JPH11348179A - 金属薄膜基板の製造法 - Google Patents
金属薄膜基板の製造法Info
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- JPH11348179A JPH11348179A JP10153409A JP15340998A JPH11348179A JP H11348179 A JPH11348179 A JP H11348179A JP 10153409 A JP10153409 A JP 10153409A JP 15340998 A JP15340998 A JP 15340998A JP H11348179 A JPH11348179 A JP H11348179A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】特別な接着剤や機械的手段を用いる事なく、簡
単確実に所望の位置に所望の回路要素を強力に接着した
り、またそれ自身を所望の部材に接着したりでき、さら
に微細回路を容易に形成し得るプリント配線板およびプ
リント配線板の製造に利用し得る金属薄膜基板を提供す
る。 【解決手段】耐熱性絶縁基材からなる主体層の片面に、
熱可塑性ポリイミド樹脂からなる溶融接着層ともう一方
の主面上に第一層としてスパッタリング法で形成した銅
薄膜層と、該銅薄膜層上に第二層として電気メッキ法で
形成した銅厚層とから成る銅薄膜基板の溶融接着層側に
金属箔層を重ね合わせ、加熱圧着することによって金属
薄膜基板を製造する。さらにその金属薄膜基板を用いて
プリント配線板を製造する。
単確実に所望の位置に所望の回路要素を強力に接着した
り、またそれ自身を所望の部材に接着したりでき、さら
に微細回路を容易に形成し得るプリント配線板およびプ
リント配線板の製造に利用し得る金属薄膜基板を提供す
る。 【解決手段】耐熱性絶縁基材からなる主体層の片面に、
熱可塑性ポリイミド樹脂からなる溶融接着層ともう一方
の主面上に第一層としてスパッタリング法で形成した銅
薄膜層と、該銅薄膜層上に第二層として電気メッキ法で
形成した銅厚層とから成る銅薄膜基板の溶融接着層側に
金属箔層を重ね合わせ、加熱圧着することによって金属
薄膜基板を製造する。さらにその金属薄膜基板を用いて
プリント配線板を製造する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、微細回路（通常、
導体幅５０μｍ以下、導体間５０μｍ以下を言う）を有
するプリント配線板あるいは半導体分野で使用する電子
部品のデバイス、センサ−等を製造するのに用いられる
金属薄膜基板に関するものである。
導体幅５０μｍ以下、導体間５０μｍ以下を言う）を有
するプリント配線板あるいは半導体分野で使用する電子
部品のデバイス、センサ−等を製造するのに用いられる
金属薄膜基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のフレキシブル回路基板はエポキシ
樹脂等の接着剤を用いて、ポリイミドフィルムと金属箔
と貼り合わせることにより製造されているために耐熱性
・耐薬品性・電気特性等の特性は、使用されている接着
剤の特性に支配され、ポリイミドの優れた諸特性が十分
に活かされず、特に耐熱性の点でも十分なものでなかっ
た。また、銅箔については、１８μｍ、３５μｍのもの
が使用されており。近年の高密度化及び高性能化に伴う
微細な回路形成に十分対応できるものではない。そこ
で、銅箔の薄膜化は、真空蒸着法、スパッタリング法、
イオンプレーティング法、無電解メッキ法等により、耐
熱性絶縁基材に銅の薄膜層を形成する事によって製造が
試みられているが、種々の問題があり、微細な回路を有
するプリント配線板の製造に適するものはない。有機物
の接着剤層を有せず且つ可能な限り薄い銅層を有する金
属薄膜基板が要求されている。
樹脂等の接着剤を用いて、ポリイミドフィルムと金属箔
と貼り合わせることにより製造されているために耐熱性
・耐薬品性・電気特性等の特性は、使用されている接着
剤の特性に支配され、ポリイミドの優れた諸特性が十分
に活かされず、特に耐熱性の点でも十分なものでなかっ
