JPH11350120A - 拡散接合されたスパッタリングターゲット組立体及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 配線抵抗が小さく膜厚均一性に優れた銅配線
膜を、大きなスパッタリングパワーの条件下で形成する
ことが可能であるような高純度銅スパッタリングターゲ
ット組立体及びその製造方法を提供する 【解決手段】 Ｎａ及びＫ含有量がそれぞれ０．１ｐｐ
ｍ以下、Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｃａ，Ｍｇ含有量が
それぞれ１ｐｐｍ以下、炭素及び酸素含有量がそれぞれ
５ｐｐｍ以下、Ｕ及びＴｈ含有量がそれぞれ１ｐｐｂ以
下、ガス成分を除いた銅の含有量が９９．９９９％以上
である高純度銅ターゲット材とバッキングプレートを備
え該ターゲットとバッキングプレートが固相拡散接合界
面を有することを特徴とする固相拡散接合スパッタリン
グターゲット組立体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＳＩなどの半導
体薄膜配線材料を製造するためのバッキングプレートを
有する高純度銅スパッタリングターゲット組立体に関す
るものであり、膜厚均一性に優れた配線膜を形成するこ
とが可能でかつバッキングプレートとターゲットの密着
性及び接合強度に優れたスパッタリングターゲット組立
体及びその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体集積回路等の配線材料とし
てはＡｌあるいはＡｌ合金が一般的に用いられている。
しかし、集積度の増大に伴い、素子や配線の微細化が進
むにつれ、配線抵抗値の増大やエレクトロマイグレーシ
ョン等の問題が発生してきており、Ａｌに代わる材料と
して低抵抗であり、耐エレクトロマイグレーションに優
れた銅による配線が研究されてきた。しかし、銅の耐酸
化性及びＳｉやＳｉＯ_２との反応性の問題から純銅では
なく銅合金がほとんどであった。ところが、近年のデバ
イス構造の変化やバリア材の進歩により純銅が配線材と
して十分使用に耐えるレベルになってきた。

【０００３】配線抵抗が小さく膜厚均質性に優れた薄膜
を形成する上では、銅スパッタリングターゲットは高純
度で結晶粒はなるべく小さいものが好ましい。しかしな
がら、高純度になるほど結晶粒はより低い温度で粒成長
を起こしやすくなるため、従来、銅スパッタリングター
ゲットはＯＦＣ（無酸素銅）やＡｌ合金等の熱伝導性の
良い金属を用いたバッキングプレートとロー付け処理温
度の低いＩｎもしくはＳｎ合金系等の低融点ロー材によ
り接合され使用されている。

【０００４】しかしながら、低融点ロー材を用いたロー
付け法には、次のような欠点があった。 ロー材の融点がＩｎで１５８℃そしてＳｎ系合金では
１６０〜３００℃と接合せん断強度が急激に低下するこ
と、 室温での接合せん断強度がＩｎで１ｋｇ／ｍｍ^２未満
でありそして比較的強度が高いＳｎ系合金でも２〜４ｋ
ｇ／ｍｍ^２と低く、しかも低融点ロー材であるため、使
用温度の上昇に伴って接合せん断強度は急激に低下する
こと、 ロー付け法では、ボンデイング時のロー材の凝固収縮
によってターゲットとバッキングプレートとの接合面に
ポア（気孔）が残存し、未接着部のない１００％接合率
のボンデイングは困難であること。

【０００５】そのため、スパッタリング時の投入パワー
が低く制限され、また規定以上のスパッタリングパワー
を負荷された場合もしくは冷却水の管理が不十分な場
合、ターゲットの温度上昇に伴う接合強度の低下もしく
はロー材の融解によってターゲットの剥離が生じる等の
トラブルが発生した。

