JPH11353937A - メタライジング用ｗペースト材料 - Google Patents
メタライジング用ｗペースト材料Info
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- JPH11353937A JPH11353937A JP16324798A JP16324798A JPH11353937A JP H11353937 A JPH11353937 A JP H11353937A JP 16324798 A JP16324798 A JP 16324798A JP 16324798 A JP16324798 A JP 16324798A JP H11353937 A JPH11353937 A JP H11353937A
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Landscapes
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 焼成処理後のＷ導体層にフクレ、クラック、
剥離が発生し易かった。 【解決手段】 ８０〜９０wt％のＷ粉体、１〜３wt％の
樹脂系バインダ、１０〜２０wt％の有機溶剤を含んで構
成されたＷペースト材料に、Ｏ2 供給源物質を添加す
る。
剥離が発生し易かった。 【解決手段】 ８０〜９０wt％のＷ粉体、１〜３wt％の
樹脂系バインダ、１０〜２０wt％の有機溶剤を含んで構
成されたＷペースト材料に、Ｏ2 供給源物質を添加す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はメタライジング用Ｗ
（タングステン）ペースト材料に関し、より詳細には印
刷した後の焼成時にフクレ、クラック、剥離等のトラブ
ルを発生させないメタライジング用Ｗペースト材料に関
する。
（タングステン）ペースト材料に関し、より詳細には印
刷した後の焼成時にフクレ、クラック、剥離等のトラブ
ルを発生させないメタライジング用Ｗペースト材料に関
する。
【０００２】
【従来の技術】図１０は従来のメタライジング用Ｗペー
スト材料（以下、単にＷペースト材料と記す）等を含ん
で構成された成形体に焼成処理を施している状態を摸式
的に示した側面断面図であり、図中３１はグリーンシー
トを示している。グリーンシート３１は例えばAl2O3
（アルミナ）粉体、樹脂系バインダ、有機溶剤等を材料
として薄板形状に形成されており、グリーンシート３１
内の所定箇所には円筒形状をした複数個のスルーホール
３２が形成されている。各スルーホール３２内にはＷペ
ースト材料３３が充填される一方、グリーンシート３１
の上面３１ａ及び下面３１ｂの所定箇所にはＷペースト
材料３４、３５が所定形状に印刷されている。Ｗペース
ト材料３３〜３５は、例えば８０〜９０wt％のＷ粉体、
１〜３wt％の樹脂系バインダ、１０〜２０wt％の有機溶
剤等を含んで構成されている。これらグリーンシート３
１、印刷されたＷペースト材料３３〜３５等を含んで焼
成工程前の成形体３０が構成されている。
スト材料（以下、単にＷペースト材料と記す）等を含ん
で構成された成形体に焼成処理を施している状態を摸式
的に示した側面断面図であり、図中３１はグリーンシー
トを示している。グリーンシート３１は例えばAl2O3
（アルミナ）粉体、樹脂系バインダ、有機溶剤等を材料
として薄板形状に形成されており、グリーンシート３１
内の所定箇所には円筒形状をした複数個のスルーホール
３２が形成されている。各スルーホール３２内にはＷペ
ースト材料３３が充填される一方、グリーンシート３１
の上面３１ａ及び下面３１ｂの所定箇所にはＷペースト
材料３４、３５が所定形状に印刷されている。Ｗペース
ト材料３３〜３５は、例えば８０〜９０wt％のＷ粉体、
１〜３wt％の樹脂系バインダ、１０〜２０wt％の有機溶
剤等を含んで構成されている。これらグリーンシート３
１、印刷されたＷペースト材料３３〜３５等を含んで焼
成工程前の成形体３０が構成されている。
【０００３】このように構成された成形体３０に焼成処
理を施す場合、略平板形状をした例えばＭｏ製のセッタ
ー３６を介し、成形体３０を焼成炉３７内に挿入した
後、この焼成炉３７内にＨ2 （水素）、Ｎ2 （窒素）、
及びＨ2 Ｏ（水蒸気）より成る混合ガスを導入する。こ
の混合ガスは焼成処理の際、Ｗペースト材料３３〜３５
中の前記Ｗ成分は酸化されず、グリーンシート３１中の
Ｃ（炭素）成分は酸化して揮発し易いようにＨ2 とＮ2
との配合比率が例えば１：１に調整され、かつＨ2 とＨ
2 Ｏとの分圧比が所定値に調整されている。
