JPH11345704A - セラミック電子部品素子及びそれを用いたセラミック電子部品 - Google Patents
セラミック電子部品素子及びそれを用いたセラミック電子部品Info
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】電極間の短絡や放電の原因となるマイグレーシ
ョンを発生することがなく、電極の薄層化を実現する。 【構成】サーミスタ素体の表面に形成する電極の構成と
して、実施例１に示すように、最下層である第１層をセ
ラミック素体の表面にオーミック接触するＡｌを素材と
して形成し、中間層である第２層を半田付けに対する耐
熱性を有するＮｉＣｕを素材として形成し、最上層であ
る第３層を耐マイグレーション性を有するＡｌによって
形成した。実施例１の電極を形成した正特性サーミスタ
においては、電極形成後及びリード線加工後における抵
抗値の上昇を生じることがないとともに、サーミスタ素
体の表面におけるマイグレーションを発生することがな
く、電極を極めて薄層に形成することができた。
ョンを発生することがなく、電極の薄層化を実現する。 【構成】サーミスタ素体の表面に形成する電極の構成と
して、実施例１に示すように、最下層である第１層をセ
ラミック素体の表面にオーミック接触するＡｌを素材と
して形成し、中間層である第２層を半田付けに対する耐
熱性を有するＮｉＣｕを素材として形成し、最上層であ
る第３層を耐マイグレーション性を有するＡｌによって
形成した。実施例１の電極を形成した正特性サーミスタ
においては、電極形成後及びリード線加工後における抵
抗値の上昇を生じることがないとともに、サーミスタ素
体の表面におけるマイグレーションを発生することがな
く、電極を極めて薄層に形成することができた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、セラミック素体上に
おいてリード線が半田付け接続されるセラミック電子部
品素子およびそれを用いたセラミック電子部品に関す
る。
おいてリード線が半田付け接続されるセラミック電子部
品素子およびそれを用いたセラミック電子部品に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】セラミック電子部品、例えば、回路保護
用の正特性サーミスタの電極構造として、特開平４−１
８８８０１号公報には、最下層をＴｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｚ
ｎ若しくはＡｌ又はこれらのうちの２種以上を主体とす
る材料によって構成し、中間層をＮｉ又はＣｕのいずれ
かを主体とする材料、但し、最下層をＮｉによって構成
した場合にはＮｉ、Ｃｕ又はＣｕを主体とする材料によ
って構成し、最上層をＡｇによって構成した構造が開示
されている。
用の正特性サーミスタの電極構造として、特開平４−１
８８８０１号公報には、最下層をＴｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｚ
ｎ若しくはＡｌ又はこれらのうちの２種以上を主体とす
る材料によって構成し、中間層をＮｉ又はＣｕのいずれ
かを主体とする材料、但し、最下層をＮｉによって構成
した場合にはＮｉ、Ｃｕ又はＣｕを主体とする材料によ
って構成し、最上層をＡｇによって構成した構造が開示
されている。
【０００３】また、特開平５−１７５０１３号公報に
は、最下層をＴｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｚｎ若しくはＡｌ又は
これらのうちの１種を含む合金によって構成し、中間層
をＮｉ、Ｃｕ又はこれらのいずれかを含む合金によって
構成し、最上層をＳｎ又はＳｎ合金によって構成した構
造が開示されている。
は、最下層をＴｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｚｎ若しくはＡｌ又は
これらのうちの１種を含む合金によって構成し、中間層
をＮｉ、Ｃｕ又はこれらのいずれかを含む合金によって
構成し、最上層をＳｎ又はＳｎ合金によって構成した構
造が開示されている。
【０００４】上記いずれの電極構造においても、サーミ
スタ素体に対して電極をオーミック接触させることがで
