JPH11345874A

JPH11345874A - 半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JPH11345874A
Application number: JP15142698A
Authority: JP
Inventors: Taku Hiraiwa; 卓平岩
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 1998-06-01
Filing date: 1998-06-01
Publication date: 1999-12-14

Abstract

(57)【要約】【課題】コンタクトホールを形成する際にその内壁に
付着したフォトレジストの残滓を取り除くことのできる
半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板（１００）上に薄膜トランジスタが
形成されてなる半導体装置の製造方法であって、前記薄
膜トランジスタにコンタクトホール（Ｃ）としての開口
部を形成する工程と、前記開口部をプラズマ処理する工
程と、前記開口部を溶剤により洗浄する工程とを少なく
とも有するようにした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、ＬＳＩ等の半導体装置や液晶装置
用のアクティブマトリックス基板などの製造方法におい
て、コンタクトホールを形成する工程は図６に示す通り
である。

【０００３】ここで図６は、例えば石英ガラスやシリコ
ンウェハ等からなる基板１００の表面にｐ−Ｓｉ（ポリ
シリコン）膜からなる導電層１０１が形成され、さらに
その上にＣＶＤ法等によりＳｉＯ_２からなる層間絶縁膜
１０２が形成された半導体装置（図６（ａ））におい
て、前記層間絶縁膜１０２に前記導電層１０１まで達す
るコンタクトホールを形成する場合の手順を示したもの
である。

【０００４】そして、まず、コンタクトホールを形成し
ようとする層間絶縁膜１０２の上にフォトレジストを塗
付した後、露光してコンタクトホール形成部にコンタク
トホールパターンとしての開口部１０３ａを有するレジ
スト膜１０３を形成する（図６（ｂ））。

【０００５】次に、前記レジスト膜１０３をエッチング
マスクとして、例えばエッチングガスとしてＣＨＦ_３と
ＳＦ_６の混合ガスを用いた反応性イオンエッチング（Ｒ
ＩＥ：Reactive Ion Etching）のような異方性ドライエ
ッチングによってＳｉＯ_２からなる層間絶縁膜１０２に
コンタクトホールＣを形成するというものであった（図
６（ｃ））。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところが、図６（ｂ）
の工程において、反応性イオンエッチングにより層間絶
縁膜１０２にコンタクトホールＣを形成する際に、反応
ガス（ＣＨＦ_３，ＳＦ_６）はイオン化されて、化学的に
極めて活性なラジカルＦ*を発生する。

【０００７】このラジカルＦ*は、層間絶縁膜１０２と
してのＳｉＯ_２膜に衝突して反応し、コンタクトホール
Ｃを形成すると同時に、エッチングマスクとしてのレジ
スト膜１０３にも衝突し、フォトレジストの構成元素と
しての炭素（Ｃ）と化合して、フォトレジストの残滓１
０４としてポリテトラフルオロエチレン系の物質（−Ｃ
Ｆ_２ＣＦ_２−）ｎを発生してしまう。

【０００８】そして、そのフォトレジストの残滓１０４
の一部は、エッチング中にコンタクトホールＣに入り込
み、コンタクトホールＣの内壁に付着してしまうという
不具合を生じる（図６（ｃ））。特に、上記ポリテトラ
フルオロエチレン系の物質は、商品名テフロンで知られ
るように化学的に極めて安定で高温にも強く、コンタク
トホールＣの内壁への付着も強固である。

【０００９】仮に、このポリテトラフルオロエチレン系
の物質からなるフォトレジストの残滓１０４がコンタク
トホールＣに付着したままの状態で、スパッタ法等によ
って導電膜１０５としてＡｌ膜等を形成すると、そのフ
ォトレジストの残滓１０４の影響によりＡｌ膜がコンタ
クトホールＣの内壁に付着しなかったり、あるいは導電
膜１０５からフォトレジストの残滓１０４の一部が突き
出てしまい（図６（ｄ）のような状態）、導電膜１０５
が剥離し易くなって断線等を生じ、半導体装置の信頼性
を低下させるという問題があった。