【０００６】一方、低融点ロー材に代えて、高融点のロ
ー材を用いた場合は、ロー付け時に高温が必要であるた
めターゲットの結晶粒が容易に粗大化し好ましくない。

【０００７】さらに、近年、スパッタリング成膜時のス
ループットを改善するためや、穴埋め性に優れたスパッ
タリング法の要求から、益々大きなスパッタリング投入
パワーが用いられる傾向にあり、そのために昇温下でも
接合強度を所定水準以上に維持しうるターゲットが強く
要望されている。しかしながら、上述の理由により、配
線抵抗が小さく膜厚均質性に優れた薄膜が得られるよう
な高純度で結晶粒径が十分小さくかつバッキングプレー
トとの接合強度が高く大きなスパッタパワーでも良好な
接合強度を有する高純度銅ターゲットはこれまで開発さ
れていなかった。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、配線抵抗が
小さく、さらには、膜厚均一性に優れた配線膜を、大き
なスパッタリングパワーの条件下で形成することが可能
であるようなバッキングプレートとターゲットの密着性
及び接合強度に優れた、高純度銅スパッタリングターゲ
ット組立体及びその製造方法を提供するものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明者等は、鋭意研究を重ねた結果、配線抵抗の
低い膜を実現するために、ターゲット中の不純物含有量
は一定値以下に抑える必要があること、膜厚均一性を実
現するために、結晶粒径をある値以下に抑えかつばらつ
きを抑える必要があること、結晶粒の成長を抑えかつ良
好なバッキングプレートとターゲットの接合強度を得る
ために、ターゲットを一定温度以下、一定圧力条件下で
バッキングプレートと拡散接合することが必要であると
の知見を得た。

【００１０】すなわち本発明は、 １．Ｎａ及びＫ含有量がそれぞれ０．１ｐｐｍ以下、Ｆ
ｅ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｃａ，Ｍｇ含有量がそれぞれ１
ｐｐｍ以下、炭素及び酸素含有量がそれぞれ５ｐｐｍ以
下、Ｕ及びＴｈ含有量がそれぞれ１ｐｐｂ以下、ガス成
分を除いた銅の含有量が９９．９９９％以上である高純
度銅ターゲット材とバッキングプレートを備え該ターゲ
ットとバッキングプレートが固相拡散接合界面を有する
ことを特徴とする固相拡散接合スパッタリングターゲッ
ト組立体

【００１１】２． Ｎａ及びＫ含有量がそれぞれ０．１
ｐｐｍ以下、Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｃａ，Ｍｇ含有
量がそれぞれ１ｐｐｍ以下、炭素及び酸素含有量がそれ
ぞれ５ｐｐｍ以下、Ｕ及びＴｈ含有量がそれぞれ１ｐｐ
ｂ以下、ガス成分を除いた銅の含有量が９９．９９９％
以上である高純度銅ターゲット材と室温において面心立
方構造を有する金属または合金から選択される１種以上
のインサート材とバッキングプレートを備え該ターゲッ
トと該インサート材と該バッキングプレートがそれぞれ
固相拡散接合界面を有することを特徴とする固相拡散接
合スパッタリングターゲット組立体

【００１２】３．ターゲット材の結晶粒径が２５０μｍ
以下であり、かつ場所による平均粒径のばらつきが±２
０％以内であることを特徴とする上記１または２に記載
の固相拡散接合スパッタリングターゲット組立体

【００１３】４．ターゲット材の結晶粒径が５０μｍ以
下であり、かつ場所による平均粒径のばらつきが±２０
％以内でことを特徴とする上記１または２に記載の固相
拡散接合スパッタリングターゲット組立体

【００１４】５．ターゲット材の再結晶終了温度よりも
低い温度で真空下及び０．１〜２０ｋｇ／ｍｍ^２の圧力
条件で固相拡散接合させることを特徴とする上記１〜４
に記載の固相拡散接合スパッタリングターゲット組立体
を製造する方法を提供するものである。

【００１５】上記に述べられた固相拡散接合とは、接合
の過程で、接合界面、ターゲット組立体のどの部分にお
いても、また、ターゲット、バッキングプレート、イン
サート材のいずれにおいても溶融状態を生ぜずに、ター
ゲットもしくはバッキングプレートもしくはインサート
材の原子が接合されるべき材料中に拡散することで結合
接着することをいう。この場合の拡散は、相互拡散のみ
を意味するものではなく、例えばもっぱらに銅原子がイ
ンサート材中に拡散するだけの場合も同じである。拡散
は、ＥＰＭＡ、ＸＭＡなどの物理分析機器及び手法によ
り接合界面を分析することで確認できる。

