JPH11346332A - 固体撮像装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】ＣＭＯＳイメージセンサにおいて、水平選択ト
ランジスタの数に依存する水平信号線の寄生容量を低減
させ、回路動作の高速度化を図り、この寄生容量の飛び
込みノイズ量を低減させ、画像ノイズを抑制する。 【解決手段】光電変換素子を含む単位セル１３が半導体
基板上に二次元の行列状に配置されて形成された撮像領
域１と、撮像領域における同一行の単位セルからそれぞ
れ信号が読み出される複数の垂直信号線１８-iと、複数
の垂直信号線にそれぞれ読み出された信号を順次選択す
るための複数の水平選択トランジスタ２３-iと、水平選
択トランジスタにより選択された信号が転送される水平
信号線２６とを具備し、複数の水平選択トランジスタの
うちの隣接する２個を１組とし、各組の水平選択トラン
ジスタは一端部同士が一括接続されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、固体撮像装置に係
り、特に１画素毎に画素信号の読み出しが可能な読み出
し回路を備えた固体イメージセンサの水平読み出しゲー
ト部に関するもので、例えばビデオカメラ、電子スチル
カメラなどに使用される。

【０００２】

【従来の技術】図５は、１画素毎に画素信号の読み出し
が可能な読み出し回路を備えたＣＭＯＳ型の固体イメー
ジセンサ（ＣＭＯＳイメージセンサ）の従来例の等価回
路を示している。

【０００３】図５において、セル領域（撮像領域）１に
は１ピクセル／１ユニット（１画素）の単位セル１３が
二次元の行列状に配置されて形成されている。各単位セ
ル１３は、アノード側に接地電位が与えられるフォトダ
イオード８と、フォトダイオード８のカソード側に一端
側が接続されている読み出しトランジスタ（シャッタゲ
ートトランジスタ）１４と、読み出しトランジスタ１４
の他端側にゲートが接続されている増幅トランジスタ１
５と、増幅トランジスタ１５の一端側に一端側が接続さ
れている垂直選択トランジスタ１６と、増幅トランジス
タ１５のゲートに一端側が接続されているリセットトラ
ンジスタ１７とを具備する。

【０００４】そして、前記セル領域１には、同一行の単
位セルの各読み出しトランジスタ１４のゲートに共通に
接続された読取り線４と、同一行の単位セルの各垂直選
択トランジスタ１６のゲートに共通に接続された垂直選
択線６と、同一行の単位セルの各リセットトランジスタ
１７のゲートに共通に接続されたリセット線７と、同一
列の単位セルの各増幅トランジスタ１５の他端側に共通
に接続された垂直信号線１８-i（i=1 〜n ）と、同一列
の単位セルの各リセットトランジスタ１７の他端側およ
び各垂直選択トランジスタ１６の他端側に共通に接続さ
れた電源線９が形成されている。

【０００５】さらに、セル領域１外には、前記垂直信号
線１８-iの各一端側と接地ノードとの間にそれぞれ接続
された複数の負荷トランジスタ１２と、前記垂直信号線
１８-iの各他端側にそれぞれ対応してノイズキャンセラ
ー回路２５-iを介して各一端側が接続された水平選択ト
ランジスタ２３-iと、この複数の水平選択トランジスタ
２３-iの各他端側に共通に接続された水平信号線２６
と、この水平信号線２６に接続された出力増幅回路２７
と、上記水平信号線２６に接続された水平リセットトラ
ンジスタ２８と、前記セル領域１の各行の垂直選択線６
に走査的に選択信号を供給して各行の垂直選択トランジ
スタ１６を走査的に駆動するための垂直シフトレジスタ
２と、前記水平選択トランジスタ２３-iを走査的に駆動
するための水平シフトレジスタ３と、各種のタイミング
信号を発生するためのタイミング発生回路１０などが設
けられている。

【０００６】前記各ノイズキャンセラー回路２５-iは、
垂直信号線１８-iの他端側に一端側が接続されたサンプ
ルホールド用のトランジスタ１９と、このサンプルホー
ルド用のトランジスタ１９の他端側に一端側が接続され
た結合コンデンサ２０と、この結合コンデンサ２０の他
端側と接地ノードとの間に接続された信号電荷一時蓄積
用のコンデンサ２１と、前記コンデンサ２０・２１の接
続ノードに接続された電位クランプ用のトランジスタ２
２とにより構成されており、前記コンデンサ２０・２１
の接続ノードに前記水平選択トランジスタ２３-iの一端
側が接続されている。

