JPH11340409A - リードフレームおよびその製造方法ならびに樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

リードフレームおよびその製造方法ならびに樹脂封止型半導体装置およびその製造方法

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JPH11340409A
JPH11340409A JP10145336A JP14533698A JPH11340409A JP H11340409 A JPH11340409 A JP H11340409A JP 10145336 A JP10145336 A JP 10145336A JP 14533698 A JP14533698 A JP 14533698A JP H11340409 A JPH11340409 A JP H11340409A
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  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 吊りリードの存在により、サイズの大きな半
導体チップを搭載できず、小型化、薄型化に対応できな
かった。 【解決手段】 信号接続用リード部９がアウターリード
部１０と接続して、フレーム枠１１により支持されてい
る。そして少なくとも信号接続用リード部９、アウター
リード部１０、フレーム枠１１の底面は、樹脂フィルム
１２が密着され、また信号接続用リード部９の各先端部
が延在して配置された開口部１３に露出した樹脂フィル
ム１２上にダイパッド部１４が固着されることにより、
従来のように吊りリード部なしで単独でフレーム枠１１
内でダイパッド部１４が存在しているものである。これ
により、樹脂封止型半導体装置自体のサイズを大きくせ
ず、サイズの大きい半導体チップでも搭載できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップおよ
び半導体チップに接続される信号接続用リードを封止樹
脂により封止した樹脂封止型半導体装置およびその製造
方法、また、その樹脂封止型半導体装置に用いるリード
フレームおよびその製造方法に関するものであり、特に
樹脂封止型半導体装置の薄型化に対応できるリードフレ
ームおよびその製造方法ならびに樹脂封止型半導体装置
およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化に対応するため
に、電子機器に搭載される半導体部品を高密度に実装す
ることが要求され、それにともなって、半導体部品の小
型、薄型化が加速度的に進んでいる。
【０００３】以下、従来の樹脂封止型半導体装置につい
て図面を参照しながら説明する。図１６（ａ）および図
１６（ｂ）は、従来の樹脂封止型半導体装置を示す図で
あり、図１６（ａ）は平面図であり、便宜上、封止樹脂
は透明体として輪郭のみ示している。また図１６（ｂ）
は図１６（ａ）のＡ−Ａ１箇所の断面図である。
【０００４】図１６に示すように、従来の樹脂封止型半
導体装置は、裏面側の周辺部に外部端子部が配列された
片面封止タイプの樹脂封止型半導体装置である。
【０００５】従来の樹脂封止型半導体装置は、まずリー
ドフレームとして、インナーリード部１と、ダイパッド
部２と、そのダイパッド部２を支持する吊りリード部３
とから構成されるリードフレームを用いている。
【０００６】そして、リードフレームのダイパッド部２
上に半導体チップ４が接着剤により接合されており、半
導体チップ４の電極パッド（図示せず）とインナーリー
ド部１とは、接続部材として金属細線５により電気的に
接続されている。そして，インナーリード部１の一部、
ダイパッド部２、半導体チップ４、吊りリード部３の一
部および金属細線５は封止樹脂６により封止されてい
る。この構造では、インナーリード部１の裏面側には封
止樹脂６は存在せず、インナーリード部１の裏面側は露
出されており、この露出面を含むインナーリード部１の
下面部がアウターリード部７となっている。なお、封止
樹脂６との密着性を確保するために、インナーリード部
１やダイパッド部２の側面を表裏の面に対して直交する
のではなく、上方に向かって拡大するようにテーパ状に
しているものである。
【０００７】このような樹脂封止型半導体装置において
は、封止樹脂６の裏面とダイパッド部２の裏面とは共通
の面上にある。すなわち、リードフレームの裏面側は実
質的に封止されていないので、薄型の樹脂封止型半導体
装置が実現する。
【０００８】次に図１６に示した構造を有する従来の樹
脂封止型半導体装置の製造工程においては、まず、イン
ナーリード部１、ダイパッド部２を有するリードフレー
ムを用意し、機械的加工または化学的加工を行なって、
リードフレームの側面をテーパ状にする。次に、吊りリ
ード部３を機械加工により部分的にアップセット部８を
加工する。用意したリードフレームのダイパッド部２の
上に半導体チップ４を接着剤により接合した後、半導体
チップ４とインナーリード部１とを金属細線５により電
気的に接続する。金属細線５には、アルミニウム（Ａ
ｌ）細線、金（Ａｕ）線などが適宜用いられる。次に、
ダイパッド部２、半導体チップ４、インナーリード部
１，吊りリード部３の一部および金属細線５を封止樹脂
６により封止する。この場合、半導体チップ４が接合さ
れたリードフレームが封止金型内に収納されて、トラン
スファーモールドされるが、特にリードフレームの裏面
が封止金型の上金型又は下金型に接触した状態で、樹脂
封止が行なわれる。最後に、樹脂封止後に封止樹脂６か
ら外方に突出しているアウターリード部７を所定の長さ
に切断して、樹脂封止型半導体装置が完成する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記従来
の樹脂封止型半導体装置では、薄型化を実現するため
に、実質的にはリードフレームの半導体チップが搭載さ
れた面、すなわちリードフレームの上面のみを封止樹脂
で封止した構造である。そのため、リードフレームと封
止樹脂との接触面積の低下により、密着性が損なわれ、
封止樹脂の応力および実装後の応力により半導体チップ
が悪影響を受けたり、封止樹脂にクラックが発生すると
いう問題があった。特に、ダイパッド部と封止樹脂との
間に水分、湿気が侵入した場合には、両者間の密着性の
低下やクラックの発生が顕著になる。これによって、さ
らに信頼性が悪化するという問題があった。
【００１０】また、ダイパッド部とリードフレームとを
接続している吊りリード部の一部が封止樹脂内にあり、
吊りリード部が上部にアップセットされており、大きな
半導体チップが搭載できず小型化が図れないという問題
もあった。また、アップセットした吊りリード部の上部
の封止樹脂に内蔵される部分に金属細線が当たるため、
搭載する半導体チップ上の電極位置の制限が大きいうえ
に、吊りリード部の露出部を多くすると、吊りリード部
の密着性の低下やクラックの発生により信頼性が悪化す
るという問題があった。
【００１１】また、ダイパッド部とリードフレームとを
接続している吊りリード部が底面に一部露出しているた
め、実装基板の設計に制限を与えるという問題もあっ
た。さらにプリント基板への実装後の応力により、金属
細線で接続されたインナーリード部に負荷がかかり、接
続不良が発生するという問題もあった。
【００１２】また、吊りリード部の製造工程における変
形のために、ダイパッド部の裏面に樹脂バリが発生する
という問題もあった。またダイパッド部と封止樹脂との
密着性が弱く、耐湿性に問題があり、正しい機能を発揮
させる小型の樹脂封止型半導体装置を供給することがで
きないという問題もあった。また、実装基板と樹脂封止
型半導体装置の実装において、吊りリード部が一部露出
している関係上、吊りリード部が接続不良（ショート）
の原因になるという問題もあった。またダイパッド部と
の接合において、ダイパッド部の裏面上に封止樹脂の一
部がはみ出していわゆる樹脂バリが介在すると、放熱パ
ッド等との接触が不十分となり、放熱特性などの所望の
特性を十分発揮できない恐れがあるという問題もあっ
た。なお、この樹脂バリはウォータージェットなどの利
用によって除去できるが、かかる処理は煩雑な手間を要
し、しかも、ウォータージェット工程によってリード上
のニッケル（Ｎｉ），パラジウム（Ｐｄ），金（Ａｕ）
のメッキ層が剥がれ、また不純物が付着することから、
樹脂封止工程後に封止樹脂から露出している部分にメッ
キを施すことが必要となり、作業能率の低下，信頼性の
悪化を招く恐れもあった。
【００１３】本発明は、前記従来のリードフレームおよ
びそれを用いた場合の樹脂封止型半導体装置の製造工
程、実装時の種々の課題に鑑みて、前記従来の課題を解
決するものであり、薄型化、小型化で放熱性の良い樹脂
封止型半導体装置とその製造方法およびその樹脂封止型
半導体装置を作り込むのに適したリードフレームおよび
その製造方法を提供することを目的とする。
【００１４】本発明の第１の目的は、吊りリード部が不
要な手段を講ずることにより、大きな半導体チップを搭
載可能な小型の樹脂封止型半導体装置を提供することを
目的とする。
【００１５】本発明の第２の目的は、吊りリード部が不
要な手段を講ずることにより、実装基板の設計に影響の
少ない小型の樹脂封止型半導体装置およびリードフレー
ムを提供することを目的とする。
【００１６】本発明の第３の目的は、信号接続用リード
部（インナーリード部）上に半導体チップがオーバーハ
ング可能な手段を講ずることにより、大きな半導体チッ
プを搭載可能にし、小型の樹脂封止型半導体装置を提供
することを目的とする。
【００１７】本発明の第４の目的は、ダイパッド部の下
面を封止樹脂から露出させた場合におけるダイパッド部
に対する封止樹脂の保持力を高める手段を講ずることに
より、ダイパッド部の封止樹脂からの剥がれを抑制し得
る樹脂封止型半導体装置およびその製造に適したリード
フレームを提供することを目的とする。
【００１８】本発明の第５の目的は、ダイパッド部と封
止樹脂との間から水分や湿気が侵入することによる封止
樹脂のクラックを抑制し得る樹脂封止型半導体装置およ
びその製造に適したリードフレームを提供することを目
的とする。
【００１９】本発明の第６の目的は、ダイパッド部の下
面を封止樹脂から露出させた場合における樹脂バリの発
生を防止する手段を講ずることにより、放熱特性のよい
樹脂封止型半導体装置およびその製造方法ならびにその
製造に適したリードフレームを提供することを目的とす
る。
【００２０】本発明の第７の目的は、半導体チップの大
きさの変化に対応可能で、信頼性の向上が可能な小型の
樹脂封止型半導体装置およびリードフレームを提供する
ことを目的とする。
【００２１】
【課題を解決するための手段】前記従来の課題を解決す
るために、本発明のリードフレームおよびその製造方法
ならびに樹脂封止型半導体装置およびその製造方法は以
下のような構成を有している。すなわち本発明のリード
フレームは、フレーム枠と、前記フレーム枠の領域内に
設けられた開口部の中央部付近に設けられたダイパッド
部と、前記ダイパッド部に対してその各先端部が延在し
て配置された信号接続用リード部と、前記信号接続用リ
ード部に連続して接続した外端子部と、前記フレーム枠
および前記外端子部の底面に接着する樹脂フィルムとよ
りなるリードフレームであって、前記信号接続用リード
部の上部には幅広部が設けられ、表面には溝が設けら
れ、前記ダイパッド部は前記フレーム枠の前記開口部に
露出した前記樹脂フィルムに固着して設けられたリード
フレームである。
【００２２】また、フレーム枠と、前記フレーム枠の領
域内に設けられた開口部の中央部付近に設けられたダイ
パッド部と、前記ダイパッド部に対してその各先端部が
延在して配置された信号接続用リード部と、前記信号接
続用リード部に連続して接続した外端子部と、前記フレ
ーム枠および前記外端子部の底面に接着する樹脂フィル
ムとよりなるリードフレームであって、前記信号接続用
リード部の上部には幅広部が設けられ、表面には溝が設
けられ、前記ダイパッド部は前記外部端子の厚みより厚
く構成され、また前記ダイパッド部は前記フレーム枠の
前記開口部に露出した前記樹脂フィルムに固着して設け
られたリードフレームである。
【００２３】また、ダイパッド部の外周部下方には段差
部が設けられているリードフレームである。
【００２４】また、リードフレームの製造方法において
は、開口部と、前記開口部の領域内に信号接続用リード
と、前記信号接続用リードに連続して設けられた外部端
子部とを有した導電性材料よりなるリードフレームを用
意する工程と、前記リードフレームの底面側に接着性を
有した樹脂フィルムを密着させる工程と、前記開口部に
露出した前記樹脂フィルム面に別に用意したダイパッド
部の底面を固着させる工程とよりなるリードフレームの
製造方法である。
【００２５】次に本発明の樹脂封止型半導体装置は、電
極パッドを有した半導体チップと、前記半導体チップを
支持したダイパッド部と、前記半導体チップの電極パッ
ドと接続する信号接続用リード部と、前記半導体チップ
と前記信号接続用リード部とを電気的に接続する接続部
材と、前記信号接続用リード部と連続して設けられ、外
部と接続する外部端子部と、前記ダイパッド部と前記半
導体チップと前記信号接続用リード部と前記外部端子部
および前記接続部材とを封止する封止樹脂とを備え、前
記ダイパッド部の下部の少なくとも一部と前記外部端子
