JPH113846A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
基板処理装置および基板処理方法Info
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- JPH113846A JPH113846A JP9153726A JP15372697A JPH113846A JP H113846 A JPH113846 A JP H113846A JP 9153726 A JP9153726 A JP 9153726A JP 15372697 A JP15372697 A JP 15372697A JP H113846 A JPH113846 A JP H113846A
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- Japan
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- substrate
- processing
- cleaning
- unit
- pure water
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 フットプリントを減少させ、低コスト化を図
ることができる基板処理装置およびそれを用いた基板処
理方法を提供する。 【解決手段】 スピンナーユニット１１は、洗浄処理お
よび現像処理を行うためのものであり、フォトレジスト
液の塗布を行う塗布ユニット、露光ユニット、および加
熱および冷却を行う熱処理ユニット等とともに基板処理
装置を構成し、このスピンナーユニット１１には、基板
Ｗを回転可能に保持する基板保持部２１と、基板Ｗ上に
現像液を供給するための現像液ノズル２３と、基板Ｗの
上面を洗浄するための洗浄ブラシ２５と、基板Ｗ上に純
水を供給するための純水ノズル２７と、現像液ノズル２
３および洗浄ブラシ２５を支持する旋回可能に設けられ
た支持アーム３１とが備えられている。
ることができる基板処理装置およびそれを用いた基板処
理方法を提供する。 【解決手段】 スピンナーユニット１１は、洗浄処理お
よび現像処理を行うためのものであり、フォトレジスト
液の塗布を行う塗布ユニット、露光ユニット、および加
熱および冷却を行う熱処理ユニット等とともに基板処理
装置を構成し、このスピンナーユニット１１には、基板
Ｗを回転可能に保持する基板保持部２１と、基板Ｗ上に
現像液を供給するための現像液ノズル２３と、基板Ｗの
上面を洗浄するための洗浄ブラシ２５と、基板Ｗ上に純
水を供給するための純水ノズル２７と、現像液ノズル２
３および洗浄ブラシ２５を支持する旋回可能に設けられ
た支持アーム３１とが備えられている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板や液晶
用ガラス基板等に対して使用する基板処理装置およびそ
れを用いた基板処理方法に関するものである。
用ガラス基板等に対して使用する基板処理装置およびそ
れを用いた基板処理方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハおよびガラス基板等の基板
の製造工程では、フォトレジスト液等の所定の塗布液の
塗布処理、現像処理、洗浄処理および熱処理（加熱処理
および冷却処理）等の複数の処理が行われる。
の製造工程では、フォトレジスト液等の所定の塗布液の
塗布処理、現像処理、洗浄処理および熱処理（加熱処理
および冷却処理）等の複数の処理が行われる。
【０００３】これに対して、従来では、基板処理装置
に、所定の塗布液の塗布処理、現像処理、洗浄処理およ
び熱処理等の処理を専用に行う専用ユニットを各処理ご
とに並列に搭載するか、或いは、特定の処理を専用に行
う処理装置を処理の種類分だけ導入することにより対応
している。
に、所定の塗布液の塗布処理、現像処理、洗浄処理およ
び熱処理等の処理を専用に行う専用ユニットを各処理ご
とに並列に搭載するか、或いは、特定の処理を専用に行
う処理装置を処理の種類分だけ導入することにより対応
している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このため、前述の従来
の装置構成では、基板に対して行われる処理の種類分だ
け装置に専用ユニットを搭載するか、或いは処理装置を
購入する必要があるので、フットプリントが増大し、高
コストになるという問題がある。
の装置構成では、基板に対して行われる処理の種類分だ
け装置に専用ユニットを搭載するか、或いは処理装置を
購入する必要があるので、フットプリントが増大し、高
コストになるという問題がある。
【０００５】そこで、本発明は前記問題点に鑑み、フッ
トプリントを減少させ、低コスト化を図ることができる
基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的
