JPH11354474A - サテン模様を有するシリコンウエハおよびその製造方法 - Google Patents
サテン模様を有するシリコンウエハおよびその製造方法Info
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- JPH11354474A JPH11354474A JP17208498A JP17208498A JPH11354474A JP H11354474 A JPH11354474 A JP H11354474A JP 17208498 A JP17208498 A JP 17208498A JP 17208498 A JP17208498 A JP 17208498A JP H11354474 A JPH11354474 A JP H11354474A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 砥石によるウエハの研磨によりサテン模様を
有するウエハを得る。 【解決手段】 回転する軸に軸承された吸着チャックの
上に吸着されたシリコンウエハの表面に、粒子径が７〜
４０μm （砥石粒度＃３２０〜＃２０００）の砥粒を樹
脂バインダーで固着させた、砥石中に占める砥粒の容積
率が３５〜５５容量％、樹脂バインダー容積率が５〜２
０容量％、気孔率が２５〜６０容量％、砥石の圧縮弾性
率が１，０００〜６，０００ＭＰａ、引張破壊伸びが
０．３〜２．０％の物性を示す砥石を押し当て、砥石お
よび吸着チャックを回転させてウエハの研磨を行って、
ＴＴＶ（Total Thickness Variation ）が１μm 以
下、表面粗さ（Ｒｍａｘ）が２. ０μm 以下の、表面が
サテン（梨地）模様を有するシリコンウエハを得ること
を特徴とするサテン模様のウエハの製造方法。
有するウエハを得る。 【解決手段】 回転する軸に軸承された吸着チャックの
上に吸着されたシリコンウエハの表面に、粒子径が７〜
４０μm （砥石粒度＃３２０〜＃２０００）の砥粒を樹
脂バインダーで固着させた、砥石中に占める砥粒の容積
率が３５〜５５容量％、樹脂バインダー容積率が５〜２
０容量％、気孔率が２５〜６０容量％、砥石の圧縮弾性
率が１，０００〜６，０００ＭＰａ、引張破壊伸びが
０．３〜２．０％の物性を示す砥石を押し当て、砥石お
よび吸着チャックを回転させてウエハの研磨を行って、
ＴＴＶ（Total Thickness Variation ）が１μm 以
下、表面粗さ（Ｒｍａｘ）が２. ０μm 以下の、表面が
サテン（梨地）模様を有するシリコンウエハを得ること
を特徴とするサテン模様のウエハの製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、遊離砥粒を使用す
るラッピング研磨法によらなくて、固定砥粒である砥石
を用いる機械研磨法により製造される、表面が平坦で、
表面粗さの小さいサテン（梨地）模様を有するシリコン
ウエハおよびその製造方法に関する。
るラッピング研磨法によらなくて、固定砥粒である砥石
を用いる機械研磨法により製造される、表面が平坦で、
表面粗さの小さいサテン（梨地）模様を有するシリコン
ウエハおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体メーカーはロジックＩＣの強化や
次世代の６４メガビット、２５６メガビットＤＲＡＭの
開発を急いでおり、それにはＩＣの多層化、微細化が要
求される。ロジックＩＣは平均4 から5 層必要で、次世
代ＤＲＡＭは配線幅を微細にすることが要求されるの
で、シリコンウエハの表面の平坦化、表面粗さが小さい
ことが要求される。
次世代の６４メガビット、２５６メガビットＤＲＡＭの
開発を急いでおり、それにはＩＣの多層化、微細化が要
求される。ロジックＩＣは平均4 から5 層必要で、次世
代ＤＲＡＭは配線幅を微細にすることが要求されるの
で、シリコンウエハの表面の平坦化、表面粗さが小さい
ことが要求される。
【０００３】機械研削されたウエハのＴＴＶは，高々2
〜3 μm,表面粗さ(Rmax)は高々3.5μm であるので、通
常は遊離砥粒を使用するラッピング研磨を施こし、その
後、機械研削されたウエハを化学機械研磨（ＣＭＰ）や
エッチングにより表面平坦化（ＴＴＶ 1 μm 以下）す
ることが行われる。（「砥粒加工学会誌」、Vol.38No.3
1994 May 17-20頁、「砥粒加工学会誌」、Vol.40
No.3 1996.May 137-140 頁、「精密工学会誌」、Vol.