き、半田耐熱性の向上により所謂半田喰われを抑制して
半田付けの信頼性を向上させることができ、セラミック
電子部品を実装基板に容易かつ確実に実装することがで
きるとされている。
スタ素体に対して電極をオーミック接触させることがで
き、半田耐熱性の向上により所謂半田喰われを抑制して
半田付けの信頼性を向上させることができ、セラミック
電子部品を実装基板に容易かつ確実に実装することがで
きるとされている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
４−１８８８０１号公報に開示されているように電極の
最上層をＡｇによって構成すると、最上層を構成するＡ
ｇがマイグレーションを発生し、セラミック電子部品の
使用中に電極間の短絡や放電を生じる問題があり、これ
を防止するためにＡｇ層の表面にさらに半田コーティン
グ層を形成する等の処理が必要になる。
４−１８８８０１号公報に開示されているように電極の
最上層をＡｇによって構成すると、最上層を構成するＡ
ｇがマイグレーションを発生し、セラミック電子部品の
使用中に電極間の短絡や放電を生じる問題があり、これ
を防止するためにＡｇ層の表面にさらに半田コーティン
グ層を形成する等の処理が必要になる。
【０００６】また、特開平５−１７５０１３号公報に開
示されているように電極の最上層をＳｎによって構成す
ると、最上層を構成するＳｎは電気伝導度が低いため、
電極として良好に機能させるためには最上層を厚く形成
する必要がある。
示されているように電極の最上層をＳｎによって構成す
ると、最上層を構成するＳｎは電気伝導度が低いため、
電極として良好に機能させるためには最上層を厚く形成
する必要がある。
【０００７】この発明の目的は、電極間の短絡や放電の
原因となるマイグレーションを発生することがなく、電
極の薄層化を実現することができるセラミック電子部品
素子およびそれを用いたセラミック電子部品を提供する
ことにある。
原因となるマイグレーションを発生することがなく、電
極の薄層化を実現することができるセラミック電子部品
素子およびそれを用いたセラミック電子部品を提供する
ことにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載した発明
は、セラミック素体の表面に電極が形成されており、該
電極は、最下層がＡｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ若しくはＺｎ
のいずれか又はこれらのうちの２以上を主体とする材料
により構成され、中間層がＮｉ又はＮｉ合金により構成
され、最上層がＣｕ又はＡｕのいずれかを主体とする材
料により構成されたことを特徴とする。
は、セラミック素体の表面に電極が形成されており、該
電極は、最下層がＡｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ若しくはＺｎ
のいずれか又はこれらのうちの２以上を主体とする材料
により構成され、中間層がＮｉ又はＮｉ合金により構成
され、最上層がＣｕ又はＡｕのいずれかを主体とする材
料により構成されたことを特徴とする。
【０００９】請求項１に記載した発明においては、セラ
ミック電子部品素子の電極の最上層が、耐マイグレーシ
ョン性に優れ、かつ、電気導電性に優れたＣｕ又はＡｕ
のいずれかを主体とする材料により構成される。したが
って、動作不良や破損を生じることがなく、層厚の薄い
電極が形成される。
ミック電子部品素子の電極の最上層が、耐マイグレーシ
ョン性に優れ、かつ、電気導電性に優れたＣｕ又はＡｕ
のいずれかを主体とする材料により構成される。したが
って、動作不良や破損を生じることがなく、層厚の薄い
電極が形成される。
【００１０】請求項２に記載した発明は、前記電極は、
前記最下層がＡｌ、Ｎｉ又はＺｎのいずれかを主体とす
る材料により構成され、前記中間層がＮｉ又はＮｉ合金
により構成され、前記最上層がＣｕ又はＡｕを主体とす
る材料により構成されたことを特徴とする。
前記最下層がＡｌ、Ｎｉ又はＺｎのいずれかを主体とす
る材料により構成され、前記中間層がＮｉ又はＮｉ合金
により構成され、前記最上層がＣｕ又はＡｕを主体とす
る材料により構成されたことを特徴とする。
【００１１】請求項２に記載した発明においては、セラ