とする。
トプリントを減少させ、低コスト化を図ることができる
基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的
とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
の技術的手段は、回転自由度を有する基板保持手段と、
前記基板保持手段によって保持された基板に対して、所
定の塗布液の塗布処理、現像処理、洗浄処理および熱処
理のうちの２種類以上の処理を実行可能な処理手段と、
を備えていることを特徴とする。
の技術的手段は、回転自由度を有する基板保持手段と、
前記基板保持手段によって保持された基板に対して、所
定の塗布液の塗布処理、現像処理、洗浄処理および熱処
理のうちの２種類以上の処理を実行可能な処理手段と、
を備えていることを特徴とする。
【０００７】好ましくは、前記処理手段は、前記現像処
理と前記洗浄処理とを行うためのものであるのがよい。
理と前記洗浄処理とを行うためのものであるのがよい。
【０００８】また、好ましくは、前記処理手段は、前記
基板上に現像液を供給するための現像液ノズルと、前記
基板上に純水を供給するための純水ノズルと、前記基板
の表面、または前記純水ノズルから供給された前記基板
上の純水に接触させ、基板表面を洗浄するための洗浄ブ
ラシと、を備えているのがよい。
基板上に現像液を供給するための現像液ノズルと、前記
基板上に純水を供給するための純水ノズルと、前記基板
の表面、または前記純水ノズルから供給された前記基板
上の純水に接触させ、基板表面を洗浄するための洗浄ブ
ラシと、を備えているのがよい。
【０００９】さらに、好ましくは、前記処理手段は、前
記現像液ノズルおよび前記洗浄ブラシを所定の待避位置
から前記基板上に移送するとともに、前記基板上にて支
持する支持アームをさらに備えているのがよい。
記現像液ノズルおよび前記洗浄ブラシを所定の待避位置
から前記基板上に移送するとともに、前記基板上にて支
持する支持アームをさらに備えているのがよい。
【００１０】また、前記目的を達成するための技術的手
段は、回転自由度を有する基板保持手段によって保持さ
れた基板に対して、所定の塗布液の塗布処理、現像処
理、洗浄処理および熱処理のうちの２種類以上の処理を
実行することを特徴とする。
段は、回転自由度を有する基板保持手段によって保持さ
れた基板に対して、所定の塗布液の塗布処理、現像処
理、洗浄処理および熱処理のうちの２種類以上の処理を
実行することを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１は本発明の第１実施形態に係
る基板処理装置の構成を示す図であり、この基板処理装
置１は、基板Ｗの搬送を行う搬送ユニット３と、図示し
ないカセットに対して基板Ｗの取出し、および収納を行
いつつ、基板搬送ユニット３に対して基板Ｗの授受を行
うインデクサ５と、基板Ｗにフォトレジスト液を塗布す
る塗布ユニット７と、基板Ｗの表裏を反転させる反転ユ
ニット９と、現像処理および洗浄処理を行うスピンナー
ユニット（回転式基板処理部）１１と、露光ユニット１
３と、加熱および冷却処理を行う熱処理ユニット１５と
を備えており、このうちスピンナーユニット１１が本実
施形態の特徴とするところである。
る基板処理装置の構成を示す図であり、この基板処理装
置１は、基板Ｗの搬送を行う搬送ユニット３と、図示し
ないカセットに対して基板Ｗの取出し、および収納を行
いつつ、基板搬送ユニット３に対して基板Ｗの授受を行
うインデクサ５と、基板Ｗにフォトレジスト液を塗布す
る塗布ユニット７と、基板Ｗの表裏を反転させる反転ユ
ニット９と、現像処理および洗浄処理を行うスピンナー
ユニット（回転式基板処理部）１１と、露光ユニット１
３と、加熱および冷却処理を行う熱処理ユニット１５と
を備えており、このうちスピンナーユニット１１が本実
施形態の特徴とするところである。
【００１２】図２はスピンナーユニット１１の平面図で
あり、図３はスピンナーユニット１１に備えられる支持
アームの断面図であり、このスピンナーユニット１１
は、回転自由度を有する基板保持部２１（基板保持手
段）と、基板Ｗ上に現像液を供給するための現像液ノズ
ル２３と、基板Ｗの上面を洗浄するための洗浄ブラシ２
５と、基板Ｗ上に純水を供給するための純水ノズル２７
と、現像液ノズル２３および洗浄ブラシ２５を支持する
支持アーム３１とを備えている。
あり、図３はスピンナーユニット１１に備えられる支持
アームの断面図であり、このスピンナーユニット１１
は、回転自由度を有する基板保持部２１（基板保持手
段）と、基板Ｗ上に現像液を供給するための現像液ノズ
ル２３と、基板Ｗの上面を洗浄するための洗浄ブラシ２
５と、基板Ｗ上に純水を供給するための純水ノズル２７
と、現像液ノズル２３および洗浄ブラシ２５を支持する
支持アーム３１とを備えている。