理を施す場合、略平板形状をした例えばＭｏ製のセッタ
ー３６を介し、成形体３０を焼成炉３７内に挿入した
後、この焼成炉３７内にＨ2 （水素）、Ｎ2 （窒素）、
及びＨ2 Ｏ（水蒸気）より成る混合ガスを導入する。こ
の混合ガスは焼成処理の際、Ｗペースト材料３３〜３５
中の前記Ｗ成分は酸化されず、グリーンシート３１中の
Ｃ（炭素）成分は酸化して揮発し易いようにＨ2 とＮ2
との配合比率が例えば１：１に調整され、かつＨ2 とＨ
2 Ｏとの分圧比が所定値に調整されている。
【０００４】焼成工程では例えば図３に示したヒートパ
ターンに基づいて成形体３０を加熱するが、温度領域Ｔ
0 〜Ｔ1 において、グリーンシート３１及びＷペースト
材料３３〜３５中の前記樹脂系バインダや前記有機溶剤
をＨ2 、ＣＯ（一酸化炭素）等に分解する。分子の大き
さが比較的小さいＨ2 等は前記Al2O3 粉体、前記Ｗ粉体
の粒子間を通り、容易に外方へ放散される一方、Ｃ成分
の一部はグリーンシート３１及び印刷されたＷペースト
材料３３〜３５内に残存する。温度領域Ｔ1 〜Ｔ2 にお
いて前記水蒸気をＯ2 （酸素）とＨ2 とに分解し、この
Ｏ2 と前記Ｃ成分とを反応させ、ＣＯ2 （炭酸ガス）等
のガス４６ａとして外方に放散させる。温度領域Ｔ2 〜
Ｔ3 及び保持期間において、前記Al2O3 粉体を焼結させ
ると共に、前記Ｗ粉体の酸化表面と前記Al2O3 粉体とを
反応させて結合させる。すると図１１に示したように、
Ｗビアホール４３が形成されると共に、セラミック基板
４１の上下面４１ａ、４１ｂにピンパッド、配線パター
ン等としてのＷ導体層４４、４５が形成される。このよ
うにして、セラミック基板４１、Ｗビアホール４３、Ｗ
導体層４４、４５等を含んで構成されたセラミックパッ
ケージ４０が製造される。
ターンに基づいて成形体３０を加熱するが、温度領域Ｔ
0 〜Ｔ1 において、グリーンシート３１及びＷペースト
材料３３〜３５中の前記樹脂系バインダや前記有機溶剤
をＨ2 、ＣＯ（一酸化炭素）等に分解する。分子の大き
さが比較的小さいＨ2 等は前記Al2O3 粉体、前記Ｗ粉体
の粒子間を通り、容易に外方へ放散される一方、Ｃ成分
の一部はグリーンシート３１及び印刷されたＷペースト
材料３３〜３５内に残存する。温度領域Ｔ1 〜Ｔ2 にお
いて前記水蒸気をＯ2 （酸素）とＨ2 とに分解し、この
Ｏ2 と前記Ｃ成分とを反応させ、ＣＯ2 （炭酸ガス）等
のガス４６ａとして外方に放散させる。温度領域Ｔ2 〜
Ｔ3 及び保持期間において、前記Al2O3 粉体を焼結させ
ると共に、前記Ｗ粉体の酸化表面と前記Al2O3 粉体とを
反応させて結合させる。すると図１１に示したように、
Ｗビアホール４３が形成されると共に、セラミック基板
４１の上下面４１ａ、４１ｂにピンパッド、配線パター
ン等としてのＷ導体層４４、４５が形成される。このよ
うにして、セラミック基板４１、Ｗビアホール４３、Ｗ
導体層４４、４５等を含んで構成されたセラミックパッ
ケージ４０が製造される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来のＷペー
スト材料３３〜３５等を用いたセラミックパッケージ４
０の製造方法では、Ｗペースト材料３５とセッター３６
とが密接しており、焼成の際、Ｏ2 供給源としての水蒸
気がセッター３６との隙間を通ってグリーンシート下面
３１ｂにまで侵入することが困難である。するとグリー
ンシート３１中のＯ2 成分が少なくなり、前記脱Ｃ反応
が温度領域Ｔ2 〜Ｔ3 までずれ込み易い。一方、この温
度領域Ｔ2 〜Ｔ3 において、Ｗペースト材料３５は可塑
性を有するＷ導体層４５に変化しており、このとき前記
脱Ｃ反応により発生した生成ガス４６ａが作用すると、
この生成ガス４６ａは逃げ場を失ってセラミック基板４
１とＷ導体層４５との間に溜り、このＷ導体層４５に膨
らみを生じる。その結果、図１１の部分拡大図に示した
ように、焼成処理後のＷ導体層４５に略アバタ形状のフ
クレ４６が発生し易く、Ｗ導体層４５がセラミック基板
４１から剥れ易くなるという課題があった。
スト材料３３〜３５等を用いたセラミックパッケージ４
０の製造方法では、Ｗペースト材料３５とセッター３６
とが密接しており、焼成の際、Ｏ2 供給源としての水蒸
気がセッター３６との隙間を通ってグリーンシート下面
３１ｂにまで侵入することが困難である。するとグリー
ンシート３１中のＯ2 成分が少なくなり、前記脱Ｃ反応
が温度領域Ｔ2 〜Ｔ3 までずれ込み易い。一方、この温
度領域Ｔ2 〜Ｔ3 において、Ｗペースト材料３５は可塑