【発明の実施の形態】

【００１６】以下、本発明について詳しく説明する。ス
パッタリングによって形成される半導体素子の動作性能
の信頼性を保証するためには、半導体素子に有害な不純
物を極力排除する必要がある。特に有害な不純物として
は、 （１）Ｎａ、Ｋａなどのアルカリ金属元素 （２）Ｕ、Ｔｈなどの放射性元素 （３）Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒなどの遷移金属元素 をあげることができる。Ｎａ、Ｋなどのアルカリ金属元
素は特に拡散しやすく絶縁膜中を容易に移動し、ＭＯＳ
−ＬＳＩ界面特性の劣化の原因となるため、それぞれ
０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．０２ｐｐｍ以下にす
べきである。Ｕ、Ｔｈなどの放射性元素は、α線を放出
し半導体素子のソフトエラーの原因となるため、特に厳
しく制限する必要があり、それぞれ１ｐｐｂ以下、好ま
しくは０．５ｐｐｂ以下にするべきである。Ｆｅ、Ｎ
ｉ、Ｃｒなどの遷移金属元素は界面接合部トラブルの原
因となる。そのため、それぞれ１ｐｐｍ以下、好ましく
は０．１ｐｐｍ以下にするべきである。

【００１７】これらの、特に半導体素子に有害な元素に
加えてその他の不純物も低減する必要がある。従って重
金属元素のみならず、Ａｌ、Ｃａ、Ｍｇなどの軽金属元
素も低減する必要があり、それぞれ１ｐｐｍ以下、好ま
しくは０．１ｐｐｍ以下にするべきである。

【００１８】また、炭素あるいは酸素等のガス成分も成
膜後の膜の電気抵抗をあげ、また、膜の表面形態にも影
響を与えるなどの理由で好ましくないため、５ｐｐｍ以
下、好ましくは１ｐｐｍ以下にするべきである。

【００１９】さらに、その他の不純物成分も電気抵抗を
低減するという見地からは極力低減した方が望ましく、
それぞれ５ｐｐｍ以下、好ましくは０．５ｐｐｍ以下と
するべきである。そして、全体の銅純度は、ガス成分除
きで９９．９９９％以上とする。

【００２０】さらに、スパッタリングによって作製され
る膜の膜厚均一性を実現するためには、ターゲットの結
晶粒径を小さくし、また結晶粒径のばらつきを抑えるこ
とが必要である。結晶粒径は、スパッタ面内における平
均粒径の大きさ及び場所による平均粒径のばらつきが膜
厚均一性に影響を与える。平均粒径が２５０μｍを越え
ると、８インチウエハにおける膜厚の平均分散を２．０
以下にすることが難しい。また、場所によるばらつきが
２０％を越えると、平均粒径が２５０μｍ以下であって
も、膜厚の平均分散が２．０以上となるため好ましくな
い。さらに好ましくは、平均粒径が５０μｍ以下で、場
所によるばらつきを２０％以下に抑えると８インチウエ
ハにおける膜厚の平均分散はさらに小さく１．０程度に
することが可能となる。ここで述べられる平均粒径の定
義はＪＩＳ Ｈ ０５０１に規定される切断法により求
めたものとされる。また、場所によるばらつきの意味は
例えば直径３００ｍｍ程度の円形ターゲットのスパッタ
面において中心部、１／２Ｒ部、外周部という大きな範
囲の間のばらつきという意味であり、同様にターゲット
の板厚方向で上面、１／２ｔ面、下面という範囲のばら
つきという意味である。

【００２１】上記の高純度銅ターゲットとバッキングプ
レートとを固相拡散接合することにより、構成原子が拡
散して密着性が極めて良好で高い接合強度をもち、使用
温度の上昇による接合強度の急激な低下を生じない、高
いスパッタパワーの条件下でも十分使用に耐える信頼性
の高いスパッタリングターゲット組立体を得ることが可
能となる。

【００２２】上記の高純度銅ターゲット材と室温におい
て面心立方構造を有する金属または合金から選択される
１種以上のインサート材を使用することにより、より高
い接合強度を得ることが可能となる。本発明におけるイ
ンサート材としては、室温において面心立方構造を有す
る金属または合金の１種以上が用いられる。例えば、Ａ
ｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｐｂ、ターゲットより純
度の低い銅あるいはこれらの合金がインサート材の代表
例である。固相拡散接合をもたらすのに適度に高い拡散
能と硬さが低く軟質であり密着性に優位である点からこ
れらのインサート材が適当であり、またインサート材を
１種以上重ねて使用しても良い。これらのインサート材
はバッキングプレートの材質により選択使用されるもの
であり、例えばアルミニウム合金のバッキングプレート
を使用する場合は、Ａｇのインサート材を使用すること
でターゲット原子の拡散が早くなり、より高い接合強度
をもたらす。

