JPH11354344A - インダクタンス素子 - Google Patents
インダクタンス素子Info
- Publication number
- JPH11354344A JPH11354344A JP11098196A JP9819699A JPH11354344A JP H11354344 A JPH11354344 A JP H11354344A JP 11098196 A JP11098196 A JP 11098196A JP 9819699 A JP9819699 A JP 9819699A JP H11354344 A JPH11354344 A JP H11354344A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnet
- inductance element
- rare earth
- magnetic
- bonded
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 38
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000006247 magnetic powder Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 10
- 230000005347 demagnetization Effects 0.000 claims abstract description 6
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 150000002910 rare earth metals Chemical group 0.000 claims description 26
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 16
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- -1 Z any one of r Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 abstract description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 8
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 6
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 6
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 3
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N Dapsone Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(N)C=C1 MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 1
- 241000287828 Gallus gallus Species 0.000 description 1
- 244000043261 Hevea brasiliensis Species 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 229920006158 high molecular weight polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229920003052 natural elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229920001194 natural rubber Polymers 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229920003051 synthetic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000005061 synthetic rubber Substances 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F3/00—Cores, Yokes, or armatures
- H01F3/10—Composite arrangements of magnetic circuits
- H01F2003/103—Magnetic circuits with permanent magnets
Landscapes
- Hard Magnetic Materials (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 挿入損失が小さく、長期的に電気的特性が安
定し、組立が容易なインダクタンス素子を提供する。 【構成】 インダクタンス素子の磁気回路を構成するＥ
Ｉ形状の軟磁性材料からなる磁心２、３と前記磁心の空
隙部に配置した電気抵抗が高く、不可逆減磁率が小さい
耐熱性ボンド磁石１と前記磁心に巻回したコイル（図示
せず）からなり、前記コイルによる直流磁界と反対方向
に前記耐熱性ボンド磁石１による磁気バイアスが印加さ
れるように構成する。
定し、組立が容易なインダクタンス素子を提供する。 【構成】 インダクタンス素子の磁気回路を構成するＥ
Ｉ形状の軟磁性材料からなる磁心２、３と前記磁心の空
隙部に配置した電気抵抗が高く、不可逆減磁率が小さい
耐熱性ボンド磁石１と前記磁心に巻回したコイル（図示
せず）からなり、前記コイルによる直流磁界と反対方向
に前記耐熱性ボンド磁石１による磁気バイアスが印加さ
れるように構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は磁心空隙に永久磁石
を配置して該磁石により直流重畳特性を向上させるイン
ダクタンス素子に関するものである。
を配置して該磁石により直流重畳特性を向上させるイン
ダクタンス素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に変成器やチョークコイル等のイン
ダクタンス素子では直流に交流が重畳されるので、直流
磁界による磁気飽和を避けるため磁心に空隙を設けてい
る。しかしながら更に大きな直流重畳へ対応するには、
磁心形状の大型化、空隙寸法の拡張、コイル巻回数増と
なり、その結果、インダクタンス素子も大型化してしま
