JPH11354868A

JPH11354868A - 光注入型半導体レーザ装置

Info

Publication number: JPH11354868A
Application number: JP10163468A
Authority: JP
Inventors: Riyousuke Goto; 了祐後藤; Kazuo Yamane; 一雄山根; Toshio Goto; 俊夫後藤; Masakazu Mori; 正和森
Original assignee: Nagoya University NUC; Fujitsu Ltd
Current assignee: Nagoya University NUC; Fujitsu Ltd
Priority date: 1998-06-11
Filing date: 1998-06-11
Publication date: 1999-12-24

Abstract

(57)【要約】【課題】光ファイバ通信システムにおいて光源として用
いられ、光注入によって半導体レーザを制御することに
よって、高精度な制御を実現する光注入型半導体レーザ
装置を提供する。【解決手段】多縦モード半導体レーザに対してコヒーレ
ント光注入手段により該レーザ内のキャリア密度を変調
するとともに該レーザの基本周波数と等しいビート周波
数を有する２つのコヒーレント光を注入する。あるい
は、ファブリ−ペロー縦モード間隔の整数倍に相当する
発振周波数差を有する同一構造の複数の単一縦モード半
導体レーザの各出力光を相互に注入する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は光注入型半導体レー
ザ装置に関し、特に光ファイバ通信システムにおいて光
源として用いられる光注入型半導体レーザ装置に関する
ものである。

【０００２】光ファイバ通信システムの大容量化は、
（１）伝送速度の高速化と（２）波長多重による並列化
の優劣を比較しながら開発が進められて来ているが、い
ずれの場合も半導体レーザを光源として用いているとこ
ろから、特に半導体レーザの高精度な制御技術を確立す
ることが重要になっている。

【０００３】

【従来の技術と課題】（１）伝送速度の高速化従来まで、光源の高ビットレート化のため、半導体レー
ザを高速に直接変調する直接変調方式が用いられてきた
が、この方式では大きな波長変動（チャーピング) を生
じ、これが光ファイバ中の波長分散によるパルス広がり
を引き起こすため、高ビットレート化には不利である。

【０００４】一方、チャーピングを抑える方法として、
半導体レーザの出力光を外部変調器によって変調する従
来技術がある。しかしながら、この方法では外部変調器
を電気信号によって駆動するため、ビットレートはこの
駆動用電気回路の動作によって制限されてしまい、特に
１０Gb/sを超える高ビットレート領域では、現状の技術
による実現は困難である。

【０００５】これに対し、超短パルス光を発生できる縦
モード同期技術が提案されている。これは、半導体レー
ザが多縦モード半導体レーザであり、その縦モード周波
数間隔（ｆh）にほぼ等しい周波数の変調をレーザ共振
器内で行うと変調のサイド縦モード（サイドバンド＝側
波帯）を介して縦モード間の結合が起こり、縦モードの
周波数間隔は変調周波数に同期（ロック）され、図１０
に示すようなパルスの繰り返し周期（Ｔ＝１／ｆh）で
超短パルス光が発生されるという技術である。

【０００６】これをさらに応用すれば、同図に示すよう
に、モードロックレーザ４０から発生された光パルスを
遅延部４１で順次遅延させた後、時分割多重することに
より、更なる高ビットレートのパルス列を発生させるこ
とが可能となる。

【０００７】しかしながら、この方法も、パルスの繰り
返し周期（Ｔ＝１／ｆh）が、外部変調器、またはレー
ザを駆動する電気回路の動作によって制限される上、パ
ルス幅も制限を受ける。これは、生成されるパルスの幅
が1/√ｆhに比例するためであり、周波数ｆhの信号を電
気回路の動作によって制御する限り、１０Gb/sを超える
高ビットレート化には限界があるという問題がある。

【０００８】（２）波長多重による並列化上記のように、１０Gb/sを超えると、上記のように高速
電気信号処理の困難さから、光デバイスの制御方法に問
題が生じるため、これに代わる光源の並列化技術として
の波長多重（ＷＤＭ）技術が注目されている。

【０００９】この波長多重化のメリットは、各々の光源
のビットレートが低くても、それらを合波することで、
より多くの信号を伝送できる点である。従って、波長多
重化によって大容量伝送を実現するためには、出来る限
り多くの波長成分に情報を乗せて伝送すればよい。

