JPH1138372A - 高周波回路、それを用いた光モジュール及びインピーダンス整合方法 - Google Patents
高周波回路、それを用いた光モジュール及びインピーダンス整合方法Info
- Publication number
- JPH1138372A JPH1138372A JP9198681A JP19868197A JPH1138372A JP H1138372 A JPH1138372 A JP H1138372A JP 9198681 A JP9198681 A JP 9198681A JP 19868197 A JP19868197 A JP 19868197A JP H1138372 A JPH1138372 A JP H1138372A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- frequency circuit
- frequency
- circuit
- microstrip line
- optical modulator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/02—Coupling devices of the waveguide type with invariable factor of coupling
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/0344—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect controlled by a high-frequency electromagnetic wave component in an electric waveguide
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction
- G02F1/0155—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction modulating the optical absorption
- G02F1/0157—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction modulating the optical absorption using electro-absorption effects, e.g. Franz-Keldysh [FK] effect or quantum confined stark effect [QCSE]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ４０ＧＨｚを超える周波数領域でも良好な周
波数特性を有する高周波回路を得る。 【解決手段】 マイクロストリップ線路14と結合させて
開放形スタブ16を設けて、整合回路40を構成したこと。
波数特性を有する高周波回路を得る。 【解決手段】 マイクロストリップ線路14と結合させて
開放形スタブ16を設けて、整合回路40を構成したこと。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、高周波回路、そ
れを用いた光モジュール及びインピーダンス整合方法に
関する。
れを用いた光モジュール及びインピーダンス整合方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の高周波回路を使用した光モジュー
ルとして、例えば光変調器装置がある。この装置の構成
は、文献（回路実装学会誌、Ｖｏｌ．１０，Ｎｏ．５，
１９９５、ｐｐ．３０６〜３０９）に開示されている。
ルとして、例えば光変調器装置がある。この装置の構成
は、文献（回路実装学会誌、Ｖｏｌ．１０，Ｎｏ．５，
１９９５、ｐｐ．３０６〜３０９）に開示されている。
【０００３】従来の光変調器装置は、凸部を有する搭載
台（キャリア）の上面に光軸に合わせて第１レンズ（非
球面レンズ）、光変調器（電界吸収型光変調器）および
第２レンズ（非球面レンズ）を直線的に配列してある。
台（キャリア）の上面に光軸に合わせて第１レンズ（非
球面レンズ）、光変調器（電界吸収型光変調器）および
第２レンズ（非球面レンズ）を直線的に配列してある。
【０００４】また、電界吸収型光変調器と対向させかつ
光軸と直交させて、高周波基板上にマイクロストリップ
線路および終端抵抗器を設けている。また、マイクロス
トリップ線路に接続させかつパッケージに固定させて高
周波コネクタが設けてある。
光軸と直交させて、高周波基板上にマイクロストリップ
線路および終端抵抗器を設けている。また、マイクロス
トリップ線路に接続させかつパッケージに固定させて高
周波コネクタが設けてある。
【０００５】また、光変調器の端子とマイクロストリッ
プ線路との間はボンティングワイヤにより接続されてい
る。
プ線路との間はボンティングワイヤにより接続されてい
る。
【０００６】従来の光変調器装置では、マイクロストリ
ップ線路と終端抵抗器とを形成する高周波基板は、少な
くとも１ｍｍ以上の幅を必要とするため、光変調器を搭
載しているキャリア幅も高周波基板の幅以下に設定する
ことはできない。従って、従来の光変調器の幅は、高周
波基板の幅とほぼ同じ幅にしてある。
ップ線路と終端抵抗器とを形成する高周波基板は、少な
くとも１ｍｍ以上の幅を必要とするため、光変調器を搭
載しているキャリア幅も高周波基板の幅以下に設定する
ことはできない。従って、従来の光変調器の幅は、高周
波基板の幅とほぼ同じ幅にしてある。
【０００７】また、電界吸収型光変調器の変調帯域は、
この光変調器の素子容量によって制限されるため、電界
吸収型光変調器の素子長を短くして（１００μｍ以
下）、素子の低容量化を図っている。このような光変調
器装置を用いることにより４０ＧＨｚ程度の変調帯域を
実現している。
この光変調器の素子容量によって制限されるため、電界
吸収型光変調器の素子長を短くして（１００μｍ以
下）、素子の低容量化を図っている。このような光変調
器装置を用いることにより４０ＧＨｚ程度の変調帯域を
実現している。
【０００８】また、光変調器装置として、入射光の光散
乱を防止するため、光変調器領域の長さを短縮して、変
調器領域の両側に導波路領域を設けた導波路集積化電界
吸収型光変調器を用いた例も報告されている。
乱を防止するため、光変調器領域の長さを短縮して、変
調器領域の両側に導波路領域を設けた導波路集積化電界
吸収型光変調器を用いた例も報告されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の光変調器装置においては、以下に述べる問題点
がある。
た従来の光変調器装置においては、以下に述べる問題点
がある。
【００１０】上述した電界吸収型光変調器や導波路集積
化電界吸収型光変調器を使用した光変調器装置は、光変
調器の素子長を短くして低容量化を図った場合、周波数
応答特性が４０ＧＨｚ程度と高いため、４０ＧＨｚを超
えた周波数領域で使用しようとすると、光変調器を含む
高周波回路と他の回路、例えば高周波電源回路、ドライ
バ回路或いはアンプ回路等とのインピーダンスのマッチ
ングをとるのが非常に難しい。
化電界吸収型光変調器を使用した光変調器装置は、光変
調器の素子長を短くして低容量化を図った場合、周波数
応答特性が４０ＧＨｚ程度と高いため、４０ＧＨｚを超
えた周波数領域で使用しようとすると、光変調器を含む
高周波回路と他の回路、例えば高周波電源回路、ドライ
バ回路或いはアンプ回路等とのインピーダンスのマッチ
ングをとるのが非常に難しい。
【００１１】そこで、４０ＧＨｚを超える周波数領域で
も良好な特性を有する高周波回路、それを用いた光モジ
ュールおよびインピーダンス整合方法の出現が望まれて
いた。
も良好な特性を有する高周波回路、それを用いた光モジ
ュールおよびインピーダンス整合方法の出現が望まれて
