JPH11340574A - 光半導体装置およびその装置に組み込まれる光半導体素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体レーザ素子の両端面から出射したレー
ザ光を共に出力光として使用する。 【解決手段】 レーザ光を放射する光透過窓を有するパ
ッケージと、前記パッケージ内に配置されかつ両端面か
らレーザ光を出射する半導体レーザ素子と、前記パッケ
ージの内外に亘って形成されるリードと、前記光半導体
素子の電極と前記リードとを電気的に接続するワイヤと
を有し、前記レーザ光を光透過窓から外部に放射する光
半導体装置であって、前記パッケージ内には前記光半導
体素子の両端から出射したレーザ光の光路を変換する一
対の平面鏡が配置され、２本のレーザ光を光透過窓から
外に放射させるように構成されている。たとえば、レー
ザ光は平行光となって放射される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は光半導体装置および
その装置に組み込まれる光半導体素子に係わり、特にレ
ーザ光が２ビームまたは高光出力になる半導体レーザ装
置の製造技術に適用して有効な技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体レーザは光通信用光源や情報機器
用光源として多用されている。

【０００３】端面発光型光素子であるファブリペロー型
半導体レーザは、半導体レーザ素子（半導体レーザチッ
プ）の両端からレーザ光を出射する構造になっている。

【０００４】一方、半導体レーザの一つとして、複数本
のレーザ光を出射する半導体レーザアレイ（マルチビー
ムレーザ）が知られている。半導体レーザアレイ装置
は、化合物半導体基板（以下単に半導体基板とも呼称す
る）にモノリシックに形成される半導体レーザチップ半
導体チップや複数の半導体レーザチップを単一のパッケ
ージに組み込んだ構造になっている。

【０００５】半導体レーザアレイについては、たとえ
ば、工業調査会発行「電子材料」1987年６月号、P107〜
P111に記載されている。この文献には、モノリシック形
３ビーム半導体レーザ素子が開示されている。この文献
には、ＣＤ，ＶＤ機器，レーザプリンタ，ＰＯＳ，バー
コードリーダをはじめ、文書ファイルシステムなどに使
用される信号読み取り用光源としての可視光半導体レー
ザについて記載されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】光導波路が１本のモノ
リシックな半導体レーザチップの場合、チップの一端の
出射面から出射されるレーザ光（前方出射光：出力光）
を各種機器の光源として使用し、他面の出射面から出射
されるレーザ光（後方出射光）をモニター光として使用
している。

【０００７】本発明者は、後方出射光も各種機器の光源
として使用できないかを検討した結果本発明をなした。

【０００８】本発明の目的は、出力光の増大が達成でき
る半導体レーザ素子およびその半導体レーザ素子を組み
込んだ半導体レーザ装置を提供することにある。

【０００９】一方、レーザビームプリンタ（ＬＢＰ），
光ディスク，光磁気ディスク等の高速化を図るために、
光源となる半導体レーザをマルチビーム化することが知
られている。本発明者は前方出射光と後方出射光によっ
てマルチビーム化が達成できることに気が付き本発明を
なした。

【００１０】本発明の他の目的は、マルチビーム化が達
成できる半導体レーザ素子およびその半導体レーザ素子
を組み込んだ半導体レーザ装置を提供することにある。

【００１１】本発明の前記ならびにそのほかの目的と新
規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきら
かになるであろう。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。

【００１３】（１）光を放射する光透過窓を有するパッ
ケージと、前記パッケージ内に配置されかつ両端面から
光（レーザ光）を出射する端面発光型の光半導体素子
（半導体レーザ素子）と、前記パッケージの内外に亘っ
て形成されるリードと、前記光半導体素子の電極と前記
リードとを電気的に接続する接続手段とを有し、前記光
半導体素子の端面から出射される光を前記光透過窓から
外部に放射する光半導体装置であって、前記パッケージ
内には前記光半導体素子の両端から出射した光の光路を
変換する一対の波面変換素子（鏡）が配置され、光を前
記光透過窓から外に放射させるように構成されている。
前記一対の波面変換素子は前記光半導体素子の両端から
出射される光を平行光を含む相互に交差しない放射光と
して放射させるように構成されている。前記パッケージ
内には受光素子が配置されるとともに、前記一方の波面
変換素子は光を透過させる構造になり、前記透過光は前
記受光素子で検出されるように構成されている。前記光
透過窓から放射される２本の光の光出力は同一光出力に
なっている。