【００２３】ターゲット材とバッキングプレートまたは
ターゲット材とバッキングプレートとインサート材の積
層体を一般に０．１ｔｏｒｒ以下の真空下で、ターゲッ
ト材の再結晶終了温度よりも低い温度での一定温度で
０．１〜２０ｋｇ／ｍｍ^２の加圧下に保持し、固相状態
で拡散接合させることにより固相拡散接合スパッタリン
グターゲット組立体が得られる。酸化物の形成を防止す
るために０．１ｔｏｒｒ以下の真空雰囲気中で実施され
る。拡散が生じるよう圧接するには最小限０．１ｋｇ／
ｍｍ^２の負荷が必要であり、他方２０ｋｇ／ｍｍ^２を越
える負荷ではターゲットの損傷や変形を招く危険性があ
る。また、接合温度をターゲットの再結晶温度よりも低
くするのは、拡散接合時の高温下でターゲットの結晶粒
が粗大化したりしてターゲットの特性を損なわぬように
するためであり、拡散能の点から再結晶終了温度直下で
の接合が好ましい。ここで言う再結晶終了温度とは、タ
ーゲット材の組織の未再結晶部が消失し、ロックウエル
硬さ等の硬さ試験により、ターゲット材の再結晶による
硬さの急激な軟化が終了したことの両者が確認される温
度として定義される。

【００２４】こうして得られたスパッタリングターゲッ
ト組立体は、ターゲット材の変形や変質を生じておらず
そして液相を生じない固相拡散接合により１００％の接
合率の接合界面を有し、高い投入パワーのスパッタリン
グ装置においても良好に使用されうる。

【００２５】

【実施例】以下、実施例にもとづいて本発明を説明する
が、本発明は実施例によって限定されるものではない。 （実施例１）ターゲット１ 電気銅を硝酸酸性浴中で陽極と陰極を隔膜で区別し電解
精製を行った後、真空溶解した高純度銅インゴット（φ
１５７×６０ｔ）を６００℃に加熱し、熱間鍛造により
φ１９０×４０ｔとした。さらに、６００℃に加熱しφ
２６５×２０ｔまで圧延した。この後、冷間圧延によ
り、φ３６０×１０ｔまで圧延し、熱処理を１ｈｒ行い
旋盤加工により直径１３インチ、厚さ７ｍｍの円盤状に
仕上げた。バッキングプレートは直径１３インチ、厚さ
１５ｍｍのＡｌ合金製である。ターゲットとバッキング
プレートをアセトンで超音波脱脂洗浄後、積層し、この
積層材を５×１０^−３ｔｏｒｒの真空下で熱処理温度よ
りも２０℃低い接合温度で、１０ｋｇ／ｍｍ^２の圧力下
で固相拡散接合させた。接合後、組立体を機械加工し、
ターゲット寸法が直径１２．９８インチ、厚さ６．３５
ｍｍでバッキングプレート部を有する拡散接合ターゲッ
トを作製した。

【００２６】（実施例２）ターゲット２ 実施例１と冷間加工後の熱処理温度を除いて、同じ条件
で作られたターゲットとバッキングプレートアセトンで
超音波脱脂洗浄後、金をターゲットとバッキングプレー
トにそれぞれ２μｍの厚さで蒸着してから、積層し、こ
の積層材を５×１０^−３ｔｏｒｒの真空下で接合温度を
４５０℃とし、１０ｋｇ／ｍｍ^２の圧力下で固相拡散接
合させた。接合後、組立体を機械加工し、ターゲット寸
法が直径１２．９８インチ、厚さ６．３５ｍｍでバッキ
ングプレート部を有する拡散接合ターゲットを作製し
た。熱処理温度は実施例１よりも１００℃高い。

【００２７】（実施例３）ターゲット３ 実施例１と同じ条件で作られたターゲットとバッキング
プレートアセトンで超音波脱脂洗浄後、銀をターゲット
とバッキングプレートにそれぞれ蒸着してから、積層
し、この積層材を５×１０^−３ｔｏｒｒの真空下で実施
例１と同じ接合温度で、１０ｋｇ／ｍｍ^２の圧力下で固
相拡散接合させた。接合後、組立体を機械加工し、ター
ゲット寸法が直径１２．９８インチ、厚さ６．３５ｍｍ
でバッキングプレート部を有する拡散接合ターゲットを
作製した。

