JPH11345584A - イオン散乱分光装置 - Google Patents
イオン散乱分光装置Info
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- JPH11345584A JPH11345584A JP10151245A JP15124598A JPH11345584A JP H11345584 A JPH11345584 A JP H11345584A JP 10151245 A JP10151245 A JP 10151245A JP 15124598 A JP15124598 A JP 15124598A JP H11345584 A JPH11345584 A JP H11345584A
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- JP
- Japan
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- detector
- orifice
- ion scattering
- sample chamber
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J49/00—Particle spectrometers or separator tubes
- H01J49/26—Mass spectrometers or separator tubes
- H01J49/34—Dynamic spectrometers
- H01J49/40—Time-of-flight spectrometers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ガス中に置かれた試料の分析を行うことので
きるイオン散乱分光装置を提供する。 【解決手段】 イオン源および加速器１からイオンビー
ムを発生させ、このイオンビームを検出器２の中央部に
設けられた円孔２ａを通過させ、オリフィス３、４を介
して試料室５内の試料６に照射し、試料６からオリフィ
ス３、４を介して検出器２に到達した粒子を、この検出
器２によって検出するよう構成されている。そして、排
気装置９〜１２と、オリフィス３、４とによって、検出
器２の周囲の領域が、試料室５内より高真空度の所定の
真空度となるよう構成されている。
きるイオン散乱分光装置を提供する。 【解決手段】 イオン源および加速器１からイオンビー
ムを発生させ、このイオンビームを検出器２の中央部に
設けられた円孔２ａを通過させ、オリフィス３、４を介
して試料室５内の試料６に照射し、試料６からオリフィ
ス３、４を介して検出器２に到達した粒子を、この検出
器２によって検出するよう構成されている。そして、排
気装置９〜１２と、オリフィス３、４とによって、検出
器２の周囲の領域が、試料室５内より高真空度の所定の
真空度となるよう構成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、試料に加速したイ
オンを衝突させて、試料から飛来する粒子を測定して試
料を分析するイオン散乱分光装置に係り、特に、ガス中
に置かれた試料の分析を可能としたイオン散乱分光に関
する。
オンを衝突させて、試料から飛来する粒子を測定して試
料を分析するイオン散乱分光装置に係り、特に、ガス中
に置かれた試料の分析を可能としたイオン散乱分光に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、試料に加速したイオンを衝突
させ、試料から散乱する粒子を分析して、試料の構造を
分析するイオン散乱分光装置が知られている。
させ、試料から散乱する粒子を分析して、試料の構造を
分析するイオン散乱分光装置が知られている。
【０００３】また、かかるイオン散乱分光において、粒
子の飛行時間を測定することによって、この粒子の速度
（エネルギー）を分析する飛行時間分析方法が知られて
いるが、このような飛行時間分析方法は、試料から同時
に散乱された粒子の到達時間の差からエネルギー分析を
行うので、粒子の電荷の有無にかかわらずエネルギー分
析を行うことができるという利点がある。
子の飛行時間を測定することによって、この粒子の速度
（エネルギー）を分析する飛行時間分析方法が知られて
いるが、このような飛行時間分析方法は、試料から同時
