JPH11345714A - ノイズ低減素子およびそれを用いた半導体回路素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 放熱性及び耐振性の優れたノイズ低減素子を
提供する。 【解決手段】 磁性材料からなる筒状磁心と該磁心を収
納する絶縁ケースを有するノイズ低減素子において、該
ノイズ低減素子には半導体回路のライン又は各種素子の
リードを挿通するための空心部が設けられており、ケー
スの空心部入口が前記ライン又はリードと同じ形状であ
ること、又は絶縁ケースに液晶ポリマーを用いる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ノイズ低減素子に
関するもので、特にスイッチング電源の整流回路におけ
るダイオードのリードに直接挿通するノイズ低減素子等
に用いるもので、詳しくは、ケース形状を改良すること
や液晶ポリマー製絶縁ケースを用いることにより、装着
性、耐振動性等を向上させたノイズ低減素子およびそれ
を用いた半導体回路素子に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】スイッチング電源などの電子回路におけ
るノイズ発生源として、ダイオードやトランジスタ等の
半導体素子が挙げられるが、これらの半導体素子に対す
るノイズ対策方法として磁気ノイズ低減素子（以下、ノ
イズ低減素子と称す）を用いる方法がある。ノイズ低減
素子は非晶質合金などの各種磁性材料からなる筒状体
（磁心）およびこの筒状体の例えば周囲に配した絶縁部
材により形成したもので、半導体素子のリードを挿通し
て使用される。

【０００３】この方法は通常のノイズフィルタなどによ
りノイズを低減する方法に比べ組み上がってしまった電
源ユニットに対してもノイズ対策ができるため近年良く
用いられている。また、磁性材料として、従来のフェラ
イトから非晶質合金などの損失の小さい磁性材料に変え
ているためノイズ低減素子の発熱の問題や割損といった
問題をも改良されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、このノイズ低
減素子は半導体素子のリードを挿通し易いように、リー
ドが挿通する内孔部がリードの断面形状より大きい直径
で形成されている。このため、ノイズ低減素子に半導体
素子のリードを挿通すると、ノイズ低減素子が自由に動
いてしまう。ノイズ低減素子にリードを挿通した状態で
半導体素子を回路基板に取付ける際には、ノイズ低減素
子をリードから落ちないように手で抑えておく必要があ
り、取付け作業が面倒であった。また、この取付け作業
中に手での押さえが緩んでノイズ低減素子が抜け落ちる
こともあった。

【０００５】さらに、半導体素子を回路基板に取付けた
ときに、ノイズ低減素子が外部の振動でリードを挿通し
た状態で自由に動いて破損したり、他の回路基板おける
他の導電部に接触してショートを起こす原因となってい
る。

【０００６】このため、ノイズ低減素子を使用する場合
に、例えば特開平１−７１１６４号のようにノイズ低減
素子を樹脂モールドや接着剤により固定することが検討
されているが、この場合には作業性が悪いことやノイズ
低減素子を一度取付けたら外すことが困難であるという
問題があった。

【０００７】また、特開平５−２３４７６０号のように
ノイズ低減素子の空心部中に押さえ部材を用いリードと
固定することも検討されている。この場合、ノイズ低減
素子の固定については良好な結果が得られるものの、自
動車等の振動が大きいものに搭載される半導体素子に用
いた場合に固定強度が十分でなかったり、元々小型であ
るノイズ低減素子の空心部中に入るような小型の押さえ
部材を製造することは製造工程を繁雑にするといった問
題があった。