ミック素体とオーミック接触すべきセラミック電子部品
の電極の最下層が、より薄層化できるＡｌ、Ｎｉ又はＺ
ｎのいずれかを主体とする材料によって構成される。し
たがって、動作不良や破損を生じることがなく、層厚の
より薄い電極が形成される。
ミック素体とオーミック接触すべきセラミック電子部品
の電極の最下層が、より薄層化できるＡｌ、Ｎｉ又はＺ
ｎのいずれかを主体とする材料によって構成される。し
たがって、動作不良や破損を生じることがなく、層厚の
より薄い電極が形成される。
【００１２】請求項３に記載した発明は、前記電極は、
前記最下層がＡｌにより構成され、前記中間層がＮｉ又
はＮｉ合金により構成され、前記最上層がＣｕ又はＡｕ
を主体とする材料により構成されたことを特徴とする。
前記最下層がＡｌにより構成され、前記中間層がＮｉ又
はＮｉ合金により構成され、前記最上層がＣｕ又はＡｕ
を主体とする材料により構成されたことを特徴とする。
【００１３】請求項３に記載した発明においては、前記
電極は、前記最下層が最も薄層化できるＡｌによって構
成される。したがって、層厚の最も薄い電極が形成され
る。
電極は、前記最下層が最も薄層化できるＡｌによって構
成される。したがって、層厚の最も薄い電極が形成され
る。
【００１４】請求項４に記載した発明は、前記電極は、
前記最下層がＡｌにより構成され、前記中間層がＮｉＣ
ｕにより構成され、前記最上層がＣｕにより構成された
ことを特徴とする。
前記最下層がＡｌにより構成され、前記中間層がＮｉＣ
ｕにより構成され、前記最上層がＣｕにより構成された
ことを特徴とする。
【００１５】請求項４に記載した発明においては、セラ
ミック素体とのオーミック接触すべきセラミック電子部
品の電極の最下層が最も薄層化できるＡｌによって構成
され、中間層が半田耐熱性に最も優れたＮｉＣｕによっ
て構成される。したがって、動作不良や破損が確実に防
止できるとともに層厚の最も薄い電極が形成される。請
求項５に記載した発明は、前記最下層の上に第２の最下
層を加えて構成されたことを特徴とする。
ミック素体とのオーミック接触すべきセラミック電子部
品の電極の最下層が最も薄層化できるＡｌによって構成
され、中間層が半田耐熱性に最も優れたＮｉＣｕによっ
て構成される。したがって、動作不良や破損が確実に防
止できるとともに層厚の最も薄い電極が形成される。請
求項５に記載した発明は、前記最下層の上に第２の最下
層を加えて構成されたことを特徴とする。
【００１６】請求項５に記載した発明においては、電極
が４層構造に構成される。したがって、最下層である第
１層の素材としてＺｎ、Ｎｉ又はＡｌ以外の例えばＣｒ
を用いた場合にも、リード線加工後の抵抗値が上昇する
ことがなく、電極が薄層化される。
が４層構造に構成される。したがって、最下層である第
１層の素材としてＺｎ、Ｎｉ又はＡｌ以外の例えばＣｒ
を用いた場合にも、リード線加工後の抵抗値が上昇する
ことがなく、電極が薄層化される。
【００１７】請求項６に記載した発明は、請求項１〜５
のいずれかに記載のセラミック電子部品素子の電極にリ
ード端子が電気的に接続され、該セラミック電子部品素
子とその近傍にある前記リード端子が絶縁被覆されてい
ることを特徴とする。
のいずれかに記載のセラミック電子部品素子の電極にリ
ード端子が電気的に接続され、該セラミック電子部品素
子とその近傍にある前記リード端子が絶縁被覆されてい
ることを特徴とする。
【００１８】請求項６に記載した発明においては、セラ
ミック電子部品の電極の最上層が、耐マイグレーション
性に優れ、かつ、電気導電性に優れたＣｕ又はＡｕのい
ずれかを主体とする材料により構成される。したがっ
て、動作不良や破損を生じることがなく、層厚の薄い電
極のセラミック電子部品が形成される。
ミック電子部品の電極の最上層が、耐マイグレーション
性に優れ、かつ、電気導電性に優れたＣｕ又はＡｕのい
ずれかを主体とする材料により構成される。したがっ
て、動作不良や破損を生じることがなく、層厚の薄い電
極のセラミック電子部品が形成される。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下に、この発明の電極構造をセ
ラミック電子部品として正特性サーミスタに適用した場
合について、実施例と比較例との比較に基づいて説明す
