JPH11345724A - 磁気漏洩形高周波トランスとこれを使用するインバータ回路 - Google Patents
磁気漏洩形高周波トランスとこれを使用するインバータ回路Info
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- JPH11345724A JPH11345724A JP10150983A JP15098398A JPH11345724A JP H11345724 A JPH11345724 A JP H11345724A JP 10150983 A JP10150983 A JP 10150983A JP 15098398 A JP15098398 A JP 15098398A JP H11345724 A JPH11345724 A JP H11345724A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の構成の磁気漏洩形高周波トランス、ま
たはこの磁気漏洩形高周波トランスを使用するインバー
タ回路では、漏れ磁束の量を調整することが困難である
という課題を有している。 【解決手段】 外周部に設けた磁性体７によって、コア
５のギャップ６から発生する漏洩磁束をシールドでき、
インバータ回路の回路部品として使用したときにインバ
ータ回路を収容する筐体との間の距離を意識する必要の
ない磁気漏洩形高周波トランスとしている。
たはこの磁気漏洩形高周波トランスを使用するインバー
タ回路では、漏れ磁束の量を調整することが困難である
という課題を有している。 【解決手段】 外周部に設けた磁性体７によって、コア
５のギャップ６から発生する漏洩磁束をシールドでき、
インバータ回路の回路部品として使用したときにインバ
ータ回路を収容する筐体との間の距離を意識する必要の
ない磁気漏洩形高周波トランスとしている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、漏れ磁束を利用す
る磁気漏洩形高周波トランスと、この磁気漏洩形高周波
トランスを使用するインバータ回路とに関するものであ
る。
る磁気漏洩形高周波トランスと、この磁気漏洩形高周波
トランスを使用するインバータ回路とに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来使用されている磁気漏洩型高周波ト
ランスは、図１１に示しているような構成となってい
る。すなわち、１次ボビン２に巻かれた１次巻線１と、
２次ボビン４に巻かれた２次巻線３とを、コア５によっ
て磁気的に結合しているものである。このとき、コア５
には適当な厚さを有するスペーサ６を挿入しており、こ
のギャップによって１次巻線１と２次巻線３との結合の
程度を調整しているものである。以上の構成として、１
次側巻線１に供給した信号電流に応じて、２次巻線３に
誘導電流が流れるものである。このとき、スペーサ６に
よってコア５に作っているギャップからは、適当量の漏
れ磁束が発生するものである。この漏れ磁束は等価的に
限流インダクタとして作用するものであり、このため例
えばインバータ回路にこの種の磁気漏洩形高周波トラン
スを使用した場合には、限流インダクタを必要としない
などのメリットが生じるものである。
ランスは、図１１に示しているような構成となってい
る。すなわち、１次ボビン２に巻かれた１次巻線１と、
２次ボビン４に巻かれた２次巻線３とを、コア５によっ
て磁気的に結合しているものである。このとき、コア５
には適当な厚さを有するスペーサ６を挿入しており、こ
のギャップによって１次巻線１と２次巻線３との結合の
程度を調整しているものである。以上の構成として、１
次側巻線１に供給した信号電流に応じて、２次巻線３に
誘導電流が流れるものである。このとき、スペーサ６に
よってコア５に作っているギャップからは、適当量の漏
れ磁束が発生するものである。この漏れ磁束は等価的に
限流インダクタとして作用するものであり、このため例
えばインバータ回路にこの種の磁気漏洩形高周波トラン
スを使用した場合には、限流インダクタを必要としない
などのメリットが生じるものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の構成の磁気漏洩
形高周波トランス、またはこの磁気漏洩形高周波トラン
スを使用するインバータ回路では、漏れ磁束の量を調整
することが困難であるという課題を有している。
形高周波トランス、またはこの磁気漏洩形高周波トラン
スを使用するインバータ回路では、漏れ磁束の量を調整
することが困難であるという課題を有している。
【０００４】すなわち、漏れ磁束が高周波の場合には、
インバータ回路を収容する筐体１１が誘導加熱されて発
熱するものである。このため、磁気漏洩形高周波トラン
スの配置について、例えば筐体１１との距離を十分広く
とる等の対策を必要としている。しかしこの場合には、
インバータ回路の寸法が必然的に大きくなるものであ
り、小型化の要請に応えられないものとなる。
インバータ回路を収容する筐体１１が誘導加熱されて発
熱するものである。このため、磁気漏洩形高周波トラン
スの配置について、例えば筐体１１との距離を十分広く
とる等の対策を必要としている。しかしこの場合には、
インバータ回路の寸法が必然的に大きくなるものであ
り、小型化の要請に応えられないものとなる。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、磁性材を防磁
材として用いる磁気漏洩形高周波トランスとして、イン
バータ回路の回路部品として使用したときに、筐体との
距離を意識する必要のない磁気漏洩形高周波トランスと
しているものである。
材として用いる磁気漏洩形高周波トランスとして、イン