【００１０】本発明は、上述の課題に鑑みて案出された
ものであり、その目的とするところは、コンタクトホー
ルを形成する際にその内壁に付着したフォトレジストの
残滓を確実に取り除くことのできる半導体装置の製造方
法を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板上にス
イッチング素子及び絶縁膜が形成されてなる半導体装置
の製造方法であって、前記絶縁膜に開口部を形成する工
程と、前記開口部をプラズマ処理により洗浄する工程
と、前記開口部を溶剤により洗浄する工程と、を少なく
とも有することを特徴とするものである。

【００１２】これによれば、開口部は、上記プラズマ処
理と溶剤による洗浄処理とによって清浄化されるので、
例えばコンタクトホールに導電膜を良好に形成すること
ができるようになり、液晶装置用のアクティブマトリッ
クス基板やＬＳＩ等の半導体装置の信頼性を向上させる
ことができる。

【００１３】なお、絶縁膜上にフォトレジストによりエ
ッチングマスクを形成し、エッチングガスにより前記絶
縁膜をドライエッチングして前記開口部を形成すること
を特徴とする。

【００１４】この場合に、上記エッチングガスは、フッ
素系ガスとすることができ、上記絶縁膜がＳｉＯ_２膜で
形成される場合には、このＳｉＯ_２膜と反応して効率良
くコンタクトホールを形成することができる。

【００１５】また、上記フォトレジストの残滓は、上記
フォトレジストに含まれる炭素原子と、上記エッチング
ガスとしてのフッ素系ガスのフッ素原子とが化合して形
成されるポリテトラフルオロエチレン系の物質を含む場
合であってもよく、その場合にもプラズマ処理と溶剤に
よる洗浄処理とによって、このポリテトラフルオロエチ
レン系の物質を含むフォトレジストの残滓を効果的に取
り除くことができる。

【００１６】また、上記ドライエッチングが、フッ素系
ガスを用いた反応性イオンエッチングである場合には、
フッ素系ガスがイオン化されてラジカルＦ*を生じるた
め、上記絶縁膜がＳｉＯ_２膜で形成される場合には、こ
のＳｉＯ_２膜とラジカルＦ*が反応して効率良くコンタ
クトホールを形成することができる。

【００１７】また、上記プラズマ処理と上記洗浄処理と
を交互に複数回にわたって行なうことにより、確実にフ
ォトレジストの残滓を取り除くことができる。

【００１８】なお、上記溶剤としては、硫酸と過酸化水
素水の混合物や、有機アルカリ系の剥離剤を用いること
ができる。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施形態を
図を参照して説明する。

【００２０】ここに、図１は本発明に係る半導体装置の
製造方法を適用して製造されたＴＦＴを用いたアクティ
ブマトリックス基板ＡＭを適用した液晶パネルの構成例
を示す概略図である。

【００２１】図１に示すように、アクティブマトリック
ス基板（ＴＦＴアレイ基板）ＡＭの上には、複数の画素
電極５２により規制される画素領域（実際に液晶層５２
の配向状態変化により画像が表示される液晶パネルの領
域）の周囲において両基板を張り合わせて液晶層５３を
包囲するシール部材の一例として光硬化性樹脂からなる
シール材５４が画素領域に沿って設けられている。そし
てカラーフィルタ層５５を有する入射側の対向基板５６
の上記画素領域外側シール材５４内側領域に対応する部
位に、遮光性の周辺見切り層５７が設けられている。

【００２２】上記周辺見切り層５７は、後に画素領域に
対応して開口が開けられた遮光性のケースにアクティブ
マトリックス基板ＡＭがセットされた場合に当該画素領
域が製造誤差等により当該ケースの開口の縁に隠れてし
まわないように、即ち例えば液晶パネル用基板５０のケ
ースに対するずれとして数１００μｍ程度を許容するよ
うに、画素領域の周囲に５００μｍ〜１ｍｍ程度の幅を
持つ帯状の遮光性材料により形成される。このような遮
光性の周辺見切り層５７は、例えばＣｒ（クロム）やＮ
ｉ（ニッケル），Ａｌ（アルミニウム）などの金属材料
を用いたスパッタリング、フォトリソグラフィおよびエ
ッチングによって対向基板３１に形成される。上記金属
材料の代わりに、カーボンやＴｉ（チタン）をフォトレ
ジストに分散した樹脂ブラックなどの材料により周辺見
切り層５７を形成してもよい。

