JPH11344800A - マスクの形成方法 - Google Patents
マスクの形成方法Info
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- JPH11344800A JPH11344800A JP12017299A JP12017299A JPH11344800A JP H11344800 A JPH11344800 A JP H11344800A JP 12017299 A JP12017299 A JP 12017299A JP 12017299 A JP12017299 A JP 12017299A JP H11344800 A JPH11344800 A JP H11344800A
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/20—Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＳＣＡＬＰＥＬあるいは他の類似のシステム
で用いられるのに適したマスクの製造方法を改善するこ
とである。 【解決手段】 本発明の方法により製造されたマスク
は、膜部材１４（通常、二酸化シリコン製）とそれをサ
ポートするシリコン製の支柱１６とを含む。この支柱１
６は、シリコン層をＳＦ６ またはＮＦ３ のようなフッ
ソ系ガスを用いてプラズマエッチングすることにより形
成される。このようなプラズマエッチングにより所望の
支柱のプロファイルの形成が可能となる。例えば本発明
により、市販の（１００）方位のシリコンウェハに垂直
な矩形支柱の形成が可能となる。
で用いられるのに適したマスクの製造方法を改善するこ
とである。 【解決手段】 本発明の方法により製造されたマスク
は、膜部材１４（通常、二酸化シリコン製）とそれをサ
ポートするシリコン製の支柱１６とを含む。この支柱１
６は、シリコン層をＳＦ６ またはＮＦ３ のようなフッ
ソ系ガスを用いてプラズマエッチングすることにより形
成される。このようなプラズマエッチングにより所望の
支柱のプロファイルの形成が可能となる。例えば本発明
により、市販の（１００）方位のシリコンウェハに垂直
な矩形支柱の形成が可能となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、リソグラフプロセ
スに適したマスクの製造方法に関し、特に電子ビームを
用いたリソグラフプロセスに適したマスクの製造方法に
関する。
スに適したマスクの製造方法に関し、特に電子ビームを
用いたリソグラフプロセスに適したマスクの製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】デバイスの処理においては、レジストと
称するエネルギに対し感受性のある材料を基板（例：シ
リコンウェ）上にコーティングしているが、このデバイ
スの完成度に応じてこの基板は半導体材料，誘電体材料
および／または導電性材料の上部表面を有している。レ
ジストのある領域は、レジストを所望のパターンあるい
は所望のパターンの逆パターンを示すマスクを介してレ
ジストを照射することにより露光している。
称するエネルギに対し感受性のある材料を基板（例：シ
リコンウェ）上にコーティングしているが、このデバイ
スの完成度に応じてこの基板は半導体材料，誘電体材料
および／または導電性材料の上部表面を有している。レ
ジストのある領域は、レジストを所望のパターンあるい
は所望のパターンの逆パターンを示すマスクを介してレ
ジストを照射することにより露光している。
【０００３】その後このパターンをレジスト内で現像す
る、通常このレジストを溶剤内に浸積することにより、
あるいはレジストをプラズマに曝すことにより、露出領
域あるいは非露出領域のいずれかを取り除いている。そ
の後この所望のパターンを下の基板にエッチングするた
め、所望のパターンにイオン注入を行うため、あるいは
所望のパターンに材料を堆積するためのマスクとして用
いている。
る、通常このレジストを溶剤内に浸積することにより、
あるいはレジストをプラズマに曝すことにより、露出領
域あるいは非露出領域のいずれかを取り除いている。そ
の後この所望のパターンを下の基板にエッチングするた
め、所望のパターンにイオン注入を行うため、あるいは
所望のパターンに材料を堆積するためのマスクとして用
いている。
【０００４】レジストがこのパターン化の機能を実行し
た後は、このレジストを除去し、ある材料の層をこのパ
ターン化された基板上に堆積していわゆるリソグラフプ
ロセスをデバイスが完成するまで繰り返す。集積回路上
のデバイスを小さくしようとする要求により、必要なレ
ベルの描写を与えるためにこのようなリソグラフプロセ
スが開発されている。
た後は、このレジストを除去し、ある材料の層をこのパ
ターン化された基板上に堆積していわゆるリソグラフプ
ロセスをデバイスが完成するまで繰り返す。集積回路上
のデバイスを小さくしようとする要求により、必要なレ
ベルの描写を与えるためにこのようなリソグラフプロセ
スが開発されている。
【０００５】近ＵＶ光による露光は、現世代の集積回路
に対しては有効であるが、次世代の集積回路に必要とさ
れるような別の放射ソースが求められている。この点に
関しては、ｘ線リソグラフを用いることに研究開発の努
力が行われているが、一方別の研究開発は、電荷粒子
（例えば電子ビーム）描写あるいはイオンビーム描写に
向けられている。
に対しては有効であるが、次世代の集積回路に必要とさ
れるような別の放射ソースが求められている。この点に
関しては、ｘ線リソグラフを用いることに研究開発の努
力が行われているが、一方別の研究開発は、電荷粒子
（例えば電子ビーム）描写あるいはイオンビーム描写に
向けられている。
【０００６】これらの努力からして、電子ビームリソグ
ラフは、現世代あるいは次世代の集積回路の両方に対し
有効なツールのように見える。しかし、従来のステンシ
ルマスクあるいは開口マスクは、マスクに向けられた電
子の一部を吸収することによりレジストの選択された一
部を露光しているが、電子ビームリソグラフプロセスに
対しては限界がある。
ラフは、現世代あるいは次世代の集積回路の両方に対し
有効なツールのように見える。しかし、従来のステンシ
ルマスクあるいは開口マスクは、マスクに向けられた電
子の一部を吸収することによりレジストの選択された一
部を露光しているが、電子ビームリソグラフプロセスに
対しては限界がある。
【０００７】その理由は、電子を吸収した領域が加熱し
その結果マスクが変形してしまうからである。従来のス
テンシルあるいは開口マスクに対する別の手法は、例え
ば米国特許第５，０７９，１１２号，第５，１３０，２
１３号，第５，２６０，１５１号，第５，３７６，５０
５号，第５，２５８，２４６号，第５，３１６，８７９
号に開示されている。
その結果マスクが変形してしまうからである。従来のス
テンシルあるいは開口マスクに対する別の手法は、例え
ば米国特許第５，０７９，１１２号，第５，１３０，２
１３号，第５，２６０，１５１号，第５，３７６，５０
５号，第５，２５８，２４６号，第５，３１６，８７９
号に開示されている。
【０００８】これらの特許に開示されたプロセスは、Sc
attering with Angular Limitationin Projection Elec
tron-beam Lithography（ＳＣＡＬＰＥＬ）と称し、マ
スクに向けられた電子の一部を散乱させるようなマスク
を使用し、その結果この散乱した電子が、所望のパター
ンでマスクに向けることができる。このプロセスの改良