【００１３】支持アーム３１は、基端部の旋回中心Ｐ１
を中心に旋回可能に、かつ昇降可能に備えられている。
この支持アーム３１の先端部の下面には、現像液ノズル
２３の放出口２３ａおよび洗浄ブラシ２５が左右に並列
して備えられており、支持アーム３１が旋回されるのに
伴って、現像液ノズル２３の放出口２３ａおよび洗浄ブ
ラシ２５が、旋回中心Ｐ１を中心に基板保持部２１の外
側の図２に示される位置（待避位置）から、基板保持部
２１によって保持された基板Ｗの上方にかけて旋回移動
する。
を中心に旋回可能に、かつ昇降可能に備えられている。
この支持アーム３１の先端部の下面には、現像液ノズル
２３の放出口２３ａおよび洗浄ブラシ２５が左右に並列
して備えられており、支持アーム３１が旋回されるのに
伴って、現像液ノズル２３の放出口２３ａおよび洗浄ブ
ラシ２５が、旋回中心Ｐ１を中心に基板保持部２１の外
側の図２に示される位置（待避位置）から、基板保持部
２１によって保持された基板Ｗの上方にかけて旋回移動
する。
【００１４】洗浄ブラシ２５は、円柱形のブラシ台２５
ａと、そのブラシ台２５ａ下面の円形領域に植毛された
樹脂製のブラシ部２５ｂとを備えている。この洗浄ブラ
シ２５のブラシ台２５ａは、モータ４１の回転軸に連結
されており、モータ４１により回転駆動されて自転する
ようになっている。この洗浄ブラシ２５は着脱式になっ
ており、容易に交換等が行えるようになっている。な
お、ここでは、モータ４１を備えて洗浄ブラシ２５を自
転させてるようにしたが、洗浄ブラシ２５を自転させな
い構成としてもよい。
ａと、そのブラシ台２５ａ下面の円形領域に植毛された
樹脂製のブラシ部２５ｂとを備えている。この洗浄ブラ
シ２５のブラシ台２５ａは、モータ４１の回転軸に連結
されており、モータ４１により回転駆動されて自転する
ようになっている。この洗浄ブラシ２５は着脱式になっ
ており、容易に交換等が行えるようになっている。な
お、ここでは、モータ４１を備えて洗浄ブラシ２５を自
転させてるようにしたが、洗浄ブラシ２５を自転させな
い構成としてもよい。
【００１５】図２、図４および図５に示されるように、
基板保持部２１の回転台２１ａには、互いに近接および
離反変位する複数の基板保持部材２１ｂが設けられてお
り、モータ２１ｃにより回転台２１ａが回転駆動される
と、この基板保持部材２１ｂにより保持された基板Ｗが
回転するようになっている。
基板保持部２１の回転台２１ａには、互いに近接および
離反変位する複数の基板保持部材２１ｂが設けられてお
り、モータ２１ｃにより回転台２１ａが回転駆動される
と、この基板保持部材２１ｂにより保持された基板Ｗが
回転するようになっている。
【００１６】純水ノズル２７は、搬送ユニット３による
スピンナーユニット１１の基板保持部２１への基板Ｗの
装填等の障害にならないように、基板保持部２１の外側
に固定されている。
スピンナーユニット１１の基板保持部２１への基板Ｗの
装填等の障害にならないように、基板保持部２１の外側
に固定されている。
【００１７】搬送ユニット３は、搬送路４３内を往復移
動する移動台４５上に搭載され基板保持アーム４７を備
えており、インデクサ５から受け取った基板Ｗを、この
保持アーム４７により、後述する所定の処理工程に従っ
て各ユニット７，９，１１，１３，１５に装填してゆ
き、全ての処理が終了すると、インデクサ５に渡す。
動する移動台４５上に搭載され基板保持アーム４７を備
えており、インデクサ５から受け取った基板Ｗを、この
保持アーム４７により、後述する所定の処理工程に従っ
て各ユニット７，９，１１，１３，１５に装填してゆ
き、全ての処理が終了すると、インデクサ５に渡す。
【００１８】塗布ユニット７は、前述のスピンナーユニ
ット１１の基板保持部２１と同様な図示しない基板保持
部を有しており、基板Ｗを回転させつつ、その基板Ｗに
フォトレジスト液を塗布する。なお、ここでは、この塗
布ユニット７により、フォトレジスト液を塗布するよう
にしたが、基板Ｗに絶縁膜や保護膜を形成するためのポ
リイミド樹脂およびシリカ系被膜形成用塗布液であるＳ
ＯＧ材等の他の塗布液を塗布するようにしてもよい。
ット１１の基板保持部２１と同様な図示しない基板保持
部を有しており、基板Ｗを回転させつつ、その基板Ｗに
フォトレジスト液を塗布する。なお、ここでは、この塗
布ユニット７により、フォトレジスト液を塗布するよう
にしたが、基板Ｗに絶縁膜や保護膜を形成するためのポ
リイミド樹脂およびシリカ系被膜形成用塗布液であるＳ
ＯＧ材等の他の塗布液を塗布するようにしてもよい。
【００１９】熱処理ユニット１５は、図示しない加熱部
と冷却部とを少なくとも１組備えており、加熱処理およ
び加熱により熱せられた基板Ｗの冷却処理を行うように
なっている。
と冷却部とを少なくとも１組備えており、加熱処理およ
び加熱により熱せられた基板Ｗの冷却処理を行うように
なっている。
【００２０】図６は、基板処理装置１の基板処理工程を