う。そこで、磁心の空隙に永久磁石を配置し、直流磁界
を打ち消すように予め磁気バイアスを与えて磁心の特性
を有効に利用しようとするインダクタンス素子（第１の
従来例）が提案されている。前記永久磁石は必要とする
磁気バイアスの大きさ、及びインダクタンス素子のコイ
ルによる減磁界の大きさによって適宜選択されるが、ス
イッチング電源などで使用するインダクタンス素子に
は、大きな磁気バイアスが要求されるので、通常は残留
磁束密度と保磁力がともに大きな希土類コバルト磁石が
使用される。
ダクタンス素子では直流に交流が重畳されるので、直流
磁界による磁気飽和を避けるため磁心に空隙を設けてい
る。しかしながら更に大きな直流重畳へ対応するには、
磁心形状の大型化、空隙寸法の拡張、コイル巻回数増と
なり、その結果、インダクタンス素子も大型化してしま
う。そこで、磁心の空隙に永久磁石を配置し、直流磁界
を打ち消すように予め磁気バイアスを与えて磁心の特性
を有効に利用しようとするインダクタンス素子（第１の
従来例）が提案されている。前記永久磁石は必要とする
磁気バイアスの大きさ、及びインダクタンス素子のコイ
ルによる減磁界の大きさによって適宜選択されるが、ス
イッチング電源などで使用するインダクタンス素子に
は、大きな磁気バイアスが要求されるので、通常は残留
磁束密度と保磁力がともに大きな希土類コバルト磁石が
使用される。
【０００３】また特開昭５０−４５７０号公報には、磁
心の空隙に配置する希土類コバルト磁石を複数個に分割
したインダクタンス素子（第２の従来例）が記載されて
いる。
心の空隙に配置する希土類コバルト磁石を複数個に分割
したインダクタンス素子（第２の従来例）が記載されて
いる。
【０００４】また特開昭５０−１３３４５３号公報に
は、磁心の空隙に配置する永久磁石として、粉砕した希
土類コバルト磁石片を絶縁物と混合し、圧縮成形してな
るボンド磁石を使用したインダクタンス素子（第３の従
来例）が記載されている。
は、磁心の空隙に配置する永久磁石として、粉砕した希
土類コバルト磁石片を絶縁物と混合し、圧縮成形してな
るボンド磁石を使用したインダクタンス素子（第３の従
来例）が記載されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】第１の従来例では磁心
の空隙に永久磁石（希土類コバルト磁石）を配置してい
るが希土類コバルト磁石は、電気抵抗が１０-5Ωｃｍ程
度と極めて小さいため渦電流損失が大きくなり、発熱を
起こした。この発熱に伴い磁心の温度が上昇するので磁
心の磁気特性が変化し、インダクタンスが減少するなど
インダクタンス素子としての特性が著しく低下させた。
の空隙に永久磁石（希土類コバルト磁石）を配置してい
るが希土類コバルト磁石は、電気抵抗が１０-5Ωｃｍ程
度と極めて小さいため渦電流損失が大きくなり、発熱を
起こした。この発熱に伴い磁心の温度が上昇するので磁
心の磁気特性が変化し、インダクタンスが減少するなど
インダクタンス素子としての特性が著しく低下させた。
【０００６】第２の従来例では、磁心の空隙に配置する
永久磁石を複数個に分割することにより、各部分の交流
磁界を永久磁石が一体である場合よりも減少させ渦電流
損失を減少させることが可能である。しかしながら複数
個の永久磁石を各永久磁石の磁化方向をそろえて磁心の
空隙に配置しようとするには、永久磁石の同極どうしが
反発しあうので、所定のスペースにおさめられなかった
り、あるいは永久磁石どうしが重なりあったりして、イ
ンダクタンス素子の組立に多大な工数を要する。
永久磁石を複数個に分割することにより、各部分の交流
磁界を永久磁石が一体である場合よりも減少させ渦電流
損失を減少させることが可能である。しかしながら複数
個の永久磁石を各永久磁石の磁化方向をそろえて磁心の
空隙に配置しようとするには、永久磁石の同極どうしが
反発しあうので、所定のスペースにおさめられなかった
り、あるいは永久磁石どうしが重なりあったりして、イ
ンダクタンス素子の組立に多大な工数を要する。
【０００７】第３の従来例では、磁心の空隙に粉砕した
永久磁石片と絶縁物とを混合し圧縮成形してなるボンド
磁石を配置することにより、渦電流損失を小さくすると
ともに永久磁石の磁心空隙への配置を容易化できるとし
ている。しかしながら従来のボンド磁石は、各磁石粉末
の粒径が略３〜５μｍと小さく、また成形時に生じる割
れによって磁石表面が露出し、これに起因する磁石粉末
の酸化や、前記磁石粉末と絶縁物との反応により磁気特
性が低下し、特に高温環境下では磁気特性の劣化が著し
かった。インダクタンス素子の使用環境によっても異な
るが、前記ボンド磁石は環境温度が５０℃前後であれ
ば、インダクタンス素子の自己温度上昇により１００℃
前後にもなる。このような温度では、前記ボンド磁石の
磁気特性は数百時間で劣化する。このため該ボンド磁石
を用いた従来のインダクタンス素子は長期信頼性を欠
き、実用に供し得ないものであった。
永久磁石片と絶縁物とを混合し圧縮成形してなるボンド
磁石を配置することにより、渦電流損失を小さくすると
ともに永久磁石の磁心空隙への配置を容易化できるとし
ている。しかしながら従来のボンド磁石は、各磁石粉末
の粒径が略３〜５μｍと小さく、また成形時に生じる割
れによって磁石表面が露出し、これに起因する磁石粉末
の酸化や、前記磁石粉末と絶縁物との反応により磁気特
性が低下し、特に高温環境下では磁気特性の劣化が著し
かった。インダクタンス素子の使用環境によっても異な
るが、前記ボンド磁石は環境温度が５０℃前後であれ
ば、インダクタンス素子の自己温度上昇により１００℃
前後にもなる。このような温度では、前記ボンド磁石の
磁気特性は数百時間で劣化する。このため該ボンド磁石
を用いた従来のインダクタンス素子は長期信頼性を欠
き、実用に供し得ないものであった。
【０００８】本発明は上述の問題点を解決するためにな
されたもので、挿入損失が小さく、長期的に電気的特性
が安定し、組立が容易なインダクタンス素子を提供する
ことを目的とする。
されたもので、挿入損失が小さく、長期的に電気的特性
が安定し、組立が容易なインダクタンス素子を提供する
ことを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、磁心空隙に磁
気バイアスを与える永久磁石を配置するインダクタンス
素子であって、前記永久磁石は電気抵抗が０．０１〜
０．０５Ωｃｍ、また、０℃から１２０℃の不可逆減磁
率変化が２％以内の耐熱ボンド磁石を用いたインダクタ
ンス素子である。
気バイアスを与える永久磁石を配置するインダクタンス
素子であって、前記永久磁石は電気抵抗が０．０１〜
０．０５Ωｃｍ、また、０℃から１２０℃の不可逆減磁
率変化が２％以内の耐熱ボンド磁石を用いたインダクタ