部の下部の少なくとも一部とは前記封止樹脂から露出し
ており、前記ダイパッド部は実質的に前記封止樹脂によ
り固着されて支持されている樹脂封止型半導体装置であ
る。
【００２６】また、実質的に封止樹脂により固着されて
支持されているダイパッド部の厚みは信号接続用リード
部の厚みより厚い樹脂封止型半導体装置である。また、
実質的に封止樹脂により固着されて支持されているダイ
パッド部の外周部下面には、段差部が設けられている樹
脂封止型半導体装置である。また、半導体チップと電気
的に接続した信号接続用リード部はその上部に幅広部
と、複数の溝が設けられている樹脂封止型半導体装置で
ある。また、半導体チップと電気的に接続した信号接続
用リード部と連続して接続した外部端子の露出面および
半導体チップを支持しているダイパッド部の底面は、封
止樹脂面より突出して配列されている樹脂封止型半導体
装置である。また、信号接続用リード部の先端部は、前
記信号接続用リード部と連続して設けられ、外部と接続
する外部端子部に対して、段差を有している樹脂封止型
半導体装置である。
【００２７】樹脂封止型半導体装置の製造方法において
は、フレーム枠と、前記フレーム枠の領域内に設けられ
た開口部の中央部付近に設けられたダイパッド部と、前
記ダイパッド部に対してその各先端部が延在して配置さ
れた信号接続用リード部と、前記信号接続用リード部に
連続して接続した外端子部と、前記フレーム枠および前
記外端子部の底面に接着する樹脂フィルムとよりなるリ
ードフレームを用意する工程と、前記リードフレームに
対して、半導体チップを前記ダイパッド部上に接着する
工程と、前記ダイパッド部上に接着した半導体チップと
前記信号接続用リードとを接合部材により電気的に接続
する工程と、前記半導体チップが搭載された前記リード
フレームに対して、前記樹脂フィルムが密着された前記
外部端子部の底面および前記ダイパッド部の底面を封止
金型面に押圧して封止樹脂により樹脂封止を行う工程
と、樹脂封止後、前記樹脂フィルムを除去することによ
り外部端子部およびダイパッド部を封止樹脂の底面から
突出して露出させる工程と、前記外部端子部の延在した
先端部分を切断し、外部端子部の先端部面と封止樹脂の
側面とを略同一面に形成する工程とよりなる樹脂封止型
半導体装置の製造方法である。
【００２８】また、用意するリードフレームにおいて
は、リードフレームの信号接続用リード部の上部には幅
広部が設けられ、表面には溝が設けられているリードフ
レームを用意する樹脂封止型半導体装置の製造方法であ
る。
【００２９】本発明の代表的な作用は以下の通りであ
る。すなわち、フレーム枠の開口部の中央部に露出した
樹脂フィルム上にダイパッド底面を固着させることによ
り生産性、品質、実装信頼性の良い樹脂封止型半導体装
置に適した特徴あるリードフレームを実現できるもので
ある。また、リードフレームの幅広部と溝とが設けられ
た信号接続用リード部底面側の少なくとも外部端子部の
周辺に樹脂フィルムを密着させた後に、フレーム枠の開
口部の中央部に外部端子部の厚みより厚いダイパッド部
の底面を樹脂フィルムに固着させることにより、信号接
続用リード部の上方に半導体チップをダイパッド部に接
着して配することが可能になり、信号接続用リード部の
先端部位置より大きな半導体チップを搭載し生産性、品
質、実装信頼性の良い小型の樹脂封止型半導体装置に適
した特徴あるリードフレームを実現できる。また、リー
ドフレームの幅広部と溝とが設けられた信号接続用リー
ド部の底面側の少なくとも外部端子部の周辺に樹脂フィ
ルムを密着させた後に、外部端子部の厚みより厚いダイ
パッド部あるいは、外部端子部の厚みより厚くかつ、外
周部に段差部を有したダイパッド部の底面を樹脂フィル
ムに固着させることにより、信号接続用リード部の上方
に半導体チップをダイパッド部に接着して配することが
でき、信号接続用リード部の先端部より大きな半導体チ
ップを搭載した小型の生産性、品質、実装信頼性の良い
脂封止型半導体装置に適し、また、ダイパッド部の下方
周辺部に封止樹脂が配されるために耐湿性に優れ、樹脂
封止型半導体装置に適した特徴あるリードフレームを実
現できる。
【００３０】また、リードフレームの製造方法において
は、樹脂封止型半導体装置の特性に応じた特徴あるダイ
パッド部は別に用意し、リードフレームを共用可能に
し、効率の良い製造方法を実現できる。
【００３１】また、樹脂封止型半導体装置においては、
従来のように吊りリード部が周辺部に延在しないために
実装性が良く、金属細線の接続も容易で生産性が良い樹
脂封止型半導体装置を実現できる。また、外部端子部の
厚みより厚いダイパッド部の存在により、信号接続用リ
ード部の上方に半導体チップをダイパッド部に接着して
配することができ、信号接続用リード部の先端部より大
きな半導体チップを搭載した小型の生産性、実装信頼性
の良い樹脂封止型半導体装置を実現できる。また、外部
端子部の厚みより厚いダイパッド部の下方外周部には、
段差加工がされ、封止樹脂により信号接続用リード部の
中央部に固着されており、外部端子部の厚みより厚いダ
イパッドの底面を樹脂フィルムに固着させることによ
り、信号接続用リード部の上方に半導体チップをダイパ
ッド部に接着して配することができ、信号接続用リード
部の先端部より大きな半導体チップを搭載でき、その上
にダイパッド部の下方周辺部に封止樹脂を配することが
できるために、特に耐湿性、実装信頼性の良い樹脂封止
型半導体装置を実現できる。また、信号接続用リード部
の表面には幅広部と、複数の溝が存在することにより、
封止樹脂が溝部に入り、そのアンカー効果と、また幅広
部の効果により、外部端子部が封止樹脂の底面に突出し
ていても、樹脂との密着性が向上するため、実装信頼性
をはじめとした種々の信頼性を向上した樹脂封止型半導
体装置を実現することができる。また、外部端子の露出
面およびダイパッド部下面を封止樹脂面より突出し配列
することにより実装基板と半導体装置の底面の空間を開
けやすく実装後の信頼性に好適な樹脂封止型半導体装置
を実現できる。また、半導体チップの電極と信号接続用
リード部とを接続する金属細線の長さは外部端子部の
数、半導体チップの大きさにより決まるが、その長さは
生産性、品質に影響を与える。特に樹脂封止工程での樹
脂の流れによる金属細線のタッチによる不良に与える影
響は大きな課題である。したがって、外部端子部より薄
く加工した信号接続用リード部を好適に配することによ
り金属細線の接続長さを短くすることができ、金属細線
の接続も容易で、生産性の良い樹脂封止型半導体装置を
実現できる。
【００３２】
【発明の実施の形態】本発明のリードフレームおよびそ
の製造方法ならびに樹脂封止型半導体装置およびその製
造方法について、それらの一実施形態について図面を参
照しながら説明する。
【００３３】まず本発明のリードフレームの実施形態に
ついて説明する。図１は本実施形態のリードフレームを
示す平面図である。
【００３４】図１に示すように、本実施形態のリードフ
レームにおいては、信号接続用リード部９がアウターリ
ード部１０と接続して、フレーム枠１１により支持され
ている。そして少なくとも信号接続用リード部９、アウ
ターリード部１０、フレーム枠１１の底面は、樹脂フィ
ルム１２が密着され、また信号接続用リード部９の各先
端部が延在して配置された開口部１３に露出した樹脂フ
ィルム１２上にダイパッド部１４が固着されることによ
り、従来のように吊りリード部なしで単独でフレーム枠
１１内でダイパッド部１４が存在しているものである。
なお、本実施形態のリードフレームにおいては、信号接
続用リード部９、アウターリード部１０、フレーム枠１
１は、導電性材料として、金属板により一体で構成され
ているものであるが、フレーム枠１１とリード類とを別
構成としてもよい。
【００３５】図１において、破線で示した部分が樹脂フ
ィルム１２の密着された領域である。また半導体チップ
を搭載した後、封止樹脂で封止した場合の封止ラインは
一点鎖線で示し、一点鎖線よりも外側の部分がアウター
リード部１０を構成する部分となる。
【００３６】本実施形態のリードフレームにおけるダイ
パッド部１４は、その形状、厚さを半導体装置の特性、
搭載する半導体チップの大きさ、厚さ、実装条件、要求
信頼性等により決定し、加工した後、樹脂フィルム１２
上に固着することにより、リードフレームは完成する。
また、リードフレームはダイパッド部１４の変更に関係
なく、広く共用することができるものである。
【００３７】本実施形態のリードフレームでは、ダイパ
ッド部１４の厚みは、信号接続用リード９の厚みと同
等、またはより厚い断面、もしくはダイパッド部１４の
底面周囲にフランジ部が存在する段付形状により構成さ
れているものである。さらに、本実施形態のリードフレ
ームは、樹脂封止の際、封止樹脂の流出を止めるタイバ
ーを設けていないリードフレームである。
【００３８】なお、本実施形態のリードフレームは図１
で示した構成よりなるリードフレームパターンが１つで
はなく複数個、左右、上下の連続した配列になっている
ものである。
【００３９】本実施形態において、樹脂フィルム１２
は、吊りリードを不要とし、ダイパッド部１４の固着と
ともに、特にダイパッド部１４の下面側および信号接続
用リード部９の裏面側の外部端子部を構成する部分に樹
脂封止時に封止樹脂が回り込まないようにするマスク的
な役割を果たさせるためのものであり、この樹脂フィル
ム１２の存在によって、ダイパッド部１４の下面や、外
部端子部に相当する部分に樹脂バリが形成されるのを防
止することができる。また、この樹脂フィルム１２は、
ポリエチレンテレフタレート，ポリイミド，ポリカーボ
ネートなどを主成分とする樹脂をベースとしたフィルム
であり、樹脂封止後は容易に剥がすことができ、また樹
脂封止時における高温環境に耐性があるものであればよ
い。なお、樹脂バリとは樹脂封止の際に発生するリード
フレームに対する残余樹脂であり、樹脂成形上、不必要
な部分である。
【００４０】また、樹脂封止時に用いる封止金型におい
て、片方の金型は、この樹脂フィルム１２の働きによ
り、封止樹脂と接することがないため、樹脂バリの発生
の防止の他にも、樹脂封止後の離型のための押し出しピ
ンや、封止樹脂から金型変形を防止するための焼き入れ
等を必要としないため、金型構造を単純化することがで
きるものである。
【００４１】次に本実施形態のリードフレームの製造方
法について図面を参照しながら説明する。図２，図３お
よび図４は、本実施形態のリードフレームの製造方法を
工程順に示した平面図である。
【００４２】まず図２に示すように、第１の工程とし
て、リードフレームを構成する銅材等よりなる金属板に
対して、エッチング処理、またはプレス加工により、そ
の金属板中に形成したフレーム枠１１、アウターリード
部１０と接続する信号接続用リード部９を有したリード
フレーム構成体１５を形成する。ここで信号接続用リー
ド部９の各先端部が延在して配置された中央部は開口部
１３を構成している。なお、図２においては、一点鎖線
で示した領域は、半導体チップを搭載して樹脂封止した
際の封止ラインである。
【００４３】次に、図３に示すように、第２の工程とし
て、予め銅材等よりなる前記した図２で用いた金属板と
は別の金属板に対して、エッチング処理、またはプレス
加工により、ダイパッド部１４を形成する。ダイパッド
部１４は接続部１６により保持されているものであり、
接続部１６はハーフエッチ等により切断が容易に構成さ
れているため、ダイパッド部１４を分離させることは容
易である。
【００４４】次に、図４に示すように、第３の工程とし
て、リードフレーム構成体１５に対して樹脂フィルム１
２を密着させる。樹脂フィルム１２の密着は、リードフ
レーム構成体１５の領域内に形成されている信号接続用
リード部９、アウターリード部１０、フレーム枠１１に
密着するように行うもので、一例としては接着剤付きの
樹脂フィルムを用いて、リードフレーム構成体１５に接
着して密着させるものである。そして開口部１３に露出
した樹脂フィルム１２上に対して、ダイパッド部１４を
固着させ、吊りリード部が存在しないリードフレームを
得ることができる。なお、図４において、破線で示した
部分が樹脂フィルム１２の密着された領域である。また
半導体チップを搭載した後、封止樹脂で封止した場合の
封止ラインは一点鎖線で示し、一点鎖線よりも外側の部
分がアウターリード部１０を構成する部分となる。ま
た、通常、樹脂フィルムを密着させる前に、リードフレ
ーム構成体１５、ダイパッド部１４に対して、ニッケル
（Ｎｉ），パラジウム（Ｐｄ），銀（Ａｇ），金（Ａ
ｕ）などの金属メッキを付すメッキ工程が設けられてい
るものである。
【００４５】以上のような工程により、吊りリード部を
不要としたダイパッド部１４と、そのダイパッド部１４
にその各先端部が延在して配置された信号接続用リード
部９と、その信号接続用リード部９に連続して設けら
れ、フレーム枠１１につながるアウターリード部１０よ
りなるリードフレームを得ることができる。
【００４６】なお、本実施形態のリードフレームの厚み
については、２００［μｍ］であり、ダイパッド部１４
の厚みは３００［μｍ］であり、１００［μｍ］厚く構
成した。ダイパッド部１４を他の構成よりも厚く形成す
ることにより、ダイパッド部１４よりもサイズの大きい
半導体チップを搭載した場合、信号接続用リード部９に
半導体チップが接触することはなく、大きな半導体素チ
ップを搭載可能にし、ダイパッド部露出の小型の樹脂封