【００１４】このような光半導体装置に組み込まれる光
半導体素子は、少なくとも１本の光導波路の両端から光
を出射する光半導体素子であって、前記両出射面から出
射される光の光出力は同出力になるように構成されてい
るか、または出射面には反射膜が設けられ、前記一方の
出射面の反射膜の反射率と他方の出射面の反射膜の反射
膜率は異なり、光出力をモニターする側での光出力は他
の側の光出力よりも大きくなっている。

【００１５】（２）前記手段（１）の構成において、前
記光半導体素子の両端から出射される光は波面変換素子
によって集束する構成になっている。

【００１６】前記（１）の手段によれば、（ａ）半導体
レーザ素子の両端面から出射されたレーザ光は、一対の
波面変換素子（鏡）によっては同一方向に出射されるた
め、１光導波路構成でも２ビーム構成にすることができ
る。したがって、たとえば、レーザビームプリンタの光
源として使用すれば、感光ドラムにおけるレーザビーム
による顕像化幅が１本のレーザビームの倍と広くなり、
プリンタ時間の短縮が図れる。

【００１７】（ｂ）二つの波面変換素子のうち一方の波
面変換素子側は光を透過させる構造になり、この透過光
は受光素子で検出されることから、光出力のモニターも
可能になる。

【００１８】（ｃ）光半導体素子の両端面から出射され
る光を出力光とすることができるため、光出力の向上が
図れる。

【００１９】（ｄ）なお、複数本の光導波路を有する光
半導体素子構成にすることによって、さらに多ビーム化
が達成できる。

【００２０】前記（２）の手段によれば、同一方向に放
射される光は集束する構成になっていることからスポッ
ト光として使用できるとともに、その光出力も大きくな
る。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態および実施例を詳細に説明する。なお、発明の
実施の形態および実施例を説明するための全図におい
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。

【００２２】ここで、各実施形態を説明する前に、図１
（ａ）〜（ｃ）を参照しながら本発明の光半導体装置の
原理構成について説明する。

【００２３】図１（ａ）〜（ｃ）に示すように、本発明
の光半導体装置は、端面発光型光半導体素子からなる光
半導体素子１の両端面、すなわち光導波路（共振器）４
の両端面から光２を出射するが、これら２本の光（光
束：ビーム）２を一対の波面変換素子３で反射して同一
方向に放射する構成になっている。

【００２４】すなわち、光半導体素子１は、支持ブロッ
ク５の窪み６の平坦な窪み底面７に固定され、両端面か
ら前記窪み底面７に沿うように光２を出射する。また、
光２が到達する前記窪み６の側面には、傾斜してそれぞ
れ波面変換素子３が配置されている。この波面変換素子
３は、たとえば平面鏡で構成されている。

【００２５】図１（ａ）は、２本の光２を相互に交差し
ない放射光として放射する例であり、図１（ｂ）は平行
光とした例であり、図１（ｃ）は集束させた例である。

【００２６】本発明によれば、光半導体素子１の両端面
から出射された光２を波面変換素子３を用いて同一方向
に放射させることから１本の光導波路４であっても出力
光として２ビームを得ることができる。すなわち、光導
波路４の数の倍数本のビームを出力光として得ることが
できる。そして、図１（ｂ）の場合では平行光を得るこ
とができ、図１（ｃ）の場合では集束光を得ることがで
きる。いずれの場合でも光出力を高めることができる。

【００２７】また、端面発光型光半導体素子としては、
半導体レーザ（レーザダイオード）や発光ダイオードを
使用できる。以下の実施形態では半導体レーザに適用し
た例について説明する。

【００２８】（実施形態１）図２乃至図４は本発明の一
実施形態（実施形態１）である半導体レーザ装置に係わ
る図であり、図２は半導体レーザ装置の一部を切り欠い
た状態を示す斜視図、図３は半導体レーザ素子，波面変
換素子および受光素子等の位置関係を示す模式図、図４
は半導体レーザ素子等の支持構造を示す拡大斜視図であ
る。

【００２９】本実施形態１では光半導体素子として、端
面発光型光半導体素子である半導体レーザ装置に本発明
を適用した例について説明する。また、本実施形態１で
は、平行光の状態で光を放射する例について説明する。

