JPH1140025A - 合金型温度ヒュ−ズ - Google Patents
合金型温度ヒュ−ズInfo
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- JPH1140025A JPH1140025A JP21253097A JP21253097A JPH1140025A JP H1140025 A JPH1140025 A JP H1140025A JP 21253097 A JP21253097 A JP 21253097A JP 21253097 A JP21253097 A JP 21253097A JP H1140025 A JPH1140025 A JP H1140025A
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- JP
- Japan
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- fuse
- temperature
- alloy
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- fuse element
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H37/00—Thermally-actuated switches
- H01H37/74—Switches in which only the opening movement or only the closing movement of a contact is effected by heating or cooling
- H01H37/76—Contact member actuated by melting of fusible material, actuated due to burning of combustible material or due to explosion of explosive material
- H01H2037/768—Contact member actuated by melting of fusible material, actuated due to burning of combustible material or due to explosion of explosive material characterised by the composition of the fusible material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H37/00—Thermally-actuated switches
- H01H37/74—Switches in which only the opening movement or only the closing movement of a contact is effected by heating or cooling
- H01H37/76—Contact member actuated by melting of fusible material, actuated due to burning of combustible material or due to explosion of explosive material
- H01H37/761—Contact member actuated by melting of fusible material, actuated due to burning of combustible material or due to explosion of explosive material with a fusible element forming part of the switched circuit
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Abstract
(57)【要約】
【課題】作動温度が８６℃〜９０℃で、しかも低抵抗の
合金型温度ヒュ−ズを容易に製作できる合金型温度ヒュ
−ズを提供する。 【解決手段】低融点可溶合金をヒュ−ズエレメントとす
る温度ヒュ−ズにおいて、低融点可溶合金の合金組成
が、Ｂｉ０．３〜６重量％、Ｃｄ１０〜１８重量％、Ｓ
ｎ３５〜４８重量％、残部Ｉｎである。
合金型温度ヒュ−ズを容易に製作できる合金型温度ヒュ
−ズを提供する。 【解決手段】低融点可溶合金をヒュ−ズエレメントとす
る温度ヒュ−ズにおいて、低融点可溶合金の合金組成
が、Ｂｉ０．３〜６重量％、Ｃｄ１０〜１８重量％、Ｓ
ｎ３５〜４８重量％、残部Ｉｎである。
Description
【０００１】本発明は合金型温度ヒュ−ズに関するもの
である。
である。
【０００２】合金型温度ヒュ−ズは、一対のリ−ド線間
に低融点可溶合金片（ヒュ−ズエレメント）を接続し、
低融点可溶合金片上にフラックスを塗布し、このフラッ
クス塗布合金片を絶縁体で包囲した構成であり、保護す
べき電気機器に取り付けて使用される。
に低融点可溶合金片（ヒュ−ズエレメント）を接続し、
低融点可溶合金片上にフラックスを塗布し、このフラッ
クス塗布合金片を絶縁体で包囲した構成であり、保護す
べき電気機器に取り付けて使用される。
【０００３】この場合、電気機器が過電流により発熱す
ると、その発生熱により低融点可溶合金片が液相化さ
れ、その溶融金属が既に溶融したフラックスとの共存
下、表面張力により球状化され、球状化の進行により分
断されて機器への通電が遮断される。
ると、その発生熱により低融点可溶合金片が液相化さ
れ、その溶融金属が既に溶融したフラックスとの共存
下、表面張力により球状化され、球状化の進行により分
断されて機器への通電が遮断される。
【０００４】上記低融点可溶合金に要求される要件の一
つは、固相線と液相線との間の固液共存域が狭いことで
ある。すなわち、通常、合金においては、固相線と液相
線との間に固液共存域が存在し、この領域においては、
液相中に固相粒体が分散した状態にあり、液相様の性質
も備えているために、上記の球状化分断が発生する可能
性があり、従って、液相線温度（この温度をＴとする）
以前に固液共存域に属する温度範囲（ΔＴとする）で、
低融点可溶合金片が球状化分断される可能性がある。而
して、かかる低融点可溶合金片を用いた温度ヒュ−ズに
おいては、ヒュ−ズエレメント温度が（Ｔ−ΔＴ）〜Ｔ
となる温度範囲で動作するものとして取り扱わなければ
ならず、従って、ΔＴが小であるほど、すなわち、固液
共存域が狭いほど、温度ヒュ−ズの作動温度範囲のバラ
ツキを小として、温度ヒュ−ズを所定の設定温度で作動
させることができる。従って、温度ヒュ−ズのヒュ−ズ
エレメントとして使用される合金には、まず固液共存域
が狭いことが要求される。更に、温度ヒュ−ズのヒュ−
ズエレメントは、線状片の形態で使用されるから、線引
加工が可能であることが要求される。
つは、固相線と液相線との間の固液共存域が狭いことで
ある。すなわち、通常、合金においては、固相線と液相
線との間に固液共存域が存在し、この領域においては、
液相中に固相粒体が分散した状態にあり、液相様の性質
も備えているために、上記の球状化分断が発生する可能
性があり、従って、液相線温度（この温度をＴとする）
以前に固液共存域に属する温度範囲（ΔＴとする）で、
低融点可溶合金片が球状化分断される可能性がある。而
して、かかる低融点可溶合金片を用いた温度ヒュ−ズに
おいては、ヒュ−ズエレメント温度が（Ｔ−ΔＴ）〜Ｔ
となる温度範囲で動作するものとして取り扱わなければ
ならず、従って、ΔＴが小であるほど、すなわち、固液
共存域が狭いほど、温度ヒュ−ズの作動温度範囲のバラ
ツキを小として、温度ヒュ−ズを所定の設定温度で作動
させることができる。従って、温度ヒュ−ズのヒュ−ズ
エレメントとして使用される合金には、まず固液共存域
が狭いことが要求される。更に、温度ヒュ−ズのヒュ−
ズエレメントは、線状片の形態で使用されるから、線引
加工が可能であることが要求される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来、作動温度が１０
０℃以下の合金型温度ヒュ−ズとしは、溶融温度９５℃
のＢｉ−Ｐｂ−Ｓｎ系共晶合金をヒュ−ズエレメントと
するもの、溶融温度７２℃（固相線温度７０℃、液相線
温度７２℃）のＢｉ−Ｐｂ−Ｓｎ−Ｃｄ合金（Ｂｉ５０
重量％、Ｐｂ２５重量％、Ｓｎ１２．５重量％、Ｃｄ１
２．５重量％）をヒュ−ズエレメントとするものが汎用
されている。しかしながら、これらの温度ヒュ−ズの作
動温度の離隔巾は２０℃以上にも達し、これらの間の中
間温度を作動温度とする温度ヒュ−ズが要求される。
０℃以下の合金型温度ヒュ−ズとしは、溶融温度９５℃
のＢｉ−Ｐｂ−Ｓｎ系共晶合金をヒュ−ズエレメントと
するもの、溶融温度７２℃（固相線温度７０℃、液相線
温度７２℃）のＢｉ−Ｐｂ−Ｓｎ−Ｃｄ合金（Ｂｉ５０
重量％、Ｐｂ２５重量％、Ｓｎ１２．５重量％、Ｃｄ１
２．５重量％）をヒュ−ズエレメントとするものが汎用
されている。しかしながら、これらの温度ヒュ−ズの作
動温度の離隔巾は２０℃以上にも達し、これらの間の中
間温度を作動温度とする温度ヒュ−ズが要求される。
【０００６】従来、固液共存域が８０℃〜９０℃の間に
在り、その領域の巾が温度ヒュ−ズの作動上許容できる
範囲（４℃以内）にある低融点はんだとして、Ｂｉ−Ｉ
ｎ−Ｓｎ共晶合金（共晶点温度８２℃、共晶組成Ｓｎ４
６重量％，Ｉｎ５０重量％，Ｂｉ４重量％）が公知であ
るが、脆性が高く、ヒュ−ズエレメントとしての加工が
至難であり、温度ヒュ−ズのヒュ−ズエレメントとして
の使用は困難である。
在り、その領域の巾が温度ヒュ−ズの作動上許容できる
範囲（４℃以内）にある低融点はんだとして、Ｂｉ−Ｉ
ｎ−Ｓｎ共晶合金（共晶点温度８２℃、共晶組成Ｓｎ４
６重量％，Ｉｎ５０重量％，Ｂｉ４重量％）が公知であ
るが、脆性が高く、ヒュ−ズエレメントとしての加工が
至難であり、温度ヒュ−ズのヒュ−ズエレメントとして
の使用は困難である。
【０００７】そこで、本出願人においては、基準組成が
Ｓｎ１．０重量％，Ｉｎ５２．５重量％，残部Ｂｉの液
相線温度８７℃、固液共存域巾３℃の合金をヒュ−ズエ
レメントとする合金型温度ヒュ−ズを既に提案した（平
成５年特許願第１３９３９８号）。しかしながら、この
合金型温度ヒュ−ズでは、ヒュ−ズエレメントの電気抵
抗がやや高く、電流容量上の使用制限を受けることがあ
る。この電気抵抗の比較的に高いことの主な原因は、Ｂ
ｉ量が多く、Ｓｎ量が少ないことにあるが、上記基準組
成の系でＢｉを減少し、Ｓｎを増加したのでは、作動温
度８６℃〜９０℃の条件から逸脱してしまう。
Ｓｎ１．０重量％，Ｉｎ５２．５重量％，残部Ｂｉの液
相線温度８７℃、固液共存域巾３℃の合金をヒュ−ズエ
レメントとする合金型温度ヒュ−ズを既に提案した（平
成５年特許願第１３９３９８号）。しかしながら、この
合金型温度ヒュ−ズでは、ヒュ−ズエレメントの電気抵
抗がやや高く、電流容量上の使用制限を受けることがあ
る。この電気抵抗の比較的に高いことの主な原因は、Ｂ
ｉ量が多く、Ｓｎ量が少ないことにあるが、上記基準組
成の系でＢｉを減少し、Ｓｎを増加したのでは、作動温
度８６℃〜９０℃の条件から逸脱してしまう。
【０００８】本発明の目的は、作動温度が８６℃〜９０
℃で、しかも低抵抗の合金型温度ヒュ−ズを容易に製作
できる合金型温度ヒュ−ズを提供することにある。
℃で、しかも低抵抗の合金型温度ヒュ−ズを容易に製作
できる合金型温度ヒュ−ズを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の合金型温度ヒュ
−ズは、低融点可溶合金をヒュ−ズエレメントとする温
度ヒュ−ズにおいて、低融点可溶合金の合金組成が、Ｂ
ｉ０．３〜６重量％、Ｃｄ１０〜１８重量％、Ｓｎ３５
〜４８重量％、残部Ｉｎであることを特徴とする構成で
ある。
−ズは、低融点可溶合金をヒュ−ズエレメントとする温
度ヒュ−ズにおいて、低融点可溶合金の合金組成が、Ｂ
ｉ０．３〜６重量％、Ｃｄ１０〜１８重量％、Ｓｎ３５
〜４８重量％、残部Ｉｎであることを特徴とする構成で
ある。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の合金型温度ヒュ−ズの形
式には、ケ−ス型、基板型、或いは、樹脂ディッピング
型の何れをも使用できる。ケ−ス型としては、互いに一
直線で対向するリ−ド線間に線状片のヒュ−ズエレメン
トを溶接し、ヒュ−ズエレメント上にフラックスを塗布
し、このフラックス塗布ヒュ−ズエレメント上にセラミ
ックス筒を挿通し、該筒の各端と各リ−ド線との間を接
着剤、例えばエポキシ樹脂で封止したアクシャルタイ
プ、または、平行リ−ド線間の先端に線状片のヒュ−ズ
エレメントを溶接し、ヒュ−ズエレメント上にフラック
スを塗布し、このフラックス塗布ヒュ−ズエレメント上
に扁平をセラミックキャップを被せ、このキャップの開
口とリ−ド線との間をエポキシ樹脂で封止したラジアル
タイプを使用できる。
式には、ケ−ス型、基板型、或いは、樹脂ディッピング
型の何れをも使用できる。ケ−ス型としては、互いに一
直線で対向するリ−ド線間に線状片のヒュ−ズエレメン
トを溶接し、ヒュ−ズエレメント上にフラックスを塗布
し、このフラックス塗布ヒュ−ズエレメント上にセラミ
ックス筒を挿通し、該筒の各端と各リ−ド線との間を接
着剤、例えばエポキシ樹脂で封止したアクシャルタイ
プ、または、平行リ−ド線間の先端に線状片のヒュ−ズ
エレメントを溶接し、ヒュ−ズエレメント上にフラック
スを塗布し、このフラックス塗布ヒュ−ズエレメント上
に扁平をセラミックキャップを被せ、このキャップの開
口とリ−ド線との間をエポキシ樹脂で封止したラジアル
タイプを使用できる。
【００１１】上記の樹脂ディッピング型としては、セラ
ミックキャップの包囲に代え、フラックス塗布ヒュ−ズ
エレメント上にエポキシ樹脂液への浸漬によるエポキシ
樹脂被覆層を設けたラジアルタイプを使用できる。
ミックキャップの包囲に代え、フラックス塗布ヒュ−ズ
エレメント上にエポキシ樹脂液への浸漬によるエポキシ
樹脂被覆層を設けたラジアルタイプを使用できる。
【００１２】上記の基板型としては、片面に一対の層状
電極を設けた絶縁基板のその電極間先端に線状片のヒュ
−ズエレメントを溶接し、ヒュ−ズエレメント上にフラ
ックスを塗布し、各電極の後端にリ−ド線を接続し、絶
縁基板片面上にエポキシ樹脂被覆層を設けたものを使用
でき、アクシャルまたはラジアルの何れの方式にもでき
る。
電極を設けた絶縁基板のその電極間先端に線状片のヒュ
−ズエレメントを溶接し、ヒュ−ズエレメント上にフラ
ックスを塗布し、各電極の後端にリ−ド線を接続し、絶
縁基板片面上にエポキシ樹脂被覆層を設けたものを使用
でき、アクシャルまたはラジアルの何れの方式にもでき
る。
【００１３】上記ヒュ−ズエレメントには、Ｂｉ０．３
〜６重量％、Ｃｄ１０〜１８重量％、Ｓｎ３５〜４８重
量％、残部Ｉｎ、好ましくは、Ｂｉ０．５〜４重量％、
Ｃｄ１２〜１４重量％、Ｓｎ３９〜４２重量％、残部Ｉ
ｎの合金母材を線引きしたものを使用し、断面丸形のま
ま、または、さらに扁平に圧縮加工して使用できる。
〜６重量％、Ｃｄ１０〜１８重量％、Ｓｎ３５〜４８重
量％、残部Ｉｎ、好ましくは、Ｂｉ０．５〜４重量％、
Ｃｄ１２〜１４重量％、Ｓｎ３９〜４２重量％、残部Ｉ
ｎの合金母材を線引きしたものを使用し、断面丸形のま
ま、または、さらに扁平に圧縮加工して使用できる。
【００１４】上記の合金組成の基準組成はＢｉ：２．９
重量％，Ｃｄ：１３．６重量％，Ｓｎ：４０．８重量
％，Ｉｎ：４２．７重量％であり、液相線温度は８７
℃、固液共存域巾は４℃である。
重量％，Ｃｄ：１３．６重量％，Ｓｎ：４０．８重量
％，Ｉｎ：４２．７重量％であり、液相線温度は８７
℃、固液共存域巾は４℃である。
【００１５】合金型温度ヒュ−ズにおいては、温度ヒュ
−ズ表面とヒュ−ズエレメントとの間の熱抵抗のため
に、ヒュ−ズエレメント温度に較べ温度ヒュ−ズ表面温
度がほぼ１℃高くなり、上記標準組成をヒュ−ズエレメ
ントとする温度ヒュ−ズの作動温度は９０℃〜８６℃と
なる。
−ズ表面とヒュ−ズエレメントとの間の熱抵抗のため
に、ヒュ−ズエレメント温度に較べ温度ヒュ−ズ表面温
度がほぼ１℃高くなり、上記標準組成をヒュ−ズエレメ
ントとする温度ヒュ−ズの作動温度は９０℃〜８６℃と
なる。
【００１６】上記組成の合金においては、Ｓｎ及びＩｎ
により線引きに必要な延性が与えられ、Ｂｉ及びＣｄに
より融点が９０℃近くにされ、８９℃〜８５℃の融点
（固相線と液相線との間の温度）に設定される。上記Ｃ
ｄとその配合量は、Ｂｉを０．３〜６重量％という少量
とし、Ｓｎを３５〜４８重量％という比較的多量のもと
で、温度ヒュ−ズの動作温度の巾を±２℃（８８℃を中
心として）以内に納めることを可能にしており、Ｓｎに
対しＢｉを充分に少量とすることにより、ヒュ−ズエレ
メントの充分な低電気抵抗化を達成できる。
により線引きに必要な延性が与えられ、Ｂｉ及びＣｄに
より融点が９０℃近くにされ、８９℃〜８５℃の融点
（固相線と液相線との間の温度）に設定される。上記Ｃ
ｄとその配合量は、Ｂｉを０．３〜６重量％という少量
とし、Ｓｎを３５〜４８重量％という比較的多量のもと
で、温度ヒュ−ズの動作温度の巾を±２℃（８８℃を中
心として）以内に納めることを可能にしており、Ｓｎに
対しＢｉを充分に少量とすることにより、ヒュ−ズエレ
メントの充分な低電気抵抗化を達成できる。
【００１７】なお、上記のフラックスには、通常、融点
がヒュ−ズエレメントの融点よりも低いものが使用さ
れ、例えば、ロジン９０〜６０重量部、ステアリン酸１
０〜４０重量部、活性剤０〜３重量部を使用できる。こ
の場合、ロジンには、天然ロジン、変性ロジン（例え
ば、水添ロジン、不均化ロジン、重合ロジン）またはこ
れらの精製ロジンを使用でき、活性剤には、ジエチルア
ミンの塩酸塩や臭酸塩等を使用できる。
がヒュ−ズエレメントの融点よりも低いものが使用さ
れ、例えば、ロジン９０〜６０重量部、ステアリン酸１
０〜４０重量部、活性剤０〜３重量部を使用できる。こ
の場合、ロジンには、天然ロジン、変性ロジン（例え
ば、水添ロジン、不均化ロジン、重合ロジン）またはこ
れらの精製ロジンを使用でき、活性剤には、ジエチルア
ミンの塩酸塩や臭酸塩等を使用できる。
【００１８】本発明によれば、動作温度が８６℃〜９０
℃で、かつ低抵抗の合金型温度ヒュ−ズを良好な歩留ま
りで製造することができる。このことは次の実施例から
も明らかである。
℃で、かつ低抵抗の合金型温度ヒュ−ズを良好な歩留ま
りで製造することができる。このことは次の実施例から
も明らかである。
〔実施例１〕Ｂｉ：２．９重量％，Ｃｄ：１３．６重量
％，Ｓｎ：４０．８重量％，Ｉｎ：４２．７重量％の合
金組成の母材を線引きして直径０．６ｍｍの線に加工し
た。１ダイスについての引落率を６．５％とし、線引き
速度を４５ｍ／ｍｉｎとしたが、断線は皆無であった。
この線の抵抗値を測定したところ、０．６Ω／ｍであっ
た。この線を長さ６ｍｍに切断してヒュ−ズエレメント
とし、筒型温度ヒュ−ズを作成した。リ−ド線には外径
０．６ｍｍの錫メッキ銅線を、筒体には内径１．５ｍｍ
のセラミックス筒を、フラックスにはロジン８０重量部
とステアリン酸２０重量部の組成を、接着剤には常温硬
化のエポキシ樹脂を使用した。
％，Ｓｎ：４０．８重量％，Ｉｎ：４２．７重量％の合
金組成の母材を線引きして直径０．６ｍｍの線に加工し
た。１ダイスについての引落率を６．５％とし、線引き
速度を４５ｍ／ｍｉｎとしたが、断線は皆無であった。
この線の抵抗値を測定したところ、０．６Ω／ｍであっ
た。この線を長さ６ｍｍに切断してヒュ−ズエレメント
とし、筒型温度ヒュ−ズを作成した。リ−ド線には外径
０．６ｍｍの錫メッキ銅線を、筒体には内径１．５ｍｍ
のセラミックス筒を、フラックスにはロジン８０重量部
とステアリン酸２０重量部の組成を、接着剤には常温硬
化のエポキシ樹脂を使用した。
【００１９】この実施例品５０箇を、０．１アンペアの
電流を通電しつつ、昇温速度１℃／１分のオイルバスに
浸漬し、溶断による通電遮断時のオイル温度を測定した
ところ、８８±１℃の範囲内であった。また、上記した
合金組成の範囲内であれば、動作温度を８８℃を中心と
して±２℃の範囲内に納め得ることを確認した。
電流を通電しつつ、昇温速度１℃／１分のオイルバスに
浸漬し、溶断による通電遮断時のオイル温度を測定した
ところ、８８±１℃の範囲内であった。また、上記した
合金組成の範囲内であれば、動作温度を８８℃を中心と
して±２℃の範囲内に納め得ることを確認した。
【００２０】〔比較例１〕Ｓｎ１．０重量％、Ｉｎ５
２．５重量％、Ｂｉ４６．５重量％の合金組成の母材を
使用した以外、実施例と同様にして、線引きした直径
０．６ｍｍの線をヒュ−ズエレメントとして筒型温度ヒ
ュ−ズを作成した。温度特性は実施例１とほぼ同じであ
ったが、ヒュ−ズエレメントの抵抗値は、１．９Ω／ｍ
で、比較例の３倍以上であった。
２．５重量％、Ｂｉ４６．５重量％の合金組成の母材を
使用した以外、実施例と同様にして、線引きした直径
０．６ｍｍの線をヒュ−ズエレメントとして筒型温度ヒ
ュ−ズを作成した。温度特性は実施例１とほぼ同じであ
ったが、ヒュ−ズエレメントの抵抗値は、１．９Ω／ｍ
で、比較例の３倍以上であった。
【００２１】〔比較例２〕低融点可溶合金に、Ｓｎ４６
重量％，Ｉｎ５０重量％，Ｂｉ４重量％、共晶点温度８
２℃の合金を用いた。線引きによる細線化か困難なた
め、回転ドラム式防糸法により細線化し、この細線をヒ
ュ−ズエレメントとして実施例と同様にして筒型温度ヒ
ュ−ズを作成して作動温度を測定したところ、ヒュ−ズ
エレメントが共晶点温度８２℃に達しても溶断しないも
のが多数存在した。これは、回転ドラム式防糸法のため
にヒュ−ズエレメント表面に厚い酸化皮膜が形成され、