止型半導体装置を実現できる。
【００４７】したがって、本実施形態のリードフレーム
は、基本構造として信号接続用リード部９の開口部１３
にダイパッド部１４が配置された構造となり、さらに従
来のようなダムバーを設けていない構造である。本実施
形態のリードフレームは、吊りリード部を廃することに
より、大きな半導体素チップを搭載可能にし、ダイパッ
ド部露出の小型の樹脂封止型半導体装置を実現できるリ
ードフレームである。
【００４８】次に本発明の樹脂封止型半導体装置につい
て、その一実施形態を図面を参照しながら説明する。
【００４９】本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、ダ
イパッド部の下面を封止樹脂の裏面から露出させた共通
の構成を有しており、その中の各種の実施形態について
説明する。
【００５０】図５は本実施形態の樹脂封止型半導体装置
を示す図であり、図５（ａ）は、斜視上面図であり、図
５（ｂ）は斜視下面図であり、図５（ｃ）は図５（ａ）
のＡ−Ａ１箇所の断面図である。
【００５１】本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、図
５に示すように、ダイパッド部１４上に接着剤により搭
載された半導体チップ１７と、信号接続用リード部９と
半導体チップ１７とを電気的に接続した接続部材である
金属細線１８と、半導体チップ１７、ダイパッド部１４
の側面領域、信号接続リード部９の上面と側面領域、金
属細線１８を封止した封止樹脂１９とより構成されてお
り、封止樹脂１９より露出した信号接続用リード部９の
側面と下面領域は外部端子部２０を構成しているもので
ある。
【００５２】本実施形態の樹脂封止型半導体装置におい
ては、信号接続用リード部９の下面側には封止樹脂１９
は存在せず、信号接続用リード部９の下面と一部側面が
露出されており、この信号接続用リード部９の下面およ
びダイパッド部１４の下面が実装基板との接続面とな
る。すなわち、信号接続用リード部９の下部が外部端子
部２０となっている。
【００５３】そして、ダイパッド部１４の露出部および
外部端子部２０の下面には、樹脂封止工程における樹脂
のはみ出し部分である樹脂バリが存在せず、実装基板の
電極との接合の信頼性が向上するものである。なお、ダ
イパッド部１４および外部端子部２０の露出構造は、後
述する製造方法によって容易に実現できるものである。
【００５４】なお、本実施形態では、図６の樹脂封止型
半導体装置の平面透視図に示すように、信号接続用リー
ド部９の側方には外部端子部２０となるアウターリード
部が存在せず、信号接続用リード部９の下部が外部端子
部２０とすることも可能であり、半導体装置の小型化を
図ることができる。すなわち、封止樹脂１９の面から信
号接続用リード部９の側面を突出させず、信号接続用リ
ード部９の露出面と封止樹脂１９の面とを実質的に同一
面に形成することで、樹脂封止型半導体装置の側面から
リード部が突出しない小型の樹脂封止型半導体装置を実
現できるものである。図６において、破線で示した構成
はダイパッド部１４を示し、半導体チップ１７が大きい
構成を示し、他の構成は図５の構成と同一であるので、
説明は省略する。
【００５５】さらに、本実施形態の樹脂封止型半導体装
置では、外部端子部２０およびダイパッド部１４が封止
樹脂１９の面、すなわち封止樹脂１９の下面から突出し
て形成されているため、実装基板に本実施形態の樹脂封
止型半導体装置を実装する際の外部端子部２０およびダ
イパッド部１４と実装基板の電極との接合において、外
部端子部２０およびダイパッド部１４のスタンドオフ高
さが予め確保されていることになる。したがって、外部
端子部２０をそのまま外部電極として用いることがで
き、実装基板への実装のために外部端子部２０にはんだ
ボール等を付設する必要はなく、製造工数、製造コスト
的に有利となる。
【００５６】ここで、本実施形態の樹脂封止型半導体装
置の特徴は、従来のようにダイパッド部１４を支持する
吊りリード部が存在しないため、従来制限の多かったダ
イパッド部１４より大きな半導体チップの搭載範囲の拡
大を可能にするものである。また、製造工程における吊
りリード部の変形による生産性、製造上の従来の課題を
解決することを可能にするものである。
【００５７】次に、本実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図
７（ａ）〜（ｆ）は、本実施形態の樹脂封止型半導体装
置の製造工程を示す断面図である。
【００５８】まず、図７（ａ）に示すように、第１の工
程として、信号接続用リード部９がアウターリード部１
０と連続で接続され、フレーム枠により支持され、少な
くとも信号接続用リード部９、アウターリード部１０の
底面は、樹脂フィルム１２が密着され、また信号接続用
リード部９の各先端部が延在して配置された開口部１３
に露出した樹脂フィルム１２上にダイパッド部１４が固
着されているリードフレーム２１を用意する。
【００５９】ここでリードフレーム２１は、従来のよう
に吊りリード部なしで単独でダイパッド部１４が存在し
ているものであり、また、樹脂封止の際、封止樹脂の流
出を止めるタイバーを設けていないリードフレームであ
る。また、本実施形態におけるリードフレーム２１は、
銅（Ｃｕ）素材のフレームに対して、下地メッキとして
ニッケル（Ｎｉ）層が、その上にパラジウム（Ｐｄ）層
が、最上層に薄膜の金（Ａｕ）層がそれぞれメッキされ
た３層の金属メッキ済みのリードフレームである。ただ
し、銅（Ｃｕ）素材以外にも４２アロイ材等の素材を使
用でき、また、ニッケル（Ｎｉ），パラジウム（Ｐ
ｄ），金（Ａｕ）以外の貴金属メッキが施されていても
よく、さらに、必ずしも３層メッキでなくてもよい。
【００６０】次に図７（ｂ）に示すように、第２の工程
として、用意したリードフレーム２１のダイパッド部１
４上に半導体チップ１７を接着剤により搭載する。この
工程は、いわゆるダイボンド工程である。
【００６１】そして図７（ｃ）に示すように、第３の工
程として、ダイパッド部１４上に搭載した半導体チップ
１７と信号接続用リード部９とを金属細線１８により電
気的に接合する。この工程は、いわゆるワイヤーボンド
工程である。
【００６２】次に図７（ｄ）に示すように、第４の工程
として、ダイパッド部１４上に半導体チップ１７が搭載
され、樹脂フィルム１２が貼り付けられたままのリード
フレーム２１を封止金型内に収納し、金型でリードフレ
ーム２１の信号接続用リード部９の先端側（外枠）を樹
脂フィルム１２とともに押圧して、金型内に封止樹脂を
流し込んで樹脂封止を行い、半導体チップ１７側を封止
樹脂１９で封止する。
【００６３】この樹脂フィルム１２は、特にダイパッド
部１４の下面側および信号接続用リード部９の裏面側に
樹脂封止時に封止樹脂が回り込まないようにするマスク
的な役割を果たし、この樹脂フィルム１２の存在によっ
て、ダイパッド部１４の下面や、信号接続用リード部９
の裏面に樹脂バリが形成されるのを防止することができ
る。
【００６４】この樹脂フィルム１２は、本実施形態のリ
ードフレームの説明で示した通り、ポリエチレンテレフ
タレート，ポリイミド，ポリカーボネートなどを主成分
とする樹脂をベースとしたフィルムまたはテープ状の部
材であり、樹脂封止後は容易にリードフレーム本体から
剥がすことができ、また樹脂封止時における高温環境に
耐性があるものであればよい。本実施形態では、ポリイ
ミドを主成分とした接着性を有した樹脂フィルム１２を
用い、厚みは５０［μｍ］のフィルムを用いた。
【００６５】次に図７（ｅ）に示すように、第５の工程
として、ダイパッド部１４の下面および信号接続用リー
ド部９の裏面に貼付した樹脂フィルム１２をピールオフ
により除去する。これにより、封止樹脂１９の裏面より
も下方に突出したダイパッド構造が得られ、また封止樹
脂１９の裏面より突出した外部端子部２０が形成され
る。ここで、突出量の設定については、樹脂フィルム１
２の厚みにより、外部端子部２０、ダイパッド部１４の
突出量を調節できる。
【００６６】最後に図７（ｆ）に示すように、第６の工
程として、信号接続用リード部９の先端側を、信号接続
用リード部９の先端面と封止樹脂１９の側面とがほぼ同
一面になるように切り離すことにより、図６に示したよ
うな外部端子部２０、ダイパッド部１４が封止樹脂の下
面から突出して露出した樹脂封止型半導体装置が完成さ
れる。なお、ダイパッド部１４の下面および信号接続用
リード部９の裏面に貼付した樹脂フィルム１２を除去す
る前に、信号接続用リード部９の先端側をレーザーある
いは、金型で切断してもよい。
【００６７】本実施形態の製造方法によると、従来のよ
うな吊りリード部が存在することによる制約により樹脂
の成形性の悪影響がなくなり、樹脂中へのボイドの発
生、歩留まり低下、それに大きな半導体チップ搭載の影
響による未充填発生を少なくすることができる。
【００６８】また、吊りリード部のスペースを信号接続
用リード部９の配列に利用することができ、リードフレ
ーム設計品質の向上が図れる。
【００６９】また、吊りリード部を削除することによ
り、金属細線の接続上の制限や半導体チップの搭載制限
が緩和されるため、生産性の良いダイパッド部１４の裏
面が封止樹脂１９の裏面から突出した樹脂封止型半導体
装置を容易に製造することができる。
【００７０】しかも、本実施形態の製造方法によると、
樹脂封止工程の前に予めダイパッド部１４の下面および
信号接続用リード部９の裏面に樹脂フィルム１２を貼付
しているので、封止工程時に封止樹脂１９が回り込むこ
とがなく、ダイパッド部１４や、外部端子部となる信号
接続用リード部９の裏面には樹脂バリの発生はなくな
る。したがって、信号接続用リード部９の下面を露出さ
せる従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法のごとく、
ダイパッド部１４の下面や外部端子部２０上に形成され
た樹脂バリをウォータージェットなどによって除去する
必要はない。すなわち、この樹脂バリを除去するための
面倒な工程の削除によって、樹脂封止型半導体装置の量
産工程における工程の簡略化が可能となる。また、従
来、ウォータージェットなどによる樹脂バリ除去工程に
おいて生じる恐れのあったリードフレームのニッケル
（Ｎｉ），パラジウム（Ｐｄ），金（Ａｕ）などの金属
メッキ層の剥がれや不純物の付着は解消できる。そのた
め、樹脂封止工程前における各金属層のプリメッキ品質
が向上する。
【００７１】なお、ウォータージェットによる樹脂バリ
除去工程を削除できるかわりに、樹脂フィルム１２を貼
付する工程が新たに必要となるが、樹脂フィルム１２を
貼付する工程の方が、ウォータージェット工程よりもコ
スト的に安価であり、また工程管理も容易であるため、
確実に工程の簡略化が図れる。なによりも、従来必要で
あったウォータージェット工程では、リードフレームの
金属メッキが剥がれる、不純物が付着するという品質上
のトラブルが発生するが、本実施形態の方法では、樹脂
フィルム１２の貼付により、ウォータージェットが不要
となって、メッキ剥がれをなくすことができる点は大き
な工程上の利点となる。また、樹脂フィルム１２の貼付
状態などによって樹脂バリが発生することがあるとして
も、極めて薄い樹脂バリであるので、低い水圧でウォー
タージェット処理して樹脂バリを除去でき、メッキ剥が
れを防止できることから金属層のプリメッキ工程は可能
である。
【００７２】また、樹脂封止工程においては、封止金型
の熱によって樹脂フィルム１２が軟化するとともに熱収
縮するので、ダイパッド部１４および信号接続用リード
部９が樹脂フィルム１２に食い込み、ダイパッド部１４
と封止樹脂１９の裏面との間、信号接続用リード部９の
裏面と封止樹脂１９の裏面との間には、それぞれ段差が
形成される。したがって、ダイパッド部１４および信号
接続用リード部９は封止樹脂１９の裏面から突出した構
造となり、ダイパッド部１４のスタンドオフ高さや、信
号接続用リード部９の下部である外部端子部２０の突出
量（スタンドオフ高さ）を確保できる。例えば、本実施
形態では、樹脂フィルム１２の厚みを５０［μｍ］とし
ているので、それら突出量を例えば２０［μｍ］程度に
できる。
【００７３】このように、樹脂フィルム１２の厚みの調
整によって外部端子部２０の封止樹脂からの突出量を適
正量に維持できる。このことは、外部端子部２０のスタ
ンドオフ高さを樹脂フィルム１２の厚みの設定のみでコ
ントロールでき、別途スタンドオフ高さ量をコントロー
ルのための手段または工程を設けなくてもよいことを意
味し、量産工程における工程管理のコスト上、極めて有
利な点である。なお、この樹脂フィルム１２の厚みは、
１０〜１５０［μｍ］程度であることが好ましい。ま
た、用いる樹脂フィルム１２については、所望する突出
量により、所定の硬度，厚みおよび熱による軟化特性を
有する材質を選択することができる。ただし、本実施形
態において、樹脂フィルム１２に加える圧力の調整によ
って、ダイパッド部１４や外部端子部２０のスタンドオ
フ高さを調整してもよく、もちろん、スタンドオフ高さ
を実質的に０［μｍ］にすることも可能である。
【００７４】次に本発明の樹脂封止型半導体装置の別の
実施形態について説明する。図８は本実施形態の樹脂封
止型半導体装置を示す断面図である。
【００７５】図８に示すように、本実施形態の樹脂封止
型半導体装置は、信号接続用リード部２２と、半導体チ
ップ２３を支持するためのダイパッド部２４とからなる