【００１０】しかしながら、現在の光ファイバ通信で実
用化されているＥr-添加光ファイバ増幅器においては、
波長１．５５μｍ帯に増幅帯域を持っており、この帯域
内に全ての信号を収めなければならない。このため、波
長１．５５μｍ帯域内で、各光源の波長を高密度に配置
する必要がある。更に、受信側で各波長成分を高精度に
分波できるよう、各光源の発振波長の揺らぎを最小限に
抑えることも必要となる。

【００１１】これらに対しては、狭線幅の単一縦モー
ド半導体レーザを用い、且つ各半導体レーザの発振波
長を固定することが必要である。

【００１２】しかしながら、まず、に関しては、製造
時における特性バラツキにより、均一の発振波長間隔
で、且つ狭線幅な半導体レーザを製造することは困難で
ある。またに関しては、各半導体レーザの温度を温度
制御器によって精密に制御し、且つ半導体レーザへの注
入電流を微調整することで、発振波長を固定せねばなら
ない。すなわち、各々のレーザに対し、個々に精密制御
が必要となるという問題がある。

【００１３】一方、レーザの発振線幅狭窄化や、サイド
縦モード抑圧の手段として従来より図１１に示す光注入
同期技術が利用されている。すなわち、狭線幅かつ発振
波長を安定に制御した単一縦モードレーザ（これをマス
タレーザと呼ぶ）１１からの光を、光アイソレータ１３
を介して、発振波長の近接した別のレーザ（これをスレ
ーブレーザと呼ぶ）１２に注入する。

【００１４】この結果、スレーブレーザ１２の発振スペ
クトルが、マスタレーザ１１のそれに引込まれ、発振波
長安定化、狭線幅化、及びサイド縦モード（サイドバン
ド）抑圧をもたらす。しかしながら、スレープレーザの
発振周波数はマスタレーザのそれと一致するため、波長
の異なるすべての半導体レーザの安定化を図るには、や
はり個々の制御が必要となる。

【００１５】以上のことから、光ファイバ通信の大容量
化には、（１）伝送速度の高速化及び（２）波長多重の
並列化のいずれについても、高精度な半導体レーザ制御
技術を確立することが必要不可欠である。

【００１６】したがって、本発明はこの問題を解決する
ため、光注入によって半導体レーザを制御することによ
って、高精度な制御を実現する光注入型半導体レーザを
提供することを目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】（１）全光モード同期に
よる伝送速度の高速化のための手段上記の目的を達成するため、本発明に係る光注入型半導
体レーザ装置は、多縦モード半導体レーザと、該多縦モ
ード半導体レーザに対して該レーザ内のキャリア密度を
変調するとともに該レーザの基本周波数と等しいビート
周波数を有する２つのコヒーレント光を注入するコヒー
レント光注入手段と、を備えたことを特徴としている。

【００１８】上記のコヒーレント光注入手段は、該基本
周波数と等しいビート周波数の代わりに該基本周波数の
高調波周波数と等しいビート周波数を用いることができ
る。

【００１９】さらに、該多縦モード半導体レーザのバイ
アス電流又は該コヒーレント光注入手段のバイアス電流
を該基本周波数または該高調波周波数の信号で変調する
発振器を設けてもよい。

【００２０】さらに、該コヒーレント光注入手段は、該
コヒーレント光をそれぞれが発生する２つの単一縦モー
ド半導体レーザで構成することができる。

【００２１】すなわち、発振周波数のわずかに異なる、
２つの単一縦モードレーザからの出力コヒーレント光の
周波数差に相当するビート周波数で多縦モード半導体レ
ーザを変調する。この時、キャリア密度を有効に変調し
て多縦モード半導体レーザ内の活性層内で誘導吸収また
は誘導放出を起こす。

【００２２】基本波縦モード同期または高調波縦モード
同期については、２つの注入光の周波数差を、多縦モー
ド半導体レーザの基本周波数（共振周波数）、又はその
自然数倍である高調波周波数に等しくすればよい。その
結果、各発振スペクトル成分は、周波数ｆa、又はｆhの
側帯波を生成しながら共振器内を往復するので、各成分
の相対位相が固定され、短パルス光が生成される。

【００２３】従って基本波縦モード同期においては、縦
モード間隔の広い半導体レーザを用い、また高調波縦モ
ード同期においては、注入する２つの光の周波数差を大
きくすれば、繰り返し数十GHz 以上の光パルス列を生成
することが可能となる。

【００２４】一方、予備変調方式による高調波縦モード
同期については、上記高調波縦モード同期において、多
縦モード半導体レーザのバイアス電流か、コヒーレント
光源に用いるレーザのバイアス電流を、予め基本周波数
又は高調波周波数で変調すればよい。この結果、高調波
縦モード同期に比較して、動作の安定化を実現すると同
時に、光パルス列の高繰り返し、短パルス化が可能とな
る。