いた。
【００１２】
【課題を解決するための手段】このため、この発明の高
周波回路によれば、マイクロストリップ線路と該マイク
ロストリップ線路の先端に設けられた光半導体素子とを
具える高周波回路において、マイクロストリップ線路と
結合させて開放形スタブを設けて、整合回路を構成して
あり、整合回路により高周波回路と他の回路とのインピ
ーダンス整合がとられていることを特徴とする。
周波回路によれば、マイクロストリップ線路と該マイク
ロストリップ線路の先端に設けられた光半導体素子とを
具える高周波回路において、マイクロストリップ線路と
結合させて開放形スタブを設けて、整合回路を構成して
あり、整合回路により高周波回路と他の回路とのインピ
ーダンス整合がとられていることを特徴とする。
【００１３】このように、この発明では、開放形スタブ
を設けて、整合回路を構成してあり、この整合回路によ
り高周波回路と他の回路、例えば高周波電源回路、との
インピーダンス整合が取られているので、従来に比べ、
高い周波数領域に対しても優れた高周波特性を得ること
ができる。
を設けて、整合回路を構成してあり、この整合回路によ
り高周波回路と他の回路、例えば高周波電源回路、との
インピーダンス整合が取られているので、従来に比べ、
高い周波数領域に対しても優れた高周波特性を得ること
ができる。
【００１４】また、この発明のインピーダンス整合方法
によれば、マイクロストリップ線路と該マイクロストリ
ップ線路の先端に設けられた光半導体素子とを具える高
周波回路のインピーダンス整合方法において、マイクロ
ストリップ線路と結合させて開放形スタブを設けて、整
合回路を構成し、光半導体素子を高周波信号により駆動
させた状態で開放形スタブの長さおよび幅の双方または
一方をトリミングして、高周波回路のインピーダンスを
測定し、高周波回路のインピーダンスと高周波回路に接
続されている他の回路のインピーダンスとをマッチング
させることを特徴とする。
によれば、マイクロストリップ線路と該マイクロストリ
ップ線路の先端に設けられた光半導体素子とを具える高
周波回路のインピーダンス整合方法において、マイクロ
ストリップ線路と結合させて開放形スタブを設けて、整
合回路を構成し、光半導体素子を高周波信号により駆動
させた状態で開放形スタブの長さおよび幅の双方または
一方をトリミングして、高周波回路のインピーダンスを
測定し、高周波回路のインピーダンスと高周波回路に接
続されている他の回路のインピーダンスとをマッチング
させることを特徴とする。
【００１５】この発明では、光半導体素子のインピーダ
ンスにばらつきがあっても、開放形スタブの長さおよび
幅の双方または一方をトリミングして、開放形スタブを
含む高周波回路のインピーダンスと当該高周波回路に接
続されている他の回路のインピーダンスとのマッチング
を精度良くとることができる。したがって、光半導体素
子として、光変調器を用いた場合、従来、実現できなか
った４０ＧＨｚを超える高周波特性を得ることができ
る。
ンスにばらつきがあっても、開放形スタブの長さおよび
幅の双方または一方をトリミングして、開放形スタブを
含む高周波回路のインピーダンスと当該高周波回路に接
続されている他の回路のインピーダンスとのマッチング
を精度良くとることができる。したがって、光半導体素
子として、光変調器を用いた場合、従来、実現できなか
った４０ＧＨｚを超える高周波特性を得ることができ
る。
【００１６】また、この発明では、マイクロストリップ
線路と該マイクロストリップ線路の先端に設けられた光
半導体素子とを具える高周波回路を用いた光モジュール
において、高周波回路は、マイクロストリップ線路と、
このマイクロストリップ線路と結合させて設けられた開
放形スタブとで構成された整合回路とを具えたことを特
徴とする。
線路と該マイクロストリップ線路の先端に設けられた光
半導体素子とを具える高周波回路を用いた光モジュール
において、高周波回路は、マイクロストリップ線路と、
このマイクロストリップ線路と結合させて設けられた開
放形スタブとで構成された整合回路とを具えたことを特
徴とする。
【００１７】このような構成にしてあるので、整合回路
により高周波回路と他の回路のインピーダンス整合が取
られているので、優れた高周波数特性を得ることができ
る。
により高周波回路と他の回路のインピーダンス整合が取
られているので、優れた高周波数特性を得ることができ
る。
【００１８】また、この発明の実施に当り、好ましく
は、光半導体素子を導波路領域を有する導波路付き光変
調器を以って構成し、この導波路付き光変調器に、マイ
クロストリップ線路の延長方向と直交する方向に延在す
る導波路領域を設けてあるのが良い。
は、光半導体素子を導波路領域を有する導波路付き光変
調器を以って構成し、この導波路付き光変調器に、マイ
クロストリップ線路の延長方向と直交する方向に延在す
る導波路領域を設けてあるのが良い。
【００１９】このような導波路付き光変調器を有する高
周波回路を光モジュールに用いることにより、マイクロ
ストリップ線路と開放形スタブの配設位置が変化した場
合でも、開放形スタブの配設位置に対応させて導波路領
域の長さを調整してあるので、入射光側のレンズ又は出
射光側のレンズ位置を好適な位置にセットしておけば、
導波路領域のない光変調器に比べ、導波路領域の長さ分
だけ、導波路付き光変調器から離間させることができ
る。したがって、レンズと高周波回路との衝突を回避す
ることができる。
周波回路を光モジュールに用いることにより、マイクロ
ストリップ線路と開放形スタブの配設位置が変化した場
合でも、開放形スタブの配設位置に対応させて導波路領
域の長さを調整してあるので、入射光側のレンズ又は出
射光側のレンズ位置を好適な位置にセットしておけば、
導波路領域のない光変調器に比べ、導波路領域の長さ分
だけ、導波路付き光変調器から離間させることができ
る。したがって、レンズと高周波回路との衝突を回避す
ることができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、図を参照して、この発明の
高周波回路、それを用いた光モジュールおよびインピー
ダンス整合方法の実施の形態につき説明する。なお、こ
の実施の形態では、高周波回路として、特に光変調器装
置に用いる高周波回路の例につき説明する。また、図
１、図２、図５、図６および図７は、この発明が理解で
きる程度に各構成成分の形状、大きさおよび配置関係を
概略的に示してあるにすぎない。
高周波回路、それを用いた光モジュールおよびインピー
ダンス整合方法の実施の形態につき説明する。なお、こ
の実施の形態では、高周波回路として、特に光変調器装
置に用いる高周波回路の例につき説明する。また、図
１、図２、図５、図６および図７は、この発明が理解で
きる程度に各構成成分の形状、大きさおよび配置関係を
概略的に示してあるにすぎない。
【００２１】この発明の高周波回路の構造の説明に先立
ち、図２を参照して、この高周波回路が組込まれた光モ
ジュール、特に、光変調器装置の概略構成につき説明す
る。なお、図２の（Ａ）は、光変調器装置の全体構成を
示す平面図であり、（Ｂ）は、図２（Ａ）のＸ−Ｘ線に
沿って切断した位置での切口断面を示す図である。
ち、図２を参照して、この高周波回路が組込まれた光モ
ジュール、特に、光変調器装置の概略構成につき説明す
る。なお、図２の（Ａ）は、光変調器装置の全体構成を
示す平面図であり、（Ｂ）は、図２（Ａ）のＸ−Ｘ線に
沿って切断した位置での切口断面を示す図である。
【００２２】光変調器装置は、凸部を有する下地（搭載
台（キャリア））１０と、当該キャリア１０の凸部の上
面に設けられた高周波基板１２および光変調器１８と、
光学部品（第１レンズホルダ２２および第１レンズ２４
と第２レンズホルダ２６および第２レンズ２８）と、電
子冷却素子３８を具えている。そして、これらの光構成
部品は、パッケージ３０内に収納されている。また、パ
ッケージ３０には、その側面に一対の光ファイバ３２お