バータ回路の回路部品として使用したときに、筐体との
距離を意識する必要のない磁気漏洩形高周波トランスと
しているものである。
【０００６】
【発明の実施の形態】請求項１に記載した発明は、外周
部に設けた磁性体によって、コアのギャップから発生す
る漏洩磁束をシールドでき、インバータ回路の回路部品
として使用したときにインバータ回路を収容する筐体と
の間の距離を意識する必要のない磁気漏洩形高周波トラ
ンスとしているものである。
部に設けた磁性体によって、コアのギャップから発生す
る漏洩磁束をシールドでき、インバータ回路の回路部品
として使用したときにインバータ回路を収容する筐体と
の間の距離を意識する必要のない磁気漏洩形高周波トラ
ンスとしているものである。
【０００７】請求項２に記載した発明は、磁性体の外周
部に更に設けた非磁性金属板によって、外部に漏洩する
漏洩磁束の量を更に低減でき、使用するインバータ回路
の回路部品の実装率を高くできる磁気漏洩形高周波トラ
ンスとしているものである。
部に更に設けた非磁性金属板によって、外部に漏洩する
漏洩磁束の量を更に低減でき、使用するインバータ回路
の回路部品の実装率を高くできる磁気漏洩形高周波トラ
ンスとしているものである。
【０００８】請求項３に記載した発明は、非磁性金属板
の内側に磁性体を貼付する構成として、簡単な構成で、
外部に漏洩する漏洩磁束の量を低減でき、使用するイン
バータ回路の回路部品の実装率を高くできる磁気漏洩形
高周波トランスとしているものである。
の内側に磁性体を貼付する構成として、簡単な構成で、
外部に漏洩する漏洩磁束の量を低減でき、使用するイン
バータ回路の回路部品の実装率を高くできる磁気漏洩形
高周波トランスとしているものである。
【０００９】請求項４に記載した発明は、磁性体を１次
巻線及び２次巻線の上に配置する構成として、コアのギ
ャップに近い位置でのシールドが可能で、シールド効果
の高い磁気漏洩形高周波トランスとしているものであ
る。
巻線及び２次巻線の上に配置する構成として、コアのギ
ャップに近い位置でのシールドが可能で、シールド効果
の高い磁気漏洩形高周波トランスとしているものであ
る。
【００１０】請求項５に記載した発明は、磁性体は１次
巻線または２次巻線の巻き幅以上の幅を有するようにし
て、巻線からの漏れ磁界もシールドでき、シールド効果
の高い磁気漏洩形高周波トランスとしているものであ
る。
巻線または２次巻線の巻き幅以上の幅を有するようにし
て、巻線からの漏れ磁界もシールドでき、シールド効果
の高い磁気漏洩形高周波トランスとしているものであ
る。
【００１１】請求項６に記載した発明は、１次巻線及び
２次巻線を絶縁充填材によって磁性体から絶縁でき、ま
た熱容量を大きくして温度上昇の低い、シールド効果の
高い磁気漏洩形高周波トランスとしているものである。
２次巻線を絶縁充填材によって磁性体から絶縁でき、ま
た熱容量を大きくして温度上昇の低い、シールド効果の
高い磁気漏洩形高周波トランスとしているものである。
【００１２】請求項７に記載した発明は、非磁性金属板
は絶縁材を充填した１次巻線及び２次巻線と接触させ
て、巻線から発生する熱の放熱を容易として、温度上昇
の低い、シールド効果の高い磁気漏洩形高周波トランス
としているものである。
は絶縁材を充填した１次巻線及び２次巻線と接触させ
て、巻線から発生する熱の放熱を容易として、温度上昇
の低い、シールド効果の高い磁気漏洩形高周波トランス
としているものである。
【００１３】請求項８に記載した発明は、非磁性金属板
は絶縁充填材を介してコアと接触させて、コアの発熱を
容易に放熱でき、温度上昇の低い、シールド効果の高い
磁気漏洩形高周波トランスとしているものである。
は絶縁充填材を介してコアと接触させて、コアの発熱を
容易に放熱でき、温度上昇の低い、シールド効果の高い
磁気漏洩形高周波トランスとしているものである。
【００１４】請求項９に記載した発明は、非磁性金属板
に設けたスリットが非磁性金属板に発生する渦電流を遮
るように作用して、非磁性金属板の温度上昇を低く抑え
ることが出来、温度上昇の低い、シールド効果の高い磁
気漏洩形高周波トランスとしているものである。
に設けたスリットが非磁性金属板に発生する渦電流を遮
るように作用して、非磁性金属板の温度上昇を低く抑え
ることが出来、温度上昇の低い、シールド効果の高い磁
気漏洩形高周波トランスとしているものである。
【００１５】請求項１０に記載した発明は、磁気漏洩形
高周波トランスの非磁性金属板を筐体と接触させるよう
に配置して、磁気漏洩形高周波トランスの発熱を筐体か
ら放熱するようにして、温度上昇を低く抑えた磁気漏洩
形高周波トランスを使用するインバータ回路としている
ものである。
高周波トランスの非磁性金属板を筐体と接触させるよう
に配置して、磁気漏洩形高周波トランスの発熱を筐体か
ら放熱するようにして、温度上昇を低く抑えた磁気漏洩
形高周波トランスを使用するインバータ回路としている
ものである。
【００１６】
【実施例】（実施例１）以下本発明の第１の実施例につ
いて説明する。図１は本実施例の磁束漏洩型高周波トラ
ンスの構成を示しており、（ａ）は側面から見た断面図
を、（ｂ）は上面から見た平面図を示している。１次巻
線１は１次ボビン２上に巻装されており、２次巻線３は
２次ボビン４上に巻装されている。この１次巻線１と２
次巻線３とは、コの字形としたコア５の脚部に配置して
いる。前記１次巻線１と２次巻線３には、高周波電流に
対して損失の少ないリッツ線を使用している。また１次
ボビン２と２次ボビン４には、例えばガラスエポキシ材
等の高耐熱性樹脂を使用して、高温環境となってもコア
５との絶縁が確実に行われるようにしている。コア５
は、本実施例では図１（ａ）に示しているようにコの字