が行われ、これに関しては米国特許第５，３８２，４９
８号，第５，５６１，００８号に開示されている。
attering with Angular Limitationin Projection Elec
tron-beam Lithography（ＳＣＡＬＰＥＬ）と称し、マ
スクに向けられた電子の一部を散乱させるようなマスク
を使用し、その結果この散乱した電子が、所望のパター
ンでマスクに向けることができる。このプロセスの改良
が行われ、これに関しては米国特許第５，３８２，４９
８号，第５，５６１，００８号に開示されている。
【０００９】これらの特許のプロセスに用いられるのに
適した、あるいは電子またはイオンの露光に基づく同様
なプロセスにおけるマスクの主な特徴を図１と１Ａに示
す。ＳＣＡＬＰＥＬのプロセスの一実施例を図２に示
す。図１はマスク１０を示す。このマスク１０はリング
１２により適宜支持される。このリング１２は剛性が高
く耐熱性である。図１Ａの詳細図に示すようにマスク１
０は電子を透過する膜１４を有する。この膜１４は支柱
１６に取り付けられ、この支柱１６が膜１４を支持し、
温度変化の影響と機械的な状態の影響を低減する。
適した、あるいは電子またはイオンの露光に基づく同様
なプロセスにおけるマスクの主な特徴を図１と１Ａに示
す。ＳＣＡＬＰＥＬのプロセスの一実施例を図２に示
す。図１はマスク１０を示す。このマスク１０はリング
１２により適宜支持される。このリング１２は剛性が高
く耐熱性である。図１Ａの詳細図に示すようにマスク１
０は電子を透過する膜１４を有する。この膜１４は支柱
１６に取り付けられ、この支柱１６が膜１４を支持し、
温度変化の影響と機械的な状態の影響を低減する。
【００１０】スカート１８は膜１４の上部表面に配置さ
れる。そしてこの膜１４は支柱１６により支持された領
域の上におかれる。（別法として、このスカート１８を
膜部材の底部表面に配置し、支柱１６を膜１４の上部表
面に配置してもよい。即ち図１Ａとは逆にしてもよ
い。）スカート１８は、例えばほぼ直線上に形成され、
リソグラフプロセスの間マスクを透過する電子の方向を
変えるのに役立つ。このスカート１８は電子ビームが支
柱１６に入るのを阻止し、それによりマスク１０が加熱
するのを回避して、同時に支柱１６の取り付け誤差と支
柱１６のプロファイルの制約を緩和している。
れる。そしてこの膜１４は支柱１６により支持された領
域の上におかれる。（別法として、このスカート１８を
膜部材の底部表面に配置し、支柱１６を膜１４の上部表
面に配置してもよい。即ち図１Ａとは逆にしてもよ
い。）スカート１８は、例えばほぼ直線上に形成され、
リソグラフプロセスの間マスクを透過する電子の方向を
変えるのに役立つ。このスカート１８は電子ビームが支
柱１６に入るのを阻止し、それによりマスク１０が加熱
するのを回避して、同時に支柱１６の取り付け誤差と支
柱１６のプロファイルの制約を緩和している。
【００１１】図２に示すように、マスク１０は電子２２
により照射される。散乱領域２０がマスク１０の膜１４
上の所望のパターンにしたがって存在し、マスク１０を
通過する電子２２を散乱させる。スカート１８もまた同
様にマスク１０を通過する電子２２を散乱させる。散乱
している電子ビーム３４を図２に示す。電子ビーム３
０，３２のビームは、散乱せずに膜１４のセグメントを
通過する。この膜１４のセグメントはスカート１８によ
り規定される。その後散乱していない電子ビーム３０，
３２は、電磁／静電気プロジェクタレンズシステム３６
を通過するが、散乱した電子ビーム３４もまた通過す
る。
により照射される。散乱領域２０がマスク１０の膜１４
上の所望のパターンにしたがって存在し、マスク１０を
通過する電子２２を散乱させる。スカート１８もまた同
様にマスク１０を通過する電子２２を散乱させる。散乱
している電子ビーム３４を図２に示す。電子ビーム３
０，３２のビームは、散乱せずに膜１４のセグメントを
通過する。この膜１４のセグメントはスカート１８によ
り規定される。その後散乱していない電子ビーム３０，
３２は、電磁／静電気プロジェクタレンズシステム３６
を通過するが、散乱した電子ビーム３４もまた通過す
る。
【００１２】このプロジェクタレンズシステム３６によ
り電子ビーム３０，３２，３４は収束する。この装置の
光学系は、非散乱電子ビーム３０，３２はバック焦点面
フィルタ３７の開口を通過し一方散乱電子ビーム３４は
バック焦点面フィルタ３７の非透過領域に向けられるよ
うにしている。電子ビーム３０，３２はそれらがプロジ
ェクタレンズシステム３６の開口を通過する際に互いに
交差するようにしている。通常第２プロジェクタレンズ
系３８は、電子ビーム３０，３２のビームを平行にし、
そして電子ビーム３０，３２が基板４０に所望のパター
ンで露光するようにしている。
り電子ビーム３０，３２，３４は収束する。この装置の
光学系は、非散乱電子ビーム３０，３２はバック焦点面
フィルタ３７の開口を通過し一方散乱電子ビーム３４は
バック焦点面フィルタ３７の非透過領域に向けられるよ
うにしている。電子ビーム３０，３２はそれらがプロジ
ェクタレンズシステム３６の開口を通過する際に互いに
交差するようにしている。通常第２プロジェクタレンズ
系３８は、電子ビーム３０，３２のビームを平行にし、
そして電子ビーム３０，３２が基板４０に所望のパター
ンで露光するようにしている。
【００１３】この装置の光軸と整合していない電子ビー
ム３２に対しては、第２プロジェクタレンズ系３８は電
子ビーム３２が透過した電子ビームのギャップを埋める
ように再度方向づけるよう設計されている。特に図２に
示すように支柱１６が存在することにより、電子ビーム
（例、３０，３２のビーム）の来入する群の間にギャッ
プを形成する。このような状況においては、電子が基板
４０に衝突する前にこのようなギャップを削減あるいは
低減するのが好ましい。
ム３２に対しては、第２プロジェクタレンズ系３８は電
子ビーム３２が透過した電子ビームのギャップを埋める
ように再度方向づけるよう設計されている。特に図２に
示すように支柱１６が存在することにより、電子ビーム
（例、３０，３２のビーム）の来入する群の間にギャッ
プを形成する。このような状況においては、電子が基板
４０に衝突する前にこのようなギャップを削減あるいは
低減するのが好ましい。
【００１４】かくして図２に示すように、第２プロジェ
クタレンズ系３８は電子ビーム群（例、３２のビーム）
をこのギャップを埋めるためにシフトさせるよう構成さ
れている。さらにまた他のプロセスパラメータ、例えば
マスク１０と基板４０との相対的に移動させることによ
りこのギャップを埋めるようにすることができる。これ
はスティチング（stitching） と称する。スカート１８
の形状およびスカート１８が存在することによりこのギ
ャップを補償する。
クタレンズ系３８は電子ビーム群（例、３２のビーム）
をこのギャップを埋めるためにシフトさせるよう構成さ
れている。さらにまた他のプロセスパラメータ、例えば
マスク１０と基板４０との相対的に移動させることによ
りこのギャップを埋めるようにすることができる。これ
はスティチング（stitching） と称する。スカート１８
の形状およびスカート１８が存在することによりこのギ
ャップを補償する。
【００１５】このマスクの構造は、ＳＣＡＬＰＥＬおよ
び電子ビームあるいはイオンビーム系のリソグラフプロ
セスにおいては、重要な役割を果たしている。しかしこ
のマスクの形成方法は、難しくかつ時間のかかることで
あり、特に支柱が膜部材の物理的特性に悪影響を及ぼさ