た。また、銅箔については、１８μｍ、３５μｍのもの
が使用されており。近年の高密度化及び高性能化に伴う
微細な回路形成に十分対応できるものではない。そこ
で、銅箔の薄膜化は、真空蒸着法、スパッタリング法、
イオンプレーティング法、無電解メッキ法等により、耐
熱性絶縁基材に銅の薄膜層を形成する事によって製造が
試みられているが、種々の問題があり、微細な回路を有
するプリント配線板の製造に適するものはない。有機物
の接着剤層を有せず且つ可能な限り薄い銅層を有する金
属薄膜基板が要求されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述の問題
を解決しようとするものであり、具体的には、本発明の
目的は、特別な接着剤を用意する必要がなく、簡単確実
に所望の位置に所望の回路要素を強力に接着したり、ま
たそれ自身を所望の部材に接着したりできる。さらに微
細回路を容易に形成し得るプリント配線板およびプリン
ト配線板の製造に利用し得る金属薄膜基板を提供するこ
とにある。
を解決しようとするものであり、具体的には、本発明の
目的は、特別な接着剤を用意する必要がなく、簡単確実
に所望の位置に所望の回路要素を強力に接着したり、ま
たそれ自身を所望の部材に接着したりできる。さらに微
細回路を容易に形成し得るプリント配線板およびプリン
ト配線板の製造に利用し得る金属薄膜基板を提供するこ
とにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、耐熱性
絶縁基材からなる主体層の一方の表面に、熱可塑性ポリ
イミド樹脂からなる溶融接着層ともう一方の主面上に第
一層としてスパッタリング法で形成した銅薄膜層と、該
銅薄膜層上に第二層として電気メッキ法で形成した銅厚
層とから成る銅薄膜基板によって達成される。
絶縁基材からなる主体層の一方の表面に、熱可塑性ポリ
イミド樹脂からなる溶融接着層ともう一方の主面上に第
一層としてスパッタリング法で形成した銅薄膜層と、該
銅薄膜層上に第二層として電気メッキ法で形成した銅厚
層とから成る銅薄膜基板によって達成される。
【０００５】本発明は、（１）耐熱性絶縁基材からなる
主体層の一方の主面に、熱可塑性ポリイミド樹脂からな
る溶融接着層と他方の主面上に第一層としてスパッタリ
ング法で形成した銅薄膜層と、該銅薄膜層上に第二層と
して電気メッキ法で形成した銅厚層とから成る銅薄膜基
板の溶融接着層側に金属箔層を重ね合わせ、加熱圧着す
ることによって製造されることを特徴とする金属薄膜基
板の製造法であり、（２）耐熱性絶縁基材からなる主体
層の一方の主面に、熱可塑性ポリイミド樹脂からなる溶
融接着層と他方の主面上に第一層としてスパッタリング
法で形成した銅薄膜層とから成る銅薄膜基板の溶融接着
層側に金属箔層を重ね合わせ、加熱圧着することによっ
て製造されることを特徴とする金属薄膜基板の製造法で
あり、（３）スパッタリング法で形成する第一層の銅薄
膜層の銅厚が、１μｍ以下であることを特徴とする、
（１）または（２）のいずれかに記載の金属薄膜基板で
あり、（４）第二層の電気メッキ法で形成する銅厚層の
銅厚が、１μｍ以上、１８μｍ以下であることを特徴と
する（１）に記載の金属薄膜基板であり、（５）耐熱性
絶縁基材が、非熱可塑性ポリイミドフィルムであること
を特徴とする（１）〜（４）のいずれかに記載の金属薄
膜基板であり、（６）金属箔の種類として、銅、鉄、ニ
ッケル、クロム、モリブデン、アルミニウムまたはこれ
らを主体とする合金からなる金属箔であることを特徴と
する（１）〜（５）のいずれかに記載の金属薄膜基板で
あり、（７）（１）〜（６）のいずれかに記載の金属薄
膜基板を使用して回路が形成されることを特徴とするプ
リント配線板の製造法である。
主体層の一方の主面に、熱可塑性ポリイミド樹脂からな
る溶融接着層と他方の主面上に第一層としてスパッタリ
ング法で形成した銅薄膜層と、該銅薄膜層上に第二層と
して電気メッキ法で形成した銅厚層とから成る銅薄膜基
板の溶融接着層側に金属箔層を重ね合わせ、加熱圧着す
ることによって製造されることを特徴とする金属薄膜基
板の製造法であり、（２）耐熱性絶縁基材からなる主体