に散乱された粒子の到達時間の差からエネルギー分析を
行うので、粒子の電荷の有無にかかわらずエネルギー分
析を行うことができるという利点がある。
【０００４】上記イオン散乱分光では、測定粒子のエネ
ルギー等によって、使用する検出器が異なるが、一般に
低エネルギー（数ＫｅＶ程度）あるいは中エネルギー
（数百ＫｅＶ程度）のものでは、マイクロチャンネルプ
レート（ＭＣＰ）が用いられており、また高エネルギー
（数ＭｅＶ程度）のものでは、半導体検出器が用いられ
ている。
ルギー等によって、使用する検出器が異なるが、一般に
低エネルギー（数ＫｅＶ程度）あるいは中エネルギー
（数百ＫｅＶ程度）のものでは、マイクロチャンネルプ
レート（ＭＣＰ）が用いられており、また高エネルギー
（数ＭｅＶ程度）のものでは、半導体検出器が用いられ
ている。
【０００５】上述したイオン散乱分光装置において、検
出器としてマイクロチャンネルプレート（ＭＣＰ）を用
いた低エネルギーあるいは中エネルギーのイオン散乱分
光装置では、このマイクロチャンネルプレート（ＭＣ
Ｐ）からなる検出器を作動させるために、検出器周囲を
〜１０-7Torr以下の高真空としなければならない。ま
た、低真空（０．１Torr程度）中で使用可能な半導体検
出器を使用する場合でも、使用するガスが検出器と反応
してしまうような場合は、検出器周辺を高真空にしなけ
ればならない。このため、従来においては、試料の周囲
もこれに準じた高真空とされており、高真空下において
試料の分析が行われている。
出器としてマイクロチャンネルプレート（ＭＣＰ）を用
いた低エネルギーあるいは中エネルギーのイオン散乱分
光装置では、このマイクロチャンネルプレート（ＭＣ
Ｐ）からなる検出器を作動させるために、検出器周囲を
〜１０-7Torr以下の高真空としなければならない。ま
た、低真空（０．１Torr程度）中で使用可能な半導体検
出器を使用する場合でも、使用するガスが検出器と反応
してしまうような場合は、検出器周辺を高真空にしなけ
ればならない。このため、従来においては、試料の周囲
もこれに準じた高真空とされており、高真空下において
試料の分析が行われている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述したとおり、従来
のイオン散乱分光装置、特に低エネルギーあるいは中エ
ネルギーのイオン散乱分光装置においては、高真空下に
おいて試料の分析が行われている。
のイオン散乱分光装置、特に低エネルギーあるいは中エ
ネルギーのイオン散乱分光装置においては、高真空下に
おいて試料の分析が行われている。
【０００７】しかしながら、例えば、気相成長中の膜の
状態の分析等、ある程度ガスが存在する減圧雰囲気下
（例えば、１０-2〜１０-3Torr程度）における試料のイ
オン散乱分光による分析を行うことができるようになれ
ば、例えば、成膜中の膜のモニタにイオン散乱分光装置
を用いることができるようになり、イオン散乱分光装置
の利用範囲が格段に広がることになる。
状態の分析等、ある程度ガスが存在する減圧雰囲気下
（例えば、１０-2〜１０-3Torr程度）における試料のイ
オン散乱分光による分析を行うことができるようになれ
ば、例えば、成膜中の膜のモニタにイオン散乱分光装置
を用いることができるようになり、イオン散乱分光装置
の利用範囲が格段に広がることになる。
【０００８】本発明はかかる従来の事情に対処してなさ
れたもので、成膜用ガス等のガス中に置かれた試料の分
析を行うことのできるイオン散乱分光装置を提供しよう
とするものである。
れたもので、成膜用ガス等のガス中に置かれた試料の分
析を行うことのできるイオン散乱分光装置を提供しよう
とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、イオ
ン源で発生させたイオンを、加速装置で加速して、試料
室内に配置された試料に照射し、前記試料から散乱した
粒子を所定位置に配設された検出器によって測定するイ
オン散乱分光装置において、前記試料室に、前記試料を
処理するための所定のガスを導入するガス導入手段と、
前記試料室から排気を行い、当該試料室を所定圧に減圧
した前記所定ガスの雰囲気とする第１の排気手段と、前
記試料室と前記検出器との間に配置されたオリフィス
と、前記検出器近傍から排気を行い、当該検出器近傍を
前記試料室より高真空の雰囲気とする第２の排気手段と
を具備したことを特徴とする。
