JPH1140462A - Ｃｒ複合電子部品とその製造方法およびインダクタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 特別な焼成条件を必要とせず、通常の積層セ
ラミックコンデンサと同一条件での焼成が可能であり、
製造工程も簡単で、生産コストも安く、ＣＲまたは（Ｌ
／Ｃ）Ｒ直列回路が簡単に得られ、抵抗値の制御も容易
であるＣＲ複合電子部品およびその製造方法を提供す
る。 【解決手段】 誘電体層と内部電極とが交互に積層され
ており、前記内部電極と、ＣＲ複合電子部品の端部に形
成された第１の電極層とが接続され、前記第１の電極層
の少なくとも一方の端子側に第２の電極層と第３の電極
層とを有し、前記内部電極層は前記第１〜第３の電極層
を介して外部と接続され、前記第２の電極層はクロムを
有するＣＲ複合電子部品とした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、非磁性セラミック
誘電体層を有する積層型のキャパシタに、抵抗ないしイ
ンピーダンス要素を付加したＣＲ複合電子部品に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】現在、電子機器の電源の多くには、スイ
ッチング電源やＤＣ−ＤＣコンバータが用いられてい
る。これらの電源に使用されるコンデンサとして電源バ
イパス用のコンデンサがある。この電源バイパス用コン
デンサは、その電源容量やスイッチング周波数、併用さ
れる平滑コイル等の回路パラメータに応じて、低容量の
積層セラミックコンデンサと、高容量のアルミあるいは
タンタルといった電解コンデンサが用いられてきた。と
ころで、電解コンデンサは、容易に大容量が得られ、電
源のバイパス用（平滑用）コンデンサとしては優れた面
を有するが、大型で、低温特性に劣り、短絡事故の恐れ
があり、しかも内部インピーダンスが比較的高いため、
等価直列抵抗（ＥＳＲ）による損失が定常的に発生し、
それに伴う発熱を生じ、しかも周波数特性が悪く、平滑
性が悪化するといった問題を有している。また、近年、
技術革新により、積層セラミックコンデンサの誘電体や
内部電極の薄層化、積層化技術の進展に伴い、積層セラ
ミックコンデンサの静電容量が、電解コンデンサの静電
容量に近づきつつある。このため、電解コンデンサを積
層セラミックコンデンサに置き換えようとする試みも種
々なされている。

【０００３】電源のバイパス用のコンデンサにおいては
平滑作用を示すファクターとしてリップルノイズが重要
である。リップルノイズをどの程度に抑えるかは、コン
デンサの等価直列抵抗（ＥＳＲ）により決まる。ここ
で、リップル電圧をΔＶr 、チョ−クコイルに流れる電
流をΔｉ、等価直列抵抗をＥＳＲとすると、 ΔＶr ＝Δｉ×ＥＳＲ と表され、ＥＳＲを低下させることによりリップル電圧
が抑制されることがわかる。従って、電源のバイパス回
路においては、ＥＳＲの低いコンデンサを使用すること
が好ましく、ＥＳＲの低い積層セラミックコンデンサを
電源回路に用いる試みもなされている。

【０００４】ところが、帰還回路を有するＤＣ−ＤＣコ
ンバータやスイッチング電源等の２次側回路では、平滑
回路のＥＳＲが帰還ループの位相特性に大きな影響を与
え、特にＥＳＲが極端に低くなると問題を生じることが
ある。すなわち、平滑用コンデンサとしてＥＳＲの低い
積層セラミックコンデンサを使用した場合、２次側平滑
回路が等価的にＬとＣ成分のみで構成されてしまい、回
路内に存在する位相成分が±９０°および０°のみとな
り、位相の余裕がなくなり容易に発振してしまう。同様
な現象は３端子レギュレータを用いた電源回路において
も負荷変動時の発振現象として現れる。

【０００５】このため、積層セラミックコンデンサに抵
抗成分を付加した、いわゆるＣＲ複合電子部品も種々提
案されている。例えば、特開平８−４５７８４号公報に
は、積層セラミックコンデンサの端部を炭化物と還元剤
を用いて半導体化した複合電子部品について記載されて
いる。しかし、その製造方法は、積層セラミックコンデ
ンサ素体に外部電極用ペーストを塗布し、これを一旦還
元性雰囲気中で仮焼し、バインダーを炭化して残留さ
せ、さらに７００〜７５０℃で焼き付けることにより前
記炭化物を還元剤として作用させ、半導体化させてい
る。また抵抗値の制御は還元剤の量で行っている。しか
し、この方法では半導体化する工程が複雑であり、端子
電極を形成する工程を含めると、３回もの熱処理を必要
とし、生産性が低下し、エネルギーコストが高くなる。
しかも、抵抗値の制御が還元剤の量で行われているた
め、所望の値を正確に得ることが困難であり、回路設計
が困難になると共に、製品間のバラツキも多く、量産化
した場合の歩留まりも悪い。

【０００６】また、例えば、特開昭５９−２２５５０９
号公報に記載されているように、積層セラミックコンデ
ンサに、さらに酸化ルテニウム等の抵抗体ペーストを積
層し、これを同時焼成して抵抗体としたものも知られて
いる。しかし、このものは、そのまま端子電極を設けた
場合、等価回路がＣ／Ｒまたは（ＬＣ）／Ｒの並列回路
となり、直列回路を得ることができない。また、直列回
路を得るためには端子電極の形状が複雑となり、製造工
程も複雑なものとなってしまう。

【０００７】特許第２５７８２６４号公報には、外部電
極の表面に金属酸化膜を設けて所望の等価直列抵抗とし
たＣＲ複合部品が記載されている。しかしながら、同公
報の実施例に記載されているＣＲ複合部品は、ニッケル
の端子電極を加熱処理して金属酸化膜を形成するもの
で、抵抗値の調整はバレル研磨によりこの金属酸化膜の
膜厚を調整することにより行っている。このため、所望
の抵抗値を得ることが困難であり、抵抗値の調整も煩雑
で量産性に劣る。また、形成された金属酸化膜の上に、
さらにニッケル層を無電解メッキにより設けているが、
この方法では端子部位以外にメッキが付着しないようマ
スクを設ける必要があり、製造工程が増加する。さらに
付着した、ニッケルメッキと金属酸化膜との接着性が悪
く、ニッケルメッキにリ−ド線を設けた場合、このリー
ド線が容易に剥離してしまう。