示すフローチャートである。インデクサ５から搬送ユニ
ット３が受け取った基板Ｗは、ステップＳ１で塗布ユニ
ット７に送られ、その主面側にフォトレジスト液が塗布
され、ステップＳ２で反転ユニット９に送られ、表裏が
反転された後、ステップＳ３でスピンナーユニット１１
に送られ、洗浄処理が行われる。
示すフローチャートである。インデクサ５から搬送ユニ
ット３が受け取った基板Ｗは、ステップＳ１で塗布ユニ
ット７に送られ、その主面側にフォトレジスト液が塗布
され、ステップＳ２で反転ユニット９に送られ、表裏が
反転された後、ステップＳ３でスピンナーユニット１１
に送られ、洗浄処理が行われる。
【００２１】ステップＳ３の洗浄処理では、基板Ｗが基
板保持部２１に装填されると、基板保持部２１によって
基板Ｗが回転され、純水ノズル２７から基板Ｗ上に純水
が供給されるとともに、支持アーム３１が、図４に示さ
れるように、洗浄ブラシ２５が待避位置から基板Ｗの上
方に至るまで旋回された後、下降され、洗浄ブラシ２５
が基板Ｗの上面（裏面）に接触され、または、洗浄ブラ
シ２５が基板Ｗとは接触せずに純水ノズル２７から供給
された基板Ｗ上の純水のみに接触され、基板Ｗの裏面側
の洗浄が行われる。このとき、洗浄ブラシ２５は、モー
タ４１によって自転されつつ、旋回アーム３１が徐々に
旋回されることによって基板Ｗ上で走査され、基板Ｗの
裏面側全体が洗浄される。洗浄ブラシ２５による洗浄が
終了すると、支持アーム３１が上昇して待避位置に戻
り、純水ノズル２７による純水の供給が停止された後、
さらに基板保持部２１による基板Ｗの回転が続けられ、
基板Ｗに付着した純水を回転により振り切る振切り乾燥
が行われ、ステップＳ４に進む。
板保持部２１に装填されると、基板保持部２１によって
基板Ｗが回転され、純水ノズル２７から基板Ｗ上に純水
が供給されるとともに、支持アーム３１が、図４に示さ
れるように、洗浄ブラシ２５が待避位置から基板Ｗの上
方に至るまで旋回された後、下降され、洗浄ブラシ２５
が基板Ｗの上面（裏面）に接触され、または、洗浄ブラ
シ２５が基板Ｗとは接触せずに純水ノズル２７から供給
された基板Ｗ上の純水のみに接触され、基板Ｗの裏面側
の洗浄が行われる。このとき、洗浄ブラシ２５は、モー
タ４１によって自転されつつ、旋回アーム３１が徐々に
旋回されることによって基板Ｗ上で走査され、基板Ｗの
裏面側全体が洗浄される。洗浄ブラシ２５による洗浄が
終了すると、支持アーム３１が上昇して待避位置に戻
り、純水ノズル２７による純水の供給が停止された後、
さらに基板保持部２１による基板Ｗの回転が続けられ、
基板Ｗに付着した純水を回転により振り切る振切り乾燥
が行われ、ステップＳ４に進む。
【００２２】裏面側の洗浄処理が行われた基板Ｗは、ス
テップＳ４でスピンナーユニット１１から反転ユニット
９に送られ、その表裏が反転され、ステップＳ５で露光
ユニット１３に送られ、露光処理が行われると、ステッ
プＳ６で再びスピンナーユニット１１に送られ、現像処
理が行われる。
テップＳ４でスピンナーユニット１１から反転ユニット
９に送られ、その表裏が反転され、ステップＳ５で露光
ユニット１３に送られ、露光処理が行われると、ステッ
プＳ６で再びスピンナーユニット１１に送られ、現像処
理が行われる。
【００２３】ステップＳ６の現像処理では、基板Ｗが基
板保持部２１に装填されると、支持アーム３１が、図５
に示されるように、現像液ノズル２３が待避位置から基
板Ｗの上方に至るまで旋回された後、現像液ノズル２３
から現像液が基板Ｗ上に供給され、基板Ｗ表面全体に現
像液が行き渡ると、所定時間放置された後、基板Ｗ上へ
の純水ノズル２７による純水の供給が開始されるととも
に、基板保持部２１による基板Ｗの回転が開始され、基
板Ｗ上の現像液が純水に置換される。この純水置換処理
が終了すると、純水ノズル２７からの純水の供給が停止
されるとともに、基板Ｗの回転が続行され、基板Ｗに付
着した純水が振切り乾燥により除去され、ステップＳ７
に進む。
板保持部２１に装填されると、支持アーム３１が、図５
に示されるように、現像液ノズル２３が待避位置から基
板Ｗの上方に至るまで旋回された後、現像液ノズル２３
から現像液が基板Ｗ上に供給され、基板Ｗ表面全体に現
像液が行き渡ると、所定時間放置された後、基板Ｗ上へ
の純水ノズル２７による純水の供給が開始されるととも
に、基板保持部２１による基板Ｗの回転が開始され、基
板Ｗ上の現像液が純水に置換される。この純水置換処理
が終了すると、純水ノズル２７からの純水の供給が停止
されるとともに、基板Ｗの回転が続行され、基板Ｗに付
着した純水が振切り乾燥により除去され、ステップＳ７
に進む。
【００２４】ステップＳ７では、基板Ｗがスピンナーユ
ニット１１から熱処理ユニット１５に送られ、加熱処理
およびそれに続く冷却処理が行われた後、搬送ユニット
３によりインデクサ５に渡され、所定のカセットに収納
される。