ないように、かつ電子の透過と干渉しないように（これ
は支柱の形状が一定しないことによる）するためこの支
柱のパターンを形成することは特に難しい。マスクを形
成するプロセスは、より大きなマスクが開発されるにつ
れて、さらにまた難しくなる。
び電子ビームあるいはイオンビーム系のリソグラフプロ
セスにおいては、重要な役割を果たしている。しかしこ
のマスクの形成方法は、難しくかつ時間のかかることで
あり、特に支柱が膜部材の物理的特性に悪影響を及ぼさ
ないように、かつ電子の透過と干渉しないように（これ
は支柱の形状が一定しないことによる）するためこの支
柱のパターンを形成することは特に難しい。マスクを形
成するプロセスは、より大きなマスクが開発されるにつ
れて、さらにまた難しくなる。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】したがって本発明の目
的は、ＳＣＡＬＰＥＬあるいは他の類似のシステムで用
いられるのに適したマスクの製造方法を改善することで
ある。
的は、ＳＣＡＬＰＥＬあるいは他の類似のシステムで用
いられるのに適したマスクの製造方法を改善することで
ある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明の方法により製造
されたマスクは、膜部材（通常、二酸化シリコン製）と
それをサポートするシリコン製の支柱とを含む。この支
柱は、シリコン層をＳＦ６ またはＮＦ３ のようなフッ
ソ系ガスを用いてプラズマエッチングすることにより形
成される。このようなプラズマエッチングにより所望の
支柱のプロファイルの形成が可能となる。例えば本発明
によれば、市販されている（かつ安価な）（１００）方
位のシリコンウェハに矩形の垂直支柱の形成が可能とな
る。
されたマスクは、膜部材（通常、二酸化シリコン製）と
それをサポートするシリコン製の支柱とを含む。この支
柱は、シリコン層をＳＦ６ またはＮＦ３ のようなフッ
ソ系ガスを用いてプラズマエッチングすることにより形
成される。このようなプラズマエッチングにより所望の
支柱のプロファイルの形成が可能となる。例えば本発明
によれば、市販されている（かつ安価な）（１００）方
位のシリコンウェハに矩形の垂直支柱の形成が可能とな
る。
【００１８】ほぼ垂直な矩形支柱とは、図１Ａに示すよ
うに支柱１６の側面１７が膜１４に対して±２０゜の誤
差範囲内（即ち、７０゜から１１０゜の角度で交差して
いる）で直交することを意味する。（１００）方位と
は、ウェハの表面に対し平行な（１００）面を向いてい
ることを意味する。）
うに支柱１６の側面１７が膜１４に対して±２０゜の誤
差範囲内（即ち、７０゜から１１０゜の角度で交差して
いる）で直交することを意味する。（１００）方位と
は、ウェハの表面に対し平行な（１００）面を向いてい
ることを意味する。）
【００１９】（１００）シリコン（あるいは他の方位の
ウェハ）に所望の支柱のプロファイルを形成できること
により、本発明の方法により製造されたマスクを大幅に
改善することができる。正確な光学特性は、ＳＣＡＬＰ
ＥＬおよび他の類似のプロセスで用いられるマスクに必
要とされ、そしてマスクの特性はシリコン製の支柱か形
成される本発明の方法により一部制限される。
ウェハ）に所望の支柱のプロファイルを形成できること
により、本発明の方法により製造されたマスクを大幅に
改善することができる。正確な光学特性は、ＳＣＡＬＰ
ＥＬおよび他の類似のプロセスで用いられるマスクに必
要とされ、そしてマスクの特性はシリコン製の支柱か形
成される本発明の方法により一部制限される。
【００２０】不規則な形状の支柱はマスク内で大きなス
ペースを占有し、リソグラフプロセスを複雑にしてしま
う。しかし、現在のマスクの製造方法では、不規則な形
状をした支柱しか形成できない。例えば（１００）方位
のシリコン製ウェハは、ウェハが市販されていることに
よりマスクブランク（mask blank）で用いられ、そして
この（１００）シリコンウェハはＫＯＨを用いる従来の
方法によりウェットエッチングして支柱を形成してい
る。
ペースを占有し、リソグラフプロセスを複雑にしてしま
う。しかし、現在のマスクの製造方法では、不規則な形
状をした支柱しか形成できない。例えば（１００）方位
のシリコン製ウェハは、ウェハが市販されていることに
よりマスクブランク（mask blank）で用いられ、そして
この（１００）シリコンウェハはＫＯＨを用いる従来の
方法によりウェットエッチングして支柱を形成してい
る。
【００２１】しかし、ＫＯＨは＜１１１＞方位に沿って
シリコンをエッチングし、その結果得られた（１００）
シリコン内の支柱は台形をしている。上述した理由によ
りこの台形の支柱は好ましいものではない。このような
台形の支柱の形成を回避するための一つの方法は、（１
００）方位のシリコンの代わりに（１１０）方位のシリ
コンを用いることである。
シリコンをエッチングし、その結果得られた（１００）
シリコン内の支柱は台形をしている。上述した理由によ
りこの台形の支柱は好ましいものではない。このような
台形の支柱の形成を回避するための一つの方法は、（１
００）方位のシリコンの代わりに（１１０）方位のシリ
コンを用いることである。
【００２２】しかし、この（１１０）方位のウェハは、
広く市販されてはおらず、カスタムメイドのウェハを得
ることに伴う高費用のために用いられる可能性が少な
い。さらにまた、（１１０）方位のシリコンをウェット
エッチングプロセスで用いることは、支柱のプロファイ
ルは良好に制御できるが、従来のウェットエッチングに
より所望の形状の支柱を形成することは依然として困難
である。その理由はＫＯＨは、＜１１１＞方向に沿って
のみエッチングを行うからである。
広く市販されてはおらず、カスタムメイドのウェハを得
ることに伴う高費用のために用いられる可能性が少な
い。さらにまた、（１１０）方位のシリコンをウェット
エッチングプロセスで用いることは、支柱のプロファイ
ルは良好に制御できるが、従来のウェットエッチングに
より所望の形状の支柱を形成することは依然として困難
である。その理由はＫＯＨは、＜１１１＞方向に沿って
のみエッチングを行うからである。
【００２３】本発明によれば、シリコン製の支柱をプラ
ズマエッチングすることによりシリコンの所望の方位に
沿ってエッチングを行わせて、支柱の形成をよりよく制
御することができる。かくして市販されている（１０
０）方位のシリコンウェハにも所望の支柱のプロファイ
ル（例えば、垂直壁を有する支柱）を得ることができ
る。フッソ系化合物を含むガスは、高速エッチングレー
ト（例、２０，０００オンスストローム／分以上）によ
りシリコンをエッチングするのに有効である。このよう
な高密度のプラズマエッチング（例、プラズマ中に１０
１１イオン／ｃｍ３以上）は、高速エッチングを行うの
に特に有効である。
ズマエッチングすることによりシリコンの所望の方位に
沿ってエッチングを行わせて、支柱の形成をよりよく制
御することができる。かくして市販されている（１０
０）方位のシリコンウェハにも所望の支柱のプロファイ
ル（例えば、垂直壁を有する支柱）を得ることができ
る。フッソ系化合物を含むガスは、高速エッチングレー
ト（例、２０，０００オンスストローム／分以上）によ
りシリコンをエッチングするのに有効である。このよう
な高密度のプラズマエッチング（例、プラズマ中に１０
１１イオン／ｃｍ３以上）は、高速エッチングを行うの
に特に有効である。
【００２４】かくして、フッソ系化合物を用いてプラズ
マエッチングを行うことによりリソグラフプロセスに特