【０００８】そこで、本発明は上記問題に鑑み、半導体
素子のリード等への固定を容易かつ十分な固定強度を持
ち、振動に強い構造を持ち、放熱性が優れたノイズ低減
素子及びそれを用いた半導体回路素子を提供するもので
ある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は以上の目的を達
成するため請求項１の発明に係るノイズ低減素子は、磁
性材料からなる筒状磁心と該磁心を収納する絶縁ケース
を有するノイズ低減素子において、該ノイズ低減素子を
構成する絶縁ケースには半導体回路のライン又は各種素
子のリードを挿通するための空心部が設けられており、
該ケースの空心部入口が前記ライン又はリードと同じ形
状であることを特徴とすることとし、請求項２として、
磁性材料からなる筒状磁心と該磁心を収納する絶縁ケー
スを有するノイズ低減素子において、該ノイズ低減素子
を構成する絶縁ケースには半導体回路のライン又は各種
素子のリードを挿通するための空心部が設けられてお
り、なお且つ該ケースが液晶ポリマーからなることを特
徴とするノイズ低減素子とし、請求項３として、磁性材
料が非晶質合金であることを特徴とする請求項１又は請
求項２記載のノイズ低減素子とし、請求項４として、磁
性材料が微細結晶を有する磁性合金であることを特徴と
する請求項１又は請求項２記載のノイズ低減素子とし、
請求項５として、磁心の平均外径をＤ、磁心の高さをＨ
で表したとき、Ｈ／Ｄ≧１となることを特徴とする請求
項１ないし請求項４のいずれかに記載のノイズ低減素子
とし、請求項６として、絶縁ケースにマーカーを設けた
ことを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに
記載のノイズ低減素子とし、請求項７として、空心部入
口が４角形であることを特徴とする請求項１ないし請求
項６のいずれかに記載のノイズ低減素子とし、請求項８
として、絶縁ケースが直方体であることを特徴とする請
求項１ないし請求項７のいずれかに記載のノイズ低減素
子とし、請求項９として、非晶質合金からなる筒状磁心
と該磁心を収納するための絶縁ケースからなるノイズ低
減素子において、該ノイズ低減素子を構成する絶縁ケー
スには半導体回路のライン又は各種素子のリードを挿通
するための空心部が設けられており、該ケースの空心部
入口が角型であると共に、磁心の方向性を示すためのマ
ーカーが設けられたことを特徴とするノイズ低減素子と
し、請求項１０として、請求項１ないし請求項９のいず
れかに記載のノイズ低減素子を用いたことを特徴とする
半導体回路素子としている。

【００１０】本発明においては、ノイズ低減素子を構成
する絶縁ケースの空心部入口を半導体回路のライン又は
各種素子のリード形状に合わせること、具体的には角形
形状とすること、特に４角形状にすること、絶縁ケース
の材質として液晶ポリマーを用いること、及び磁性材料
として非晶質合金又は微細結晶を有する磁性合金を用い
ることにより、耐振性に強く磁気特性や放熱性の優れた
ノイズ低減素子を得ることが可能となる。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明を実施するための形態につ
いて説明する。本発明では、磁性材料からなる筒状磁心
と、その磁心を収納する絶縁ケースを用いている。

【００１２】磁性材料からなる筒状磁心に用いる磁性材
料としては、磁性材料であれば特に問題はないが、非晶
質合金又は微細結晶を有する磁性合金であることが好ま
しい。

【００１３】まず、非晶質合金としては、Ｃｏ系、Ｆｅ
系、Ｎｉ−Ｆｅ系と特に限定するものではないが、Ｃｏ
系又はＦｅ系としては次の一般式１を満たすものが好ま
しい。

【００１４】一般式１：（Ｍ_1-a Ｍ’_a ）_100-b Ｘ_b 式中、ＭはＦｅ、Ｃｏから選ばれる少なくとも１種の元
素を、Ｍ’はＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚ
ｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗから選ばれる少なくとも１種
の元素を、ＸはＢ、Ｓｉ、Ｃ、Ｐから選ばれる少なくと
も１種の元素を示し、０≦ａ≦０．５、１０≦ｂ≦３５
（各数字はａｔ％）となる。ここでＭ元素はＣｏ又は
／及びＦｅとなり磁束密度や鉄損等の磁気特性に応じて
組成比率を調整していく、Ｍ’元素は熱安定性、耐食
性、結晶化温度の制御のために必要な元素であり、好ま
しくはＣｒ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏを用いるのがよ
く、Ｘ元素は非晶質合金を得るのに必要な元素であり、
特にＢは非晶質化するのに有効な元素であり、Ｓｉは非
晶質形成を助成すること及び結晶化温度の上昇に有効な
元素である。