【０００８】なお、平滑コンデンサに対して直列に抵抗
を接続する方法もあるが、コストが高く実用的でない。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】この発明の目的は、特
別な焼成条件を必要とせず、通常の積層セラミックコン
デンサと同一条件での焼成が可能であり、製造工程も簡
単で、生産コストも安く、ＣＲまたは（Ｌ／Ｃ）Ｒ直列
回路が簡単に得られ、抵抗値の制御も容易であり、リー
ド線の接着強度も強固なＣＲ複合電子部品およびその製
造方法を提供することである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的は、以下の
（１）〜（１１）の構成により達成される。 （１） 誘電体層と内部電極とが交互に積層されてお
り、前記内部電極と、ＣＲ複合電子部品の端部に形成さ
れた第１の電極層とが電気的に接続され、前記第１の電
極層の少なくとも一方の端子側に第２の電極層と第３の
電極層とを有し、前記内部電極層は前記第１〜第３の電
極層を介して外部と接続され、前記第２の電極層がクロ
ムを含有するＣＲ複合電子部品。 （２） 前記第２の電極層はクロミッククロメート皮膜
である上記（１）のＣＲ複合電子部品。 （３） 前記第２の電極層はクロムメッキ層である上記
（１）または（２）のＣＲ複合電子部品。 （４） 前記第１の電極層が、銀、銅、ニッケル、パラ
ジウムおよび白金の１種または２種以上を有する上記
（１）〜（３）のいずれかのＣＲ複合電子部品。 （５） 前記第３の電極層が、少なくともニッケルメッ
キ層、スズまたはスズ−鉛合金ハンダ層のいずれかを有
する上記（１）〜（４）のいずれかのＣＲ複合電子部
品。 （６） 前記第１の電極層と第３の電極層との最短離間
距離を調節することにより抵抗値を調節する上記（１）
〜（５）のいずれかのＣＲ複合電子部品。 （７） 等価回路がＣＲまたは（ＬＣ）Ｒ直列回路を含
む上記（１）〜（６）のいずれかのＣＲ複合電子部品。 （８） 内部電極がニッケルを含有する上記（１）〜
（７）のいずれかのＣＲ複合電子部品。 （９） 誘電体層と内部電極層とを交互に積層してグリ
ーンチップを形成し、これを焼成してチップ体とし、こ
のチップ体に第１の電極層を還元性雰囲気で形成した
後、少なくとも一方の第１の電極層にクロメート処理で
第２の電極層を形成し、さらに第２の電極層に第３の電
極層を形成するＣＲ複合電子部品の製造方法。 （１０）誘電体層と内部電極層とを交互に積層してグリ
ーンチップを形成し、これを焼成してチップ体とし、こ
のチップ体に第１の電極層を還元性雰囲気で形成した
後、少なくとも一方の第１の電極層にクロムメッキ処理
で第２の電極層を形成し、さらに第２の電極層に第３の
電極層を形成するＣＲ複合電子部品の製造方法。 （１１）前記内部電極層がニッケルを含有する上記
（９）または上記（１０）のＣＲ複合電子部品の製造方
法。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明のＣＲ複合電子部品は、誘
電体層と内部電極とが交互に積層されており、前記内部
電極と、ＣＲ複合電子部品の端部に形成された第１の電
極層とが接続され、前記第１の電極層の少なくとも一方
の端子側に第２の電極層と第３の電極層とを有し、前記
内部電極層は前記第１〜第３の電極層を介して外部と接
続され、前記第２の電極層はクロムを含有する。第２の
電極層にクロムを含有することで、端子電極に比較的高
い抵抗値を有する抵抗層が形成され、等価回路がＣとＲ
の直列接続となるＣＲ複合電子部品とすることができ
る。

【００１２】すなわち、導体である第１の電極層と第３
の電極層との間に、所定の抵抗値を有するクロム層の第
２の電極層を介在させることにより、極めて容易にコン
デンサと直列に抵抗成分を有するＣＲ複合部品とするこ
とができる。この第２の電極層におけるクロム層は、好
ましくはクロメート処理により得られるクロミッククロ
メート被膜またはクロムメッキ層が好ましい。クロミッ
ククロメート被膜の場合、クロムはＣｒ換算で全金属成
分中の３０〜９０wt％、特に５０〜８０wt％の範囲が好
ましい。第２の電極層には、一般に下地である第１の電
極層の構成成分は混在しない。

【００１３】第２の電極層はいずれか一方の電極に設け
てもよく、あるいは双方に設けてもよい。また、第２の
電極層における抵抗値は、第２の電極層を介した第１の
電極層と第３の電極層の最短距離、つまり第２の電極層
の最小厚さに比例する。なお、第２の電極層を双方の電
極に設けた場合、その抵抗値はそれぞれの電極における
第２の電極層の抵抗値の合計となる。第２の電極層の膜
厚は、必要とする抵抗値や成膜されるチップ体の大きさ
によっても異なるが、通常、クロミッククロメート被膜
で０．１〜１０μm 程度、クロム層で０．１〜１００μ
m 程度である。第２の電極層の抵抗値は、使用する回路
やコンデンサの容量等により適宜必要な抵抗値に調整す
ればよく、特に制限されるものではないが、等価直列抵
抗（ＥＳＲ）としては、好ましくは１ m〜２Ω、より好
ましくは１０〜３００ mΩ程度である。

【００１４】第２の電極層を形成する方法としては、ク
ロメート処理またはクロムメッキ処理が好ましく、特に
クロメート処理が好ましい。クロメート処理としては、
Ｎａ₂ＣｒＯ₄ とＮａ₂ＣＯ₃ の熱溶液に浸漬するＭＢＶ
（Modified Bauer-Vogel）法、ＥＷ法、Pylumin 法、Al
odine 法、Alocrom 1200法、Cronark 法等が挙げられる
が、中でもＭＢＶ法が好ましい。クロメート処理時間と
しては、必要とする第２の電極層の膜厚等により異なる
が、通常５秒〜１２０分間、特に１〜９０分間の範囲が
好ましい。処理液の温度としては通常２５〜１００℃、
特に８０〜９５℃程度である。また、クロムメッキ処理
は、定法に従えばよい。

【００１５】第１の電極層の構成材料としては、特に限
定されるものではないが、低抵抗率の金属として、銀、
銅、ニッケル、パラジウムおよび白金の１種または２種
以上が挙げられ、より好ましくは銅、ニッケルあるいは
これらの合金が挙げられ、特に銅が好ましい。銅を用い
る場合、その平均粒径は好ましくは、０．０１〜１０μ
m 程度が好ましい。前記範囲より平均粒径が小さいと、
導電材粒子の凝集が激しくなり、電極ペーストの塗布、
乾燥あるいは焼結時に端子電極にクラックが生じやすく
なる。平均粒径が前記範囲より大きい場合、ペースト化
が困難となる。第１の電極層の膜厚としては、特に限定
されるものではないが、好ましくは５〜５００μm 、特
に１０〜７０μm の範囲が好ましい。

【００１６】第１の電極層を設けるには、上記金属と有
機ビヒクルとを混練し、ペーストとしたものを用いれば
よい。電極層用ペーストには、通常前記金属材料の他に
焼結助剤としてや、チップ素体との接着性を確保するた
めのガラスフリット、有機バインダーおよび溶剤が含有
される。電極層用ペーストの金属材料の含有量は、好ま
しくは５０〜８０wt％、より好ましくは６５〜７５wt％
程度の範囲が好ましい。

【００１７】ガラスフリットの組成は特に限定されるも
のではないが、中性、あるいは還元性雰囲気で第１の電
極層を焼成するため、それらの雰囲気下でもガラスの機
能を果たすものが好ましい。このようなガラスとして、
例えば、ケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、アルミナケ
イ酸ガラスから選択されるガラスフリットの、１種また
は２種以上を用いればよく、これに必要に応じて、Ｃａ
Ｏ，ＳｒＯ，ＢａＯ，ＭｇＯ，ＺｎＯ，ＰｂＯ，Ｎａ₂
Ｏ，Ｋ₂ Ｏ，ＭｎＯ₂ 等の添加物を、総計５０wt％以下
で所定の組成比となるように混合して用いればよい。ガ
ラスの含有量は特に限定されるものではないが、通常、
金属成分に対して０．５〜１５wt％程度である。ガラス
フリットの平均粒径としては、好ましくは０．０１〜３
０μm 程度が好ましい。ガラスフリットの平均粒径が前
記範囲より小さいと、ガラスの凝集が激しくなり、導電
材の局所的な焼結効果をもたらし、端子電極のクラック
を発生させる要因となる。平均粒径が前記範囲より大き
いと、ガラスの分散が悪くなり、端子電極（第１の電極
層）とチップ体との接着性が低下する。