ンス素子である。
【００１０】また本発明は、ボンド磁石はＲ−Ｔ−Ｂ−
Ｎｂ系（ＲはＹを含めた希土類元素のいずれか１種又は
２種以上、ＴはＦｅ又は一部をＣｏ及び／又はＮｉに置
換したＦｅ）磁石粉末を高分子重合体、純金属、合金の
いずれかのバインダーで結合した希土類ボンド磁石を用
いたインダクタンス素子である。
Ｎｂ系（ＲはＹを含めた希土類元素のいずれか１種又は
２種以上、ＴはＦｅ又は一部をＣｏ及び／又はＮｉに置
換したＦｅ）磁石粉末を高分子重合体、純金属、合金の
いずれかのバインダーで結合した希土類ボンド磁石を用
いたインダクタンス素子である。
【００１１】前記ボンド磁石の組成成分がＲαＴ
100-(α+β+γ)ＢβＮｂγであり、ＲはＹを含めた希土
類元素のいずれか１種又は２種以上、ＴはＦｅ又は一部
をＣｏ及び／又はＮｉに置換したＦｅからなり、前記
α、β、γは原子百分率で下記の範囲にある希土類磁性
粉末を高分子重合体、純金属、合金のいずれかのバイン
ダーで結合した希土類ボンド磁石を用いたインダクタン
ス素子である。 ８≦α≦１５ ４≦β≦８ ０．１≦γ≦２
100-(α+β+γ)ＢβＮｂγであり、ＲはＹを含めた希土
類元素のいずれか１種又は２種以上、ＴはＦｅ又は一部
をＣｏ及び／又はＮｉに置換したＦｅからなり、前記
α、β、γは原子百分率で下記の範囲にある希土類磁性
粉末を高分子重合体、純金属、合金のいずれかのバイン
ダーで結合した希土類ボンド磁石を用いたインダクタン
ス素子である。 ８≦α≦１５ ４≦β≦８ ０．１≦γ≦２
【００１２】また本発明は、ボンド磁石はＲ−Ｔ−Ｍ−
Ｂ−Ｎ系（ＲはＹを含めた希土類元素のいずれか１種又
は２種以上、ＴはＦｅ又は一部をＣｏ及び／又はＮｉに
置換したＦｅ、ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃ
ｕ、Ｇａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗのいずれ
か１種又は２種以上）磁石粉末を高分子重合体、純金
属、合金のいずれかのバインダーで結合した希土類ボン
ド磁石を用いたインダクタンス素子である。
Ｂ−Ｎ系（ＲはＹを含めた希土類元素のいずれか１種又
は２種以上、ＴはＦｅ又は一部をＣｏ及び／又はＮｉに
置換したＦｅ、ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃ
ｕ、Ｇａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗのいずれ
か１種又は２種以上）磁石粉末を高分子重合体、純金
属、合金のいずれかのバインダーで結合した希土類ボン
ド磁石を用いたインダクタンス素子である。
【００１３】上記ボンド磁石は成分組成がＲαＴ
100−（α＋β＋γ＋δ）ＭβＢγＮδであり、前記Ｒ
はＹを含めた希土類元素のいずれか１種又は２種以上で
あり、ＴはＦｅ又は一部をＣｏ及び／又はＮｉに置換し
たＦｅ、前記ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、
Ｇａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗのいずれか１
種又は２種以上からなり、前記α、β、γ、δは原子百
分率で下記の範囲にある希土類磁石材料の粉末を、高分
子重合体、純金属、合金のいずれかのバインダーで結合
した希土類ボンド磁石を用いたインダクタンス素子であ
る。 ５≦α≦１８ １≦β≦５０ ０．１≦γ≦５ ４≦δ≦３０
100−（α＋β＋γ＋δ）ＭβＢγＮδであり、前記Ｒ
はＹを含めた希土類元素のいずれか１種又は２種以上で
あり、ＴはＦｅ又は一部をＣｏ及び／又はＮｉに置換し
たＦｅ、前記ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、
Ｇａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗのいずれか１
種又は２種以上からなり、前記α、β、γ、δは原子百
分率で下記の範囲にある希土類磁石材料の粉末を、高分
子重合体、純金属、合金のいずれかのバインダーで結合
した希土類ボンド磁石を用いたインダクタンス素子であ
る。 ５≦α≦１８ １≦β≦５０ ０．１≦γ≦５ ４≦δ≦３０
【００１４】本発明に用いる希土類ボンド磁石のＲ成分
の５０原子％以上好ましくは７０％以上をＳｍとするイ
ンダクタンス素子である。
の５０原子％以上好ましくは７０％以上をＳｍとするイ
ンダクタンス素子である。
【００１５】また本発明は、希土類磁性粉末の平均粒径
が１０〜１２０μｍの範囲の希土類ボンド磁石を用いた
インダクタンス素子である。更に好ましい希土類磁性粉
末の平均粒径は、５０〜６０μｍである。
が１０〜１２０μｍの範囲の希土類ボンド磁石を用いた
インダクタンス素子である。更に好ましい希土類磁性粉
末の平均粒径は、５０〜６０μｍである。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明に係るインダクタンス素子
を図１を用いて説明する。図１は本発明の一実施例に係
るインダクタンス素子の斜視図である。本発明に係るイ
ンダクタンス素子は磁気回路の一部に空隙を有し、例え
ばＥＩ形状の軟磁性材料からなる磁心２、３と前記磁心
の空隙部に配置した耐熱ボンド磁石１と前記磁心に巻回
したコイル（図示せず）からなり、前記コイルによる直
流磁界と反対方向に前記耐熱性ボンド磁石１による磁気
バイアスが印加されるように構成されている。
を図１を用いて説明する。図１は本発明の一実施例に係
るインダクタンス素子の斜視図である。本発明に係るイ
ンダクタンス素子は磁気回路の一部に空隙を有し、例え
ばＥＩ形状の軟磁性材料からなる磁心２、３と前記磁心
の空隙部に配置した耐熱ボンド磁石１と前記磁心に巻回
したコイル（図示せず）からなり、前記コイルによる直
流磁界と反対方向に前記耐熱性ボンド磁石１による磁気
バイアスが印加されるように構成されている。
【００１７】前記磁心はインダクタンス素子の特性の点
から、例えばＭｎ−Ｚｎフェライトのような、飽和磁束
密度Ｂｓが４５０ｍＴ以上の軟磁性材料で形成すること
が望ましい。
から、例えばＭｎ−Ｚｎフェライトのような、飽和磁束
密度Ｂｓが４５０ｍＴ以上の軟磁性材料で形成すること
が望ましい。
【００１８】耐熱ボンド磁石は、電気抵抗、不可逆減磁
率を向上させたＲ−Ｔ−Ｂ−Ｎｂ系（ＲはＹを含めた希
土類元素の内の少なくとも１種、ＴはＦｅ又は一部をＣ
ｏで置換したＦｅ）磁石粉末、Ｒ−Ｔ−Ｍ−Ｂ−Ｎ系
（ＲはＹを含めた希土類元素のいずれか１種又は２種以
上、ＴはＦｅ又は一部をＣｏ及び／又はＮｉに置換した