【００２５】このような短パルス光源を光ファイバ通信
に用いれば、更なる高速化が可能となる。

【００２６】（２）相互注入同期による波長多重・並列
化のための手段上記の目的を達成するため、本発明に係る光注入型半導
体レーザ装置は、ファブリ−ペロー縦モード間隔の整数
倍に相当する発振周波数差を有する同一構造の複数の単
一縦モード半導体レーザの各出力光を相互に注入するこ
とを特徴とした構成を有することができる。

【００２７】この注入同期技術は、２つの多縦モード半
導体レーザ間のアイソレータを取り除くことで、光が相
互に注入し合うようにしたものである。この時、２つの
レーザの発振周波数（波長）差が、ほぼファブリ−ペロ
ー（Ｆ−Ｐ）縦モード間隔Ｆ−Ｐに等しいものを用いる
と注入同期が起こる。

【００２８】すなわち、スレーブレーザの発振周波数
を、マスタレーザのＦ−Ｐサイド縦モード近傍に注入す
る。この時、スレーブレーザの発振周波数がマスタレー
ザのＦ−Ｐ縦モードと一致しているため、共振器内を往
復した時の位相条件が満たされる。従って、活性層内に
おける光混合が強く起きる。

【００２９】同時に、マスタレーザの出力光もスレーブ
レーザに注入されるため、スレーブレーザでもサイド縦
モードが生成する。その結果、各レーザの発振周波数成
分が、相手レーザのサイド縦モード成分と相互作用する
ことによって、注入同期が起こる。

【００３０】この光注入型半導体レーザ装置は、該マス
タレーザを起点として全半導体レーザを縦続接続する
か、あるいは該マスタレーザと各半導体レーザとを並列
接続したものとすることができる。

【００３１】これらの構成において、温度制御器によっ
てマスタレーザのみの発振波長を安定に制御すれば、そ
の他のレーザ全ての発振波長を安定化できる。また、マ
スタレーザに狭線幅単一縦モードレーザを用いれば、そ
の他のレーザ全ての狭線幅化が可能である。

【００３２】さらに、マスタレーザの注入電流を変調
し、ＡＭサイド縦モードを生成させる。この時スレーブ
レーザの発振周波数を、このＡＭサイド縦モードに一
致させて注入する。この結果、スレーブレーザの発振周
波数成分と、このＡＭサイド縦モード成分が相互作用す
る。

【００３３】このため、２つのレーザの発振周波数差が
ＡＭ変調周波数に固定されることとなり、マスタレーザ
のみの発振周波数を固定し、且つＡＭ変調周波数を微調
整すれば、スレーブレーザの出力パワーを一定に保った
まま、その発振周波数が微調整できる。

【００３４】

【発明の実施の形態】以下に本発明に係る光注入型半導
体レーザ装置の高速化及び並列化（波長多重）に関する
実施例を図面を参照しながら説明する。

【００３５】（１）伝送速度の高速化（全光縦モード同
期）：図１〜図３一般に縦モード同期（ロック）には、基本波縦モード同
期、高調波縦モード同期、更に予備変調方式による高調
波縦モード同期が挙げられる。

【００３６】図１は、上記の基本波縦モード同期及び高
調波縦モード同期を実現する光注入型半導体レーザ装置
の実施例を示している。図中、１は多縦モード半導体レ
ーザであり、２，３は単一縦モード半導体レーザであ
る。単一縦モード半導体レーザ２，３の各出力光は光カ
プラ４により合波され、さらに光カプラ５を介して多縦
モード半導体レーザ１にコヒーレント光を注入するよう
に構成されている。

【００３７】動作において、単一縦モード半導体レーザ
２，３は直流駆動されて互いに僅かに異なる２つの発振
周波数ｆ１、ｆ２の出力光を、光カプラ４で合波し、閾
値以上に直流バイアスされた多縦モード半導体レーザ１
の活性層に注入する。

【００３８】この時、レーザ１内の活性層内のキャリア
密度が、２つの注入光の周波数差に相当するビート周波
数ｆb＝｜ｆ１- ｆ２｜で変調される。これは、駆動電
気回路によって、レーザ１の注入電流を周波数ｆbで変
調することに相当する。但し、この時、キャリア密度を
有効に変調するため、注入光波長は、半導体レーザ内の
活性層内で、誘導吸収、あるいは誘導放出を起こす波長
にしなければならない。