【００１８】有機バインダーとしては、特に限定される
ものではなく、セラミックス材のバインダーとして一般
的に使用されているものの中から、適宜選択して使用す
ればよい。このような有機バインダーとしては、エチル
セルロース、アクリル樹脂、ブチラール樹脂等が挙げら
れ、溶剤としてはターピネオール、テルピネオール、ブ
チルカルビトール、ケロシン等が挙げられる。ペースト
中の有機バインダーおよび溶剤の含有量は、特に制限さ
れるものではなく、通常使用されている量、例えば有機
バインダー１〜５wt％、溶剤１０〜５０wt％程度とすれ
ばよい。

【００１９】さらに、電極層用ペースト中には、必要に
応じて各種分散剤等が含有されていてもよい。これらの
総含有量は、１wt％以下であることが好ましい。電極層
用ペーストを誘電体チップに設ける方法としては、特に
限定されるものではないが、例えばディップ法、スクリ
ーン印刷法、好ましくはディップ法等により容易に設け
ることができる。

【００２０】第３の電極層は、第２の電極層上にメッキ
層として設けられる。第３の電極層は、好ましくはニッ
ケルメッキ層と、スズあるいはスズ−鉛合金ハンダ層と
から構成される。第３の電極層は、第２の電極層側にニ
ッケルメッキ層が形成され、その外側の構成材料として
は、低抵抗率でハンダ濡れ性が良好なものが好ましく、
スズあるいはスズ−鉛合金ハンダ等が好ましく、特に好
ましくはスズ−鉛合金ハンダを設けたものが好ましい。
第３の電極層は、リード線を取り付ける際のハンダ濡れ
性を改善すると共に、第２の電極層とリード線との接続
を確実に行い、第２の電極層を導電体で覆うことになる
ため、第２の電極層により与えられる抵抗値が安定にな
る。

【００２１】第３の電極層を形成する方法としては、特
に限定されるものではなく、スパッタ法や蒸着法を用い
た乾式メッキも可能であるが、従来公知の電解メッキ
法、無電解メッキ法を用いた湿式メッキにより容易に設
けることができ好ましい。湿式法を用いる場合、ニッケ
ルメッキ層は酸化クロム皮膜上に形成するため、無電解
メッキ法を用いることが好ましい。また、スズあるいは
スズ−鉛合金ハンダ層は、被膜が形成されるニッケル層
が金属であるためどちらの方法を用いてもよいが電解メ
ッキ法が好ましい。第３の電極層の膜厚としては、好ま
しくは０．１〜１０μm 程度が好ましい。

【００２２】＜誘電体層＞誘電体層を構成する誘電体材
料としては、特に限定されるものではなく、種々の誘電
体材料を用いてよいが、例えば、酸化チタン系、チタン
酸系複合酸化物、あるいはこれらの混合物などが好まし
い、酸化チタン系としては、必要に応じＮｉＯ，Ｃｕ
Ｏ，Ｍｎ₃Ｏ₄，Ａｌ₂Ｏ₃，ＭｇＯ，ＳｉＯ₂等を総計
０．００１〜３０wt％程度含むＴｉＯ₂等が、チタン酸
系複合酸化物としては、チタン酸バリウムＢａＴｉＯ₃
等が挙げられる。Ｂａ／Ｔｉの原子比は、０．９５〜
１．２０程度がよく、ＢａＴｉＯ₃には、ＭｇＯ，Ｃａ
Ｏ，Ｍｎ₃Ｏ₄，Ｙ₂Ｏ₃，Ｖ₂Ｏ₅，ＺｎＯ，ＺｒＯ₂，Ｎ
ｂ₂Ｏ₅，Ｃｒ₂Ｏ₃，Ｆｅ₂Ｏ₃，Ｐ₂Ｏ₅，ＳｒＯ，Ｎａ₂
Ｏ，Ｋ₂Ｏ等が総計０．００１〜３０wt％程度含有され
ていてもよい。また、焼成温度、線膨張率の調整等のた
め、（ＢａＣａ）ＳｉＯ₃ ガラス等のガラス等が含有さ
れていてもよい。

【００２３】誘電体層の一層あたりの厚さは特に限定さ
れないが、通常５〜２０μm 程度である。また、誘電体
層の積層数は、通常、２〜３００程度とする。

【００２４】＜内部電極層＞内部電極層に含有される導
電材は特に限定されないが、誘電体層構成材料に耐還元
性を有するものを使用することで、安価な卑金属を用い
ることができ好ましい。導電材として用いる卑金属とし
ては、ＮｉまたはＮｉ合金が好ましい。Ｎｉ合金として
は、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ａｌ等から選択される１種以上
の元素とＮｉとの合金が好ましく、合金中のＮｉ含有量
は９５wt％以上であることが好ましい。

【００２５】なお、ＮｉまたはＮｉ合金中には、Ｐ等の
各種微量成分が０．１wt％程度以下含まれていてもよ
い。

【００２６】内部電極層の厚さは用途等に応じて適宜決
定すればよいが、通常、０．５〜５μm 、特に０．５〜
２．５μm 程度であることが好ましい。

【００２７】次に、本発明のＣＲ複合電子部品の製造方
法について説明する。

【００２８】本発明のＣＲ複合電子部品は、ペーストを
用いた通常の印刷法やシート法によりグリーンチップを
作製し、このチップの少なくとも一端に抵抗体ペースト
を印刷ないし転写して同時焼成することにより製造でき
る。

【００２９】＜誘電体層用ペースト＞誘電体層用ペース
トは、誘電体原料と有機ビヒクルとを混練して製造され
る。

【００３０】誘電体原料には、誘電体層の組成に応じた
粉末を用いる。誘電体原料の製造方法は特に限定され
ず、例えばチタン酸系複合酸化物としてチタン酸バリウ
ムを用いる場合、水熱合成法等により合成したＢａＴｉ
Ｏ₃ に、副成分原料を混合する方法を用いることができ
る。また、ＢａＣＯ₃ とＴｉＯ₂ と副成分原料との混合
物を仮焼して固相反応させる乾式合成法を用いてもよ
く、水熱合成法を用いてもよい。また、共沈法、ゾル・
ゲル法、アルカリ加水分解法、沈殿混合法などにより得
た沈殿物と副成分原料との混合物を仮焼して合成しても
よい。なお、副成分原料には、酸化物や、焼成により酸
化物となる各種化合物、例えば、炭酸塩、シュウ酸塩、
硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物等の少なくとも１種
を用いることができる。

【００３１】誘電体原料の平均粒子径は、目的とする誘
電体層の平均結晶粒径に応じて決定すればよいが、通
常、平均粒子径０．３〜１．０μm 程度の粉末を用い
る。

【００３２】有機ビヒクルは、バインダを有機溶剤中に
溶解したものである。有機ビヒクルに用いるバインダは
特に限定されず、エチルセルロース等の通常の各種バイ
ンダから適宜選択すればよい。また、用いる有機溶剤も
特に限定されず、印刷法やシート法など、利用する方法
に応じて、テルピネオール、ブチルカルビトール、アセ
トン、トルエン等の各種有機溶剤から適宜選択すればよ
い。

【００３３】＜内部電極層用ペースト＞内部電極層用ペ
ーストは、上記の各種導電性金属や合金、あるいは焼成
後に上記した導電材となる各種酸化物、有機金属化合
物、レジネート等と、上記した有機ビヒクルとを混練し
て調製する。