ン源で発生させたイオンを、加速装置で加速して、試料
室内に配置された試料に照射し、前記試料から散乱した
粒子を所定位置に配設された検出器によって測定するイ
オン散乱分光装置において、前記試料室に、前記試料を
処理するための所定のガスを導入するガス導入手段と、
前記試料室から排気を行い、当該試料室を所定圧に減圧
した前記所定ガスの雰囲気とする第１の排気手段と、前
記試料室と前記検出器との間に配置されたオリフィス
と、前記検出器近傍から排気を行い、当該検出器近傍を
前記試料室より高真空の雰囲気とする第２の排気手段と
を具備したことを特徴とする。
【００１０】請求項２の発明は、請求項１記載のイオン
散乱分光装置において、前記オリフィスは、前記試料室
側に設けられた第１のオリフィスと、この第１のオリフ
ィスより前記検出器側に設けられた第２のオリフィスと
からなることを特徴とする。請求項３の発明は、請求項
２記載のイオン散乱分光装置において、前記第１のオリ
フィスと、前記第２のオリフィスとの間の領域から排気
を行う第３の排気手段を具備したことを特徴とする。
散乱分光装置において、前記オリフィスは、前記試料室
側に設けられた第１のオリフィスと、この第１のオリフ
ィスより前記検出器側に設けられた第２のオリフィスと
からなることを特徴とする。請求項３の発明は、請求項
２記載のイオン散乱分光装置において、前記第１のオリ
フィスと、前記第２のオリフィスとの間の領域から排気
を行う第３の排気手段を具備したことを特徴とする。
【００１１】請求項４の発明は、請求項１乃至３いずれ
か１項記載のイオン散乱分光装置において、前記検出器
が、前記試料から所定距離離れた位置に設けられ、散乱
した粒子のエネルギーを分析するよう構成されたことを
特徴とする。
か１項記載のイオン散乱分光装置において、前記検出器
が、前記試料から所定距離離れた位置に設けられ、散乱
した粒子のエネルギーを分析するよう構成されたことを
特徴とする。
【００１２】請求項５の発明は、求項１乃至４いずれか
１項記載のイオン散乱分光装置において、前記ガス導入
手段が、前記試料室に所定の成膜用ガスを導入し、前記
試料に所定の膜を形成するよう構成されたことを特徴と
する。
１項記載のイオン散乱分光装置において、前記ガス導入
手段が、前記試料室に所定の成膜用ガスを導入し、前記
試料に所定の膜を形成するよう構成されたことを特徴と
する。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明のイオン散乱分光装
置の詳細を、粒子の飛行時間を測定することによって、
この粒子の速度（エネルギー）を分析する飛行時間分析
法を用いた実施の形態について図面を参照して説明す
る。
置の詳細を、粒子の飛行時間を測定することによって、
この粒子の速度（エネルギー）を分析する飛行時間分析
法を用いた実施の形態について図面を参照して説明す
る。
【００１４】図１は、本発明のイオン散乱分光の一つの
実施の形態の概略構成を示すもので、同図において、１
はイオン源および加速器、２は検出器、３、４はオリフ
ィス、５は試料室、６は試料、７はガス供給機構、８は
真空計、９乃至１２は排気装置を示している。
実施の形態の概略構成を示すもので、同図において、１
はイオン源および加速器、２は検出器、３、４はオリフ
ィス、５は試料室、６は試料、７はガス供給機構、８は
真空計、９乃至１２は排気装置を示している。
【００１５】上記イオン源および加速器１は、イオン源
において所定のイオンを発生させ、このイオンを所定の
エネルギーに加速して所定エネルギーのイオンのパルス
ビームを発生させるよう構成されている。そして、この
イオンのパルスビームを検出器２の中央部に設けられた
円孔２ａを通過させ、オリフィス４、オリフィス３を介
して試料室５内の試料６に照射し、試料６からオリフィ
ス３、オリフィス４を介して検出器２に到達した粒子
を、この検出器２によって検出するようになっている。
において所定のイオンを発生させ、このイオンを所定の
エネルギーに加速して所定エネルギーのイオンのパルス
ビームを発生させるよう構成されている。そして、この
イオンのパルスビームを検出器２の中央部に設けられた
円孔２ａを通過させ、オリフィス４、オリフィス３を介
して試料室５内の試料６に照射し、試料６からオリフィ
ス３、オリフィス４を介して検出器２に到達した粒子
を、この検出器２によって検出するようになっている。
【００１６】なお、この検出器２は、マイクロチャンネ