リードフレームを備えている。そして、ダイパッド部２
４上に半導体チップ２３が接着剤により接合されてお
り、半導体チップ２３の電極パッド（図示せず）と信号
接続用リード部２２とは、金属細線２５により互いに電
気的に接続されている。そして、信号接続用リード部２
２，ダイパッド部２４，半導体チップ２３および金属細
線２５は、封止樹脂２６内に封止されている。
【００７６】ここで、本実施形態の樹脂封止型半導体装
置の特徴は、ダイパッド部２４の裏面側がハーフエッチ
等により中央部で凸部２４ａになり、その周囲にフラン
ジ部２４ｂが存在するように段付形状になっていて、こ
の凸部２４ａのうち下部のみが封止樹脂２６の裏面から
突出している点である。そのため、封止樹脂２６により
封止された状態では、封止樹脂２６がダイパッド部２４
の凸部２４ａの周囲のフランジ部２４ｂの下方に薄く存
在している。
【００７７】また、信号接続用リード部２２の下面側に
は封止樹脂２６は存在せず、信号接続用リード部２２の
下面が露出されており、この信号接続用リード部２２の
下面が実装基板との接続面となる。すなわち、信号接続
用リード部２２の下部が外部端子部２７を構成してい
る。
【００７８】そして、ダイパッド部２４の露出している
凸部２４ａおよび外部端子部２７には本来的に樹脂封止
工程における樹脂のはみ出し部分である樹脂バリが存在
せず、ダイパッド部２４の凸部２４ａおよび外部端子部
２７の構造は、後述する製造方法によって容易に実現で
きるものである。
【００７９】本実施形態の樹脂封止型半導体装置による
と、ダイパッド部２４の裏面側が中央部で凸部２４ａと
なる段付形状となっており、この凸部２４ａの下部のみ
が封止樹脂から露出しているので、ダイパッド部２４に
対する封止樹脂２６の保持力が増大し、樹脂封止型半導
体装置としての信頼性が向上する。
【００８０】また、保持力が増大することで、封止樹脂
２６とダイパッド部２４との密着性が向上し、両者の境
界からの水分や湿気の侵入を阻むことができ、耐湿性が
向上する。したがって、樹脂封止型半導体装置の信頼性
がさらに向上する。
【００８１】しかも、ダイパッド部２４は信号接続用リ
ード部２２とほぼ同一面に露出して位置しており、凸部
２４ａの下面には樹脂バリが存在していないので、凸部
２４ａと実装基板との接合の信頼性や、放熱特性が向上
する。
【００８２】そして、ダイパッド部２４の裏面が露出さ
れて放熱面となり、外部端子部２７には樹脂封止工程に
おける樹脂のはみ出し部分である樹脂バリが存在せず、
かつダイパッド部２４および外部端子部２７は封止樹脂
２６の裏面よりも下方に少し突出している。このような
樹脂バリの存在しないかつ下方に突出したダイパッド部
２４および外部端子部２７の構造は、ダイパッド部２４
および信号接続用リード部２２の下面に樹脂フィルムを
固着させて樹脂封止を行なうことにより、容易に実現で
きる。
【００８３】なお、本実施形態では、信号接続用リード
部２２の側方には外部端子となるアウターリードが存在
せず、信号接続用リード部２２の下部が外部端子部２７
となっているので、樹脂封止型半導体装置の小型化を図
ることができる。
【００８４】また、外部端子部２７およびダイパッド部
２４が封止樹脂２６の面より突出して形成されているた
め、実装基板に樹脂封止型半導体装置を実装する際の外
部端子部およびダイパッド部２４と実装基板の電極との
接合において、外部端子部２７およびダイパッド部２４
のスタンドオフ高さが予め確保されていることになる。
したがって、外部端子部２７をそのまま外部電極として
用いることができ、実装基板への実装のために外部端子
部２７にはんだボールを付設する必要はなく、製造工
数、製造コスト的に有利となる。
【００８５】次に本実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法について、図面を参照しながら説明する。図９
（ａ）〜（ｆ）は、本実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造工程を示す断面図である。
【００８６】まず図９（ａ）に示すように、第１の工程
として、信号接続用リード部２２に連結する外部端子部
２７よりなるリードフレーム構成体の下面に樹脂フィル
ム２８を密着させ、開口部２９に半導体チップを支持す
るためのダイパッド部２４を固着したリードフレーム３
０を用意する。図中、信号接続用リード部２２、ダイパ
ッド部２４の底面は、少なくとも樹脂フィルム２８によ
って固着されている。また、さらに、用意するリードフ
レーム３０は、樹脂封止の際、封止樹脂の流出を止める
タイバーを設けていないリードフレームである。
【００８７】次に図９（ｂ）に示すように、第２の工程
として、用意したリードフレーム３０のダイパッド部２
４上に半導体チップ２３を接着剤を介して搭載する。こ
の工程は、いわゆるダイボンド工程である。
【００８８】そして図９（ｃ）に示すように、第３の工
程として、ダイパッド部２４上に接合した半導体チップ
２３と信号接続用リード部２２とを金属細線２５により
電気的に接合する。この工程は、いわゆるワイヤーボン
ド工程である。
【００８９】次に図９（ｄ）に示すように、第４の工程
として、ダイパッド部２４上に半導体チップ２３が接合
され、樹脂フィルム２８が裏面に貼り付けられたリード
フレーム３０を封止金型内に収納し、金型でリードフレ
ーム３０の信号接続用リード２２の先端側（外枠）を樹
脂フィルム２８とともに押圧して、金型内に樹脂を流し
込んで樹脂封止を行い、封止樹脂２６を形成する。この
樹脂フィルム２８は、特にダイパッド部２４の凸部２４
ａの下面側および信号接続用リード部２２の裏面側に樹
脂封止時に封止樹脂２６が回り込まないようにするマス
ク的な役割を果たさせるためのものであり、この樹脂フ
ィルム２８の存在によって、ダイパッド部２４の凸部２
４ａの下面や、信号接続用リード部２２の裏面に樹脂バ
リが形成されるのを防止することができる。
【００９０】この際、ダイパッド部２４の下面側および
信号接続用リード２２の裏面側に封止樹脂２６が回り込
むことは接着性を有した樹脂フィルム２８に固着されて
いるためにない。
【００９１】次に図９（ｅ）に示すように、第５の工程
として、ダイパッド部２４の凸部２４ａの下面および信
号接続用リード部２２の裏面に貼付した樹脂フィルム２
８をピールオフにより除去する。これにより、ダイパッ
ド部２４の裏面側においては凸部２４ａの下部のみが封
止樹脂の裏面よりも下方に突出した構造が得られ、封止
樹脂２６の裏面より突出した外部端子部２７が形成され
る。
【００９２】そして最後に図９（ｆ）に示すように、第
６の工程として、信号接続用リード部２２の先端側を、
信号接続用リード部２２の先端面と封止樹脂２６の側面
とがほぼ同一面になるように切り離すことにより、樹脂
封止型半導体装置が完成される。
【００９３】本実施形態の製造方法によると、図９
（ｆ）に示すように、ダイパッド部２４の凸部２４ａの
一部のみが封止樹脂２６の裏面から突出し、かつ、凸部
２４ａの周辺のフランジ部２４ｂの下方に封止樹脂２６
が存在している樹脂封止型半導体装置を容易に製造する
ことができる。
【００９４】しかも、本実施形態の製造方法によると、
樹脂封止工程の前に予めダイパッド部２４の凸部２４ａ
の下面および信号接続用リード部２２の裏面に樹脂フィ
ルム２８を貼付しているので、封止樹脂２６が回り込む
ことがなく、ダイパッド部２４の凸部２４ａや、外部端
子部２７となる信号接続用リード部２２の裏面には樹脂
バリの発生はない。したがって、信号接続用リード部２
２の下面を露出させる従来の樹脂封止型半導体装置の製
造方法のごとく、ダイパッド部２４の凸部２４ａの下面
や外部端子部２７上に形成された樹脂バリをウォーター
ジェットなどによって除去する必要はない。すなわち、
この樹脂バリを除去するための面倒な工程の削除によっ
て、樹脂封止型半導体装置の量産工程における工程の簡
略化が可能となる。また、従来、ウォータージェットな
どによる樹脂バリ除去工程において生じるおそれのあっ
たリードフレームのニッケル（Ｎｉ），パラジウム（Ｐ
ｄ），金（Ａｕ）などの金属メッキ層の剥がれや不純物
の付着は解消できる。そのため、樹脂封止工程前におけ
る各金属層のプリメッキが可能となることは前述と同様
である。
【００９５】本実施形態において、樹脂封止工程におい
ては、封止金型の熱によって樹脂フィルム２８が軟化す
るとともに熱収縮するので、ダイパッド部２４の凸部２
４ａおよび信号接続用リード部２２が樹脂フィルム２８
に食い込み、ダイパッド部２４の凸部２４ａと封止樹脂
２６の裏面との間、信号接続用リード部２２の裏面と封
止樹脂２６の裏面との間には、それぞれ段差が形成され
る。したがって、ダイパッド部２４の凸部２４ａおよび
信号接続用リード部２２は封止樹脂２６の裏面から突出
した構造となり、ダイパッド部２４の凸部２４ａのスタ
ンドオフ高さや、信号接続用リード部２２の下部である
外部端子部２７の突出量（スタンドオフ高さ）を確保で
きる。例えば、本実施形態では、樹脂フィルム２８の厚
みを５０［μｍ］としているので、突出量を例えば２０
［μｍ］程度にできる。このように、樹脂フィルム２８
の厚みの調整によって外部端子部２８の封止樹脂からの
突出量を適正量に維持できる。このことは、外部端子部
２７のスタンドオフ高さを樹脂フィルム２８の厚みの設
定のみでコントロールでき、別途スタンドオフ高さ量を
コントロールのための手段または工程を設けなくてもよ
いこと意味し、量産工程における工程管理のコスト上、
極めて有利な点である。なお、用いる樹脂フィルム２８
については、所望する突出量により、所定の硬度，厚み
および熱による軟化特性を有する材質を選択することが
できる。
【００９６】次に本発明の樹脂封止型半導体装置の他の
実施形態について説明する。本実施形態における樹脂封
止型半導体装置の基本的な構造は、前記した各実施形態
における構造と同じであるが、ダイパッド部の形状のみ
が異なる。そこで、本実施形態においては、ダイパッド
部の形状のみについて説明し、他の部分についての説明
は省略する。
【００９７】まず図１０は本実施形態の樹脂封止型半導
体装置を示す断面図である。図１０に示すように、ダイ
パッド部３１は、信号接続用リード部３２より厚みが厚
く形成されている。
【００９８】本実施形態の樹脂封止型半導体装置による
と、ダイパッド部３１の厚みが厚く形成されているの
で、ダイパッド外形より大きな半導体チップ３３を搭載
することが容易にでき、信号接続用リード部３２の先端
部上に半導体チップ３３の一部を配して、より外に出す
ことも可能である。
【００９９】前記した構造により、半導体チップ３３の
裏面には、封止樹脂３４が密着することになり、接着力
が向上し、耐湿性の良い樹脂封止型半導体装置が実現す
る。また大きな半導体チップを搭載することは小型化を
図る上で有効な手段となる。
【０１００】また、このダイパッド部３１は、半導体チ
ップ３３より小さな搭載領域でも良く、半導体チップの
大きさが変わっても共用性に優れ、リードフレームの共
用化範囲が他の半導体装置に比べ広く生産上の効率化に
貢献できる。
【０１０１】次に図１１に示す樹脂封止型半導体装置
は、ダイパッド部３５は信号接続用リード部３６より厚
みが厚く、また、ダイパッド部３５の裏面側にはハーフ
エッチ等により凸部が形成されている点は、前記した実
施形態の構造と同じである。
【０１０２】図１１に示す樹脂封止型半導体装置による
と、ダイパッド部３５の裏面側が中央部で凸部３５ａと
なる段付形状となっており、この凸部３５ａの下部のみ
が封止樹脂３７から露出しているので、ダイパッド部３
５に対する封止樹脂３７の保持力が増大し、樹脂封止型
半導体装置としての信頼性が向上する上に、ダイパッド
部３５の厚みが厚く形成されているので、ダイパッド部
３５の外形より大きな半導体チップ３８を搭載すること
が容易にでき信号接続用リード部３６の先端部上にその
一部を配して、より外に出すことも可能であり搭載する
半導体チップ３８の大きさの制限を緩和することができ
る。言い換えると、同じ大きさの半導体チップに対する
樹脂封止型半導体装置としてのサイズを小さくすること
ができる。
【０１０３】次に図１２に示す樹脂封止型半導体装置
は、基本的な構造は前記した各実施形態で示した樹脂封
止型半導体装置の構造と同じであるが、信号接続用リー
ド部３９の形状のみが異なる。したがって、ここでは、
信号接続用リード部３９の形状のみについて説明し、他
の部分についての説明は省略する。なお、図１３は図１
２に示す樹脂封止型半導体装置の信号接続用リード部３
９の構造を示す図であり、図１３（ａ）は信号接続用リ
ード部の部分的な側面図、図１３（ｂ）は平面図、図１
３（ｃ）は正面図である。
【０１０４】図１２、図１３に示すように本実施形態の
樹脂封止型半導体装置は、信号接続用リード部３９と、
半導体チップ４０を支持するためのダイパッド部４１と
よりなり、ダイパッド部４１上に半導体チップ４０が接
着剤により接合されており、半導体チップ４０の電極パ
ッド（図示せず）と信号接続用リード部３９とは、金属
細線４２により互いに電気的に接続されている。そし
て、信号接続用リード部３９、ダイパッド部４１、半導
体チップ４０および金属細線４２は、封止樹脂４３内に
封止されている。そして信号接続用リード部３９の形状
は表面に溝部４４が設けられ、その上側部には幅広部４
５を有している。特徴点としては、信号接続用リード部
３９の上面の溝部４４と溝部４４との間に金属細線４２