【００３４】＜第１の電極層用ペースト＞第１の電極層
用ペーストは、上記した内部電極層用ペーストと同様に
して調製すればよい。

【００３５】＜有機ビヒクル含有量＞上記した各ペース
ト中の有機ビヒクルの含有量に特に制限はなく、通常の
含有量、例えば、バインダは１〜５重量％程度、溶剤は
１０〜５０重量％程度とすればよい。また、各ペースト
中には、必要に応じて各種分散剤、可塑剤、誘電体、絶
縁体等から選択される添加物が含有されていてもよい。
これらの総含有量は、１０重量％以下とすることが好ま
しい。

【００３６】＜グリーンチップ作製＞印刷法を用いる場
合、誘電体層用ペーストおよび内部電極層用ペースト
を、ＰＥＴ等の基板上に積層印刷する。このとき内部電
極用ペーストの端部の一方が誘電体層用ペーストの端部
より交互に外部に露出するように積層する。その後、所
定形状に切断してチップ化し、基板から剥離してグリー
ンチップとする。

【００３７】また、シート法を用いる場合、誘電体層用
ペーストを用いてグリーンシートを形成し、このグリー
ンシート上に内部電極層用ペーストを、内部電極用ペー
ストの端部が交互に誘電体層用ペーストの端部の一方か
ら露出するように印刷したものを積層し、所定形状に切
断して、グリーンチップとする。

【００３８】＜脱バインダ処理工程＞焼成前に行なう脱
バインダ処理の条件は通常のものであってよいが、内部
電極層の導電材にＮｉやＮｉ合金等の卑金属を用いる場
合、特に下記の条件で行うことが好ましい。 昇温速度：５〜３００℃／時間、特に１０〜１００℃／
時間 保持温度：２００〜４００℃、特に２５０〜３００℃ 温度保持時間：０．５〜２４時間、特に５〜２０時間雰
囲気：空気中

【００３９】＜焼成工程＞グリーンチップ焼成時の雰囲
気は、内部電極層用ペースト中の導電材の種類に応じて
適宜決定すればよいが、導電材としてＮｉやＮｉ合金等
の卑金属を用いる場合、焼成雰囲気はＮ₂ を主成分と
し、Ｈ₂ １〜１０％、１０〜３５℃における水蒸気圧に
よって得られるＨ₂Ｏガスが好ましい。そして、酸素分
圧は、１０^-8〜１０^-12 気圧とすることが好ましい。酸
素分圧が前記範囲未満であると、内部電極層の導電材が
異常焼結を起こし、途切れてしまうことがある。また、
酸素分圧が前記範囲を超えると、内部電極層が酸化する
傾向にある。

【００４０】焼成時の保持温度は、１１００〜１４００
℃、特に１２００〜１３００℃とすることが好ましい。
保持温度が前記範囲未満であると緻密化が不十分であ
り、前記範囲を超えると、内部電極が途切れやすくな
る。また、焼成時の温度保持時間は、０．５〜８時間、
特に１〜３時間が好ましい。

【００４１】＜アニール工程＞還元性雰囲気中で焼成し
た場合、ＣＲ複合電子部品チップ体にはアニールを施す
ことが好ましい。アニールは、誘電体層を再酸化するた
めの処理であり、これによりＩＲ加速寿命を著しく長く
することができる。

【００４２】アニール雰囲気中の酸素分圧は、１０^-6気
圧以上、特に１０^-5〜１０^-8気圧とすることが好まし
い。酸素分圧が前記範囲未満であると誘電体層の再酸化
が困難であり、前記範囲を超えると内部電極層が酸化す
る傾向にある。

【００４３】アニールの際の保持温度は、１１００℃以
下、特に５００〜１０００℃とすることが好ましい。保
持温度が前記範囲未満であると誘電体層の酸化が不十分
となって寿命が短くなる傾向にあり、前記範囲を超える
と内部電極層が酸化し、容量が低下するだけでなく、誘
電体素地と反応してしまい、寿命も短くなる傾向にあ
る。なお、アニール工程は昇温および降温だけから構成
してもよい。この場合、温度保持時間は零であり、保持
温度は最高温度と同義である。また、温度保持時間は、
０〜２０時間、特に２〜１０時間が好ましい。雰囲気用
ガスには、加湿したＮ₂ ガス等を用いることが好まし
い。

【００４４】なお、上記した脱バインダ処理、焼成およ
びアニールの各工程において、Ｎ₂、Ｈ₂ や混合ガス等
を加湿するには、例えばウェッター等を使用すればよ
い。この場合、水温は５〜７５℃程度が好ましい。

【００４５】脱バインダ処理工程、焼成工程およびアニ
ール工程は、連続して行なっても、独立に行なってもよ
い。

【００４６】これらを連続して行なう場合、脱バインダ
処理後、冷却せずに雰囲気を変更し、続いて焼成の保持
温度まで昇温して焼成を行ない、次いで冷却し、アニー
ル工程での保持温度に達したときに雰囲気を変更してア
ニールを行なうことが好ましい。

【００４７】また、これらを独立して行なう場合は、脱
バインダ処理工程は、所定の保持温度まで昇温し、所定
時間保持した後、室温にまで降温する。その際の脱バイ
ンダ雰囲気は、連続して行う場合と同様なものとする。
さらにアニール工程は、所定の保持温度にまで昇温し、
所定時間保持した後、室温にまで降温する。その際のア
ニール雰囲気は、連続して行う場合と同様なものとす
る。また、脱バインダ工程と、焼成工程とを連続して行
い、アニール工程だけを独立して行うようにしてもよ
く、脱バインダ工程だけを独立して行い、焼成工程とア
ニール工程を連続して行うようにしてもよい。

【００４８】＜第１の電極層形成＞上記のようにして得
られたチップ体に、第１の電極層用ペーストを印刷ない
し転写して焼成し、端子（外部）電極を形成する。外部
電極用ペーストの焼成条件は、例えば、Ｎ₂ とＨ₂ との
混合ガス等の還元性雰囲気中で６００〜８００℃にて１
０分間〜１時間程度とすることが好ましい。

【００４９】＜第２の電極層形成工程＞端子電極が形成
されたチップ体を、上記クロメイト処理液中に浸漬し、
酸化クロム（クロミッククロメイト）層を形成する。こ
の場合、好ましく使用されるＭＢＶ（Modified Bauer-V
ogel）法を用いる場合、好ましくは９０〜１００℃で１
〜１０分間処理を行う。処理時間により第２の電極層の
膜厚が決まるため、この処理時間によりＥＳＲを調整す
ることができる。ＭＢＶ法の処理液の組成としては、Ｎ
ａ₂ＣｒＯ₄ ：０．５〜２．５モル％、Ｎａ₂Ｃｏ₃ ：２
〜５モル％である。

【００５０】また、第２の電極層の形成にクロムメッキ
を用いる場合、湿式メッキ法、乾式メッキ法のいずれの
メッキ法を用いてもよい。好ましくは湿式メッキ法が好
ましい。湿式メッキ法としては、電解メッキ法等が挙げ
られ、乾式メッキ法としては、スパッタ法、蒸着法等が
挙げられる。

【００５１】＜第３の電極層メッキ工程＞さらに、第２
の電極層が形成されたチップ体を、それぞれニッケルメ
ッキ浴、またはスズあるいはスズ−鉛合金ハンダメッキ
浴中に浸漬し、第３の電極層を形成する。

【００５２】このようにして製造される、本発明のＣＲ
複合電子部品の構成例を図１に示す。図１において、本
発明のＣＲ複合電子部品は、誘電体層２と、内部電極層
３と、第１の電極層４と、第２の電極層５と、第３の電
極層６とを有する。また、第２の電極層５は、第１の電
極層４から第３の電極層６までの最短距離、ｄ１＋ｄ２
に応じた抵抗値となる。ここで、図１は第２の電極層を
ＣＲ複合電子部品の両方の端子に形成した場合を示す
が、どちらか一方のみに形成してもよく、その場合、第
１の電極層４から第３の電極層６までの距離はｄ１ある
いはｄ２のいずれか一方のみとなる。

【００５３】本発明ではさらに、第２の電極層として、
前記クロムを有する層に加えて酸化亜鉛を有する層を設
けてもよい。

【００５４】すなわち、第１の電極層形成後、クロムを
有する層を形成し、さらに酸化亜鉛を有する層を形成し
て第２の電極層とし、これに第３の電極層を設けて端子
電極とする。なお、クロムを有する層と、酸化亜鉛を有
する層との積層順はこの逆でもよいが、積層する他の層
との接着性や、成膜効率を考慮すると前記積層順とする
ことが好ましい。

【００５５】酸化亜鉛を有する層を、クロムを有する層
に加えて第２の電極層とすることにより、さらに高い抵
抗成分を有するＣＲ複合部品とすることができる。この
酸化亜鉛を有する層における酸化亜鉛の含有量は、好ま
しくはＺｎＯ換算で４０〜９９wt％、特に７０〜９５wt
％が好ましい。この抵抗体層には酸化亜鉛の他に、好ま
しくは抵抗値を調整するためガラスを含有する。このガ
ラスの含有量としては、好ましくは１〜６０wt％、特に
５〜３０wt％が好ましい。ガラスは基本的には絶縁体で
あり、酸化亜鉛とガラスの量比により所望の抵抗値を得
ることができる。

【００５６】素子をメッキする必要上、ガラスは耐メッ
キ性のあることが要求される。耐メッキ性のあるガラス
としては、好ましくはホウケイ酸系（ＺｎＯ：６３wt％
−Ｂ ₂Ｏ₃ ：２０wt％−ＳｉＯ₂ ：１１wt％−ＭｎＯ
₂ ：６wt％：軟化点５００〜６００℃）の結晶化ガラス
が挙げられる。ただし、ガラス全部が耐メッキ性を有す
る必要はなく、耐メッキ性を有するガラスが全体の１０
wt％以上含有されていればよい。耐メッキ性を有するガ
ラスと混合するその他のガラスの組成については特に限
定されるものではないが、高軟化点（６００〜９００
℃）のものが好ましく、例えば、ケイ酸ガラス、ホウケ
イ酸ガラス、アルミナケイ酸ガラスから選択されるガラ
スフリットの、１種または２種以上を用いればよく、こ
れに必要に応じて、ＣａＯ：０．０１〜５０wt％，Ｓｒ
Ｏ：０．０１〜３０wt％，ＢａＯ：０．０１〜５０wt
％，ＭｇＯ：０．０１〜５wt％，ＺｎＯ：０．０１〜５
wt％，ＰｂＯ：０．０１〜５wt％，Ｎａ₂ Ｏ：０．０１
〜１０wt％，Ｋ₂ Ｏ：０．０１〜１０wt％，ＭｎＯ₂ ：
０．０１〜２０wt％等の添加物を所定の組成比となるよ
うに混合して用いればよい。またこれらは総計で５０wt
％以下添加してもよい。

【００５７】第２の電極層における酸化亜鉛を有する層
は、いずれか一方の電極に設けてもよく、あるいは双方
に設けてもよい。また、酸化亜鉛を有する層における抵
抗値は、酸化亜鉛を有する層の最小厚さに比例する。な
お、酸化亜鉛を有する層を双方の電極に設けた場合、そ
の抵抗値はそれぞれの電極における酸化亜鉛を有する層
の抵抗値の合計となる。酸化亜鉛を有する層の膜厚とし
ては特に制限されるものではないが、通常０．００１mm
〜１mm、特に０．０１〜０．５mmの範囲が好ましい。酸
化亜鉛を有する層を加えた第２の電極層の抵抗値は、使
用する回路やコンデンサの容量等により適宜必要な抵抗
値に調整すればよく、特に制限されるものではないが、
等価直列抵抗（ＥＳＲ）としては、好ましくは１ m〜２
Ω、より好ましくは１０ m〜３００ mΩ程度である。

【００５８】酸化亜鉛を有する層を形成する方法として
は、上記酸化亜鉛とガラスフリットとを有機ビヒクル中
に分散したものを用いればよい。第２の電極層用ペース
トには、通常、前記酸化亜鉛、電気伝導率を調整するた
めのガラスフリット、有機バインダーおよび溶剤が含有
される。第２の電極層用ペーストの酸化亜鉛の含有量
は、好ましくはＺｎＯ換算で３０〜８０wt％、より好ま
しくは４５〜７０wt％程度の範囲が好ましい。また、ペ
ースト中のガラスフリットの含有量は、好ましくは０．
１５〜５０wt％、特に１〜２０wt％が好ましい。酸化亜
鉛の平均粒径は、通常０．０１〜１．０μm 程度であ
り、ガラスフリットの平均粒径は、通常、０．０１〜１
０μm 程度である。

【００５９】有機バインダーとしては、特に限定される
ものではなく、セラミックス材のバインダーとして一般
的に使用されているものの中から、適宜選択して使用す
ればよい。このような有機バインダーとしては、エチル
セルロース、アクリル樹脂、ブチラール樹脂等が挙げら
れ、溶剤としてはターピネオール、テルピネオール、ブ
チルカルビトール、ケロシン等が挙げられる。ペースト
中の有機バインダーおよび溶剤の含有量は、特に制限さ
れるものではなく、通常使用されている量、例えば有機
バインダー１〜５wt％、溶剤１０〜５０wt％程度とすれ
ばよい。

【００６０】さらに、電極層用ペースト中には、必要に
応じて各種分散剤等が含有されていてもよい。これらの
総含有量は、１wt％以下であることが好ましい。

【００６１】電極層用ペーストを誘電体チップに設ける
方法としては、特に限定されるものではないが、例えば
ディップ法、スクリーン印刷法、好ましくはディップ法
等により容易に設けることができる。

【００６２】酸化亜鉛を有する層をクロムを有する層よ
りも外側、つまり第１の電極層と反対側に設けた場合、
第３の電極層としては上記同様メッキ層とすればよい。

【００６３】次に、このような酸化亜鉛を有する層や、
第３の電極層を有する層を形成する工程について説明す
る。

【００６４】＜形成工程＞上記のようにチップ体に形成
された第１の電極層、およびクロムを有する層上に、酸
化亜鉛を有する層を形成する第２の電極層用ペーストを
塗布する。塗布の方法としては、特に限定されるもので
はないが、ディップ法等によればよい。塗布量としても
特に限定されるものではなく、必要な抵抗値や塗布する
チップ体の大きさなどにより適宜調整すればよいが、第
１または第３の電極層で通常、１０〜１００μm 程度、
第２の電極層の場合、通常５〜１００μm 程度である。

【００６５】酸化亜鉛ペースト塗布後乾燥する。乾燥
は、好ましくは、６０〜１５０℃で、１０分〜１時間保
持する。その際、第２の電極層はいずれか一方の第１の
電極層に形成してもよく、双方に形成してもよい。

【００６６】＜焼成工程＞通常、酸化亜鉛を有する層は
焼成により形成される。焼成条件としては、好ましくは
Ｎ₂ の中性雰囲気、あるいはＮ₂ とＨ₂ との混合ガス等
の還元雰囲気中にて、６００〜１０００℃、特に８５０
〜９８０℃で、０〜１時間、特に０．０５〜０．５時間
保持し焼成する。形成された第１〜第３の電極層からな
る端子電極に、必要に応じてメッキ処理を施し、被覆層
を設けてもよい。

【００６７】被覆層は上記クロム層単独の場合の第３の
電極層に対応するもので、メッキ層として設けられ、好
ましくはニッケルメッキ層と、スズあるいはスズ−鉛合
金ハンダ層とから構成される。被覆層は、第３の電極層
側にニッケルメッキ層が形成され、その外側の構成材料
としては、低抵抗率でハンダ濡れ性が良好なものが好ま
しく、スズあるいはスズ−鉛合金ハンダ等が好ましく、
特に好ましくはスズ−鉛合金ハンダを設けたものが好ま
しい。被覆層は、リード線を取り付ける際のハンダ濡れ
性を改善すると共に、第３の電極層とリード線との接続
を確実に行なう。

【００６８】被覆層を形成する方法としては、特に限定
されるものではなく、スパッタ法や蒸着法を用いた乾式
メッキも可能であるが、従来公知の電解メッキ法、無電
解メッキ法を用いた湿式メッキにより容易に設けること
ができ好ましい。なお、ニッケルメッキ層を酸化亜鉛層
上に形成する場合、湿式法を用いるときは、無電解メッ
キ法を用いることが好ましい。また、スズあるいはスズ
−鉛合金ハンダ層は、被膜が形成されるニッケル層が金
属であるためどちらの方法を用いてもよいが電解メッキ
法が好ましい。被覆層の膜厚としては、好ましくは０．
１〜１０μm 程度が好ましい。

【００６９】このようにして製造される、本発明のＣＲ
複合電子部品の他の構成例を図２に示す。図２におい
て、本発明の他のＣＲ複合電子部品は、誘電体層２と、
内部電極層３と、第１の電極層４と、第２の電極層５
と、第３の電極層６とを有し、第２の電極層はクロムを
有する層５ａと酸化亜鉛を有する層５ｂとを有する。ま
た、第２の電極層５は、クロムを有する層５ａの最小膜
厚ｄ３＋ｄ４と、酸化亜鉛を有する層の最小膜厚ｄ１＋
ｄ２に応じた抵抗値となる。ここで、図２はクロムを有
する層５ａと酸化亜鉛を有する層５ｂとをＣＲ複合電子
部品の両方の端子に形成した場合を示すが、いずれかを
どちらか一方のみに形成してもよく、その場合、第１の
電極層４から第３の電極層６までの距離はｄ１、ｄ３あ
るいはｄ２、ｄ４のいずれか一方のみとなる。

【００７０】さらに、本発明のＣＲ複合電子部品は、内
部電極と端子電極とが、誘電体層の少なくとも一方の端
子電極側に形成された半導体化領域を介して電気的に接
続してもよい。そして、前記半導体化領域には酸化亜鉛
とガラスとを含有する。内部電極と端子電極とを、半導
体化領域を介して接続することにより、さらに抵抗要素
が付加されることとなり、より高い等価直列抵抗を得る
ことができる。また、誘電体層を酸化亜鉛により半導体
化するため、製造工程も単純になる。

【００７１】半導体化領域は、ＣＲ複合電子部品の端部
に形成される端子電極と、この端子電極と直接接触しな
いように離間して配置された内部電極との間に存在し、
これらを所定の伝導率で電気的に接続するように形成さ
れる。半導体化領域により得られる抵抗値は半導体化領
域を通過する電流路の距離、つまり、所定の間隔を置い
て配置された内部電極と端子電極との最短離間距離に比
例する。従って、この半導体化領域の距離を調節するこ
とにより、得られる抵抗値を制御することができ、抵抗
値の調整が容易になると共に、高精度に調整することが
できる。この半導体化領域は、端子電極が設けられるい
ずれか一方の側に形成されていればよく、必ずしも双方
に形成する必要はないが、必要な抵抗値等によりいずれ
かの構成を選択すればよい。この場合、両方の端部に同
じ長さの半導体化領域が形成されていれば、抵抗値は２
倍になる。

【００７２】内部電極と端子電極の離間距離としては、
特に制限されるものではないが、通常、両端子電極間の
長さの１．６×１０^-5 〜１．２×１０^-4 程度、０．０
５μm 〜０．４mm程度である。また、ＣＲ複合部品とし
て得られるインピーダンスも特に限定されるものではな
いが、通常１m 〜２Ω程度である。

【００７３】半導体化領域は、誘電体層に酸化亜鉛を含
有させることにより形成される。酸化亜鉛を偏在して含
有させる方法としては、特に限定されるものではない
が、好ましくは積層セラミックコンデンサのグリーンチ
ップに、酸化亜鉛を含有する抵抗体ペーストを塗布等す
ればよい。抵抗体ペーストが設けられたグリーンチップ
を焼成することにより、酸化亜鉛が誘電体層中に拡散し
て行き、半導体化領域が形成される。形成される半導体
化領域は、特に制限されるものではないが、通常端子電
極間の距離の１．６×１０^-5 〜１．２×１０^-4 程度、
０．０５μm 〜０．４mm程度である。酸化亜鉛の抵抗体
ペースト中の含有量は酸化亜鉛、ガラス、バインダーお
よび溶剤に対して３０〜８０wt％程度が好ましい。ま
た、焼結後、半導体化領域を形成した場合、半導体化領
域における含有量は４０〜９８wt％が好ましく、その場
合の残部はガラスである。酸化亜鉛のペースト中の粒径
は通常０．０１〜１．０μm 程度である。酸化亜鉛は、
通常明瞭な粒子としては存在しない。

【００７４】抵抗体ペーストには、通常前記酸化亜鉛の
他に電気伝導率を調整するためのガラスフリット、有機
バインダーおよび溶剤が含有される。抵抗体ペーストの
酸化亜鉛の含有量は、好ましくは３０〜８０wt％、より
好ましくは４５〜７０wt％程度の範囲が好ましい。ガラ
スフリットの組成については、特に限定されるものでは
ないが、例えば、ケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、ア
ルミナケイ酸ガラス、好ましくはホウケイ酸ガラス等の
ガラスの１種または２種以上を用い、これに必要に応じ
て、ＣａＯ，ＳｒＯ，ＢａＯ，ＭｇＯ，ＺｎＯ，Ｐｂ
Ｏ，Ｎａ₂Ｏ，Ｋ₂Ｏ等の添加物を所定の組成比となるよ
うに混合したものを用いればよい。これらのうち、Ｓｉ
Ｏ₂ １０〜６０wt％、Ｂ₂Ｏ₃ ５〜３０wt％、Ａｌ₂Ｏ₃
０〜３０wt％、Ｂ₂Ｏ₃＋Ａｌ₂Ｏ₃ ５〜４０wt％であっ
て、ＣａＯ，ＢａＯ，ＺｎＯを総計１０〜８５wt％含有
するものが好ましい。この場合、抵抗体ペースト中のガ
ラスフリットの含有量は、好ましくは０．１５〜５０wt
％程度である。

【００７５】有機バインダーとしては、特に限定される
ものではなく、セラミックス材のバインダーとして一般
的に使用されているものの中から、適宜選択して使用す
ればよい。このような有機バインダーとしては、エチル
セルロース、アクリル樹脂、ブチラール樹脂等が挙げら
れ、溶剤としてはターピネオール、テルピネオール、ブ
チルカルビトール、ケロシン等が挙げられる。ペースト
中の有機バインダーおよび溶剤の含有量は、特に制限さ
れるものではなく、通常使用されている量、例えば有機
バインダー１〜５wt％、溶剤１０〜５０wt％程度とすれ
ばよい。

【００７６】さらに、抵抗体ペースト中には、必要に応
じて各種分散剤等が含有されていてもよい。これらの総
含有量は、１wt％以下であることが好ましい。抵抗体ペ
ーストを誘電体グリーンチップに設ける方法としては、
特に限定されるものではないが、例えばディップ法、ス
クリーン印刷法、好ましくはディップ法等により容易に
設けることができる。

【００７７】抵抗体ペーストが塗布されたグリーンチッ
プを、上記と同様な条件で焼成することにより、半導体
化領域が形成される。半導体化領域が形成されたチップ
体に、上記と同様にして第１〜第３の電極層を設ければ
よい。

【００７８】このようにして製造される、本発明のＣＲ
複合電子部品の第３の構成例を図３に示す。図３におい
て、本発明の他のＣＲ複合電子部品は、誘電体層２と、
内部電極層３と、第１の電極層４と、第２の電極層５
と、第３の電極層６と、半導体化領域７とを有し、半導
体化領域７は酸化亜鉛を有する。この場合内部電極層３
は第１の電極層４とは直接接続されず、半導体化領域７
を介して電気的に接続される。従って、半導体化領域７
により得られる抵抗は、内部電極層３と第１の電極層４
の最小離間距離ｄ５＋ｄ６に応じた抵抗値となる。ここ
で、図２は半導体化領域をＣＲ複合電子部品の両方の端
子近傍に形成した場合を示すが、いずれかをどちらか一
方のみに形成してもよく、その場合、他方の内部電極層
３は直接第１の電極層と接続される。また、半導体化領
域により得られる抵抗値は、ｄ５またはｄ６のいずれか
一方のみとなる。

【００７９】本発明のＣＲ複合電子部品は、必要に応じ
てリード線が設けられ、ハンダ付等によりプリント基板
上などに実装され、電源装置などの各種電子機器等に使
用される。

【００８０】

【実施例】次に実施例を示し、本発明をより具体的に説
明する。 ＜実施例１＞誘電体層の主原料としてＢａＣＯ₃（平均
粒径：２．０μm ）およびＴｉＯ₂（平均粒径：２．０
μm ）を用意した。Ｂａ／Ｔｉの原子比は１．００であ
る。また、これに加えて、ＢａＴｉＯ₃ に対し添加物と
してＭｎＣＯ₃ を０．２wt％、ＭｇＣＯ₃ を０．２wt
％、Ｙ₂Ｏ₃ を２．１wt％、（ＢａＣａ）ＳｉＯ₃ を
２．２wt％を用意した。各原料粉末を水中ボールミルで
混合し、乾燥した。得られた混合粉を１２５０℃で２時
間仮焼した。この仮焼分を水中ボールミルで粉砕し、乾
燥した。得られた仮焼粉に、有機バインダーとしてアク
リル樹脂と、有機溶剤として塩化メチレンとアセトンを
加えてさらに混合し、誘電体スラリーとした。得られた
誘電体スラリーを、ドクターブレード法を用いて誘電体
グリーンシートとした。

【００８１】内部電極材料として、卑金属のＮｉ粉末
（平均粒径：０．８μm ）を用意し、これに有機バイン
ダーとしてエチルセルロースと、有機溶剤としてターピ
ネオールを加え、３本ロールを用いて混練し、内部電極
用ペーストとした。

【００８２】第１の電極層ペースト用原料として、卑金
属のＣｕ粉末（平均粒径：３．０μm ）と、このＣｕ粉
末に対しホウケイ酸ストロンチウムガラスを１０wt％用
意し、これに有機バインダーとしてアクリル樹脂と、有
機溶剤としてターピネオールを加え、３本ロールを用い
て混練し、第１の電極層用ペーストとした。

【００８３】所定の厚みを得るためにグリーンシートを
数枚積層し、その上にスクリーン印刷法により内部電極
用ペーストの端部が誘電体層用ペーストの端部から交互
に外部に露出するように印刷されたグリーンシートを所
定枚数積層し、最後に内部電極の印刷されていないグリ
ーンシートを所定枚数積層し、熱圧着し、チップ形状
が、焼成後に縦×横×厚みが３．２×１．６×１．０mm
となるように切断し、グーリーンチップを得た。

【００８４】得られたグリーンチップを、空気中に８０
℃で３０分間放置して乾燥した。次いで、加湿したＮ₂
＋Ｈ₂ （Ｈ₂ ３％）還元雰囲気中、１３００℃にて３時
間保持して焼成し、さらに、加湿したＮ₂ 酸素分圧１０
^-7気圧の雰囲気にて１０００℃に２時間保持し、チップ
体を得た。得られたチップ体の端部にＣｕ端子電極用ペ
ーストを塗布し、Ｎ₂ ＋Ｈ₂ （Ｈ₂ ４％）還元雰囲気
中、７７０℃で１０分間保持して焼成し、端子電極を形
成した。

【００８５】次いで、下記組成のクロメイト処理液中
に、９０℃で、それぞれ３分、５分、１０分、６０分間
浸漬し、それぞれの酸化クロム（クロミッククロメイ
ト）からなる第２の電極層が形成された各サンプルを作
製した。

【００８６】クロメイト処理液 Ｎａ₂ＣｒＯ₄ ２ｇ／リットル Ｎａ₂Ｃｏ₃ １ｇ／リットル

【００８７】このようにして得られた各膜厚の試料をそ
れぞれ１０個ずつ作成し、これを研磨してＳＥＭ、ＥＰ
ＭＡでクロム拡散層の厚みを測定したところ、前記浸漬
時間に応じて、それぞれ０．１，０．１４，０．２４，
０．８８μm の膜厚を有することがわかった。

【００８８】次いで、上記同様にして得られた各膜厚の
サンプルに、ニッケルメッキ層、スズ−亜鉛合金メッキ
層を無電解法および電解法を用いて順次形成し、ＣＲ複
合電子部品を得た。得られたサンプルの静電容量は１μ
Ｆであった。また、得られた各試料についてＥＳＲを測
定した。結果を表１に示す。

【００８９】

【００９０】表１から明らかなように、第２の電極層を
有しない従来の積層セラミックコンデンサに比べ、第２
の電極層の膜厚に応じて等価直列抵抗が増加し、必要な
等価直列抵抗が容易に得られることがわかる。

【００９１】＜実施例２＞実施例１において、第１の電
極層ペースト用原料として、卑金属のＣｕ粉末（平均粒
径：３．０μm ）と、このＣｕ粉末に対しホウケイ酸ス
トロンチウムガラスを７wt％用意し、これに有機バイン
ダーとしてアクリル樹脂と、有機溶剤としてターピネオ
ールを加え、３本ロールを用いて混練し、第１の電極層
用ペーストとした。

【００９２】また、端子電極形成後、下記組成のクロム
メッキ浴（浴温：５０℃）中にチップ体を浸漬し、電解
メッキ法にて１時間処理し、クロムメッキ層を１μm 形
成した。その他は実施例１と同様にしてＣＲ複合電子部
品サンプルを得た。