ルプレート（ＭＣＰ）から構成されている。
ルプレート（ＭＣＰ）から構成されている。
【００１７】また、試料６が配置された試料室５は、ガ
ス供給機構７から試料６を処理するための所定のガス、
この実施の形態の場合は所定の気相成長用ガスを供給可
能とされ、かつ、排気装置１２で内部の排気を行うこと
ができるよう構成されており、その内部を所定圧力の気
相成長用ガス雰囲気、例えば、１０-2Torr程度の気相成
長用ガス雰囲気とし、試料６に所定の気相成長膜を形成
できるようになっている。
ス供給機構７から試料６を処理するための所定のガス、
この実施の形態の場合は所定の気相成長用ガスを供給可
能とされ、かつ、排気装置１２で内部の排気を行うこと
ができるよう構成されており、その内部を所定圧力の気
相成長用ガス雰囲気、例えば、１０-2Torr程度の気相成
長用ガス雰囲気とし、試料６に所定の気相成長膜を形成
できるようになっている。
【００１８】さらに、排気装置９〜１１のうち、排気装
置９は、イオン源および加速器１の領域を排気し、排気
装置１０は、検出器２の近傍の領域を排気し、排気装置
１１は、オリフィス３とオリフィス４との間の領域を排
気するよう構成されている。そして、試料６側に設けら
れた一段目のオリフィス３は、その開口部の直径が２ｍ
ｍ（コンダクタンス：３．６×１０-4（ｍ3 ／ｓ））に
設定され、検出器２側に設けられた二段めのオリフィス
４は、その開口部の直径が４ｍｍ（コンダクタンス：
１．５×１０-3（ｍ3 ／ｓ））に設定され、一段目のオ
リフィス３の開口部と試料６との距離が３ｍｍ、一段目
のオリフィス３と二段めのオリフィス４の開口部の間の
距離が５０ｍｍに設定され、これによって、一段目のオ
リフィス３と二段めのオリフィス４の間の領域が約７．
２×１０-6Torr、検出器２の周囲の領域が約２．２×１
０-8Torrの真空度となるよう構成されている。なお、排
気装置としては、排気性能が、０．５ｍ3 ／ｓのものを
用いている。
置９は、イオン源および加速器１の領域を排気し、排気
装置１０は、検出器２の近傍の領域を排気し、排気装置
１１は、オリフィス３とオリフィス４との間の領域を排
気するよう構成されている。そして、試料６側に設けら
れた一段目のオリフィス３は、その開口部の直径が２ｍ
ｍ（コンダクタンス：３．６×１０-4（ｍ3 ／ｓ））に
設定され、検出器２側に設けられた二段めのオリフィス
４は、その開口部の直径が４ｍｍ（コンダクタンス：
１．５×１０-3（ｍ3 ／ｓ））に設定され、一段目のオ
リフィス３の開口部と試料６との距離が３ｍｍ、一段目
のオリフィス３と二段めのオリフィス４の開口部の間の
距離が５０ｍｍに設定され、これによって、一段目のオ
リフィス３と二段めのオリフィス４の間の領域が約７．
２×１０-6Torr、検出器２の周囲の領域が約２．２×１
０-8Torrの真空度となるよう構成されている。なお、排
気装置としては、排気性能が、０．５ｍ3 ／ｓのものを
用いている。
【００１９】ここで、上記オリフィス３、４の構成にお
いて、一段目のオリフィス３の開口部よりも二段めのオ
リフィス４の開口部の径が大きく設定されているのは、
試料６から散乱した粒子が検出器２に到達できるよう
に、散乱粒子の進行方向に向けて検出器２を見込める立
体角を確保するためである。
いて、一段目のオリフィス３の開口部よりも二段めのオ
リフィス４の開口部の径が大きく設定されているのは、
試料６から散乱した粒子が検出器２に到達できるよう
に、散乱粒子の進行方向に向けて検出器２を見込める立
体角を確保するためである。
【００２０】上記構成のこの実施の形態のイオン散乱分
光装置では、例えば、試料６としてシリコン半導体ウエ
ハを用い、試料室５内を排気装置１２で排気するととも
に、気相成長用ガス供給機構７から所定の気相成長用ガ
ス、例えばシラン（ＳｉＨ4）等を試料室５内に導入し
て、試料室５内を、例えば１０-2Torr程度の気相成長用
ガス雰囲気として試料６にアモルファスシリコンを気相
成長させる。
光装置では、例えば、試料６としてシリコン半導体ウエ
ハを用い、試料室５内を排気装置１２で排気するととも
に、気相成長用ガス供給機構７から所定の気相成長用ガ
ス、例えばシラン（ＳｉＨ4）等を試料室５内に導入し
て、試料室５内を、例えば１０-2Torr程度の気相成長用
ガス雰囲気として試料６にアモルファスシリコンを気相
成長させる。
【００２１】そして、これとともに他の排気装置９〜１