62、No.4. 、1996 496-512 頁）。一方、ＣＭＰ法によ
り鏡面仕上げされたウエハの裏面は遊離砥粒を使用する
ラッピング研磨により得られた梨地（サテン）模様の表
面をエッチングした表面を呈する。
〜3 μm,表面粗さ(Rmax)は高々3.5μm であるので、通
常は遊離砥粒を使用するラッピング研磨を施こし、その
後、機械研削されたウエハを化学機械研磨（ＣＭＰ）や
エッチングにより表面平坦化（ＴＴＶ 1 μm 以下）す
ることが行われる。（「砥粒加工学会誌」、Vol.38No.3
1994 May 17-20頁、「砥粒加工学会誌」、Vol.40
No.3 1996.May 137-140 頁、「精密工学会誌」、Vol.
62、No.4. 、1996 496-512 頁）。一方、ＣＭＰ法によ
り鏡面仕上げされたウエハの裏面は遊離砥粒を使用する
ラッピング研磨により得られた梨地（サテン）模様の表
面をエッチングした表面を呈する。
【０００４】機械研削において発生し易い加工変質層や
深い傷を除去するためには、ウエハ表面を梨地（サテ
ン）模様にすることが必要である。しかしながら、遊離
砥粒を使用するラッピング研磨ではウエハの研磨時に遊
離砥粒が飛散し、作業環境が汚れたり、排水処理が面倒
である。遊離砥粒を使用するラッピング研磨によらず、
砥石を使用する機械研磨により表面が鏡面を示す平坦な
ウエハを製造する方法として、特公平６−７１７０８号
公報は、砥石粒度が＃２，０００のＳｉＣ砥粒をメラミ
ン樹脂またはフェノール樹脂でポリビニルアセタール樹
脂を架橋した樹脂バインダーで接着した連続気孔を有す
る砥石であって、砥粒の砥石に占める容積率が２５〜３
２．２％、樹脂バインダーの容積率が１０〜２５容量
％、気孔率４０〜６０％、結合度（ＪＩＳＲ ６２１０
５−１）が１５ｘ１／１００ｍｍ以上の砥石でウエハを
研磨する方法を提案する。
深い傷を除去するためには、ウエハ表面を梨地（サテ
ン）模様にすることが必要である。しかしながら、遊離
砥粒を使用するラッピング研磨ではウエハの研磨時に遊
離砥粒が飛散し、作業環境が汚れたり、排水処理が面倒
である。遊離砥粒を使用するラッピング研磨によらず、
砥石を使用する機械研磨により表面が鏡面を示す平坦な
ウエハを製造する方法として、特公平６−７１７０８号
公報は、砥石粒度が＃２，０００のＳｉＣ砥粒をメラミ
ン樹脂またはフェノール樹脂でポリビニルアセタール樹
脂を架橋した樹脂バインダーで接着した連続気孔を有す
る砥石であって、砥粒の砥石に占める容積率が２５〜３
２．２％、樹脂バインダーの容積率が１０〜２５容量
％、気孔率４０〜６０％、結合度（ＪＩＳＲ ６２１０
５−１）が１５ｘ１／１００ｍｍ以上の砥石でウエハを
研磨する方法を提案する。
【０００５】しかし、この研磨され表面に鏡面光沢を有
するウエハの裏面は、螺旋条痕を有する鏡面を有するも
のであるので、研磨されたウエハをさらに半導体チップ
にする後加工するのに既存の加工装置を利用するには、
ラッピング研磨により得られたウエハの裏面と同じく、
裏面も螺旋条痕を有しない、かつ、裏面も平坦性の優れ
たサテン模様（非鏡面光沢）を呈するウエハであるのが
都合がよい。
するウエハの裏面は、螺旋条痕を有する鏡面を有するも
のであるので、研磨されたウエハをさらに半導体チップ
にする後加工するのに既存の加工装置を利用するには、
ラッピング研磨により得られたウエハの裏面と同じく、
裏面も螺旋条痕を有しない、かつ、裏面も平坦性の優れ
たサテン模様（非鏡面光沢）を呈するウエハであるのが
都合がよい。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、遊離砥粒を
使用するラッピング研磨によらず、砥石を使用する機械
研磨により製造されたＴＴＶ 1 μm 以下の平坦な、表
面外観がサテン（梨地）模様を呈するウエハの提供なら
びにその製造方法の提供を目的とする。
使用するラッピング研磨によらず、砥石を使用する機械