【００２３】上記シール材５４の外側の領域には、画素
領域の下辺に沿って周辺回路（走査線駆動回路）５８お
よび外部端子としてのパッド５９が設けられ、画素領域
の両側（図の左右２辺）に沿って周辺回路（信号線駆動
回路）６０が設けられている。さらに、画素領域の上辺
には、画素領域の両側に設けられた上記周辺回路６０間
を電気的に接続するための配線６１が設けられている。
また、シール材５４の四隅には、アクティブマトリック
ス基板５１と対向基板５６との間で電気的導通をとるた
めの導電源電圧材からなるコラム６２が設けられてい
る。そして、シール材５４とほぼ同じ輪郭を持つ対向基
板５６が当該シール材５４によりアクティブマトリック
ス基板ＡＭに固着されて、液晶パネルＰが構成される。

【００２４】そして、本実施形態におけるコンタクトホ
ールの形成プロセスは、上記アクティブマトリックス基
板ＡＭにおける画素電極５２をオン・オフ制御するトラ
ンジスタ、走査線駆動回路５８を構成するトランジス
タ、周辺回路（信号線駆動回路）６０を構成するトラン
ジスタ等の何れを形成する場合にも適用することができ
るものである。

【００２５】図２は、本発明に係る半導体装置の製造方
法におけるコンタクトホールの形成プロセスの一例を示
す工程図である。

【００２６】なお、このプロセスを経て製造される半導
体装置は、上述のような液晶装置用のアクティブマトリ
ックス基板やＬＳＩ等に適用することができる。

【００２７】まず、石英ガラスあるいはシリコンウェハ
からなる基板１００の表面に導電層としてのｐ−Ｓｉ膜
１０１を形成する。

【００２８】このｐ−Ｓｉ膜１０１は、例えばジシラン
ガスを用いたＬＰＣＶＤ（減圧ＣＶＤ）法やモノシラン
ガスを用いたＰＥＣＶＤ（プラズマＣＶＤ）法でａ−Ｓ
ｉ膜を堆積し、そのａ−Ｓｉ膜の全面にエキシマレーザ
を照射することによりレーザアニールを行いａ−Ｓｉ膜
を結晶化して形成する。

【００２９】そして、そのｐ−Ｓｉ膜１０１の上にＣＶ
Ｄ法等によりＳｉＯ_２からなる層間絶縁膜１０２を形成
する（図２の工程（ａ））。

【００３０】次いで、コンタクトホールを形成しようと
する層間絶縁膜１０２の上にフォトレジストを塗付した
後、光リソグラフィによってコンタクトホール形成部に
コンタクトホールパターンとしての開口部１０３ａを有
するレジスト膜１０３を形成する（図２の工程
（ｂ））。

【００３１】次に、前記レジスト膜１０３をエッチング
マスクとして、例えばエッチングガスとしてフッ素系ガ
スのＣＨＦ_３とＳＦ_６の混合ガスを用いた反応性イオン
エッチングによって層間絶縁膜１０２にコンタクトホー
ルＣを形成する（図２の工程（ｃ））。

【００３２】この際に、図２の工程（ｂ）において、反
応ガス（ＣＨＦ_３，ＳＦ_６）はイオン化されて、化学的
に極めて活性なラジカルＦ*を発生し、このラジカルＦ*
は、層間絶縁膜１０２としてのＳｉＯ_２膜に衝突して反
応し、コンタクトホールＣを形成すると同時に、エッチ
ングマスクとしてのレジスト膜１０３に衝突し、フォト
レジストの構成元素としての炭素（Ｃ）と化合して、フ
ォトレジストの残滓としてポリテトラフルオロエチレン
系の物質（−ＣＦ_２ＣＦ_２−）ｎを発生する。

【００３３】そして、そのフォトレジストの残滓１０４
の一部は、エッチング中にコンタクトホールＣに入り込
み、コンタクトホールＣの内壁に付着する（図２の工程
（ｃ参照））。