【００３０】半導体レーザ装置１０は、図２に示すよう
に、アセンブリの主体部品となるパッケージ本体（ステ
ム）１１と、このステム１１の表面側に取り付けられる
蓋体（キャップ）１２とを有している。パッケージは、
ステム１１とキャップ１２によって形成される。

【００３１】前記ステム１１は、図４にも示すように数
ｍｍの厚さの円形の金属板からなっている。このステム
１１の上面の中央には銅製のヒートシンク１３が鑞材等
で固定されている。

【００３２】前記ヒートシンク１３の上面には、たとえ
ばシリコン等の光を透過する材質からなる支持ブロック
５が固定されている。この支持ブロック５は、窪み６を
有している。この窪み６の窪み底面７は平坦になり、半
導体レーザ素子１ａが固定されている。

【００３３】半導体レーザ素子１ａは、たとえば光導波
路の延在方向に沿う縦（奥行き）の長さが２５０μｍ、
横幅が３００μｍ、厚さが１００μｍの矩形体からなっ
ていて、上面から数ミクロンの深さ部分に光導波路４
（図３参照）が設けられている。また、半導体レーザ素
子１ａの上面と下面には、図示はしないが電極（アノー
ド電極，カソード電極）が設けられている。これらの電
極に所定の電圧が印加されると、前記光導波路４の両端
面から光２（レーザ光２ａ）を出射するようになってい
る。

【００３４】また、図示はしないが、前記窪み底面７に
はメタライズ層が形成され、このメタライズ層に導電性
の接着剤を介して半導体レーザ素子１ａが固定されてい
る。したがって、半導体レーザ素子１ａの下部電極はス
テム１１と電気的に繋がることになる。

【００３５】また、前記ヒートシンク１３を囲むよう
に、３本の金属製のリード１４が貫通状態でステム１１
に固定されている。これらのリード１４は絶縁体１５を
介してステム１１に支持され、それぞれ電気的に独立し
ている。また、ステム１１の裏側には機械的かつ電気的
に１本のリード１４が突き合わせ状態で接続されてい
る。これらの４本のリード１４は、半導体レーザ装置１
０の外部端子として使用され、２本は半導体レーザ素子
１ａのアノード電極，カソード電極となり、他の２本は
光出力をモニターする受光素子のアノード電極，カソー
ド電極となる。

【００３６】前記支持ブロック５の窪み６の両側面は傾
斜面となり、この傾斜面には波面変換素子３としての平
面鏡３ａを構成する反射膜が蒸着されている。これら傾
斜面の窪み底面７に対する傾斜角度はα，βになってい
る。本実施形態１ではα＝β＝４５°になっている。し
たがって両傾斜面のなす角度γは９０°になり、半導体
レーザ素子１ａの光導波路４の両端面から出射したレー
ザ光２ａは平行光になって同一方向に放射されることに
なる。

【００３７】本実施形態１では、支持ブロック５が透明
である（上記レーザ光の波長に対する光の吸収率を少な
くとも上記平面鏡３ａより低く抑えてある）ことから、
当該平面鏡３ａの反射率をこれを構成する反射膜材料の
材質や厚みを適宜選択すれば、光透過が可能になる。そ
こで、光の損失を最小限とするため、一方の平面鏡３ａ
では反射させ、他方の平面鏡３ａでは一部の光を透過さ
せる構成にしてある。そして、この透過光３０を受光素
子３１で受光して光出力をモニターするように構成され
ている。

【００３８】なお、上述の反射膜による光反射及び光透
過の度合いは、例えば当該反射膜を構成する酸化シリコ
ン（ＳｉＯ₂）の膜厚の値の設定により調整される。

【００３９】前記半導体レーザ素子１ａは、光導波路４
の両端面に端面の保護や出射光の出力設定のために反射
膜９ａ，９ｂが設けられている。本実施形態１では、２
ビームのレーザ光２ａは同じ出力になる。すなわち、半
導体レーザ素子１ａの一方の出射面の反射膜の反射率と
他方の出射面の反射膜の反射膜率は異なり、光出力をモ
ニターする側での光出力は他の側の光出力よりも大きく
なっている。反射膜９ａ，９ｂの反射率は、光出力をモ
ニターする側（反射膜９ｂ）では低くなり、反射膜９ａ
側の光出力はレーザ光２ａとなり、反射膜９ｂ側の光出
力は前記レーザ光２ａと透過光３０を作りだすに必要な
光出力となる。このように反射膜９ａ，９ｂは適宜選択
できる。