【００１５】次に、Ｎｉ−Ｆｅ系非晶質合金については
次の一般式２を満たすものが好ましい。 一般式２：（Ｎｉ_1-a Ｆｅ_a ）_100-x-y-z Ｍ_x Ｓｉ_y Ｂ_z 式中、ＭはＶ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、
Ｗ、Ｚｒから選ばれる少なくとも１種の元素を示し、
０．２≦ａ≦０．５、０．０５≦ｘ≦１０、４≦ｙ≦１
８、５≦ｚ≦２０、１５≦ｙ＋ｚ≦３０ （各数字はａ
ｔ％）となる。

【００１６】このＮｉ−Ｆｅ系非晶質合金はＮｉリッチ
なＮｉ−Ｆｅ系をベースとする非晶質合金である。ここ
でＭ元素は、熱安定性、耐食性、結晶化温度の制御のた
めに必要な元素であり、特に好ましくはＣｒ、Ｍｎ、Ｃ
ｏ、Ｎｂである。

【００１７】非晶質合金の製造方法としては、液体急冷
法が好ましく、具体的には、所定の組成比に調整した合
金素材を溶融状態から１０5 ℃／秒以上の冷却速度で急
冷することによって得られる。このような液体急冷法に
より製造された非晶質合金は、薄帯という形状で得られ
る。これら非晶質合金薄帯の厚みは３０μｍ以下が好ま
しく、さらに好ましくは８〜２０μｍであり、薄帯の厚
さを制御することにより低損失の磁心を得ることが可能
となる。

【００１８】微細結晶を有する磁性合金については、次
の一般式３を満たすものが好ましい。 一般式３：Ｆｅ_a Ｃｕ_b Ｍ_c Ｓｉ_d Ｂ_e 式中、Ｍは周期律表４ａ、５ａ、６ａ族元素又はＭｎ、
Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｌから選ばれる少なくとも１種の元素を
示し、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００ａｔ％、０．０１≦
ｂ≦４、０．０１≦ｃ≦１０、１０≦ｄ≦２５、３≦ｅ
≦１２、１７≦ｄ＋ｅ≦３０となる。

【００１９】ここでＣｕは耐食性を高め、結晶粒の粗大
化を防ぐと共に、鉄損や透磁率等の軟磁気特性を改善す
るのに有効な元素であり、Ｍ元素は結晶径の均一化に有
効であると共に、磁歪及び磁気異方性の低減、温度変化
に対する磁気特性の改善に有効な元素である。微細結晶
としては、５０〜３００オングストロームの結晶粒を合
金中に面積比で５０％以上、好ましくは９０％以上存在
することがよい。

【００２０】微細結晶を有する磁性合金の製造方法とし
ては、液体急冷法により一般式３の合金組成を有する非
晶質合金薄帯を得た後、前記非晶質合金の結晶化温度に
対し−５０〜＋１２０℃、１分〜５時間の熱処理を行
い、微細結晶を析出させる方法、又は液体急冷法の急冷
温度を制御して微細結晶を直接析出させる方法等により
得ることが可能となる。このような方法で微細結晶を有
する磁性材料の薄帯を得ることができる。薄帯の板厚に
ついては、非晶質合金薄帯と同様に、３０μｍ以下が好
ましく、さらに好ましくは８〜２０μｍである。

【００２１】以上のような磁性材料からなる薄帯を巻回
または積層することにより筒状磁心を得る。これらの磁
心は磁性合金薄帯の絶縁性を得るために、磁性合金薄帯
及び／又は磁心自体に絶縁処理を施す。絶縁処理につい
ては、薄帯の層間絶縁を得るためにマグネシア、アルミ
ナ、シリカ、ジルコニアといった金属酸化物の被膜を薄
帯表面に設けることが好ましく、磁心形成後は絶縁性ケ
ースに収納することとなる。

【００２２】本発明では、絶縁ケースに空心部を設け、
空心部入口の形状を半導体回路のラインや各種素子のリ
ードと同じ形状にしている。絶縁ケースに収納する磁心
は円筒状であるためもともと空心部は存在している、こ
の空心部に半導体回路のライン又は各種素子、例えばダ
イオードやトランジスタのリードを挿通することにな
る。前述したように従来の樹脂モールドや接着剤による
固定では作業性が悪いことやノイズ低減素子を一度取付
けたら外すことが困難であるといった問題があるため、
絶縁ケースを用いることが好ましい。