層の一方の主面に、熱可塑性ポリイミド樹脂からなる溶
融接着層と他方の主面上に第一層としてスパッタリング
法で形成した銅薄膜層とから成る銅薄膜基板の溶融接着
層側に金属箔層を重ね合わせ、加熱圧着することによっ
て製造されることを特徴とする金属薄膜基板の製造法で
あり、（３）スパッタリング法で形成する第一層の銅薄
膜層の銅厚が、１μｍ以下であることを特徴とする、
（１）または（２）のいずれかに記載の金属薄膜基板で
あり、（４）第二層の電気メッキ法で形成する銅厚層の
銅厚が、１μｍ以上、１８μｍ以下であることを特徴と
する（１）に記載の金属薄膜基板であり、（５）耐熱性
絶縁基材が、非熱可塑性ポリイミドフィルムであること
を特徴とする（１）〜（４）のいずれかに記載の金属薄
膜基板であり、（６）金属箔の種類として、銅、鉄、ニ
ッケル、クロム、モリブデン、アルミニウムまたはこれ
らを主体とする合金からなる金属箔であることを特徴と
する（１）〜（５）のいずれかに記載の金属薄膜基板で
あり、（７）（１）〜（６）のいずれかに記載の金属薄
膜基板を使用して回路が形成されることを特徴とするプ
リント配線板の製造法である。
【０００６】
【発明の実施の形態】スパッタリング法による銅薄膜層
の形成方法は種々有るが、特に限定される条件はない。
形成すべき薄膜に対応させて適宜ターゲットを選択して
用いることは当業者の理解するところである。スパッタ
リングの方式にも限定される条件はなく、ＤＣマグネト
ロンスパッタリング、高周波マグネトロンスパッタリン
グ、イオンビームスパッタリング等の方式が有利に用い
られる。
の形成方法は種々有るが、特に限定される条件はない。
形成すべき薄膜に対応させて適宜ターゲットを選択して
用いることは当業者の理解するところである。スパッタ
リングの方式にも限定される条件はなく、ＤＣマグネト
ロンスパッタリング、高周波マグネトロンスパッタリン
グ、イオンビームスパッタリング等の方式が有利に用い
られる。
【０００７】本発明においては、耐熱性絶縁基材と第一
層の銅薄膜層との間に、スパッタリング法で下地金属層
を形成させることが密着性の点から好ましい。下地金属
層は、コバルト、ニッケル、クロム、ニクロム、チタ
ン、モリブデン、タングステン、亜鉛、錫、インジウ
ム、インジウム錫、シリコン、モネルメタル等ならびに
これらの酸化物、炭化物、窒化物等が有用である。下地
金属層の厚みは０．０３〜０．１μｍで充分である。
０．０３μｍ未満では密着性の効果が充分でない、さら
に、ピンホールの存在が認められる。０．１μｍを越え
ると導電性の低下、エッチングによる回路加工性の低
下、コストの増加等の問題が顕在化してくる。
層の銅薄膜層との間に、スパッタリング法で下地金属層
を形成させることが密着性の点から好ましい。下地金属
層は、コバルト、ニッケル、クロム、ニクロム、チタ
ン、モリブデン、タングステン、亜鉛、錫、インジウ
ム、インジウム錫、シリコン、モネルメタル等ならびに
これらの酸化物、炭化物、窒化物等が有用である。下地
金属層の厚みは０．０３〜０．１μｍで充分である。
０．０３μｍ未満では密着性の効果が充分でない、さら
に、ピンホールの存在が認められる。０．１μｍを越え
ると導電性の低下、エッチングによる回路加工性の低
下、コストの増加等の問題が顕在化してくる。
【０００８】本発明の金属薄膜基板の第二層の銅厚層の
連続形成方法は、電気メッキ法によるもので、銅厚は、
１μｍ以上、１８μｍ以下である。銅厚は、目的とする
微細な回路形成の種類により選択するが、１０μｍ以下
の銅厚が一般的な傾向である。本発明によれば経済的に
も実用性があるピンホール皆無の銅薄膜基板が得られ
る。本発明の金属薄膜基板の第二層の任意の銅厚層を連
続形成する電気メッキ法は公知の方法によるものであ
る。
連続形成方法は、電気メッキ法によるもので、銅厚は、
１μｍ以上、１８μｍ以下である。銅厚は、目的とする
微細な回路形成の種類により選択するが、１０μｍ以下
の銅厚が一般的な傾向である。本発明によれば経済的に
も実用性があるピンホール皆無の銅薄膜基板が得られ
る。本発明の金属薄膜基板の第二層の任意の銅厚層を連