研磨により製造されたＴＴＶ 1 μm 以下の平坦な、表
面外観がサテン（梨地）模様を呈するウエハの提供なら
びにその製造方法の提供を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の1 は、７〜４０
μm （ＪＩＳ規格Ｒ６００１に規定された砥石粒度＃３
２０〜＃２，０００）の砥粒を樹脂バインダーで固着さ
せた、砥石中に占める砥粒の容積率が３５〜５５容量
％、樹脂バインダー容積率が５〜２０容量％、気孔率が
２５〜６０容量％、砥石の圧縮弾性率が１，０００〜
６，０００ＭＰａ、引張破壊伸びが０．３〜２．０％の
物性を示す砥石を用いてシリコンウエハを研磨して得ら
れた、ＴＴＶ（Total Thickness Variation ）が１μ
m 以下、表面粗さ（Ｒｍａｘ）が２. ０μm 以下の、表
面がサテン（梨地）模様を有するシリコンウエハを提供
するものである。
μm （ＪＩＳ規格Ｒ６００１に規定された砥石粒度＃３
２０〜＃２，０００）の砥粒を樹脂バインダーで固着さ
せた、砥石中に占める砥粒の容積率が３５〜５５容量
％、樹脂バインダー容積率が５〜２０容量％、気孔率が
２５〜６０容量％、砥石の圧縮弾性率が１，０００〜
６，０００ＭＰａ、引張破壊伸びが０．３〜２．０％の
物性を示す砥石を用いてシリコンウエハを研磨して得ら
れた、ＴＴＶ（Total Thickness Variation ）が１μ
m 以下、表面粗さ（Ｒｍａｘ）が２. ０μm 以下の、表
面がサテン（梨地）模様を有するシリコンウエハを提供
するものである。
【０００８】本発明の２は、回転する軸に軸承された吸
着チャックの上に吸着されたシリコンウエハの表面に、
７〜４０μm （ＪＩＳ規格砥石粒度＃３２０〜＃２，０
００）の砥粒を樹脂バインダーで固着させた、砥石中に
占める砥粒の容積率が３５〜５５容量％、樹脂バインダ
ー容積率が５〜２０容量％、気孔率が２５〜６０容量
％、砥石の圧縮弾性率が１，０００〜６，０００ＭＰ
ａ、引張破壊伸びが０．３〜２．０％の物性を示す砥石
を押し当て、砥石および吸着チャックを回転させてウエ
ハの研磨を行って、ＴＴＶ（Total Thickness Variat
ion ）が１μm 以下、表面粗さ（Ｒｍａｘ）が２. ０μ
m 以下の、表面がサテン模様を有するシリコンウエハを
得ることを特徴とするウエハの製造方法を提供するもの
である。
着チャックの上に吸着されたシリコンウエハの表面に、
７〜４０μm （ＪＩＳ規格砥石粒度＃３２０〜＃２，０
００）の砥粒を樹脂バインダーで固着させた、砥石中に
占める砥粒の容積率が３５〜５５容量％、樹脂バインダ
ー容積率が５〜２０容量％、気孔率が２５〜６０容量
％、砥石の圧縮弾性率が１，０００〜６，０００ＭＰ
ａ、引張破壊伸びが０．３〜２．０％の物性を示す砥石
を押し当て、砥石および吸着チャックを回転させてウエ
ハの研磨を行って、ＴＴＶ（Total Thickness Variat
ion ）が１μm 以下、表面粗さ（Ｒｍａｘ）が２. ０μ
m 以下の、表面がサテン模様を有するシリコンウエハを
得ることを特徴とするウエハの製造方法を提供するもの
である。
【０００９】
【作用】圧縮弾性率が１，０００〜６，０００ＭＰａ、
引張破壊伸びが０．３〜２．０％の比較的柔らかく、脆
い砥石を用いたことにより砥石の軌跡の螺旋条痕がウエ
ハの表面に残らず、梨地（サテン）模様の外観を呈する
平坦なウエハが得られる。
引張破壊伸びが０．３〜２．０％の比較的柔らかく、脆
い砥石を用いたことにより砥石の軌跡の螺旋条痕がウエ
ハの表面に残らず、梨地（サテン）模様の外観を呈する
平坦なウエハが得られる。
【００１０】
【発明の実施の形態】砥石：砥石は、７〜４０μm （Ｊ
ＩＳ規格Ｒ６００１により分級された砥石粒度＃３２０
〜＃２，０００）の砥粒を樹脂バインダーで固着させ
た、砥石中に占める砥粒の容積率が３５〜５５容量％、
樹脂バインダー容積率が５〜２０容量％、気孔率が２５
〜６０容量％、砥石の圧縮弾性率が１，０００〜６，０