【００３９】すなわち、活性層内において、注入光波長
に対する絶対利得が正であり、且つ、利得が自由キャリ
ア吸収損失や散乱損失を上回る時は、注入光が誘導放出
を起こすことによってキャリア密度が変調される。一
方、注入光波長に対する絶対利得が負であり、且つ、注
入光の光子エネルギーが活性層のバンドギャップエネル
ギー以上ならば、注入光が誘導吸収されることによって
キャリア密度が変調される。

【００４０】ここで、上記の基本波縦モード同期につい
ては、２つの注入光の周波数差ｆbを、半導体レーザ１
の基本周波数（レーザ共振時の共振周波数）ｆaに等し
くすればよい。また、高調波縦モード同期の場合は、そ
の自然数倍である高調波周波数ｆh＝Ｎｆa（但し、Ｎは
Ｎ＞１の自然数) に等しくすればよい。

【００４１】Ｒの結果、各発振スペクトル成分は、周波
数ｆa、又はｆhのサイドバンドを生成しながら共振器内
を往復するので、各成分の相対位相が固定され、短パル
ス光が生成される。パルスの繰り返し周波数は、キャリ
ア密度を変調する周波数、すなわち注入光のビート周波
数ｆbに等しい。

【００４２】従って基本波縦モード同期においては、縦
モード間隔の広い共振器長を有する半導体レーザ１を用
い、また高調波縦モード同期においては、単一縦モード
半導体レーザ２，３から多縦モード半導体レーザ１へ注
入する２つのコヒーレント光の周波数差ｆbを大きくす
れば、繰り返し数十GHz以上の光パルス列を生成するこ
とが可能である。また同時に、1/√ｆhに比例してパル
ス幅が決まるため、超短パルスの生成も可能である。

【００４３】一方、予備変調方式による高調波縦モード
同期については、上記の高調波縦モード同期の手法にお
いて、図２に示す如く、さらに半導体レーザ１のバイア
ス電流か、図３に示す如く注入光源としてのレーザ２，
３のバイアス電流を、予め基本周波数ｆa又は高調波周
波数ｆs= ｎｆa( 但し、ｎはＮの公約数で且つＮ＞ｎ＞
１) の正弦波を発生する正弦波発振器６によって変調す
ればよい。

【００４４】この結果、図１に示した高調波縦モード同
期に比較して、動作の安定化を実現すると同時に、光パ
ルス列の高繰り返し・短パルス化が可能となる。以上の
技術を短パルス光源として用いれば、光ファイバ通信に
おいて、更なる高速化が可能となる。

【００４５】（２）波長多重による並列化（相互注入同
期）：図４〜図９図４は、本発明に係る光注入型半導体レーザ装置の別の
実施例を示し、この実施例では、図１１に示した注入同
期方式とは異なり、光アイソレータ１３を用いずに分布
帰還型半導体レーザ(DFB-LD)であるマスタレーザ１１と
スレーブレーザ１２とを直接光ファイバ１４で接続した
構成となっている。

【００４６】動作においては、２つ以上の同一構造半導
体レーザ１１−１２間のアイソレータを取り除くこと
で、光が相互に注入し合う。この時、２つのレーザ１
１，１２の発振波長差が、図５に示すように、ほぼファ
ブリ−ペロー（Fabry-Perot)縦モード間隔Ｆ−Ｐに等し
いものを用いると、以下のメカニズムにより注入同期が
起こる。

【００４７】すなわち、各々のレーザ１１，１２のスペ
クトルを図５（ａ），（ｂ）としたとき、スレーブレー
ザ１２の発振周波数ｆsを、マスタレーザ１１の発振周
波数ｆmから縦モード間隔Ｆ−Ｐだけ離れたサイド縦モ
ード近傍に注入する。この時、マスタレーザ１１の活性
層内では、キャリア密度がビート周波数ｆb＝｜ｆm−ｆ
s｜で変調される。

【００４８】通常、半導体レーザの縦モード間隔Ｆ−Ｐ
は１００〜１５０GHz程度であるため、このような高周
波ビート成分によるＡＭサイド縦モード生成は困難であ
る。しかし、スレーブレーザ１２の発振周波数ｆsがマ
スタレーザ１１のＦ−Ｐ縦モードと一致しているため、
共振器内を往復した時の位相条件が満たされる。従っ
て、活性層内における光混合が強く起きるため、同図
（ａ）に示す如く、周波数ｆm±ｆbのサイド縦モードが
生成される。