形とした２ピースのものを、例えば適切な厚さのスペー
サによって構成しているコアギャップ６を介して突き合
わせるように使用している。また本実施例では、コア５
として、高周波に対して損失の少ないフェライトを使用
している。前記コアギャップ６を適切に設定することに
よって、１次巻線１と２次巻線３との間の結合程度を適
切なものに調整でき、またコアギャップ６から漏れる漏
れ磁束をインダクタとして利用できるものである。更に
コアギャップ６を設けることによって、高周波で使用し
てもコア５の飽和が生じ難く、コア５を小型化できるも
のである。
いて説明する。図１は本実施例の磁束漏洩型高周波トラ
ンスの構成を示しており、（ａ）は側面から見た断面図
を、（ｂ）は上面から見た平面図を示している。１次巻
線１は１次ボビン２上に巻装されており、２次巻線３は
２次ボビン４上に巻装されている。この１次巻線１と２
次巻線３とは、コの字形としたコア５の脚部に配置して
いる。前記１次巻線１と２次巻線３には、高周波電流に
対して損失の少ないリッツ線を使用している。また１次
ボビン２と２次ボビン４には、例えばガラスエポキシ材
等の高耐熱性樹脂を使用して、高温環境となってもコア
５との絶縁が確実に行われるようにしている。コア５
は、本実施例では図１（ａ）に示しているようにコの字
形とした２ピースのものを、例えば適切な厚さのスペー
サによって構成しているコアギャップ６を介して突き合
わせるように使用している。また本実施例では、コア５
として、高周波に対して損失の少ないフェライトを使用
している。前記コアギャップ６を適切に設定することに
よって、１次巻線１と２次巻線３との間の結合程度を適
切なものに調整でき、またコアギャップ６から漏れる漏
れ磁束をインダクタとして利用できるものである。更に
コアギャップ６を設けることによって、高周波で使用し
てもコア５の飽和が生じ難く、コア５を小型化できるも
のである。
【００１７】また本実施例では、図１（ａ）・図１
（ｂ）に示しているように、外周部に磁性体７を使用し
ている。磁性体７には、コア５と同様にフェライトを使
用している。
（ｂ）に示しているように、外周部に磁性体７を使用し
ている。磁性体７には、コア５と同様にフェライトを使
用している。
【００１８】以下本実施例の動作を説明する。図示して
いない高周波電流発生回路が動作した、１次巻線１に高
周波電流を供給すると、この高周波電流によってコア５
には電流変化に応じた高周波磁界が発生する。この高周
波磁界によって、２次巻線３には誘導電流が発生して、
この磁気漏洩形高周波トランスを使用しているインバー
タ回路が動作するものである。このとき、前記している
ように磁気漏洩形高周波トランスは、コアギャップ６を
有しており、漏れ磁束を発生させているものである。こ
の漏れ磁束は、インダクタとして作用するために、前記
インバータ回路では例えば限流インダクタを部品として
使用する必要がないものである。
いない高周波電流発生回路が動作した、１次巻線１に高
周波電流を供給すると、この高周波電流によってコア５
には電流変化に応じた高周波磁界が発生する。この高周
波磁界によって、２次巻線３には誘導電流が発生して、
この磁気漏洩形高周波トランスを使用しているインバー
タ回路が動作するものである。このとき、前記している
ように磁気漏洩形高周波トランスは、コアギャップ６を
有しており、漏れ磁束を発生させているものである。こ
の漏れ磁束は、インダクタとして作用するために、前記
インバータ回路では例えば限流インダクタを部品として
使用する必要がないものである。
【００１９】またこのとき、本実施例では外周部に磁性
体７を使用している磁気漏洩形高周波トランスとしてい
る。この磁性体７は、装置から発生する高周波磁界を内
部に閉じこめるように、つまり発生する磁界をシールド
するように作用するものである。このため、例えばイン
バータ回路の回路部品として本実施例の磁気漏洩形高周
波トランスを使用した場合に、磁気漏洩形高周波トラン
スの外部に漏れる高周波磁界は非常に少なくなるもので
ある。このため、例えば前記インバータ回路を収容して
いる金属筐体に、高周波の漏れ磁界が鎖交したときに金
属筐体に誘導電流が流れることによって金属筐体が発熱
することを防止できるものである。つまり、従来の構成
の磁気漏洩形高周波トランスを使用した場合には、前記
漏れ磁界の金属筐体との鎖交による金属筐体の発熱を防
止するために、磁気漏洩形高周波トランスの配置位置を
金属筐体から十分離す必要があるものである。この点本
実施例の磁気漏洩形高周波トランスを使用した場合に
は、外周部に磁性体７を使用しているために、この配置
位置について制限を必要としないものとなっているもの
である。従って、インバータ回路としては部品の配置を
高密度化でき、小型に構成できるものとなる。
体７を使用している磁気漏洩形高周波トランスとしてい
る。この磁性体７は、装置から発生する高周波磁界を内
部に閉じこめるように、つまり発生する磁界をシールド
するように作用するものである。このため、例えばイン
バータ回路の回路部品として本実施例の磁気漏洩形高周
波トランスを使用した場合に、磁気漏洩形高周波トラン
スの外部に漏れる高周波磁界は非常に少なくなるもので
ある。このため、例えば前記インバータ回路を収容して
いる金属筐体に、高周波の漏れ磁界が鎖交したときに金
属筐体に誘導電流が流れることによって金属筐体が発熱
することを防止できるものである。つまり、従来の構成
の磁気漏洩形高周波トランスを使用した場合には、前記
漏れ磁界の金属筐体との鎖交による金属筐体の発熱を防
止するために、磁気漏洩形高周波トランスの配置位置を
金属筐体から十分離す必要があるものである。この点本
実施例の磁気漏洩形高周波トランスを使用した場合に