Ｆｅ、ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｇａ、
Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗのいずれか１種又は
２種以上）磁石粉末をバインダーで結着して作製する。
率を向上させたＲ−Ｔ−Ｂ−Ｎｂ系（ＲはＹを含めた希
土類元素の内の少なくとも１種、ＴはＦｅ又は一部をＣ
ｏで置換したＦｅ）磁石粉末、Ｒ−Ｔ−Ｍ−Ｂ−Ｎ系
（ＲはＹを含めた希土類元素のいずれか１種又は２種以
上、ＴはＦｅ又は一部をＣｏ及び／又はＮｉに置換した
Ｆｅ、ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｇａ、
Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗのいずれか１種又は
２種以上）磁石粉末をバインダーで結着して作製する。
【００１９】前記により第１の従来例と比べ前記耐熱ボ
ンド磁石の電気抵抗は著しく大きくなり、第２の従来例
のような永久磁石の分割といった手段を用いなくても渦
電流損失を小さくでき、インダクタンス素子の挿入損失
を減少させることができるとともに、耐熱性ボンド磁石
の磁心空隙への配置を容易化する。また不可逆減磁率の
減少により、高温環境下での信頼性に優れたインダクタ
ンス素子を得ることができる。
ンド磁石の電気抵抗は著しく大きくなり、第２の従来例
のような永久磁石の分割といった手段を用いなくても渦
電流損失を小さくでき、インダクタンス素子の挿入損失
を減少させることができるとともに、耐熱性ボンド磁石
の磁心空隙への配置を容易化する。また不可逆減磁率の
減少により、高温環境下での信頼性に優れたインダクタ
ンス素子を得ることができる。
【００２０】なお、磁石粉末を結着するバインダーとし
ては、高分子重合体としてはエポキシ樹脂やフェノール
樹脂に等に代表される熱硬化樹脂又はポリアミド樹脂、
ＥＥＡ樹脂等の熱可塑樹脂又は合成ゴム、天然ゴムなど
を用いればよいが、インダクタンス素子環境温度、更に
は、フロー、リフローといったはんだ付けによる軟化又
は劣化が発生しないバインダーを用いるのが好ましい。
ては、高分子重合体としてはエポキシ樹脂やフェノール
樹脂に等に代表される熱硬化樹脂又はポリアミド樹脂、
ＥＥＡ樹脂等の熱可塑樹脂又は合成ゴム、天然ゴムなど
を用いればよいが、インダクタンス素子環境温度、更に
は、フロー、リフローといったはんだ付けによる軟化又
は劣化が発生しないバインダーを用いるのが好ましい。
【００２１】またボンド磁石のＲ成分の５０原子％以上
好ましくは７０％以上をＳｍとして高い保磁力を得て、
インダクタンス素子のコア磁路に発生する磁束による減
磁を抑制でき、インダクタンス素子の電気特性を向上さ
せ、更なる高電流化に対応することができる。
好ましくは７０％以上をＳｍとして高い保磁力を得て、
インダクタンス素子のコア磁路に発生する磁束による減
磁を抑制でき、インダクタンス素子の電気特性を向上さ
せ、更なる高電流化に対応することができる。
【００２２】磁気特性は磁性粉末粒径に起因する特性が
多く、小さ過ぎると酸化による品質劣化及び成形性劣化
となり、大き過ぎると窒化処理が不十分となるので、磁
性粉末の平均粒径が１０〜１２０μｍの希土類ボンド磁
石を用いて安定した特性の得られるインダクタンス素子
となる。また、更なる安定特性を得るためには磁性粉末
の平均粒径が４０〜５０μｍとするがよい。
多く、小さ過ぎると酸化による品質劣化及び成形性劣化
となり、大き過ぎると窒化処理が不十分となるので、磁
性粉末の平均粒径が１０〜１２０μｍの希土類ボンド磁
石を用いて安定した特性の得られるインダクタンス素子
となる。また、更なる安定特性を得るためには磁性粉末
の平均粒径が４０〜５０μｍとするがよい。
【００２３】
【実施例】（実施例１）初めに耐熱ボンド磁石の作製方
法について説明する。まず磁石粉末として原子％表示で
Ｎｄ11.5Ｆｅ80.7Ｂ6Ｎｂ1.8の組成を有するＭＱＩ（マ
グネクエンチインターナショナル）社製のＭＱＰ−Ｏ材
を用い、バンタムミルにて平均粒度１１０μｍに粉砕し
た。この粉砕粉に対して日本ユニカー社製シランカップ
リング材を０．２５重量％添加し表面処理を施した。次
いで、油化シェル社製ビスフェノール型エポキシ樹脂
（エピコート８０７）と芳香族アミン硬化剤であるＤＤ
Ｓ（ジアミノジフェニルスルフォン）とのバインダー混
合物を総量で前記表面処理粉末対比２．６ｗｔ％（Ｅ８
０７：ＤＤＳ＝１００：４３.２）になるよう秤量し、
その樹脂部混合物を２回にわけて前記磁石粉末又は混練
物に添加混合し二軸混練機で混練する。まず、１回目の
混練で樹脂部総量２．６ｗｔ％の内の８０％を前記磁石
粉末と混練し、この混練物を１５０℃×１時間で１次加
熱硬化処理を行った。続いて、２回目の混練時に樹脂部
の残り２０％を添加し混練後、１２０℃×１時間で２次
加熱硬化処理を行い、次いで所定の成形金型に充てんし
無磁場で圧縮成形した。得られた等方性のボンド磁石成
形体に本加熱硬化処理（大気中１８０℃×１時間後、１
９０℃×４時間）を施し５．８ｍｍ×５．８ｍｍ×０．
４８ｍｍの耐熱ボンド磁石１を得た。
法について説明する。まず磁石粉末として原子％表示で
Ｎｄ11.5Ｆｅ80.7Ｂ6Ｎｂ1.8の組成を有するＭＱＩ（マ
グネクエンチインターナショナル）社製のＭＱＰ−Ｏ材
を用い、バンタムミルにて平均粒度１１０μｍに粉砕し
た。この粉砕粉に対して日本ユニカー社製シランカップ
リング材を０．２５重量％添加し表面処理を施した。次
いで、油化シェル社製ビスフェノール型エポキシ樹脂
（エピコート８０７）と芳香族アミン硬化剤であるＤＤ
Ｓ（ジアミノジフェニルスルフォン）とのバインダー混
合物を総量で前記表面処理粉末対比２．６ｗｔ％（Ｅ８
０７：ＤＤＳ＝１００：４３.２）になるよう秤量し、
その樹脂部混合物を２回にわけて前記磁石粉末又は混練
物に添加混合し二軸混練機で混練する。まず、１回目の
混練で樹脂部総量２．６ｗｔ％の内の８０％を前記磁石
粉末と混練し、この混練物を１５０℃×１時間で１次加
熱硬化処理を行った。続いて、２回目の混練時に樹脂部
の残り２０％を添加し混練後、１２０℃×１時間で２次
加熱硬化処理を行い、次いで所定の成形金型に充てんし
無磁場で圧縮成形した。得られた等方性のボンド磁石成
形体に本加熱硬化処理（大気中１８０℃×１時間後、１
９０℃×４時間）を施し５．８ｍｍ×５．８ｍｍ×０．
４８ｍｍの耐熱ボンド磁石１を得た。
【００２４】Ｍｎ−ＺｎフェライトからなるＥＩ２２コ
ア（日立金属社製 材質ＳＢ−５材ギャップ０．６ｍ
ｍ）のＥ型コア２の中央脚に測定用コイルを組み込み、
前記耐熱性ボンド磁石１を磁化の方向が磁心を流れる直