【００４９】同時に、マスタレーザ１１の出力光もスレ
ーブレーザ１２に注入されるため、スレーブレーザ１２
でも同図（ｂ）に示すように周波数ｆs±ｆbのサイド縦
モードが生成される。その結果、各半導体レーザ１１，
１２の発振周波数成分が、相手のサイド縦モード成分と
相互作用することとなり、注入同期が起こる。

【００５０】これを波長多重通信の光源に応用した時の
実施例が図６（ａ），（ｂ）に示されている。同図
（ａ）は、マスタレーザ１１を起点として、全てのレー
ザ１２１，１２２，…を縦続接続した構成であり、同図
（ｂ）に示すように、各レーザ１１，１２１，１２２…
は縦モード間隔Ｆ−Ｐずつ離れた発振周波数ｆ１，ｆ
２，ｆ３，…を有している。

【００５１】また、同図（ｃ）の場合は、マスタレーザ
１１を中心に、全てのスレーブレーザ１２１，１２２，
…をマスタレーザ１１に接続した構成であり、この場合
も同図（ｂ）と同様に各レーザ１１，１２１，１２２…
は縦モード間隔Ｆ−Ｐずつ離れた発振周波数ｆ１，ｆ
２，ｆ３，…を有している。

【００５２】これらの構成において、マスタレーザ１１
のみの発振波長を安定に制御するためには、図７に示す
実施例の如く温度制御器２０をマスタレーザ１１に接続
すれば、その他の全てのレーザ１２，…の発振波長を安
定化することができる。

【００５３】また、マスタレーザ１１に狭線幅単一縦モ
ードレーザを用いれば、その他のスレーブレーザ全ての
狭線幅化が可能となる。

【００５４】更には、各光源の精密波長可変も可能とな
る。この場合の実施例を図８に示す。この実施例では、
図７の実施例における温度制御器２０の代わりに駆動回
路３０がマスタレーザ１１に接続されている。すなわ
ち、マスタレーザ１１の注入電流をＡＭ変調周波数ｆ_AM
の駆動回路３０によりＡＭ変調して図９に示すようにＡ
Ｍサイド縦モードを生成させる。この時、スレーブレー
ザ１２の発振周波数ｆsを、このＡＭサイド縦モードに
一致させて注入する。

【００５５】この結果、スレーブレーザ１２の発振周波
数成分ｆsと、このＡＭサイド縦モード成分がマスタレ
ーザ１１に相互作用する。更に、マスタレーザ１１とス
レーブレーザ１２の発振周波数差は、電流変調によるＡ
Ｍサイド縦モード生成が可能な程度なので、前記の相互
注入同期の効果も現れる。このため、２つのレーザ１
１，１２の発振周波数差ｆm−ｆsがＡＭ変調周波数ｆ_AM
に固定される。

【００５６】従って、マスタレーザ１１のみの発振周波
数ｆmを固定し、且つＡＭ変調周波数ｆ_AMを微調整すれ
ば、スレーブレーザ１２の出力パワーを一定に保ったま
ま、その発振周波数が微調整できる。更に複数のマスタ
レーザを接続すれば、これらの発振周波数を同時に掃
引、且つ微調整することが可能となる。

【００５７】

【発明の効果】以上述べたように、本発明に係る光注入
型半導体レーザ装置は、多縦モード半導体レーザに対し
てコヒーレント光注入手段により該レーザ内のキャリア
密度を変調するとともに該レーザの基本周波数と等しい
ビート周波数を有する２つのコヒーレント光を注入する
ように構成したので、基本波縦モード同期、高調波縦モ
ード同期又は予備変調方式による高調波縦モード同期の
いずれにおいても動作の安定化を実現すると同時に、光
パルス列の高繰り返し、短パルス化が可能となる。

【００５８】したがって、このような短パルス光源を光
ファイバ通信に用いれば、更なる高速化が可能となる。

【００５９】また、本発明に係る光注入型半導体レーザ
装置は、ファブリ−ペロー縦モード間隔の整数倍に相当
する発振周波数差を有する同一構造の複数の単一縦モー
ド半導体レーザの各出力光を相互に注入するように構成
したので、２つ以上の同一構造半導体レーザにおいて周
波数差が１００GHz以上離れた状態でも、相互注入同期
を引き起こすことが可能となる。この結果、発振波長の
安定化、狭線幅化、サイドモード抑圧を図ることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る光注入型半導体レーザ装置におけ
る基本波モード同期又は高調波モード同期方式による実
施例を示したブロック図である。