よび３４と高周波コネクタ３６とが取り付けられてい
る。そして、光ファイバ３２、第１レンズ２４、光変調
器１８、第２レンズ２８および光ファイバ３４が直線的
に配列されかつ光軸が合うように配設されてある。上述
した構成は、従来の構成と同様な構成としてある。
台（キャリア））１０と、当該キャリア１０の凸部の上
面に設けられた高周波基板１２および光変調器１８と、
光学部品（第１レンズホルダ２２および第１レンズ２４
と第２レンズホルダ２６および第２レンズ２８）と、電
子冷却素子３８を具えている。そして、これらの光構成
部品は、パッケージ３０内に収納されている。また、パ
ッケージ３０には、その側面に一対の光ファイバ３２お
よび３４と高周波コネクタ３６とが取り付けられてい
る。そして、光ファイバ３２、第１レンズ２４、光変調
器１８、第２レンズ２８および光ファイバ３４が直線的
に配列されかつ光軸が合うように配設されてある。上述
した構成は、従来の構成と同様な構成としてある。
【００２３】この発明の光変調器装置は、高周波基板上
に開放形スタブを設けて、この開放形スタブと、マイク
ロストリップ線路の開放形スタブが設けられている光変
調器側の部分とにより整合回路を構成した高周波回路を
用いている（高周波回路の構成についての詳細は後述す
る）。
に開放形スタブを設けて、この開放形スタブと、マイク
ロストリップ線路の開放形スタブが設けられている光変
調器側の部分とにより整合回路を構成した高周波回路を
用いている（高周波回路の構成についての詳細は後述す
る）。
【００２４】［第１の実施の形態の高周波回路］次に、
図１の（Ａ）および（Ｂ）を参照して、この発明の第１
の実施の形態の高周波回路の構成につき説明する。な
お、図１の（Ａ）および（Ｂ）は、第１の実施の形態の
高周波回路の主要構造を説明するための平面図および側
面図である。なお、図中、斜線を付したのは、断面を表
すのではなく、図を明確にするために付した線である。
図１の（Ａ）および（Ｂ）を参照して、この発明の第１
の実施の形態の高周波回路の構成につき説明する。な
お、図１の（Ａ）および（Ｂ）は、第１の実施の形態の
高周波回路の主要構造を説明するための平面図および側
面図である。なお、図中、斜線を付したのは、断面を表
すのではなく、図を明確にするために付した線である。
【００２５】第１の実施の形態の高周波回路は、下地１
０、高周波基板１２、光変調器１８およびボンディング
ワイヤ２０により構成されている。
０、高周波基板１２、光変調器１８およびボンディング
ワイヤ２０により構成されている。
【００２６】下地１０として、ここでは、導電性を有す
る搭載台を用いる。この搭載台１０は、平坦板１００と
当該平坦板１００に連続させて一体的に設けられた凸部
（キャリアともいう）とを以って構成してある。そし
て、凸部１０２の上面には、凸部１０２と同じ幅の高周
波基板１２が設けてある。なお、ここでは、平坦板１０
０、凸部１０２とを一体化して形成したが、平坦板１０
０上に凸部１０２を個別に設けても良い。
る搭載台を用いる。この搭載台１０は、平坦板１００と
当該平坦板１００に連続させて一体的に設けられた凸部
（キャリアともいう）とを以って構成してある。そし
て、凸部１０２の上面には、凸部１０２と同じ幅の高周
波基板１２が設けてある。なお、ここでは、平坦板１０
０、凸部１０２とを一体化して形成したが、平坦板１０
０上に凸部１０２を個別に設けても良い。
【００２７】高周波基板１２上には、マイクロストリッ
プ線路１４と結合させて２個の開放形スタブ１６（１６
ａおよび１６ｂ）が設けてある。なお、ここでは、マイ
クロストリップ線路１４は、高周波基板１２の長手方
向、すなわち光変調器１８に直交する方向に設けてあ
る。また、マイクロストリップ線路１４に接続させかつ
直交させて２個の開放形スタブ１６（１６ａおよび１６
ｂ）を設けてある。
プ線路１４と結合させて２個の開放形スタブ１６（１６
ａおよび１６ｂ）が設けてある。なお、ここでは、マイ
クロストリップ線路１４は、高周波基板１２の長手方
向、すなわち光変調器１８に直交する方向に設けてあ
る。また、マイクロストリップ線路１４に接続させかつ
直交させて２個の開放形スタブ１６（１６ａおよび１６
ｂ）を設けてある。
【００２８】そして、開放形スタブ１６ａと開放形スタ
ブ１６ｂとは、離間させかつ平行に設けてある。したが
って、この第１の実施の形態では、２個の開放形スタブ
１６ａおよび１６ｂとマイクロストリップ線路１４の光
変調器１８側の一部分１４０とにより整合回路４０が構
成されている（図１の（Ａ）の２点鎖線で囲まれた部
分）。そして、この整合回路４０により高周波回路と他
の回路２００、ここでは外部回路とのインピーダンス整
合がとられている。なお、ここでは、外部回路２００を
高周波電源装置回路、ドライバ回路又はアンプ回路等と
する。また、この第１の実施の形態では、開放形スタブ
１６を２個設けた例につき説明したが、光変調器の半導
体素子の構成によっては、開放形スタブを１個或いは３
個以上設けても良い。また、２つの開放形スタブ１６ａ
および１６ｂを、それぞれマイクロストリップ線路１４
に直交させて形成した例につき説明したが、何らこの形
状に限定されるものではなく、例えば開放形スタブ１６
ａおよび１６ｂの双方または一方を傾斜させて設けてあ
っても良い。
ブ１６ｂとは、離間させかつ平行に設けてある。したが
って、この第１の実施の形態では、２個の開放形スタブ
１６ａおよび１６ｂとマイクロストリップ線路１４の光
変調器１８側の一部分１４０とにより整合回路４０が構
成されている（図１の（Ａ）の２点鎖線で囲まれた部
分）。そして、この整合回路４０により高周波回路と他
の回路２００、ここでは外部回路とのインピーダンス整
合がとられている。なお、ここでは、外部回路２００を
高周波電源装置回路、ドライバ回路又はアンプ回路等と
する。また、この第１の実施の形態では、開放形スタブ
１６を２個設けた例につき説明したが、光変調器の半導
体素子の構成によっては、開放形スタブを１個或いは３
個以上設けても良い。また、２つの開放形スタブ１６ａ
および１６ｂを、それぞれマイクロストリップ線路１４
に直交させて形成した例につき説明したが、何らこの形
状に限定されるものではなく、例えば開放形スタブ１６
ａおよび１６ｂの双方または一方を傾斜させて設けてあ
っても良い。
【００２９】また、光変調器１８として、ここでは、従
来と同じ構成の電界吸収型光変調器を用いる。この電界
吸収型光変調器１８は、搭載台１０の凸部１０２上に、
マイクロストリップ線路１４に対向させかつ直交させて
設けてある。
来と同じ構成の電界吸収型光変調器を用いる。この電界
吸収型光変調器１８は、搭載台１０の凸部１０２上に、
マイクロストリップ線路１４に対向させかつ直交させて
設けてある。
【００３０】また、電界吸収型光変調器１８とマイクロ
ストリップ線路１４とはボンディングワイヤ２０により
接続されている。このボンディングワイヤ２０の長さ
は、高周波信号の伝送損失を低減するため、短く形成し
てある。
ストリップ線路１４とはボンディングワイヤ２０により
接続されている。このボンディングワイヤ２０の長さ
は、高周波信号の伝送損失を低減するため、短く形成し
てある。
【００３１】［第１の実施の形態のインピーダンス整合
方法の説明］次に、図１および図２を参照して、この発
明の第１の実施の形態の高周波回路を用いたインピーダ
ンス整合方法につき説明する。
方法の説明］次に、図１および図２を参照して、この発
明の第１の実施の形態の高周波回路を用いたインピーダ
ンス整合方法につき説明する。
【００３２】第１の実施の形態の高周波回路のインピー
ダンス整合を行うときは、高周波コネクタ３６側から所
定の高周波信号を入力させて、光変調器１８を駆動させ
た状態にしておく。
ダンス整合を行うときは、高周波コネクタ３６側から所
定の高周波信号を入力させて、光変調器１８を駆動させ
た状態にしておく。
【００３３】次に、整合回路４０を構成している開放形