【００２８】（実施例４）ターゲット４ 実施例１と同じ条件で作られたターゲットとバッキング
プレートアセトンで超音波脱脂洗浄後、ニッケルをター
ゲットとバッキングプレートにそれぞれ蒸着してから、
積層し、この積層材を５×１０^−３ｔｏｒｒの真空下で
実施例１と同じ接合温度で、１０ｋｇ／ｍｍ^２の圧力下
で固相拡散接合させた。接合後、組立体を機械加工し、
ターゲット寸法が直径１２．９８インチ、厚さ６．３５
ｍｍでバッキングプレート部を有する拡散接合ターゲッ
トを作製した。

【００２９】（実施例５）ターゲット５ 実施例１と同じ条件で作られたターゲットとバッキング
プレートアセトンで超音波脱脂洗浄後、アルミニウムを
ターゲットとバッキングプレートにそれぞれ蒸着してか
ら、積層し、この積層材を５×１０^−３ｔｏｒｒの真空
下で実施例１と同じ接合温度で、１０ｋｇ／ｍｍ^２の圧
力下で固相拡散接合させた。接合後、組立体を機械加工
し、ターゲット寸法が直径１２．９８インチ、厚さ６．
３５ｍｍでバッキングプレート部を有する拡散接合ター
ゲットを作製した。

【００３０】（実施例６）ターゲット６ 実施例１と同じ条件で作られたターゲットとバッキング
プレートアセトンで超音波脱脂洗浄後、銀箔をターゲッ
トとバッキングプレートの間にインサートして、積層
し、この積層材を５×１０^−３ｔｏｒｒの真空下で実施
例１と同じ接合温度で、１０ｋｇ／ｍｍ^２の圧力下で固
相拡散接合させた。接合後、組立体を機械加工し、ター
ゲット寸法が直径１２．９８インチ、厚さ６．３５ｍｍ
でバッキングプレート部を有する拡散接合ターゲットを
作製した。

【００３１】（実施例７）ターゲット７ 実施例１と同じ条件で作られたターゲットとバッキング
プレートアセトンで超音波脱脂洗浄後、銅箔をターゲッ
トとバッキングプレートの間にインサートして、積層
し、この積層材を５×１０^−３ｔｏｒｒの真空下で実施
例１と同じ接合温度で、１０ｋｇ／ｍｍ^２の圧力下で固
相拡散接合させた。接合後、組立体を機械加工し、ター
ゲット寸法が直径１２．９８インチ、厚さ６．３５ｍｍ
でバッキングプレート部を有する拡散接合ターゲットを
作製した。

【００３２】（比較例１）ターゲット８ 純度３Ｎ５の電気銅を真空誘導溶解した銅インゴットを
用いて実施例１と全く同じ工程で拡散接合ターゲットを
作製した。

【００３３】（比較例２）ターゲット９ 比較例１と同じ純度３Ｎ５の銅インゴットを用いて実施
例１と同じ条件で製造されたターゲットとバッキングプ
レートをアセトンで超音波脱脂洗浄後、積層し、この積
層材を５×１０^−３ｔｏｒｒの真空下で実施例１よりも
２５０℃高い接合温度で、１０ｋｇ／ｍｍ^２の圧力下で
固相拡散接合させた。接合後、組立体を機械加工し、タ
ーゲット寸法が直径１２．９８インチ、厚さ６．３５ｍ
ｍでバッキングプレート部を有する拡散接合ターゲット
を作製した。

【００３４】（比較例３）ターゲット１０ 比較例１と同じ純度の３Ｎ５の銅インゴットを用いて実
施例１と同じ条件で製造されたターゲットをＩｎロー材
を用いて実施例１と同様のバッキングプレートに接合し
ターゲット組立体を作製した。

【００３５】（比較例４）ターゲット１１ 実施例１と同じ条件で製造された冷間圧延銅板を実施例
１よりも２００℃高い温度で１ｈｒ熱処理し、実施例１
と同様に機械加工したターゲットをＩｎロー材を用いて
実施例１と同様のバッキングプレートに接合しターゲッ
ト組立体を作製した。