流電流の磁界方向とは逆方向となるように接着し、Ｉ型
コア３と組み合わせてインダクタンス素子を作製し、そ
の損失を測定した。なお前記測定用コイルには、１次巻
線として線径φ０．４の線材を３６回巻回し、２次巻線
として線径φ０．４の線材を３６回巻回している。
ア（日立金属社製 材質ＳＢ−５材ギャップ０．６ｍ
ｍ）のＥ型コア２の中央脚に測定用コイルを組み込み、
前記耐熱性ボンド磁石１を磁化の方向が磁心を流れる直
流電流の磁界方向とは逆方向となるように接着し、Ｉ型
コア３と組み合わせてインダクタンス素子を作製し、そ
の損失を測定した。なお前記測定用コイルには、１次巻
線として線径φ０．４の線材を３６回巻回し、２次巻線
として線径φ０．４の線材を３６回巻回している。
【００２５】（比較例１）外形寸法が２ｍｍ×２ｍｍ×
０．３ｍｍの角板状に形成した希土類コバルト磁石（日
立金属社製Ｈ１８Ｂ）を６個使用し、実施例１と同様の
条件でインダクタンス素子を作製した。なお希土類コバ
ルト磁石の磁力は外形寸法によって実施例１の耐熱ボン
ド磁石と略等しくしている。以下実施例１と同様なので
その説明を省く。
０．３ｍｍの角板状に形成した希土類コバルト磁石（日
立金属社製Ｈ１８Ｂ）を６個使用し、実施例１と同様の
条件でインダクタンス素子を作製した。なお希土類コバ
ルト磁石の磁力は外形寸法によって実施例１の耐熱ボン
ド磁石と略等しくしている。以下実施例１と同様なので
その説明を省く。
【００２６】（比較例２）永久磁石を有しない構成であ
る以外は実施例１と同様の条件でインダクタンス素子を
作製した。以下実施例１と同様なのでその説明を省く。
る以外は実施例１と同様の条件でインダクタンス素子を
作製した。以下実施例１と同様なのでその説明を省く。
【００２７】上記実施例及び比較例のインダクタンス素
子の挿入損失をＢＨアナライザ（岩崎通信機社製 型
番：ＳＹ８２３２）を用いて室温で挿入損失を測定し
た。測定は測定周波数が２０ｋＨｚから２００ｋＨｚ
で、磁束密度Ｂｍを２０ｍＴとし、次式で得られる電圧
を設定電圧（Ｖｒｍｓ）とした条件で行った。 Ｖｒｍｓ＝４．４４×Ｂｍ×Ｓ×Ｎ×ｆ ここで、Ｂｍ：磁束密度（Ｔ）、Ｓ：コア断面積
（ｍ2）、Ｎ：コイルの巻数（ターン）、ｆ：周波数
（Ｈｚ）である。以上によって得た結果を表１に示す。
子の挿入損失をＢＨアナライザ（岩崎通信機社製 型
番：ＳＹ８２３２）を用いて室温で挿入損失を測定し
た。測定は測定周波数が２０ｋＨｚから２００ｋＨｚ
で、磁束密度Ｂｍを２０ｍＴとし、次式で得られる電圧
を設定電圧（Ｖｒｍｓ）とした条件で行った。 Ｖｒｍｓ＝４．４４×Ｂｍ×Ｓ×Ｎ×ｆ ここで、Ｂｍ：磁束密度（Ｔ）、Ｓ：コア断面積
（ｍ2）、Ｎ：コイルの巻数（ターン）、ｆ：周波数
（Ｈｚ）である。以上によって得た結果を表１に示す。
【００２８】
【表１】
【００２９】ここで比較例２の試料の挿入損失は磁心の
損失を表している。表１から磁気バイアスを与える永久
磁石を耐熱性ボンド磁石とした実施例１の試料は、前記
永久磁石を小片化した希土類コバルト磁石とした比較例
１の試料と比べ著しく低損失であり、比較例２に示す磁
心の損失と同程度の挿入損失であることがわかる。
損失を表している。表１から磁気バイアスを与える永久
磁石を耐熱性ボンド磁石とした実施例１の試料は、前記
永久磁石を小片化した希土類コバルト磁石とした比較例
１の試料と比べ著しく低損失であり、比較例２に示す磁
心の損失と同程度の挿入損失であることがわかる。
【００３０】（比較例３）５．８ｍｍ×５．８ｍｍ×
０．４８ｍｍの角板状に形成したネオジウムボンド磁石
（日立金属社製ＨＢ−０８Ｉ）を用いた以外は実施例１
と同様にインダクタンス素子を形成した。以下実施例１
と同様なので説明を省く。
０．４８ｍｍの角板状に形成したネオジウムボンド磁石
（日立金属社製ＨＢ−０８Ｉ）を用いた以外は実施例１
と同様にインダクタンス素子を形成した。以下実施例１
と同様なので説明を省く。
【００３１】このようにして得られた比較例３のインダ
クタンス素子を実施例１のインダクタンス素子とともに
温度１００℃、恒温槽中に２０００時間放置し高温試験
を実施した。試験前と試験開始後５００時間、１０００
時間、２０００時間経過後恒温槽からインダクタンス素
子を取り出し、該インダクタンス素子を室温中に２４時
間放置した後、直流重畳インダクタンスを室温状態で測
定し評価した。その結果を図２に示す。図２は高温試験
５００時間後のインダクタンス素子の直流重畳特性であ
る。測定条件はＪＩＳ Ｃ２５１４の直流重畳インダク
タンスの測定条件に従い、測定回路は供試コイルに直流
重畳した場合とした。なお実施例１及び比較例３のイン
ダクタンス素子は室温状態で直流電流３Ａで直流重畳イ
ンダクタンスが１５０μＨとなるように設計されてい
る。
クタンス素子を実施例１のインダクタンス素子とともに
温度１００℃、恒温槽中に２０００時間放置し高温試験
を実施した。試験前と試験開始後５００時間、１０００
時間、２０００時間経過後恒温槽からインダクタンス素
子を取り出し、該インダクタンス素子を室温中に２４時
間放置した後、直流重畳インダクタンスを室温状態で測
定し評価した。その結果を図２に示す。図２は高温試験
５００時間後のインダクタンス素子の直流重畳特性であ
る。測定条件はＪＩＳ Ｃ２５１４の直流重畳インダク
タンスの測定条件に従い、測定回路は供試コイルに直流
重畳した場合とした。なお実施例１及び比較例３のイン
ダクタンス素子は室温状態で直流電流３Ａで直流重畳イ
ンダクタンスが１５０μＨとなるように設計されてい
る。
【００３２】図２から実施例１のインダクタンスは高温
試験前後でインダクタンスの劣化は生じず、図２に示し
た直流重畳特性と変化なかった。一方比較例３のインダ
クタンス素子は、試験前は実施例１とほぼ同等の直流重
畳特性を有していたが、高温試験５００時間後では、直
流電流３Ａで直流重畳インダクタンスが約１３５μＨに
減少し、更に１０００時間では著しくインダクタンスが
劣化し、実用に耐え得ないものであった。
試験前後でインダクタンスの劣化は生じず、図２に示し
た直流重畳特性と変化なかった。一方比較例３のインダ
クタンス素子は、試験前は実施例１とほぼ同等の直流重
畳特性を有していたが、高温試験５００時間後では、直
流電流３Ａで直流重畳インダクタンスが約１３５μＨに
減少し、更に１０００時間では著しくインダクタンスが
劣化し、実用に耐え得ないものであった。
【００３３】（実施例２）純度９９．９％のＳｍ、Ｆ
ｅ、Ｔｉ、Ｂを用いてＳｍ8.3ＦｅbalＢ2.0Ｔｉ3.0Ｎ
12.1の窒化物磁石粉末に対応した母合金組成に配合し、
アルゴンガス雰囲気の高周波溶解炉で溶解し、その後、
アルゴンガス雰囲気中で１１５０℃、２０時間の均質化
処理を行い、続いてこの母合金塊をジョークラッシャー