【０００７】なお、各水平選択トランジスタ２３-iは、
半導体基板の表層部に選択的に形成されたＰウエルに形
成された活性化領域（ＳＤＧ領域）を有するＮＭＯＳト
ランジスタからなる。なお、上記Ｐウエルは接地電位に
接続される。

【０００８】図６は、図５に示した固体イメージセンサ
の動作の一例を示すタイミング波形図である。次に、図
６を参照しながら、図５の固体イメージセンサの動作を
説明する。

【０００９】各フォトダイオード８の入射光が光電変換
されて生じた信号電荷はフォトダイオード８内に蓄積さ
れる。この信号電荷を読み出す動作の前に、まず、増幅
トランジスタ１５のゲート電位をリセットするために、
リセット線７に“Ｈ”レベルのリセット信号が一定期間
与えられてリセットトランジスタ１７が一定期間オン状
態になり、増幅トランジスタ１５のゲート電位が所望の
電位にリセットされる。

【００１０】これと同時に、垂直シフトレジスタ２によ
り走査的に選択される垂直選択線（アドレス線）６に
“Ｈ”レベルの選択信号が与えられると、この垂直選択
線６から選択信号が与えられた垂直選択トランジスタ１
６がオン状態に制御され、この垂直選択トランジスタ１
６を介して増幅トランジスタ１５に電源線９の電圧が供
給される。これにより、ソースフォロア接続されている
増幅トランジスタ１５は、ゲート電位に応じた電位を対
応する垂直信号線１８-iに出力する。

【００１１】しかし、前記したようにリセットされた増
幅トランジスタ１５のゲート電位にはばらつきが存在
し、そのドレイン側の垂直信号線１８-iのリセット電位
にもばらつきが現われる。

【００１２】そこで、各垂直信号線１８-iのリセット電
位のばらつきをリセットするために、前記リセットトラ
ンジスタ１７と同時にサンプルホールド用のトランジス
タ１９がオン状態に制御され、垂直信号線１８-iのリセ
ット電位がコンデンサ２０を介してコンデンサ２１に伝
達される。この後、電位クランプ用のトランジスタ２２
が一定期間オン状態に制御され、コンデンサ２０・２１
の接続ノードの電圧が一様に固定される。

【００１３】次に、所定行の読取り線４が選択されて
（“Ｈ”レベルの読取り信号が与えられて）読み出しト
ランジスタ１４がオンになると、フォトダイオード８の
蓄積電荷が上記読み出しトランジスタを介して増幅トラ
ンジスタ１５のゲートに転送され、このゲート電位を変
化させる。増幅トランジスタ１５は、ゲート電位の変化
量に応じた電圧信号を対応する垂直信号線１８-iに出力
する。

【００１４】結果として、リセット後における読み出し
動作に伴う垂直信号線１８-iの電圧信号の変化分がコン
デンサ２０を介してコンデンサ２１に伝達されたことに
なるので、セル領域１に起因する各垂直信号線１８-iの
リセット電位のばらつきなどのノイズキャンセラー回路
２５-iより前段側に混入したノイズは除去される。

【００１５】上記したような一連のノイズ除去動作が終
了した後、サンプルホールド用のトランジスタ１９がオ
フ状態に制御され、さらに垂直選択トランジスタ１６が
オフ状態に制御されて単位セル１３が非選択状態にされ
ることにより、セル領域１と各ノイズキャンセラー回路
２５-iとが電気的に分離される。

【００１６】そして、水平リセットトランジスタ２８が
オン状態に制御されて水平信号線２６の電位がリセット
された後、水平選択トランジスタ２３-iが順次オン状態
に制御され、コンデンサ２０・２１の接続ノード（信号
保存ノードＳＮ）の電圧が順次読み出され、出力増幅回
路２７により増幅されて出力する。