００ＭＰａ、引張破壊伸びが０．３〜２．０％の物性を
示す砥石を用いる。
ＩＳ規格Ｒ６００１により分級された砥石粒度＃３２０
〜＃２，０００）の砥粒を樹脂バインダーで固着させ
た、砥石中に占める砥粒の容積率が３５〜５５容量％、
樹脂バインダー容積率が５〜２０容量％、気孔率が２５
〜６０容量％、砥石の圧縮弾性率が１，０００〜６，０
００ＭＰａ、引張破壊伸びが０．３〜２．０％の物性を
示す砥石を用いる。
【００１１】図１に砥石の断面顕微鏡写真（３００倍）
を示す。同図から理解されるように砥石は、砥粒と少量
のバインダーで形成されており、数十個の砥粒毎に気孔
に相当する空隙部（気孔）を有している。この気孔の径
は１０〜１５μｍ程度である。砥粒としては、炭化珪
素、酸化アルミニウム、酸化セリウム、酸化クロム、エ
メリー等が使用できる。特に、炭化珪素はシリコンウエ
ハと馴染みがよいので好ましい。
を示す。同図から理解されるように砥石は、砥粒と少量
のバインダーで形成されており、数十個の砥粒毎に気孔
に相当する空隙部（気孔）を有している。この気孔の径
は１０〜１５μｍ程度である。砥粒としては、炭化珪
素、酸化アルミニウム、酸化セリウム、酸化クロム、エ
メリー等が使用できる。特に、炭化珪素はシリコンウエ
ハと馴染みがよいので好ましい。
【００１２】砥石粒度を＃３２０〜＃２，０００（粒子
径７〜４０μｍ）としたのは、研磨されたウエハの平坦
度（ＴＴＶ）を１．０μｍ以下、表面粗さ（Ｒｍａｘ）
を２．０μｍ以下とするためと、研磨して得られるウエ
ハがサテン模様を備えるためである。砥石粒度が＃２，
０００を超えるような砥粒径が小さいものでは得られる
ウエハの外観は鏡面を示す。＃３２０未満のものではウ
エハの表面平坦化が困難となる。好ましくは＃６００〜
＃１，０００の炭化珪素（ＳｉＣ）砥粒がよい。
径７〜４０μｍ）としたのは、研磨されたウエハの平坦
度（ＴＴＶ）を１．０μｍ以下、表面粗さ（Ｒｍａｘ）
を２．０μｍ以下とするためと、研磨して得られるウエ
ハがサテン模様を備えるためである。砥石粒度が＃２，
０００を超えるような砥粒径が小さいものでは得られる
ウエハの外観は鏡面を示す。＃３２０未満のものではウ
エハの表面平坦化が困難となる。好ましくは＃６００〜
＃１，０００の炭化珪素（ＳｉＣ）砥粒がよい。
【００１３】砥粒の砥石に占める割合は、３５〜５５容
量％、好ましくは３５〜４５容量％である。３５容量％
未満では、表面粗さ（Ｒｍａｘ）を２．０μｍ以下とす
ることができない。５５容量％を越えては螺旋条痕がウ
エハに残り、サテン模様の外観を呈するウエハが得られ
ない。樹脂バインダーとしては、フェノール樹脂、エポ
キシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリエステル樹脂等，一般に
レジノイド系砥石に使用される樹脂が挙げられる。砥石
に占める樹脂バインダーの容積率は、５〜２０容量％、
好ましくは８〜１２容量％である。本発明においては，
砥石に占める砥粒の量が多いので、かつ、砥石の圧縮弾
性率（ＪＩＳ Ｋ−７２０８）を１，０００〜６，００
０ＭＰａ、引張破壊伸び（ＪＩＳ Ｋ−７１１３）が
０．３〜２．０％と小さくして柔らかく、かつ、脆くす
るため樹脂バインダーの量は砥粒の脱落を防ぐのに必要
な最小の量（５〜２０容量％）とする。
量％、好ましくは３５〜４５容量％である。３５容量％
未満では、表面粗さ（Ｒｍａｘ）を２．０μｍ以下とす
ることができない。５５容量％を越えては螺旋条痕がウ
エハに残り、サテン模様の外観を呈するウエハが得られ
ない。樹脂バインダーとしては、フェノール樹脂、エポ
キシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリエステル樹脂等，一般に
レジノイド系砥石に使用される樹脂が挙げられる。砥石
に占める樹脂バインダーの容積率は、５〜２０容量％、
好ましくは８〜１２容量％である。本発明においては，
