JPH113845A - 電子ビーム露光方法及び電子ビーム露光装置 - Google Patents

電子ビーム露光方法及び電子ビーム露光装置

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JPH113845A
JPH113845A JP9153668A JP15366897A JPH113845A JP H113845 A JPH113845 A JP H113845A JP 9153668 A JP9153668 A JP 9153668A JP 15366897 A JP15366897 A JP 15366897A JP H113845 A JPH113845 A JP H113845A
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electron beams
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 各電子ビームの電流密度を適切に設定するこ
とにより、クーロン効果によるぼけを所定値以内にしな
がら、より大きなスループットを達成できるマルチ電子
ビーム型露光方法及び装置を提供する。 【解決手段】 複数の電子ビームを用いて、基坂上にパ
ターンを露光する電子ビーム露光方法において、縮小電
子光学系を介して、複数の電子ビームを前記基板上に投
影する段階と、前記複数の電子ビームを前記基板上を偏
向させる段階と、偏向毎に、各電子ビームの照射を個別
に制御する段階と、偏向毎の前記基板上に照射される電
子ビームの数を予め検出する検出段階と、前記検出され
た電子ビームの数に基づいて、前記複数の電子ビームの
電流密度を決定する決定段階とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電子ビーム露光方法
及びその露光装置に関し、特にウエハ直接描画またはマ
スク、レチクル露光の為に、複数の電子ビームを用いて
パターン描画を行う電子ビーム露光方法及びその露光装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】基板上に電子ビームを結像させて露光を
行う電子ビーム露光装置では、ビーム電流が大きいとク
ーロン効果によって基板に投影された電子ビームの像に
ぼけが生じる。このクーロン効果によるぼけは電子ビー
ム投影用の縮小電子光学系の焦点位置を再調整すること
で大半が補正できるが、一部は補正できずに残る。電子
ビームの断面形状を最大でも１０μm角程度の範囲で成
形させて転写する可変成形型露光装置では、成形された
ビームの面積と装置パラメータ（ビーム電流密度、ビー
ム入射半角、ビームの加速電圧及び縮小電子光学系の光
学長）とからクーロン効果によるぼけを予測し、その予
測結果に応じて縮小電子光学系の焦点を調整している。
【０００３】ところで、複数の電子ビームを配列させて
基板上に照射し、その複数の電子ビームを偏向させて基
板上を走査させるとともに、描画するパターンに応じて
複数の電子ビームのそれぞれを個別にon/offしてパター
ンを描画するマルチ電子ビーム型露光装置では、電子ビ
ームが分散されて配列されているので、すなわち、基板
上での実効的な単位面積当たりの電流が少ないので、ク
ーロン効果によるぼけが小さい。このことは、クーロン
効果によるぼけを所定値以内に制限した時、マルチ電子
ビーム型露光装置は可変成形型露光装置よりも大きなビ
ーム電流を与えて露光のスループットを向上させること
ができる。
【０００４】
【発明が解決しようとしている課題】クーロン効果によ
るぼけを所定値以内に制限するために、マルチ電子ビー
ム型露光装置では、すべての電子ビームがウエハ上に照
射される場合を想定して、電子ビームの電流密度を制限
していた。しかし、マルチ電子ビーム型露光装置では、
複数の電子ビームが互いに異なるパターンを描画するの
で、同時にすべての電子ビームがウエハ上に照射される
ことは希である。
【０００５】本発明の目的は、各電子ビームの電流密度
を適切に設定することにより、クーロン効果によるぼけ
を所定値以内にしながら、より大きなスループットを達
成できるマルチ電子ビーム型露光方法及び装置を提供す
ることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する為の
本発明の電子ビーム露光方法のある形態は、複数の電子
ビームを用いて、基坂上にパターンを露光する電子ビー
ム露光方法において、縮小電子光学系を介して、複数の
電子ビームを前記基板上に投影する段階と、前記複数の
電子ビームを前記基板上を偏向させる段階と、偏向毎
に、各電子ビームの照射を個別に制御する段階と、偏向
毎の前記基板上に照射される電子ビームの数を予め検出
する検出段階と、前記検出された電子ビームの数に基づ
いて、前記複数の電子ビームの電流密度を決定する決定
段階とを有することを特徴とする。
【０００７】前記検出段階は、前記パターンのパターン
データに基づいて、偏向毎の前記基板上に照射される電
子ビームの数を予め検出することを特徴とする。
【０００８】前記決定段階は、決定された前記複数の電
子ビームの電流密度に対応して、前記複数の電子ビーム
を偏向する際の偏向周期を決定する段階を有することを
特徴とする。
【０００９】前記決定段階は、予め決められた偏向領域
内での前記検出された偏向毎の電子ビームの数の最大値
に基づいて、前記偏向領域内での前記複数の電子ビーム
の電流密度を決定することを特徴とする。
【００１０】前記偏向領域内では、前記複数の電子ビー
ムの電流密度を一定にすることを特徴とする。
【００１１】前記複数の電子ビームは、電子を放射する
電子源からの電子ビームであって、決定された前記複数