【００１７】なお、前記したような一連のノイズ除去動
作は、１水平線毎の読み出し動作に際して行われる。図
７は、図５に示した従来のＣＭＯＳイメージセンサの水
平読み出しゲート部の一部のパターンを示している。

【００１８】図７において、２３ａ-iは半導体基板の表
層部に選択的に形成されたＰウエルに形成された前記水
平選択トランジスタ２３-iの活性化領域（ＳＤＧ領域）
であり、個々のＳＤＧ領域２３ａ-iの相互間には素子分
離領域２４が存在する。

【００１９】２３ｂ-iは前記水平選択トランジスタ２３
-iのゲート電極（ポリシリコン配線）であり、前記ＳＤ
Ｇ領域２３ａ-iの各チャネル上でＰウエル表面に形成さ
れた絶縁ゲート膜（図示せず）をそれぞれ介して形成さ
れている。

【００２０】上記ＳＤＧ領域２３ａ-iの各一端側のｎ型
拡散領域（ドレイン）にはそれぞれ対応して前記垂直信
号線１８-iに相当する金属配線（通常はアルミニウム配
線）が接続されており、各他端側のｎ型拡散領域（ソー
ス）には前記水平信号線２６に相当する金属配線（通常
はアルミニウム配線）が接続されている。

【００２１】ところで、前記水平選択トランジスタ２３
-iのドレイン・ソースとなるｎ型拡散領域にはＰウエル
との接合容量が存在するので、水平選択トランジスタ２
３１-iの数に比例して水平信号線２６の寄生容量２９が
増加する。

【００２２】このような水平信号線２６の寄生容量２９
の増加は、回路の動作速度を遅くする。さらに、水平選
択トランジスタ２３-iのスイッチング動作に伴って発生
するスイッチングノイズは、前記ノイズキャンセラー回
路２５-iでは除去されずに前記寄生容量２９に飛び込
み、この飛び込みノイズ量は寄生容量２９が増加するほ
ど大きくなり、固体イメージセンサの出力信号を画像表
示装置の画面に表示した場合に縦筋などの画像ノイズが
発生する原因となる。

【００２３】

【発明が解決しようとする課題】上記したように従来の
固体イメージセンサは、水平選択トランジスタの数に比
例して水平信号線の寄生容量が増加するので、回路の動
作速度が遅くなり、この寄生容量の飛び込みノイズによ
ってイメージセンサの出力信号の表示画面に縦筋などの
画像ノイズが発生する原因となるという問題があった。

【００２４】本発明は上記の問題点を解決すべくなされ
たもので、水平選択トランジスタの数に依存する水平信
号線の寄生容量を低減させ、回路動作の高速度化を図
り、この寄生容量の飛び込みノイズ量を低減させ、飛び
込みノイズによってイメージセンサの出力信号の表示画
面に発生する縦筋などの画像ノイズを抑制し得る固体撮
像装置を提供することを目的とする。

【００２５】

【課題を解決するための手段】本発明の固体撮像装置
は、光電変換素子を含む単位セルの複数個が半導体基板
上に二次元の行列状に配置されて形成された撮像領域
と、前記撮像領域における同一行の単位セルを選択する
行選択手段と、前記単位セル選択手段により選択された
前記撮像領域における同一行の単位セルからそれぞれ信
号が読み出される複数の垂直信号線と、前記複数の垂直
信号線にそれぞれ読み出された信号を順次選択するため
の複数の水平選択トランジスタを有する水平読み出しゲ
ート部と、前記水平読み出しゲート部により選択された
信号が転送される水平信号線とを具備し、前記複数の水
平選択トランジスタのうちの隣接する２個を１組とし、
各組の水平選択トランジスタは一端部同士が一括接続さ
れていることを特徴とする。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。本発明の固体撮像装置の第
１実施例に係るＣＭＯＳイメージセンサの構成は、前述
した従来例のＣＭＯＳイメージセンサの構成と比べて、
大部分は同様であるが、水平読み出しゲート部における
水平選択トランジスタと水平信号線との接続関係および
水平選択トランジスタの隣接する２個で１組となるパタ
ーン構成が変更されており、これに伴って２個で１組と
なる水平選択トランジスタと垂直信号線との接続関係
（パターン）も変更されている。