【００２３】そこで本発明は、ケースの空心部入口を半
導体回路のライン又は各種素子のリード形状と同じ形
状、具体的には角形、特に４角形とすることにより、ノ
イズ低減素子の装着後の樹脂モールドや接着剤の使用を
不要にし、十分な固定強度を得ることを可能にした（図
１）。

【００２４】最近の半導体回路や各種素子、特に１Ａ以
上のパワー系素子のラインやリードの形状は角形、特に
４角形状になってきており絶縁ケースの空心部入口形状
をこれらの形状に合わせることにより十分な固定強度を
得ることができ、接着剤や樹脂モールドといった繁雑な
作業が不必要になる。

【００２５】絶縁ケースの空心部入口の形状は、半導体
回路のラインや各種素子のリード形状に合わせておけば
とくに問題はないが、好ましくは、該ラインやリードの
形状より±５％以内となる。空心部入口を小さくしてお
けばより固定強度が強くなるが、該リードより５％以上
小さいと空心部の形状が小さくなりすぎ装着性が悪くな
ることや磁心に応力が掛かり磁気特性に悪影響が及ぼさ
れたり破損の原因となり、逆に５％より大きいと空心部
入口が大きくなりすぎ十分な固定強度が得られなくな
る。

【００２６】また、装着性の観点からみると、空心部入
口を該リードと同じ大きさにし、空心部の内面を円形状
に凸部を設けることにより、装着を容易にし、さらに十
分な固定強度を得ることが可能となる（図２）。

【００２７】絶縁ケースの外径形状は円筒、角形と特に
限定されるものではないが、放熱性を考慮した場合、角
形、特に放熱板と接触する面が平面であることが好まし
い。本発明のノイズ低減素子は、非晶質合金や微細結晶
を有する磁性合金といった低損失の磁性材料を使用する
ことにより、素子自体の磁気特性を向上させるのみでは
なく発熱量を低減させることが可能である。さらに、絶
縁ケースの半導体回路における放熱板と接する面を平面
とすることにより放熱性を向上させることが可能であ
る。ノイズ低減素子の発熱については、発熱量が大きい
と半導体素子そのものに悪影響を与え、その半導体素子
を破壊してしまい、その結果半導体回路全体を機能しな
いものにしてしまうためノイズ低減素子の発熱量は少な
くし、放熱性を良くしていくことが望まれている。

【００２８】放熱板と接する面を平面にする形状とする
場合、ケース形状を直方体とするとより好ましくなる。
通常、各種素子、例えばダイオードやトランジスタ等は
リードが複数本備わっているものであり、本発明のノイ
ズ低減素子は一般的にリード１本につき１個装備するも
のである。ここで、各種素子のリード断面形状は正方
形、長方形といった４角形状が多くなっていることか
ら、絶縁ケースの形状を直方体とすることにより、どの
面が放熱基板側になっても問題のないように直方体とす
ることが好ましい。また、直方体とすることにより、機
械作業時にノイズ低減素子を吸着による搬送、取付が行
い易くなるといった製造性の向上も見られる。

【００２９】装着性を向上させるために、絶縁ケースの
蓋形状において、空心部を蓋部よりも長くなった形状を
とることが好ましい。本発明のノイズ低減素子の絶縁ケ
ースは、本体部と蓋部に分かれており、蓋部と本体部は
熱溶着等の方法により固定している。そのため、蓋部の
空心部を蓋と同じ長さのままにしておくと蓋部の空心部
におけるリードとの固定強度がやや弱くなるため、蓋部
の空心部を蓋の厚みより長い形状（ラッパ型）にするこ
とにより固定強度を強くすることが可能となる。例え
ば、図３にあるように蓋部の空心部入口部の厚みをＷ
１、蓋部のケース本体部に装着する空心部の厚みをＷ２
とした場合、Ｗ２＞Ｗ１となることが好ましい。