性を有するＷ導体層４５に変化しており、このとき前記
脱Ｃ反応により発生した生成ガス４６ａが作用すると、
この生成ガス４６ａは逃げ場を失ってセラミック基板４
１とＷ導体層４５との間に溜り、このＷ導体層４５に膨
らみを生じる。その結果、図１１の部分拡大図に示した
ように、焼成処理後のＷ導体層４５に略アバタ形状のフ
クレ４６が発生し易く、Ｗ導体層４５がセラミック基板
４１から剥れ易くなるという課題があった。
【０００６】焼成炉３７に導入する混合ガス中のＨ2 Ｏ
分圧を所定値より多く設定すると、フクレ４６の発生は
抑制し得る一方、Ｗペースト材料３４、グリーンシート
上面３１ａに過剰のＯ2 が供給されてしまい、Ｗ導体層
４５の電気特性が劣化してしまう。
分圧を所定値より多く設定すると、フクレ４６の発生は
抑制し得る一方、Ｗペースト材料３４、グリーンシート
上面３１ａに過剰のＯ2 が供給されてしまい、Ｗ導体層
４５の電気特性が劣化してしまう。
【０００７】本発明は上記課題に鑑みなされたものであ
り、焼成処理後のＷ導体層にフクレ、クラック、剥離が
発生するのを確実に防止することができるＷペースト材
料を提供することを目的としている。
り、焼成処理後のＷ導体層にフクレ、クラック、剥離が
発生するのを確実に防止することができるＷペースト材
料を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段及びその効果】本発明者等
は、所定量のＯ2 供給源物質が添加されたＷペースト材
料では、焼成した際にフクレの発生を防止し得る一方、
所定量を超えるＯ2 供給源物質が添加されたものでは、
フクレの発生は防止し得るものの、図９に示したように
収縮率が増加してクラックや剥離が発生し易くなること
を知見し、本発明を完成するに至った。
は、所定量のＯ2 供給源物質が添加されたＷペースト材
料では、焼成した際にフクレの発生を防止し得る一方、
所定量を超えるＯ2 供給源物質が添加されたものでは、
フクレの発生は防止し得るものの、図９に示したように
収縮率が増加してクラックや剥離が発生し易くなること
を知見し、本発明を完成するに至った。
【０００９】すなわち、本発明に係るＷペースト材料
は、８０〜９０wt％のＷ粉体、１〜３wt％の樹脂系バイ
ンダ、１０〜２０wt％の有機溶剤を含んで構成されたＷ
ペースト材料に、Ｏ2 供給源物質が添加されていること
を特徴としている（１）。
は、８０〜９０wt％のＷ粉体、１〜３wt％の樹脂系バイ
ンダ、１０〜２０wt％の有機溶剤を含んで構成されたＷ
ペースト材料に、Ｏ2 供給源物質が添加されていること
を特徴としている（１）。
【００１０】上記したＷペースト材料（１）によれば、
Ｗペースト材料にＯ2 供給源物質が添加されているの
で、グリーンシートに前記Ｗペースト材料を印刷して焼
成処理を施す際、焼成炉の雰囲気中に所定分圧以上の水
蒸気を含ませることなく、前記Ｗペースト材料を介して
前記グリーンシートにＯ2 成分を十分、かつ容易に供給
することができ、所定の温度領域において脱Ｃ反応を生
じさせ、前記Ｗペースト材料及び前記グリーンシート中
のＣを確実に除去することができる。この結果、Ｗ導体
層にフクレが発生するのを防止することができる。
Ｗペースト材料にＯ2 供給源物質が添加されているの
で、グリーンシートに前記Ｗペースト材料を印刷して焼
成処理を施す際、焼成炉の雰囲気中に所定分圧以上の水
蒸気を含ませることなく、前記Ｗペースト材料を介して
前記グリーンシートにＯ2 成分を十分、かつ容易に供給
することができ、所定の温度領域において脱Ｃ反応を生
じさせ、前記Ｗペースト材料及び前記グリーンシート中
のＣを確実に除去することができる。この結果、Ｗ導体
層にフクレが発生するのを防止することができる。
【００１１】また本発明に係るＷペースト材料は、Ｗペ
ースト材料（１）における前記酸素供給源物質が、結晶
水を有するモリブデン酸であることを特徴としている
（２）。
ースト材料（１）における前記酸素供給源物質が、結晶
水を有するモリブデン酸であることを特徴としている
（２）。
【００１２】上記したＷペースト材料（２）によれば、
前記Ｏ2 供給源物質が結晶水を有するモリブデン酸（Ｈ
2 ＭｏＯ4 ・Ｈ2 Ｏ：以下、単にＭｏ酸と記す）である
ので、該Ｍｏ酸中の前記結晶水が所定の温度領域におい
て分解・放出され、該結晶水がさらにＨ2 とＯ2 とに分
解され、このＯ2 がＣと反応することにより、Ｃ成分を
Ｗペースト材料及びグリーンシートより確実に除去する
ことができる。また前記Ｍｏ酸中のＭｏとＷペースト材
料中のＷとは周期律的に同族であり、前記Ｗペースト材