スタブ１６ａおよび１６ｂの長さ（Ｈ）をトリミングし
て、高周波回路の搭載台１０とマイクロストリップ線路
１４との間のインピーダンスを測定する。
スタブ１６ａおよび１６ｂの長さ（Ｈ）をトリミングし
て、高周波回路の搭載台１０とマイクロストリップ線路
１４との間のインピーダンスを測定する。
【００３４】次に、この高周波回路のインピーダンスと
当該高周波回路に接続されている外部回路２００、例え
ば高周波電源装置回路、ドライバ回路又はアンプ回路等
のインピーダンスとをマッチングさせる。なお、ここで
は、開放形スタブ１６の長さをトリミングして他の回路
とマッチングさせる方法につき説明したが、何らこの方
法に限定されるものではなく、開放形スタブ１６の幅
（Ｗ）をトリミングしても良く、また、開放形スタブ１
６の長さと幅とをトリミングしても良い。
当該高周波回路に接続されている外部回路２００、例え
ば高周波電源装置回路、ドライバ回路又はアンプ回路等
のインピーダンスとをマッチングさせる。なお、ここで
は、開放形スタブ１６の長さをトリミングして他の回路
とマッチングさせる方法につき説明したが、何らこの方
法に限定されるものではなく、開放形スタブ１６の幅
（Ｗ）をトリミングしても良く、また、開放形スタブ１
６の長さと幅とをトリミングしても良い。
【００３５】次に、図３および図４を参照して、第１の
実施の形態の高周波回路を用いてインピーダンス整合さ
せたときの反射減衰特性（Ｓ１１パラメータともいう）
につき説明する。なお、図３は、高周波回路のマッチン
グが不十分なときの反射減衰特性を表した図であり、図
４は、高周波回路のマッチングがとれているときの反射
減衰特性を表した図である。また、この両図は、横軸に
周波数（ＧＨｚ）を取り、縦軸に反射減衰（ｄＢ）を取
って表す。また、この図では、縦軸には、理解を容易に
するため、０を基準にして縦軸のマイナス方向に反射減
衰量を取って表している。なお、反射減衰量を計算する
ときに用いた回路は、上述した第１の実施の形態の高周
波回路とする。
実施の形態の高周波回路を用いてインピーダンス整合さ
せたときの反射減衰特性（Ｓ１１パラメータともいう）
につき説明する。なお、図３は、高周波回路のマッチン
グが不十分なときの反射減衰特性を表した図であり、図
４は、高周波回路のマッチングがとれているときの反射
減衰特性を表した図である。また、この両図は、横軸に
周波数（ＧＨｚ）を取り、縦軸に反射減衰（ｄＢ）を取
って表す。また、この図では、縦軸には、理解を容易に
するため、０を基準にして縦軸のマイナス方向に反射減
衰量を取って表している。なお、反射減衰量を計算する
ときに用いた回路は、上述した第１の実施の形態の高周
波回路とする。
【００３６】反射減衰特性を計算する方法は以下の通り
とする。マイクロストリップ線路側から任意の高周波信
号を入力して入力端子（図示せず）から電力（Ｐ1 ）を
入力させる。このとき高周波回路網中に入力された電力
（Ｐ1 ）が反射されて戻ってくる電力（Ｐ2 ）を測定し
て次の（１）式から反射減衰量（ｄＢ）を求める。
とする。マイクロストリップ線路側から任意の高周波信
号を入力して入力端子（図示せず）から電力（Ｐ1 ）を
入力させる。このとき高周波回路網中に入力された電力
（Ｐ1 ）が反射されて戻ってくる電力（Ｐ2 ）を測定し
て次の（１）式から反射減衰量（ｄＢ）を求める。
【００３７】 反射減衰量（ｄＢ）＝−１０ｌｏｇ10（Ｐ2 ／Ｐ1 ）・・・（１） ただし、Ｐ1 は、入力端子から入力した電力（Ｗ）、Ｐ
2 は、入力端子に反射して戻ってくる電力（Ｗ）とす
る。
2 は、入力端子に反射して戻ってくる電力（Ｗ）とす
る。
【００３８】図３から理解できるように、光変調器のマ
ッチングが不十分なときは、周波数が５７．６ＧＨｚの
とき反射減衰は約８ｄＢであり、周波数が５８．４ＧＨ
ｚのとき反射減衰は約９ｄＢであり、周波数が５９．６
ＧＨｚのとき反射減衰は約１０ｄＢであり，周波数が６
０．８ＧＨｚのとき反射減衰は約９ｄＢであり，周波数
が６１．６ＧＨｚのとき反射減衰は約８ｄＢである。し
たがって、最大反射減衰（ｄＢ）は、５９．６ＧＨｚの
とき約１０ｄＢとなる。
ッチングが不十分なときは、周波数が５７．６ＧＨｚの
とき反射減衰は約８ｄＢであり、周波数が５８．４ＧＨ
ｚのとき反射減衰は約９ｄＢであり、周波数が５９．６
ＧＨｚのとき反射減衰は約１０ｄＢであり，周波数が６
０．８ＧＨｚのとき反射減衰は約９ｄＢであり，周波数
が６１．６ＧＨｚのとき反射減衰は約８ｄＢである。し
たがって、最大反射減衰（ｄＢ）は、５９．６ＧＨｚの
とき約１０ｄＢとなる。
【００３９】これに対して、光変調器１８のマッチング
を最適化した場合は、図４から理解できるように、周波
数が５７．６ＧＨｚのとき反射減衰は約９ｄＢであり、
周波数が５８．４ＧＨｚのとき反射減衰は約１２ｄＢで
あり、周波数が５９．６ＧＨｚのとき反射減衰は約３０
ｄＢであり，周波数が６０．８ＧＨｚのとき反射減衰は
約１２ｄＢであり、周波数が６１．６ＧＨｚのとき反射
減衰は約７ｄＢである。
を最適化した場合は、図４から理解できるように、周波
数が５７．６ＧＨｚのとき反射減衰は約９ｄＢであり、
周波数が５８．４ＧＨｚのとき反射減衰は約１２ｄＢで
あり、周波数が５９．６ＧＨｚのとき反射減衰は約３０
ｄＢであり，周波数が６０．８ＧＨｚのとき反射減衰は
約１２ｄＢであり、周波数が６１．６ＧＨｚのとき反射
減衰は約７ｄＢである。
【００４０】したがって、周波数が５９．６ＧＨｚにお
ける両者の反射減衰量を比較すると、マッチングが最適
の場合は、反射減衰量が約１０ｄＢから約３０ｄＢに改
善されていることがわかる。
ける両者の反射減衰量を比較すると、マッチングが最適
の場合は、反射減衰量が約１０ｄＢから約３０ｄＢに改
善されていることがわかる。
【００４１】このように、この第１の実施の形態の高周
波回路を用いることにより、従来の高周波回路の構成で
は実現できなかった４０ＧＨｚを超える周波数をマイク
ロストリップ線路１４側から光変調器１８に入力させた
場合でも、極めて反射減衰量の大きな高周波特性を得る
ことができる。すなわち、光変調器１８のマッチングが
最適化されている場合は、入力端子側から入力した電力
（Ｐ1 ）を例えば１０００Ｗとしたとき、再度入力端子
に反射して戻る電力（Ｐ2 ）は約１Ｗ程度の値となる。
これに対して、光変調器のマッチングが不十分な場合
は、入力端子側から入力した電力（Ｐ1 ）を例えば１０
Ｗとしたとき、再度入力端子に反射して戻る電力（Ｐ
2 ）は約１Ｗ程度の値となる。
波回路を用いることにより、従来の高周波回路の構成で
は実現できなかった４０ＧＨｚを超える周波数をマイク
ロストリップ線路１４側から光変調器１８に入力させた
場合でも、極めて反射減衰量の大きな高周波特性を得る
ことができる。すなわち、光変調器１８のマッチングが
最適化されている場合は、入力端子側から入力した電力
（Ｐ1 ）を例えば１０００Ｗとしたとき、再度入力端子
に反射して戻る電力（Ｐ2 ）は約１Ｗ程度の値となる。
これに対して、光変調器のマッチングが不十分な場合
は、入力端子側から入力した電力（Ｐ1 ）を例えば１０
Ｗとしたとき、再度入力端子に反射して戻る電力（Ｐ
2 ）は約１Ｗ程度の値となる。
【００４２】上述した第１の実施の形態では、光変調器
１８を可能な限り低容量化して高速動作を行わせるため
に、光変調器１８の素子長（Ｌ）をできるだけ短くする
のが良い。この結果、第１の実施の形態の高周波回路を
光変調器装置に実装した場合、光軸合わせに問題を生じ
る場合がある。
１８を可能な限り低容量化して高速動作を行わせるため
に、光変調器１８の素子長（Ｌ）をできるだけ短くする
のが良い。この結果、第１の実施の形態の高周波回路を
光変調器装置に実装した場合、光軸合わせに問題を生じ
る場合がある。
【００４３】次に、図５を参照して、第１の実施の形態
の高周波回路を用いた場合の光軸合わせの問題点につき
説明する。なお、図５は、光軸合わせの問題点を説明す
るためのレンズ位置、光変調器位置および開放形スタブ