【図２】本発明に係る光注入型半導体レーザ装置におけ
る予備変調方式による高調波モード同期方式による実施
例（その１）を示したブロック図である。

【図３】本発明に係る光注入型半導体レーザ装置におけ
る予備変調方式による高調波モード同期方式による実施
例（その２）を示したブロック図である。

【図４】本発明に係る光注入型半導体レーザ装置におけ
る相互注入同期方式による実施例を示したブロック図で
ある。

【図５】本発明に係る光注入型半導体レーザ装置におけ
る相互注入同期方式による実施例の動作を説明するため
のスペクトル図である。

【図６】本発明に係る光注入型半導体レーザ装置におけ
る相互注入同期方式による波長多重通信の実施例を示し
たブロック図である。

【図７】本発明に係る光注入型半導体レーザ装置におけ
る相互注入同期方式による多波長安定化光源の実施例を
示したブロック図である。

【図８】本発明に係る光注入型半導体レーザ装置におけ
る相互注入同期方式による精密波長可変光源の実施例を
示したブロック図である。

【図９】本発明に係る光注入型半導体レーザ装置におけ
る相互注入同期方式による精密波長可変光源の実施例の
動作を説明するためのスペクトル図である。

【図１０】モード同期レーザによる一般的な短パルス時
分割多重方式を示した図である。

【図１１】従来の注入同期方式を示したブロック図であ
る。

【符号の説明】

１多縦モード半導体レーザ２，３単一縦モード半導体レーザ４，５光カプラ６正弦波発振器１１マスタレーザ１２，１２１，１２２スレーブレーザ１４光ファイバ２０温度制御器３０駆動回路図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者山根一雄神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番１号富士通株式会社内 (72)発明者後藤俊夫愛知県日進市五色園３丁目2110番 (72)発明者森正和愛知県名古屋市西区大野木３丁目100番レジオン庄内緑地公園101号

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】多縦モード半導体レーザと、該多縦モード
半導体レーザに対して該レーザ内のキャリア密度を変調
するとともに該レーザの基本周波数と等しいビート周波
数を有する２つのコヒーレント光を注入するコヒーレン
ト光注入手段と、を備えたことを特徴とする光注入型半
導体レーザ装置。
【請求項２】請求項１において、該コヒーレント光注入
手段が、該基本周波数と等しいビート周波数の代わりに
該基本周波数の高調波周波数と等しいビート周波数を用
いることを特徴とした光注入型半導体レーザ装置。
【請求項３】請求項２において、該多縦モード半導体レーザのバイアス電流又は該コヒー
レント光注入手段のバイアス電流を該基本周波数または
該高調波周波数の信号で変調する発振器を設けたことを
特徴とする光注入型半導体レーザ装置。
【請求項４】請求項１乃至３のいずれかにおいて、該コヒーレント光注入手段が、該コヒーレント光をそれ
ぞれが発生する２つの単一縦モード半導体レーザで構成
されていることを特徴とした光注入型半導体レーザ装
置。
【請求項５】ファブリ−ペロー縦モード間隔の整数倍に
相当する発振周波数差を有する同一構造の複数の単一縦
モード半導体レーザの各出力光を相互に注入することを
特徴とした光注入型半導体レーザ装置。
【請求項６】請求項５において、該半導体レーザの一つをマスタレーザとして発振線幅の
狭い単一縦モード半導体レーザを用いることを特徴とし
た光注入型半導体レーザ装置。
【請求項７】請求項５又は６において、該マスタレーザを起点として全半導体レーザを縦続接続
したことを特徴とする光注入型半導体レーザ装置。
【請求項８】請求項５乃至７のいずれかにおいて、該マスタレーザと各半導体レーザとを並列接続したこと
を特徴とする光注入型半導体レーザ装置。
【請求項９】請求項５乃至８のいずれかにおいて、該半導体レーザの一つをマスタレーザとしてその発振周
波数を、温度制御器によって固定することを特徴とした
光注入型半導体レーザ装置。
【請求項１０】請求項６乃至９のいずれかにおいて、該マスタレーザの注入電流を変調して各レーザの発振波
長差に相当するＡＭサイド縦モードを生成する駆動回路
を設けたことを特徴とする光注入型半導体レーザ装置。
【請求項１１】請求項１０において、該駆動回路が、該変調周波数を掃引することによって、
各レーザの発振周波数を掃引することを特徴とした光注
入型半導体レーザ装置。