【００２７】図１は、第１実施例のＣＭＯＳイメージセ
ンサの等価回路を示している。図１に示したＣＭＯＳイ
メージセンサは、図５に示した従来例のＣＭＯＳイメー
ジセンサと比べて、複数の水平選択トランジスタ２３-i
のうちの隣接する２個を１組とし、各組の２個の水平選
択トランジスタの一端部同士が一括接続されて前記水平
信号線２６に接続されている点が異なり、その他は同じ
であるので図５中と同一符号を付している。

【００２８】図２は、図１中の水平選択トランジスタ２
３-iの一部について、ＳＤＧパターンおよび垂直信号線
１８-iとの接続パターンの一例を示している。図１中の
各水平選択トランジスタ２３-iは、半導体基板の表層部
に選択的に形成されたＰウエルに形成された活性化領域
（ＳＤＧ領域）を有するＮＭＯＳトランジスタからな
る。なお、上記Ｐウエルは接地電位に接続される。

【００２９】図２において、水平選択トランジスタ２３
-iのうちの隣接する２個を１組として形成された各組の
ＳＤＧ領域３０-j（j=1 〜n/2 ）は、水平方向に配列さ
れており、各組のＳＤＧ領域３０-jの相互間には素子分
離領域３１が存在している。

【００３０】２３ｂ-iは前記水平選択トランジスタ２３
-iのゲート電極（ポリシリコン配線）であり、前記ＳＤ
Ｇ領域３０-jの各チャネル上でＰウエル表面に形成され
た絶縁ゲート膜（図示せず）をそれぞれ介して形成され
ている。

【００３１】そして、ＳＤＧ領域３０-jの中央部のｎ型
拡散領域には前記水平信号線２６に相当する金属配線
（通常はアルミニウム配線）が接続されている。本実施
例では、各組のＳＤＧ領域３０-jは、中央部のｎ型拡散
領域が共有ドレイン領域Ｄとなって水平信号線２６に接
続され、共有ドレイン領域Ｄを挟んで両端部のｎ型拡散
領域がソース領域Ｓとなっている。

【００３２】この場合、各組のＳＤＧ領域３０-jにおけ
る共有ドレイン領域Ｄは、前記ソース領域Ｓの２個分よ
りも狭く形成されており、従来例のＳＤＧ領域における
ドレイン領域の２個分よりも狭く、本例では、従来例の
レイン領域の１個分に等しいように形成されている。

【００３３】したがって、前記水平選択トランジスタ２
３-iのうちのドレイン領域Ｄを共有する２個１組に着目
すると、従来例の水平選択トランジスタ２３-iの２個分
よりもドレイン領域とＰウエルとの接合容量が減少（本
例では半減）しており、水平選択トランジスタ２３-iの
数に依存する水平信号線２６の寄生容量３２が従来例の
寄生容量２９よりも減少（本例では半減）している。

【００３４】また、各組のＳＤＧ領域３０-j毎に水平信
号線２６に接続されているので、水平選択トランジスタ
２３-iと水平信号線２６とのコンタクト数が従来例より
も減少しているので、コンタクト容量も従来例より減少
している。

【００３５】さらに、各組のＳＤＧ領域３０-jは、従来
例のＳＤＧ領域の２個分よりも水平方向のサイズが短縮
されているので、これに伴い、各組のＳＤＧ領域３０-j
の各ソース領域Ｓと対応して接続される垂直信号線１８
-iのパターンが従来例から変更されている。

【００３６】即ち、図２において、各組のＳＤＧ領域３
０-jの両端部のソース領域Ｓにはそれぞれ対応して前記
垂直信号線１８-iに相当する金属配線（通常はアルミニ
ウム配線）が接続されている。

【００３７】ここで、本実施例では、垂直信号線１８-i
のうちの隣接する２本づつを１組として、各組の垂直信
号線１８-iの水平読み出しゲート側先端部の相互間隔が
前記各組のＳＤＧ領域３０-jの２個のソース領域Ｓの相
互間隔と一致するようにパターンが形成されており、本
実施例では、垂直信号線１８-iの隣接する２本を１組と
して水平読み出しゲート側先端部が互いに接近する方向
に段状に折れ曲げられたパターンを有する。