る。以下に示す実施例及び比較例は、いずれも、ＢａＴ
ｉＯ3 を主体として正特性サーミスタを構成するサーミ
スタ素体の原料を乾式成形した後に１３００〜１４００
°Ｃで焼成し、直径１０．０ｍｍ、厚み０．５ｍｍの正
特性サーミスタのサーミスタ素体１の焼結体を得た。こ
のサーミスタ素体１の両表面にサーミスタ素体１の周縁
が露出するような同心円状の電極２を形成し、さらに、
電極２にリード線３を半田４を介して接続することによ
り実施例及び比較例としての正特性サーミスタを図１に
示す形状に作成した。
ラミック電子部品として正特性サーミスタに適用した場
合について、実施例と比較例との比較に基づいて説明す
る。以下に示す実施例及び比較例は、いずれも、ＢａＴ
ｉＯ3 を主体として正特性サーミスタを構成するサーミ
スタ素体の原料を乾式成形した後に１３００〜１４００
°Ｃで焼成し、直径１０．０ｍｍ、厚み０．５ｍｍの正
特性サーミスタのサーミスタ素体１の焼結体を得た。こ
のサーミスタ素体１の両表面にサーミスタ素体１の周縁
が露出するような同心円状の電極２を形成し、さらに、
電極２にリード線３を半田４を介して接続することによ
り実施例及び比較例としての正特性サーミスタを図１に
示す形状に作成した。
【００２０】これらの実施例及び比較例のそれぞれにお
ける電極の構成、電極形成後の抵抗値及びリード線加工
後の抵抗値の測定結果、並びに、リード線加工後の高温
環境下におけるマイグレーションの発生状況を図２に示
す。なお、マイグレーションの発生状況は、８５°Ｃの
環境下で各正特性サーミスタのリード線間に１６Ｖの直
流電圧を１０００時間印加した際の観察結果である。
ける電極の構成、電極形成後の抵抗値及びリード線加工
後の抵抗値の測定結果、並びに、リード線加工後の高温
環境下におけるマイグレーションの発生状況を図２に示
す。なお、マイグレーションの発生状況は、８５°Ｃの
環境下で各正特性サーミスタのリード線間に１６Ｖの直
流電圧を１０００時間印加した際の観察結果である。
【００２１】電極２としてＡｌを素材とする層厚０．５
μｍの最下層である第１層、ＮｉＣｕを素材とする層厚
０．９μｍの中間層である第２層、及び、Ａｇを素材と
する層厚０．５μｍの最上層である第３層をこの順に形
成した比較例１の正特性サーミスタでは、サーミスタ素
体１の表面にＡｇのマイグレーションが発生した。ま
た、電極２としてＡｌを素材とする層厚０．５μｍの最
下層である第１層、ＮｉＣｕを素材とする層厚０．９μ
ｍの中間層である第２層、及び、Ｓｎを素材とする層厚
０．５μｍの最上層である第３層をこの順に形成した比
較例２の正特性サーミスタでは、電極形成後に抵抗値の
上昇を生じた。最上層としてＳｎを用いた場合に電極形
成後の抵抗値の上昇を抑えるためには、比較例３に示す
ように５．０μｍ以上の層厚が必要となり、電極２の薄
層化が困難になる。
μｍの最下層である第１層、ＮｉＣｕを素材とする層厚
０．９μｍの中間層である第２層、及び、Ａｇを素材と
する層厚０．５μｍの最上層である第３層をこの順に形
成した比較例１の正特性サーミスタでは、サーミスタ素
体１の表面にＡｇのマイグレーションが発生した。ま
た、電極２としてＡｌを素材とする層厚０．５μｍの最
下層である第１層、ＮｉＣｕを素材とする層厚０．９μ
ｍの中間層である第２層、及び、Ｓｎを素材とする層厚
０．５μｍの最上層である第３層をこの順に形成した比
較例２の正特性サーミスタでは、電極形成後に抵抗値の
上昇を生じた。最上層としてＳｎを用いた場合に電極形
成後の抵抗値の上昇を抑えるためには、比較例３に示す
ように５．０μｍ以上の層厚が必要となり、電極２の薄
層化が困難になる。
【００２２】これに対して、最上層である第３層として
Ｃｕを素材とした実施例１〜９では、電極形成後及びリ
ード線加工後における抵抗値の上昇を生じることがな
く、また、マイグレーションも発生しなかった。但し、
それぞれＣｒ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｎｉ又はＮｉＣｒを素材と
して層厚０．５μｍの最下層である第１層を形成した実
施例１２〜１６ではリード線加工後における抵抗値の上
昇を生じた。このため、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｎｉ又はＮ