【００３４】ここで、上述のようにしてコンタクトホー
ルＣの内壁に付着したフォトレジストの残滓１０４を除
去する残滓除去工程を行なう。

【００３５】この残滓除去工程は、Ｏ_２プラズマ処理
（図２の工程（ｄ））と洗浄処理（図２の工程（ｅ））
の組み合わせからなっている。

【００３６】即ち、図２の工程（ｄ）において、コンタ
クトホールＣに対してＯ_２プラズマを照射して、Ｏ_２プ
ラズマによってフォトレジストの残滓１０４としてのポ
リテトラフルオロエチレン系の物質を酸化して除去し易
くするＯ_２プラズマ処理を行なう。なお、Ｏ_２プラズマ
は、例えばＯ_２ガスに紫外線を照射するなどして生成さ
れる。

【００３７】次いで、図２の工程（ｅ）において、基板
全体を液状の剥離剤Ｌ中に浸漬させる洗浄処理により、
フォトレジストの残滓１０４としてのポリテトラフルオ
ロエチレン系の物質を軟化あるいは溶解させて除去す
る。

【００３８】剥離剤Ｌとしては、例えば９８％の硫酸と
２％の過酸化水素水の混合液や、有機アルカリ系の剥離
剤として例えば、東京応化工業社製の商品名Ｓ５０２Ａ
を用いることができる。

【００３９】なお、洗浄処理を行なう際に、超音波発振
源から１ＭＨｚの超音波をコンタクトホールＣに対して
照射することにより、超音波振動による剥離効果によっ
てフォトレジストの残滓１０４としてのポリテトラフル
オロエチレン系の物質をより効果的に除去するようにし
てもよい。

【００４０】さらに、上記図２の工程（ｄ）のＯ_２プラ
ズマ処理と、工程（ｅ）の洗浄処理を１回行なった状態
で、まだフォトレジストの残滓１０４が残っている場合
には、完全に除去されるまで、上記工程（ｄ）と工程
（ｅ）を複数回繰り返して行なう。そして、この残滓
除去工程によって、コンタクトホールＣの内壁に付着し
たポリテトラフルオロエチレン系の物質を含むフォトレ
ジストの残滓１０４が完全に除去された状態で、スパッ
タ法等によって導電膜１０５としてＡｌ膜等を形成する
（図２の工程（ｅ））。

【００４１】この際に、コンタクトホールＣの内壁は清
浄な状態にあるため、導電膜１０５としてＡｌ膜の付着
状態も良好となり、導電膜１０５の剥離等による断線な
どを未然に防止でき、液晶装置のアクティブマトリック
ス基板やＬＳＩ等の半導体装置の信頼性を向上させるこ
とができる。なお、本実施形態では、コンタクトホール
Ｃを形成する際のエッチングを反応性イオンエッチング
とする場合について説明したが、これに限られるもので
はなく、フッ素系ガスを用いる異方性のドライエッチン
グ法全般を用いる場合であってもよい。

【００４２】また、本実施形態では、エッチングガスと
してＣＨＦ_３とＳＦ_６の混合ガスを用いる場合について
述べたが、これに限られるものではなく、ＣＨＦ_３ガ
ス，ＳＦ_６ガスをそれぞれ単独で用いる場合や、その他
のＣＦ_４等のフッ素系ガスを用いる場合についても同様
である。

【００４３】なお、本発明に係る半導体装置の製造方法
は、配線層間の絶縁層を貫通して接続するスルーホール
の形成方法にも適用することができる。

【００４４】

【実施例】以下に図３〜図５を参照して本発明の半導体
装置の製造方法を用いて製造された半導体装置の実施例
を説明する。

【００４５】（第１実施例）図３の（ａ）は、図１に示
したアクティブマトリックス基板ＡＭにおける画素電極
部５２のＴＦＴの概略構成を示す断面図、（ｂ）はその
要部の拡大断面図である。

【００４６】図３の（ａ）において、ガラス基板１００
上にｐ−Ｓｉ等により導電層１０１が形成され、その上
にＳｉＯ2等によりゲート絶縁膜１２０が形成されてい
る。

【００４７】ゲート絶縁膜１２０の所定位置には、ｐ−
Ｓｉ等によりゲート電極１２１が形成され、その上には
第１層間絶縁膜１２２が形成されている。

【００４８】そして、上述の実施形態にしたがって、反
応性イオンエッチング等により第１層間絶縁膜１２２と
ゲート絶縁膜１２０を貫通して導電層１０１のドレイン
領域１０１ａおよびソース領域１０１ｂに達するコンタ
クトホールＣ１，Ｃ２が形成される（図３の（ｂ）参
照）。