とディスクミルを用いて粉砕した。次に母合金粉末を雰
囲気加熱炉に仕込み４５０℃において窒素ガス１ａｔｍ
気流中で５時間加熱保持し窒化処理を行い、続いてアル
ゴン気流中で４２０℃で１時間アニールした。この磁性
粉末の平均粒径は１０μｍとした。前記磁性粉末をエポ
キシ樹脂と混練した後、１０ｋＯｅの磁場中でプレス圧
１０ｔｏｎ／ｃｍ2で圧縮成形し、硬化のため１４０
℃、１時間の熱処理を施して耐熱ボンド磁石を得た。こ
のボンド磁石は６．２ｋＯｅと高い保磁力を得ることが
できた。
ｅ、Ｔｉ、Ｂを用いてＳｍ8.3ＦｅbalＢ2.0Ｔｉ3.0Ｎ
12.1の窒化物磁石粉末に対応した母合金組成に配合し、
アルゴンガス雰囲気の高周波溶解炉で溶解し、その後、
アルゴンガス雰囲気中で１１５０℃、２０時間の均質化
処理を行い、続いてこの母合金塊をジョークラッシャー
とディスクミルを用いて粉砕した。次に母合金粉末を雰
囲気加熱炉に仕込み４５０℃において窒素ガス１ａｔｍ
気流中で５時間加熱保持し窒化処理を行い、続いてアル
ゴン気流中で４２０℃で１時間アニールした。この磁性
粉末の平均粒径は１０μｍとした。前記磁性粉末をエポ
キシ樹脂と混練した後、１０ｋＯｅの磁場中でプレス圧
１０ｔｏｎ／ｃｍ2で圧縮成形し、硬化のため１４０
℃、１時間の熱処理を施して耐熱ボンド磁石を得た。こ
のボンド磁石は６．２ｋＯｅと高い保磁力を得ることが
できた。
【００３４】（実施例３）実施例２と同様の製造方法に
て、Ｓｍ6.2Ｐｒ2.0ＦｅbalＢ2.0Ｔｉ4.0Ｎ12.3の成分
組成からなるボンド磁石を得た。磁性粉末の平均粒径は
１２０μｍとした。このボンド磁石は６．８ｋＯｅと上
記ボンド磁石より高い保磁力を得ることができた。
て、Ｓｍ6.2Ｐｒ2.0ＦｅbalＢ2.0Ｔｉ4.0Ｎ12.3の成分
組成からなるボンド磁石を得た。磁性粉末の平均粒径は
１２０μｍとした。このボンド磁石は６．８ｋＯｅと上
記ボンド磁石より高い保磁力を得ることができた。
【００３５】実施例２及び実施例３で得た耐熱ボンド磁
石を実施例１のインダクタンス素子に用いて、温度１０
０℃の恒温槽中に２０００時間放置し高温試験を実施し
た。本試験においても実施例２及び実施例３は試験前後
の直流重畳特性値の差異が大変小さく、実施例１と同様
に信頼性の高いインダクタンス素子を得ることができ
た。
石を実施例１のインダクタンス素子に用いて、温度１０
０℃の恒温槽中に２０００時間放置し高温試験を実施し
た。本試験においても実施例２及び実施例３は試験前後
の直流重畳特性値の差異が大変小さく、実施例１と同様
に信頼性の高いインダクタンス素子を得ることができ
た。
【００３６】
【発明の効果】本発明は上述した構成を有するので、挿
入損失が低く、かつ長期的に電気的特性が安定し、組立
が簡易なインダクタンス素子を得ることができる。
入損失が低く、かつ長期的に電気的特性が安定し、組立
が簡易なインダクタンス素子を得ることができる。
【図１】本発明の一実施例に係るインダクタンス素子の
斜視図
斜視図
【図２】本発明の実施例１と比較例３の高温試験５００
時間後の直流重畳特性図
時間後の直流重畳特性図
１ 耐熱ボンド磁石 ２ Ｅ型コア ３ Ｉ型コア
Claims (7)
- 【請求項１】 磁心空隙に磁気バイアスを与える永久磁
石を配置するインダクタンス素子であって、前記永久磁
石は電気抵抗が０．０１〜０．０５Ωｃｍ、また、０℃
から１２０℃の不可逆減磁率変化が２％以内の耐熱ボン
ド磁石であることを特徴とするインダクタンス素子。 - 【請求項２】 ボンド磁石はＲ−Ｔ−Ｂ−Ｎｂ系（Ｒは
Ｙを含めた希土類元素のいずれか１種又は２種以上、Ｔ
はＦｅ又は一部をＣｏ及び／又はＮｉに置換したＦｅ）
磁石粉末を高分子重合体、純金属、合金のいずれかのバ
インダーで結合した希土類ボンド磁石であることを特徴
とする請求項１記載のインダクタンス素子。 - 【請求項３】 ボンド磁石は組成成分がＲαＴ
100-(α+β+γ)ＢβＮｂγであり、ＲはＹを含めた希土
類元素のいずれか１種又は２種以上、ＴはＦｅ又は一部
をＣｏ及び／又はＮｉに置換したＦｅからなり、前記
α、β、γは原子百分率で下記の範囲にある希土類磁性
粉末を高分子重合体、純金属、合金のいずれかのバイン
ダーで結合した希土類ボンド磁石であることを特徴とす
る請求項１、請求項２記載のインダクタンス素子。 ８≦α≦１５ ４≦β≦８ ０．１≦γ≦２ - 【請求項４】 ボンド磁石はＲ−Ｔ−Ｍ−Ｂ−Ｎ系（Ｒ
はＹを含めた希土類元素のいずれか１種又は２種以上、
ＴはＦｅ又は一部をＣｏ及び／又はＮｉに置換したＦ
ｅ、ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｚ
ｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗのいずれか１種又は２
種以上）磁石粉末を高分子重合体、純金属、合金のいず
れかのバインダーで結合した希土類ボンド磁石であるこ
とを特徴とする請求項１記載のインダクタンス素子。 - 【請求項５】 ボンド磁石は成分組成がＲαＴ
100−（α＋β＋γ＋δ）Ｍ βＢγＮδであり、前記Ｒ
はＹを含めた希土類元素のいずれか１種または２種以上
であり、ＴはＦｅまたは一部をＣｏ及び／又はＮｉに置
換したＦｅ、前記ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃ
ｕ、Ｇａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗのいずれ
か１種または２種以上からなり、前記α、β、γ、δは
原子百分率で下記の範囲にある希土類磁石材料の粉末
を、高分子重合体、純金属、合金のいずれかのバインダ
ーで結合した希土類ボンド磁石からなることを特徴とす
る請求項１、請求項４記載のインダクタンス素子。 ５≦α≦１８ １≦β≦５０ ０．１≦γ≦５ ４≦δ≦３０ - 【請求項６】 希土類ボンド磁石のＲ成分の５０原子％
以上がＳｍであることを特徴とする請求項１から請求項
５のいずれかに記載のインダクタンス素子。 - 【請求項７】 希土類磁性粉末の平均粒径が１０〜１２
０μｍの範囲にあることを特徴とする請求項１から請求
項６のいずれかに記載のインダクタンス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11098196A JPH11354344A (ja) | 1998-04-06 | 1999-04-05 | インダクタンス素子 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11154798 | 1998-04-06 | ||
| JP10-111547 | 1998-04-06 | ||