ｉＣｒを素材として最下層を形成した場合に、リード線
加工後における抵抗値の上昇を防止するためには、実施
例２〜６に示すように最下層の層厚を大きくする必要が
ある。最下層の素材としてはＺｎ、Ｎｉ又はＡｌが適当
であり、特に、実施例１及び７〜１０に示すＡｌが最適
である。
Ｃｕを素材とした実施例１〜９では、電極形成後及びリ
ード線加工後における抵抗値の上昇を生じることがな
く、また、マイグレーションも発生しなかった。但し、
それぞれＣｒ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｎｉ又はＮｉＣｒを素材と
して層厚０．５μｍの最下層である第１層を形成した実
施例１２〜１６ではリード線加工後における抵抗値の上
昇を生じた。このため、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｎｉ又はＮ
ｉＣｒを素材として最下層を形成した場合に、リード線
加工後における抵抗値の上昇を防止するためには、実施
例２〜６に示すように最下層の層厚を大きくする必要が
ある。最下層の素材としてはＺｎ、Ｎｉ又はＡｌが適当
であり、特に、実施例１及び７〜１０に示すＡｌが最適
である。
【００２３】また、実施例１の第２層のＮｉＣｕに代え
てＮｉＣｒ、ＮｉＶ又はＮｉを用いた実施例７〜９にお
いても、実施例１と同様にリード線加工後の抵抗値の上
昇を防止することができる。しかしながら、実施例１
は、半田付け性において実施例７よりも優れ、低コスト
の点において実施例８及び９よりも優れている。
てＮｉＣｒ、ＮｉＶ又はＮｉを用いた実施例７〜９にお
いても、実施例１と同様にリード線加工後の抵抗値の上
昇を防止することができる。しかしながら、実施例１
は、半田付け性において実施例７よりも優れ、低コスト
の点において実施例８及び９よりも優れている。
【００２４】さらに、実施例１の第３層のＣｕに代えて
Ａｕを用いた実施例１０においても、実施例１と同様に
リード線加工後の抵抗値の上昇を防止することができ
る。しかしながら、実施例１は、電極の薄層化及び低コ
ストの点で実施例１０よりも優れている。
Ａｕを用いた実施例１０においても、実施例１と同様に
リード線加工後の抵抗値の上昇を防止することができ
る。しかしながら、実施例１は、電極の薄層化及び低コ
ストの点で実施例１０よりも優れている。
【００２５】なお、最下層である第１層の素材としてＺ
ｎ、Ｎｉ又はＡｌ以外の例えばＣｒを用いた場合、実施
例１１に示すように、電極２を４層構造とすることによ
り、リード線加工後の抵抗値の上昇を防止しつつ、電極
２の薄層化を実現することができる。
ｎ、Ｎｉ又はＡｌ以外の例えばＣｒを用いた場合、実施
例１１に示すように、電極２を４層構造とすることによ
り、リード線加工後の抵抗値の上昇を防止しつつ、電極
２の薄層化を実現することができる。
【００２６】また、上述した電極２の各層は、スパッ
タ、印刷、溶射又は蒸着等の公知の方法を用いることが
できる。
タ、印刷、溶射又は蒸着等の公知の方法を用いることが
できる。
【００２７】さらに、上述した電極２の形状は、サーミ
スタ素体１の表面の全面を覆うように形成してもよい。
スタ素体１の表面の全面を覆うように形成してもよい。
【００２８】加えて、この発明の電極の構成は、正特性
サーミスタのみならず、セラミック素体の表面に電極を
形成して構成される他のセラミック電子部品についても
同様に実施することができる。
サーミスタのみならず、セラミック素体の表面に電極を
形成して構成される他のセラミック電子部品についても
同様に実施することができる。
【００２９】
【発明の効果】請求項１に記載した発明によれば、セラ
ミック電子部品の電極の最上層を、耐マイグレーション
性に優れ、かつ、電気導電性に優れたＣｕ又はＡｕのい
ずれかを主体とする材料により構成することにより、動
作不良や破損を防止しつつ、電極の薄層化を実現するこ
とができる。
ミック電子部品の電極の最上層を、耐マイグレーション
性に優れ、かつ、電気導電性に優れたＣｕ又はＡｕのい
ずれかを主体とする材料により構成することにより、動
作不良や破損を防止しつつ、電極の薄層化を実現するこ
とができる。
【００３０】請求項２に記載した発明によれば、セラミ
ック素体とオーミック接触すべきセラミック電子部品の