料として前記Ｍｏ酸はきわめてなじみ易いので、前記グ
リーンシートに安定的、かつ確実に印刷することができ
る。
前記Ｏ2 供給源物質が結晶水を有するモリブデン酸（Ｈ
2 ＭｏＯ4 ・Ｈ2 Ｏ：以下、単にＭｏ酸と記す）である
ので、該Ｍｏ酸中の前記結晶水が所定の温度領域におい
て分解・放出され、該結晶水がさらにＨ2 とＯ2 とに分
解され、このＯ2 がＣと反応することにより、Ｃ成分を
Ｗペースト材料及びグリーンシートより確実に除去する
ことができる。また前記Ｍｏ酸中のＭｏとＷペースト材
料中のＷとは周期律的に同族であり、前記Ｗペースト材
料として前記Ｍｏ酸はきわめてなじみ易いので、前記グ
リーンシートに安定的、かつ確実に印刷することができ
る。
【００１３】また本発明に係るＷペースト材料は、Ｗペ
ースト材料（２）において、前記結晶水を有するＭｏ酸
の添加量が該Ｍｏ酸以外の成分１００wt％に対して２〜
２０wt％であることを特徴としている（３）。
ースト材料（２）において、前記結晶水を有するＭｏ酸
の添加量が該Ｍｏ酸以外の成分１００wt％に対して２〜
２０wt％であることを特徴としている（３）。
【００１４】上記したＷペースト材料（３）によれば、
前記結晶水を有するＭｏ酸の添加量が該Ｍｏ酸以外の成
分１００wt％に対して２wt％以上であり、Ｗ導体層にフ
クレが発生するのを防止することができる。また前記Ｍ
ｏ酸の添加量が２０wt％以下であり、前記セラミック基
板に関して前記Ｗ導体層が相対的に過度に収縮するのを
防止することができ、その結果、該Ｗ導体層に引っ張り
応力が作用するのを阻止することができ、クラックや剥
離が発生するのを防止することができる。
前記結晶水を有するＭｏ酸の添加量が該Ｍｏ酸以外の成
分１００wt％に対して２wt％以上であり、Ｗ導体層にフ
クレが発生するのを防止することができる。また前記Ｍ
ｏ酸の添加量が２０wt％以下であり、前記セラミック基
板に関して前記Ｗ導体層が相対的に過度に収縮するのを
防止することができ、その結果、該Ｗ導体層に引っ張り
応力が作用するのを阻止することができ、クラックや剥
離が発生するのを防止することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るＷペースト材
料の実施の形態を図面に基づいて説明する。なお、従来
例と同一機能を有する構成部品には同一の符号を付すこ
ととする。図１は実施の形態に係るＷペースト材料等を
含んで構成された成形体に焼成処理を施している状態を
摸式的に示した側面断面図であり、図中３１はグリーン
シートを示している。図１０に示したものと同様、グリ
ーンシート３１は例えばAl2O3 粉体、樹脂系バインダ、
有機溶剤等を材料として薄板形状に形成されており、グ
リーンシート３１内の所定箇所には円筒形状をした複数
個のスルーホール３２が形成されている。各スルーホー
ル３２内にはＷペースト材料１３が充填される一方、グ
リーンシート３１の上面３１ａ及び下面３１ｂの所定箇
所にはＷペースト材料１４、１５が所定形状に印刷され
ている。Ｗペースト材料１３〜１５は、例えば８０〜９
０wt％のＷ粉体、１〜３wt％の樹脂系バインダ、１０〜
２０wt％の有機溶剤、結晶水を有するＭｏ酸（Ｍｏ酸を
除く成分１００wt％に対して２〜２０wt％）等を含んで
構成されている。これらグリーンシート３１、印刷され
たＷペースト材料１３〜１５等を含んで焼成工程前の成
形体１０が構成されている。
料の実施の形態を図面に基づいて説明する。なお、従来
例と同一機能を有する構成部品には同一の符号を付すこ
ととする。図１は実施の形態に係るＷペースト材料等を
含んで構成された成形体に焼成処理を施している状態を
摸式的に示した側面断面図であり、図中３１はグリーン
シートを示している。図１０に示したものと同様、グリ
ーンシート３１は例えばAl2O3 粉体、樹脂系バインダ、
有機溶剤等を材料として薄板形状に形成されており、グ
リーンシート３１内の所定箇所には円筒形状をした複数
個のスルーホール３２が形成されている。各スルーホー
ル３２内にはＷペースト材料１３が充填される一方、グ
リーンシート３１の上面３１ａ及び下面３１ｂの所定箇
所にはＷペースト材料１４、１５が所定形状に印刷され
ている。Ｗペースト材料１３〜１５は、例えば８０〜９
０wt％のＷ粉体、１〜３wt％の樹脂系バインダ、１０〜
２０wt％の有機溶剤、結晶水を有するＭｏ酸（Ｍｏ酸を
除く成分１００wt％に対して２〜２０wt％）等を含んで
構成されている。これらグリーンシート３１、印刷され
たＷペースト材料１３〜１５等を含んで焼成工程前の成