【００４９】この際に、コンタクトホールＣ１，Ｃ２
は、実施形態で説明したように、Ｏ_２プラズマ処理と溶
剤による洗浄処理が施されるため、その内壁は清浄な状
態とされる。

【００５０】そして、コンタクトホールＣ１，Ｃ２内に
はｐ−Ｓｉ等の導電材料がスパッタされ、ドレイン電極
１２３およびソース電極１２４が形成される。

【００５１】ドレイン電極１２３とソース電極１２４の
上には第２層間絶縁膜１２５が形成され、上述の実施形
態にしたがって、反応性イオンエッチング等により第２
層間絶縁膜１２５を貫通してドレイン電極１２３に達す
るコンタクトホールＣ３が形成される（図３の（ｂ）参
照）。

【００５２】この際に、コンタクトホールＣ３は、実施
形態で説明したように、Ｏ_２プラズマ処理と溶剤による
洗浄処理が施されるため、その内壁は清浄な状態とされ
る。そして、コンタクトホールＣ３内にはＩＴＯがスパ
ッタされ、画素電極５２が形成される。このような洗浄
工程を行うことによって、残滓が全て取り除かれ残滓残
留に伴って生じるＩＴＯの断線、破断を防止することが
でき、スイッチング素子としての薄膜トランジスタと画
素電極（ＩＴＯ）との接続を確実に行うことができる。

【００５３】（第２実施例）図４の（ａ）は、図１に示
したアクティブマトリックス基板ＡＭにおける周辺回路
の一種としての静電気対策配線部の概略構成を示す断面
図、（ｂ）はその要部の拡大断面図である。

【００５４】図４の（ａ）において、ガラス基板１００
上にｐ−Ｓｉ等により導電層１０１が形成され、その上
に第１層間絶縁膜１２２が形成されている。

【００５５】その上にはポリシラザンの焼成膜からなる
絶縁膜１３０が形成され、さらにその上にはＣＶＤ法に
よって絶縁膜１３１が形成されている。

【００５６】そして、上述の実施形態にしたがって、反
応性イオンエッチング等により絶縁膜１３０，１３１を
貫通して導電層１０１に達する切断用孔Ｈ１，Ｈ２が形
成される（図４の（ｂ）参照）。

【００５７】この際に、切断用孔Ｈ１は、実施形態で説
明したように、Ｏ_２プラズマ処理と溶剤による洗浄処理
が施されるため、その内壁は清浄な状態とされる。

【００５８】そして、切断用孔Ｈ１の底にはＡｌ等の導
電材料がスパッタされ、短絡用配線１３２が形成され
る。

【００５９】（第３実施例）ここに、図５の（ａ）は、
図１に示したアクティブマトリックス基板ＡＭにおける
端子部の概略構成を示す断面図、（ｂ）はその要部の拡
大断面図である。

【００６０】図５の（ａ）において、ガラス基板１００
上にｐ−Ｓｉ等により導電層１０１が形成され、その上
にＡｌ等の導電材料がスパッタされ第１パッド下配線１
４０が形成される。

【００６１】第１パッド下配線１４０の上には、第１層
間絶縁膜１２２が形成されている。

【００６２】そして、上述の実施形態にしたがって、反
応性イオンエッチング等により第１層間絶縁膜１２２を
貫通して第１パッド下配線１４０に達するコンタクトホ
ールＣ４，Ｃ５，Ｃ６が形成される。

【００６３】この際に、コンタクトホールＣ４，Ｃ５，
Ｃ６は、実施形態で説明したように、Ｏ_２プラズマ処理
と溶剤による洗浄処理が施されるため、その内壁は清浄
な状態とされる。