の位置を示す図である。
の高周波回路を用いた場合の光軸合わせの問題点につき
説明する。なお、図５は、光軸合わせの問題点を説明す
るためのレンズ位置、光変調器位置および開放形スタブ
の位置を示す図である。
【００４４】第１の実施の形態では、高周波基板１２上
に、マイクロストリップ線路１４に接続して開放形スタ
ブ１６を設けるため、高周波基板１２の幅（または搭載
台の幅）を従来よりも広くする必要が生じる。
に、マイクロストリップ線路１４に接続して開放形スタ
ブ１６を設けるため、高周波基板１２の幅（または搭載
台の幅）を従来よりも広くする必要が生じる。
【００４５】第１の実施の形態の高周波回路を用いた場
合、入射光（Ｓ1 ）を第１レンズ２４に入射させると、
第１レンズの焦点距離ｆが光変調器１８の入力側端面に
集光するように、第１レンズ２４の位置を決めてあるの
で、高周波基板１２の幅（Ｍ）を広げた場合、第１レン
ズ２４と搭載台１０の凸部の端面１０２ａとが衝突する
場合がある。このような事態を回避するため、以下に述
べる第２の実施の形態の高周波回路の構成とする。
合、入射光（Ｓ1 ）を第１レンズ２４に入射させると、
第１レンズの焦点距離ｆが光変調器１８の入力側端面に
集光するように、第１レンズ２４の位置を決めてあるの
で、高周波基板１２の幅（Ｍ）を広げた場合、第１レン
ズ２４と搭載台１０の凸部の端面１０２ａとが衝突する
場合がある。このような事態を回避するため、以下に述
べる第２の実施の形態の高周波回路の構成とする。
【００４６】［第２の実施の形態の高周波回路］図６の
（Ａ）および（Ｂ）を参照して、第２の実施の形態の高
周波回路の主要構成につき説明する。なお、図６の
（Ａ）および（Ｂ）は、第２の実施の形態の高周波回路
を説明するための平面図および側面図である。なお、第
２の実施の形態では、上述した第１の実施の形態と同様
な構成成分については、第１の実施の構成と同一の符号
を付して表す。
（Ａ）および（Ｂ）を参照して、第２の実施の形態の高
周波回路の主要構成につき説明する。なお、図６の
（Ａ）および（Ｂ）は、第２の実施の形態の高周波回路
を説明するための平面図および側面図である。なお、第
２の実施の形態では、上述した第１の実施の形態と同様
な構成成分については、第１の実施の構成と同一の符号
を付して表す。
【００４７】第２の実施の形態では、光変調器として、
導波路付き光変調器４８を用いている。導波路付き光変
調器４８は、第１導波路領域４２、光変調器領域４４お
よび第２導波路領域４６により構成されている。そし
て、光変調器領域４４は、マイクロストリップ線路１４
の延長方向と直交する方向に設けてある。この光変調器
領域４４の一方の側に、すなわち光入力側に延在させて
第１導波路領域４２を設け、光変調器領域の他方の側、
すなわち光出力側に延在させて第２導波路領域４６を設
けてある。
導波路付き光変調器４８を用いている。導波路付き光変
調器４８は、第１導波路領域４２、光変調器領域４４お
よび第２導波路領域４６により構成されている。そし
て、光変調器領域４４は、マイクロストリップ線路１４
の延長方向と直交する方向に設けてある。この光変調器
領域４４の一方の側に、すなわち光入力側に延在させて
第１導波路領域４２を設け、光変調器領域の他方の側、
すなわち光出力側に延在させて第２導波路領域４６を設
けてある。
【００４８】また、第２の実施の形態では、高周波基板
１２上に設けられた開放形スタブ１６を、マイクロスト
リップ線路１４に対して左側に配設してある。このた
め、開放形スタブ１６の長さが長くなると、自動的にマ
イクロストリップ線路１４の位置も右側にずれて配設さ
れる。
１２上に設けられた開放形スタブ１６を、マイクロスト
リップ線路１４に対して左側に配設してある。このた
め、開放形スタブ１６の長さが長くなると、自動的にマ
イクロストリップ線路１４の位置も右側にずれて配設さ
れる。
【００４９】したがって、既に説明したように、第２の
実施の形態では、導波路付き光変調器４８の光変調器領
域４４を、マイクロストリップ線路１４の延長方向と直
交する方向に位置するように配設してある。また、この
実施の形態では、第１導波路領域４２の長さ（Ｌ1 ）を
第２導波路領域４６の長さ（Ｌ2 ）より長くしてある。
実施の形態では、導波路付き光変調器４８の光変調器領
域４４を、マイクロストリップ線路１４の延長方向と直
交する方向に位置するように配設してある。また、この
実施の形態では、第１導波路領域４２の長さ（Ｌ1 ）を
第２導波路領域４６の長さ（Ｌ2 ）より長くしてある。
【００５０】また、ストリップ線路１４と導波路付き光
変調器４８とはボンディングワイヤ２０により接続され
ている。
変調器４８とはボンディングワイヤ２０により接続され
ている。
【００５１】上述した第２の実施の形態の高周波回路の
構成にした場合も、整合回路４０により、導波路付き光
変調器４８のインピーダンスと他の回路のインピーダン
スとの間でマッチングを取ることにより、上述した第１
の実施の形態のときと同様な反射減衰特性を得ることが
できる。
構成にした場合も、整合回路４０により、導波路付き光
変調器４８のインピーダンスと他の回路のインピーダン
スとの間でマッチングを取ることにより、上述した第１
の実施の形態のときと同様な反射減衰特性を得ることが
できる。
【００５２】次に、図７を参照して、第２の実施の形態
の高周波回路を光変調器装置に用いた場合のレンズ位置
との関係につき説明する。なお、図７は、第２の実施の
形態の高周波回路とレンズの位置関係を説明するための
図である。
の高周波回路を光変調器装置に用いた場合のレンズ位置
との関係につき説明する。なお、図７は、第２の実施の
形態の高周波回路とレンズの位置関係を説明するための
図である。
【００５３】第２の実施の高周波回路は、導波路付き光
変調器４８に第１および第２導波路領域４２および４６
を用いているので、入力光Ｓ1 が、第１レンズ２４に入
射して第１導波路領域４２の入射端面に集光するよう
に、第１レンズ２４の位置を決めてある。したがって、
第１導波路領域４２の長さ分、第１レンズ２４の位置を
凸部１０２から離間させることができる。このため、第
１レンズ２４と凸部端面１０２ａとの間、および第２レ
ンズ２８と凸部端面１０２ｂとの間の衝突を回避するこ
とができる。
変調器４８に第１および第２導波路領域４２および４６
を用いているので、入力光Ｓ1 が、第１レンズ２４に入
射して第１導波路領域４２の入射端面に集光するよう
に、第１レンズ２４の位置を決めてある。したがって、
第１導波路領域４２の長さ分、第１レンズ２４の位置を
凸部１０２から離間させることができる。このため、第
１レンズ２４と凸部端面１０２ａとの間、および第２レ
ンズ２８と凸部端面１０２ｂとの間の衝突を回避するこ
とができる。
【００５４】上述した実施の形態では、光変調器を用い
た高周波回路のマッチング方法の例につき説明したが、
光変調器の代わりに例えばレーザダイオードやフォトダ
イオード等の光半導体素子を用いたレーザダイオードモ
ジュール或いはフォトダイオードモジュールにも適用が
可能である。
た高周波回路のマッチング方法の例につき説明したが、
光変調器の代わりに例えばレーザダイオードやフォトダ
イオード等の光半導体素子を用いたレーザダイオードモ
ジュール或いはフォトダイオードモジュールにも適用が
可能である。
【００５５】
【発明の効果】上述した説明から明らかなように、この
発明の高周波回路および光モジュールによれば、マイク
ロストリップ線路と結合させて開放形スタブを設けて、
整合回路を構成してあり、整合回路により高周波回路と
他の回路（高周波電源回路、ドライバ回路又はアンプ回
路等）とのインピーダンス整合が取られているので、従
来に比べ、優れた高周波特性が得られる。
発明の高周波回路および光モジュールによれば、マイク
ロストリップ線路と結合させて開放形スタブを設けて、
整合回路を構成してあり、整合回路により高周波回路と
他の回路（高周波電源回路、ドライバ回路又はアンプ回