続形成する電気メッキ法は公知の方法によるものであ
る。
【０００９】本発明の金属薄膜基板に使用する耐熱性絶
縁基材は、各種ポリイミドフィルムであるが、例えば、
カプトンフィルム（東レ・デュポン（株）製）、アピカ
ルフィルム（鐘淵化学工業（株）製）、ユーピレックス
フィルム（宇部興産（株）製）等で、厚みは２５μｍ、
５０μｍが実用的である。
縁基材は、各種ポリイミドフィルムであるが、例えば、
カプトンフィルム（東レ・デュポン（株）製）、アピカ
ルフィルム（鐘淵化学工業（株）製）、ユーピレックス
フィルム（宇部興産（株）製）等で、厚みは２５μｍ、
５０μｍが実用的である。
【００１０】本発明の金属薄膜基板に使用する熱可塑性
ポリイミドは、主鎖にイミド構造を有するポリマーであ
って、ガラス転移温度が、好ましくは１５０℃〜３５０
℃の範囲内にあり、このガラス転移温度以上の温度領域
では、弾性率が急激に低下するものを言う。
ポリイミドは、主鎖にイミド構造を有するポリマーであ
って、ガラス転移温度が、好ましくは１５０℃〜３５０
℃の範囲内にあり、このガラス転移温度以上の温度領域
では、弾性率が急激に低下するものを言う。
【００１１】本発明の金属薄膜基板に使用する金属箔の
種類には特に限定は無く、銅および銅合金、鉄、ニッケ
ル、モリブデン、アルミニウム、ステンレス鋼、ベリリ
ウム銅合金などが使用できる。
種類には特に限定は無く、銅および銅合金、鉄、ニッケ
ル、モリブデン、アルミニウム、ステンレス鋼、ベリリ
ウム銅合金などが使用できる。
【００１２】以下に、本発明の金属薄膜基板の製造につ
いて記載する。使用目的に適した長尺ポリイミドフィル
ムに熱可塑性ポリイミドを積層する。この熱可塑性ポリ
イミドは、該ポリイミドあるいは該ポリイミドの前駆体
を溶媒に溶解した状態でポリイミドフィルム上に塗布
し、これをタックフリーの状態まで加熱することが好ま
しい。塗布する方法には特に限定はなく、コンマコータ
ー、ナイフコーター、ロールコーター、リバースコータ
ー、ダイコーター、グラビアコーター、ワイヤーバー等
の公知の塗布装置を使用することができる。また加熱方
法には熱風、熱窒素、遠赤外線、高周波等公知の方法を
使用することができる。
いて記載する。使用目的に適した長尺ポリイミドフィル
ムに熱可塑性ポリイミドを積層する。この熱可塑性ポリ
イミドは、該ポリイミドあるいは該ポリイミドの前駆体
を溶媒に溶解した状態でポリイミドフィルム上に塗布
し、これをタックフリーの状態まで加熱することが好ま
しい。塗布する方法には特に限定はなく、コンマコータ
ー、ナイフコーター、ロールコーター、リバースコータ
ー、ダイコーター、グラビアコーター、ワイヤーバー等
の公知の塗布装置を使用することができる。また加熱方
法には熱風、熱窒素、遠赤外線、高周波等公知の方法を
使用することができる。
【００１３】所望のポリイミド層が形成された後、層中
の揮発成分を除去し、かつポリイミドの前駆体を塗布し
た場合には縮合反応を完了するために、十分に加熱する
ことが必要である。この場合の加熱方法も、上記に準じ
た各種の公知の方法を使用することができる。加熱温度
は積層されるポリイミドのガラス転移温度以上の温度が
好ましい。
の揮発成分を除去し、かつポリイミドの前駆体を塗布し
た場合には縮合反応を完了するために、十分に加熱する
ことが必要である。この場合の加熱方法も、上記に準じ
た各種の公知の方法を使用することができる。加熱温度
は積層されるポリイミドのガラス転移温度以上の温度が
好ましい。
【００１４】溶融接着材層を形成後、もう一方の面を銅
ターゲット側に位置するようにスパッタリング装置の繰
り出し部に設置する。規定のスパッタリング銅厚が形成
されるように予め定められた最適な条件下で銅薄膜層を
長尺連続形成し、樹脂製の管に巻き取り、第一層のスパ
ッタリングによる銅薄膜層の形成を完了する。さらに、
銅薄膜層上に第二層として銅厚層を形成するには、第一
層のスパッタリングによる銅薄膜層が形成された長尺ポ
リイミドフィルムを、第二層の電気メッキによる銅厚層
を形成するべく電気メッキ装置の繰り出し部に設置す
る。規定の銅厚が形成されるように予め定められた最適
な条件下で銅厚層を形成し、樹脂製の管に巻き取り、第