ニット１１から熱処理ユニット１５に送られ、加熱処理
およびそれに続く冷却処理が行われた後、搬送ユニット
３によりインデクサ５に渡され、所定のカセットに収納
される。
【００２５】以上のように、本実施形態によれば、スピ
ンナーユニット１１にて現像処理と洗浄処理とを行うよ
うにしたので、従来のように現像処理および洗浄処理ご
とに個別に専用のユニットや専用の処理装置を備えるの
に比して、装置構成を簡略化することができ、よって装
置のフットプリントを減少させ、低コスト化を図ること
ができる。
ンナーユニット１１にて現像処理と洗浄処理とを行うよ
うにしたので、従来のように現像処理および洗浄処理ご
とに個別に専用のユニットや専用の処理装置を備えるの
に比して、装置構成を簡略化することができ、よって装
置のフットプリントを減少させ、低コスト化を図ること
ができる。
【００２６】また、洗浄処理と現像処理とは共に純水を
用いる処理であるとともに、基板Ｗの回転を伴う処理で
あるので、ユニットの共用化が容易であるため、容易に
実施することができる。
用いる処理であるとともに、基板Ｗの回転を伴う処理で
あるので、ユニットの共用化が容易であるため、容易に
実施することができる。
【００２７】さらに、現像液ノズル２３と洗浄ブラシ２
５とが同一の支持アーム３１によって支持されているの
で、構成が簡単であり、装置１の製造コストを削減する
ことができるとともに、例えば従来の洗浄ユニット或い
は現像ユニットを本実施形態のような共用ユニットに変
更する場合、支持アームを新たに設ける必要がなく、比
較的簡単な変更で共用化を行うことができる。
５とが同一の支持アーム３１によって支持されているの
で、構成が簡単であり、装置１の製造コストを削減する
ことができるとともに、例えば従来の洗浄ユニット或い
は現像ユニットを本実施形態のような共用ユニットに変
更する場合、支持アームを新たに設ける必要がなく、比
較的簡単な変更で共用化を行うことができる。
【００２８】また、洗浄ブラシ２５が着脱式なので、洗
浄ブラシ２５の交換等を容易に行うことができる。
浄ブラシ２５の交換等を容易に行うことができる。
【００２９】図７は、本発明の第２実施形態に係るスピ
ンナーユニット５１の構成を示す平面図である。本実施
形態のスピンナーユニット５１は、赤外線ランプ５３お
よびその赤外線ランプ５３を支持する支持アーム５５を
備えた点を除いて第１実施形態のスピンナーユニット１
１と同様な構成であり、対応する部分には同一の参照符
号を付して説明を省略する。
ンナーユニット５１の構成を示す平面図である。本実施
形態のスピンナーユニット５１は、赤外線ランプ５３お
よびその赤外線ランプ５３を支持する支持アーム５５を
備えた点を除いて第１実施形態のスピンナーユニット１
１と同様な構成であり、対応する部分には同一の参照符
号を付して説明を省略する。
【００３０】この赤外線ランプ５３は、洗浄処理および
現像処理の最後で、基板Ｗに付着した水分を加熱乾燥す
るためのものである。赤外線ランプ５３を支持する支持
アーム５５は、その基端部の旋回中心Ｐ２を中心に旋回
可能となっており、この支持アーム５５が旋回すると、
その先端部の下面に備えられた赤外線ランプ５３が、旋
回中心Ｐ２を中心に基板保持部２１の外側の図７に示さ
れる位置（待避位置）から、基板保持部２１によって保
持された基板Ｗの上方にかけて公転するようになってい
る。そして、洗浄処理および現像処理の最後では、支持
アーム５５が旋回されて赤外線ランプ５３が基板Ｗの上
方に移動され、赤外線ランプ５３による加熱乾燥が行わ
れる。
現像処理の最後で、基板Ｗに付着した水分を加熱乾燥す
るためのものである。赤外線ランプ５３を支持する支持
アーム５５は、その基端部の旋回中心Ｐ２を中心に旋回
可能となっており、この支持アーム５５が旋回すると、
その先端部の下面に備えられた赤外線ランプ５３が、旋
回中心Ｐ２を中心に基板保持部２１の外側の図７に示さ
れる位置（待避位置）から、基板保持部２１によって保
持された基板Ｗの上方にかけて公転するようになってい
る。そして、洗浄処理および現像処理の最後では、支持
アーム５５が旋回されて赤外線ランプ５３が基板Ｗの上
方に移動され、赤外線ランプ５３による加熱乾燥が行わ
れる。
【００３１】なお、ここでは、赤外線ランプ５３により
基板Ｗの乾燥を行うようにしたが、光増幅型レジスト処
理において基板Ｗに塗布されたフォトレジスト液の架橋
反応または分解反応を生じさせるための加熱処理をこの
赤外線ランプ５３により行うようにしてもよい。
基板Ｗの乾燥を行うようにしたが、光増幅型レジスト処
理において基板Ｗに塗布されたフォトレジスト液の架橋
反応または分解反応を生じさせるための加熱処理をこの
赤外線ランプ５３により行うようにしてもよい。
【００３２】本実施形態でも、現像処理、洗浄処理およ
び加熱処理が単一のユニット５１により行えるので、装
置構成を簡略化することができ、よって装置のフットプ