に適した支柱を有するマスクを提供できる。特に、あら
ゆる種類の所望のプロファイルを有する支柱を形成で
き、そのため現在のマスクの支柱の悪影響を低減するこ
とができる。
マエッチングを行うことによりリソグラフプロセスに特
に適した支柱を有するマスクを提供できる。特に、あら
ゆる種類の所望のプロファイルを有する支柱を形成で
き、そのため現在のマスクの支柱の悪影響を低減するこ
とができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】図３Ａ−Ｄのステップにおけるシ
リコン製の基板４０（支柱を形成するための）の断面を
示す。（ここに説明する順序以外の順序で本発明を実行
することも可能であり、さらにまた別の層を付加するこ
とも可能である。）本発明によればいかなる方位のシリ
コンも用いることができる。通常（１００）方位のシリ
コン製基板は、市場での入手性により通常用いられる。
この基板は２５０−１０００μｍの厚さを有する。
リコン製の基板４０（支柱を形成するための）の断面を
示す。（ここに説明する順序以外の順序で本発明を実行
することも可能であり、さらにまた別の層を付加するこ
とも可能である。）本発明によればいかなる方位のシリ
コンも用いることができる。通常（１００）方位のシリ
コン製基板は、市場での入手性により通常用いられる。
この基板は２５０−１０００μｍの厚さを有する。
【００２６】薄膜層４２がまずシリコン製の基板４０の
第１表面（即ち上部表面）に堆積される。基板４０は電
子を透過し所望の物理的特性を与えるようないかなる材
料からも形成することができる。（電子を透過すると
は、電子の２％以上（通常最大５０％）がその層を実質
的な散乱を受けずに通過できることを意味する。）電圧
の上昇および膜層の厚さが、電子の透過性に影響を及ぼ
し電圧が高くなると散乱（elastic scattering）なしに
通過する電子の量が増え、一方膜層の厚さが増すとこの
ような電子の数が減る。
第１表面（即ち上部表面）に堆積される。基板４０は電
子を透過し所望の物理的特性を与えるようないかなる材
料からも形成することができる。（電子を透過すると
は、電子の２％以上（通常最大５０％）がその層を実質
的な散乱を受けずに通過できることを意味する。）電圧
の上昇および膜層の厚さが、電子の透過性に影響を及ぼ
し電圧が高くなると散乱（elastic scattering）なしに
通過する電子の量が増え、一方膜層の厚さが増すとこの
ような電子の数が減る。
【００２７】印加電圧と膜層の厚さを調整して、散乱な
しに膜層を通過する電子の割合を変えることができる。
薄膜層４２の好ましい材料の例としては、シリコン，窒
化シリコン，シリコンカーバイド，ダイアモンド等を含
む。この薄膜層４２は通常窒化シリコンから形成され、
その厚さは５００−２０００オングストロームである。
５００オングストロームでは薄膜層４２は脆くなりす
ぎ、２０００オングストローム以上では散乱しない電子
の数が減少し過ぎて好ましくない。
しに膜層を通過する電子の割合を変えることができる。
薄膜層４２の好ましい材料の例としては、シリコン，窒
化シリコン，シリコンカーバイド，ダイアモンド等を含
む。この薄膜層４２は通常窒化シリコンから形成され、
その厚さは５００−２０００オングストロームである。
５００オングストロームでは薄膜層４２は脆くなりす
ぎ、２０００オングストローム以上では散乱しない電子
の数が減少し過ぎて好ましくない。
【００２８】通常薄膜層４２は、窒化シリコンのＬＰＣ
ＶＤ法により形成され、このＬＰＣＶＤ法によりバック
サイド層４４を基板４０の第２表面（底部表面）上に同
時に堆積することができる。（ＬＰＣＶＤは、P. Van Z
ant, Microchip Fabrication, 3d, Ed., McGraw-Hill,
1997,at 362-64.に議論されている。）しかし、薄膜層
４２とバックサイド層４４とは別の材料で形成してもよ
く、あるいは薄膜層４２を形成しなくてもよい。例え
ば、バックサイド層４４は二酸化シリコンから形成する
ことも可能である。
ＶＤ法により形成され、このＬＰＣＶＤ法によりバック
サイド層４４を基板４０の第２表面（底部表面）上に同
時に堆積することができる。（ＬＰＣＶＤは、P. Van Z
ant, Microchip Fabrication, 3d, Ed., McGraw-Hill,
1997,at 362-64.に議論されている。）しかし、薄膜層
４２とバックサイド層４４とは別の材料で形成してもよ
く、あるいは薄膜層４２を形成しなくてもよい。例え
ば、バックサイド層４４は二酸化シリコンから形成する
ことも可能である。
【００２９】選択的事項として、エッチストップ層４６
を基板４０の上部表面に形成し、その後薄膜層４２を形
成してもよい。エッチストップ層４６は、後で行われる
プラズマエッチングが薄膜層４２をエッチングするのを
阻止する。このエッチストップ層４６は、（ａ）電子ビ
ームに対し透過な（即ち、マスク形成の間取り除くこと
ができる）材料、（ｂ）フッソ系ガスでプラズマエッチ
ングするのに対し反応しない（例えば、通常揮発性のフ
ッソ生成物を形成しない）材料、（ｃ）エッチング状態
において、スパッタ生成物が少ない（即ち、エッチング
の間エッチストップ層４６からスパッタした原子量が製
造される特定のマスクに対し許容可能なレベル以下であ
るような）材料から形成される。
を基板４０の上部表面に形成し、その後薄膜層４２を形
成してもよい。エッチストップ層４６は、後で行われる
プラズマエッチングが薄膜層４２をエッチングするのを
阻止する。このエッチストップ層４６は、（ａ）電子ビ
ームに対し透過な（即ち、マスク形成の間取り除くこと
ができる）材料、（ｂ）フッソ系ガスでプラズマエッチ
ングするのに対し反応しない（例えば、通常揮発性のフ
ッソ生成物を形成しない）材料、（ｃ）エッチング状態
において、スパッタ生成物が少ない（即ち、エッチング
の間エッチストップ層４６からスパッタした原子量が製
造される特定のマスクに対し許容可能なレベル以下であ
るような）材料から形成される。
【００３０】このエッチストップ層４６は、ピンホール
が存在しないような厚さで形成するのが好ましい。通常
エッチストップ層４６の材料は、クロム，酸化クロム，
二酸化シリコン，酸化アルミである。クロムが用いられ
る場合には、その厚さは１００オングストローム以上が
好ましい。（二酸化シリコンはプラズマエッチングの間
揮発性生成物を形成するので、この種の酸化物のエッチ
ストップ層４６は、薄膜層４２内にエッチング反応が入
り込むのを阻止する程度の厚さである。）
が存在しないような厚さで形成するのが好ましい。通常
エッチストップ層４６の材料は、クロム，酸化クロム，
二酸化シリコン，酸化アルミである。クロムが用いられ
る場合には、その厚さは１００オングストローム以上が
好ましい。（二酸化シリコンはプラズマエッチングの間
揮発性生成物を形成するので、この種の酸化物のエッチ
ストップ層４６は、薄膜層４２内にエッチング反応が入
り込むのを阻止する程度の厚さである。）
【００３１】二酸化シリコン製のエッチストップ層４６
の場合には、基板の第２（即ち底部）の表面上に窒化シ
リコン製の層を有するシリコン製の基板４０でもってス
タートし、その結果酸化物の成長が基板４０の上部表面
にのみ発生するようにすることも可能である。その後薄
膜層４２がＬＰＣＶＤ法により形成される場合には、さ
らなる窒化シリコン層の形成が基板４０の第２（即ち底
部）表面で行われる。
の場合には、基板の第２（即ち底部）の表面上に窒化シ