二層の電気メッキによる銅厚層の形成を完了する。第一
層のスパッタリングによる銅薄膜層が形成された長尺ポ
リイミドフィルムをいったん巻きとることなく、電気メ
ッキ工程へ供給し、第二層の銅厚層の形成を連続工程で
行うことも可能である。上記の銅薄膜基板の製造は可能
な限りクリーンな環境下で進める事と電気メッキ液の管
理を厳重に行う事が好ましい。
ターゲット側に位置するようにスパッタリング装置の繰
り出し部に設置する。規定のスパッタリング銅厚が形成
されるように予め定められた最適な条件下で銅薄膜層を
長尺連続形成し、樹脂製の管に巻き取り、第一層のスパ
ッタリングによる銅薄膜層の形成を完了する。さらに、
銅薄膜層上に第二層として銅厚層を形成するには、第一
層のスパッタリングによる銅薄膜層が形成された長尺ポ
リイミドフィルムを、第二層の電気メッキによる銅厚層
を形成するべく電気メッキ装置の繰り出し部に設置す
る。規定の銅厚が形成されるように予め定められた最適
な条件下で銅厚層を形成し、樹脂製の管に巻き取り、第
二層の電気メッキによる銅厚層の形成を完了する。第一
層のスパッタリングによる銅薄膜層が形成された長尺ポ
リイミドフィルムをいったん巻きとることなく、電気メ
ッキ工程へ供給し、第二層の銅厚層の形成を連続工程で
行うことも可能である。上記の銅薄膜基板の製造は可能
な限りクリーンな環境下で進める事と電気メッキ液の管
理を厳重に行う事が好ましい。
【００１５】上記のごとく得られた銅薄膜基板の熱融着
層側に金属箔を重ね合わせ、加熱圧着することにより金
属薄膜基板が完成する。この加熱圧着する方法は、熱ロ
−ルを用いて熱ラミネ−トをする方法やホットプレス等
の公知の方法を適宜使用することが出来る。加熱条件
は、用いられる熱可塑性ポリイミドのガラス転移温度以
上、より好ましくはこの点より２０℃以上あればよい。
加圧条件は、一般に１．９６〜１４．７ＭＰａ/cm2の範
囲が用いられる。
層側に金属箔を重ね合わせ、加熱圧着することにより金
属薄膜基板が完成する。この加熱圧着する方法は、熱ロ
−ルを用いて熱ラミネ−トをする方法やホットプレス等
の公知の方法を適宜使用することが出来る。加熱条件
は、用いられる熱可塑性ポリイミドのガラス転移温度以
上、より好ましくはこの点より２０℃以上あればよい。
加圧条件は、一般に１．９６〜１４．７ＭＰａ/cm2の範
囲が用いられる。
【００１６】本発明の金属薄膜基板のポリイミドフィル
ムと銅薄膜層との接着強度及びピンホールの測定を以下
に記載する。接着強度の測定は、長尺の銅薄膜基板の両
端からサンプリングしたものにつき、ＩＰＣ−ＴＭ−６
５０−２．４．９に準じて行う。一方、ピンホールの測
定は、接着強度と同様にサンプリングしたものにつきラ
イトテーブル上で下方からの光の通過を確認する。
ムと銅薄膜層との接着強度及びピンホールの測定を以下
に記載する。接着強度の測定は、長尺の銅薄膜基板の両
端からサンプリングしたものにつき、ＩＰＣ−ＴＭ−６
５０−２．４．９に準じて行う。一方、ピンホールの測
定は、接着強度と同様にサンプリングしたものにつきラ
イトテーブル上で下方からの光の通過を確認する。
【００１７】次に、本発明の金属薄膜基板を用いて、サ
ブトラクティブ法により微細な回路を有するプリント配
線板の製造を以下に記載する。先ず、必要に応じて銅面
を前処理した銅薄膜基板の銅面に液状フォトエッチング
レジストインクを全面塗布するか、あるいはドライフィ
ルムを全面に貼り付け、所望の回路パターンを有するフ
ォトマスクを紫外線等の活性光線を通す事によってレジ
スト材を露光し、現像して所望の回路パターンを形成す
る。しかる後に、塩化第二鉄、塩化第二銅、過硫酸塩
類、アルカリエッチャント等のエッチング液により、回
路パターン以外の銅面を溶解除去し、所望の微細回路を
有するプリント配線板を得るのである。
ブトラクティブ法により微細な回路を有するプリント配
線板の製造を以下に記載する。先ず、必要に応じて銅面
を前処理した銅薄膜基板の銅面に液状フォトエッチング
レジストインクを全面塗布するか、あるいはドライフィ
ルムを全面に貼り付け、所望の回路パターンを有するフ
ォトマスクを紫外線等の活性光線を通す事によってレジ