は、外周部に磁性体７を使用しているために、この配置
位置について制限を必要としないものとなっているもの
である。従って、インバータ回路としては部品の配置を
高密度化でき、小型に構成できるものとなる。
【００２０】以上のように本実施例によれば、外周に磁
性体７を配置した磁気漏洩形高周波トランスとしている
ため、インバータ回路の回路部品として使用したときに
インバータ回路を収容する筐体との間の距離を意識する
必要がなく、インバータ回路としては部品の配置を高密
度化でき、小型に構成できるものである。
性体７を配置した磁気漏洩形高周波トランスとしている
ため、インバータ回路の回路部品として使用したときに
インバータ回路を収容する筐体との間の距離を意識する
必要がなく、インバータ回路としては部品の配置を高密
度化でき、小型に構成できるものである。
【００２１】（実施例２）続いて本発明の第２の実施例
について説明する。図２は本実施例の磁気漏洩形高周波
トランスの構成を示している。図２（ａ）は側面から見
た断面図を、図２（ｂ）は上面から見た平面図を示して
いる。つまり本実施例では、磁性体７の外周に非磁性金
属板８を配置する構成としている。非磁性金属板８は、
本実施例ではアルミを使用しており、閉回路を構成する
ように短絡して使用しているが、特に閉回路を構成しな
ければならないというものではない。非磁性金属板８
は、本実施例では、樹脂等の非金属材料を使用している
コア支え１３及び支え１４によって、コア５に対して絶
縁した形で配置している。
について説明する。図２は本実施例の磁気漏洩形高周波
トランスの構成を示している。図２（ａ）は側面から見
た断面図を、図２（ｂ）は上面から見た平面図を示して
いる。つまり本実施例では、磁性体７の外周に非磁性金
属板８を配置する構成としている。非磁性金属板８は、
本実施例ではアルミを使用しており、閉回路を構成する
ように短絡して使用しているが、特に閉回路を構成しな
ければならないというものではない。非磁性金属板８
は、本実施例では、樹脂等の非金属材料を使用している
コア支え１３及び支え１４によって、コア５に対して絶
縁した形で配置している。
【００２２】前記非磁性金属板８は、発生した高周波磁
界を短絡することによって消磁するように作用するもの
である。本実施例では、実施例１で説明した磁性体７と
非磁性金属板８の両方を使用しているため、磁気漏洩形
高周波トランスの外部に漏れる高周波磁界の量は、実施
例１の構成のものよりも一層少なくなるものである。
界を短絡することによって消磁するように作用するもの
である。本実施例では、実施例１で説明した磁性体７と
非磁性金属板８の両方を使用しているため、磁気漏洩形
高周波トランスの外部に漏れる高周波磁界の量は、実施
例１の構成のものよりも一層少なくなるものである。
【００２３】以上のように本実施例によれば、磁性体７
の外周部に更に非磁性金属板８を設けた構成として、外
部に漏洩する漏洩磁束の量を更に低減でき、使用するイ
ンバータ回路の回路部品の実装率を高くできる磁気漏洩
形高周波トランスを実現するものである。
の外周部に更に非磁性金属板８を設けた構成として、外
部に漏洩する漏洩磁束の量を更に低減でき、使用するイ
ンバータ回路の回路部品の実装率を高くできる磁気漏洩
形高周波トランスを実現するものである。
【００２４】（実施例３）続いて本発明の第３の実施例
について説明する。図３は、本実施例の構成を示す側断
面図である。すなわち、本実施例では、接着剤等を使用
して非磁性金属板８の内側に磁性体７を貼付した構成と
している。
について説明する。図３は、本実施例の構成を示す側断
面図である。すなわち、本実施例では、接着剤等を使用
して非磁性金属板８の内側に磁性体７を貼付した構成と
している。
【００２５】このような構成とすることにより、特に磁
性体７を支持するための部材が必要でなく、簡単な構成
の磁気漏洩形高周波トランスを実現するものである。す
なわち本実施例によれば、非磁性金属板８の内側に磁性
体７を貼付する構成として、簡単な構成で、外部に漏洩
する漏洩磁束の量を低減でき、使用するインバータ回路
の回路部品の実装率を高くできる磁気漏洩形高周波トラ
ンスを実現するものである。
性体７を支持するための部材が必要でなく、簡単な構成
の磁気漏洩形高周波トランスを実現するものである。す
なわち本実施例によれば、非磁性金属板８の内側に磁性
体７を貼付する構成として、簡単な構成で、外部に漏洩
する漏洩磁束の量を低減でき、使用するインバータ回路
の回路部品の実装率を高くできる磁気漏洩形高周波トラ
ンスを実現するものである。
【００２６】（実施例４）続いて本発明の第４の実施例
について説明する。図４は本実施例の磁気漏洩形高周波
トランスの構成を示している。図４（ａ）は側面から見
た断面図を、図４（ｂ）は上面から見た平面図を示して
いる。本実施例では、磁性体７を１次巻線１と２次巻線
３上に配置している。
について説明する。図４は本実施例の磁気漏洩形高周波
トランスの構成を示している。図４（ａ）は側面から見
た断面図を、図４（ｂ）は上面から見た平面図を示して
いる。本実施例では、磁性体７を１次巻線１と２次巻線
３上に配置している。
【００２７】このような構成とすることにより、磁束が
最も漏洩し易いコアギャップ６に近い位置で、磁性体７
によるシールドが可能となるものである。
最も漏洩し易いコアギャップ６に近い位置で、磁性体７
によるシールドが可能となるものである。
【００２８】（実施例５）続いて本発明の第５の実施例
について説明する。図５は本実施例の磁気漏洩形高周波
トランスの構成を示している。図５（ａ）は側面から見
た断面図を、図５（ｂ）は上面から見た平面図を示して
いる。本実施例では、実施例４で説明している磁性体７