【００３０】また、本発明のノイズ低減素子には、方向
性を示すためのマーカーを設けてもよい（図４）。リー
ド等の断面形状が長方形の場合、ノイズ低減素子空心部
入口の形状も長方形となる。この場合、リード形状に合
わせるようにノイズ低減素子を装着するためには、縦横
の向きをお互いに合わせる必要があるが、通常のノイズ
低減素子は表から見ても空心部入口の形状を確認するこ
とは難しい。そこで、方向性を示すためのマーカー、例
えば、特定の側面（通常は上面）の向かって右上に目印
を付けることにより、ノイズ低減素子の向きが分かり、
空心部入口の向きを判断することが可能となる。そのた
め、マーカーを設ける場所や大きさ、マーカーの数は特
に限定されるものではなく、方向性が分かるようになっ
ていれば特に問題はない。

【００３１】絶縁ケースの材質としては、絶縁性を有す
るものであれば特に限定されるものではないが、ポリブ
チレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリエチレンテレフ
タレート（ＰＥＴ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）等の絶縁
性有機樹脂が適しており、特に好ましくは液晶ポリマー
である。ノイズ低減素子を半導体素子のリード等に挿通
させた後、リードの先端を回路基板に半田付けすること
になる。この半田付けの際、温度は２００〜２６０℃に
もなるため半田付け部付近にあるノイズ低減素子もかな
り高温にさらされることになり、ケース材質についても
耐熱性はかなり重要になってくる。この耐熱性を考慮す
ると液晶ポリマーが最適であり、コストや成形性の点で
も優れている。また、半導体素子のリード等の形状に合
わせた空心部を作るためには、ある程度の成形性も要求
されその点でも液晶ポリマーは良好な結果を得ている。

【００３２】ノイズ低減素子の平均外径をＤ、高さをＨ
で示したとき、Ｈ／Ｄ≧１、好ましくは３≧Ｈ／Ｄ≧
１．２となる。同じ体積を持つノイズ低減素子が存在し
た場合、高さが平均外径より低いもの、Ｈ／Ｄ＜１とな
るものよりはＨ／Ｄ≧１と高さ方向が長いものの方がノ
イズ低減効果が高くなる。一方、あまり高さが高く、細
長いものＨ／Ｄ＞３ものはリードへ取付難く、半導体基
板への実装段階で取扱難いといった問題が生じるため、
Ｈ／Ｄ≧１、特に３≧Ｈ／Ｄ≧１．２が好ましい。

【００３３】

【実施例】（実施例１）軟磁性磁心として、Ｃｏ系非晶
質合金を円筒状（トロイダル状）に、外径３ｍｍ、内径
２ｍｍ、高さ３ｍｍの円筒状磁心を作製し、熱処理を施
した。

【００３４】絶縁ケースとして、液晶ポリマー製の、高
さ５ｍｍ、縦４ｍｍ、横４ｍｍの直方体からなるケース
を用意し、前記磁心を収納した。このとき、内径の空心
部入口は縦０．６ｍｍ、横１．０ｍｍの４角形状とし
た。

【００３５】半導体素子として、ダイオード（東芝製２
０ＤＬ２ＣＺ５１Ａ）のアノード側リードに本発明のノ
イズ低減素子を装着した（接着剤は使用しない）。この
ときのノイズ低減素子の発熱温度を測定した。測定に
は、ＡＣ１００Ｖ入力、５Ｖ−１０Ａ出力のフォワード
方式電源を使用した。

【００３６】（比較例１）比較のために、実施例１で使
用したＣｏ系非晶質磁心をエポキシ樹脂でモールドした
ものの発熱温度を測定した。

【００３７】（比較例２）実施例１で使用したノイズ低
減素子と同じ材質を用い、空心部の形状を円形とし、さ
らに外径も円形状にしたものの発熱温度を測定した。

【００３８】

【表１】

【００３９】表１から本発明のノイズ低減素子の方が発
熱温度が低く、放熱性が良いことが分かる。 （実施例２）振動実験として、実施例１のＣｏ系非晶質
合金を用いた本発明のノイズ低減素子（実施例２）、比
較例２のノイズ低減素子（比較例３）をガラスエポキシ
基板に半田付け実装した。

【００４０】さらに、比較例１のリードを持たないノイ
ズ低減素子は３端子の整流ダイオードに貫通させて実装
した（比較例４）。このように実装したノイズ低減素子
を、振動条件として、ＸＹＺ方向に各２時間、１分間に
１０←→５５Ｈｚを１往復、振幅１．５ｍｍｐ−ｐとし
た。