リントを減少させ、低コスト化を図ることができる等の
第１実施形態と同様な効果が得られる。
び加熱処理が単一のユニット５１により行えるので、装
置構成を簡略化することができ、よって装置のフットプ
リントを減少させ、低コスト化を図ることができる等の
第１実施形態と同様な効果が得られる。
【００３３】なお、上述の第１および第２実施形態で
は、支持アーム３１，５５を旋回させることにより、現
像液ノズル２３、洗浄ブラシ２５および赤外線ランプ５
３を待避位置から基板Ｗ上に移動させるようにしたが、
支持アーム３１，５５を平行移動させることにより、現
像液ノズル２３、洗浄ブラシ２５および赤外線ランプ５
３を移動させるようにしてもよい。
は、支持アーム３１，５５を旋回させることにより、現
像液ノズル２３、洗浄ブラシ２５および赤外線ランプ５
３を待避位置から基板Ｗ上に移動させるようにしたが、
支持アーム３１，５５を平行移動させることにより、現
像液ノズル２３、洗浄ブラシ２５および赤外線ランプ５
３を移動させるようにしてもよい。
【００３４】また、上述の第１および第２実施形態で
は、現像ノズル２３および洗浄ブラシ２５を単一の支持
アーム３１で支持するようにしたが、それぞれ個別の支
持アームで支持するようにしてもよい。
は、現像ノズル２３および洗浄ブラシ２５を単一の支持
アーム３１で支持するようにしたが、それぞれ個別の支
持アームで支持するようにしてもよい。
【００３５】さらに、上述の第１および第２実施形態で
は、支持アーム３１に単一の現像液ノズル２３を備えた
が、この現像液ノズル２３の他に、他の薬液（例えば洗
浄用の溶液）や純水を供給するためのノズルを備えるよ
うにしてもよい。
は、支持アーム３１に単一の現像液ノズル２３を備えた
が、この現像液ノズル２３の他に、他の薬液（例えば洗
浄用の溶液）や純水を供給するためのノズルを備えるよ
うにしてもよい。
【００３６】図８は、本発明の第３実施形態に係るスピ
ンナーユニット６１の構成を示す平面図である。本実施
形態のスピンナーユニット６１は、第１実施形態のスピ
ンナーユニット１１と類似しており、互いに対応する部
分には同一の参照符号を付して説明を省略する。
ンナーユニット６１の構成を示す平面図である。本実施
形態のスピンナーユニット６１は、第１実施形態のスピ
ンナーユニット１１と類似しており、互いに対応する部
分には同一の参照符号を付して説明を省略する。
【００３７】このスピンナーユニット６１では、ピック
アップアーム６３が図８に示される待避位置から基板保
持部２１によって保持された基板Ｗ上にかけて平行移動
可能に備えられており、現像処理または洗浄処理の際に
は、このピックアップアーム６３がそのチャック部６３
ａにより、載置部６５に細緻された現像液ノズル２３ま
たは洗浄ブラシ２５を選択して保持し、基板Ｗ上まで移
動させるようになっている。
アップアーム６３が図８に示される待避位置から基板保
持部２１によって保持された基板Ｗ上にかけて平行移動
可能に備えられており、現像処理または洗浄処理の際に
は、このピックアップアーム６３がそのチャック部６３
ａにより、載置部６５に細緻された現像液ノズル２３ま
たは洗浄ブラシ２５を選択して保持し、基板Ｗ上まで移
動させるようになっている。
【００３８】本実施形態でも、現像処理および洗浄処理
が単一のユニット６１により行えるので、装置構成を簡
略化することができ、よって装置のフットプリントを減
少させ、低コスト化を図ることができる等の第１実施形
態と同様な効果が得られる。
が単一のユニット６１により行えるので、装置構成を簡
略化することができ、よって装置のフットプリントを減
少させ、低コスト化を図ることができる等の第１実施形
態と同様な効果が得られる。
【００３９】なお、本実施形態では、ピックアップアー
ム６３に現像液ノズル２３および洗浄ブラシ２５をピッ
クアップさせて所定位置までに移動させるようにした
が、前述の第２実施形態の赤外線ランプ５３もピックア
ップさせて所定位置まで移動させるようにしてもよい。
ム６３に現像液ノズル２３および洗浄ブラシ２５をピッ
クアップさせて所定位置までに移動させるようにした
が、前述の第２実施形態の赤外線ランプ５３もピックア
ップさせて所定位置まで移動させるようにしてもよい。
【００４０】また、上述の各実施形態では、スピンナー
ユニット１１，５１，６１での洗浄手段として、洗浄ブ
ラシ２５を用いたが、洗浄ブラシ２５の代わりに、或い
は洗浄ブラシ２５とともに、高圧水流を基板Ｗ表面に与
えて洗浄する高圧ジェット洗浄手段、および超音波加振
した洗浄水を基板Ｗ表面に与えて洗浄する超音波洗浄手
段のいずれか一方或いは双方を備えるようにしてもよ
い。
ユニット１１，５１，６１での洗浄手段として、洗浄ブ
ラシ２５を用いたが、洗浄ブラシ２５の代わりに、或い
は洗浄ブラシ２５とともに、高圧水流を基板Ｗ表面に与
えて洗浄する高圧ジェット洗浄手段、および超音波加振
した洗浄水を基板Ｗ表面に与えて洗浄する超音波洗浄手