| JP11098196A JPH11354344A (ja) | 1998-04-06 | 1999-04-05 | インダクタンス素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11354344A true JPH11354344A (ja) | 1999-12-24 |
Family
ID=26439394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11098196A Pending JPH11354344A (ja) | 1998-04-06 | 1999-04-05 | インダクタンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11354344A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002021543A1 (en) * | 2000-09-08 | 2002-03-14 | Nec Tokin Corporation | Permanent magnet, magnetic core having the magnet as bias magnet, and inductance parts using the core |
| JP2002222714A (ja) * | 2001-01-26 | 2002-08-09 | Nec Tokin Corp | インダクタ |
| JP2003007552A (ja) * | 2000-11-29 | 2003-01-10 | Nec Tokin Corp | 磁気バイアス用磁石を有する磁気コア及びそれを用いたインダクタンス部品 |
| JP2003100509A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-04 | Nec Tokin Corp | 磁気コア及びそれを用いたインダクタンス部品 |
| EP1202295A3 (en) * | 2000-10-25 | 2003-10-15 | NEC TOKIN Corporation | Magnetic core including bias magnet and inductor component using the same |
| EP1211700A3 (en) * | 2000-11-30 | 2003-10-15 | NEC TOKIN Corporation | Magnetic core including magnet for magnetic bias and inductor component using the same |
| EP1209703A3 (en) * | 2000-11-28 | 2003-10-15 | NEC TOKIN Corporation | Magnetic core comprising a bond magnet including magnetic powder whose particle's surface is coated with oxidation-resistant metal |
| US6853285B2 (en) * | 2001-01-22 | 2005-02-08 | Nec Tokin Corporation | Inductor component |
| EP1330015A4 (en) * | 2000-10-25 | 2007-03-21 | Nec Tokin Corp | MAGNETIC CORE, COIL COMPONENT WITH THE SAME AND POWER SUPPLY CIRCUIT |
| CN108701531A (zh) * | 2018-04-19 | 2018-10-23 | 深圳顺络电子股份有限公司 | 一种组装式电感及其制造方法 |
-
1999
- 1999-04-05 JP JP11098196A patent/JPH11354344A/ja active Pending
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1321950A4 (en) * | 2000-09-08 | 2007-05-02 | Nec Tokin Corp | PERMANENT MAGNET, MAGNETIC CORE USING THE MAGNET AS A POLARIZING MAGNET, AND INDUCTANCE PARTS USING THE SAME |
| US6856231B2 (en) | 2000-09-08 | 2005-02-15 | Nec Tokin Corporaton | Magnetically biasing bond magnet for improving DC superposition characteristics of magnetic coil |
| US6995643B2 (en) | 2000-09-08 | 2006-02-07 | Nec Tokin Corporation | Magnetically biasing bond magnet for improving DC superposition characteristics of magnetic coil |
| WO2002021543A1 (en) * | 2000-09-08 | 2002-03-14 | Nec Tokin Corporation | Permanent magnet, magnetic core having the magnet as bias magnet, and inductance parts using the core |
| KR100851450B1 (ko) * | 2000-10-25 | 2008-08-08 | 엔이씨 도낀 가부시끼가이샤 | 바이어스용 자석을 구비한 자기 코어 및 이를 이용한인덕턴스 부품 |
| EP1202295A3 (en) * | 2000-10-25 | 2003-10-15 | NEC TOKIN Corporation | Magnetic core including bias magnet and inductor component using the same |
| EP1330015A4 (en) * | 2000-10-25 | 2007-03-21 | Nec Tokin Corp | MAGNETIC CORE, COIL COMPONENT WITH THE SAME AND POWER SUPPLY CIRCUIT |