を接続していることである。
【０１０５】前記構成の通り、信号接続用リード部３９
には溝部４４または幅広部４５、さらにはその両方を有
することにより、リード部と封止樹脂４３との密着性
（アンカー効果）を向上させることができ、外部端子部
４６に加わるストレスや金属細線４２へのストレスを緩
和させることができ、製品の信頼性を保つことができ
る。すなわち、封止樹脂４３からの外部端子部４６のヌ
ケはがれを防止できる。さらに外部端子部４６に対して
は、実装による応力が印加されることになるが、外部端
子部４６の上側部には溝部４４を形成しており、その溝
部４４によって外部端子部４６に加わる応力を吸収し、
緩和することができる。また、本発明の要旨を越えない
限り種々の変形実施が可能であることはいうまでもな
い。たとえば、金線接続部分を外部端子部４６の上部の
溝部４４より離して配置しても良く、この場合、金属細
線４２の接続長さを短くでき、生産性が向上する。
【０１０６】次に図１４に示した樹脂封止型半導体装置
は、信号接続用リード部４７と、半導体チップ４８を支
持するためのダイパッド部４９と、半導体チップ４８の
電極パッド（図示せず）と信号接続用リード部４７とを
接続する金属細線５０より構成され、信号接続用リード
部４７，ダイパッド部４９，半導体チップ４８および金
属細線５０は、封止樹脂５１内に封止されている。
【０１０７】図１４に示した樹脂封止型半導体装置の信
号接続用リード部４７は、図１５に示すように、信号接
続用リード部４７の裏面側における内方側領域は表面に
溝部５２が設けられ、その上側部には幅広部５３を有
し、先端部は下面が薄く加工されて薄厚部５４を構成し
ており、ダイパッド部４９の近傍に延在している。
【０１０８】前記構成の通り、本発明の樹脂封止型半導
体装置は、幅広部５３、溝部５２等により封止樹脂５１
と各リード部との密着性を向上させることができ、信号
接続用リード部４７に加わる封止構造によるストレスを
緩和でき信頼性を向上させることができる。そして特徴
的なのが金属細線５０の接続部分を信号接続用リード部
４７の先端部の下面を薄く加工した薄厚部５４に接続し
ているので、接続部分が応力によりダメージを受け、破
壊するようなこともなくなる。サイズの小さな半導体チ
ップの接続により適しており、金属細線５０の長さを短
くすることができる。さらに、信号接続用リード部４７
には溝部５２または幅広部５３、さらにはその両方を有
することにより、実装後の外部端子部に加わるストレス
や金属細線５０へのストレスを緩和させることができ、
製品の信頼性を保つことができるとともに、封止樹脂５
１との密着性（アンカー効果）も向上させることでき
る。すなわち、封止樹脂５１から外部端子部のヌケはが
れを防止できる。また、外部端子部に対しては、封止樹
脂５１による応力が印加されることになるが、外部端子
部の上側部には溝部５２を形成しており、その溝部５２
によって外部端子部に加わる応力を吸収し、緩和するこ
とができる。
【０１０９】以上、各実施形態に示したように、金属細
線の接続位置を半導体チップの大きさにより適宜、適切
な位置に設定することによりリードフレームを共用化す
ることが可能になる。
【０１１０】
【発明の効果】以上、本発明によると、幅広部と溝が設
けられた信号接続用リード部底面側に樹脂フィルムを密
着させて、開口部にダイパッド底面を固着させることに
より、ダイパッドの下面を封止樹脂から露出させ、大き
な半導体チップの搭載を可能にすることができる。ま
た、下方に突出した凸部とその凸部を取り囲むフランジ
部とを設けたダイパッド底面を樹脂フィルム上に固着さ
せることにより、ダイパッド部の凸部の下面を封止樹脂
から露出させながらダイパッド部のフランジ部の下方に
封止樹脂を存在させることが可能となり、樹脂封止型半
導体装置におけるダイパッド部に対する封止樹脂の保持
力の向上と、水分等の侵入の抑制による信頼性の向上と
を図ることができる。また、信号接続用リードより厚さ
が厚く、下方に突出した凸部とその凸部を取り囲むフラ
ンジ部とを設けたダイパッド部を樹脂フィルム上に固着
させることにより、信号接続用リード部にオーバーハン
グする大きな半導体チップを搭載可能にし、また、ダイ
パッド部の凸部の下面を封止樹脂から露出させながらダ
イパッド部のフランジ部の下方に封止樹脂を存在させる
ことが可能となり、樹脂封止型半導体装置におけるダイ
パッド部に対する封止樹脂の保持力の向上と、水分等の
侵入の抑制による信頼性の向上とを図ることができる。
【０１１１】また、樹脂封止型半導体装置においては、
従来のように吊りリード部が周辺部に延在しないために
実装性が良く、金属細線の接続も容易で生産性が良い樹
脂封止型半導体装置を実現できる。また、外部端子部の
厚みより厚いダイパッド部の存在により、信号接続用リ
ード部の上方に半導体チップをダイパッド部に接着して
配することができ、信号接続用リード部の先端部より大
きな半導体チップを搭載した小型の生産性、実装信頼性
の良い樹脂封止型半導体装置を実現できる。また、外部
端子部の厚みより厚いダイパッド部の下方外周部には、
段差加工がされ、封止樹脂により信号接続用リード部の
中央部に固着されており、外部端子部の厚みより厚いダ
イパッドの底面を樹脂フィルムに固着させることによ
り、信号接続用リード部の上方に半導体チップをダイパ
ッド部に接着して配することができ、信号接続用リード
部の先端部より大きな半導体チップを搭載でき、その上
にダイパッド部の下方周辺部に封止樹脂を配することが
できるために、特に耐湿性、実装信頼性の良い樹脂封止
型半導体装置を実現できる。また、信号接続用リード部
の表面には幅広部と、複数の溝が存在することにより、
封止樹脂が溝部に入り、そのアンカー効果と、また幅広
部の効果により、外部端子部が封止樹脂の底面に突出し
ていても、樹脂との密着性が向上するため、実装信頼性
をはじめとした種々の信頼性を向上した樹脂封止型半導
体装置を実現することができる。また、外部端子の露出
面およびダイパッド下面を封止樹脂面より突出し配列す
ることにより実装基板と半導体装置の底面の空間を開け
やすく実装後の信頼性に好適な樹脂封止型半導体装置を
実現できる。また、半導体チップの電極と信号接続用リ
ード部とを接続する金属細線の長さは外部端子部の数、
半導体チップの大きさにより決まるが、その長さは生産
性、品質に影響を与える。特に樹脂封止工程での樹脂の
流れによる金属細線のタッチによる不良に与える影響は
大きな課題である。したがって、外部端子部より薄く加
工した信号接続用リード部を好適に配することにより金
属細線の接続長さを短くすることができ、金属細線の接
続も容易で、生産性の良い樹脂封止型半導体装置を実現
できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態のリードフレームを示す平
面図
【図２】本発明の一実施形態のリードフレームの製造方
法を示す平面図
【図３】本発明の一実施形態のリードフレームの製造方
法を示す平面図
【図４】本発明の一実施形態のリードフレームの製造方
法を示す平面図
【図５】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を
示す図
【図６】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を
示す平面図
【図７】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
【図８】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を
示す断面図
【図９】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
【図１０】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
を示す断面図
【図１１】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
を示す断面図
【図１２】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の要部を示す断面図
【図１３】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
のリード部を示す図
【図１４】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
を示す断面図
【図１５】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
のリード部を示す図
【図１６】従来の樹脂封止型半導体装置を示す図
【符号の説明】
１ 信号接続用リード部 ２ ダイパッド部 ３ 吊りリード部 ４ 半導体チップ ５ 金属細線 ６ 封止樹脂 ７ 外部端子 ８ アップセット部 ９ 信号接続用リード部 １０ アウターリード部 １１ フレーム枠 １２ 樹脂フィルム １３ 開口部 １４ ダイパッド部 １５ リードフレーム構成体 １６ 接続部 １７ 半導体チップ １８ 金属細線 １９ 封止樹脂 ２０ 外部端子部 ２１ リードフレーム ２２ 信号接続用リード部 ２３ 半導体チップ ２４ ダイパッド部 ２５ 金属細線 ２６ 封止樹脂 ２７ 外部端子部 ２８ 樹脂フィルム ２９ 開口部 ３０ リードフレーム ３１ ダイパッド部 ３２ 信号接続用リード部 ３３ 半導体チップ ３４ 封止樹脂 ３５ ダイパッド部 ３６ 信号接続用リード部 ３７ 封止樹脂 ３８ 半導体チップ ３９ 信号接続用リード部 ４０ 半導体チップ ４１ ダイパッド部 ４２ 金属細線 ４３ 封止樹脂 ４４ 溝部 ４５ 幅広部 ４６ 外部端子部 ４７ 信号接続用リード部 ４８ 半導体チップ ４９ ダイパッド部 ５０ 金属細線 ５１ 封止樹脂 ５２ 溝部 ５３ 幅広部 ５４ 薄厚部

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 フレーム枠と、前記フレーム枠の領域内
    に設けられた開口部の中央部付近に設けられたダイパッ
    ド部と、前記ダイパッド部に対してその各先端部が延在
    して配置された信号接続用リード部と、前記信号接続用
    リード部に連続して接続した外端子部と、前記フレーム
    枠および前記外端子部の底面に接着する樹脂フィルムと
    よりなるリードフレームであって、前記信号接続用リー
    ド部の上部には幅広部が設けられ、表面には溝が設けら
    れ、前記ダイパッド部は前記フレーム枠の前記開口部に
    露出した前記樹脂フィルムに固着して設けられたことを
    特徴とするリードフレーム。
  2. 【請求項２】 フレーム枠と、前記フレーム枠の領域内
    に設けられた開口部の中央部付近に設けられたダイパッ
    ド部と、前記ダイパッド部に対してその各先端部が延在
    して配置された信号接続用リード部と、前記信号接続用
    リード部に連続して接続した外端子部と、前記フレーム
    枠および前記外端子部の底面に接着する樹脂フィルムと
    よりなるリードフレームであって、前記信号接続用リー
    ド部の上部には幅広部が設けられ、表面には溝が設けら
    れ、前記ダイパッド部は前記外部端子の厚みより厚く構
    成され、また前記ダイパッド部は前記フレーム枠の前記
    開口部に露出した前記樹脂フィルムに固着して設けられ
    たことを特徴とするリードフレーム。
  3. 【請求項３】 ダイパッド部の外周部下方には段差部が
    設けられていることを特徴とする請求項１または請求項
    ２に記載のリードフレーム。
  4. 【請求項４】 開口部と、前記開口部の領域内に信号接
    続用リードと、前記信号接続用リードに連続して設けら
    れた外部端子部とを有した導電性材料よりなるリードフ
    レームを用意する工程と、前記リードフレームの底面側
    に接着性を有した樹脂フィルムを密着させる工程と、前
    記開口部に露出した前記樹脂フィルム面に別に用意した
    ダイパッド部の底面を固着させる工程とよりなることを
    特徴とするリードフレームの製造方法。
  5. 【請求項５】 電極パッドを有した半導体チップと、前
    記半導体チップを支持したダイパッド部と、前記半導体
    チップの電極パッドと接続する信号接続用リード部と、
    前記半導体チップと前記信号接続用リード部とを電気的
    に接続する接続部材と、前記信号接続用リード部と連続
    して設けられ、外部と接続する外部端子部と、前記ダイ
    パッド部と前記半導体チップと前記信号接続用リード部
    と前記外部端子部および前記接続部材とを封止する封止
    樹脂とを備え、前記ダイパッド部の下部の少なくとも一
    部と前記外部端子部の下部の少なくとも一部とは前記封
    止樹脂から露出しており、前記ダイパッド部は実質的に
    前記封止樹脂により固着されて支持されていることを特
    徴とする樹脂封止型半導体装置。
  6. 【請求項６】 実質的に封止樹脂により固着されて支持
    されているダイパッド部の厚みは信号接続用リード部の
    厚みより厚いことを特徴とする請求項５に記載の樹脂封
    止型半導体装置。
  7. 【請求項７】 実質的に封止樹脂により固着されて支持
    されているダイパッド部の外周部下面には、段差部が設