【００４０】光出力をモニターしない場合には、前記半
導体レーザ素子１ａは、前記両出射面から出射される光
の光出力は同出力になるように構成すればよい。すなわ
ち、反射膜９ａ，９ｂの反射率は同じになる。

【００４１】一方、前記受光素子３１は、図２および図
４に示すように、ステム１１の上面に突出する１本のリ
ード１４の先端部分に図示しない導電性の接着剤を介し
て固定され、支持ブロック５を透過した透過光３０を受
光する。受光素子３１の下部電極は前記接着剤を介して
リード１４に電気的にも接続される。

【００４２】また、前記半導体レーザ素子１ａおよび受
光素子３１の上部電極は、図４に示すように、導電性の
ワイヤ３２を介してステム１１の上面に突出するリード
１４の端面に固定されている。

【００４３】他方、前記キャップ１２は、その中央にレ
ーザ光２ａを透過させる光透過窓４０を有している。こ
の光透過窓４０は、キャップ１２に設けた穴の部分に透
明ガラス板４１を重ねて固定することによって形成され
る。

【００４４】このような半導体レーザ装置１０において
は、所定のリード１４にそれぞれ所定の電圧を印加する
ことによって、半導体レーザ素子１ａを動作させて相互
に平行となる２ビームのレーザ光２ａを光透過窓４０か
ら放射することができる。また、光出力は前記受光素子
３１でモニターできることになる。

【００４５】図５は本実施形態１の半導体レーザ装置を
レーザビームプリンタに組み込んだ状態を示す一部の概
略模式図である。

【００４６】半導体レーザ装置１０から出射した２本の
レーザ光２ａを回転制御されるポリゴンミラー５０で反
射させ、ｆθレンズ５１を通してレーザビームプリンタ
の感光ドラム５２の表面に集光させる。２本のレーザ光
２ａは感光ドラム５２の軸方向に沿って走査される。ま
た、感光ドラム５２は回転する。

【００４７】感光ドラム５２は書き込む前に一様に帯電
されていることから、レーザ光２ａが照射された部分は
電位が抜け、そこにカーボン粉末（トナー）が付着して
現像されることになる。図示しない転写部分で静電力に
よって前記トナーを紙に写し取ることによってレーザビ
ームプリンタが行われる。

【００４８】半導体レーザ装置１０は２本のレーザ光２
ａ（レーザビーム）を出射することから、一回の走査で
２本のレーザビームによる幅の広い顕像化が可能にな
り、１本のレーザビームの場合よりも所定行の印刷時間
が半分になる。

【００４９】本実施形態１の半導体レーザ装置によれば
以下の効果を奏する。

【００５０】（１）半導体レーザ素子１ａの両端面から
出射されたレーザ光２ａは、一対の平面鏡３ａによって
は同一方向に出射されるため、１光導波路構成でも２ビ
ーム構成にすることができる。したがって、たとえば、
レーザビームプリンタの光源として使用すれば、感光ド
ラム５２におけるレーザビームによる顕像化幅が１本の
レーザビームの倍と広くなり、プリンタ時間の短縮が図
れる。

【００５１】（２）二つの平面鏡３ａのうち一方の平面
鏡３ａは光を透過させる構造になり、この透過光３０は
受光素子３１で検出されることから、光出力のモニター
も可能になる。

【００５２】（３）半導体レーザ素子１ａの両端面から
出射されるレーザ光２ａを出力光とすることができるた
め、光出力の向上が図れる。

【００５３】（４）なお、複数本の光導波路を有する半
導体レーザ素子構成にすることによって、さらに多ビー
ム化が達成できる。

【００５４】本実施形態１では２ビームのレーザ光２ａ
を平行光としたが、相互に交差することがない放射光と
してもよい。

【００５５】（実施形態２）図６は本発明の他の実施形
態（実施形態２）である半導体レーザ装置の一部を示す
模式図である。

【００５６】本実施形態２の半導体レーザ装置は、図６
にその一部を模式的に示すが、平面鏡３ａの傾斜角度の
設定によって、半導体レーザ素子１ａの両端面から出射
された２本のレーザ光２ａが交差（交差部分６０）する
構成になっている。この場合、交差部分６０ではスポッ
ト光６１となり、スポット光６１を光源とする各種機器
の光源として使用できる。