電極の最下層を、より薄層化できるＡｌ、Ｎｉ若しくは
Ｚｎのいずれか又はこれらのうちの２以上を主体とする
材料によって構成することにより、動作不良や破損を防
止しつつ、電極の層厚をより薄層化することができる。
ック素体とオーミック接触すべきセラミック電子部品の
電極の最下層を、より薄層化できるＡｌ、Ｎｉ若しくは
Ｚｎのいずれか又はこれらのうちの２以上を主体とする
材料によって構成することにより、動作不良や破損を防
止しつつ、電極の層厚をより薄層化することができる。
【００３１】請求項３に記載した発明によれば、最下層
を最も薄層化できるＡｌによって構成することにより、
層厚の最も薄い電極を形成することができる。
を最も薄層化できるＡｌによって構成することにより、
層厚の最も薄い電極を形成することができる。
【００３２】請求項４に記載した発明によれば、セラミ
ック素体とのオーミック接触すべきセラミック電子部品
の電極の最下層を最も薄層化できるＡｌによって構成
し、中間層を半田耐熱性に最も優れたＮｉＣｕによって
構成することにより、動作不良や破損が確実に防止でき
るとともに層厚の最も薄い電極を形成することができ
る。
ック素体とのオーミック接触すべきセラミック電子部品
の電極の最下層を最も薄層化できるＡｌによって構成
し、中間層を半田耐熱性に最も優れたＮｉＣｕによって
構成することにより、動作不良や破損が確実に防止でき
るとともに層厚の最も薄い電極を形成することができ
る。
【００３３】請求項５に記載した発明によれば、電極を
４層構造に構成することにより、最下層の素材としてＺ
ｎ、Ｎｉ又はＡｌ以外の例えばＣｒを用いた場合にも、
リード線加工後の抵抗値の上昇を防止しつつ、電極２の
薄層化を実現することができる。
４層構造に構成することにより、最下層の素材としてＺ
ｎ、Ｎｉ又はＡｌ以外の例えばＣｒを用いた場合にも、
リード線加工後の抵抗値の上昇を防止しつつ、電極２の
薄層化を実現することができる。
【００３４】請求項６に記載した発明によれば、セラミ
ック電子部品の電極の最上層を、耐マイグレーション性
に優れ、かつ、電気導電性に優れたＣｕ又はＡｕのいず
れかを主体とする材料により構成することにより、動作
不良や破損を生じることがなく、層厚の薄い電極のセラ
ミック電子部品を形成することができる。
ック電子部品の電極の最上層を、耐マイグレーション性
に優れ、かつ、電気導電性に優れたＣｕ又はＡｕのいず
れかを主体とする材料により構成することにより、動作
不良や破損を生じることがなく、層厚の薄い電極のセラ
ミック電子部品を形成することができる。
【図１】この発明の実施形態に係る正特性サーミスタの
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図２】同正特性サーミスタの実施例の構成と電極形成
後の抵抗値、リード線加工後の抵抗値、及び、マイグレ
ーションの発生状況との関係を比較例とともに示す図で
ある。
後の抵抗値、リード線加工後の抵抗値、及び、マイグレ
ーションの発生状況との関係を比較例とともに示す図で
ある。
１−サーミスタ素体 ２−電極 ３−リード線 ４−半田
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 並河 康訓 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 阿部 吉晶 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 岡本 哲和 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内
Claims (6)
- 【請求項１】セラミック素体の表面に電極が形成されて
おり、該電極は、最下層がＡｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ若し
くはＺｎのいずれか又はこれらのうちの２以上を主体と
する材料により構成され、中間層がＮｉ又はＮｉ合金に
より構成され、最上層がＣｕ又はＡｕのいずれかを主体
とする材料により構成されたことを特徴とするセラミッ
ク電子部品素子。 - 【請求項２】前記電極は、前記最下層がＡｌ、Ｎｉ若し
くはＺｎのいずれかを主体とする材料により構成され、