段のいずれか一方或いは双方を備えるようにしてもよ
い。
【００４１】さらに、上述の各実施形態では、現像処理
および洗浄処理、或いはこれらに加えて熱処理を単一の
ユニットで行うようにしたが、例えば塗布処理と洗浄処
理とを単一のユニットで行うようにしてもよい。
および洗浄処理、或いはこれらに加えて熱処理を単一の
ユニットで行うようにしたが、例えば塗布処理と洗浄処
理とを単一のユニットで行うようにしてもよい。
【００４２】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、請求項
１ないし請求項５記載の発明によれば、所定の塗布液の
塗布処理、現像処理、洗浄処理および熱処理のうちの２
種類以上の処理を基板に対して行うための処理手段が備
えられているので、従来のように各処理ごとに個別に専
用のユニットや専用の処理装置を備えるのに比して、装
置構成を簡略化することができ、よって装置のフットプ
リントを減少させ、低コスト化を図ることができる。
１ないし請求項５記載の発明によれば、所定の塗布液の
塗布処理、現像処理、洗浄処理および熱処理のうちの２
種類以上の処理を基板に対して行うための処理手段が備
えられているので、従来のように各処理ごとに個別に専
用のユニットや専用の処理装置を備えるのに比して、装
置構成を簡略化することができ、よって装置のフットプ
リントを減少させ、低コスト化を図ることができる。
【００４３】また、請求項２ないし請求項４記載の発明
によれば、洗浄処理と現像処理とは共に純水を用いる処
理であるとともに、基板の回転を伴う処理であるので、
ユニット等の共用化が容易であるため、容易に実施する
ことができる。
によれば、洗浄処理と現像処理とは共に純水を用いる処
理であるとともに、基板の回転を伴う処理であるので、
ユニット等の共用化が容易であるため、容易に実施する
ことができる。
【００４４】さらに、請求項５記載の発明によれば、現
像液ノズルと洗浄ブラシとが同一の支持アームによって
支持されるので、構成が簡単であり、装置の製造コスト
を削減することができる。
像液ノズルと洗浄ブラシとが同一の支持アームによって
支持されるので、構成が簡単であり、装置の製造コスト
を削減することができる。
【図１】本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の全
体の構成を示す図である。
体の構成を示す図である。
【図２】図１の基板処理装置に備えられるスピンナーユ
ニットの構成を示す平面図である。
ニットの構成を示す平面図である。
【図３】図２のスピンナーユニットに備えられる支持ア
ームの断面図である。
ームの断面図である。
【図４】図２のスピンナーユニットにより基板の洗浄処
理が行われている様子を示す図である。
理が行われている様子を示す図である。
【図５】図２のスピンナーユニットにより基板の現像処
理が行われている様子を示す図である。
理が行われている様子を示す図である。
【図６】図１の基板処理装置の基板処理工程を示すフロ
ーチャートである。
ーチャートである。
【図７】本発明の第２実施形態に係るスピンナーユニッ
トの構成を示す平面図である。
トの構成を示す平面図である。
【図８】本発明の第３実施形態に係るスピンナーユニッ
トの構成を示す平面図である。
トの構成を示す平面図である。
１ 基板処理装置 １１ スピンナーユニット ２１ 基板保持部 ２３ 現像液ノズル ２５ 洗浄ブラシ ３１ 支持アーム ５１，６１ スピンナーユニット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６９Ｆ ５７１
Claims (5)
- 【請求項１】 回転自由度を有する基板保持手段と、 前記基板保持手段によって保持された基板に対して、所
定の塗布液の塗布処理、現像処理、洗浄処理および熱処
理のうちの２種類以上の処理を実行可能な処理手段と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項２】 前記処理手段は、前記現像処理と前記洗
浄処理とを行うためのものであることを特徴とする請求
項１に記載の基板処理装置。 - 【請求項３】 前記処理手段は、 前記基板上に現像液を供給するための現像液ノズルと、 前記基板上に純水を供給するための純水ノズルと、 前記基板の表面、または前記純水ノズルから供給された
前記基板上の純水に接触させ、基板表面を洗浄するため
の洗浄ブラシと、を備えていることを特徴とする請求項
２に記載の基板処理装置。 - 【請求項４】 前記処理手段は、 前記現像液ノズルおよび前記洗浄ブラシを所定の待避位
置から前記基板上に移送するとともに、前記基板上にて
支持する支持アームをさらに備えていることを特徴とす
る請求項３に記載の基板処理装置。 - 【請求項５】 回転自由度を有する基板保持手段によっ
て保持された基板に対して、所定の塗布液の塗布処理、
現像処理、洗浄処理および熱処理のうちの２種類以上の
処理を実行することを特徴とする基板処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9153726A JPH113846A (ja) | 1997-06-11 | 1997-06-11 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9153726A JPH113846A (ja) | 1997-06-11 | 1997-06-11 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH113846A true JPH113846A (ja) | 1999-01-06 |
Family
ID=15568762
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9153726A Pending JPH113846A (ja) | 1997-06-11 | 1997-06-11 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH113846A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000208458A (ja) * | 1999-01-13 | 2000-07-28 | Ultra Clean Technology Kaihatsu Kenkyusho:Kk | 基板洗浄装置 |
| US6286525B1 (en) * | 1997-05-08 | 2001-09-11 | Dainippon Screen Mfg. Co. | Substrate cleaning apparatus and method |
| KR100485541B1 (ko) * | 2002-08-12 | 2005-04-27 | 동부아남반도체 주식회사 | 반도체 현상장비의 현상액 분사장치 |
| KR100796750B1 (ko) * | 2001-05-21 | 2008-01-22 | 삼성전자주식회사 | 습식 설비 |
| JP2013182957A (ja) * | 2012-02-29 | 2013-09-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP2013182958A (ja) * | 2012-02-29 | 2013-09-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法 |
| US10032654B2 (en) | 2012-02-29 | 2018-07-24 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate treatment apparatus |
-
1997
- 1997-06-11 JP JP9153726A patent/JPH113846A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6286525B1 (en) * | 1997-05-08 | 2001-09-11 | Dainippon Screen Mfg. Co. | Substrate cleaning apparatus and method |
| JP2000208458A (ja) * | 1999-01-13 | 2000-07-28 | Ultra Clean Technology Kaihatsu Kenkyusho:Kk | 基板洗浄装置 |
| KR100796750B1 (ko) * | 2001-05-21 | 2008-01-22 | 삼성전자주식회사 | 습식 설비 |
| KR100485541B1 (ko) * | 2002-08-12 | 2005-04-27 | 동부아남반도체 주식회사 | 반도체 현상장비의 현상액 분사장치 |
| JP2013182957A (ja) * | 2012-02-29 | 2013-09-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP2013182958A (ja) * | 2012-02-29 | 2013-09-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法 |
| US10032654B2 (en) | 2012-02-29 | 2018-07-24 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate treatment apparatus |
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