JPH11340573A5 - - Google Patents
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- JPH11340573A5 JPH11340573A5 JP1998146786A JP14678698A JPH11340573A5 JP H11340573 A5 JPH11340573 A5 JP H11340573A5 JP 1998146786 A JP1998146786 A JP 1998146786A JP 14678698 A JP14678698 A JP 14678698A JP H11340573 A5 JPH11340573 A5 JP H11340573A5
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- gallium nitride
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- nitride semiconductor
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Description
【発明の名称】窒化ガリウム系半導体レーザ素子およびその製造方法
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ディクスシステムの光源に用いられる窒化ガリウム系半導体レーザ素子およびその製造方法に関する。
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ディクスシステムの光源に用いられる窒化ガリウム系半導体レーザ素子およびその製造方法に関する。
【０００７】
本発明は以上のような事情に鑑みてなされたものであり、窒化ガリウム系半導体レーザ素子における課題を解決して、光ディスクシステムの光源としての使用が可能な、良好なレーザ発振特性を有する窒化ガリウム系半導体レーザ素子およびその製造方法を提供することを目的とする。
本発明は以上のような事情に鑑みてなされたものであり、窒化ガリウム系半導体レーザ素子における課題を解決して、光ディスクシステムの光源としての使用が可能な、良好なレーザ発振特性を有する窒化ガリウム系半導体レーザ素子およびその製造方法を提供することを目的とする。
Claims (12)
- 基板上に、窒化物半導体からなる少なくともクラッド層及び／またはガイド層に挟まれた窒化物半導体よりなる活性層を備えた窒化ガリウム系半導体レーザ素子において、前記活性層に電流を供給するオーミック電極のレーザ共振器方向の長さが、レーザ共振器の長さよりも短いことを特徴とする窒化ガリウム系半導体レーザ素子。
- 前記オーミック電極が、前記共振器端面まで形成されていないことを特徴とする、請求項１に記載の窒化ガリウム系半導体レーザ素子。
- 基板上に、窒化物半導体からなる少なくともクラッド層及び／またはガイド層に挟まれた窒化物半導体よりなる活性層を備え、前記クラッド層の上にｐ型コンタクト層およびｐ側電極を備えた窒化ガリウム系半導体レーザ素子において、
前記ｐ型コンタクト層と前記ｐ側電極との間の一部に絶縁膜が形成され、
前記ｐ型コンタクト層と前記ｐ側電極とがオーミック接触する部分の共振器方向の長さが、レーザ共振器の長さよりも短いことを特徴とする窒化ガリウム系半導体レーザ素子。 - 前記オーミック電極のレーザ共振器方向の長さと前記レーザ共振器の長さとの差が１μｍ以上１００μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の窒化ガリウム系半導体レーザ素子。
- 前記オーミック電極のレーザ共振器方向の長さが１００μｍ以上５００μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の窒化ガリウム系半導体レーザ素子。
- 前記オーミック電極はｐ側電極であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の窒化ガリウム系半導体レーザ素子。
- 前記活性層が、単一量子井戸層からなることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の窒化ガリウム系半導体レーザ素子。
- 前記活性層が、量子井戸層と障壁層とを交互に積層してなる量子井戸構造活性層からなり、量子井戸層の層数が２以上４以下であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の窒化ガリウム系半導体レーザ素子。
- 前記活性層を形成する量子井戸層の厚さが、１０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項７または８に記載の窒化ガリウム系半導体レーザ素子。
- 前記活性層を形成する障壁層の厚さが、１０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項８または９に記載の窒化ガリウム系半導体レーザ素子。
- 前記基板がＧａＮ基板であることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれかに記載の窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子。
- 請求項１に記載の窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子の製造方法において、
レーザ共振器の共振器面が前記オーミック電極の形成されてない部分でエッチングまたは劈開によって形成されていることを特徴とする、窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14678698A JPH11340573A (ja) | 1998-05-28 | 1998-05-28 | 窒化ガリウム系半導体レーザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14678698A JPH11340573A (ja) | 1998-05-28 | 1998-05-28 | 窒化ガリウム系半導体レーザ素子 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004076720A Division JP3933637B2 (ja) | 2004-03-17 | 2004-03-17 | 窒化ガリウム系半導体レーザ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11340573A JPH11340573A (ja) | 1999-12-10 |
| JPH11340573A5 true JPH11340573A5 (ja) | 2005-03-10 |
Family
ID=15415517
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14678698A Pending JPH11340573A (ja) | 1998-05-28 | 1998-05-28 | 窒化ガリウム系半導体レーザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11340573A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1998
- 1998-05-28 JP JP14678698A patent/JPH11340573A/ja active Pending
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