路等）とのインピーダンス整合が取られているので、従
来に比べ、優れた高周波特性が得られる。
【００５６】また、この発明のインピーダンス整合方法
によれば、光半導体素子を高周波信号により駆動させた
状態で開放形スタブの長さおよび幅の双方又は一方をト
リミングして光半導体素子を含む高周波回路のインピー
ダンスと当該高周波回路と接続さている他の回路のイン
ピーダンスとを精度良くマッチングさせている。したが
って、光半導体素子を光変調器とした場合、従来、実現
できなかった４０ＧＨｚを超える高周波に対しても安定
した高周波特性を得ることができる。このため、製品の
歩留りが著しく向上する。
によれば、光半導体素子を高周波信号により駆動させた
状態で開放形スタブの長さおよび幅の双方又は一方をト
リミングして光半導体素子を含む高周波回路のインピー
ダンスと当該高周波回路と接続さている他の回路のイン
ピーダンスとを精度良くマッチングさせている。したが
って、光半導体素子を光変調器とした場合、従来、実現
できなかった４０ＧＨｚを超える高周波に対しても安定
した高周波特性を得ることができる。このため、製品の
歩留りが著しく向上する。
【００５７】また、この発明では、高周波回路は、光変
調器に、マイクロストリップ線路の延長方向と直交する
方向に延在する導波路領域を設けた導波路付き光変調器
を用いている。このため、この高周波回路を光モジュー
ルに使用した場合、レンズによって光変調器に集光する
焦点距離の位置を変えることができる。したがって、レ
ンズ位置を下地の端面から離間することができるため、
レンズと下地との衝突を回避することができる。
調器に、マイクロストリップ線路の延長方向と直交する
方向に延在する導波路領域を設けた導波路付き光変調器
を用いている。このため、この高周波回路を光モジュー
ルに使用した場合、レンズによって光変調器に集光する
焦点距離の位置を変えることができる。したがって、レ
ンズ位置を下地の端面から離間することができるため、
レンズと下地との衝突を回避することができる。
【図１】（Ａ）〜（Ｂ）は、この発明の第１の実施の形
態の高周波回路の構成を説明するための平面図および側
面図である。
態の高周波回路の構成を説明するための平面図および側
面図である。
【図２】（Ａ）〜（Ｂ）は、この発明の第１の実施の形
態の高周波回路を用いた光変調器装置の構成を説明する
ための平面図および断面図である。
態の高周波回路を用いた光変調器装置の構成を説明する
ための平面図および断面図である。
【図３】この発明の第１の実施の形態の高周波回路のマ
ッチングが不十分な場合の周波数−反射減衰特性図であ
る。
ッチングが不十分な場合の周波数−反射減衰特性図であ
る。
【図４】この発明の第１の実施の形態の高周波回路のマ
ッチングを最適化したときの周波数−反射減衰特性図で
ある。
ッチングを最適化したときの周波数−反射減衰特性図で
ある。
【図５】この発明の第１の実施の形態の高周波回路を光
変調器装置に使用したときのレンズの位置と搭載台の位
置を説明するための図である。
変調器装置に使用したときのレンズの位置と搭載台の位
置を説明するための図である。
【図６】（Ａ）〜（Ｂ）は、この発明の第２の実施の形
態の高周波回路の構成を説明するための平面図および側
面図である。
態の高周波回路の構成を説明するための平面図および側
面図である。
【図７】この発明の第２の実施の形態の高周波回路を光
変調器装置に使用したときのレンズの位置と高周波回路
の位置を説明するための図である。
変調器装置に使用したときのレンズの位置と高周波回路
の位置を説明するための図である。
１０：搭載台 １２：高周波基板 １４：マイクロストリップ線路 １６：開放形スタブ １８：光変調器 ２０：ボンディングワイヤ ２２：第１レンズホルダ ２４：第１レンズ ２６：第２レンズホルダ ２８：第２レンズ ３０：パッケージ ３２、３４：光ファイバ ３６：高周波コネクタ ３８：電子冷却素子 ４０：整合回路 ４２：第１導波路領域 ４４：光変調器領域 ４６：第２導波路領域 ４８：導波路付き光変調器 １４０：光変調器側のマイクロストリップ線路部分 ２００：外部回路
Claims (6)
- 【請求項１】 マイクロストリップ線路と該マイクロス
トリップ線路の先端に設けられた光半導体素子とを具え
る高周波回路において、 マイクロストリップ線路と結合させて開放形スタブを設
けて、整合回路を構成してあり、 前記整合回路により高周波回路と他の回路とのインピー
ダンス整合がとられていることを特徴とする高周波回
路。 - 【請求項２】 請求項１に記載の高周波回路において、
前記光半導体素子を光変調器、レーザダイオード又はフ
ォトダイオードとすることを特徴とする高周波回路。 - 【請求項３】 マイクロストリップ線路と該マイクロス
トリップ線路の先端に設けられた光半導体素子とを具え
る高周波回路のインピーダンス整合方法において、 マイクロストリップ線路と結合させて開放形スタブを設
けて、整合回路を構成し、 前記光半導体素子を高周波信号により駆動させた状態で
前記開放形スタブの長さおよび幅の双方または一方をト
リミングして、前記高周波回路のインピーダンスを測定
し、該高周波回路のインピーダンスと該高周波回路に接
続されている他の回路のインピーダンスとをマッチング
させることを特徴とするインピーダンス整合方法。 - 【請求項４】 マイクロストリップ線路と該マイクロス
トリップ線路の先端に設けられた光半導体素子とを具え
る高周波回路を用いた光モジュールにおいて、 前記高周波回路は、前記マイクロストリップ線路と、該
マイクロストリップ線路と結合させて設けられた開放形
スタブとで構成された整合回路とを具えたことを特徴と
する光モジュール。 - 【請求項５】 請求項４に記載の高周波回路を用いた光
モジュールにおいて、前記光半導体素子を導波路領域を
有する導波路付き光変調器を以って構成し、該導波路付
き光変調器に、前記マイクロストリップ線路の延長方向
と直交する方向に延在する導波路領域を設けたことを特
徴とする光モジュール。 - 【請求項６】 請求項５に記載の高周波回路を用いた光
モジュールにおいて、前記導波路領域の長さを高周波回
路の開放形スタブの長さに合わせて変えてあることを特
徴とする光モジュール。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9198681A JPH1138372A (ja) | 1997-07-24 | 1997-07-24 | 高周波回路、それを用いた光モジュール及びインピーダンス整合方法 |
| US09/112,016 US6101295A (en) | 1997-07-24 | 1998-07-08 | High-frequency circuit, optical module employing same, and method of matching impedance |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9198681A JPH1138372A (ja) | 1997-07-24 | 1997-07-24 | 高周波回路、それを用いた光モジュール及びインピーダンス整合方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1138372A true JPH1138372A (ja) | 1999-02-12 |
Family
ID=16395289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9198681A Pending JPH1138372A (ja) | 1997-07-24 | 1997-07-24 | 高周波回路、それを用いた光モジュール及びインピーダンス整合方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6101295A (ja) |