【００３８】上記したような図１、図２の構成を有する
ＣＭＯＳイメージセンサの動作は、前述した従来例の動
作と基本的には同様であるが、前述したように、水平選
択トランジスタ２３-iの数に依存する水平信号線２６の
寄生容量３２が減少（本例では半減）しているので、回
路の動作速度が速くなっている。

【００３９】ところで、前記各組のＳＤＧ領域３０-jに
おける一方のトランジスタのソース領域Ｓ・共有ドレイ
ン領域Ｄの配置関係と他方のトランジスタのソース領域
Ｓ・共有ドレイン領域Ｄの配置関係とは対称的である。
換言すれば、上記一方のトランジスタのソース領域Ｓの
パターンと他方のトランジスタのソース領域Ｓのパター
ンとは対称的であり、ソース領域の接合容量が相異なる
おそれがある。

【００４０】このことに起因して、水平シフトレジスタ
３により複数の水平選択トランジスタ２３-iのうちの１
個が順次選択されて駆動される時に、選択トランジスタ
２３-i毎にソース領域の接合容量が変化し、画像ノイズ
が発生するおそれがある。

【００４１】このような問題を解消するための第２実施
例について以下に説明する。図３は、第２実施例のＣＭ
ＯＳイメージセンサの等価回路を示している。図４は、
図２中の水平選択トランジスタの一部についてＳＤＧパ
ターンおよび垂直信号線１８-iとの接続パターンの一例
を示している。

【００４２】図３および図４に示したＣＭＯＳイメージ
センサは、図１および図２に示した第１実施例のＣＭＯ
Ｓイメージセンサと比べて、前述したように複数の水平
選択トランジスタ２３-iのうちの１個が順次選択されて
駆動される時に、選択トランジスタ毎にソース領域の接
合容量が変化することを補正するための２個の補正用ト
ランジスタ（第１の補正用トランジスタ２３n+1 および
第２の補正用トランジスタ２３n+2 ）をさらに具備して
いる点が異なり、その他は同じである。

【００４３】この２個の補正用トランジスタ２３n+1 、
２３n+2 のＳＤＧ領域４０は、前記水平選択トランジス
タ２３-iの各組のＳＤＧ領域３０-jと同様にドレイン領
域Ｄを共有し、この共有ドレイン領域Ｄを挟んで形成さ
れているソース領域Ｓ同士が連なってフローティング状
態になっており、例えば前記各組のＳＤＧ領域３０-jと
同列に配列されて形成されている。

【００４４】ここで、前記２個の補正用トランジスタ２
３n+1 、２３n+2 は、前記複数の水平選択トランジスタ
２３-iのうちの任意の１個が水平シフトレジスタ３によ
り選択されて駆動される時に、この１個の水平選択トラ
ンジスタとは対称的なソース領域・共有ドレイン領域の
配置関係を有する一方の補正用トランジスタが補正用ト
ランジスタ駆動回路４１により選択されて駆動される。

【００４５】上記補正用トランジスタ駆動回路４１は、
前記複数の水平選択トランジスタ２３-iの水平方向の奇
数番目のトランジスタの１個が選択される時には第２の
補正用トランジスタ２３n+2 を選択し、偶数番目のトラ
ンジスタの１個が選択される時には第１の補正用トラン
ジスタ２３n+1 を選択するようにゲート制御信号を供給
するように構成されており、その一例としてフリップフ
ロップ回路が用いられている。この場合、フリップフロ
ップ回路４１の相補的な一対の出力ノードを前記２個の
補正用トランジスタ２３n+1 、２３n+2 の一対のゲート
に接続し、このフリップフロップ回路４１を前記水平シ
フトレジスタ３のシフト動作に伴って反転動作させるよ
うにすればよい。

【００４６】また、前記補正用トランジスタ駆動回路４
１として、通常は前記２個の補正用トランジスタ２３-n
+1、２３-n+2をそれぞれオン状態にするようにそれぞれ
のゲートに“Ｈ”レベルのゲート制御信号を供給し、前
記複数の水平選択トランジスタ２３-iの水平方向の奇数
番目のトランジスタの１個が選択される時には第１の補
正用トランジスタ２３-n+1を選択してそのゲートに
“Ｌ”レベルのゲート制御信号を供給し、偶数番目のト
ランジスタの１個が選択される時には第２の補正用トラ
ンジスタ２３-n+2を選択してそのゲートに“Ｌ”レベル
のゲート制御信号を供給するように構成することが望ま
しい。