砥石に占める砥粒の量が多いので、かつ、砥石の圧縮弾
性率（ＪＩＳ Ｋ−７２０８）を１，０００〜６，００
０ＭＰａ、引張破壊伸び（ＪＩＳ Ｋ−７１１３）が
０．３〜２．０％と小さくして柔らかく、かつ、脆くす
るため樹脂バインダーの量は砥粒の脱落を防ぐのに必要
な最小の量（５〜２０容量％）とする。
【００１４】砥石に占める空気の量（気孔率）は、２５
〜６０容量％、好ましくは３５〜４５容量％である。砥
石の圧縮弾性率は、１，０００〜６，０００ＭＰａ、好
ましくは２，０００〜４，０００ＭＰａである。６，０
００ＭＰａを越えては螺旋条痕がウエハに現れる。１，
０００ＭＰａ未満では表面平坦なサテン模様のウエハが
得られない。
〜６０容量％、好ましくは３５〜４５容量％である。砥
石の圧縮弾性率は、１，０００〜６，０００ＭＰａ、好
ましくは２，０００〜４，０００ＭＰａである。６，０
００ＭＰａを越えては螺旋条痕がウエハに現れる。１，
０００ＭＰａ未満では表面平坦なサテン模様のウエハが
得られない。
【００１５】サテン（梨地）模様を図２に示す。サテン
とはウエハ表面に押圧された砥粒の転がりによりウエハ
表面に微細な割れの交錯によって破砕が進んだ結果、方
向性のない不規則な条痕が形成され、これが非鏡面光沢
なサテン模様を呈する。 研磨条件：図３に研磨装置の平面図を示す。図３におい
て、１は研磨装置、２は吸着チャック機構、３は回転
軸、４は回転軸に軸承された吸着板、５は中空回転軸、
６はヘッド、７は吸着板、８はチャンバー、９は砥石、
９ａはアルミニウム製フランジ、１０は水供給パイプ、
Ａはウエハである。砥石９は接着剤を用いてフランジ９
ａに固定される。
とはウエハ表面に押圧された砥粒の転がりによりウエハ
表面に微細な割れの交錯によって破砕が進んだ結果、方
向性のない不規則な条痕が形成され、これが非鏡面光沢
なサテン模様を呈する。 研磨条件：図３に研磨装置の平面図を示す。図３におい
て、１は研磨装置、２は吸着チャック機構、３は回転
軸、４は回転軸に軸承された吸着板、５は中空回転軸、
６はヘッド、７は吸着板、８はチャンバー、９は砥石、
９ａはアルミニウム製フランジ、１０は水供給パイプ、
Ａはウエハである。砥石９は接着剤を用いてフランジ９
ａに固定される。
【００１６】下方の吸着チャック機構２に吸着されたウ
エハの上方より、軸５を下降させて砥石９をウエハＡに
一定圧（５〜４０ｋＰａ）で押し当てながら両軸３，５
を正方向または逆方向に回転（２０〜３００ｒ．ｐ．
ｍ．）させ、かつ、ウエハ上に水をウエハの面積当たり
１〜６０リットル／分・m2の量供給しつつ、０．５〜２
μｍの量研磨する。研磨終了後、ウエハの表面を水で洗
浄し、圧空を吹き付けて乾燥する。このようにして得ら
れたウエハは、サテン（梨地）外観を呈するもので、鏡
面光沢や螺旋条痕を有しないものである。
エハの上方より、軸５を下降させて砥石９をウエハＡに
一定圧（５〜４０ｋＰａ）で押し当てながら両軸３，５
を正方向または逆方向に回転（２０〜３００ｒ．ｐ．
ｍ．）させ、かつ、ウエハ上に水をウエハの面積当たり
１〜６０リットル／分・m2の量供給しつつ、０．５〜２
μｍの量研磨する。研磨終了後、ウエハの表面を水で洗
浄し、圧空を吹き付けて乾燥する。このようにして得ら
れたウエハは、サテン（梨地）外観を呈するもので、鏡
面光沢や螺旋条痕を有しないものである。
【００１７】
【実施例】以下、実施例により本発明を更に詳細に説明
する。 実施例１ 株式会社岡本工作機械製作所のカップホイール型ダイヤ
モンド砥石" ＧＲＩＮＤ−Ｘ（商品名：特開平62-18187
5 号公報参照）を用いて研削された直径８インチのシリ
コンウエハ（ＴＴＶ 2.0 μｍ、Ｒmax 4.0μｍ、厚み
約３０２μｍ）を、図３に示す研磨装置の吸着チャック
機構の吸着板上に研削面が上方となるように載置し、つ
いで、ウエハの上方より、中空回転軸に軸承されたヘッ
ドに固定された日本特殊研砥株式会社試作の次の物性の
砥石を下降させて砥石をウエハに押し当てた（圧力２０