| JP (1) | JPH1138372A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001024100A (ja) * | 1999-07-12 | 2001-01-26 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波パッケージ |
| JP2001154161A (ja) * | 1999-11-30 | 2001-06-08 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2002196293A (ja) * | 2000-12-26 | 2002-07-12 | Mitsubishi Electric Corp | 光電変換半導体装置 |
| US6437899B1 (en) | 1999-11-15 | 2002-08-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Opto-electric conversion semiconductor device |
| WO2003077014A1 (en) * | 2002-03-12 | 2003-09-18 | Nec Corporation | Optical modulator exciting circuit |
| JP2007096928A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | 周波数信号合成分離回路及び当該回路を用いた光無線融合伝送システム、光変調モジュール並びに光通信システム |
| JP2007134385A (ja) * | 2005-11-08 | 2007-05-31 | Yokogawa Electric Corp | 光受信モジュールの製造方法 |
| US7366215B2 (en) | 2005-02-04 | 2008-04-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Optical module |
| WO2009072163A1 (ja) * | 2007-12-04 | 2009-06-11 | Kyosemi Corporation | 光電変換モジュール |
| JP2010245186A (ja) * | 2009-04-02 | 2010-10-28 | Oki Semiconductor Co Ltd | 半導体光通信モジュール及び、その製造方法 |
| JP2012520652A (ja) * | 2010-05-12 | 2012-09-06 | メディアテック インコーポレーテッド | 信号ライン遷移素子を備えた回路装置 |
| JP2017120846A (ja) * | 2015-12-28 | 2017-07-06 | 日本電信電話株式会社 | 光半導体装置 |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6504448B1 (en) * | 2000-08-08 | 2003-01-07 | Rambus Inc. | Apparatus and method for transmission line impedance tuning using periodic capacitive stubs |
| JP3885528B2 (ja) * | 2001-07-04 | 2007-02-21 | 株式会社日立製作所 | 光変調器 |
| US6677830B2 (en) * | 2001-09-11 | 2004-01-13 | Triquint Technology Holding Co. | Broadband matching network for an electroabsorption optical modulator |
| JP3936858B2 (ja) * | 2001-11-01 | 2007-06-27 | 日本オプネクスト株式会社 | 光変調装置 |
| DE10210533B4 (de) * | 2002-03-05 | 2010-02-04 | Infineon Technologies Ag | Optoelektronisches Modul mit Impedanzanpassung |
| US6859115B1 (en) * | 2002-03-28 | 2005-02-22 | Advanced Micro Devices, Inc. | Stub transformer for power supply impedance reduction |
| JP2003309312A (ja) * | 2002-04-15 | 2003-10-31 | Opnext Japan Inc | 光モジュール |
| US7227246B2 (en) | 2003-10-30 | 2007-06-05 | Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Matching circuits on optoelectronic devices |
| US7228014B2 (en) * | 2004-03-11 | 2007-06-05 | Avanex Corporation | System for reducing the electrical return loss of a lithium niobate traveling wave optical modulator with low characteristic impedance |
| KR100668410B1 (ko) * | 2004-11-30 | 2007-01-16 | 한국전자통신연구원 | 광 모듈 |
| JP2006287619A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Tdk Corp | 分布定数回路及びインピーダンス調整方法 |
| KR100696205B1 (ko) * | 2005-08-26 | 2007-03-20 | 한국전자통신연구원 | 광 모듈 및 광 모듈 패키지 |
| JP2013015670A (ja) * | 2011-07-04 | 2013-01-24 | Sumitomo Electric Device Innovations Inc | 光変調装置 |
| JP7404696B2 (ja) * | 2019-07-30 | 2023-12-26 | 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 | 光デバイス |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5221988A (en) * | 1991-11-21 | 1993-06-22 | Intelligent Surgical Lasers | Pockel cell damping system |
-
1997
- 1997-07-24 JP JP9198681A patent/JPH1138372A/ja active Pending
-
1998
- 1998-07-08 US US09/112,016 patent/US6101295A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001024100A (ja) * | 1999-07-12 | 2001-01-26 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波パッケージ |
| US6437899B1 (en) | 1999-11-15 | 2002-08-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Opto-electric conversion semiconductor device |