【００６４】そして、コンタクトホールＣ４，Ｃ５，Ｃ
６内にはＡｌ等の導電材料がスパッタされ、第２パッド
下電極１４１が形成される。

【００６５】第２パッド下電極１４１の上には、ポリシ
ラザンの焼成膜からなる絶縁膜１３０が形成され、さら
にその上にはＣＶＤ法によって絶縁膜１３１が形成され
ている。

【００６６】そして、上述の実施形態にしたがって、反
応性イオンエッチング等により絶縁膜１３０，１３１を
貫通して第２パッド下電極１４１に達するコンタクトホ
ールＣ７，Ｃ８が形成される（図５の（ｂ）参照）。

【００６７】この際に、コンタクトホールＣ７，Ｃ８
は、実施形態で説明したように、Ｏ_２プラズマ処理と溶
剤による洗浄処理が施されるため、その内壁は清浄な状
態とされ、このコンタクトホールＣ７，Ｃ８内にはＡｌ
等の導電材料がスパッタされ、パッド１４２，１４３，
１４４が形成される。

【００６８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る半導
体装置の製造方法によれば、コンタクトホールの内壁に
付着したフォトレジストの残滓をプラズマ処理と溶剤に
よる洗浄処理とによって効果的に取り除くことができ、
コンタクトホールに導電膜を良好に形成することができ
るようになるという効果があり、ひいては液晶装置用の
アクティブマトリックス基板やＬＳＩ等の半導体装置の
信頼性を向上させることができるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る半導体装置の製造方法を適用し
て製造したＴＦＴを用いたアクティブマトリックス基板
を用いた液晶パネルの概略図である。

【図２】本発明に係る半導体装置の製造方法における
コンタクトホールの形成プロセスの一例を示す工程図で
ある。

【図３】本発明に係る半導体装置の製造方法における
コンタクトホールの形成プロセスを適用して製造した半
導体装置の第１実施例を示す断面図である。

【図４】本発明に係る半導体装置の製造方法における
コンタクトホールの形成プロセスを適用して製造した半
導体装置の第２実施例を示す断面図である。

【図５】本発明に係る半導体装置の製造方法における
コンタクトホールの形成プロセスを適用して製造した半
導体装置の第３実施例を示す断面図である。

【図６】従来のコンタクトホールの形成プロセスの一
例を示す工程図である。

【符号の説明】

１００基板（ガラス基板またはシリコンウェハ）１０１ｐ−Ｓｉ膜（導電層）１０２層間絶縁膜（ＳｉＯ_２膜）１０３フォトレジスト（マスク）１０４ポリテトラフルオロエチレン系の物質を含
むフォトレジストの残滓１０５導電膜ＣコンタクトホールＬ液状の剥離剤ＡＭアクティブマトリックス基板Ｃ１〜Ｃ８コンタクトホールＨ１切断用孔

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上にスイッチング素子及び絶縁膜が
形成されてなる半導体装置の製造方法であって、前記絶縁膜に開口部を形成する工程と、前記開口部をプ
ラズマ処理により洗浄する工程と、前記開口部を溶剤に
より洗浄する工程と、を少なくとも有することを特徴とする半導体装置の製造
方法。
【請求項２】前記絶縁膜上にフォトレジストによりエ
ッチングマスクを形成し、エッチングガスにより前記絶
縁膜をドライエッチングして前記開口部を形成すること
を特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】上記エッチングガスはフッ素系ガスであ
ることを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方
法。
【請求項４】上記フォトレジストの残滓は、上記フォ
トレジストに含まれる炭素原子と、上記エッチングガス
に含まれるフッ素原子とが化合して形成されるポリテト
ラフルオロエチレン系の物質を含むことを特徴とする請
求項２または請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】上記ドライエッチングは、フッ素系ガス
を用いた反応性イオンエッチングであることを特徴とす
る請求項２から請求項４の何れかに記載の半導体装置の
製造方法。
【請求項６】上記プラズマ処理と上記洗浄処理とを交
互に複数回にわたって行なうことを特徴とする請求項１
から請求項５の何れかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】上記溶剤は、硫酸と過酸化水素水の混合
物であることを特徴とする請求項１から請求項６の何れ
かに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】上記溶剤は、有機アルカリ系の剥離剤で
あることを特徴とする請求項１から請求項６の何れかに
記載の半導体装置の製造方法。