の幅を、１次巻線１の巻き幅、２次巻線３の巻き幅以上
に拡げたものを使用している。このため、本実施例によ
ればコアギャップ７からの漏れ磁界と、１次巻線１及び
２次巻線３からの漏れ磁界もシールドでき、シールド効
果の高い磁気漏洩形高周波トランスを実現するものであ
る。
について説明する。図５は本実施例の磁気漏洩形高周波
トランスの構成を示している。図５（ａ）は側面から見
た断面図を、図５（ｂ）は上面から見た平面図を示して
いる。本実施例では、実施例４で説明している磁性体７
の幅を、１次巻線１の巻き幅、２次巻線３の巻き幅以上
に拡げたものを使用している。このため、本実施例によ
ればコアギャップ７からの漏れ磁界と、１次巻線１及び
２次巻線３からの漏れ磁界もシールドでき、シールド効
果の高い磁気漏洩形高周波トランスを実現するものであ
る。
【００２９】（実施例６）次に本発明の第６の実施例に
ついて説明する。図６は本実施例の磁気漏洩形高周波ト
ランスの構成を示している。図６（ａ）は側面から見た
断面図を、図６（ｂ）は上面から見た平面図を示してい
る。本実施例では、１次巻線１及び２次巻線３に絶縁充
填材９を充填して、磁性体７と各巻線間とを絶縁してい
るものである。
ついて説明する。図６は本実施例の磁気漏洩形高周波ト
ランスの構成を示している。図６（ａ）は側面から見た
断面図を、図６（ｂ）は上面から見た平面図を示してい
る。本実施例では、１次巻線１及び２次巻線３に絶縁充
填材９を充填して、磁性体７と各巻線間とを絶縁してい
るものである。
【００３０】このような構成とすることにより、１次巻
線１と磁性体７の間、及び２次巻線３と磁性体７の間の
絶縁が十分確保されるものである。同時に、１次巻線１
・２次巻線３は絶縁材が充填されることによって熱容量
が大きくなるものである。従って本実施例の磁気漏洩形
高周波トランスは、動作時の発熱による１次巻線１・２
次巻線３の温度上昇を低く抑えることが出来るものであ
る。
線１と磁性体７の間、及び２次巻線３と磁性体７の間の
絶縁が十分確保されるものである。同時に、１次巻線１
・２次巻線３は絶縁材が充填されることによって熱容量
が大きくなるものである。従って本実施例の磁気漏洩形
高周波トランスは、動作時の発熱による１次巻線１・２
次巻線３の温度上昇を低く抑えることが出来るものであ
る。
【００３１】以上のように本実施例によれば、１次巻線
１及び２次巻線３を絶縁充填材９によって磁性体７から
絶縁でき、また熱容量を大きくして温度上昇の低い、シ
ールド効果の高い磁気漏洩形高周波トランスを実現する
ものである。
１及び２次巻線３を絶縁充填材９によって磁性体７から
絶縁でき、また熱容量を大きくして温度上昇の低い、シ
ールド効果の高い磁気漏洩形高周波トランスを実現する
ものである。
【００３２】（実施例７）続いて本発明の第７の実施例
について説明する。図７は本実施例の磁気漏洩形高周波
トランスの構成を示している。図７（ａ）は側面から見
た断面図を、図７（ｂ）は上面から見た平面図を示して
いる。本実施例では、非磁性金属板８を、絶縁充填材９
を充填した１次巻線１及び２次巻線３に接触させる構造
としている。
について説明する。図７は本実施例の磁気漏洩形高周波
トランスの構成を示している。図７（ａ）は側面から見
た断面図を、図７（ｂ）は上面から見た平面図を示して
いる。本実施例では、非磁性金属板８を、絶縁充填材９
を充填した１次巻線１及び２次巻線３に接触させる構造
としている。
【００３３】このような構成とすることにより、１次巻
線１・２次巻線３の発熱を磁性体７に放熱できるもので
ある。以上のように、本実施例によれば、巻線から発生
する熱を非磁性金属板８に放熱して、温度上昇の低い、
シールド効果の高い磁気漏洩形高周波トランスを実現す
るものである。
線１・２次巻線３の発熱を磁性体７に放熱できるもので
ある。以上のように、本実施例によれば、巻線から発生
する熱を非磁性金属板８に放熱して、温度上昇の低い、
シールド効果の高い磁気漏洩形高周波トランスを実現す
るものである。
【００３４】（実施例８）続いて本発明の第８の実施例
について説明する。図８は本実施例の磁気漏洩形高周波
トランスの構成を示している。図８（ａ）は側面から見
た断面図を、図８（ｂ）は上面から見た平面図を示して
いる。本実施例では、コア５と非磁性金属板７とを絶縁
物１０を介して接触させる構造としている。絶縁物１０
は熱伝導性に優れたものが望ましく、本実施例ではシリ
コンゴムを使用している。
について説明する。図８は本実施例の磁気漏洩形高周波
トランスの構成を示している。図８（ａ）は側面から見
た断面図を、図８（ｂ）は上面から見た平面図を示して
いる。本実施例では、コア５と非磁性金属板７とを絶縁
物１０を介して接触させる構造としている。絶縁物１０
は熱伝導性に優れたものが望ましく、本実施例ではシリ
コンゴムを使用している。
【００３５】以上の構成とすることによって、コア５の
発熱は非磁性金属板７に伝達されて、非磁性金属板７に
放熱されるものである。コア５の温度は、自己発熱と、
１次巻き線１と２次巻線３の発熱の熱伝導分によって上
昇するものである。このとき、コア５の放熱が不十分な
場合には、使用条件によってコア５の温度上昇が急激に
増加して、規定値を越えたりする状態となるものであ
る。この点本実施例によれば、コア５と非磁性金属板７
とを絶縁物１０を介して接触させる構造としているた
め、コア５の発熱を非磁性金属板７に伝達して、コア５
の温度上昇を低く抑えることが出来るものである。
発熱は非磁性金属板７に伝達されて、非磁性金属板７に
放熱されるものである。コア５の温度は、自己発熱と、
１次巻き線１と２次巻線３の発熱の熱伝導分によって上
昇するものである。このとき、コア５の放熱が不十分な
場合には、使用条件によってコア５の温度上昇が急激に