    けられていることを特徴とする請求項５に記載の樹脂封
    止型半導体装置。
  8. 【請求項８】 半導体チップと電気的に接続した信号接
    続用リード部はその上部に幅広部と、複数の溝が設けら
    れていることを特徴とする請求項５に記載の樹脂封止型
    半導体装置。
  9. 【請求項９】 半導体チップと電気的に接続した信号接
    続用リード部と連続して接続した外部端子の露出面およ
    び半導体チップを支持しているダイパッド部の底面は、
    封止樹脂面より突出して配列されていることを特徴とす
    る請求項５に記載の樹脂封止型半導体装置。
  10. 【請求項１０】 信号接続用リード部の先端部は、前記
    信号接続用リード部と連続して設けられ、外部と接続す
    る外部端子部に対して、段差を有していることを特徴と
    する請求項５に記載の樹脂封止型半導体装置。
  11. 【請求項１１】 フレーム枠と、前記フレーム枠の領域
    内に設けられた開口部の中央部付近に設けられたダイパ
    ッド部と、前記ダイパッド部に対してその各先端部が延
    在して配置された信号接続用リード部と、前記信号接続
    用リード部に連続して接続した外端子部と、前記フレー
    ム枠および前記外端子部の底面に接着する樹脂フィルム
    とよりなるリードフレームを用意する工程と、前記リー
    ドフレームに対して、半導体チップを前記ダイパッド部
    上に接着する工程と、前記ダイパッド部上に接着した半
    導体チップと前記信号接続用リードとを接合部材により
    電気的に接続する工程と、前記半導体チップが搭載され
    た前記リードフレームに対して、前記樹脂フィルムが密
    着された前記外部端子部の底面および前記ダイパッド部
    の底面を封止金型面に押圧して封止樹脂により樹脂封止
    を行う工程と、樹脂封止後、前記樹脂フィルムを除去す
    ることにより外部端子部およびダイパッド部を封止樹脂
    の底面から突出して露出させる工程と、前記外部端子部
    の延在した先端部分を切断し、外部端子部の先端部面と
    封止樹脂の側面とを略同一面に形成する工程とよりなる
    ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
  12. 【請求項１２】 用意するリードフレームにおいて、リ
    ードフレームの信号接続用リード部の上部には幅広部が
    設けられ、表面には溝が設けられているリードフレーム
    を用意することを特徴とする請求項１１に記載の樹脂封
    止型半導体装置の製造方法。
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Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2001057924A1 (de) * 2000-02-02 2001-08-09 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement mit an der unterseite befindlichen kontakten und verfahren zur herstellung
JP2002110890A (ja) * 2000-10-05 2002-04-12 Nitto Denko Corp 半導体装置の製造方法及びそれに用いるリードフレーム積層物
JP2002110884A (ja) * 2000-10-02 2002-04-12 Nitto Denko Corp リードフレーム積層物
JP2002118222A (ja) * 2000-10-10 2002-04-19 Rohm Co Ltd 半導体装置
JP2003007953A (ja) * 2001-06-27 2003-01-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JP2005116705A (ja) * 2003-10-06 2005-04-28 Rohm Co Ltd リードフレームの製造方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法、ならびに半導体装置ならびにそれを備えた携帯機器および電子装置
JP2005244219A (ja) * 2004-02-23 2005-09-08 Samsung Techwin Co Ltd 半導体パッケージ用のリードフレームとその製造方法
JP2006049694A (ja) * 2004-08-06 2006-02-16 Freescale Semiconductor Inc 二重ゲージ・リードフレーム
JP2009170454A (ja) * 2008-01-10 2009-07-30 Denso Corp モールドパッケージおよびその実装構造
US7791180B2 (en) 2004-10-01 2010-09-07 Yamaha Corporation Physical quantity sensor and lead frame used for same
JP2010268017A (ja) * 2010-09-03 2010-11-25 Rohm Co Ltd 半導体装置
JP2011077277A (ja) * 2009-09-30 2011-04-14 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置
JP2011171770A (ja) * 2011-06-06 2011-09-01 Dainippon Printing Co Ltd 回路部材、回路部材の製造方法、半導体装置、及び回路部材表面の積層構造
US8193091B2 (en) 2002-01-09 2012-06-05 Panasonic Corporation Resin encapsulated semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2013016819A (ja) * 2004-12-16 2013-01-24 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte Ltd パッケージングされた電子デバイス及びその製作方法
JP2014060465A (ja) * 2014-01-09 2014-04-03 Rohm Co Ltd 半導体装置
JP2014203861A (ja) * 2013-04-02 2014-10-27 三菱電機株式会社 半導体装置および半導体モジュール
JP2016040834A (ja) * 2000-12-28 2016-03-24 ルネサスエレクトロニクス株式会社 電子装置の製造方法
US9496204B2 (en) 2000-12-28 2016-11-15 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device
WO2017203928A1 (ja) * 2016-05-27 2017-11-30 ソニー株式会社 リードフレームの製造方法、電子装置の製造方法、および電子装置

Families Citing this family (95)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6001671A (en) * 1996-04-18 1999-12-14 Tessera, Inc. Methods for manufacturing a semiconductor package having a sacrificial layer
US6821821B2 (en) * 1996-04-18 2004-11-23 Tessera, Inc. Methods for manufacturing resistors using a sacrificial layer
US6143981A (en) 1998-06-24 2000-11-07 Amkor Technology, Inc. Plastic integrated circuit package and method and leadframe for making the package
US7332375B1 (en) 1998-06-24 2008-02-19 Amkor Technology, Inc. Method of making an integrated circuit package
SG91808A1 (en) * 1999-02-09 2002-10-15 Inst Of Microelectronics Lead frame for an integrated circuit chip (small window)
MY133357A (en) 1999-06-30 2007-11-30 Hitachi Ltd A semiconductor device and a method of manufacturing the same
JP2001077232A (ja) * 1999-09-06 2001-03-23 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法
JP3461332B2 (ja) * 1999-09-10 2003-10-27 松下電器産業株式会社 リードフレーム及びそれを用いた樹脂パッケージと光電子装置
US6420779B1 (en) * 1999-09-14 2002-07-16 St Assembly Test Services Ltd. Leadframe based chip scale package and method of producing the same
US20040038451A1 (en) * 1999-10-06 2004-02-26 Hawks Douglas A. Method suitable for forming a microelectronic device package
JP2002016181A (ja) * 2000-04-25 2002-01-18 Torex Semiconductor Ltd 半導体装置、その製造方法、及び電着フレーム
US7042068B2 (en) 2000-04-27 2006-05-09 Amkor Technology, Inc. Leadframe and semiconductor package made using the leadframe
JP3664045B2 (ja) * 2000-06-01 2005-06-22 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の製造方法
US6483178B1 (en) * 2000-07-14 2002-11-19 Siliconware Precision Industries Co., Ltd. Semiconductor device package structure
KR100347706B1 (ko) * 2000-08-09 2002-08-09 주식회사 코스타트반도체 이식성 도전패턴을 포함하는 반도체 패키지 및 그 제조방법
US6400004B1 (en) * 2000-08-17 2002-06-04 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Leadless semiconductor package
JP4417541B2 (ja) * 2000-10-23 2010-02-17 ローム株式会社 半導体装置およびその製造方法
US20020177254A1 (en) * 2000-10-31 2002-11-28 Chow Wai Wong Semiconductor package and method for making the same
KR100369393B1 (ko) 2001-03-27 2003-02-05 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 리드프레임 및 이를 이용한 반도체패키지와 그 제조 방법
TW543172B (en) * 2001-04-13 2003-07-21 Yamaha Corp Semiconductor device and package, and method of manufacture therefor
TW498443B (en) * 2001-06-21 2002-08-11 Advanced Semiconductor Eng Singulation method for manufacturing multiple lead-free semiconductor packages
JP3470111B2 (ja) * 2001-06-28 2003-11-25 松下電器産業株式会社 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP3879452B2 (ja) * 2001-07-23 2007-02-14 松下電器産業株式会社 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