スト材を露光し、現像して所望の回路パターンを形成す
る。しかる後に、塩化第二鉄、塩化第二銅、過硫酸塩
類、アルカリエッチャント等のエッチング液により、回
路パターン以外の銅面を溶解除去し、所望の微細回路を
有するプリント配線板を得るのである。
【００１８】以下に本発明の実施例を具体的に説明す
る。
る。
【実施例】実施例１ 市販の長尺のポリミドフィルム（鐘淵化学工業（株）製
アピカルＮＰＩ、厚み２５μｍ）に熱可塑性ポリイミ
ドの前駆体であるポリアミド酸溶液（三井化学（株）
製、）を、塗工機によってポリイミドフィルムの主面に
塗布・乾燥して溶融接着層（厚み１０μｍ）を得る。さ
らにもう一方の主面に連続スパッタリングにて０．２５
μｍの銅薄膜層を形成し、第二層として電気メッキで銅
厚層（５μm ）を形成することで、銅薄膜基板を得た。
この銅薄膜基板の銅薄膜層とポリイミドフィルムとの接
着強度は１４．７Ｎ／ｃｍであり、且つ、ピンホールは
皆無であった。
アピカルＮＰＩ、厚み２５μｍ）に熱可塑性ポリイミ
ドの前駆体であるポリアミド酸溶液（三井化学（株）
製、）を、塗工機によってポリイミドフィルムの主面に
塗布・乾燥して溶融接着層（厚み１０μｍ）を得る。さ
らにもう一方の主面に連続スパッタリングにて０．２５
μｍの銅薄膜層を形成し、第二層として電気メッキで銅
厚層（５μm ）を形成することで、銅薄膜基板を得た。
この銅薄膜基板の銅薄膜層とポリイミドフィルムとの接
着強度は１４．７Ｎ／ｃｍであり、且つ、ピンホールは
皆無であった。
【００１９】この銅薄膜基板の熱融着層側にステンレス
箔（日新製鋼製、SUS304H-TA 厚み20μm ）を重ね合わ
せ、熱ロールを用いて加熱圧着（加熱温度240℃）を行
い、所望の金属薄膜基板を得た。
箔（日新製鋼製、SUS304H-TA 厚み20μm ）を重ね合わ
せ、熱ロールを用いて加熱圧着（加熱温度240℃）を行
い、所望の金属薄膜基板を得た。
【００２０】信号線はこの導体層上に液状フォトエッチ
ングレジストインクをロールコーターで全面塗布し、乾
燥して液状フォトエッチングレジストインクの皮膜を形
成した。次に所望の微細回路を有するフォトマスクを介
して回路パターン部分を露光し、回路皮膜を形成し、現
像して所望の回路パターンを得た。しかる後、塩化第二
鉄でエッチングし、回路パターン以外の導体層を溶解除
去し、回路パターン上の液状フォトエッチングレジスト
インク被膜を除去して所望の微細回路を有するプリント
配線板を得た。得られたプリント配線板の導体幅（Ｌ）
及び導体間（Ｓ）は、Ｌ／Ｓ＝１５／１５μｍの微細回
路であった。また半田耐熱試験後（３００℃、１０秒
間）の膨れ、剥がれ等の外観上の変化は観測されなかっ
た。
ングレジストインクをロールコーターで全面塗布し、乾
燥して液状フォトエッチングレジストインクの皮膜を形
成した。次に所望の微細回路を有するフォトマスクを介
して回路パターン部分を露光し、回路皮膜を形成し、現
像して所望の回路パターンを得た。しかる後、塩化第二
鉄でエッチングし、回路パターン以外の導体層を溶解除
去し、回路パターン上の液状フォトエッチングレジスト
インク被膜を除去して所望の微細回路を有するプリント
配線板を得た。得られたプリント配線板の導体幅（Ｌ）
及び導体間（Ｓ）は、Ｌ／Ｓ＝１５／１５μｍの微細回
路であった。また半田耐熱試験後（３００℃、１０秒
間）の膨れ、剥がれ等の外観上の変化は観測されなかっ
た。
【００２１】実施例２ 実施例１においてステンレス箔を用いる替わりに、ニッ
ケル箔（東洋製箔製、厚み20μm）を用いた以外は実施
例１と同様の手順でプリント配線板を製造した。
ケル箔（東洋製箔製、厚み20μm）を用いた以外は実施
例１と同様の手順でプリント配線板を製造した。
【００２２】比較例１ 実施例１において、電気メッキの銅厚層の厚みが２０μ
ｍである以外は、実施例１と同様の手順でプリント配線
板を製造した。得られた微細回路部（Ｌ／Ｓ＝１５／１
５μｍ）を光学顕微鏡（４０倍）で観察した結果、短絡
部が多数観測され、微細回路の形成は不可能であった。
ｍである以外は、実施例１と同様の手順でプリント配線