１による各領域の排気を行い、各領域を前述した真空度
とし、イオン源および加速器１によって発生させたイオ
ンのパルスビーム（エネルギー例えば数ＫｅＶ〜数１０
０ＫｅＶ程度）を、検出器２の中央部に設けられた開口
部２ａを通過させ、二段めのオリフィス４及び一段目の
オリフィス３を介して、試料６に照射する。
１による各領域の排気を行い、各領域を前述した真空度
とし、イオン源および加速器１によって発生させたイオ
ンのパルスビーム（エネルギー例えば数ＫｅＶ〜数１０
０ＫｅＶ程度）を、検出器２の中央部に設けられた開口
部２ａを通過させ、二段めのオリフィス４及び一段目の
オリフィス３を介して、試料６に照射する。
【００２２】そして、試料６から散乱した粒子を、検出
器２で検出し、粒子の飛行時間を測定することによっ
て、この粒子の速度（エネルギー）を分析する。
器２で検出し、粒子の飛行時間を測定することによっ
て、この粒子の速度（エネルギー）を分析する。
【００２３】この時、例えば、Ｓｉ（１００）面の場
合、１モノレーヤ中の分子数は、 １ＭＬ＝2 ／5.431 2 （オングストローム2 ） ＝6.8 ×1014（atoms ／ｃｍ2 ） となる。
合、１モノレーヤ中の分子数は、 １ＭＬ＝2 ／5.431 2 （オングストローム2 ） ＝6.8 ×1014（atoms ／ｃｍ2 ） となる。
【００２４】一方、気体１モル（mol ）は１気圧（atm
）、室温（２０℃）で22.4×103 （ｃｍ3 ）の体積を
持ち、１モル（mol ）中には6.02×1023の分子があるこ
とから、１気圧、単位体積中には 6.02×1023（mol -1）／22.4×103 （ｃｍ3 ／mol ／at
m ）＝2.68×1019（ｃｍ-3・atm -1） の分子が存在する。
）、室温（２０℃）で22.4×103 （ｃｍ3 ）の体積を
持ち、１モル（mol ）中には6.02×1023の分子があるこ
とから、１気圧、単位体積中には 6.02×1023（mol -1）／22.4×103 （ｃｍ3 ／mol ／at
m ）＝2.68×1019（ｃｍ-3・atm -1） の分子が存在する。
【００２５】そこで、試料６と一段目のオリフィス３と
の間隔（ワーキングディスタンス）が0.3 ｃｍ（3 ｍ
ｍ）の場合、ここの断面積をｓとすると0.3 ｓ（ｃ
ｍ3 ）の体積中には、10-2（Torr）＝1.32×10-5（atm
）の気圧中では、0.3 ｓ（ｃｍ3 ）×2.68×1019（ｃ
ｍ-3・atm -1）×1.32×10-5（atm ）＝1.1 ×ｓ×1014
の分子が存在する。
の間隔（ワーキングディスタンス）が0.3 ｃｍ（3 ｍ
ｍ）の場合、ここの断面積をｓとすると0.3 ｓ（ｃ
ｍ3 ）の体積中には、10-2（Torr）＝1.32×10-5（atm
）の気圧中では、0.3 ｓ（ｃｍ3 ）×2.68×1019（ｃ
ｍ-3・atm -1）×1.32×10-5（atm ）＝1.1 ×ｓ×1014
の分子が存在する。
【００２６】したがって、単位面積中には、 1.1 ×1014（ｃｍ-2） の分子が存在する。この分子数は上記した１モノレーヤ
中の分子数の５分の１程度である。
中の分子数の５分の１程度である。
【００２７】したがって、ガスからの散乱収量は試料６
の表面原子からの散乱収量の５分の１程度であり、大き
な違いなく試料６からのイオン散乱分光の測定が可能で
あり、更に、真空度とガスの種類を考慮することによ
り、ガスからの散乱収量を見積もることができ、その散
乱収量を差し引くことで、更に正確な測定も行うことが
できる。
の表面原子からの散乱収量の５分の１程度であり、大き
な違いなく試料６からのイオン散乱分光の測定が可能で
あり、更に、真空度とガスの種類を考慮することによ
り、ガスからの散乱収量を見積もることができ、その散
乱収量を差し引くことで、更に正確な測定も行うことが
できる。
【００２８】以上のように、この実施の形態のイオン散
乱分光装置では、ガス中に置かれた試料の分析を行うこ
とができ、気相成長中の膜の状態の分析等を行うことが
できる。
乱分光装置では、ガス中に置かれた試料の分析を行うこ
とができ、気相成長中の膜の状態の分析等を行うことが
できる。
【００２９】図２は、本発明の他の実施の形態を示すも
ので、この実施の形態では、図１の場合と比較して、オ
リフィスが、一段目のオリフィス３のみとされ、オリフ
ィスの間の領域から排気を行う排気装置１１が省略され