DE10137956A1 (de) * 2001-08-07 2002-10-31 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauteil mit Halbleiterchip und Systemträger für mehrere elektronische Bauteile, sowie Verfahren zur Herstellung derselben
US7102216B1 (en) * 2001-08-17 2006-09-05 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package and leadframe with horizontal leads spaced in the vertical direction and method of making
US6710432B1 (en) * 2001-11-02 2004-03-23 National Semiconductor Corporation Integrated circuit package with low inductance ground path and improved thermal capability
DE10155139A1 (de) * 2001-11-12 2003-02-27 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauteil mit wenigstens einem Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
JP3540793B2 (ja) * 2001-12-05 2004-07-07 松下電器産業株式会社 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
TW533566B (en) * 2002-01-31 2003-05-21 Siliconware Precision Industries Co Ltd Short-prevented lead frame and method for fabricating semiconductor package with the same
US6841854B2 (en) * 2002-04-01 2005-01-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device
US20040124508A1 (en) * 2002-11-27 2004-07-01 United Test And Assembly Test Center Ltd. High performance chip scale leadframe package and method of manufacturing the package
US8129222B2 (en) * 2002-11-27 2012-03-06 United Test And Assembly Test Center Ltd. High density chip scale leadframe package and method of manufacturing the package
US6683370B1 (en) * 2003-04-15 2004-01-27 Motorola, Inc. Semiconductor component and method of manufacturing same
JP4081611B2 (ja) * 2003-11-19 2008-04-30 株式会社豊田自動織機 半導体装置
TWI256096B (en) * 2004-10-15 2006-06-01 Advanced Semiconductor Eng Method for fabricating quad flat non-leaded package
US7033861B1 (en) * 2005-05-18 2006-04-25 Staktek Group L.P. Stacked module systems and method
US7274089B2 (en) * 2005-09-19 2007-09-25 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system with adhesive restraint
US8536689B2 (en) * 2005-10-03 2013-09-17 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system with multi-surface die attach pad
US7678609B2 (en) * 2005-11-03 2010-03-16 International Rectifier Corporation Semiconductor package with redistributed pads
US7507603B1 (en) 2005-12-02 2009-03-24 Amkor Technology, Inc. Etch singulated semiconductor package
US8310060B1 (en) * 2006-04-28 2012-11-13 Utac Thai Limited Lead frame land grid array
US7968998B1 (en) 2006-06-21 2011-06-28 Amkor Technology, Inc. Side leaded, bottom exposed pad and bottom exposed lead fusion quad flat semiconductor package
US8093693B2 (en) * 2006-09-15 2012-01-10 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system with encapsulation lock
US20080067639A1 (en) * 2006-09-15 2008-03-20 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system with encapsulation lock
US8067271B2 (en) * 2006-09-15 2011-11-29 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system with encapsulation lock
US7417310B2 (en) * 2006-11-02 2008-08-26 Entorian Technologies, Lp Circuit module having force resistant construction
DE112006004099B4 (de) * 2006-11-14 2013-08-22 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US20080217759A1 (en) * 2007-03-06 2008-09-11 Taiwan Solutions Systems Corp. Chip package substrate and structure thereof
US7977774B2 (en) 2007-07-10 2011-07-12 Amkor Technology, Inc. Fusion quad flat semiconductor package
US7687899B1 (en) 2007-08-07 2010-03-30 Amkor Technology, Inc. Dual laminate package structure with embedded elements
US7777351B1 (en) 2007-10-01 2010-08-17 Amkor Technology, Inc. Thin stacked interposer package
US8089159B1 (en) 2007-10-03 2012-01-03 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with increased I/O density and method of making the same
US7847386B1 (en) 2007-11-05 2010-12-07 Amkor Technology, Inc. Reduced size stacked semiconductor package and method of making the same
CN101446351B (zh) * 2007-11-27 2010-12-22 航天材料及工艺研究所 一种密封防护方法
US7956453B1 (en) 2008-01-16 2011-06-07 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with patterning layer and method of making same
US7723852B1 (en) 2008-01-21 2010-05-25 Amkor Technology, Inc. Stacked semiconductor package and method of making same
US8067821B1 (en) 2008-04-10 2011-11-29 Amkor Technology, Inc. Flat semiconductor package with half package molding
US7768135B1 (en) 2008-04-17 2010-08-03 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with fast power-up cycle and method of making same
US7808084B1 (en) 2008-05-06 2010-10-05 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with half-etched locking features
US8125064B1 (en) 2008-07-28 2012-02-28 Amkor Technology, Inc. Increased I/O semiconductor package and method of making same
US8184453B1 (en) 2008-07-31 2012-05-22 Amkor Technology, Inc. Increased capacity semiconductor package
US7847392B1 (en) 2008-09-30 2010-12-07 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including leadframe with increased I/O
US7989933B1 (en) 2008-10-06 2011-08-02 Amkor Technology, Inc. Increased I/O leadframe and semiconductor device including same
US8008758B1 (en) 2008-10-27 2011-08-30 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with increased I/O leadframe
US8089145B1 (en) 2008-11-17 2012-01-03 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including increased capacity leadframe
US8072050B1 (en) 2008-11-18 2011-12-06 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with increased I/O leadframe including passive device
US7875963B1 (en) 2008-11-21 2011-01-25 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including leadframe having power bars and increased I/O
US7982298B1 (en) 2008-12-03 2011-07-19 Amkor Technology, Inc. Package in package semiconductor device
US8487420B1 (en) 2008-12-08 2013-07-16 Amkor Technology, Inc. Package in package semiconductor device with film over wire
US8680656B1 (en) 2009-01-05 2014-03-25 Amkor Technology, Inc. Leadframe structure for concentrated photovoltaic receiver package