ｋＰａ）。
する。 実施例１ 株式会社岡本工作機械製作所のカップホイール型ダイヤ
モンド砥石" ＧＲＩＮＤ−Ｘ（商品名：特開平62-18187
5 号公報参照）を用いて研削された直径８インチのシリ
コンウエハ（ＴＴＶ 2.0 μｍ、Ｒmax 4.0μｍ、厚み
約３０２μｍ）を、図３に示す研磨装置の吸着チャック
機構の吸着板上に研削面が上方となるように載置し、つ
いで、ウエハの上方より、中空回転軸に軸承されたヘッ
ドに固定された日本特殊研砥株式会社試作の次の物性の
砥石を下降させて砥石をウエハに押し当てた（圧力２０
ｋＰａ）。
【００１８】砥石の物性：ＳｉＣ砥粒の平均粒径１４μ
ｍ（砥石粒度＃８００）、砥石に占める砥粒の容積率３
９容量％、砥石に占めるフェノール樹脂バインダーの容
積率１１容量％、砥石に占める空気の容積率（気孔率）
５０容量％、砥石の圧縮弾性率３，０００ＭＰａ、引張
破壊伸び０．８％。ウエハの上面にイオン交換水を３０
リットル／分・m2の割合でノズルより供給しつつ、回転
軸３の回転速度を６０r.p.m.右方向に、中空回転軸５を
左方向に１００r.p.m.回転させて研磨速度0.５μｍ／分
で３分間研磨を行い、水で表面を洗浄し、圧空で乾燥さ
せた。
ｍ（砥石粒度＃８００）、砥石に占める砥粒の容積率３
９容量％、砥石に占めるフェノール樹脂バインダーの容
積率１１容量％、砥石に占める空気の容積率（気孔率）
５０容量％、砥石の圧縮弾性率３，０００ＭＰａ、引張
破壊伸び０．８％。ウエハの上面にイオン交換水を３０
リットル／分・m2の割合でノズルより供給しつつ、回転
軸３の回転速度を６０r.p.m.右方向に、中空回転軸５を
左方向に１００r.p.m.回転させて研磨速度0.５μｍ／分
で３分間研磨を行い、水で表面を洗浄し、圧空で乾燥さ
せた。
【００１９】得られたウエハの厚みは約３００．５μｍ
で、ＴＴＶは０．４μｍ、Ｒmax は１．８μｍで、ウエ
ハの研磨面は梨地状を呈し、螺旋条痕は見当たらなかっ
た。 実施例2 〜4 、比較例１〜４ 砥石として表１の物性を示す砥石を用い、研磨量が１．
５μｍとなるように回転軸３と５の回転数を変更した以
外は、実施例１と同様にして砥石によるウエハの研磨を
行った。得られたウエハの物性を表２に示す。
で、ＴＴＶは０．４μｍ、Ｒmax は１．８μｍで、ウエ
ハの研磨面は梨地状を呈し、螺旋条痕は見当たらなかっ
た。 実施例2 〜4 、比較例１〜４ 砥石として表１の物性を示す砥石を用い、研磨量が１．
５μｍとなるように回転軸３と５の回転数を変更した以
外は、実施例１と同様にして砥石によるウエハの研磨を
行った。得られたウエハの物性を表２に示す。
【００２０】
【表１】
【００２１】
【表２】
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、固定砥粒である砥石に
よりウエハを研磨してサテン模様のウエハを得ることが
できるので、遊離砥粒を用いてサテン模様を有するウエ
ハを得るラッピング法と比較して研磨後の作業場の清掃
が容易である。
よりウエハを研磨してサテン模様のウエハを得ることが
できるので、遊離砥粒を用いてサテン模様を有するウエ
ハを得るラッピング法と比較して研磨後の作業場の清掃
が容易である。
【図１】本発明の実施に用いる砥石の断面図である。
【図２】サテン模様を有するウエハの外観を示す図であ
る。
る。
【図３】研磨装置の平面図である。
【符号の説明】 １ 研磨装置 ２ 吸着チャック機構 ３ 回転軸 ４ 吸着板 ５ 中空回転軸 ６ ヘッド ７ 吸着板 ８ チャンバー ９ 砥石 ９ａ フランジ １０ 水供給パイプ Ａ ウエハ
フロントページの続き (72)発明者 小林 一雄 神奈川県厚木市上依知3009番地 株式会社 岡本工作機械製作所半導体事業部内 (72)発明者 左光 大和 神奈川県厚木市上依知3009番地 株式会社 岡本工作機械製作所半導体事業部内
Claims (3)
- 【請求項１】 粒子径が７〜４０μm （ＪＩＳ規格砥石