【００４７】このようにすれば、前記２個の補正用トラ
ンジスタ２３-n+1、２３-n+2は、前記複数の水平選択ト
ランジスタ２３-iのうちの任意の１個が水平シフトトラ
ンジスタ３により選択されてオン状態に駆動される時
に、この１個の選択トランジスタとは同じソース領域・
共有ドレイン領域の配置関係を有する一方の補正用トラ
ンジスタが補正用トランジスタ駆動回路４１により選択
されてオフ状態にされるので、前記任意の１個の水平選
択トランジスタのオン動作に伴って発生するスイッチン
グノイズを前記１個の補正用トランジスタのオフ動作に
伴って発生するスイッチングノイズにより打ち消すこと
が可能になる。

【００４８】なお、上記実施例は、図５を参照して前述
したような等価回路を有する１画素の単位セルのアレイ
を有する固体イメージセンサを示したが、２画素の単位
セルのアレイを有する固体イメージセンサにも本発明を
適用可能である。

【００４９】また、上記実施例は、ＣＭＯＳイメージセ
ンサを示したが、上記実施例に準じた水平読み出しゲー
ト部を有するＣＣＤイメージセンサにも本発明を適用可
能である。

【００５０】また、２画素もしくは複数画素のリセット
トランジスタ、アドレストランジスタ、増幅トランジス
タを共用し、読み出しトランジスタおよびフォトダイオ
ードが各々設けられているような画素構造においても適
用が可能である。

【００５１】

【発明の効果】上述したように本発明の固体撮像装置に
よれば、水平選択トランジスタの数に依存する水平信号
線の寄生容量を低減させ、回路動作の高速度化を図り、
この寄生容量の飛び込みノイズ量を低減させ、飛び込み
ノイズによって固体イメージセンサの出力信号の表示画
面に発生する縦筋などの画像ノイズを抑制し、鮮明な画
像を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例のＣＭＯＳイメージセンサ
の等価回路を示す図。

【図２】図１中の水平選択トランジスタの一部について
パターンＳＤＧおよび垂直信号線との接続パターンの一
例を示す図。

【図３】本発明の第２実施例のＣＭＯＳイメージセンサ
の等価回路を示す図。

【図４】図２中の水平選択トランジスタの一部について
ＳＤＧパターンおよび垂直信号線との接続パターンの一
例を示す図。

【図５】１画素毎に画素信号の読み出しが可能な読み出
し回路を備えたＣＭＯＳイメージセンサの従来例を示す
等価回路図。

【図６】図５の固体イメージセンサの動作の一例を示す
タイミング波形図。

【図７】図５中のＣＭＯＳイメージセンサの水平読み出
しゲート部の一部のパターンを示す図。

【符号の説明】

１…セル領域（撮像領域）、 ２…垂直シフトレジスタ、 ３…水平シフトレジスタ、 ４…読取り線、 ６…垂直選択線、 ７…リセット線、 ８…フォトダイオード ９…電源線、 １０…タイミング発生回路、 １２…負荷トランジスタ、 １３…１画素の単位セル、 １５…増幅トランジスタ、 １６…垂直選択トランジスタ、 １７…リセットトランジスタ、 １８-i…垂直信号線、 １９…サンプルホールド用のトランジスタ、 ２０…結合コンデンサ、 ２１…信号電荷一時蓄積用のコンデンサ、 ＳＮ…信号保存ノード、 ２２…電位クランプ用のトランジスタ、 ２３-i…水平選択トランジスタ、 ２５-i…ノイズキャンセラー回路、 ２６…水平信号線、 ２７…出力増幅回路、 ２８…水平リセットトランジスタ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 日下部 博巳 神奈川県川崎市幸区堀川町580番１号 株 式会社東芝半導体システム技術センター内