US20170117214A1 (en) 2009-01-05 2017-04-27 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with through-mold via
US8058715B1 (en) 2009-01-09 2011-11-15 Amkor Technology, Inc. Package in package device for RF transceiver module
US8026589B1 (en) 2009-02-23 2011-09-27 Amkor Technology, Inc. Reduced profile stackable semiconductor package
US7960818B1 (en) 2009-03-04 2011-06-14 Amkor Technology, Inc. Conformal shield on punch QFN semiconductor package
US8575742B1 (en) 2009-04-06 2013-11-05 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with increased I/O leadframe including power bars
CN102148168B (zh) * 2010-02-04 2015-04-22 飞思卡尔半导体公司 制造具有改进抬升的半导体封装的方法
TWI557183B (zh) 2015-12-16 2016-11-11 財團法人工業技術研究院 矽氧烷組成物、以及包含其之光電裝置
US8648450B1 (en) 2011-01-27 2014-02-11 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including leadframe with a combination of leads and lands
US8803185B2 (en) * 2012-02-21 2014-08-12 Peiching Ling Light emitting diode package and method of fabricating the same
JP5851888B2 (ja) * 2012-03-02 2016-02-03 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法および半導体装置
US9704725B1 (en) 2012-03-06 2017-07-11 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with leadframe configured to facilitate reduced burr formation
US8877564B2 (en) * 2012-06-29 2014-11-04 Intersil Americas LLC Solder flow impeding feature on a lead frame
USD721047S1 (en) * 2013-03-07 2015-01-13 Vlt, Inc. Semiconductor device
KR101486790B1 (ko) 2013-05-02 2015-01-28 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 강성보강부를 갖는 마이크로 리드프레임
KR101563911B1 (ko) 2013-10-24 2015-10-28 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지
US9497570B2 (en) 2014-02-06 2016-11-15 Nimbelink Corp. Embedded wireless modem
USD731491S1 (en) * 2014-02-07 2015-06-09 NimbeLink L.L.C. Embedded cellular modem
US9673122B2 (en) 2014-05-02 2017-06-06 Amkor Technology, Inc. Micro lead frame structure having reinforcing portions and method
CN104538316B (zh) * 2014-12-03 2017-02-22 深圳安博电子有限公司 基于超薄柔性电路板上多芯片的cob软封装方法
US9824959B2 (en) * 2016-03-23 2017-11-21 Texas Instruments Incorporated Structure and method for stabilizing leads in wire-bonded semiconductor devices
US10128169B1 (en) * 2017-05-12 2018-11-13 Stmicroelectronics, Inc. Package with backside protective layer during molding to prevent mold flashing failure
JP7304145B2 (ja) * 2018-11-07 2023-07-06 新光電気工業株式会社 リードフレーム、半導体装置及びリードフレームの製造方法
DE102020000100B4 (de) 2020-01-10 2024-09-19 Tdk-Micronas Gmbh Gehäustes IC-Bauelement
JP7630322B2 (ja) * 2021-03-22 2025-02-17 ローム株式会社 半導体装置
US12593706B2 (en) * 2022-08-30 2026-03-31 Micron Technology, Inc. Multi-chip package with enhanced conductive layer adhesion

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5294827A (en) * 1992-12-14 1994-03-15 Motorola, Inc. Semiconductor device having thin package body and method for making the same
US5521429A (en) * 1993-11-25 1996-05-28 Sanyo Electric Co., Ltd. Surface-mount flat package semiconductor device
JPH088280A (ja) * 1994-06-22 1996-01-12 Omron Corp 電子部品及びその製造方法
JP2917868B2 (ja) * 1995-07-31 1999-07-12 日本電気株式会社 半導体装置およびその製造方法
US5977613A (en) * 1996-03-07 1999-11-02 Matsushita Electronics Corporation Electronic component, method for making the same, and lead frame and mold assembly for use therein
KR0185512B1 (ko) * 1996-08-19 1999-03-20 김광호 칼럼리드구조를갖는패키지및그의제조방법
MY118338A (en) * 1998-01-26 2004-10-30 Motorola Semiconductor Sdn Bhd A leadframe, a method of manufacturing a leadframe and a method of packaging an electronic component utilising the leadframe.

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001057924A1 (de) * 2000-02-02 2001-08-09 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement mit an der unterseite befindlichen kontakten und verfahren zur herstellung
JP2002110884A (ja) * 2000-10-02 2002-04-12 Nitto Denko Corp リードフレーム積層物
JP2002110890A (ja) * 2000-10-05 2002-04-12 Nitto Denko Corp 半導体装置の製造方法及びそれに用いるリードフレーム積層物
JP2002118222A (ja) * 2000-10-10 2002-04-19 Rohm Co Ltd 半導体装置
JP2016040834A (ja) * 2000-12-28 2016-03-24 ルネサスエレクトロニクス株式会社 電子装置の製造方法
US9496204B2 (en) 2000-12-28 2016-11-15 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device
US10115658B2 (en) 2000-12-28 2018-10-30 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device
US10490486B2 (en) 2000-12-28 2019-11-26 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device
JP2003007953A (ja) * 2001-06-27 2003-01-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
US8193091B2 (en) 2002-01-09 2012-06-05 Panasonic Corporation Resin encapsulated semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2005116705A (ja) * 2003-10-06 2005-04-28 Rohm Co Ltd リードフレームの製造方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法、ならびに半導体装置ならびにそれを備えた携帯機器および電子装置
JP2005244219A (ja) * 2004-02-23 2005-09-08 Samsung Techwin Co Ltd 半導体パッケージ用のリードフレームとその製造方法
JP2006049694A (ja) * 2004-08-06 2006-02-16 Freescale Semiconductor Inc 二重ゲージ・リードフレーム
US7791180B2 (en) 2004-10-01 2010-09-07 Yamaha Corporation Physical quantity sensor and lead frame used for same
JP2013016819A (ja) * 2004-12-16 2013-01-24 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte Ltd パッケージングされた電子デバイス及びその製作方法
JP2009170454A (ja) * 2008-01-10 2009-07-30 Denso Corp モールドパッケージおよびその実装構造
JP2011077277A (ja) * 2009-09-30 2011-04-14 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置
JP2010268017A (ja) * 2010-09-03 2010-11-25 Rohm Co Ltd 半導体装置
JP2011171770A (ja) * 2011-06-06 2011-09-01 Dainippon Printing Co Ltd 回路部材、回路部材の製造方法、半導体装置、及び回路部材表面の積層構造
JP2014203861A (ja) * 2013-04-02 2014-10-27 三菱電機株式会社 半導体装置および半導体モジュール
US9613888B2 (en) 2013-04-02 2017-04-04 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device and semiconductor module
JP2014060465A (ja) * 2014-01-09 2014-04-03 Rohm Co Ltd 半導体装置
WO2017203928A1 (ja) * 2016-05-27 2017-11-30 ソニー株式会社 リードフレームの製造方法、電子装置の製造方法、および電子装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP3562311B2 (ja) 2004-09-08
US6166430A (en) 2000-12-26

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