JPH11345995A5 - - Google Patents

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Publication number: JPH11345995A5
Authority: JP; Japan
Prior art keywords: type; doping; well; vertical transistor; diffusion region
Prior art date: 1999-05-13
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JP1999132736A

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JPH11345995A (ja

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1999-05-13

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2006-06-15

1998-05-19 Priority claimed from US09/080,996 external-priority patent/US5969399A/en

1999-05-13 Application filed filed Critical

1999-12-14 Publication of JPH11345995A publication Critical patent/JPH11345995A/ja

2006-06-15 Publication of JPH11345995A5 publication Critical patent/JPH11345995A5/ja

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Description

【特許請求の範囲】
【請求項１】
光信号を電流に変換するための光変換器と、第１の垂直トランジスタとを含む光検出器であって、前記第１の垂直トランジスタは半導体基板における第１の井戸を含み、前記第１の井戸は第１の拡散領域を有し、前記半導体基板及び前記第１の拡散領域に第１のタイプのドーピングが施され、前記第１の井戸に第２のタイプのドーピングが施され、前記第１のタイプのドーピングはＰタイプ及びＮタイプのうちのいずれか一方であり、前記第２のタイプのドーピングは前記Ｐタイプ及びＮタイプのうちの他方であり、前記光変換器が前記第１の井戸に接続され、前記第１の垂直トランジスタに順バイアスを加えるように構成される、光検出器。
【請求項２】
前記光変換器は、前記半導体基板における前記第２のタイプのドーピングの拡散領域からなるフォトダイオードを含む、請求項１に記載の光検出器。
【請求項３】
第２の垂直トランジスタを更に含み、前記第２の垂直トランジスタは前記半導体基板における第２の井戸を含み、前記第２の井戸は第２の拡散領域を有し、前記半導体基板及び前記第２の拡散領域に前記第１のタイプのドーピングが施され、前記第２の井戸に前記第２のタイプのドーピングが施され、前記第１の垂直トランジスタと前記第２の垂直トランジスタがダーリントン対として接続される、請求項１に記載の光検出器。
【請求項４】
前記第２の拡散領域に接続され、前記第２の拡散領域を流れる電流を電圧に変換する電流電圧変換器を更に含む、請求項３に記載の光検出器。

JP11132736A 1998-05-19 1999-05-13 光検出器 Withdrawn JPH11345995A (ja)

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US09/080,996 US5969399A (en)	1998-05-19	1998-05-19	High gain current mode photo-sensor
US080,996		1998-05-19

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JPH11345995A JPH11345995A (ja)	1999-12-14
JPH11345995A5 true JPH11345995A5 (ja)	2006-06-15

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JP11132736A Withdrawn JPH11345995A (ja)	1998-05-19	1999-05-13	光検出器

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US (1)	US5969399A (ja)
EP (1)	EP0959502B1 (ja)
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