増加して、規定値を越えたりする状態となるものであ
る。この点本実施例によれば、コア５と非磁性金属板７
とを絶縁物１０を介して接触させる構造としているた
め、コア５の発熱を非磁性金属板７に伝達して、コア５
の温度上昇を低く抑えることが出来るものである。
【００３６】以上のように本実施例によれば、非磁性金
属板７を絶縁充填材を介してコア５と接触させる構成と
して、コア５の発熱を容易に放熱でき、温度上昇の低
い、シールド効果の高い磁気漏洩形高周波トランスを実
現できるものである。
属板７を絶縁充填材を介してコア５と接触させる構成と
して、コア５の発熱を容易に放熱でき、温度上昇の低
い、シールド効果の高い磁気漏洩形高周波トランスを実
現できるものである。
【００３７】（実施例９）次に本発明の第９の実施例に
ついて説明する。図９は本実施例の構成を示す斜視図で
ある。本実施例では、非磁性金属板８に、スリット１７
を設けている。スリット１７は、渦電流１８の発生を防
止する出来るように設けているものであり、本実施例で
は、非磁性金属板８の長手方向に複数個を設けている。
ついて説明する。図９は本実施例の構成を示す斜視図で
ある。本実施例では、非磁性金属板８に、スリット１７
を設けている。スリット１７は、渦電流１８の発生を防
止する出来るように設けているものであり、本実施例で
は、非磁性金属板８の長手方向に複数個を設けている。
【００３８】以上の構成とすることによって、非磁性金
属板８に磁束１２が集中しても、渦電流１８のが流れを
遮ることができ、非磁性金属板８の温度上昇を防止する
ことができるものである。
属板８に磁束１２が集中しても、渦電流１８のが流れを
遮ることができ、非磁性金属板８の温度上昇を防止する
ことができるものである。
【００３９】以上のように本実施例によれば、非磁性金
属板８に設けたスリットが非磁性金属板８に発生する渦
電流を遮るように作用して、非磁性金属板８の温度上昇
を低く抑えることが出来、温度上昇の低い、シールド効
果の高い磁気漏洩形高周波トランスを実現するものであ
る。
属板８に設けたスリットが非磁性金属板８に発生する渦
電流を遮るように作用して、非磁性金属板８の温度上昇
を低く抑えることが出来、温度上昇の低い、シールド効
果の高い磁気漏洩形高周波トランスを実現するものであ
る。
【００４０】（実施例１０）次に本発明の第１０の実施
例について説明する。図１０は本実施例のインバータ回
路の構成を示す平面図である。１５は前記各実施例で説
明している磁気漏洩形高周波トランスであり、１６はこ
の磁気漏洩形高周波トランス１５を回路部品として使用
しているインバータ回路である。本実施例では、このイ
ンバータ回路１６は金属製の筐体１１に収容されてい
る。またこのとき、磁気漏洩形高周波トランス１５は筐
体１１に接触させて配置しているものである。
例について説明する。図１０は本実施例のインバータ回
路の構成を示す平面図である。１５は前記各実施例で説
明している磁気漏洩形高周波トランスであり、１６はこ
の磁気漏洩形高周波トランス１５を回路部品として使用
しているインバータ回路である。本実施例では、このイ
ンバータ回路１６は金属製の筐体１１に収容されてい
る。またこのとき、磁気漏洩形高周波トランス１５は筐
体１１に接触させて配置しているものである。
【００４１】以上の構成とすることによって、磁気漏洩
形高周波トランス１５の発熱は、金属製の筐体１１に放
熱されるものである。従って、磁気漏洩形高周波トラン
ス１５は温度上昇を低く抑えることが出来、インバータ
回路１６としても効率の高いものとなる。また、このと
き使用している磁気漏洩形高周波トランス１５は、前記
各実施例で説明しているように、外部に漏れる漏れ磁束
を低減した構成となっているものであるため、図１０に
示しているように金属製の筐体１１に接触させた配置と
しても、筐体１１が誘導加熱されて発熱することはない
ものである。
形高周波トランス１５の発熱は、金属製の筐体１１に放
熱されるものである。従って、磁気漏洩形高周波トラン
ス１５は温度上昇を低く抑えることが出来、インバータ
回路１６としても効率の高いものとなる。また、このと
き使用している磁気漏洩形高周波トランス１５は、前記
各実施例で説明しているように、外部に漏れる漏れ磁束
を低減した構成となっているものであるため、図１０に
示しているように金属製の筐体１１に接触させた配置と
しても、筐体１１が誘導加熱されて発熱することはない
ものである。
【００４２】以上のように本実施例によれば、磁気漏洩
形高周波トランス１５の非磁性金属板８を筐体１１と接
触させるように配置して、磁気漏洩形高周波トランス１
５の発熱を筐体１１から放熱するようにして、温度上昇
を低く抑えた磁気漏洩形高周波トランスを使用するイン
バータ回路を実現できるものである。
形高周波トランス１５の非磁性金属板８を筐体１１と接
触させるように配置して、磁気漏洩形高周波トランス１
５の発熱を筐体１１から放熱するようにして、温度上昇
を低く抑えた磁気漏洩形高周波トランスを使用するイン
バータ回路を実現できるものである。
【００４３】
【発明の効果】請求項１に記載した発明は、１次巻線
と、１次巻線の磁束を受ける２次巻線と、前記１次巻線
と２次巻線とをギャップを介して磁気結合するコアと、
外周部に設けた磁性体とを有する構成として、インバー
タ回路の回路部品として使用したときにインバータ回路
を収容する筐体との間の距離を意識する必要のない磁気
漏洩形高周波トランスを実現するものである。
と、１次巻線の磁束を受ける２次巻線と、前記１次巻線
と２次巻線とをギャップを介して磁気結合するコアと、
外周部に設けた磁性体とを有する構成として、インバー
タ回路の回路部品として使用したときにインバータ回路
を収容する筐体との間の距離を意識する必要のない磁気