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光電変換素子を含む単位セルの複数個が
   半導体基板上に二次元の行列状に配置されて形成された
   撮像領域と、 前記撮像領域における同一行の単位セルを選択する行選
   択手段と、 前記行選択手段により選択された同一行の単位セルから
   それぞれ信号が読み出される複数の垂直信号線と、 前記撮像領域における同一行の単位セルからそれぞれ信
   号が読み出される複数の垂直信号線と、 前記複数の垂直信号線にそれぞれ読み出された信号を順
   次選択するための複数の水平選択トランジスタを有する
   水平読み出しゲート部と、 前記水平読み出しゲート部により選択された信号が転送
   される水平信号線とを具備し、 前記複数の水平選択トランジスタのうちの隣接する２個
   を１組とし、各組の水平選択トランジスタは一端部同士
   が一括接続されていることを特徴とする固体撮像装置。
2. 【請求項２】 請求項１記載の固体撮像装置において、 前記各水平選択トランジスタは、半導体基板の表層部に
   選択的に形成されたＰウエルに形成されたＳＤＧ領域を
   有するＮＭＯＳトランジスタからなり、 各組の水平選択トランジスタのＳＤＧ領域は水平方向に
   配列されており、各組のＳＤＧ領域の相互間には素子分
   離領域が存在し、 各組のＳＤＧ領域は、前記水平信号線に接続される一端
   部であるドレイン領域を共有し、この１個の共有ドレイ
   ン領域を挟んで２個のソース領域が形成されていること
   を特徴とする固体撮像装置。
3. 【請求項３】 請求項２記載の固体撮像装置において、 前記各組のＳＤＧ領域における共有ドレイン領域は、前
   記ソース領域の２個分よりも狭く形成されていることを
   特徴とする固体撮像装置。
4. 【請求項４】 請求項２または３記載の固体撮像装置に
   おいて、 前記複数の垂直信号線のうちの隣接する２本を１組とし
   て、各組の垂直信号線の水平読み出しゲート側先端部の
   相互間隔が前記各組のＳＤＧ領域の各ソース領域の相互
   間隔と一致するようにパターンが形成されており、 前記各組の隣接する２本の垂直信号線の水平読み出しゲ
   ート側先端部が互いに接近する方向に段状に折れ曲げら
   れていることを特徴とする固体撮像装置。
5. 【請求項５】 請求項２乃至４のいずれか１項に記載の
   固体撮像装置において、 前記各組のＳＤＧ領域と同じサイズのドレイン領域を共
   有し、この１個の共有ドレイン領域を挟んで形成されて
   いる２個のソース領域が連なるＳＤＧ領域を有する２個
   の補正用トランジスタをさらに具備し、 前記２個の補正用トランジスタは、前記複数の水平選択
   トランジスタのうちの任意の１個が選択されて駆動され
   る時に、この１個の水平選択トランジスタとは同じソー
   ス領域・共有ドレイン領域の配置関係を有する一方の補
   正用トランジスタが選択されてオフ状態にされることを
   特徴とする固体撮像装置。
6. 【請求項６】 請求項１記載の固体撮像装置において、 前記各単位セルは、 アノード側に接地電位が与えられるフォトダイオード
   と、 前記フォトダイオードのカソード側に一端側が接続さ
   れ、ゲートに読取り線が接続された読み出しトランジス
   タと、 前記読み出しトランジスタの他端側にゲートが接続さ
   れ、一端側に垂直信号線が接続されたた増幅トランジス
   タと、 前記増幅トランジスタの他端側に一端側が接続され、ゲ
   ートには垂直選択線が接続され、他端側に電源線が接続
   された垂直選択トランジスタと、 前記増幅トランジスタのゲートと前記電源線との間に接
   続され、ゲートにはリセット線が接続されたリセットト
   ランジスタとを具備することを特徴とする固体撮像装
   置。
7. 【請求項７】 請求項１乃至６のいずれか１項に記載の
   固体撮像装置において、さらに、 前記複数の垂直信号線の各一端側と所定の電源ノードと
   の間にそれぞれ接続された複数の負荷トランジスタと、 前記複数の垂直信号線の各他端側と前記水平読み出しゲ
   ート部との間にそれぞれ接続されたノイズキャンセラー
   回路と、 前記水平信号線に接続された出力増幅回路と、 前記水平信号線と接地ノードとの間に接続された水平リ
   セットトランジスタとを具備することを特徴とする固体
   撮像装置。