た構成となっている。
ので、この実施の形態では、図１の場合と比較して、オ
リフィスが、一段目のオリフィス３のみとされ、オリフ
ィスの間の領域から排気を行う排気装置１１が省略され
た構成となっている。
【００３０】かかる実施の形態に示されるように、試料
室５内において必要とされるガス圧との関係により、例
えば、試料室５内の圧力をより高真空に設定できる場合
は、二段めのオリフィス及びオリフィスの間から排気す
る排気装置を省略することも可能となる。
室５内において必要とされるガス圧との関係により、例
えば、試料室５内の圧力をより高真空に設定できる場合
は、二段めのオリフィス及びオリフィスの間から排気す
る排気装置を省略することも可能となる。
【００３１】なお、上記実施の形態とは逆に、本発明で
は、オリフィスの数をさらに増やして３段以上のオリフ
ィスを設けてもよいことはもちろん、入射イオンビーム
を検出器の中央部を通過させる配置だけではなく、任意
の散乱角に検出器を配置するようにしてもよいこともも
ちろんである。本発明はかかる実施の形態に限定される
ものてはなく、種々の変形が可能であることも、もちろ
んである。
は、オリフィスの数をさらに増やして３段以上のオリフ
ィスを設けてもよいことはもちろん、入射イオンビーム
を検出器の中央部を通過させる配置だけではなく、任意
の散乱角に検出器を配置するようにしてもよいこともも
ちろんである。本発明はかかる実施の形態に限定される
ものてはなく、種々の変形が可能であることも、もちろ
んである。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
成膜用ガス等のガス中に置かれた試料の分析を行うこと
のできるイオン散乱分光装置を提供することができ、気
相成長中の膜の状態の分析等を行うことが可能となる。
成膜用ガス等のガス中に置かれた試料の分析を行うこと
のできるイオン散乱分光装置を提供することができ、気
相成長中の膜の状態の分析等を行うことが可能となる。
【図１】本発明の実施の形態の概略構成を示す図。
【図２】本発明の他の実施の形態の概略構成を示す図。
１………イオン源および加速器 ２………検出器 ３、４…オリフィス ５………試料室） ６………試料 ７………ガス供給機構 ８………真空計 ９〜１２…排気装置
Claims (5)
- 【請求項１】 イオン源で発生させたイオンを、加速装
置で加速して、試料室内に配置された試料に照射し、前
記試料から散乱した粒子を所定位置に配設された検出器
によって測定するイオン散乱分光装置において、 前記試料室に、前記試料を処理するための所定のガスを
導入するガス導入手段と、 前記試料室から排気を行い、当該試料室を所定圧に減圧
した前記所定ガスの雰囲気とする第１の排気手段と、 前記試料室と前記検出器との間に配置されたオリフィス
と、 前記検出器近傍から排気を行い、当該検出器近傍を前記
試料室より高真空の雰囲気とする第２の排気手段とを具
備したことを特徴とするイオン散乱分光装置。 - 【請求項２】 請求項１記載のイオン散乱分光装置にお
いて、 前記オリフィスが、前記試料室側に設けられた第１のオ
リフィスと、この第１のオリフィスより前記検出器側に
設けられた第２のオリフィスとからなることを特徴とす
るイオン散乱分光装置。 - 【請求項３】 請求項２記載のイオン散乱分光装置にお
いて、 前記第１のオリフィスと、前記第２のオリフィスとの間
の領域から排気を行う第３の排気手段を具備したことを
特徴とするイオン散乱分光装置。 - 【請求項４】 請求項１乃至３いずれが１項記載のイオ
ン散乱分光装置において、 前記検出器が、前記試料から所定距離離れた位置に設け
られ、散乱した粒子のエネルギーを分析するよう構成さ
れたことを特徴とするイオン散乱分光装置。 - 【請求項５】 請求項１乃至４いずれか１項記載のイオ
ン散乱分光装置において、 前記ガス導入手段が、前記試料室に所定の成膜用ガスを
導入し、前記試料に所定の膜を形成するよう構成された
ことを特徴とするイオン散乱分光装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10151245A JPH11345584A (ja) | 1998-06-01 | 1998-06-01 | イオン散乱分光装置 |
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