前記中間層がＮｉ又はＮｉ合金により構成され、前記最
上層がＣｕ又はＡｕを主体とする材料により構成された
請求項１に記載のセラミック電子部品素子。 - 【請求項３】前記電極は、前記最下層がＡｌにより構成
され、前記中間層がＮｉ又はＮｉ合金により構成され、
前記最上層がＣｕ又はＡｕを主体とする材料により構成
された請求項１に記載のセラミック電子部品素子。 - 【請求項４】前記電極は、前記最下層がＡｌにより構成
され、前記中間層がＮｉＣｕにより構成され、前記最上
層がＣｕにより構成された請求項１に記載のセラミック
電子部品素子。 - 【請求項５】前記最下層の上に第２の最下層を加えて構
成された請求項１に記載のセラミック電子部品素子。 - 【請求項６】請求項１〜５のいずれかに記載のセラミッ
ク電子部品素子の電極にリード端子が電気的に接続さ
れ、該セラミック電子部品素子とその近傍にある前記リ
ード端子が絶縁被覆されていることを特徴とするセラミ
ック電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15275898A JPH11345704A (ja) | 1998-06-02 | 1998-06-02 | セラミック電子部品素子及びそれを用いたセラミック電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15275898A JPH11345704A (ja) | 1998-06-02 | 1998-06-02 | セラミック電子部品素子及びそれを用いたセラミック電子部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11345704A true JPH11345704A (ja) | 1999-12-14 |
Family
ID=15547521
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15275898A Pending JPH11345704A (ja) | 1998-06-02 | 1998-06-02 | セラミック電子部品素子及びそれを用いたセラミック電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11345704A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7105691B2 (en) | 2003-06-26 | 2006-09-12 | Colgate-Palmolive Company | Aluminum / zirconium / glycine antiperspirant actives stabilized with Betaine |
| JP2010501988A (ja) * | 2006-09-01 | 2010-01-21 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 発熱体 |
-
1998
- 1998-06-02 JP JP15275898A patent/JPH11345704A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7105691B2 (en) | 2003-06-26 | 2006-09-12 | Colgate-Palmolive Company | Aluminum / zirconium / glycine antiperspirant actives stabilized with Betaine |
| JP2010501988A (ja) * | 2006-09-01 | 2010-01-21 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 発熱体 |
| US8373100B2 (en) | 2006-09-01 | 2013-02-12 | Epcos Ag | Heating element |
| KR101465809B1 (ko) * | 2006-09-01 | 2014-11-26 | 에프코스 아게 | 발열체 |
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