| EP1209703A3 (en) * | 2000-11-28 | 2003-10-15 | NEC TOKIN Corporation | Magnetic core comprising a bond magnet including magnetic powder whose particle's surface is coated with oxidation-resistant metal |
| KR100844613B1 (ko) * | 2000-11-28 | 2008-07-07 | 엔이씨 도낀 가부시끼가이샤 | 입자 표면이 내산화성 금속으로 피복된 자기 분말을포함하는 본드 자석으로 이루어진 자기 코어 및 그 자기코어를 포함하는 인덕턴스 부품 |
| JP2003007552A (ja) * | 2000-11-29 | 2003-01-10 | Nec Tokin Corp | 磁気バイアス用磁石を有する磁気コア及びそれを用いたインダクタンス部品 |
| EP1211700A3 (en) * | 2000-11-30 | 2003-10-15 | NEC TOKIN Corporation | Magnetic core including magnet for magnetic bias and inductor component using the same |
| US6906608B2 (en) | 2000-11-30 | 2005-06-14 | Nec Tokin Corporation | Magnetic core including magnet for magnetic bias and inductor component using the same |
| KR100924037B1 (ko) * | 2000-11-30 | 2009-10-27 | 엔이씨 도낀 가부시끼가이샤 | 자기 바이어스용 자석을 갖춘 자기 코어 및 이를 이용한인덕턴스 부품 |
| US6853285B2 (en) * | 2001-01-22 | 2005-02-08 | Nec Tokin Corporation | Inductor component |
| JP2002222714A (ja) * | 2001-01-26 | 2002-08-09 | Nec Tokin Corp | インダクタ |
| JP2003100509A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-04 | Nec Tokin Corp | 磁気コア及びそれを用いたインダクタンス部品 |
| CN108701531A (zh) * | 2018-04-19 | 2018-10-23 | 深圳顺络电子股份有限公司 | 一种组装式电感及其制造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6906608B2 (en) | Magnetic core including magnet for magnetic bias and inductor component using the same | |
| TW536714B (en) | Magnetic core including bias magnet and inductor component using the same | |
| US7442263B2 (en) | Magnetic amplifier choke (magamp choke) with a magnetic core, use of magnetic amplifiers and method for producing softmagnetic cores for magnetic amplifiers | |
| KR100844613B1 (ko) | 입자 표면이 내산화성 금속으로 피복된 자기 분말을포함하는 본드 자석으로 이루어진 자기 코어 및 그 자기코어를 포함하는 인덕턴스 부품 | |
| JPWO2002021543A1 (ja) | 永久磁石、それを磁気バイアス用磁石とした磁気コア、およびそれを用いたインダクタンス部品 | |
| CN101499343A (zh) | 复合软磁粉材料及永磁偏置磁芯 | |
| US20090191421A1 (en) | Composite soft magnetic powdery material and magnetically biasing permanent magnetic core containing same | |
| JP2010272604A (ja) | 軟磁性粉末及びそれを用いた圧粉磁芯、インダクタ並びにその製造方法 | |
| EP1211699A2 (en) | Magnetic core having magnetically biasing bond magnet and inductance part using the same | |
| JP2002313632A (ja) | 磁性素子およびその製造方法 | |
| JP2007128951A (ja) | リアクトル | |
| CN113223796A (zh) | 磁性材料组合物和磁元器件 | |
| JPS6010605A (ja) | インダクタンス素子用永久磁石 | |
| JPH056322B2 (ja) | ||
| WO2011121947A1 (ja) | 複合磁性材料とそれを用いたコイル埋設型磁性素子およびその製造方法 | |
| JPS6219041B2 (ja) | ||
| JP2006294733A (ja) | インダクタ及びその製造方法 | |
| KR20210072186A (ko) | 비정질 분말을 이용한 방열 몰딩재 및 이를 이용한 토로이달 인덕터 | |
| JP2003100509A (ja) | 磁気コア及びそれを用いたインダクタンス部品 | |
| JP2002231540A (ja) | 磁気バイアス用磁石を有する磁気コア及びそれを用いたインダクタンス部品 | |
| JP2003257753A (ja) | 磁気コアおよびインダクタンス部品 | |
| JP2002175918A (ja) | インダクタ | |
| JP2003007519A (ja) | 磁気バイアス用磁石を有する磁気コアおよびそれを用いたインダクタンス部品 | |
| JP4226817B2 (ja) | 磁気バイアス用磁石を有する磁気コア及びそれを用いたインダクタンス部品 | |
| JP2003007520A (ja) | 磁気バイアス用磁石を有する磁気コアおよびそれを用いたインダクタンス部品 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |