JPH1140347A - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス素子Info
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- JPH1140347A JPH1140347A JP9197334A JP19733497A JPH1140347A JP H1140347 A JPH1140347 A JP H1140347A JP 9197334 A JP9197334 A JP 9197334A JP 19733497 A JP19733497 A JP 19733497A JP H1140347 A JPH1140347 A JP H1140347A
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- JP
- Japan
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- sealing
- substrate
- organic
- cathode
- anode
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8428—Vertical spacers, e.g. arranged between the sealing arrangement and the OLED
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄型の利点を活かし、信頼性、コスト面でも
有利な有機EL素子を提供する。 【解決手段】 ガラス基板からなる矩形状の素子基板1
上に、透明電極による陽極2を積層形成する。陽極2上
に、有機層4として、正孔輸送層5、発光層6、電子輸
送層7を順に積層形成する。有機層4における電子輸送
層7上に、陰極8を積層形成する。陰極8上に所定間隔
Lをおいてガラス基板からなる矩形状の封止基板10を
配置し、内部にドライエア又はドライ窒素を封入して素
子基板1と封止基板10との間の外周部分を封止剤14
により封止して外囲器12を組み立てる。封止剤14に
混入された絶縁性微粒子13により、基板1,10間の
間隔を規制し、陰極8と封止基板10との間の間隔Lを
維持する。
有利な有機EL素子を提供する。 【解決手段】 ガラス基板からなる矩形状の素子基板1
上に、透明電極による陽極2を積層形成する。陽極2上
に、有機層4として、正孔輸送層5、発光層6、電子輸
送層7を順に積層形成する。有機層4における電子輸送
層7上に、陰極8を積層形成する。陰極8上に所定間隔
Lをおいてガラス基板からなる矩形状の封止基板10を
配置し、内部にドライエア又はドライ窒素を封入して素
子基板1と封止基板10との間の外周部分を封止剤14
により封止して外囲器12を組み立てる。封止剤14に
混入された絶縁性微粒子13により、基板1,10間の
間隔を規制し、陰極8と封止基板10との間の間隔Lを
維持する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも一方が
透明である一対の電極間に、有機化合物からなる正孔輸
送層や発光層等が積層された有機エレクトロルミネッセ
ンス素子(以下、有機EL素子と略称する)に関する。
透明である一対の電極間に、有機化合物からなる正孔輸
送層や発光層等が積層された有機エレクトロルミネッセ
ンス素子(以下、有機EL素子と略称する)に関する。
【0002】
【従来の技術】有機EL素子は、蛍光性有機化合物を含
む薄膜を陰極と陽極の間に挟んだ構造を有し、前記薄膜
に電子および正孔を注入して再結合させることにより励
起子(エキシトン)を生成させ、この励起子が失活する
際の光の放出(蛍光・燐光)を利用して表示を行う表示
素子である。
む薄膜を陰極と陽極の間に挟んだ構造を有し、前記薄膜
に電子および正孔を注入して再結合させることにより励
起子(エキシトン)を生成させ、この励起子が失活する
際の光の放出(蛍光・燐光)を利用して表示を行う表示
素子である。
【0003】一般的な有機EL素子の構成としては、図
2に示すように、例えばMg:Ag、Al:Li等の金
属電極による陰極21と、ITO(Indium Tin Oxide)
からなる透明電極による陽極22との間に、有機蛍光体
薄膜による発光層23と有機正孔輸送層24の2層が積
層されて素子25を構成しており、陽極22の外側には
ガラス基板26が配設されている。
2に示すように、例えばMg:Ag、Al:Li等の金
属電極による陰極21と、ITO(Indium Tin Oxide)
からなる透明電極による陽極22との間に、有機蛍光体
薄膜による発光層23と有機正孔輸送層24の2層が積
層されて素子25を構成しており、陽極22の外側には
ガラス基板26が配設されている。
【0004】この有機EL素子では、有機蛍光体薄膜に
よる発光層23に対し、各電極(陰極21、陽極22)
から電子と正孔を注入する。そして、上述したように、
電子と正孔を再結合させることにより励起子を生成させ
る。この励起子が失活する際の光の放出により所望の表
示がなされる。このときの発光はガラス基板26側から
観測される。
よる発光層23に対し、各電極(陰極21、陽極22)
から電子と正孔を注入する。そして、上述したように、
電子と正孔を再結合させることにより励起子を生成させ
る。この励起子が失活する際の光の放出により所望の表
示がなされる。このときの発光はガラス基板26側から
観測される。
【0005】ところで、有機EL素子の最大の課題は寿
命であるが、水分を嫌う素子25を封止することで大幅
に改善できる。
命であるが、水分を嫌う素子25を封止することで大幅
に改善できる。
【0006】そこで、従来は、素子25を封止するた
め、図3(a)に示すケーシングタイプの封止構造や図
3(b)に示す密着タイプの封止構造を採用していた。
め、図3(a)に示すケーシングタイプの封止構造や図
3(b)に示す密着タイプの封止構造を採用していた。
【0007】図3(a)に示すケーシングタイプの封止
構造は、ガラス基板26上に積層形成された素子25を
ガラス等のケース27で覆い、その際に所望の封止用流
体を充填し、接着剤で固定して封止する構成となってい
る。
構造は、ガラス基板26上に積層形成された素子25を
ガラス等のケース27で覆い、その際に所望の封止用流
体を充填し、接着剤で固定して封止する構成となってい
る。
【0008】図3(b)に示す密着タイプの封止構造
は、ガラス基板26上に積層形成された素子25を、例
えばSiO2 ,MgO,GeO等を主成分とする保護膜
や硬化性樹脂等の接着剤28によってモールドする構成
となっている。その他、ガラス基板26上に積層形成さ
れた素子25上にガラス板等の保護板を接着剤で面接着
して封止する構成もある。
は、ガラス基板26上に積層形成された素子25を、例
えばSiO2 ,MgO,GeO等を主成分とする保護膜
や硬化性樹脂等の接着剤28によってモールドする構成
となっている。その他、ガラス基板26上に積層形成さ
れた素子25上にガラス板等の保護板を接着剤で面接着
して封止する構成もある。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】図3(a)に示すよう
なケーシングタイプの封止構造では、ケース27を必要
とし、このケース27の高さをだすため、一体成型で作
製する方法、或いはスペーサーを介在させて接着剤で固
定して作製する方法が一般的である。
なケーシングタイプの封止構造では、ケース27を必要
とし、このケース27の高さをだすため、一体成型で作
製する方法、或いはスペーサーを介在させて接着剤で固
定して作製する方法が一般的である。
【0010】しかしながら、ガラス基板26上に積層形
成される素子25の全体の厚さは、その積層構造にもよ
るが、例えば0.3〜0.5μmと極めて薄いため、ケ
ース27の高さに相当する立ち上げ部分を素子25の厚
さに合わせて製作することができない。その結果、自然
とケース27の高さ寸法も大きくなってしまう。例えば
一体成型で形成した場合には、ケース27の立ち上げ部
分に2mm以上必要であった。
成される素子25の全体の厚さは、その積層構造にもよ
るが、例えば0.3〜0.5μmと極めて薄いため、ケ
ース27の高さに相当する立ち上げ部分を素子25の厚
さに合わせて製作することができない。その結果、自然
とケース27の高さ寸法も大きくなってしまう。例えば
一体成型で形成した場合には、ケース27の立ち上げ部
分に2mm以上必要であった。
【0011】したがって、図3(a)に示すケース27
を用いた構成では、素子25の厚さに比べてケース27
の高さが大きくなり、有機EL素子の薄型という利点を
損ねるという問題があった。しかも、ケース27を別途
作製しなければならないので、コストの面でも不利であ
った。
を用いた構成では、素子25の厚さに比べてケース27
の高さが大きくなり、有機EL素子の薄型という利点を
損ねるという問題があった。しかも、ケース27を別途
作製しなければならないので、コストの面でも不利であ
った。
【0012】これに対し、図3(b)に示すような密着
タイプの封止構造では、ケース27による寸法上の問題
は解消されるが、使用される接着剤28の樹脂が硬化す
る際に収縮し、この収縮が素子25に直接伝わるので、
剥離、亀裂等の破壊の原因となっていた。また、素子2
5が樹脂による接着剤28のみで覆われる構造なので、
強度が弱いという問題がある。この問題を解消するた
め、保護板としてガラス板を使用すれば、有機EL素子
としての薄型の利点が損なわれるという問題を招く。さ
らに、素子25の点灯中に発熱による応力が接着剤28
に発生するので、各層の剥離、亀裂により、信頼性の低
下を招くという問題があった。
タイプの封止構造では、ケース27による寸法上の問題
は解消されるが、使用される接着剤28の樹脂が硬化す
る際に収縮し、この収縮が素子25に直接伝わるので、
剥離、亀裂等の破壊の原因となっていた。また、素子2
5が樹脂による接着剤28のみで覆われる構造なので、
強度が弱いという問題がある。この問題を解消するた
め、保護板としてガラス板を使用すれば、有機EL素子
としての薄型の利点が損なわれるという問題を招く。さ
らに、素子25の点灯中に発熱による応力が接着剤28
に発生するので、各層の剥離、亀裂により、信頼性の低
下を招くという問題があった。
【0013】このように、従来の有機EL素子では、寿
命を延ばすことに重点をおき、他のデバイスと比較した
ときの有機EL素子の利点や寿命以外の信頼性、コスト
面への配慮があまりなされていなかった。
命を延ばすことに重点をおき、他のデバイスと比較した
ときの有機EL素子の利点や寿命以外の信頼性、コスト
面への配慮があまりなされていなかった。
【0014】そこで、本発明は、上記問題点に鑑み、従
来のように積層した素子に樹脂等の接着剤を触れさせる
ことなく、また薄型という有機EL素子の利点を活かす
ため、従来のケーシングタイプを改良したものであり、
寿命の面で従来の封止構造に劣ることなく、さらに薄型
の利点を活かし、信頼性、コスト面でも有利な有機EL
素子を提供することを目的としている。
来のように積層した素子に樹脂等の接着剤を触れさせる
ことなく、また薄型という有機EL素子の利点を活かす
ため、従来のケーシングタイプを改良したものであり、
寿命の面で従来の封止構造に劣ることなく、さらに薄型
の利点を活かし、信頼性、コスト面でも有利な有機EL
素子を提供することを目的としている。
【0015】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1の発明は、絶縁性および透光性を有する素
子基板と、前記素子基板上に積層形成された透明電極か
らなる陽極と、前記陽極上に積層形成された発光層を含
む有機層と、前記有機層上に積層形成された陰極と、前
記陰極上に所定間隔をおいて配置される絶縁性を有する
封止基板と、封止剤に混入された絶縁性を有するスペー
サ部材とを備え、前記スペーサ部材により前記陰極と前
記封止基板との間の間隔を維持し、所定のガスを封入し
て前記素子基板と前記封止基板との間の外周部分を前記
封止剤により封止することを特徴としている。
め、請求項1の発明は、絶縁性および透光性を有する素
子基板と、前記素子基板上に積層形成された透明電極か
らなる陽極と、前記陽極上に積層形成された発光層を含
む有機層と、前記有機層上に積層形成された陰極と、前
記陰極上に所定間隔をおいて配置される絶縁性を有する
封止基板と、封止剤に混入された絶縁性を有するスペー
サ部材とを備え、前記スペーサ部材により前記陰極と前
記封止基板との間の間隔を維持し、所定のガスを封入し
て前記素子基板と前記封止基板との間の外周部分を前記
封止剤により封止することを特徴としている。
【0016】請求項2の発明は、請求項1の有機EL素
子において、前記スペーサ部材が球状部材からなること
を特徴としている。
子において、前記スペーサ部材が球状部材からなること
を特徴としている。
【0017】請求項3の発明は、請求項2の有機EL素
子において、前記球状部材は、前記陽極、前記有機層、
前記陰極の厚さの合計値より大きい粒径の絶縁性微粒子
からなることを特徴としている。
子において、前記球状部材は、前記陽極、前記有機層、
前記陰極の厚さの合計値より大きい粒径の絶縁性微粒子
からなることを特徴としている。
【0018】請求項4の発明は、請求項2の有機EL素
子において、前記球状部材は、粒径が0.3〜2μmの
絶縁性微粒子からなることを特徴としている。
子において、前記球状部材は、粒径が0.3〜2μmの
絶縁性微粒子からなることを特徴としている。
【0019】請求項5の発明は、請求項1の有機EL素
子において、前記スペーサ部材が円柱状部材からなるこ
とを特徴としている。
子において、前記スペーサ部材が円柱状部材からなるこ
とを特徴としている。
【0020】請求項6の発明は、請求項1の有機EL素
子において、前記封入ガスは、ドライエア又はドライ窒
素からなることを特徴としている。
子において、前記封入ガスは、ドライエア又はドライ窒
素からなることを特徴としている。
【0021】
【発明の実施の形態】図1は本発明による有機EL素子
の一実施の形態を示す図である。
の一実施の形態を示す図である。
【0022】この実施の形態による有機EL素子は、矩
形状の素子基板1を基部としている。素子基板1は、絶
縁性および透光性を有するガラス基板で構成される。素
子基板1の表面には、所定パターン形状の陽極2が形成
されている。
形状の素子基板1を基部としている。素子基板1は、絶
縁性および透光性を有するガラス基板で構成される。素
子基板1の表面には、所定パターン形状の陽極2が形成
されている。
【0023】陽極2は、例えばITO(Indium Tin Oxi
de)等の仕事関数の大きい導電性材料による透明電極で
形成される。陽極2の一部は、素子基板1の表面の端部
まで引き出されて電源3の+端子に接続されている。
de)等の仕事関数の大きい導電性材料による透明電極で
形成される。陽極2の一部は、素子基板1の表面の端部
まで引き出されて電源3の+端子に接続されている。
【0024】陽極2の表面には、表示部としての有機層
4が積層形成されている。図1の例では、正孔輸送層
5、発光層6、電子輸送層7が順次積層された3層構造
の有機層4で構成される。
4が積層形成されている。図1の例では、正孔輸送層
5、発光層6、電子輸送層7が順次積層された3層構造
の有機層4で構成される。
【0025】正孔輸送層5は、例えばTPDからなり、
陽極2の表面に積層形成されている。発光層6は、正孔
輸送層5全体を覆うように、正孔輸送層5の表面に積層
形成されている。
陽極2の表面に積層形成されている。発光層6は、正孔
輸送層5全体を覆うように、正孔輸送層5の表面に積層
形成されている。
【0026】発光層6の発光材料としては、発光層6そ
のものを発光させる場合には、例えばアルミキノリン
(Alq)やジスチルアリーレン系化合物等が使用され
る。又、発光層6に別の発光材料(ドーパント)を微量
ドーピングすることでドーパントを発光させる場合に
は、ドーパントとしてキナクリドン(Qd)やレーザ用
の色素等が使用される。
のものを発光させる場合には、例えばアルミキノリン
(Alq)やジスチルアリーレン系化合物等が使用され
る。又、発光層6に別の発光材料(ドーパント)を微量
ドーピングすることでドーパントを発光させる場合に
は、ドーパントとしてキナクリドン(Qd)やレーザ用
の色素等が使用される。
【0027】電子輸送層7は、発光層6の全体を覆うよ
うに、発光層6の表面に積層形成されている。電子輸送
層7は、例えばAlq3 で形成される。
うに、発光層6の表面に積層形成されている。電子輸送
層7は、例えばAlq3 で形成される。
【0028】電子輸送層7の表面には、陰極8が積層形
成されている。陰極8は、例えばAl、Li、Mg、A
g、In等の単体金属やMg:Ag、Al:Li等の合
金で形成される。陰極8は、その一部が素子基板1の表
面の端部まで引き出されて電源3の−端子に接続されて
いる。
成されている。陰極8は、例えばAl、Li、Mg、A
g、In等の単体金属やMg:Ag、Al:Li等の合
金で形成される。陰極8は、その一部が素子基板1の表
面の端部まで引き出されて電源3の−端子に接続されて
いる。
【0029】なお、有機層4としては、図1に示す3層
構造に限られるものではない。例えば、発光層6をAl
q3 で形成すれば、電子輸送層7を無くすことができ、
有機層4は正孔輸送層と発光層の2層構造で構成され
る。また、電子輸送層7に代え、例えばLi,Na,M
g,Ca等の仕事関数の小さい金属材料単体、Al:L
i,Mg:In,Mg:Ag等の仕事関数の小さい合金
からなる電子注入層を設けてもよい。
構造に限られるものではない。例えば、発光層6をAl
q3 で形成すれば、電子輸送層7を無くすことができ、
有機層4は正孔輸送層と発光層の2層構造で構成され
る。また、電子輸送層7に代え、例えばLi,Na,M
g,Ca等の仕事関数の小さい金属材料単体、Al:L
i,Mg:In,Mg:Ag等の仕事関数の小さい合金
からなる電子注入層を設けてもよい。
【0030】このように、上述した陽極2、有機層4、
陰極8の積層構造により素子基板1上に素子9が形成さ
れる。素子9は、その積層構造にもよるが、全体の厚さ
d1が例えば0.3〜0.5μmで形成される。
陰極8の積層構造により素子基板1上に素子9が形成さ
れる。素子9は、その積層構造にもよるが、全体の厚さ
d1が例えば0.3〜0.5μmで形成される。
【0031】陰極8の上方には、陰極8の表面から所定
間隔Lをおいて素子基板1と平行に矩形状の封止基板1
0が配置されている。封止基板10は、例えば絶縁性を
有するガラス基板等で構成される。封止基板10と素子
基板1とは、外周縁部分がスペーサ部材11を介して封
着されている。これにより、素子9を収容した外囲器1
2を構成している。外囲器12内には、例えばドライエ
アやドライ窒素等のガスが封入されている。
間隔Lをおいて素子基板1と平行に矩形状の封止基板1
0が配置されている。封止基板10は、例えば絶縁性を
有するガラス基板等で構成される。封止基板10と素子
基板1とは、外周縁部分がスペーサ部材11を介して封
着されている。これにより、素子9を収容した外囲器1
2を構成している。外囲器12内には、例えばドライエ
アやドライ窒素等のガスが封入されている。
【0032】スペーサ部材11は、例えばガラス製マイ
クロビーズ等の絶縁性微粒子13で構成される。絶縁性
微粒子13は、素子9の厚み(陽極2、有機層4、陰極
8の厚さの合計値)d1より大きい粒径d2を有してい
る。絶縁性微粒子13の粒径をd2とすると、0.3μ
m<d2<2μmが好ましい。絶縁性微粒子13は、例
えば紫外線硬化樹脂等からなる封止用接着剤14に予め
混入されており、外囲器12を組み立てる際に素子基板
1又は封止基板10の一方の外周縁部分に塗布される。
クロビーズ等の絶縁性微粒子13で構成される。絶縁性
微粒子13は、素子9の厚み(陽極2、有機層4、陰極
8の厚さの合計値)d1より大きい粒径d2を有してい
る。絶縁性微粒子13の粒径をd2とすると、0.3μ
m<d2<2μmが好ましい。絶縁性微粒子13は、例
えば紫外線硬化樹脂等からなる封止用接着剤14に予め
混入されており、外囲器12を組み立てる際に素子基板
1又は封止基板10の一方の外周縁部分に塗布される。
【0033】上記構成の有機EL素子では、有機層4に
おける発光層6に対し、陽極2より正孔輸送層5を介し
て正孔が注入され、陰極8より電子輸送層7を介して電
子が注入される。そして、正孔と電子を再結合させるこ
とにより励起子を生成させる。この励起子が失活する際
の光の放出により所望の表示がなされる。このときの発
光は素子基板1側から観測される。
おける発光層6に対し、陽極2より正孔輸送層5を介し
て正孔が注入され、陰極8より電子輸送層7を介して電
子が注入される。そして、正孔と電子を再結合させるこ
とにより励起子を生成させる。この励起子が失活する際
の光の放出により所望の表示がなされる。このときの発
光は素子基板1側から観測される。
【0034】次に、上記のように構成される有機EL素
子の製造方法について説明する。まず、蒸着装置におい
て、ITOによる陽極2を所望のパタンに形成した素子
基板1上に、真空蒸着により正孔輸送層5、発光層6、
電子輸送層7、陰極8の順に形成して素子9を作製す
る。
子の製造方法について説明する。まず、蒸着装置におい
て、ITOによる陽極2を所望のパタンに形成した素子
基板1上に、真空蒸着により正孔輸送層5、発光層6、
電子輸送層7、陰極8の順に形成して素子9を作製す
る。
【0035】また、素子基板1上の素子9の厚みd1よ
りも大きい粒径d2を有する絶縁性微粒子13を予め封
止用接着剤14に混入させておき、この絶縁性微粒子1
3の混入された封止用接着剤14を露点−70℃以下の
ドライエアに置換した封止装置(例えばグローブボック
ス)中でディスペンサーにより、封止基板10の外周縁
部分に塗布する。
りも大きい粒径d2を有する絶縁性微粒子13を予め封
止用接着剤14に混入させておき、この絶縁性微粒子1
3の混入された封止用接着剤14を露点−70℃以下の
ドライエアに置換した封止装置(例えばグローブボック
ス)中でディスペンサーにより、封止基板10の外周縁
部分に塗布する。
【0036】素子9が積層された素子基板1を大気に触
れさせることなく封止装置内に移す。そして、封止装置
内で素子基板1と封止基板10を張り合わせ、内部にド
ライエアが封入された外囲器12を組み立てる。これに
より、素子基板1と封止基板10との間は、封止基板1
0の外周縁部分に塗布された封止用接着剤14によって
仮接着される。その後、ドライエアが封入された外囲器
12を封止装置内から取り出し、紫外線硬化装置で絶縁
性微粒子13の混入された封止用接着剤14を硬化させ
て固着し、封止する。
れさせることなく封止装置内に移す。そして、封止装置
内で素子基板1と封止基板10を張り合わせ、内部にド
ライエアが封入された外囲器12を組み立てる。これに
より、素子基板1と封止基板10との間は、封止基板1
0の外周縁部分に塗布された封止用接着剤14によって
仮接着される。その後、ドライエアが封入された外囲器
12を封止装置内から取り出し、紫外線硬化装置で絶縁
性微粒子13の混入された封止用接着剤14を硬化させ
て固着し、封止する。
【0037】このように、上記実施の形態では、封止用
接着剤14に絶縁性微粒子13を混入して分散させ、こ
の絶縁性微粒子13が混入分散された封止用接着剤13
を封止基板10(又は素子基板1)の外周縁部分に塗布
し、所望のガス雰囲気中で封止している。その際、封止
用接着剤14に混入される絶縁性微粒子13は、方向性
のない球状をなしているので、素子基板1に対する封止
基板10の上方からの押し付けによって広がり、2層以
上になることはない。
接着剤14に絶縁性微粒子13を混入して分散させ、こ
の絶縁性微粒子13が混入分散された封止用接着剤13
を封止基板10(又は素子基板1)の外周縁部分に塗布
し、所望のガス雰囲気中で封止している。その際、封止
用接着剤14に混入される絶縁性微粒子13は、方向性
のない球状をなしているので、素子基板1に対する封止
基板10の上方からの押し付けによって広がり、2層以
上になることはない。
【0038】そして、絶縁性微粒子13は、基板1,1
0間の間隔を維持するスペーサーとして機能し、外囲器
12内にはガス封入のための充分な空隙が形成される。
0間の間隔を維持するスペーサーとして機能し、外囲器
12内にはガス封入のための充分な空隙が形成される。
【0039】したがって、上述した実施の形態の有機E
L素子によれば、以下に示す効果を奏する。
L素子によれば、以下に示す効果を奏する。
【0040】(1)外囲器12を組み立てる際、封止用
接着剤14に混入される絶縁性微粒子として、素子の総
厚よりも十分に厚い粒径0.3μ〜2μmのマイクロビ
ーズを用いている。したがって、有機EL素子としての
全体の厚みは、ほとんど基板(素子基板1、封止基板1
0)2枚分となり、有機EL素子の薄型といった利点を
活かすことができる。
接着剤14に混入される絶縁性微粒子として、素子の総
厚よりも十分に厚い粒径0.3μ〜2μmのマイクロビ
ーズを用いている。したがって、有機EL素子としての
全体の厚みは、ほとんど基板(素子基板1、封止基板1
0)2枚分となり、有機EL素子の薄型といった利点を
活かすことができる。
【0041】(2)素子基板1と封止基板10との間の
間隔が絶縁性微粒子13により維持され、素子基板1上
の素子9部分に全く触れるものがないので、封止時に素
子9に加わる応力、ダメージ等がない。
間隔が絶縁性微粒子13により維持され、素子基板1上
の素子9部分に全く触れるものがないので、封止時に素
子9に加わる応力、ダメージ等がない。
【0042】(3)素子基板1と封止基板10との間
は、外周縁部分が封止用接着剤14のみで固定されるの
で、従来のようなケースを別途作製する必要がなく、コ
スト面でも有利である。
は、外周縁部分が封止用接着剤14のみで固定されるの
で、従来のようなケースを別途作製する必要がなく、コ
スト面でも有利である。
【0043】(4)各々ガラス基板からなる素子基板1
と封止基板10とにより素子9の裏表両面が覆われて保
護されるので、ソリ等による変形を抑えて強度の高い有
機EL素子を得ることができる。
と封止基板10とにより素子9の裏表両面が覆われて保
護されるので、ソリ等による変形を抑えて強度の高い有
機EL素子を得ることができる。
【0044】(5)外囲器12内にはドライエアやドラ
イ窒素が封入されているので、従来と同様に、駆動時に
おける素子9の熱を封入ガスを介して基板1,10より
外部に放熱することができる。
イ窒素が封入されているので、従来と同様に、駆動時に
おける素子9の熱を封入ガスを介して基板1,10より
外部に放熱することができる。
【0045】ところで、上記実施の形態では、方向性の
ない球状の絶縁性微粒子13をスペーサ部材に用いた場
合を図示して説明したが、例えばガラスファイバ、セラ
ミック、樹脂などの円柱状部材をスペーサ部材として用
いてもよい。この場合、円柱状部材の外径は、素子9の
厚さd1よりも大きく、前述した絶縁性微粒子13と同
様に0.3〜2μmに形成されるのが好ましい。円柱状
部材を用いた構成では、例えば封止用接着剤に円柱状部
材を混入させておき、素子基板1又は封止基板10の一
方の面に塗布し、各円柱状部材が重ならず、円柱状部材
の軸線方向が基板1,10の表面と平行になる状態で封
止用接着剤を硬化させ外囲器を構成する。これにより、
素子基板1と封止基板10の間隔が円柱状部材の外径に
よって維持され、外囲器内の気密性が保て、外囲器内に
封入されたガスが抜けにくくなる。
ない球状の絶縁性微粒子13をスペーサ部材に用いた場
合を図示して説明したが、例えばガラスファイバ、セラ
ミック、樹脂などの円柱状部材をスペーサ部材として用
いてもよい。この場合、円柱状部材の外径は、素子9の
厚さd1よりも大きく、前述した絶縁性微粒子13と同
様に0.3〜2μmに形成されるのが好ましい。円柱状
部材を用いた構成では、例えば封止用接着剤に円柱状部
材を混入させておき、素子基板1又は封止基板10の一
方の面に塗布し、各円柱状部材が重ならず、円柱状部材
の軸線方向が基板1,10の表面と平行になる状態で封
止用接着剤を硬化させ外囲器を構成する。これにより、
素子基板1と封止基板10の間隔が円柱状部材の外径に
よって維持され、外囲器内の気密性が保て、外囲器内に
封入されたガスが抜けにくくなる。
【0046】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、封止剤に混入されたスペース部材が基板間の高
さを規定するスペーサとして機能し、陰極と封止基板と
の間の間隔が維持される。したがって、素子基板上に積
層形成された陽極、有機層、陰極からなる素子が封止基
板に触れることがないので、封着時に素子に加わる応
力、ダメージ等がない。封止剤に混入されるスペーサ部
材として、0.3〜2μmの粒径の絶縁性微粒子を封止
剤に混入して用いることにより、ほとんど基板2枚分の
厚さで有機EL素子を構成することができ、薄型の利点
を活かすことができる。陽極、有機層、陰極からなる素
子の表裏面が素子基板と封止基板で覆われるので、ソリ
等による変形を抑え、強度の高い有機EL素子を得るこ
とができる。従来のようなケースを別途作製する必要が
ないので、従来より安価に作製でき、コスト面において
有利である。ドライエアやドライ窒素等のガスが封入さ
れた状態で素子基板と封止基板との間の外周部分が封止
されるので、駆動時における素子の熱を封入ガスを介し
て基板より外部に放熱することができる。
よれば、封止剤に混入されたスペース部材が基板間の高
さを規定するスペーサとして機能し、陰極と封止基板と
の間の間隔が維持される。したがって、素子基板上に積
層形成された陽極、有機層、陰極からなる素子が封止基
板に触れることがないので、封着時に素子に加わる応
力、ダメージ等がない。封止剤に混入されるスペーサ部
材として、0.3〜2μmの粒径の絶縁性微粒子を封止
剤に混入して用いることにより、ほとんど基板2枚分の
厚さで有機EL素子を構成することができ、薄型の利点
を活かすことができる。陽極、有機層、陰極からなる素
子の表裏面が素子基板と封止基板で覆われるので、ソリ
等による変形を抑え、強度の高い有機EL素子を得るこ
とができる。従来のようなケースを別途作製する必要が
ないので、従来より安価に作製でき、コスト面において
有利である。ドライエアやドライ窒素等のガスが封入さ
れた状態で素子基板と封止基板との間の外周部分が封止
されるので、駆動時における素子の熱を封入ガスを介し
て基板より外部に放熱することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による有機EL素子の一実施の形態を示
す図
す図
【図2】有機EL素子の一般的な構成を示す図
【図3】(a)従来の有機EL素子のケーシングタイプ
の封止構造を示す図 (b)従来の有機EL素子の密着タイプの封止構造を示
す図
の封止構造を示す図 (b)従来の有機EL素子の密着タイプの封止構造を示
す図
1…素子基板、2…陽極、4…有機層、6…発光層、8
…陰極、9…素子、10…封止基板、11…スペーサ部
材、13…絶縁性微粒子、14…封止用接着剤、d1…
素子の厚さ、d2…絶縁性微粒子の粒径、L…陰極と封
止基板との間の距離。
…陰極、9…素子、10…封止基板、11…スペーサ部
材、13…絶縁性微粒子、14…封止用接着剤、d1…
素子の厚さ、d2…絶縁性微粒子の粒径、L…陰極と封
止基板との間の距離。
フロントページの続き (72)発明者 宮内 寿男 千葉県茂原市大芝629 双葉電子工業株式 会社内
Claims (6)
- 【請求項1】 絶縁性および透光性を有する素子基板
と、 前記素子基板上に積層形成された透明電極からなる陽極
と、 前記陽極上に積層形成された発光層を含む有機層と、 前記有機層上に積層形成された陰極と、 前記陰極上に所定間隔をおいて配置される絶縁性を有す
る封止基板と、 封止剤に混入された絶縁性を有するスペーサ部材とを備
え、 前記スペーサ部材により前記陰極と前記封止基板との間
の間隔を維持し、所定のガスを封入して前記素子基板と
前記封止基板との間の外周部分を前記封止剤により封止
することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素
子。 - 【請求項2】 前記スペーサ部材が球状部材からなる請
求項1記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項3】 前記球状部材は、前記陽極、前記有機
層、前記陰極の厚さの合計値よりも大きい粒径の絶縁性
微粒子からなる請求項2記載の有機エレクトロルミネッ
センス素子。 - 【請求項4】 前記球状部材は、粒径が0.3〜2μm
の絶縁性微粒子からなる請求項2記載の有機エレクトロ
ルミネッセンス素子。 - 【請求項5】 前記スペーサ部材が円柱状部材からなる
請求項1記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項6】 前記封入ガスは、ドライエア又はドライ
窒素からなる請求項1記載の有機エレクトロルミネッセ
ンス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9197334A JPH1140347A (ja) | 1997-07-23 | 1997-07-23 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9197334A JPH1140347A (ja) | 1997-07-23 | 1997-07-23 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1140347A true JPH1140347A (ja) | 1999-02-12 |
Family
ID=16372749
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9197334A Pending JPH1140347A (ja) | 1997-07-23 | 1997-07-23 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1140347A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11121167A (ja) * | 1997-10-16 | 1999-04-30 | Tdk Corp | 有機el素子 |
| EP1089595A3 (en) * | 1999-09-30 | 2002-01-23 | Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic electroluminescent display device |
| JP2004006278A (ja) * | 2002-03-26 | 2004-01-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
| US7329987B2 (en) | 2004-03-01 | 2008-02-12 | Seiko Epson Corporation | Organic electroluminescent device and electronic apparatus |
| JP2009100223A (ja) * | 2007-10-16 | 2009-05-07 | Kenwood Corp | 有機エレクトロルミネッセンスパネルスピーカ |
| US7629018B2 (en) | 2002-03-26 | 2009-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US7792489B2 (en) | 2003-12-26 | 2010-09-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, electronic appliance, and method for manufacturing light emitting device |
| JP2012054248A (ja) * | 1999-10-29 | 2012-03-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電子装置及び電子装置の作製方法 |
| US8344360B2 (en) | 1999-12-17 | 2013-01-01 | Osram Opto Semiconductor Gmbh | Organic electronic devices with an encapsulation |
-
1997
- 1997-07-23 JP JP9197334A patent/JPH1140347A/ja active Pending
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11121167A (ja) * | 1997-10-16 | 1999-04-30 | Tdk Corp | 有機el素子 |
| US7838883B2 (en) | 1999-09-30 | 2010-11-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic electroluminescent display device |
| US6876145B1 (en) | 1999-09-30 | 2005-04-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic electroluminescent display device |
| EP1777994A3 (en) * | 1999-09-30 | 2007-08-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic electroluminescent display device |
| KR100747418B1 (ko) * | 1999-09-30 | 2007-08-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 유기 이엘 표시 장치 및 전자 장치 |
| US9853235B2 (en) | 1999-09-30 | 2017-12-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic electroluminescent display device |
| US8772766B2 (en) | 1999-09-30 | 2014-07-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic electroluminescent display device |
| EP1089595A3 (en) * | 1999-09-30 | 2002-01-23 | Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic electroluminescent display device |
| US8426876B2 (en) | 1999-09-30 | 2013-04-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic electroluminescent display device |
| JP2012054248A (ja) * | 1999-10-29 | 2012-03-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電子装置及び電子装置の作製方法 |
| US8344360B2 (en) | 1999-12-17 | 2013-01-01 | Osram Opto Semiconductor Gmbh | Organic electronic devices with an encapsulation |
| US7629018B2 (en) | 2002-03-26 | 2009-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| JP2004006278A (ja) * | 2002-03-26 | 2004-01-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
| US8432097B2 (en) | 2003-12-26 | 2013-04-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, electronic appliance, and method for manufacturing light emitting device |
| US7792489B2 (en) | 2003-12-26 | 2010-09-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, electronic appliance, and method for manufacturing light emitting device |
| US9030097B2 (en) | 2003-12-26 | 2015-05-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, electronic appliance, and method for manufacturing light emitting device |
| US9502680B2 (en) | 2003-12-26 | 2016-11-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, electronic appliance, and method for manufacturing light emitting device |
| US9859523B2 (en) | 2003-12-26 | 2018-01-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, electronic appliance, and method for manufacturing light emitting device |
| US10312468B2 (en) | 2003-12-26 | 2019-06-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, electronic appliance, and method for manufacturing light emitting device |
| US7329987B2 (en) | 2004-03-01 | 2008-02-12 | Seiko Epson Corporation | Organic electroluminescent device and electronic apparatus |
| JP2009100223A (ja) * | 2007-10-16 | 2009-05-07 | Kenwood Corp | 有機エレクトロルミネッセンスパネルスピーカ |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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