JPH113600A5 - - Google Patents

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JPH113600A5
JPH113600A5 JP1997155142A JP15514297A JPH113600A5 JP H113600 A5 JPH113600 A5 JP H113600A5 JP 1997155142 A JP1997155142 A JP 1997155142A JP 15514297 A JP15514297 A JP 15514297A JP H113600 A5 JPH113600 A5 JP H113600A5
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Description

【0005】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る半導体記憶装置は、メモリセルが行および列に配列されたメモリセルアレイと、メモリセルアレイからのデータを読み出す読出回路と、メモリセルアレイに外部からのデータを書き込む書込回路と、読出回路もしくは書込回路の動作を制御する制御信号が入力される信号端子と、メモリセルアレイ、読出回路および書込回路が配置されたチップにチップ内部電圧を与えるチップ内部電圧配線と、チップの動作をテストするテスト信号を出力するコントロール回路と、チップ内部電圧配線と信号端子との間に接続され、テスト信号に応じて信号端子にチップ内部電圧を供給するチップ内部電圧供給回路とを備えたものである。
また、請求項1記載の半導体記憶装置において、信号端子は複数の内部電圧供給回路に接続され、テスト信号により、いずれかの内部電圧供給回路が活性化され、いずれかの内部電圧供給回路に対応するチップ内部電圧が信号端子に出力されたものである。
さらに、請求項1または請求項2記載の半導体記憶装置において、信号端子は、読出動作における読出データの出力を制御する信号が入力されたものである。
【0025】
【発明の効果】
上記したように、この発明に係る半導体記憶装置は、読出回路もしくは書込回路の動作を制御する制御信号が入力される信号端子と、チップにチップ内部電圧を与えるチップ内部電圧配線とチップの動作をテストするテスト信号を出力するコントロール回路と、チップ内部電圧配線と信号端子との間に接続され、テスト信号に応じて信号端子にチップ内部電圧を供給するチップ内部電圧供給回路とを備えるので、チップ内部電圧を引き出すための専用パッドが不要となる。

Claims (3)

  1. メモリセルが行および列に配列されたメモリセルアレイと、
    前記メモリセルアレイからのデータを読み出す読出回路と、
    前記メモリセルアレイに外部からのデータを書き込む書込回路と、
    前記読出回路もしくは前記書込回路の動作を制御する制御信号が入力される信号端子と、
    前記メモリセルアレイ、前記読出回路および前記書込回路が配置されたチップにチップ内部電圧を与えるチップ内部電圧配線と、
    前記チップの動作をテストするテスト信号を出力するコントロール回路と、
    前記チップ内部電圧配線と前記信号端子との間に接続され、前記テスト信号に応じて前記信号端子に前記チップ内部電圧を供給するチップ内部電圧供給回路とを備える半導体記憶装置。
  2. 前記信号端子は複数の内部電圧供給回路に接続され、
    前記テスト信号により、前記いずれかの内部電圧供給回路が活性化され、前記いずれかの内部電圧供給回路に対応するチップ内部電圧が前記信号端子に出力される請求項1記載の半導体記憶装置。
  3. 前記信号端子は、読出動作における読出データの出力を制御する信号が入力される端子である請求項1または請求項2記載の半導体記憶装置。
JP9155142A 1997-06-12 1997-06-12 半導体記憶装置 Pending JPH113600A (ja)

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KR100838389B1 (ko) * 2005-09-29 2008-06-13 주식회사 하이닉스반도체 메모리 장치의 내부전압 측정 회로.
US7577050B2 (en) 2005-09-29 2009-08-18 Hynix Semiconductor, Inc. Semiconductor memory device for measuring internal voltage
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