粒度＃３２０〜＃２，０００）の砥粒を樹脂バインダー
で固着させた、砥石中に占める砥粒の容積率が３５〜５
５容量％、樹脂バインダー容積率が５〜２０容量％、気
孔率が２５〜６０容量％、砥石の圧縮弾性率が１，００
０〜６，０００ＭＰａ、引張破壊伸びが０．３〜２．０
％の砥石を用いてシリコンウエハを研磨して得られたＴ
ＴＶ（Total Thickness Variation ）が１μm 以下、
表面粗さ（Ｒｍａｘ）が２. ０μm 以下の表面がサテン
（梨地）模様を有するシリコンウエハ。 - 【請求項２】 回転する軸に軸承された吸着チャックの
上に吸着されたシリコンウエハの表面に、７〜４０μm
（ＪＩＳ規格砥石粒度＃３２０〜＃２，０００）の砥粒
を樹脂バインダーで固着させた、砥石中に占める砥粒の
容積率が３５〜５５容量％、樹脂バインダー容積率が５
〜２０容量％、気孔率が２５〜６０容量％、砥石の圧縮
弾性率が１，０００〜６，０００ＭＰａ、引張破壊伸び
が０．３〜２．０％の物性を示す砥石を押し当て、砥石
および吸着チャックを回転させてウエハの研磨を行っ
て、ＴＴＶ（Total Thickness Variation ）が1 μm
以下、表面粗さ（Ｒｍａｘ）が２. ０μm 以下の、表面
がサテン模様を有するシリコンウエハを得ることを特徴
とするサテン模様のウエハの製造方法。 - 【請求項３】 砥石によるウエハの研磨は、砥石のウエ
ハへの押し圧力を５〜４０ｋＰａ、ウエハ上面への水供
給量をウエハの面積当たり１〜６０リットル／分・m2の
条件で行われることを特徴とする請求項２に記載の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17208498A JPH11354474A (ja) | 1998-06-05 | 1998-06-05 | サテン模様を有するシリコンウエハおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17208498A JPH11354474A (ja) | 1998-06-05 | 1998-06-05 | サテン模様を有するシリコンウエハおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11354474A true JPH11354474A (ja) | 1999-12-24 |
Family
ID=15935251
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17208498A Pending JPH11354474A (ja) | 1998-06-05 | 1998-06-05 | サテン模様を有するシリコンウエハおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11354474A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005522337A (ja) * | 2002-04-11 | 2005-07-28 | サンーゴバン アブレイシブズ，インコーポレイティド | ロールの研削方法 |
-
1998
- 1998-06-05 JP JP17208498A patent/JPH11354474A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005522337A (ja) * | 2002-04-11 | 2005-07-28 | サンーゴバン アブレイシブズ，インコーポレイティド | ロールの研削方法 |
| JP2008100349A (ja) * | 2002-04-11 | 2008-05-01 | Saint-Gobain Abrasives Inc | ロールの研削方法 |
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