の電子ビームの電流密度に基づいて前記電子源の輝度を
調整する段階を有することを特徴とする。
【００１２】前記電子源の輝度の調整に対応して、前記
複数の電子ビームの大きさを調整する段階を有すること
を特徴とする。
【００１３】前記電子源の輝度の調整に対応して、前記
複数の電子ビームの位置を調整する段階を有することを
特徴とする。
【００１４】本発明の電子ビーム露光装置は、複数の電
子ビームを用いて、基坂上にパターンを露光する電子ビ
ーム露光装置において、複数の電子ビームを前記基板上
に投影する縮小電子光学系と、前記複数の電子ビームを
前記基板上を偏向させる偏向手段と、偏向毎に各電子ビ
ームの照射を個別に制御する照射制御手段と、前記複数
の電子ビームの電流を調整する電流調整手段と、予め検
出された、偏向毎の前記基板上に照射される電子ビーム
の数に基づいて、前記複数の電子ビームの電流密度を前
記電流調整手段によって調整させる制御手段とを有する
ことを特徴とする。
【００１５】前記制御手段は、前記複数の電子ビームの
電流密度の調整に対応して、前記複数の電子ビームを偏
向する際の前記偏向手段の偏向周期を調整することを特
徴とする。
【００１６】前記制御手段は、予め決められた偏向領域
内での偏向毎の照射される電子ビームの数の最大値に基
づいて前記複数の電子ビームの電流密度を前記電流調整
手段によって調整することを特徴とする。
【００１７】前記偏向領域内では、前記電流調整手段よ
って前記複数の電子ビームの電流密度を一定にすること
を特徴とする。
【００１８】前記複数の電子ビームは、電子を放射する
電子源からの電子ビームであって、前記電流調整手段
は、前記電子源の輝度を調整する手段を有することを特
徴とする。
【００１９】前記複数の電子ビームの大きさを調整する
形状調整手段を有し、前記制御手段は、前記電子源の輝
度の調整に対応して、前記形状調整手段によって各電子
ビームの大きさを調整することを特徴とする。
【００２０】前記複数の電子ビームの位置を調整する位
置調整手段を有し、前記制御手段は、前記電子源の輝度
の調整に対応して、前記位置調整手段によって各電子ビ
ームの位置を調整することを特徴とする。
【００２１】本発明のデバイス製造方法は、上記電子ビ
ーム露光方法および装置を用いてデバイスを製造するこ
とを特徴とする。
【００２２】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態） （電子ビーム露光装置の構成要素説明）図１は本発明に
係る電子ビーム露光装置の要部概略図である。
【００２３】図１において、１は、カソード1a、グリッ
ド1b、アノード1cよりなる電子銃であって、カソード1a
から放射された電子はグリッド1b、アノード1cの間でク
ロスオーバ像を形成する。（以下、このクロスオーバ像
を電子源と記す）
【００２４】図２に電子銃の詳細をしめす。CVは一定の
電圧を供給する固定電源BVは電圧を可変できるバイアス
電源である。バイアス電源BVによりカソード1aに対しグ
リッド1bに負のバイアス電位を与え、固定電源CVにより
カソード1aに対しアノード1cに正の電位を与えている。
そして、可変電源BVの電圧を変更することにより、電子
源の輝度（A/sr/cm2)を変更している。
【００２５】図１に戻り、この電子源から放射される電
子は、その前側焦点位置が電子源位置にある照明電子光
学系２によって略平行の電子ビームとなる。略平行な電
子ビームは、要素電子光学系アレイ3に照明する。照明
電子光学系２は、電子レンズ2a、2b、2cで構成されい
る。そして、電子レンズ2a、2b、2cの少なくとも２つの
電子レンズの電子光学的パワー（焦点距離）を調整する
ことにより、照明電子光学系2の電子源側の焦点位置を
保持しながら、照明電子光学系2の焦点距離を変化させ
ることができる。すなわち、照明電子光学系2からの電
子ビームを略平行にしながら照明電子光学系２の焦点距
離を変更できる。
【００２６】照明電子光学系2からの略平行な電子ビー
ムは、要素電子光学系アレイ3に入射する。要素電子光
学系アレイ3は、開口と電子光学系とブランキング電極
とで構成される要素電子光学系が光軸AXに直交する方向
に複数配列されて形成されたものである。要素電子光学
系アレイ3の詳細については後述する。
【００２７】要素電子光学系アレイ3は、電子源の中間
像を複数形成し、各中間像は後述する縮小電子光学系4
によって縮小投影され、ウエハ5上に略同一の大きさの
電子源像を形成する。ここで電子源の中間像の大きさWm
は、電子源の大きさをWs,照明電子光学系２の焦点距離
をFi、要素電子光学系のそれぞれの電子光学系の焦点距
離をFeとすると、下記の式で表される。
【００２８】Wm = Ws * Fe / Fi したがって、照明電子光学系2の焦点距離を変化させる
と、同時に複数の電子源の中間像の大きさが変更でき、
よって、同時にウエハ5上の複数の電子源像の大きさも
変更できる。
【００２９】電子源の輝度（A/sr/cm2)を変更する際若
しくは照明電子光学系2の焦点距離を変化させる際、照
明電子光学系の光軸が変化する事がある。すなわち照明
電子光学系2の焦点距離を変化させる前後で、照明電子
光学系2と電子源との位置関係が変化する。その結果、
電子源の輝度を変更する前後若しく照明電子光学系2の
焦点距離を変化させる前後で、電子源の中間像の位置が
ずれ、当然のことながら、ウエハ5上の複数の電子源像
も、電子源の輝度を変更する前後若しくは照明電子光学
系2の焦点距離を変化させる前後で位置ずれが生じる。A
Dは、照明電子光学系2に対する電子源の位置をＸ方向お
よびＹ方向に移動させる軸調整用偏向器であって、照明
電子光学系2に対する電子源の位置を調整する事によっ
て、前述の電子源の輝度を変更する前後若しくは照明電
子光学系2の焦点距離を変化させる前後での、電子源の
中間像の位置ずれを補正して、ウエハ5上の複数の電子
源像の位置ずれを補正する。
【００３０】また、ウエハ5上の電子源像の大きさが略
同一になるように、各要素電子光学系の焦点距離等は設
定されている。更に、要素電子光学系アレイ3は、各中
間像の光軸方向の位置を縮小電子光学系4の像面湾曲に
応じて異ならせるとともに、各中間像が縮小電子光学系
4よってウエハ5に縮小投影される際に発生する収差を予
め補正している。
【００３１】縮小電子光学系4は、第１投影レンズ41(4
3)と第２投影レンズ42(44)とからなる対称磁気ダブレッ
トで構成される。第１投影レンズ41(43)の焦点距離をf
1、第２投影レンズ42(44)の焦点距離をf2とすると、こ
の２つのレンズ間距離はf1+f2になっている。光軸上AX
の物点は第１投影レンズ41(43)の焦点位置にあり、その
像点は第２投影レンズ42(44)の焦点に結ぶ。この像は-f
2/f1に縮小される。また、２つのレンズ磁界が互いに逆
方向に作用する様に決定されているので、理論上は、球
面収差、等方性非点収差、等方性コマ収差、像面湾曲収
差、軸上色収差の５つの収差を除いて他のザイデル収差
および回転と倍率に関する色収差が打ち消される。
【００３２】6は、要素電子光学系アレイ3からの複数の
電子ビームを偏向させて、複数の電子源像をウエハ5上
でX,Y方向に略同一の偏向幅だけ偏向させる偏向器であ
る。偏向器6は、偏向幅が広いが整定するまでの時間す
なわち整定待ち時間が長い主偏向器61と偏向幅が狭いが
整定待ち時間が短い副偏向器62で構成されていて、主偏
向器61は電磁型偏向器で、副偏向器62は静電型偏向器で
ある。
【００３３】7は偏向器6を作動させた際に発生する偏向
収差による電子源像のフォーカス位置のずれを補正する
ダイナミックフォーカスコイルであり、8は、ダイナミ
ックフォーカスコイル7と同様に、偏向により発生する
偏向収差の非点収差を補正するダイナミックスティグコ
イルである。
【００３４】9は、リフォーカスコイルで、ウエハに照
射される複数の電子ビームの数若しくはウエハに照射さ
れる電流の総和が多くなるとクーロン効果による電子ビ
ームのぼけが発生するので、これを補正するために縮小
電子光学系4の焦点位置を調整するものである。
【００３５】10は、Ｘ及びＹ方向にのびる２つのシング
ルナイフエッジを有するファラデーカップで要素電子光
学系からの電子ビームが形成する電子源像の電荷量を検
出する。
【００３６】11は、ウエハを載置し、光軸AX(Ｚ軸）方
向とＺ軸回りの回転方向に移動可能なθ-Ｚステージで
あって、前述したステージ基準板13とファラデーカップ
10が固設されている。
【００３７】12は、θ-Ｚステージを載置し、光軸AX(Ｚ
軸）と直交するＸＹ方向に移動可能なＸＹステージであ
る。
【００３８】次に、図３を用いて要素電子光学系アレイ
3について説明する。
【００３９】要素電子光学系アレイ3は、複数の要素電
子光学系をグループ（サブアレイ）とし、そのサブアレ
イが複数形成されている。そして、本実施例では５つの
サブアレイA〜Eが形成されている。各サブアレイは、複
数の要素電子光学系が２次元的に配列されていて、本実
施例の各サブアレイではC(1,1)〜C(3,9)のように２７個
の要素電子光学系が形成されている。
【００４０】各要素電子光学系の断面図を図４に示す。
【００４１】図４において、AP-Pは、照明電子光学系2
によって略平行となった電子ビームにより照明され、透
過する電子ビームの形状を規定する開口（AP1)を有する
基板で、他の要素電子光学系と共通の基板である。すな
わち、基板AP-Pは、複数の開口を有する基板である。
【００４２】301は一対の電極で構成され、偏向機能を
有するブランキング電極であり、３０２は、開口（ＡＰ
１）より大きい開口(AP2)を有する基板で他の要素電子
光学系と共通である。また、基板302の上にブランキン
グ電極301と電極on/offするための配線(W)が形成されて
いる。すなわち、基板302は、複数の開口と複数のブラ
ンキング電極を有する基板である。
【００４３】303は、３つの開口電極で構成され、上下
の電極を加速電位V0と同じにし、中間の電極を別の電位
V1またはV2に保った収斂機能を有するユニポテンシャル
レンズ303a、303bの２つを用いた電子光学系である。各
開口電極は、基板上に絶縁物を介在させて積層されてい
て、その基板は他の要素電子光学系と共通の基板であ
る。すなわち、その基板は、複数の電子光学系303を有
する基板である。
【００４４】ユニポテンシャルレンズ303aの上、中、下
の電極及びユニポテンシャルレンズ303bの上、下の電極
の形状は図５(A)に示すような形状であり、ユニポテン
シャルレンズ303a、303bの上下電極は、後述する第１焦
点・非点制御回路によって全ての要素電子光学系におい
て共通の電位に設定している。
【００４５】ユニポテンシャルレンズ303aの中間電極
は、第１焦点・非点制御回路によって要素電子光学系毎
に電位が設定出来る為、ユニポテンシャルレンズ303aの
焦点距離が要素電子光学系毎に設定できる。
【００４６】また、ユニポテンシャルレンズ303bの中間
電極は、図５(B)に示すような４つの電極で構成され、
焦点・非点制御回路によって各電極の電位が個別に設定
でき、要素電子光学系毎にも個別設定出来るため、ユニ
ポテンシャルレンズ303bは直交する断面において焦点距
離が異なるようにでき、かつ要素電子光学系毎にも個別
に設定出来る。
【００４７】その結果、電子光学系303の中間電極をそ
れぞれ制御することによって、要素電子光学系の電子光
学特性（中間像形成位置、非点収差）を制御することが
できる。ここで、中間像形成位置を制御する際、中間像
の大きさは、前述したように照明電子光学系2の焦点距
離と電子光学系303の焦点距離との比で決まるので、電
子学系303の焦点距離を一定にしてその主点位置を移動
させて中間像系形成位置を移動させている。それによ
り、すべての要素電子光学系が形成する中間像の大きさ
が略同一でその光軸方向の位置を異ならせることができ
る。
【００４８】照明電子光学系2で略平行にされた電子ビ
ームは、開口(AP1)、電子光学系303を介して、電子源の
中間像を形成する。ここで、電子光学系303の前側焦点
位置またはその近傍に、対応する開口（AP1)が位置し、
電子光学系303の中間像形成位置（電子光学系303の後側
焦点位置）またはその近傍に、対応するブランキング電
極301が位置する。その結果、ブランキング電極301の電
極間に電界をかけていないと電子ビーム束305の様に偏
向されない。一方、ブランキング電極301の電極間に電
界をかけると電子ビーム束306の様にに偏向される。す
ると、電子光束305と電子ビーム束306は、縮小電子光学
系4の物体面で互いに異なる角度分布を有するので、縮
小電子光学系4の瞳位置（図１のP面上)では電子ビーム
束305と電子ビーム束306は互いに異なる領域に入射され
る。したがって、電子ビーム束305だけを透過させるブ
ランキング開口BAを縮小電子光学系の瞳位置（図１のP
面上)に設けてある。
【００４９】また、各要素電子光学の電子レンズは、そ
れぞれが形成する中間像が縮小電子光学系4によって被
露光面に縮小投影される際に発生する像面湾曲・非点収
差を補正するために、各電子光学系303の２つの中間電
極の電位を個別に設定して、各要素電子光学系の電子光
学特性（中間像形成位置、非点収差）を異ならしめてい
る。ただし、本実施例では、中間電極と第１焦点・非点
制御回路との配線を減らす為に同一サブアレイ内の要素
電子光学系は同一の電子光学特性にしてあり、要素電子
光学系の電子光学特性（中間像形成位置、非点収差）を
サブアレイ毎に制御している。
【００５０】さらに、複数の中間像が縮小電子光学系4
によって被露光面に縮小投影される際に発生する歪曲収
差を補正するために、予め縮小電子光学系4の歪曲特性
を予め知り、それに基づいて、縮小電子光学系4の光軸
と直交する方向の各要素電子光学系の位置を設定してい
る。
【００５１】次に本実施例のシステム構成図を図６に示
す。
【００５２】輝度制御回路BRCは、電子源の輝度（A/sr/
cm2)を変更してウエハ上に投影される電子ビームの電流
密度を制御する為に、電子銃1の可変電源BVの電圧を制
御する回路で、軸制御回路AXCは、照明電子光学系2の焦
点距離を変化させる前後での電子源の中間像の位置ずれ
を補正するために、軸調整用偏向器ADを制御する回路
で、焦点距離制御回路FCは、電子レンズ2a、2b、2cの少
なくとも２つの電子レンズの電子光学的パワー（焦点距
離）を調整することにより、照明電子光学系2の電子源
側の焦点位置を保持しながら、照明電子光学系2の焦点
距離を制御する回路である。
【００５３】ブランキング制御回路14は、要素電子光学
アレイ3の各要素電子光学系のブランキング電極のon/of
fを個別に制御する制御回路、第1焦点・非点制御回路15
は、要素電子光学アレイ3の各要素電子光学系の電子光
学特性（中間像形成位置、非点収差）を個別に制御する
制御回路である。
【００５４】第２焦点・非点制御回路16は、ダイナミッ
クスティグコイル8及びダイナミックフォーカスコイル7
を制御して縮小電子光学系4の焦点位置、非点収差を制
御する制御回路で、偏向制御回路17は偏向器6を制御す
る制御回路、倍率調整回路18は、縮小電子光学系4の倍
率を調整する制御回路、リフォーカス制御回路19は、リ
フォーカスコイル9に流す電流を制御して縮小電子光学
系4の焦点位置を調整する制御回路である。
【００５５】ステージ駆動制御回路20は、θ-Zステージ
を駆動制御し、かつＸＹステージ12の位置を検出するレ
ーザ干渉計21と共同してＸＹステージ12を駆動制御する
制御回路である。
【００５６】制御系22は、メモリ23からの露光制御デー
タに基づく露光及び位置合わせの為に上記複数の制御回
路および反射電子検出器9・ファラデーカップ10を同期
して制御する。制御系22は、インターフェース24を介し
て電子ビーム露光装置全体をコントロールするCPU25に
よって制御されてる。
【００５７】（露光動作の説明）図６を用いて本実施例
の電子ビーム露光装置の露光動作について説明する。
【００５８】制御系22は、メモリ23からの露光制御デー
タに基づいて、偏向制御回路17に命じ、偏向器6の副偏
向器62によって、要素電子光学系アレイからの複数の電
子ビーム偏向させるとともに、ブランキング制御回路14
に命じ各要素電子光学系のブランキング電極をウエハ5
に露光すべきパターンに応じてon/offさせる。この時Ｘ
Ｙステージ12はＸ方向に連続移動している。要素電子光
学系からの電子ビームは、図７(A)に示すようにウエハ5
上の要素露光領域（EF)を黒四角を起点として走査し露
光する。また、図７(B)に示すように、サブアレイ内の
複数の要素電子光学系の要素露光領域（EF)は、隣接す
るように設定されていて、その結果、ウエハ5上におい
て、複数の要素露光領域（EF)で構成されるサブアレイ
露光フィールド(SEF)を露光される。同時に、ウエハ5上
において、図８(A)に示すようなサブアレイAからEのそ
れぞれが形成するサブアレイ露光フィールド(SEF)で構
成されるサブフィールドが露光される。言い換えれば、
複数の要素露光領域（EF）で構成されるサブフィールド
が露光される。
【００５９】制御系22は、図８(B)に示すサブフィール
ド１を露光後、サブフィールド２を露光する為に、偏向
制御回路17に命じ、偏向器6の主偏向器61によって、要
素電子光学系アレイからの複数の電子ビーム偏向させ
る。そして、再度、前述したように、偏向制御回路17に
命じ、偏向器6の副偏向器62によって、要素電子光学系
アレイからの複数の電子ビーム偏向させるとともに、ブ
ランキング制御回路14に命じ各要素電子光学系のブラン
キング電極をウエハ5に露光すべきパターンに応じてon/
offさせ、サブフィールド２を露光する。そして、図８
(B)示すようにサブフィールド３、４というようにサブ
フィールドを順次露光してウエハ5にパターンを露光す
る。すなわち、図９に示すように、PAをパターンデータ
に基づいたパターンが描画されるウエハ5上のパターン
領域とすると、本実施例の電子ビーム露光装置は、パタ
ーン領域PAをサブフィールドを単位として順次露光す
る。
【００６０】（露光制御データ作成処理の説明）本実施
例の電子ビーム露光装置の露光制御データの作成方法に
ついて説明する。
【００６１】CPU25は、ウエハに露光するパターンのパ
ターンデータが入力されると図１０に示すような露光制
御データの作成処理を実行する。
【００６２】各ステップを説明する。
【００６３】（ステップS101)パターンデータよりパタ
ーンの特徴情報（最小線幅、線幅の種類、形状）を検出
する。本実施例では、最小線幅を検出する。
【００６４】（ステップS102)検出された特徴情報に基
づいて、副偏向器62が電子ビームに与える最小偏向幅と
電子ビーム径（ウエハに結像される電子源像の大きさ）
を決定する。本実施例では、その最小偏向幅の整数倍
が、複数の電子ビームの配列ピッチ（ウエハ上）であっ
て、最小線幅の略４分の１である最小偏向幅に決定し、
電子ビーム径を最小偏向幅を辺とする正方形の外接円に
略等しくなるように決定している。
【００６５】（ステップS103)入力されたパターンデー
タを本実施例の電子ビーム露光装置が定めるサブフィー
ルドを単位としたデータに分割する。
【００６６】（ステップS104)一つのサブフィールドを
選択する。
【００６７】（ステップS105）選択されたサブフィール
ドを露光する際の、主偏向器61が定める偏向位置（基準
位置）を決定する。
【００６８】（ステップS106)選択されたサブフィール
ドのパターンデータを各要素電子光学系の露光領域毎の
パターンデータに分割し、決定された副偏向器62の最小
偏向幅を配列間隔として、配列要素FMEで構成される共
通の配列を設定し、各要素電子光学系毎にパターンデー
タを共通の配列上で表したデータに変換する。以下、説
明を簡略にするために、２つの要素電子光学系a,bを用
いて露光する際のパターンデータに関する処理について
説明する。
【００６９】図１１(A)、(B)に共通の偏向用の配列DMに
隣り合う要素電子光学系a,bが露光するべきパターンP
a、Pbを示す。すなわち、それぞれに要素電子光学系
は、パターンが存在するハッチングされた配列位置で、
ブランキング電極をoffにして電子ビームをウエハ上に
照射する。そこで、図１１(A)(B)に示したような要素電
子光学系毎の露光すべき配列位置のデータから、CPU25
は、図１１(C)に示すように、要素電子光学系a,bのうち
少なくとも一つが露光する時の配列位置から成る第１の
領域FF（黒塗り部）と、要素電子光学系a,b双方が共通
して露光しない時の配列位置から成る第２の領域NN（白
抜き部）とを決定する。複数の電子ビームが配列上の第
１の領域FFに位置する時は、最小偏向幅（配列の配列間
隔）を単位として、偏向器６によって電子ビームを偏向
して露光することにより、ウエハ上に露光される全ての
パターンの露光できる。また複数の電子ビームが配列上
の第２の領域NNに位置する時は、電子ビームの位置を整
定せずに偏向することにより、電子ビームの無駄な偏向
を減らして露光できる。言い換えれば、第1の領域（Ｆ
Ｆ）を露光した後、第２の領域（NN）を飛び越して、次
の第1の領域（FF）に偏向して露光することより、整定
時間を有する偏向を減らしてより短時間で露光できる。
そして、図１１(C)に示す領域FF、NNに関するデータか
ら、CPU25は露光すべき配列要素の配列位置を決定し、
さらに、図１１(A)(B)を示すデータから、電子ビームが
整定される配列位置に対応した要素電子光学系毎のブラ
ンキング電極のon/offを決定する。ここで、最小偏向幅
及びその配列内の偏向順序は既に決定されているため、
各配列要素には配列番号が決められているので、配列位
置としてその配列番号を決定する。
【００７０】（ステップS107）配列番号毎の（偏向毎
の）ウエハ上に同時に照射される電子ビームの数を検出
する。さらに、サブフィールド内（予め決められた偏向
領域内）での配列番号毎のウエハ上に照射される電子ビ
ームの数の最大値（Nmax）を検出する。
【００７１】（ステップS108）電子ビームが同時にウエ
ハに照射される領域が略一定のとき、クーロン効果によ
る電子ビームのぼけはその時のウエハに照射される総電
流に依存する。本発明では、クーロン効果によるぼけを
所定値以内に制限するために、ウエハに照射される総電
流を一定にし、ウエハ上に照射される電子ビームの数に
応じて電子ビームの電流密度を決定することを基本とす
る。ただし、偏向毎に各電子ビームの電流を変更するこ
とは複雑な制御を必要とするため、本実施例では、ステ
ップS107で検出された配列番号毎のウエハ上に同時に照
射される電子ビームの数の最大値（Nmax）より、選択さ
れたサブフィールドを露光する際の電子ビームの電流密
度を決定する。すなわち、クーロン効果によるぼけを所
定値以内に制限するためのウエハに照射される総電流を
Imax（A）、同一の大きさを有する各電子ビームのウエ
ハ上での大きさをσ（cm2）として、選択されたサブフ
ィールドを露光する際の電子ビームの電流密度j（A/ cm
2）を以下のように決定する。
【００７２】j＝ Imax/ Nmax/σ （ステップS109）各電子ビームがウエハに所望の点状パ
ターンを形成するための露光量いわゆるウエハ表面に塗
布されたレジストの感度をD（C/cm2）とすると、各電子
ビームの偏向位置での整定時間(いわゆる露光時間）Ts
(sec)は以下のように決定される。
【００７３】Ts ＝ D / j 通常、電子ビームが偏向されて所望の偏向位置に整定す
るまでの整定待ち時間をTo(sec)とすると、副偏向器62
の偏向周期Td(sec)は、Td＝Ts＋Toとなる。そこで、本
実施例では、Toは大体一定であるので、副偏向器62の偏
向周期Tdを決定された電子ビームの電流密度に対応して
決定する。ここで、ウエハ上に照射される電子ビームの
数が少ないと、電子ビーム1本あたりの電流が増え偏向
周期が短くなり、短い時間でウエハが露光できスループ
ットが向上する。
【００７４】（ステップS110)すべてのサブフィールド
について、ステップS104〜S109の処理を終了したか否か
を判断し、未処理のサブフィールドがある場合はステッ
プS104へ戻って未処理のサブフィールドを選択する。
【００７５】（ステップS111)すべてのサブフィールド
について、ステップS104〜S109の処理を終えると、図１
２に示すような、副偏向器62の最小偏向幅、電子ビーム
径の露光制御データと、主偏向器61が定める基準位置、
電子ビーム電流密度、副偏向器62の偏向周期、副偏向器
62が定める配列位置、及び各配列位置における各要素電
子光学系の電子ビーム照射の開閉を要素とするサブフィ
ールド毎の露光制御データとを記憶する。
【００７６】本実施例では、これらの処理を電子ビーム
露光装置のCPU25で処理したが、それ以外の処理装置で
行い、その露光制御データをCPU25に転送してもその目
的・効果は変わらない。
【００７７】（露光制御データに基づく露光の説明）CP
U25は、インターフェース24を介して制御系22に「露光
の実行」を命令すると、制御系22は転送されたメモリ23
上の上記の露光制御データに基づいて図１３に示すよう
なステップを実行する。
【００７８】各ステップを説明する。
【００７９】（ステップS201）焦点距離制御回路FCに命
じ、照明電子光学系2の焦点距離を変更して、決定され
た電子ビーム径に設定する。
【００８０】（ステップS202）偏向制御回路17に命じ、
副偏向器62の最小偏向幅を決定された最小偏向幅に設定
する。
【００８１】（ステップS203）要素電子光学系アレイか
らの複数の電子ビームがサブフィールドを露光する際の
起点である基準位置に位置するように、偏向制御回路17
に命じ、主偏向器61により露光するサブフィールドに複
数の電子ビームを偏向する。更に、主偏向器61が定める
偏向位置に対応して、第２焦点・非点制御回路17に命
じ、予め求めた動的焦点補正データに基づいて、縮小電
子光学系4の焦点位置を補正するようにダイナミックフ
ォーカスコイル7を制御するとともに、予め求めた動的
非点補正データに基づいて縮小電子光学系の非点収差を
補正するようにダイナミックスティグコイル8を制御す
る。
【００８２】（ステップS204）輝度制御回路BRCに命
じ、可変電源BVの電圧を制御して、電子銃1の電子源の
輝度（A/sr/cm2)を変更して、ウエハ上に投影される電
子ビームの電流密度を露光するサブフィールドに対応し
た電流密度に変更する。そして、対応するサブフィール
ド内では、電子ビームの電流密度を一定にするように制
御する。
【００８３】（ステップS205）電子銃1の電子源の輝度
を変更すると、電子源の大きさ及び位置も若干変化す
る。そこで、焦点距離制御回路FCに命じ、照明電子光学
系2の焦点距離を変更して、決定された電子ビーム径に
戻るように電子ビーム径を調整する。また、軸調整用偏
向器ADによって照明電子光学系2に対する電子源の位置
をＸ方向およびＹ方向に移動させてその位置ずれを補正
する。
【００８４】（ステップS206）偏向制御回路17に命じ、
副偏向器62の偏向周期を、露光するサブフィールドに対
応した偏向周期に切り換える。さらに、偏向周期により
定まる周期信号に発生させる。そして、その周期信号に
同期させて、切り換えた最小偏向幅を単位として要素電
子光学系アレイからの複数の電子ビームを、副偏向器62
によって露光制御データにより定められた偏向位置に偏
向させる。同時に、その周期信号に同期させて、ブラン
キング制御回路14に命じ各要素電子光学系のブランキン
グ電極をウエハ5に露光すべきパターンに応じてon/off
させる。更に、クーロン効果による電子ビームのぼけを
補正するために、リフォーカス回路に命じ、ブランキン
グ電極により遮断されずにウエハに照射される電子ビー
ムの数に基づいて、リフォーカスコイル9によって縮小
電子光学系4の焦点位置を調整する。この時ＸＹステー
ジ12はＸ方向に連続移動しており、偏向制御回路17は、
ＸＹステージ12の移動量も含めて電子ビームの偏向位置
を制御している。前述したように、その結果、一つの要
素電子光学系からの電子ビームは、図７(A)に示すよう
にウエハ5上の要素露光領域（EF)を黒四角を起点として
走査し露光する。また、図７(B)に示すように、サブア
レイ内の複数の要素電子光学系の要素露光領域（EF)
は、隣接するように設定されていて、その結果、ウエハ
5上において、複数の要素露光領域（EF)で構成されるサ
ブアレイ露光フィールド(SEF)を露光される。同時に、
ウエハ5上において、図８(A)に示すようなサブアレイA
からEのそれぞれが形成するサブアレイ露光フィールド
(SEF)で構成されるサブフィールドが露光される。言い
換えれば、複数の要素露光領域（EF）で構成されるサブ
フィールドが露光される。
【００８５】（ステップS207）次に露光するサブフィー
ルドがある場合はステップS203へ戻り、ない場合は、露
光を終了する。
【００８６】(第２の実施形態)第１の実施形態では、サ
ブフィールド内での偏向毎のウエハに同時に照射される
電子ビームの数を検出し、更にその最大値を検出し、対
応するサブフィールドを露光する際、その最大値に基づ
いて、電子ビームの電流密度を決定している。第2の実
施形態では、ウエハのすべての露光領域内での、偏向毎
のウエハに同時に照射される電子ビームの数を検出し、
更にその最大値を検出し、その最大値に基づいて電子ビ
ームの電流密度を決定して、その電流密度で、ウエハ全
面を露光する。
【００８７】（本発明のデバイスの生産方法の説明）上
記説明した電子ビーム露光装置を利用したデバイスの生
産方法の実施例を説明する。
【００８８】図１４は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の
半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、
マイクロマシン等）の製造のフローを示す。ステップ１
（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行なう。
ステップ２（露光制御データ作成）では設計した回路パ
ターンに基づいて露光装置の露光制御データを作成す
る。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の
材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプ
ロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意した露光制御デー
タが入力された露光装置とウエハを用いて、リソグラフ
ィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次の
ステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４
によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する
工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディ
ング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を
含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された
半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検
査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成
し、これが出荷（ステップ７）される。
【００８９】図１５は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では上記説明した露光装置によって
回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ１７
（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ１８
（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削
り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチング
が済んで不要となったレジストを取り除く。これらのス
テップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に多重
に回路パターンが形成される。
【００９０】本実施例の製造方法を用いれば、従来は製
造が難しかった高集積度の半導体デバイスを低コストに
製造することができる。
【００９１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、電
子ビームの電流密度を適切に設定することにより、クー
ロン効果によるぼけを所定値以内にしながら、より大き
なスループットを達成できるマルチ電子ビーム型露光方
法及び装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る電子ビーム露光装置の要部概略を
示す図。
【図２】電子銃1について説明する図。
【図３】要素電子光学系アレイ3について説明する図。
【図４】要素電子光学系を説明する図。
【図５】要素電子光学系の電極を説明する図。
【図６】本発明に係るシステム構成を説明する図。
【図７】要素露光領域（EF)及びサブアレイ露光フィー
ルド（SEF)を説明する図。
【図８】サブフィールドを説明する図。
【図９】サブフィールドとパターン領域の関係を説明す
る図。
【図１０】露光制御データ作成処理を説明する図。
【図１１】各要素電子光学系が露光するべきパターンお
よび偏向器が定める配列の領域決定を説明する。
【図１２】露光制御データを説明する図。
【図１３】露光制御データに基づく露光を説明する図。
【図１４】微小デバイスの製造フローを説明する図。
【図１５】ウエハプロセスを説明する図。
【符号の説明】
１ 電子銃 ２ 照明電子光学系 ３ 要素電子光学系アレイ ４ 縮小電子光学系 ５ ウエハ ６ 偏向器 ７ ダイナミックフォーカスコイル ８ ダイナミックスティグコイル ９ リフォーカスコイル １０ ファラデーカップ １１ θ−Ｚステージ １２ ＸＹステージ １３ 強度分布制御回路 １４ ブランキング制御回路 １５ 第１焦点・非点制御回路 １６ 第２焦点・非点制御回路 １７ 偏向制御回路 １８ 倍率調整回路 １９ リフォーカス制御回路 ２０ ステージ駆動制御回路 ２１ レーザ干渉計 ２２ 制御系 ２３ メモリ ２４ インターフェース ２５ ＣＰＵ ＡＰ−Ｐ 開口を有する基板 ＢＲＣ 輝度制御回路 ＦＣ 焦点距離制御回路

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 複数の電子ビームを用いて、基坂上にパ
    ターンを露光する電子ビーム露光方法において、 縮小電子光学系を介して、複数の電子ビームを前記基板
    上に投影する段階と、 前記複数の電子ビームを前記基板上を偏向させる段階
    と、 偏向毎に、各電子ビームの照射を個別に制御する段階
    と、 偏向毎の前記基板上に照射される電子ビームの数を予め
    検出する検出段階と、 前記検出された電子ビームの数に基づいて、前記複数の
    電子ビームの電流密度を決定する決定段階とを有するこ
    とを特徴とする電子ビーム露光方法。
  2. 【請求項２】 前記検出段階は、前記パターンのパター
    ンデータに基づいて、偏向毎の前記基板上に照射される
    電子ビームの数を予め検出することを特徴とする請求項
    １の電子ビーム露光方法。
  3. 【請求項３】 前記決定段階は、決定された前記複数の
    電子ビームの電流密度に対応して、前記複数の電子ビー
    ムを偏向する際の偏向周期を決定する段階を有すること
    を特徴とする請求項１乃至２の電子ビーム露光方法。
  4. 【請求項４】 前記決定段階は、予め決められた偏向領
    域内での前記検出された偏向毎の電子ビームの数の最大
    値に基づいて、前記偏向領域内での前記複数の電子ビー
    ムの電流密度を決定することを特徴とする請求項１乃至
    ３の電子ビーム露光方法。
  5. 【請求項５】 前記偏向領域内では、前記複数の電子ビ
    ームの電流密度を一定にすることを特徴とする請求項４
    の電子ビーム露光方法。
  6. 【請求項６】 前記複数の電子ビームは、電子を放射す
    る電子源からの電子ビームであって、決定された前記複
    数の電子ビームの電流密度に基づいて前記電子源の輝度
    を調整する段階を有することを特徴とする請求項１乃至
    ５の電子ビーム露光方法。
  7. 【請求項７】 前記電子源の輝度の調整に対応して、前
    記複数の電子ビームの大きさを調整する段階を有するこ
    とを特徴とする請求項６の電子ビーム露光方法。
  8. 【請求項８】 前記電子源の輝度の調整に対応して、前
    記複数の電子ビームの位置を調整する段階を有すること
    を特徴とする請求項６乃至７の電子ビーム露光方法。
  9. 【請求項９】 請求項１乃至８の電子ビーム露光方法を
    用いてデバイスを製造することを特徴とするデバイス製
    造方法。
  10. 【請求項１０】 複数の電子ビームを用いて、基坂上に
    パターンを露光する電子ビーム露光装置において、 複数の電子ビームを前記基板上に投影する縮小電子光学
    系と、 前記複数の電子ビームを前記基板上を偏向させる偏向手
    段と、 偏向毎に各電子ビームの照射を個別に制御する照射制御
    手段と、 前記複数の電子ビームの電流を調整する電流調整手段
    と、 予め検出された、偏向毎の前記基板上に照射される電子
    ビームの数に基づいて、前記複数の電子ビームの電流密
    度を前記電流調整手段によって調整させる制御手段とを
    有することを特徴とする電子ビーム露光装置。
  11. 【請求項１１】 前記制御手段は、前記複数の電子ビー
    ムの電流密度の調整に対応して、前記複数の電子ビーム
    を偏向する際の前記偏向手段の偏向周期を調整すること
    を特徴とする請求項１０の電子ビーム露光装置。
  12. 【請求項１２】 前記制御手段は、予め決められた偏向
    領域内での偏向毎の照射される電子ビームの数の最大値
    に基づいて前記複数の電子ビームの電流密度を前記電流
    調整手段によって調整することを特徴とする請求項８乃
    至９の電子ビーム露光装置。
  13. 【請求項１３】 前記偏向領域内では、前記電流調整手
    段よって前記複数の電子ビームの電流密度を一定にする
    ことを特徴とする請求項１２の電子ビーム露光装置。
  14. 【請求項１４】 前記複数の電子ビームは、電子を放射
    する電子源からの電子ビームであって、前記電流調整手
    段は、前記電子源の輝度を調整する手段を有することを
    特徴とする請求項１０乃至１３の電子ビーム露光方法。
  15. 【請求項１５】 前記複数の電子ビームの大きさを調整
    する形状調整手段を有し、前記制御手段は、前記電子源
    の輝度の調整に対応して、前記形状調整手段によって各
    電子ビームの大きさを調整することを特徴とする請求項
    １４の電子ビーム露光装置。
  16. 【請求項１６】 前記複数の電子ビームの位置を調整す
    る位置調整手段を有し、前記制御手段は、前記電子源の
    輝度の調整に対応して、前記位置調整手段によって各電
    子ビームの位置を調整することを特徴とする請求項１４
    乃至１５の電子ビーム露光装置。
  17. 【請求項１７】 請求項１０乃至１６の電子ビーム露光
    装置を用いてデバイスを製造することを特徴とするデバ
    イス製造方法。
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