、加熱窒素を吹き付けるため、乾燥用
蒸気の蒸発により半導体基板表面温度が低下すること防
止し、半導体基板温度を高温に保持できる。そのため、
半導体基板乾燥に要する時間を短縮できる。また、窒素
の吹き付けが液体を飛散するため、第２の実施形態の場
合よりも短い時間で乾燥を完了することが可能になる。

【００４８】なお、半導体基板温度上昇の為に吹き付け
るガスとしては、乾燥窒素の代わりに、他の不活性ガス
を用いても良い。

【００４９】（実施形態４）図２を参照しながら、本発
明による洗浄乾燥装置の他の実施形態を説明する。図１
の洗浄乾燥装置と異なる部分について説明し、共通する
部分についての説明は繰り返さない。

【００５０】この洗浄乾燥装置では、ホルダー１４が図
２の垂直方向（鉛直方向）に実質的に平行な面内で回転
される配置構成を採用している。そのため、半導体基板
１３の素子形成領域に立てた法線はほぼ水平方向を向い
ている。本実施形態によれば、半導体基板１３上の液体
が鉛直方向に重力を受ける。このため、回転による遠心
力と重力とによって液体の除去効率が向上する。

【００５１】（実施形態５）図３を参照しながら、本発
明による洗浄乾燥装置の他の実施形態を説明する。図１
の洗浄乾燥装置と異なる部分について説明し、共通する
部分についての説明は繰り返さない。

【００５２】この洗浄乾燥装置では、ホルダー１４の支
持面が実質的に鉛直方向（地球の中心に向いた方向）を
向いている。このため、半導体基板１３を被洗浄物とし
てホルダー１４に支持させると、半導体基板１３の素子
形成領域は延長方向を向く。半導体基板１３の素子形成
領域に立てた法線の先には地球が存在するため、チャン
バー１２内で発生したパーティクルが重力にしたがって
落下したとしても、そのパーティクルは半導体基板１３
の素子形成領域に付着しない。本実施形態によれば、洗
浄工程から乾燥工程を経て半導体基板１３をチャンバー
１２の外に取り出す一連の過程で、パーティクル付着の
問題を避けることができ、製造歩留まり低下を防止でき
る。

【００５３】（実施形態５）図５を参照しながら、本発
明による乾燥装置の実施形態を説明する。

【００５４】本実施形態の蒸気乾燥装置は、石英チャン
バー５１と、石英チャンバー５１の底部に配置した抵抗
加熱器５３とを備えてり、石英チャンバー５１の底部に
は常温では液化状態にある乾燥用媒体２が貯蔵されてい
る。抵抗加熱器５３は液化乾燥用媒体５２に浸されてい
る。石英チャンバ５１内には、半導体基板１３等の被洗
浄物を保持するホルダー１４が回転可能に支持されてお
り、回転軸１６を介して石英チャンバ５１外の回転モー
タ１５に接続されている。石英チャンバー５１の上部に
は蒸気吹き付け板５５が設けられており、この蒸気吹き
付け板５５には外部蒸気源５６が接続されている。蒸気
吹き付け板５５の上には、乾燥用媒体冷却用の冷却パイ
プ５７が設置されている。

【００５５】次に、本実施形態による蒸気乾燥方法を説
明する。

【００５６】まず、別の洗浄装置によって洗浄された被
洗浄物である濡れた半導体基板１３を石英チャンバー５
１内に搬送し、ホルダー１４によって保持する。次に、
モータ１５によってホルダー１４および半導体基板１３
を回転させる。石英チャンバー５１の底部の液化乾燥用
媒体５２は、前もって抵抗加熱器５３によって加熱さ
れ、沸騰し、乾燥用媒体蒸気５８を発生させている。半
導体基板１３を石英チャンバー５１内に挿入し、蒸気吹
き付け板５５でタンク内外を隔離した後、外部蒸気源５
６から乾燥用媒体蒸気６０を発生させ、乾燥用媒体蒸気
１０を蒸気吹き付け板５からタンク５１内に噴射する。
乾燥用媒体蒸気５８および乾燥用媒体蒸気６０は、半導
体基板１３上の残存する水滴状の液体中に溶解する。そ
の結果、水滴状の液体と半導体基板１３との間の接触角
が大きくなるため、水滴状液体と半導体基板１３との間
の付着力が弱まる。こうして、液体は重力および遠心力
によって速やかに半導体基板１３から排除され、半導体
基板１３の蒸気乾燥が達成される。蒸気乾燥が達成され
た後、モータ１５によるホルダー１４の回転を停止し、
半導体基板１３をタンク５１から取り出す。

【００５７】本実施形態によれば、半導体基板１３を回
転させながら乾燥用蒸気に曝露するため、半導体基板の
下部や上部の乾燥状態及び乾燥終了時間の不均一を解消
でき、半導体基板１３の全面で均一な乾燥を達成でき
る。

【００５８】

【発明の効果】本発明の洗浄乾燥装置および洗浄乾燥方
法によれば、被洗浄物の洗浄工程終了後に、濡れた状態
の被洗浄物を洗浄装置から蒸気乾燥装置へ搬送する必要
がない。そのため、搬送に要する時間だけスループット
を向上できる。また、被洗浄物の搬送中に被洗浄物にパ
ーティクルが付着してしまうおそれもない。更に、被洗
浄物が大気に触れないため、ウォーターマークの形成を
防止できる。また、被洗浄物を回転させるため、均一な
乾燥がより短時間で達成される。