【００５７】図７は本実施形態２の半導体レーザ装置１
０を組み込んだ光ディスクシステムのピックアップ部を
示す模式図である。

【００５８】すなわち、半導体レーザ装置１０から出射
した２本のレーザ光２ａは集束しスポット光６１を形成
する。このスポット光６１はコリメートレンズ６２、偏
光ビームスプリッター６３、４分の１波長（λ／４）板
６４、対物レンズ６５を通過して、光デイスク６６に到
達する。

【００５９】光デイスク６６の情報記録部にて反射した
光は、対物レンズ６５、４分の１波長板６４を通り、偏
光ビームスプリッター６３で、光路が直角に曲げられ、
収束レンズ６７、シリンドリカルレンズ６８を通過後、
光検出器６９に到達する。

【００６０】本実施形態１の半導体レーザ装置１０の使
用によって光出力の高いスポット光６１を光源として使
用することができる。

【００６１】（実施形態３）図８は本発明の他の実施形
態（実施形態３）である一部を切り欠いた半導体レーザ
装置の平面図である。

【００６２】本実施形態３の光半導体素子１と波面変換
素子３との関係は、図１（ｂ）で示す平行光を放射する
構成であり、パッケージを箱型とし光通信の光源として
使用した例である。

【００６３】パッケージは上部が開口した箱構造のパッ
ケージ本体１１と、このパッケージ本体１１を塞ぐ板状
の蓋体１２とからなり、パッケージ本体１１の一端側に
は２本の光ファイバケーブル７０を案内する筒状のファ
イバガイド７１が設けられている。

【００６４】パッケージ本体１１の中央には導電性のヒ
ートシンク１３が設けられ、このヒートシンク１３に
は、前記実施形態１の場合と同様の構造の支持ブロック
５が固定されている。しかし、本実施形態３の場合は、
支持ブロック５に固定された半導体レーザ素子１ａから
出射されるレーザ光２ａが、平面鏡３ａによって図中右
側に進むように、固定面が前記実施形態１の場合とは異
なっている。また、ヒートシンク１３上には受光素子３
１が固定された導電性の支持体７２が固定されている。

【００６５】パッケージ本体１１の両側にはそれぞれ４
本のリード１４が貫通状態で配置され、これらのリード
１４のうちの所定リード１４の内端は、導電性のワイヤ
３２を介して前記半導体レーザ素子１ａや前記受光素子
３１の電極と電気的に接続されている。

【００６６】平行に進むレーザ光２ａは、各ファイバガ
イド７１に被覆される光ファイバ７５の先端に進入する
ようになっている。前記光ファイバ７５の先端部分は図
示しないが接合材等によってヒートシンク１３に固定さ
れている。

【００６７】本実施形態３によれば、単一の光信号を二
本の光ファイバ７５を介して所定箇所に伝送することが
できる。この場合、２ビームのレーザ光２ａの光出力
（光強度）は同一になっている。

【００６８】以上本発明者によってなされた発明を実施
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない、たとえ
ば光半導体素子としては端面発光型の発光ダイオードで
もよい。また、波面変換素子はプリズム等他の光学素子
でもよい。

【００６９】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。

【００７０】（１）半導体レーザ素子の両端面から出射
されたレーザ光は、一対の波面変換素子によっては同一
方向に出射されるため、１光導波路構成でも２ビーム構
成にすることができる。

【００７１】（２）したがって、光導波路の数を増大す
ることによってさらに多ビームとすることができる。

【００７２】（３）２ビームの本発明による半導体レー
ザ装置をレーザビームプリンタの光源として使用すれ
ば、感光ドラムにおけるレーザビームによる顕像化幅が
１本のレーザビームの倍と広くなり、プリンタ時間の短
縮が図れる。

【００７３】（４）二つの波面変換素子のうち一方の波
面変換素子は光を透過させる構造になり、この透過光は
受光素子で検出されることから、光出力のモニターも可
能になる。

【００７４】（５）光半導体素子の両端面から出射され
る光を出力光とすることができるため、光出力の向上が
図れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光半導体装置の原理構成を示す模式図
である。