形体１０が構成されている。
【００１６】このように構成された成形体１０に焼成処
理を施す場合、略平板形状をした例えばＭｏ製のセッタ
ー３６を介し、成形体１０を焼成炉３７内に挿入した
後、この焼成炉３７内にＨ2 、Ｎ2 及びＨ2 Ｏより成る
混合ガスを導入する。この混合ガスは、焼成処理の際に
Ｗペースト材料１３〜１５中の前記Ｗ粉体が酸化されな
いように、Ｈ2 とＮ2 との配合比率が例えば１：１に調
整され、かつＨ2 とＨ2Ｏとの分圧比が所定値に調整さ
れている。焼成工程では例えば図３に示したヒートパタ
ーンに基づいて成形体１０を加熱するが、温度領域Ｔ0
〜Ｔ1 において、グリーンシート３１及びＷペースト材
料１３〜１５中の前記樹脂系バインダや前記有機溶剤を
Ｈ2 、ＣＯ等に分解する。分子の大きさが比較的小さい
Ｈ2 等は前記Al2O3 粉体、前記Ｗ粉体の粒子間を通り、
容易に外方へ放散する一方、前記Ｃ成分の一部はグリー
ンシート３１及び印刷されたＷペースト材料１３〜１５
内に残存する。
理を施す場合、略平板形状をした例えばＭｏ製のセッタ
ー３６を介し、成形体１０を焼成炉３７内に挿入した
後、この焼成炉３７内にＨ2 、Ｎ2 及びＨ2 Ｏより成る
混合ガスを導入する。この混合ガスは、焼成処理の際に
Ｗペースト材料１３〜１５中の前記Ｗ粉体が酸化されな
いように、Ｈ2 とＮ2 との配合比率が例えば１：１に調
整され、かつＨ2 とＨ2Ｏとの分圧比が所定値に調整さ
れている。焼成工程では例えば図３に示したヒートパタ
ーンに基づいて成形体１０を加熱するが、温度領域Ｔ0
〜Ｔ1 において、グリーンシート３１及びＷペースト材
料１３〜１５中の前記樹脂系バインダや前記有機溶剤を
Ｈ2 、ＣＯ等に分解する。分子の大きさが比較的小さい
Ｈ2 等は前記Al2O3 粉体、前記Ｗ粉体の粒子間を通り、
容易に外方へ放散する一方、前記Ｃ成分の一部はグリー
ンシート３１及び印刷されたＷペースト材料１３〜１５
内に残存する。
【００１７】温度領域Ｔ1 〜Ｔ2 において、前記Ｍｏ酸
における結晶水はＯ2 とＨ2 とに分解し（２Ｈ2 Ｏ＝Ｏ
2 ＋２Ｈ2 ）、このＯ2 と前記Ｃ成分とが反応し、ＣＯ
2 、ＣＯ等のガスとして焼結工程前に外方に放散する
（Ｃ＋２Ｈ2 Ｏ＝ＣＯ2 ＋２Ｈ2 、Ｃ＋Ｈ2 Ｏ＝ＣＯ＋
Ｈ2 ）。
における結晶水はＯ2 とＨ2 とに分解し（２Ｈ2 Ｏ＝Ｏ
2 ＋２Ｈ2 ）、このＯ2 と前記Ｃ成分とが反応し、ＣＯ
2 、ＣＯ等のガスとして焼結工程前に外方に放散する
（Ｃ＋２Ｈ2 Ｏ＝ＣＯ2 ＋２Ｈ2 、Ｃ＋Ｈ2 Ｏ＝ＣＯ＋
Ｈ2 ）。
【００１８】温度領域Ｔ2 〜Ｔ3 及び保持期間におい
て、前記Al2O3 粉体を焼結させると共に、前記Ｗ粉体の
酸化表面と前記Al2O3 粉体等とを反応させて結合させ
る。この結果、図２に示したように、Ｗビアホール２３
が形成されると共に、セラミック基板２１の上下面２１
ａ、２１ｂにピンパッド、配線パターンとしてのＷ導体
層２４、２５が形成される。このようにして、セラミッ
ク基板２１、Ｗビアホール２３、Ｗ導体層２４、２５等
を含んで構成されたセラミックパッケージ２０が製造さ
れる。
て、前記Al2O3 粉体を焼結させると共に、前記Ｗ粉体の
酸化表面と前記Al2O3 粉体等とを反応させて結合させ
る。この結果、図２に示したように、Ｗビアホール２３
が形成されると共に、セラミック基板２１の上下面２１
ａ、２１ｂにピンパッド、配線パターンとしてのＷ導体
層２４、２５が形成される。このようにして、セラミッ
ク基板２１、Ｗビアホール２３、Ｗ導体層２４、２５等
を含んで構成されたセラミックパッケージ２０が製造さ
れる。
【００１９】上記説明から明らかなように、実施の形態
に係るＷペースト材料１３〜１５では、Ｏ2 供給源物質
としての結晶水を有するＭｏ酸が添加されているので、
グリーンシート３１にＷペースト材料１３〜１５を印刷
して焼成処理を施す際、焼成炉３７の雰囲気中に所定分
圧以上の水蒸気を含ませることなく、Ｗペースト材料１
３〜１５を介してグリーンシート３１にＯ2 成分を十
分、かつ容易に供給することができ、所定の温度領域Ｔ
1 〜Ｔ1 において脱Ｃ反応を生じさせ、Ｗペースト材料
１３〜１５及びグリーンシート３１中のＣ成分を確実に
除去することができる。この結果、Ｗ導体層２４、２５
にフクレが発生するのを防止することができる。
に係るＷペースト材料１３〜１５では、Ｏ2 供給源物質
としての結晶水を有するＭｏ酸が添加されているので、
グリーンシート３１にＷペースト材料１３〜１５を印刷
して焼成処理を施す際、焼成炉３７の雰囲気中に所定分
圧以上の水蒸気を含ませることなく、Ｗペースト材料１