【００５９】本発明の蒸気乾燥装置および蒸気乾燥方法
によれば、被洗浄物を回転させるため、均一な乾燥が短
時間で達成される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による洗浄乾燥装置の実施形態の概略図
である。

【図２】本発明による洗浄乾燥装置の他の実施形態の概
略図である。

【図３】本発明による洗浄乾燥装置の更に他の実施形態
の概略図である。

【図４】本発明による洗浄乾燥装置の更に他の実施形態
の概略図である。

【図５】従来の蒸気乾燥装置の概略図である。

【符号の説明】１、１２チャンバー２液化乾燥用媒体３抵抗加熱装置４、１３被洗浄物（半導体基板）５蒸気吹き付け板６外部蒸気源７冷却パイプ８、１０乾燥用媒体蒸気２１、２２、２７、２８導入管２９加熱装置３０ヒーター線２０、２６ポンプ１２容器１４ホルダー１５回転モーター１６回転軸１７、１８洗浄液供給器１９洗浄液タンク２３、２４乾燥用媒体供給器２５乾燥用媒体タンク

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】洗浄チャンバーと、前記洗浄チャンバー内で被洗浄物を回転可能に保持する
ホルダーと、前記ホルダーを前記被洗浄物とともに回転させる駆動部
と、前記ホルダー上の前記被洗浄物に洗浄液を供給する洗浄
液供給器と、前記ホルダー上の前記被洗浄物上の液体を乾燥させるた
めの乾燥用蒸気を前記洗浄チャンバー内に供給する乾燥
用媒体供給器と、を備えた洗浄乾燥装置。
【請求項２】加熱によって揮発性薬液を気化し、前記
乾燥用蒸気を生成し、前記乾燥用蒸気を前記乾燥用媒体
供給器に供給する蒸気発生器を備えている、請求項１に
記載の洗浄乾燥装置。
【請求項３】前記蒸気発生器は、前記揮発性薬液を貯蔵するタンクと、前記タンクと前記乾燥用媒体供給器とを連結する通路
と、前記通路の少なくとも一部を加熱する加熱器と、を備え
ている請求項２に記載の洗浄乾燥装置。
【請求項４】前記乾燥用媒体供給器は、前記乾燥用蒸気を前記被洗浄物に対して噴射する少なく
ともひとつのノズルを有している請求項３に記載の洗浄
乾燥装置。
【請求項５】前記洗浄終了後に前記ホルダー上の前記
被洗浄物上に残存している液体を乾燥させるための不活
性ガスを前記ホルダー上の前記被洗浄物に噴射する不活
性ガス供給器を備えている請求項１に記載の洗浄乾燥装
置。
【請求項６】前記不活性ガスを加熱する他の加熱器を
備えている請求項５に記載の洗浄乾燥装置。
【請求項７】前記ホルダーは、水平方向に実質的に平
行な面内で回転できるように配置されている請求項１か
ら６の何れかに記載の洗浄乾燥装置。
【請求項８】前記ホルダーは、鉛直方向に実質的に平
行な面内で回転できるように配置されている請求項１か
ら６の何れかに記載の洗浄乾燥装置。
【請求項９】前記駆動部によって前記ホルダーを前記
被洗浄物とともに回転させながら、前記乾燥用媒体供給
器によって前記乾燥用蒸気を前記チャンバー内に供給さ
せる制御装置を備えている請求項１から８の何れかに記
載の洗浄乾燥装置。
【請求項１０】洗浄チャンバーと、前記洗浄チャンバー内で被洗浄物を保持するホルダー
と、前記ホルダー上の前記被洗浄物に洗浄液を供給する洗浄
液供給器と、洗浄終了後に前記ホルダー上の前記被洗浄物上に残存し
ている液体を乾燥させるための乾燥用蒸気を前記洗浄チ
ャンバー内に供給する乾燥用媒体供給器と、を備えた洗
浄乾燥装置。
【請求項１１】被洗浄物を洗浄する工程と、前記被洗浄物を回転させながら、前記被洗浄物上の液体
を乾燥させるための乾燥用蒸気を前記被洗浄物に供給す
る工程と、を包含する洗浄乾燥方法。
【請求項１２】被洗浄物を回転させながら前記被洗浄
物に洗浄液を供給する工程と、前記被洗浄物を回転させながら、前記被洗浄物に前記洗
浄液および前記洗浄液を乾燥させるための乾燥用蒸気の
両方を前記被洗浄物に供給する工程と、前記被洗浄物を回転させながら、前記被洗浄物の供給は
停止するが、前記乾燥用蒸気を前記被洗浄物に供給する
工程と、を包含する洗浄乾燥方法。
【請求項１３】前記乾燥用蒸気を前記被洗浄物に供給
する工程において、不活性ガスを前記被洗浄物に噴射す
る請求項１２に記載の洗浄乾燥方法。
【請求項１４】前記乾燥用蒸気はアルコール蒸気であ
る請求項１１から１３の何れかに記載の洗浄乾燥方法。
【請求項１５】乾燥チャンバーと、前記乾燥チャンバー内で被洗浄物を回転可能に保持する
ホルダーと、前記ホルダーを前記被洗浄物とともに回転させる駆動部
と、前記ホルダー上の前記被洗浄物上の液体を乾燥させるた
めの乾燥用蒸気を前記洗浄チャンバー内に供給する乾燥
用媒体供給器と、を備えた蒸気乾燥装置。
【請求項１６】被洗浄物を回転させながら、前記被洗
浄物上の液体を乾燥させるための乾燥用蒸気を前記被洗
浄物に供給する蒸気乾燥方法。