この酸化皮膜が鞘となってヒュ−ズエレメントが溶断さ
れ困難くなるためであると推定される。
重量％，Ｉｎ５０重量％，Ｂｉ４重量％、共晶点温度８
２℃の合金を用いた。線引きによる細線化か困難なた
め、回転ドラム式防糸法により細線化し、この細線をヒ
ュ−ズエレメントとして実施例と同様にして筒型温度ヒ
ュ−ズを作成して作動温度を測定したところ、ヒュ−ズ
エレメントが共晶点温度８２℃に達しても溶断しないも
のが多数存在した。これは、回転ドラム式防糸法のため
にヒュ−ズエレメント表面に厚い酸化皮膜が形成され、
この酸化皮膜が鞘となってヒュ−ズエレメントが溶断さ
れ困難くなるためであると推定される。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、低融点可溶合金母材の
能率のよい線引きでヒュ−ズエレメントを製造し、この
ヒュ−ズエレメントを用いて動作温度が８６℃〜９０℃
で、かつ低抵抗で電流容量を充分に大きくできる合金型
温度ヒュ−ズを提供できる。
能率のよい線引きでヒュ−ズエレメントを製造し、この
ヒュ−ズエレメントを用いて動作温度が８６℃〜９０℃
で、かつ低抵抗で電流容量を充分に大きくできる合金型
温度ヒュ−ズを提供できる。
Claims (1)
- 【請求項１】低融点可溶合金をヒュ−ズエレメントとす
る温度ヒュ−ズにおいて、低融点可溶合金の合金組成
が、Ｂｉ０．３〜６重量％、Ｃｄ１０〜１８重量％、Ｓ
ｎ３５〜４８重量％、残部Ｉｎであることを特徴とする
合金型温度ヒュ−ズ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21253097A JPH1140025A (ja) | 1997-07-23 | 1997-07-23 | 合金型温度ヒュ−ズ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21253097A JPH1140025A (ja) | 1997-07-23 | 1997-07-23 | 合金型温度ヒュ−ズ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1140025A true JPH1140025A (ja) | 1999-02-12 |
Family
ID=16624208
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21253097A Pending JPH1140025A (ja) | 1997-07-23 | 1997-07-23 | 合金型温度ヒュ−ズ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1140025A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1424713A1 (en) * | 2002-11-26 | 2004-06-02 | Uchihashi Estec Co., Ltd. | Alloy type thermal fuse and material for a thermal fuse element |
| CN111979434A (zh) * | 2020-08-07 | 2020-11-24 | 广东先导稀材股份有限公司 | 一种低熔点合金的制备方法 |
-
1997
- 1997-07-23 JP JP21253097A patent/JPH1140025A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1424713A1 (en) * | 2002-11-26 | 2004-06-02 | Uchihashi Estec Co., Ltd. | Alloy type thermal fuse and material for a thermal fuse element |
| CN100349241C (zh) * | 2002-11-26 | 2007-11-14 | 内桥艾斯泰克股份有限公司 | 合金型温度熔断器及温度熔断器元件用材料 |
| CN111979434A (zh) * | 2020-08-07 | 2020-11-24 | 广东先导稀材股份有限公司 | 一种低熔点合金的制备方法 |
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