３〜１５を介してグリーンシート３１にＯ2 成分を十
分、かつ容易に供給することができ、所定の温度領域Ｔ
1 〜Ｔ1 において脱Ｃ反応を生じさせ、Ｗペースト材料
１３〜１５及びグリーンシート３１中のＣ成分を確実に
除去することができる。この結果、Ｗ導体層２４、２５
にフクレが発生するのを防止することができる。
【００２０】前記Ｍｏ酸中のＭｏとＷペースト材料１３
〜１５中のＷとは周期律的に同族であり、Ｗペースト材
料１３〜１５として前記Ｍｏ酸はきわめてなじみ易いの
で、グリーンシート３１に安定的、かつ確実に印刷・塗
布することができる。
〜１５中のＷとは周期律的に同族であり、Ｗペースト材
料１３〜１５として前記Ｍｏ酸はきわめてなじみ易いの
で、グリーンシート３１に安定的、かつ確実に印刷・塗
布することができる。
【００２１】前記結晶水を有するＭｏ酸の添加量をこの
Ｍｏ酸以外の成分１００wt％に対して２wt％以上とする
ことにより、Ｗ導体層２４、２５にフクレが発生するの
を防止することができる。また前記Ｍｏ酸の添加量を２
０wt％以下にすることにより、セラミック基板２１に関
してＷ導体層２４、２５が相対的に過度に収縮するのを
防止することができ、その結果、Ｗ導体層２４、２５に
引っ張り応力が作用するのを阻止することができ、クラ
ックや剥離が発生するのを防止することができる。
Ｍｏ酸以外の成分１００wt％に対して２wt％以上とする
ことにより、Ｗ導体層２４、２５にフクレが発生するの
を防止することができる。また前記Ｍｏ酸の添加量を２
０wt％以下にすることにより、セラミック基板２１に関
してＷ導体層２４、２５が相対的に過度に収縮するのを
防止することができ、その結果、Ｗ導体層２４、２５に
引っ張り応力が作用するのを阻止することができ、クラ
ックや剥離が発生するのを防止することができる。
【００２２】なお、上記したセラミックパッケージ２０
では、Ｗペースト材料１３〜１５を用いた場合について
説明したが、別の実施の形態では、Ｗペースト材料１
５、３３、３４を用いてもよい。
では、Ｗペースト材料１３〜１５を用いた場合について
説明したが、別の実施の形態では、Ｗペースト材料１
５、３３、３４を用いてもよい。
【００２３】
【実施例及び比較例】以下、実施例に係るＷペースト材
料を用いてグリーンシートの下面に底面視略円形状また
は略四角形状をした複数個のピンパッドを印刷し、これ
に焼成処理を施した結果について説明する。実施例に係
るＷペースト材料としては、Ｗ粉体を８６．２wt％、ブ
チラール樹脂を１．４wt％、ターぺノール溶剤が１２．
４wt％含有する基本材料１００wt％に対し、Ｍｏ酸を１
０、２０wt％添加したものを用いた。なお比較例として
は、前記基本材料１００wt％に対し、Ｍｏ酸を０wt％、
あるいは４０wt％添加したものを選んだ。
料を用いてグリーンシートの下面に底面視略円形状また
は略四角形状をした複数個のピンパッドを印刷し、これ
に焼成処理を施した結果について説明する。実施例に係
るＷペースト材料としては、Ｗ粉体を８６．２wt％、ブ
チラール樹脂を１．４wt％、ターぺノール溶剤が１２．
４wt％含有する基本材料１００wt％に対し、Ｍｏ酸を１
０、２０wt％添加したものを用いた。なお比較例として
は、前記基本材料１００wt％に対し、Ｍｏ酸を０wt％、
あるいは４０wt％添加したものを選んだ。
【００２４】図４はフクレ発生率とＭｏ酸添加量との関
係を示したグラフであり、図５はクラック及び剥離の発
生率とＭｏ酸添加量との関係を示したグラフである。ま
た図６はセラミック基板上に形成されたＷ導体層を撮影
した顕微鏡写真であり、（ａ）〜（ｄ）はＭｏ酸添加量
がそれぞれ０、１０、２０、４０wt％の場合を示してい
る。また図７はセラミック基板上に形成されたＷ導体層
（Ｍｏ酸添加量が４０wt％）を撮影した顕微鏡写真であ
り、（ａ）は剥離、（ｂ）はクラックの状態を示してい
る。
係を示したグラフであり、図５はクラック及び剥離の発
生率とＭｏ酸添加量との関係を示したグラフである。ま
た図６はセラミック基板上に形成されたＷ導体層を撮影
した顕微鏡写真であり、（ａ）〜（ｄ）はＭｏ酸添加量
がそれぞれ０、１０、２０、４０wt％の場合を示してい
る。また図７はセラミック基板上に形成されたＷ導体層
（Ｍｏ酸添加量が４０wt％）を撮影した顕微鏡写真であ
り、（ａ）は剥離、（ｂ）はクラックの状態を示してい
る。
【００２５】図４〜図７より明らかなように、Ｍｏ酸の
添加量が０wt％の比較例に係るＷペースト材料ではフク
レが多く発生（約４０％）すると共に、Ｍｏ酸の添加量