| JP2001154161A (ja) * | 1999-11-30 | 2001-06-08 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2002196293A (ja) * | 2000-12-26 | 2002-07-12 | Mitsubishi Electric Corp | 光電変換半導体装置 |
| WO2003077014A1 (en) * | 2002-03-12 | 2003-09-18 | Nec Corporation | Optical modulator exciting circuit |
| US7023599B2 (en) | 2002-03-12 | 2006-04-04 | Nec Corporation | Optical modulator exciting circuit |
| US7366215B2 (en) | 2005-02-04 | 2008-04-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Optical module |
| US7869479B2 (en) | 2005-02-04 | 2011-01-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Optical module |
| JP2007096928A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | 周波数信号合成分離回路及び当該回路を用いた光無線融合伝送システム、光変調モジュール並びに光通信システム |
| JP2007134385A (ja) * | 2005-11-08 | 2007-05-31 | Yokogawa Electric Corp | 光受信モジュールの製造方法 |
| WO2009072163A1 (ja) * | 2007-12-04 | 2009-06-11 | Kyosemi Corporation | 光電変換モジュール |
| JP5118151B2 (ja) * | 2007-12-04 | 2013-01-16 | 京セミ株式会社 | 光電変換モジュール |
| US8395102B2 (en) | 2007-12-04 | 2013-03-12 | Kyosemi Corporation | Photoelectric conversion module with isolating groove at each gap between adjacent metallic coating layers |
| JP2010245186A (ja) * | 2009-04-02 | 2010-10-28 | Oki Semiconductor Co Ltd | 半導体光通信モジュール及び、その製造方法 |
| JP2012520652A (ja) * | 2010-05-12 | 2012-09-06 | メディアテック インコーポレーテッド | 信号ライン遷移素子を備えた回路装置 |
| JP2017120846A (ja) * | 2015-12-28 | 2017-07-06 | 日本電信電話株式会社 | 光半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6101295A (en) | 2000-08-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH1138372A (ja) | 高周波回路、それを用いた光モジュール及びインピーダンス整合方法 | |
| JP4670384B2 (ja) | 光送信アセンブリの製造方法 | |
| US6164836A (en) | Opto-electronic hybrid integration platform, optical sub-module, opto-electronic hybrid integration circuit, and process for fabricating platform | |
| US6912332B2 (en) | Parallel optical interconnection module and method for manufacturing the same | |
| US6599032B1 (en) | Transmitter/receiver for optical parallel transmission and board for optical module | |
| JP4199901B2 (ja) | 光送信モジュール | |
| US11604370B2 (en) | Optical modulator carrier assembly and optical module | |
| CN107430293A (zh) | 高频传输线路以及光电路 | |
| JP2003511738A (ja) | 光学的サブアセンブリ | |
| JP2001100062A (ja) | 光通信装置 | |
| US20040081385A1 (en) | Silicon-based high speed optical wiring board | |
| JP2004356233A (ja) | 半導体レーザモジュールおよび半導体レーザ装置 | |
| JP2002343983A (ja) | 光素子実装体 | |
| US20060269197A1 (en) | Bidirectional optical module and light transmitting apparatus | |
| US4232401A (en) | Millimeter wave image guide integrated balanced mixer | |
| DE69115622T2 (de) | Halbleiterlaser-Verstärker | |
| JPS6043930A (ja) | モ−ド選択及びパワ−制御手段に関連して半導体レ−ザを組み込んだ赤外光源 | |
| JP2000019473A (ja) | 光モジュールの実装構造 | |
| US6927477B2 (en) | Coplanar line, and a module using the coplanar line | |
| US20040017978A1 (en) | Optical module | |
| US7226219B2 (en) | High-frequency signal transmitting optical module and method of fabricating the same | |
| JP3042453B2 (ja) | 受光モジュール | |
| JP4118747B2 (ja) | 光モジュール、光送受信システム | |
| US5200612A (en) | Photodetector carrier for improving the high speed of a photodetector and method for producing same | |
| JPH0521355B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040416 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050216 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051004 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051205 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060418 |