漏洩形高周波トランスを実現するものである。
【００４４】請求項２に記載した発明は、１次巻線と、
１次巻線の磁束を受ける２次巻線と、前記１次巻線と２
次巻線とをギャップを介して磁気結合するコアと、外周
部に設けた磁性体と、前記磁性体の外周部に設けた非磁
性金属板を有する構成として、外部に漏洩する漏洩磁束
の量を更に低減でき、使用するインバータ回路の回路部
品の実装率を高くできる磁気漏洩形高周波トランスを実
現するものである。
１次巻線の磁束を受ける２次巻線と、前記１次巻線と２
次巻線とをギャップを介して磁気結合するコアと、外周
部に設けた磁性体と、前記磁性体の外周部に設けた非磁
性金属板を有する構成として、外部に漏洩する漏洩磁束
の量を更に低減でき、使用するインバータ回路の回路部
品の実装率を高くできる磁気漏洩形高周波トランスを実
現するものである。
【００４５】請求項３に記載した発明は、非磁性金属板
の内側に磁性体を貼付した構成として、簡単な構成で、
外部に漏洩する漏洩磁束の量を低減でき、使用するイン
バータ回路の回路部品の実装率を高くできる磁気漏洩形
高周波トランスを実現するものである。
の内側に磁性体を貼付した構成として、簡単な構成で、
外部に漏洩する漏洩磁束の量を低減でき、使用するイン
バータ回路の回路部品の実装率を高くできる磁気漏洩形
高周波トランスを実現するものである。
【００４６】請求項４に記載した発明は、磁性体は１次
巻線及び２次巻線の上に配置した構成として、コアのギ
ャップに近い位置でのシールドが可能で、シールド効果
の高い磁気漏洩形高周波トランスを実現するものであ
る。
巻線及び２次巻線の上に配置した構成として、コアのギ
ャップに近い位置でのシールドが可能で、シールド効果
の高い磁気漏洩形高周波トランスを実現するものであ
る。
【００４７】請求項５に記載した発明は、磁性体は１次
巻線または２次巻線の巻き幅以上の幅を有する構成とし
て、巻線からの漏れ磁界もシールドでき、シールド効果
の高い磁気漏洩形高周波トランスを実現するものであ
る。
巻線または２次巻線の巻き幅以上の幅を有する構成とし
て、巻線からの漏れ磁界もシールドでき、シールド効果
の高い磁気漏洩形高周波トランスを実現するものであ
る。
【００４８】請求項６に記載した発明は、１次巻線及び
２次巻線は、絶縁充填材によって絶縁されている構成と
して、磁性体を各巻線から絶縁でき、また熱容量を大き
くして温度上昇の低い、シールド効果の高い磁気漏洩形
高周波トランスを実現するものである。
２次巻線は、絶縁充填材によって絶縁されている構成と
して、磁性体を各巻線から絶縁でき、また熱容量を大き
くして温度上昇の低い、シールド効果の高い磁気漏洩形
高周波トランスを実現するものである。
【００４９】請求項７に記載した発明は、非磁性金属板
は１次巻線及び２次巻線と接触している構成として、巻
線から発生する熱の放熱を容易として、温度上昇の低
い、シールド効果の高い磁気漏洩形高周波トランスを実
現するものである。
は１次巻線及び２次巻線と接触している構成として、巻
線から発生する熱の放熱を容易として、温度上昇の低
い、シールド効果の高い磁気漏洩形高周波トランスを実
現するものである。
【００５０】請求項８に記載した発明は、非磁性金属板
は絶縁充填材を介してコアと接触している構成として、
コアの発熱を容易に放熱でき、温度上昇の低い、シール
ド効果の高い磁気漏洩形高周波トランスを実現するもの
である。
は絶縁充填材を介してコアと接触している構成として、
コアの発熱を容易に放熱でき、温度上昇の低い、シール
ド効果の高い磁気漏洩形高周波トランスを実現するもの
である。
【００５１】請求項９に記載した発明は、非磁性金属板
は、渦電流を遮るスリットを有する構成として、非磁性
金属板の温度上昇を低く抑えることが出来、温度上昇の
低い、シールド効果の高い磁気漏洩形高周波トランスを
実現するものである。
は、渦電流を遮るスリットを有する構成として、非磁性
金属板の温度上昇を低く抑えることが出来、温度上昇の
低い、シールド効果の高い磁気漏洩形高周波トランスを
実現するものである。
【００５２】請求項１０に記載した発明は、請求項１か
ら９のいずれか１項に記載した磁気漏洩形高周波トラン
スと、前記磁気漏洩形高周波トランスを回路部品として
使用するインバータ回路とを備え、前記磁気漏洩形高周
波トランスの非磁性金属板はインバータ回路を収容する
筐体と接触させた構成として、磁気漏洩形高周波トラン
スの発熱を筐体から放熱するようにして、温度上昇を低
く抑えた磁気漏洩形高周波トランスを使用できるインバ
ータ回路を実現するものである。
ら９のいずれか１項に記載した磁気漏洩形高周波トラン
スと、前記磁気漏洩形高周波トランスを回路部品として
使用するインバータ回路とを備え、前記磁気漏洩形高周
波トランスの非磁性金属板はインバータ回路を収容する
筐体と接触させた構成として、磁気漏洩形高周波トラン
スの発熱を筐体から放熱するようにして、温度上昇を低
く抑えた磁気漏洩形高周波トランスを使用できるインバ
ータ回路を実現するものである。
【図１】（ａ）本発明の第１の実施例である磁気漏洩形
高周波トランスの構成を説明する側断面図 （ｂ）同、上部から見た平面図
高周波トランスの構成を説明する側断面図 （ｂ）同、上部から見た平面図
【図２】（ａ）本発明の第２の実施例である磁気漏洩形
高周波トランスの構成を説明する側断面図 （ｂ）同、上部から見た平面図
高周波トランスの構成を説明する側断面図 （ｂ）同、上部から見た平面図
【図３】本発明の第３の実施例である磁気漏洩形高周波
トランスの構成を説明する側断面図
トランスの構成を説明する側断面図
【図４】（ａ）本発明の第４の実施例である磁気漏洩形
高周波トランスの構成を説明する側断面図 （ｂ）同、上部から見た平面図