【００３６】前記実施例及び比較例のターゲットの不純
物量を表１に示す。

【００３７】

【表１】

【００３８】前記実施例及び比較例のターゲットの結晶
粒径及び平均粒径のばらつきを表２に示す。

【００３９】

【表２】

【００４０】前記実施例及び比較例のターゲットを用い
て直径８インチＳｉ基盤上にＡｒガス圧：５ｍｔｏｒ
ｒ、スパッタパワー１５ｋｗ、基盤−ターゲット間距
離：５０ｍｍで成膜し、膜の比抵抗と膜厚分布分散を評
価した。なお、スパッタ初期においてはこれらの数値が
変動するため十分なダミーランを行って数値が安定して
から測定を行った。表３に比抵抗と膜厚分布分散を示
す。これらは十分なダミーランを行って数値が安定して
からのものである。また、成膜後のターゲットとバッキ
ングプレートとのボンディング状態を観察した結果を表
３に併せて示した。

【００４１】

【表３】

【００４２】（結果）本発明の高純度銅ターゲット材と
バッキングプレートが固相拡散接合界面を有することを
特徴とする固相拡散接合スパッタリングターゲット組立
体を用いて形成した膜は、比抵抗が２μΩ・ｃｍ以下と
極めて低い抵抗値を有するものであった。さらに、平均
結晶粒径が２５０μm以下、平均粒径のばらつきが±２
０％以内である固相拡散接合スパッタリングターゲット
組立体を用いて形成した膜は、膜厚分布の均一性に優れ
るものであった。また、ターゲットとバッキングプレー
トとをＩｎロー材を用いて接合した組立体の場合には、
成膜後にターゲットとバッキングプレートとの間に剥離
が見られたのに対して、本発明の固相拡散接合スパッタ
リングターゲット組立体の場合には、ターゲットとバッ
キングプレートとの間の剥離は観察されず、良好なボン
ディング状態が維持されていた。

【００４３】

【発明の効果】本発明の高純度銅ターゲット材とバッキ
ングプレートが固相拡散接合界面を有することを特徴と
する固相拡散接合スパッタリングターゲット組立体を用
いることにより、比抵抗が２μΩ・ｃｍ以下と極めて低
く、さらに膜厚分布の均一性に優れた銅薄膜を得ること
ができる。さらに、本発明の組立体はターゲット材とバ
ッキングプレートとの密着性及び接合強度が大きく、ハ
イパワースパッタリングにも適している。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 Ｎａ及びＫ含有量がそれぞれ０．１ｐｐ
   ｍ以下、Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｃａ，Ｍｇ含有量が
   それぞれ１ｐｐｍ以下、炭素及び酸素含有量がそれぞれ
   ５ｐｐｍ以下、Ｕ及びＴｈ含有量がそれぞれ１ｐｐｂ以
   下、ガス成分を除いた銅の含有量が９９．９９９％以上
   である高純度銅ターゲット材とバッキングプレートを備
   え該ターゲットとバッキングプレートが固相拡散接合界
   面を有することを特徴とする固相拡散接合スパッタリン
   グターゲット組立体。
2. 【請求項２】 Ｎａ及びＫ含有量がそれぞれ０．１ｐｐ
   ｍ以下、Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｃａ，Ｍｇ含有量が
   それぞれ１ｐｐｍ以下、炭素及び酸素含有量がそれぞれ
   ５ｐｐｍ以下、Ｕ及びＴｈ含有量がそれぞれ１ｐｐｂ以
   下、ガス成分を除いた銅の含有量が９９．９９９％以上
   である高純度銅ターゲット材と室温において面心立方構
   造を有する金属または合金から選択される１種以上のイ
   ンサート材とバッキングプレートを備え該ターゲットと
   該インサート材と該バッキングプレートがそれぞれ固相
   拡散接合界面を有することを特徴とする固相拡散接合ス
   パッタリングターゲット組立体。
3. 【請求項３】 ターゲット材の結晶粒径が２５０μｍ以
   下であり、かつ場所による平均粒径のばらつきが±２０
   ％以内であることを特徴とする請求項１または２に記載
   の固相拡散接合スパッタリングターゲット組立体。
4. 【請求項４】 ターゲット材の結晶粒径が５０μｍ以下
   であり、かつ場所による平均粒径のばらつきが±２０％
   以内でことを特徴とする請求項１または２に記載の固相
   拡散接合スパッタリングターゲット組立体。
5. 【請求項５】 ターゲット材の再結晶終了温度よりも低
   い温度で真空下及び０．１〜２０ｋｇ／ｍｍ^２の圧力条
   件で固相拡散接合させることを特徴とする請求項１〜４
   に記載の固相拡散接合スパッタリングターゲット組立体
   を製造する方法。