【００４１】この振動実験の前後における外観上の摩耗
度と５０ｋＨｚ時のインダクタンスの変化率を比較し
た。なお、インダクタンスの変化率は、［（実験後のイ
ンダクタンス値−実験前のインダクタンス値）／（実験
前のインダクタンス値）］×１００（％）で表した。

【００４２】

【表２】

【００４３】表２から分かる通り、本発明のノイズ低減
素子は摩耗度が低くインンダクタンス値の変化率が少な
いことが分かる。これは比較例３や比較例４のノイズ低
減素子は、素子内のコアがダイオードリード内で動くた
め、樹脂の摩耗や磁気特性への悪影響を及ぼすためであ
る。それに対し、本発明のノイズ低減素子は、ケース内
でコアが十分に固定されているため良好な結果を示すこ
とが分かる。

【００４４】

【発明の効果】以上説明したように本発明のノイズ低減
素子は、ケースの空心部入口の形状を半導体回路のライ
ンや各種素子のリードと同じ形状等のような絶縁ケース
形状、及び／又は、液晶ポリマーからなる絶縁ケースと
いうようにケースの形状や材質を特定することにより、
放熱性や耐振性に優れ、磁性材料として非晶質合金や微
細結晶をもつ磁性合金を用いることにより磁気特性をも
良好な結果を得ることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のノイズ低減素子の断面図である。

【図２】本発明のケース空心部の一例を示す図である。

【図３】本発明のケースの蓋部と本体部を示す図であ
る。

【図４】本発明のマーカーを付けたケースを示す図であ
る。

【図５】従来のケース形状を示す図である。

【符号の説明】

１…ケース １ａ…ケース蓋部 １ｂ…ケース本体部 ２…磁性材料からなる磁心 ３…空心部 ４…空心部中の凸部 ５…マーカー

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 磁性材料からなる筒状磁心と該磁心を収
   納する絶縁ケースを有するノイズ低減素子において、該
   ノイズ低減素子を構成する絶縁ケースには半導体回路の
   ライン又は各種素子のリードを挿通するための空心部が
   設けられており、該ケースの空心部入口が前記ライン又
   はリードと同じ形状であることを特徴とするノイズ低減
   素子。
2. 【請求項２】 磁性材料からなる筒状磁心と該磁心を収
   納する絶縁ケースを有するノイズ低減素子において、該
   ノイズ低減素子を構成する絶縁ケースには半導体回路の
   ライン又は各種素子のリードを挿通するための空心部が
   設けられており、なお且つ該絶縁ケースが液晶ポリマー
   からなることを特徴とするノイズ低減素子。
3. 【請求項３】 磁性材料が非晶質合金であることを特徴
   とする請求項１又は請求項２記載のノイズ低減素子。
4. 【請求項４】 磁性材料が微細結晶を有する磁性合金で
   あることを特徴とする請求項１又は請求項２記載のノイ
   ズ低減素子。
5. 【請求項５】 磁心の平均外径をＤ、磁心の高さをＨで
   表したとき、Ｈ／Ｄ≧１となることを特徴とする請求項
   １ないし請求項４のいずれかに記載のノイズ低減素子。
6. 【請求項６】 絶縁ケースにマーカーを設けたことを特
   徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに記載のノ
   イズ低減素子。
7. 【請求項７】 空心部入口が４角形であることを特徴と
   する請求項１ないし請求項６のいずれかに記載のノイズ
   低減素子。
8. 【請求項８】 絶縁ケースが直方体であることを特徴と
   する請求項１ないし請求項７のいずれかに記載のノイズ
   低減素子。
9. 【請求項９】 非晶質合金からなる筒状磁心と該磁心を
   収納するための絶縁ケースからなるノイズ低減素子にお
   いて、該ノイズ低減素子を構成する絶縁ケースには半導
   体回路のライン又は各種素子のリードを挿通するための
   空心部が設けられており、該ケースの空心部入口が角型
   であると共に、磁心の方向性を示すためのマーカーが設
   けられたことを特徴とするノイズ低減素子。
10. 【請求項１０】 請求項１ないし請求項９のいずれかに
    記載のノイズ低減素子を用いたことを特徴とする半導体
    回路素子。