板を製造した。得られた微細回路部（Ｌ／Ｓ＝１５／１
５μｍ）を光学顕微鏡（４０倍）で観察した結果、短絡
部が多数観測され、微細回路の形成は不可能であった。
【００２３】比較例２ 実施例１において、溶融接着層に熱可塑性ポリイミドを
使用する代わりにエポキシ系接着剤（ニッカン工業
（株）ＮＩＫＡＦＬＥＸ）を用いる以外は、実施例１と
同様の手順でプリント配線板を製造した。得られたプリ
ント配線板の半田耐熱性試験（３００℃、１０秒間）を
行ったところ、接着剤層に膨れ剥がれが観測された。
使用する代わりにエポキシ系接着剤（ニッカン工業
（株）ＮＩＫＡＦＬＥＸ）を用いる以外は、実施例１と
同様の手順でプリント配線板を製造した。得られたプリ
ント配線板の半田耐熱性試験（３００℃、１０秒間）を
行ったところ、接着剤層に膨れ剥がれが観測された。
【００２４】
【発明の効果】本発明の金属薄膜基板を使用して、プリ
ント配線板を製造するにあたり、特別な接着剤を使用す
る必要がなく、さらに微細な回路形成が通常のサブスト
ラクティブ法でも容易に且つ正確になった。
ント配線板を製造するにあたり、特別な接着剤を使用す
る必要がなく、さらに微細な回路形成が通常のサブスト
ラクティブ法でも容易に且つ正確になった。
【図１】本発明の金属薄膜基板の層構成の一例である。
【図２】本発明の金属薄膜基板の層構成の一例である。
１０、２０ 金属薄膜基板 １１、２１ 耐熱性絶縁基材 １２、２２ 銅薄膜層 １３ 銅厚層 １４、２４ 溶融接着層 １５、２５ 金属箔
Claims (7)
- 【請求項１】耐熱性絶縁基材からなる主体層の一方の主
面に、熱可塑性ポリイミド樹脂からなる溶融接着層と他
方の主面上に第一層としてスパッタリング法で形成した
銅薄膜層と、該銅薄膜層上に第二層として電気メッキ法
で形成した銅厚層とから成る銅薄膜基板の溶融接着層側
に金属箔層を重ね合わせ、加熱圧着することによって製
造されることを特徴とする金属薄膜基板の製造法。 - 【請求項２】耐熱性絶縁基材からなる主体層の一方の主
面に、熱可塑性ポリイミド樹脂からなる溶融接着層と他
方の主面上にスパッタリング法で形成した銅薄膜層とか
ら成る銅薄膜基板の溶融接着層側に金属箔層を重ね合わ
せ、加熱圧着することによって製造されることを特徴と
する金属薄膜基板の製造法。 - 【請求項３】スパッタリング法で形成する銅薄膜層の銅
厚が、１μｍ以下であることを特徴とする請求項１また
は２のいずれかに記載の金属薄膜基板の製造法。 - 【請求項４】電気メッキ法で形成する銅厚層の銅厚が、
１μｍ以上、１８μｍ以下であることを特徴とする請求
項１に記載の金属薄膜基板の製造法。 - 【請求項５】耐熱性絶縁基材が、非熱可塑性ポリイミド
フィルムであることを特徴とする請求項１〜４のいずれ
かに記載の金属薄膜基板の製造法。 - 【請求項６】金属箔の種類として、銅、鉄、ニッケル、
クロム、モリブデン、ステンレス、アルミニウムまたは
これらを主体とする合金からなる金属箔であることを特
徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の金属薄膜基板
の製造法。 - 【請求項７】請求項１〜６のいずれかに記載の金属薄膜
基板を使用して回路が形成されることを特徴とするプリ
ント配線板の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10153409A JPH11348179A (ja) | 1998-06-02 | 1998-06-02 | 金属薄膜基板の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10153409A JPH11348179A (ja) | 1998-06-02 | 1998-06-02 | 金属薄膜基板の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11348179A true JPH11348179A (ja) | 1999-12-21 |
Family