リコン製の層を有するシリコン製の基板４０でもってス
タートし、その結果酸化物の成長が基板４０の上部表面
にのみ発生するようにすることも可能である。その後薄
膜層４２がＬＰＣＶＤ法により形成される場合には、さ
らなる窒化シリコン層の形成が基板４０の第２（即ち底
部）表面で行われる。
【００３２】パターン化層５０が、基板４０の第２表面
上のバックサイド層４４の上（あるいはバックサイド層
４４が存在しない場合には、基板４０の上に直接）に堆
積される。パターン化層５０は基板４０の第１表面と第
２表面の両方の上に堆積することも可能で、例えばこれ
は以下に説明するようにバイメタル散乱層４８を有する
のが好ましい場合である。パターン化層５０は、（ａ）
フッ化系ガスでプラズマエッチングする際反応しない例
えば揮発性のフッ化生成物を形成しない材料、（ｂ）エ
ッチング状態においてスパッタ生成物の少ない材料から
形成される。
上のバックサイド層４４の上（あるいはバックサイド層
４４が存在しない場合には、基板４０の上に直接）に堆
積される。パターン化層５０は基板４０の第１表面と第
２表面の両方の上に堆積することも可能で、例えばこれ
は以下に説明するようにバイメタル散乱層４８を有する
のが好ましい場合である。パターン化層５０は、（ａ）
フッ化系ガスでプラズマエッチングする際反応しない例
えば揮発性のフッ化生成物を形成しない材料、（ｂ）エ
ッチング状態においてスパッタ生成物の少ない材料から
形成される。
【００３３】パターン化層５０の厚さは、ピンホールが
存在しないような厚さが好ましいが、例えば二酸化チタ
ン，クロムの酸化物，酸化アルミ等に対しては、１００
−２０００オングストロームの範囲である。６０，００
０オングストローム以上の厚さは、ポリマーレジスト，
二酸化シリコンのような材料に対して可能である。図３
Ｂに示すように後続のステップにおいては、支柱に対す
る格子状のパターンがパターン化層５０内に従来の光リ
ソグラフ方法を用いて形成される。
存在しないような厚さが好ましいが、例えば二酸化チタ
ン，クロムの酸化物，酸化アルミ等に対しては、１００
−２０００オングストロームの範囲である。６０，００
０オングストローム以上の厚さは、ポリマーレジスト，
二酸化シリコンのような材料に対して可能である。図３
Ｂに示すように後続のステップにおいては、支柱に対す
る格子状のパターンがパターン化層５０内に従来の光リ
ソグラフ方法を用いて形成される。
【００３４】バイメタル散乱層４８が薄膜層４２の上
（およびエッチストップ層４６がある場合にはエッチス
トップ層４６の上）に堆積される。バイメタル散乱層４
８の厚さと材料の原子番号と電圧とバック焦点面フィル
タ３７のサイズを組み合わせることにより、９０％以上
のコントラスト比を有する空間イメージ（aerial imag
e）を形成できる。これらのパラメータを個別にあるい
は組み合わせてこのレベルのコントラスト比を達成する
よう調整することも可能である。
（およびエッチストップ層４６がある場合にはエッチス
トップ層４６の上）に堆積される。バイメタル散乱層４
８の厚さと材料の原子番号と電圧とバック焦点面フィル
タ３７のサイズを組み合わせることにより、９０％以上
のコントラスト比を有する空間イメージ（aerial imag
e）を形成できる。これらのパラメータを個別にあるい
は組み合わせてこのレベルのコントラスト比を達成する
よう調整することも可能である。
【００３５】バイメタル散乱層４８は、４０以上の原子
番号を有する材料が適当であるが、タングステンあるい
はタングステンとクロムの２種類の金属の組み合わせ
（この場合クロムはパターン化層５０とバイメタル散乱
層４８の下の層の両方として堆積される）から形成され
る。（２種類の金属の組み合わせはバイメタル散乱層４
８の応力を低減するのに有効である。）バイメタル散乱
層４８の厚さは、１５０−７５０オングストロームであ
る。（マスクブランクの形成後、集積回路チップの所望
のパターンおよびスカートが散乱層内に形成される。）
番号を有する材料が適当であるが、タングステンあるい
はタングステンとクロムの２種類の金属の組み合わせ
（この場合クロムはパターン化層５０とバイメタル散乱
層４８の下の層の両方として堆積される）から形成され
る。（２種類の金属の組み合わせはバイメタル散乱層４
８の応力を低減するのに有効である。）バイメタル散乱
層４８の厚さは、１５０−７５０オングストロームであ
る。（マスクブランクの形成後、集積回路チップの所望
のパターンおよびスカートが散乱層内に形成される。）
【００３６】選択的事項として、保護層をバイメタル散
乱層４８の上に堆積して、基板４０のバックサイドのエ
ッチングの間、バイメタル散乱層４８が不用意にエッチ
ングされるのを保護し、取扱い時に損傷を受けないよう
に保護する。金属およびポリマーを含むさまざまな種類
の材料がこのような保護を与えるのに用いられる。薄膜
層４２とバイメタル散乱層４８の間に別の層を堆積し
て、バイメタル散乱層４８のパターン化の形成およびエ
ッチングの間薄膜層４２を保護することも可能である。
乱層４８の上に堆積して、基板４０のバックサイドのエ
ッチングの間、バイメタル散乱層４８が不用意にエッチ
ングされるのを保護し、取扱い時に損傷を受けないよう
に保護する。金属およびポリマーを含むさまざまな種類
の材料がこのような保護を与えるのに用いられる。薄膜
層４２とバイメタル散乱層４８の間に別の層を堆積し
て、バイメタル散乱層４８のパターン化の形成およびエ
ッチングの間薄膜層４２を保護することも可能である。
【００３７】図３Ｃに示すようにパターン化層５０のパ
ターン化された領域を介してバックサイド層４４が従来
のウェットエッチングあるいはドライエッチングにより
エッチングで取り除かれ、その下にある基板４０の一部
を露出させる。バックサイド層４４が窒化シリコン製の
場合には、ＣＦ４／Ｏ２のプラズマエッチングが用いら
れる。
ターン化された領域を介してバックサイド層４４が従来
のウェットエッチングあるいはドライエッチングにより
エッチングで取り除かれ、その下にある基板４０の一部
を露出させる。バックサイド層４４が窒化シリコン製の
場合には、ＣＦ４／Ｏ２のプラズマエッチングが用いら
れる。
【００３８】図３Ｄに示すように、格子状のパターンが
バックサイド層４４内にエッチングで形成されると、あ
るいはバックサイド層４４が存在しない場合にはフッソ
系ガスを用いたプラズマエッチングにより格子状の構造
体がバックサイド層４４内にエッチングされて支柱５２
を形成する。支柱５２がエッチングされると、パターン
化層５０とバックサイド層４４は選択的事項ではあるが
取り除かれる。
バックサイド層４４内にエッチングで形成されると、あ
るいはバックサイド層４４が存在しない場合にはフッソ
系ガスを用いたプラズマエッチングにより格子状の構造
体がバックサイド層４４内にエッチングされて支柱５２
を形成する。支柱５２がエッチングされると、パターン
化層５０とバックサイド層４４は選択的事項ではあるが
取り除かれる。
【００３９】エッチストップ層４６もまた選択的にエッ
チングで除去され薄膜層４２を露出させている。マスク
ブランクのバイメタル散乱層４８は、その後パターン化
されスカートを形成し、さらに集積回路の製造に所望の
パターンを形成する。このパターン化プロセスをアシス
トするために、支柱５２をエッチングするために基板の
前面、即ち上部表面上にレジスト材料を堆積することも
可能である。
チングで除去され薄膜層４２を露出させている。マスク
ブランクのバイメタル散乱層４８は、その後パターン化