【図２】本発明の一実施形態（実施形態１）である半導
体レーザ装置の一部を切り欠いた状態を示す斜視図であ
る。

【図３】本実施形態１の半導体レーザ装置における半導
体レーザ素子，波面変換素子および受光素子等の位置関
係を示す模式図である。

【図４】本実施形態１の半導体レーザ装置における半導
体レーザ素子等の支持構造を示す拡大斜視図である。

【図５】本実施形態１の半導体レーザ装置をレーザビー
ムプリンタに組み込んだ状態を示す一部の概略斜視図で
ある。

【図６】本発明の他の実施形態（実施形態２）である半
導体レーザ装置の一部を示す模式図である。

【図７】本実施形態２の半導体レーザ装置を組み込んだ
光ディスクシステムのピックアップ部を示す模式図であ
る。

【図８】本発明の他の実施形態（実施形態３）である一
部を切り欠いた半導体レーザ装置の平面図である。

【符号の説明】

１…光半導体素子、１ａ…半導体レーザ素子、２…光、
２…光束：ビーム、３…波面変換素子、３ａ…平面鏡、
４…光導波路（共振器）、５…支持ブロック、６…窪
み、７…窪み底面、９ａ，９ｂ…反射膜、１０…半導体
レーザ装置、１１…パッケージ本体（ステム）、１２…
蓋体（キャップ）、１３…ヒートシンク、１４…リー
ド、１５…絶縁体、３０…透過光、３１…受光素子、３
２…ワイヤ、４０…光透過窓、４１…透明ガラス板、５
０…ポリゴンミラー、５１…ｆθレンズ、５２…感光ド
ラム、６０…交差部分、６１…スポット光、６２…コリ
メートレンズ、６３…偏光ビームスプリッター、６４…
４分の１波長（λ／４）板、６５…対物レンズ、６６…
光デイスク、６７…収束レンズ、６８…シリンドリカル
レンズ、６９…光検出器、７０…光ファイバケーブル、
７１…ファイバガイド、７２…支持体、７５…光ファイ
バ。

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光を放射する光透過窓を有するパッケー
   ジと、前記パッケージ内に配置されかつ両端面から光を
   出射する端面発光型の光半導体素子と、前記パッケージ
   の内外に亘って形成されるリードと、前記光半導体素子
   の電極と前記リードとを電気的に接続する接続手段とを
   有し、前記光半導体素子の端面から出射される光を前記
   光透過窓から外部に放射する光半導体装置であって、前
   記パッケージ内には前記光半導体素子の両端から出射し
   た光の光路を変換する一対の波面変換素子が配置され、
   光を前記光透過窓から外に放射させるように構成されて
   いることを特徴とする光半導体装置。
2. 【請求項２】 前記一対の波面変換素子は前記光半導体
   素子の両端から出射される光を平行光を含む相互に交差
   しない放射光として放射させるように構成されているこ
   とを特徴とする請求項１に記載の光半導体装置。
3. 【請求項３】 前記一対の光路変換素子は前記光半導体
   素子の両端から出射される光を集束させるように構成さ
   れていることを特徴とする請求項１に記載の光半導体装
   置。
4. 【請求項４】 前記パッケージ内には受光素子が配置さ
   れるとともに、前記一方の波面変換素子は光を透過させ
   る構造になり、前記透過光は前記受光素子で検出される
   ように構成されていることを特徴とする請求項１乃至請
   求項３のいずれか１項に記載の光半導体装置。
5. 【請求項５】 前記光透過窓から放射される２本の光の
   光出力は同一光出力になっていることを特徴とする請求
   項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の光半導体装
   置。
6. 【請求項６】 前記請求項１乃至請求項３のいずれか１
   項に記載の光半導体装置に組み込まれる光半導体素子で
   あり、少なくとも１本の光導波路の両端から光を出射す
   る光半導体素子であって、前記両出射面から出射される
   光の光出力は同出力になるように構成されていることを
   特徴とする光半導体素子。
7. 【請求項７】 前記請求項４または請求項５に記載の光
   半導体装置に組み込まれる光半導体素子であり、両端の
   出射面に反射膜が設けられた少なくとも１本の光導波路
   を有する光半導体素子であって、前記一方の出射面の反
   射膜の反射率と他方の出射面の反射膜の反射膜率は異な
   り、光出力をモニターする側での光出力は他の側の光出
   力よりも大きくなっていることを特徴とする光半導体素
   子。