ID=15561865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10153409A Pending JPH11348179A (ja) | 1998-06-02 | 1998-06-02 | 金属薄膜基板の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11348179A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004050352A1 (ja) * | 2002-12-05 | 2004-06-17 | Kaneka Corporation | 積層体、プリント配線板およびそれらの製造方法 |
| JP2004299313A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Nippon Steel Chem Co Ltd | 配線基板用ポリイミド積層体 |
| WO2005066955A1 (ja) * | 2004-01-05 | 2005-07-21 | Nippon Steel Corporation | Hddサスペンション用基板材料 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08230101A (ja) * | 1995-02-28 | 1996-09-10 | Ube Ind Ltd | 金属箔積層のポリイミドフィルム |
| JPH08230103A (ja) * | 1995-02-27 | 1996-09-10 | Ube Ind Ltd | 金属箔積層ポリイミドフィルム |
| JPH09136378A (ja) * | 1995-11-14 | 1997-05-27 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 銅薄膜基板及びプリント配線板 |
-
1998
- 1998-06-02 JP JP10153409A patent/JPH11348179A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08230103A (ja) * | 1995-02-27 | 1996-09-10 | Ube Ind Ltd | 金属箔積層ポリイミドフィルム |
| JPH08230101A (ja) * | 1995-02-28 | 1996-09-10 | Ube Ind Ltd | 金属箔積層のポリイミドフィルム |
| JPH09136378A (ja) * | 1995-11-14 | 1997-05-27 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 銅薄膜基板及びプリント配線板 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004050352A1 (ja) * | 2002-12-05 | 2004-06-17 | Kaneka Corporation | 積層体、プリント配線板およびそれらの製造方法 |
| JP2004299313A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Nippon Steel Chem Co Ltd | 配線基板用ポリイミド積層体 |
| WO2005066955A1 (ja) * | 2004-01-05 | 2005-07-21 | Nippon Steel Corporation | Hddサスペンション用基板材料 |
| JP2005196839A (ja) * | 2004-01-05 | 2005-07-21 | Nippon Steel Corp | Ｈｄｄサスペンション用基板材料 |
| KR100816567B1 (ko) * | 2004-01-05 | 2008-03-24 | 신닛뽄세이테쯔 카부시키카이샤 | Ｈｄｄ 서스펜션용 기판 재료 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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