が４０wt％の比較例に係るＷペースト材料ではクラック
及び剥離がそれぞれ多く発生（約４２％及び約４１％）
した。一方、Ｍｏ酸の添加量が１０、２０wt％の実施例
に係るＷペースト材料では、フクレの発生率が約１６〜
５％、クラックの発生率が約２〜１５％、剥離の発生率
が約１５〜２９％に減少した。
添加量が０wt％の比較例に係るＷペースト材料ではフク
レが多く発生（約４０％）すると共に、Ｍｏ酸の添加量
が４０wt％の比較例に係るＷペースト材料ではクラック
及び剥離がそれぞれ多く発生（約４２％及び約４１％）
した。一方、Ｍｏ酸の添加量が１０、２０wt％の実施例
に係るＷペースト材料では、フクレの発生率が約１６〜
５％、クラックの発生率が約２〜１５％、剥離の発生率
が約１５〜２９％に減少した。
【００２６】また別の実施例に係るＷペースト材料とし
ては、前記基本材料１００wt％に対し、Ｍｏ酸を２、
５、１０wt％添加したものを用いた。なお比較例として
は、前記基本材料のみのものについて実施した。実施例
及び比較例に係るＷペースト材料等を用いて２９６個の
ピンパッドを有するセラミックパッケージを形成し、フ
クレが発生すると、そのピンパッドを不良と評価するピ
ンパッド不良発生率と、例え１個でもピンパッドにフク
レが発生すると製品全体を不良と評価するパッケージ不
良発生率とについてそれぞれ調査を行った。
ては、前記基本材料１００wt％に対し、Ｍｏ酸を２、
５、１０wt％添加したものを用いた。なお比較例として
は、前記基本材料のみのものについて実施した。実施例
及び比較例に係るＷペースト材料等を用いて２９６個の
ピンパッドを有するセラミックパッケージを形成し、フ
クレが発生すると、そのピンパッドを不良と評価するピ
ンパッド不良発生率と、例え１個でもピンパッドにフク
レが発生すると製品全体を不良と評価するパッケージ不
良発生率とについてそれぞれ調査を行った。
【００２７】図８はピンパッド不良発生率及びパッケー
ジ不良発生率と、Ｍｏ酸添加量との関係を示した曲線図
であり、曲線Ａはピンパッド不良発生率、曲線Ｂはパッ
ケージ不良発生率をそれぞれ示している。
ジ不良発生率と、Ｍｏ酸添加量との関係を示した曲線図
であり、曲線Ａはピンパッド不良発生率、曲線Ｂはパッ
ケージ不良発生率をそれぞれ示している。
【００２８】図８より明らかなように、Ｍｏ酸の添加量
が０wt％の比較例に係るＷペースト材料の場合、ピンパ
ッド不良発生率が約５０％、パッケージ不良発生率が約
２４％と大きい一方、Ｍｏ酸の添加量が２、５wt％と多
くなるにつれてピンパッド及びパッケージ不良発生率と
も減少してゆき、Ｍｏ酸の添加量が１０wt％の場合、ピ
ンパッド不良発生率が約０．０２％、パッケージ不良発
生率が約７％にまで減少した。
が０wt％の比較例に係るＷペースト材料の場合、ピンパ
ッド不良発生率が約５０％、パッケージ不良発生率が約
２４％と大きい一方、Ｍｏ酸の添加量が２、５wt％と多
くなるにつれてピンパッド及びパッケージ不良発生率と
も減少してゆき、Ｍｏ酸の添加量が１０wt％の場合、ピ
ンパッド不良発生率が約０．０２％、パッケージ不良発
生率が約７％にまで減少した。
【図１】本発明の実施の形態に係るＷペースト材料等を
含んで構成された成形体に焼成処理を施している状態を
摸式的に示した側面断面図である。
含んで構成された成形体に焼成処理を施している状態を
摸式的に示した側面断面図である。
【図２】実施の形態に係るＷペースト材料等を含んで構
成された成形体に焼成処理を施した状態を摸式的に示し
た側面断面図である。
成された成形体に焼成処理を施した状態を摸式的に示し
た側面断面図である。
【図３】実施の形態及び従来技術に係るＷペーストの焼
成工程に用いられるヒートパターンを概略的に示したグ
ラフである。
成工程に用いられるヒートパターンを概略的に示したグ
ラフである。
【図４】フクレ発生率とＭｏ酸添加量との関係を示した
グラフである。
グラフである。
【図５】クラック及び剥離の発生率とＭｏ酸添加量との
関係を示したグラフである。
関係を示したグラフである。
【図６】セラミック基板上に形成された微細パターンで
あるＷ導体層を撮影した顕微鏡写真であり、（ａ）〜
（ｄ）はＭｏ酸添加量がそれぞれ０、１０、２０、４０
wt％の場合を示している。
あるＷ導体層を撮影した顕微鏡写真であり、（ａ）〜
（ｄ）はＭｏ酸添加量がそれぞれ０、１０、２０、４０
wt％の場合を示している。
【図７】セラミック基板上に形成された微細パターンで
あるＷ導体層（Ｍｏ酸添加量が４０wt％）を撮影した顕
微鏡写真であり、（ａ）は剥離、（ｂ）はクラックの状
態を示している。