【００９３】クロムメッキ浴組成 クロム酸 ２５０ g／リットル 硫酸 ２．５ g／リットル

【００９４】得られたサンプルについて等価直列抵抗を
測定したところ、１０ mΩであった。

【００９５】＜実施例３＞実施例１において、外形を３
２２５形状とし、第２の電極層の膜厚を５μm とした他
は実施例１と同様にしてＣＲ複合電子部品を作製した。
得られた、ＣＲ複合電子部品の容量を測定したところ１
０μＦであった。また、６ＭHzでのインピーダンスを測
定したところ２０ mΩであった。このＣＲ複合電子部品
を、ＤＣ−ＤＣコンバータのバイパスコンデンサとして
用い、スイッチング周波数を１００ｋHz〜４０ＭHzに変
化させて動作させたところ、発振等による入力電圧の電
圧変動現象を生じることなく正常に動作することが確認
された。

【００９６】＜実施例４＞酸化亜鉛を有する電極層用原
料として、ＺｎＯ（平均粒径：０．５μm ）を用意し、
これにガラスフリットとしてＺｎＯ：６３wt％、Ｂ₂ Ｏ
₃ ：２０wt％、ＳｉＯ₂ ：１１wt％、ＭｎＯ₂ ：６wt％
の結晶化ガラスと、ＳｉＯ₂ ：５３wt％、Ｂ₂Ｏ₃ ：２
２wt％、Ｎａ₂Ｏ ：６wt％、Ａｌ₂Ｏ₃ ：４wt％、Ｂａ
Ｏ：１０wt％、ＳｒＯ：５wt％の非結晶化ガラスと、有
機バインダーとしてアクリル樹脂と、有機溶剤としてタ
ーピネオールを加え、これらを３本ロールを用いて混練
し、電極用抵抗体ペーストを得た。

【００９７】第３の電極用ペーストとして、前記第１の
電極用ペーストを用いた。

【００９８】実施例１において、クロムを有する層を成
膜した後、酸化亜鉛抵抗体ペーストを塗布、乾燥し、第
３の電極層用のＣｕ端子電極用ペーストを塗布・乾燥
し、Ｎ₂ の中性雰囲気中、９５０℃で１０分間保持して
焼成し、端子電極を形成した。さらに、Ｎｉメッキ、ハ
ンダメッキを施し、ＣＲ複合部品を得た。

【００９９】得られたサンプルについて、実施例１と同
様にして評価したところ、実施例１のサンプルに対し
て、等価直列抵抗が増加していることが確認された。

【０１００】＜実施例５＞実施例１のグリンシート形成
工程において、所定の厚みを得るためにグリーンシート
を数枚積層し、その上にスクリーン印刷法により内部電
極用ペーストの端部と誘電体層用ペーストの端部との間
の距離が総計１０μm となるよう印刷されたグリーンシ
ートを所定枚数積層し、最後に内部電極の印刷されてい
ないグリーンシートを所定枚数積層し、熱圧着し、チッ
プ形状が、焼成後に縦×横×厚みが３．２×１．６×
１．０mmとなるように切断し、グーリーンチップを得
た。

【０１０１】得られたグリーンチップに、抵抗体ペース
トを、ディップ法を用いて塗布し、空気中に８０℃で３
０分間放置して乾燥した。次いで、加湿したＮ₂ ＋Ｈ₂
（Ｈ₂ ３％）還元雰囲気中、１３００℃にて３時間保持
して焼成し、さらに、加湿したＮ₂ 酸素分圧１０^-7気圧
の雰囲気にて１０００℃に２時間保持し、焼結体を得
た。その他は実施例１と同様にしてＣＲ複合電子部品の
サンプルを得た。

【０１０２】得られたサンプルについて、実施例１と同
様にして評価したところ、実施例１のサンプルに対し
て、等価直列抵抗が増加していることが確認された。

【０１０３】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、特別な焼
成条件を必要とせず、通常の積層セラミックコンデンサ
と同一条件での焼成が可能であり、製造工程も簡単で、
生産コストも安く、ＣＲまたは（Ｌ／Ｃ）Ｒ直列回路が
簡単に得られ、抵抗値の制御も容易であるＣＲ複合電子
部品およびその製造方法を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のＣＲ複合電子部品の基本構成を示す断
面概略図で、両方の端子電極に第２の電極層を形成した
例である。

【図２】本発明のＣＲ複合電子部品の他の構成例を示す
断面概略図で、両方の端子電極に第２の電極層としてク
ロムを有する層と、酸化亜鉛を有する層を形成した例で
ある。

【図３】本発明の第３の構成例を示す断面概略図で、両
方の端子電極付近の誘電体層を半導体化し、この半導体
化領域を介して内部電極と端子電極とを電気的に接続し
た場合を示した図である。

【符号の説明】

２ 誘電体層 ３ 内部電極 ４ 第１の電極層 ５ 第２の電極層 ５ａ クロムを有する層 ５ｂ 酸化亜鉛を有する層 ６ 第３の電極層 ７ 半導体化領域

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 徳岡 保導 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内 (72)発明者 佐藤 茂樹 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内 (72)発明者 野村 武史 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 誘電体層と内部電極とが交互に積層され
   ており、 前記内部電極と、ＣＲ複合電子部品の端部に形成された
   第１の電極層とが電気的に接続され、 前記第１の電極層の少なくとも一方の端子側に第２の電
   極層と第３の電極層とを有し、 前記内部電極層は前記第１〜第３の電極層を介して外部
   と接続され、 前記第２の電極層がクロムを含有するＣＲ複合電子部
   品。
2. 【請求項２】 前記第２の電極層はクロミッククロメー
   ト皮膜である請求項１のＣＲ複合電子部品。
3. 【請求項３】 前記第２の電極層はクロムメッキ層であ
   る請求項１または２のＣＲ複合電子部品。
4. 【請求項４】 前記第１の電極層が、銀、銅、ニッケ
   ル、パラジウムおよび白金の１種または２種以上を有す
   る請求項１〜３のいずれかのＣＲ複合電子部品。
5. 【請求項５】 前記第３の電極層が、少なくともニッケ
   ルメッキ層、スズまたはスズ−鉛合金ハンダ層のいずれ
   かを有する請求項１〜４のいずれかのＣＲ複合電子部
   品。
6. 【請求項６】 前記第１の電極層と第３の電極層との最
   短離間距離を調節することにより抵抗値を調節する請求
   項１〜５のいずれかのＣＲ複合電子部品。
7. 【請求項７】 等価回路がＣＲまたは（ＬＣ）Ｒ直列回
   路を含む請求項１〜６のいずれかのＣＲ複合電子部品。
8. 【請求項８】 内部電極がニッケルを含有する請求項１
   〜７のいずれかのＣＲ複合電子部品。
9. 【請求項９】 誘電体層と内部電極層とを交互に積層し
   てグリーンチップを形成し、 これを焼成してチップ体とし、 このチップ体に第１の電極層を還元性雰囲気で形成した
   後、 少なくとも一方の第１の電極層にクロメート処理で第２
   の電極層を形成し、 さらに第２の電極層に第３の電極層を形成するＣＲ複合
   電子部品の製造方法。
10. 【請求項１０】 誘電体層と内部電極層とを交互に積層
    してグリーンチップを形成し、 これを焼成してチップ体とし、 このチップ体に第１の電極層を還元性雰囲気で形成した
    後、 少なくとも一方の第１の電極層にクロムメッキ処理で第
    ２の電極層を形成し、 さらに第２の電極層に第３の電極層を形成するＣＲ複合
    電子部品の製造方法。
11. 【請求項１１】 前記内部電極層がニッケルを含有する
    請求項９または１０のＣＲ複合電子部品の製造方法。