されスカートを形成し、さらに集積回路の製造に所望の
パターンを形成する。このパターン化プロセスをアシス
トするために、支柱５２をエッチングするために基板の
前面、即ち上部表面上にレジスト材料を堆積することも
可能である。
【００４０】前述したように、プラズマエッチングは、
フッソ系ガス内で行われこれにより有効なエッチング速
度が得られる。プラズマエッチングの一般的事項は、Va
n Zant, Microchip Fabrication, 3d Ed., McGraw-Hil
l, 1997, およびさらに詳細は、M. Lieberman, A. Lich
tenberg 著の Principles of Plasma Discharges andMa
terials Processing, John Wiley & Sons, 1994 に議論
されている。
フッソ系ガス内で行われこれにより有効なエッチング速
度が得られる。プラズマエッチングの一般的事項は、Va
n Zant, Microchip Fabrication, 3d Ed., McGraw-Hil
l, 1997, およびさらに詳細は、M. Lieberman, A. Lich
tenberg 著の Principles of Plasma Discharges andMa
terials Processing, John Wiley & Sons, 1994 に議論
されている。
【００４１】適切なガスの例としては、ＳＦ６とＮＦ３
がある。選択的事項としてガスは、プロファイルの制御
のために添加物、例えばＣｌ２，ＨＢｒ，Ｎ２を含む。
（これらの添加ガスが含まれている場合には、パターン
化層は、ガス中のプラズマエッチングに対し非反応性で
あるのが好ましい。）通常プラズマエッチングは、２
０，０００オングストローム／分以上の速度で行われる
が、さらに好ましくは４０，０００オングストローム／
分以上、さらにまた好ましくは８０，０００オングスト
ローム／分以上である。
がある。選択的事項としてガスは、プロファイルの制御
のために添加物、例えばＣｌ２，ＨＢｒ，Ｎ２を含む。
（これらの添加ガスが含まれている場合には、パターン
化層は、ガス中のプラズマエッチングに対し非反応性で
あるのが好ましい。）通常プラズマエッチングは、２
０，０００オングストローム／分以上の速度で行われる
が、さらに好ましくは４０，０００オングストローム／
分以上、さらにまた好ましくは８０，０００オングスト
ローム／分以上である。
【００４２】高密度プラズマエッチング（例、プラズマ
中で１０１１イオン／１ｃｍ３ 以上）がこれらの高速
エッチングを達成するのに有効である。これらのエッチ
ングレートはプラズマエッチングプロセスのパラメータ
に一部依存する。一般的にガス流速は、４０−８０ｓｃ
ｃｍである。圧力は３０−５０ｍＴｏｒｒである。ソー
スパワーは３００−６００Ｗで、バイアスパワーは１０
０Ｗ以下で、特に５０−１００Ｗである。
中で１０１１イオン／１ｃｍ３ 以上）がこれらの高速
エッチングを達成するのに有効である。これらのエッチ
ングレートはプラズマエッチングプロセスのパラメータ
に一部依存する。一般的にガス流速は、４０−８０ｓｃ
ｃｍである。圧力は３０−５０ｍＴｏｒｒである。ソー
スパワーは３００−６００Ｗで、バイアスパワーは１０
０Ｗ以下で、特に５０−１００Ｗである。
【００４３】制御サンプルを用いてある条件下における
所望のエッチングレートを生成するパラメータを決定す
ることができる。このプラズマエッチングに対しては、
反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）装置を含む従来の装
置で行うことができる。例えば、米国特許第５，５０
１，８９３号に開示されたプロセスを用いることもでき
る。
所望のエッチングレートを生成するパラメータを決定す
ることができる。このプラズマエッチングに対しては、
反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）装置を含む従来の装
置で行うことができる。例えば、米国特許第５，５０
１，８９３号に開示されたプロセスを用いることもでき
る。
【００４４】米国特許第５，２６０，１５１号に議論さ
れているようにさまざまなマスクパラメータがＳＣＡＬ
ＰＥＬのようなプロセスで用いられることが見いだされ
ている。機能チップ領域の例が Semiconductor Industr
y Association （ＳＩＡ）の刊行物である「The Nation
al Technology Roadmap for Semiconductors」内に開示
されている。
れているようにさまざまなマスクパラメータがＳＣＡＬ
ＰＥＬのようなプロセスで用いられることが見いだされ
ている。機能チップ領域の例が Semiconductor Industr
y Association （ＳＩＡ）の刊行物である「The Nation
al Technology Roadmap for Semiconductors」内に開示
されている。
【００４５】
【発明の効果】例えば、マスク対ウェハの比率が４：１
（即ち、突起した光学系に関連するサイズの低減率）の
ものに対しては、本発明にしたがって形成されたマスク
の対応する機能領域は、約２５倍大きく単なる１６倍以
上ではない。スペースがマスクの支柱により占有される
が、この支柱は０．１−０．２５ｍｍの幅（マスク表面
に平行な）と、０．２５−１．０ｍｍの高さ（マスク表
面に垂直な）を有する。
（即ち、突起した光学系に関連するサイズの低減率）の
ものに対しては、本発明にしたがって形成されたマスク
の対応する機能領域は、約２５倍大きく単なる１６倍以
上ではない。スペースがマスクの支柱により占有される
が、この支柱は０．１−０．２５ｍｍの幅（マスク表面
に平行な）と、０．２５−１．０ｍｍの高さ（マスク表
面に垂直な）を有する。
【００４６】セグメント間の距離（即ち、１つの支柱の
中心から隣接する支柱の中心までの距離）は、直交する
２つの方向に対し異なってもよい。例えば、ある方向に
対しては０．５−２ｍｍでそれに直交する他の方向は１
−２００ｍｍである。支柱間距離およびその寸法を適宜
調整してマスクパターンの配置誤差を適正に維持し、あ
るアプリケーションに対する許容可能な制限内に特徴物
の変動を押させるようにしている。
中心から隣接する支柱の中心までの距離）は、直交する
２つの方向に対し異なってもよい。例えば、ある方向に
対しては０．５−２ｍｍでそれに直交する他の方向は１
−２００ｍｍである。支柱間距離およびその寸法を適宜
調整してマスクパターンの配置誤差を適正に維持し、あ
るアプリケーションに対する許容可能な制限内に特徴物
の変動を押させるようにしている。
【図１】ＳＣＡＬＰＥＬまたは同様のプロセスに用いら
れるのに適したマスクの斜視図とＡはその部分拡大図
れるのに適したマスクの斜視図とＡはその部分拡大図
【図２】ＳＣＡＬＰＥＬプロセスを表す図
【図３】本発明の一実施例の製造プロセスを表すステッ
プ図
プ図
１０ マスク １２ リング １４ 膜 １６ 支柱 １７ 側面 １８ スカート ２０ 散乱領域 ２２ 電子 ３０，３２，３４ 電子ビーム ３６ 第１プロジェクタレンズシステム ３７ バック焦点面フィルタ ３８ 第２プロジェクタレンズ系 ４０ 基板 ４２ 薄膜層 ４４ バックサイド層 ４６ エッチストップ層 ４８ バイメタル散乱層 ５０ パターン化層 ５２ 支柱