あるＷ導体層（Ｍｏ酸添加量が４０wt％）を撮影した顕
微鏡写真であり、（ａ）は剥離、（ｂ）はクラックの状
態を示している。
【図８】ピンパッド不良発生率及びセラミックパッケー
ジ不良発生率と、Ｍｏ酸添加量との関係を示した曲線図
であり、曲線Ａはピンパッド不良発生率、曲線Ｂはセラ
ミックパッケージ不良発生率をそれぞれ示している。
ジ不良発生率と、Ｍｏ酸添加量との関係を示した曲線図
であり、曲線Ａはピンパッド不良発生率、曲線Ｂはセラ
ミックパッケージ不良発生率をそれぞれ示している。
【図９】収縮率とモリブデン酸の添加量との関係を調査
した結果を示したグラフである。
した結果を示したグラフである。
【図１０】従来のＷペースト材料等を含んで構成された
成形体に焼成処理を施している状態を摸式的に示した側
面断面図である。
成形体に焼成処理を施している状態を摸式的に示した側
面断面図である。
【図１１】従来のＷペースト材料等を含んで構成された
成形体に焼成処理を施した状態を摸式的に示した側面断
面図であり、図中丸印内は引き出し線近傍の拡大部分を
示している。
成形体に焼成処理を施した状態を摸式的に示した側面断
面図であり、図中丸印内は引き出し線近傍の拡大部分を
示している。
１３、１４、１５ Ｗペースト材料
Claims (3)
- 【請求項１】 ８０〜９０wt％のＷ粉体、１〜３wt％の
樹脂系バインダ、１０〜２０wt％の有機溶剤を含んで構
成されたメタライジング用Ｗペースト材料に、酸素供給
源物質が添加されていることを特徴とするメタライジン
グ用Ｗペースト材料。 - 【請求項２】 前記酸素供給源物質が結晶水を有するモ
リブデン酸であることを特徴とする請求項１記載のメタ
ライジング用Ｗペースト材料。 - 【請求項３】 前記結晶水を有するモリブデン酸の添加
量が、該モリブデン酸以外の成分１００wt％に対して２
〜２０wt％であることを特徴とする請求項２記載のメタ
ライジング用Ｗペースト材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16324798A JPH11353937A (ja) | 1998-06-11 | 1998-06-11 | メタライジング用ｗペースト材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16324798A JPH11353937A (ja) | 1998-06-11 | 1998-06-11 | メタライジング用ｗペースト材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11353937A true JPH11353937A (ja) | 1999-12-24 |
Family
ID=15770160
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16324798A Pending JPH11353937A (ja) | 1998-06-11 | 1998-06-11 | メタライジング用ｗペースト材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11353937A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102314957A (zh) * | 2011-07-06 | 2012-01-11 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 多层高温共烧陶瓷厚膜导体钨浆料及其制备方法 |
| KR101269884B1 (ko) * | 2011-05-20 | 2013-06-07 | 두원공과대학산학협력단 | 메탈라이징 공정방법 |
-
1998
- 1998-06-11 JP JP16324798A patent/JPH11353937A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101269884B1 (ko) * | 2011-05-20 | 2013-06-07 | 두원공과대학산학협력단 | 메탈라이징 공정방법 |
| CN102314957A (zh) * | 2011-07-06 | 2012-01-11 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 多层高温共烧陶瓷厚膜导体钨浆料及其制备方法 |
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