高周波トランスの構成を説明する側断面図 （ｂ）同、上部から見た平面図
【図５】（ａ）本発明の第５の実施例である磁気漏洩形
高周波トランスの構成を説明する側断面図 （ｂ）同、上部から見た平面図
高周波トランスの構成を説明する側断面図 （ｂ）同、上部から見た平面図
【図６】（ａ）本発明の第６の実施例である磁気漏洩形
高周波トランスの構成を説明する側断面図（ｂ）同、上
部から見た平面図
高周波トランスの構成を説明する側断面図（ｂ）同、上
部から見た平面図
【図７】（ａ）本発明の第７の実施例である磁気漏洩形
高周波トランスの構成を説明する側断面図 （ｂ）同、上部から見た平面図
高周波トランスの構成を説明する側断面図 （ｂ）同、上部から見た平面図
【図８】（ａ）本発明の第８の実施例である磁気漏洩形
高周波トランスの構成を説明する側断面図 （ｂ）同、上部から見た平面図
高周波トランスの構成を説明する側断面図 （ｂ）同、上部から見た平面図
【図９】本発明の第９の実施例である磁気漏洩形高周波
トランスの構成を説明する斜視図
トランスの構成を説明する斜視図
【図１０】本発明の第１０の実施例であるインバータ回
路の構成を説明する平面図
路の構成を説明する平面図
【図１１】従来の高周波トランスの構成を説明する側断
面図
面図
１ １次巻線 ３ ２次巻線 ５ コア ６ コアギャップ ７ 磁性体 ８ 非磁性金属板 ９ 絶縁充填材 １０ 絶縁物 １５ 高周波トランス １６ インバータ回路 １７ スリット
フロントページの続き (72)発明者 大橋 正治 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 岩本 良美 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 大森 英樹 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 棚瀬 隆文 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 坂本 洋介 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (10)
- 【請求項１】 １次巻線と、１次巻線の磁束を受ける２
次巻線と、前記１次巻線と２次巻線とをギャップを介し
て磁気結合するコアと、外周部に設けた磁性体とを有す
る磁気漏洩形高周波トランス。 - 【請求項２】 １次巻線と、１次巻線の磁束を受ける２
次巻線と、前記１次巻線と２次巻線とをギャップを介し
て磁気結合するコアと、外周部に設けた磁性体と、前記
磁性体の外周部に設けた非磁性金属板を有する磁気漏洩
形高周波トランス。 - 【請求項３】 非磁性金属板の内側に磁性体を貼付した
請求項２に記載した磁気漏洩形高周波トランス。 - 【請求項４】 磁性体は１次巻線及び２次巻線の上に配
置した請求項１または２に記載した磁気漏洩形高周波ト
ランス。 - 【請求項５】 磁性体は１次巻線または２次巻線の巻き
幅以上の幅を有する請求項４に記載した磁気漏洩形高周
波トランス。 - 【請求項６】 １次巻線及び２次巻線は、絶縁充填材に
よって絶縁されている請求項１から４のいずれか１項に
記載した磁気漏洩形高周波トランス。 - 【請求項７】 非磁性金属板は１次巻線及び２次巻線と
接触している請求項６に記載した磁気漏洩形高周波トラ
ンス。 - 【請求項８】 非磁性金属板は絶縁充填材を介してコア
と接触している請求項６に記載した磁気漏洩形高周波ト
ランス。 - 【請求項９】 非磁性金属板は、渦電流を遮るスリット
を有する請求項２から８のいずれか１項に記載した磁気
漏洩形高周波トランス。 - 【請求項１０】 請求項１から９のいずれか１項に記載
した磁気漏洩形高周波トランスと、前記磁気漏洩形高周
波トランスを回路部品として使用するインバータ回路と
を備え、前記磁気漏洩形高周波トランスの非磁性金属板
はインバータ回路を収容する筐体と接触させたインバー
タ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10150983A JPH11345724A (ja) | 1998-06-01 | 1998-06-01 | 磁気漏洩形高周波トランスとこれを使用するインバータ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10150983A JPH11345724A (ja) | 1998-06-01 | 1998-06-01 | 磁気漏洩形高周波トランスとこれを使用するインバータ回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11345724A true JPH11345724A (ja) | 1999-12-14 |
Family
ID=15508731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10150983A Pending JPH11345724A (ja) | 1998-06-01 | 1998-06-01 | 磁気漏洩形高周波トランスとこれを使用するインバータ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11345724A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1998
- 1998-06-01 JP JP10150983A patent/JPH11345724A/ja active Pending
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