フロントページの続き (71)出願人 596077259 600 Ｍｏｕｎｔａｉｎ Ａｖｅｎｕｅ, Ｍｕｒｒａｙ Ｈｉｌｌ， Ｎｅｗ Ｊｅ ｒｓｅｙ 07974−0636Ｕ．Ｓ．Ａ. (72)発明者 ジェームス アレクサンダー リッドゥル アメリカ合衆国，07090 ニュージャージ ー，ウェストフィールド，ラーウェイ ア ベニュー 1067 (72)発明者 アンソニー エドワード ノーヴェンブル アメリカ合衆国，08836 ニュージャージ ー，マーティンスヴィル，ウィーマック ロード 770
Claims (14)
- 【請求項１】 （Ａ） シリコン製基板（４０）を用意
するステップと、 （Ｂ） 前記基板（４０）の第１表面上に膜層（４２）
を堆積するステップと、 （Ｃ） 前記膜層（４２）の上に散乱層（４８）を堆積
するステップと、 （Ｄ） 前記基板の第２表面上にパターン化層（５０）
を堆積するステップと、 （Ｅ） 前記パターン化層（５０）内にパターンを規定
するステップと、 （Ｆ） フッ素系ガスを含むガスによるプラズマエッチ
ングにより、前記シリコン製基板（４０）の第２表面の
一部をエッチングするステップとを有することを特徴と
するマスクの形成方法。 - 【請求項２】 前記シリコン製基板（４０）は、（１０
０）方位のシリコンであることを特徴とする請求項１記
載の方法。 - 【請求項３】 前記フッ素系ガスは、ＳＦ６とＮＦ３の
少なくとも一方であることを特徴とする請求項１記載の
方法。 - 【請求項４】 前記フッ素系ガスは、Ｃｌ２，ＨＢｒ，
Ｎ２から選択されたガスを含むことを特徴とする請求項
１記載の方法。 - 【請求項５】 前記（Ｄ）ステップのパターン化層（５
０）は、二酸化チタン，クロム，クロムの酸化物，酸化
アルミから選択された材料を含むことを特徴とする請求
項１記載の方法。 - 【請求項６】 前記（Ｃ）ステップの散乱層（４８）
は、タングステンを含むことを特徴とする請求項１記載
の方法。 - 【請求項７】 （Ｇ） 前記シリコン製基板（４０）の
第１表面上に直接エッチストップ層（４６）を形成する
ステップをさらに有することを特徴とする請求項１記載
の方法。 - 【請求項８】 前記（Ｇ）ステップのエッチストップ層
（４６）は、クロムと二酸化シリコンから選択された材
料を含むことを特徴とする請求項７記載の方法。 - 【請求項９】 （Ｈ） 前記（Ｄ）ステップの前に基板
の第２表面にバックサイド層（４４）を堆積するステッ
プをさらに有することを特徴とする請求項１記載の方
法。 - 【請求項１０】 前記プラズマエッチングは、高密度プ
ラズマエッチングであることを特徴とする請求項１記載
の方法。 - 【請求項１１】 前記プラズマエッチングの速度は、２
０，０００オングストローム／分以上であることを特徴
とする請求項１０記載の方法。 - 【請求項１２】 前記プラズマエッチングの速度は、４
０，０００オングストローム／分以上であることを特徴
とする請求項１１記載の方法。 - 【請求項１３】 前記（Ｆ）ステップによりほぼ垂直で
矩形の支柱（５２）が形成されることを特徴とする請求
項２記載の方法。 - 【請求項１４】 膜層（１４）と、 前記膜層（１４）を支持し（１００）方位のシリコンか
ら形成されるほぼ垂直の矩形の支柱（１６）とを有する
ことを特徴とするリソグラフ用マスク。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US8354798P | 1998-04-29 | 1998-04-29 | |
| US09/121,266 US6051346A (en) | 1998-04-29 | 1998-07-23 | Process for fabricating a lithographic mask |
| US60/083547 | 1998-07-23 | ||
| US09/121266 | 1998-07-23 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11344800A true JPH11344800A (ja) | 1999-12-14 |
Family
ID=26769419
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12017299A Pending JPH11344800A (ja) | 1998-04-29 | 1999-04-27 | マスクの形成方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6051346A (ja) |
| EP (1) | EP0953876A3 (ja) |
| JP (1) | JPH11344800A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002134404A (ja) * | 2000-08-22 | 2002-05-10 | Carl Zeiss Stiftung Trading As Carl Zeiss | 荷電粒子による放射線感応層の露光装置および方法、ならびにこの目的のためのマスク |
| JP2010217744A (ja) * | 2009-03-18 | 2010-09-30 | Toppan Printing Co Ltd | 転写マスクの製造方法及び転写マスク |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3706527B2 (ja) * | 1999-06-30 | 2005-10-12 | Ｈｏｙａ株式会社 | 電子線描画用マスクブランクス、電子線描画用マスクおよび電子線描画用マスクの製造方法 |
| US6355384B1 (en) * | 2000-03-06 | 2002-03-12 | Motorola, Inc. | Mask, its method of formation, and a semiconductor device made thereby |
| NL1015155C2 (nl) * | 2000-05-11 | 2001-11-13 | Tno | Elektronenstraallithografie. |
| US6528215B1 (en) | 2000-11-07 | 2003-03-04 | International Business Machines Corporation | Substrate for diamond stencil mask and method for forming |
| WO2002044812A2 (en) * | 2000-12-01 | 2002-06-06 | Unaxis Usa Inc. | Embedded attenuated phase shift mask and method of making embedded attenuated phase shift mask |
| DE10117025A1 (de) | 2001-04-05 | 2002-10-10 | Zeiss Carl | Teilchenoptische Vorrichtung,Beleuchtungsvorrichtung und Projektionssystem sowie Verfahren unter Verwendung derselben |
| US6749968B2 (en) | 2001-08-09 | 2004-06-15 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method for fabricating a thin-membrane stencil mask and method for making a semiconductor device using the same |
| US6642128B1 (en) * | 2002-05-06 | 2003-11-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Method for high temperature oxidations to prevent oxide edge peeling |
| JP4204805B2 (ja) * | 2002-05-21 | 2009-01-07 | Ｈｏｙａ株式会社 | 電子線マスク用基板、電子線マスクブランクス、及び電子線マスク |
| US6838213B2 (en) * | 2002-07-23 | 2005-01-04 | Agere Systems Inc. | Process for fabricating a mask |
| US6863930B2 (en) | 2002-09-06 | 2005-03-08 | Delphi Technologies, Inc. | Refractory metal mask and methods for coating an article and forming a sensor |
| DE102004012240B4 (de) * | 2004-03-12 | 2007-03-01 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung einer Lochmaske zur lithographischen Strukturierung mittels geladener Teilchen |
| TWI456340B (zh) * | 2011-09-13 | 2014-10-11 | Univ Nat Taiwan | 波浪狀光罩結構、波浪狀光罩的製作方法及利用波浪狀光罩製作奈米週期結構之曝光方法 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4208241A (en) * | 1978-07-31 | 1980-06-17 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Device fabrication by plasma etching |
| EP0246514A3 (en) * | 1986-05-16 | 1989-09-20 | Air Products And Chemicals, Inc. | Deep trench etching of single crystal silicon |
| US5130213A (en) * | 1989-08-07 | 1992-07-14 | At&T Bell Laboratories | Device manufacture involving lithographic processing |
| US5079112A (en) * | 1989-08-07 | 1992-01-07 | At&T Bell Laboratories | Device manufacture involving lithographic processing |
| US5258246A (en) * | 1989-08-07 | 1993-11-02 | At&T Bell Laboratories | Device manufacture involving lithographic processing |
| US5260151A (en) * | 1991-12-30 | 1993-11-09 | At&T Bell Laboratories | Device manufacture involving step-and-scan delineation |
| US5376505A (en) * | 1992-03-16 | 1994-12-27 | At&T Corp. | Device fabrication entailing submicron imaging |
| US5316879A (en) * | 1992-07-14 | 1994-05-31 | At&T Bell Laboratories | Sub-micron device fabrication using multiple aperture filter |
| US5382498A (en) * | 1992-12-16 | 1995-01-17 | At&T Corp. | Processes for electron lithography |
| US5733688A (en) * | 1994-12-14 | 1998-03-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Lithographic mask structure and method of producing the same comprising W and molybdenum alloy absorber |
| US5561008A (en) * | 1995-01-27 | 1996-10-01 | Lucent Technologies Inc. | Process for device fabrication using projection lithography and an apparatus therefor |
| US5798194A (en) * | 1996-05-22 | 1998-08-25 | Nikon Corporation | Masks for charged-particle beam microlithography |
| US5899728A (en) * | 1997-12-22 | 1999-05-04 | Motorola, Inc. | Method of forming a lithographic mask |
-
1998
- 1998-07-23 US US09/121,266 patent/US6051346A/en not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-04-20 EP EP99303035A patent/EP0953876A3/en not_active Withdrawn
- 1999-04-27 JP JP12017299A patent/JPH11344800A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002134404A (ja) * | 2000-08-22 | 2002-05-10 | Carl Zeiss Stiftung Trading As Carl Zeiss | 荷電粒子による放射線感応層の露光装置および方法、ならびにこの目的のためのマスク |
| JP2010217744A (ja) * | 2009-03-18 | 2010-09-30 | Toppan Printing Co Ltd | 転写マスクの製造方法及び転写マスク |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0953876A2 (en) | 1999-11-03 |
| US6051346A (en) | 2000-04-18 |
| EP0953876A3 (en) | 2001-03-28 |
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