JPH1140482A - 荷電粒子ビーム直描データ作成方法および描画方法 - Google Patents
荷電粒子ビーム直描データ作成方法および描画方法Info
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- JPH1140482A JPH1140482A JP9195616A JP19561697A JPH1140482A JP H1140482 A JPH1140482 A JP H1140482A JP 9195616 A JP9195616 A JP 9195616A JP 19561697 A JP19561697 A JP 19561697A JP H1140482 A JPH1140482 A JP H1140482A
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- Japan
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- pattern
- data
- mask
- charged particle
- particle beam
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. program control
- H01J37/3023—Program control
- H01J37/3026—Patterning strategy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 荷電粒子ビーム部分一括直描において、部分
一括ショット間でつなぎ合わせの無いパターンの描画を
可能とし描画精度を向上する。 【解決手段】 微細なコンタクトが分割されたパターン
群を、繰り返し単位セル１として設計されているＣＡＤ
データ３から、部分一括マスク用データ２として、前記
繰り返し単位セル１とは異なり、部分一括ショット間で
接続のないパターン４を抽出してマスクを作製する。こ
のマスクを用いて、描画位置をシフトして描画すること
により、描画精度を向上する。
一括ショット間でつなぎ合わせの無いパターンの描画を
可能とし描画精度を向上する。 【解決手段】 微細なコンタクトが分割されたパターン
群を、繰り返し単位セル１として設計されているＣＡＤ
データ３から、部分一括マスク用データ２として、前記
繰り返し単位セル１とは異なり、部分一括ショット間で
接続のないパターン４を抽出してマスクを作製する。こ
のマスクを用いて、描画位置をシフトして描画すること
により、描画精度を向上する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電子線直描に用いる
直描データの作成方法および描画方法に関するものであ
る。
直描データの作成方法および描画方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体の製造ではデバイスの高度
化が進んでおり、微細パターンを半導体ウェハ上に形成
するリソグラフィーにおいては、設計ルールの微細化が
進んでいる。このため、紫外光を用いる光リソグラフィ
ーに変わるリソグラフィー技術として、Ｘ線を用いるＸ
線リソグラフィ一や荷電粒子ビームを用いる荷電粒子ビ
ームリソグラフィーが次世代のリソグラフィ一方法とし
て開発されている。また、半導体の製造には高いスルー
プットが要求されており、これは微細パターンを半導体
ウェハ上に形成するリソグラフィーにおいても例外では
ない。このため、紫外光を用いる光リソグラフィーやＸ
線を用いるＸ線リソグラフィーばかりでなく、荷電粒子
ビームを用いる荷電粒子ビームリソグラフィーにおいて
も、予め所望パターンが形成された光やＸ線用マスク、
レチクルと同等である荷電粒子ビームマスクを使用する
転写法が提案されている。
化が進んでおり、微細パターンを半導体ウェハ上に形成
するリソグラフィーにおいては、設計ルールの微細化が
進んでいる。このため、紫外光を用いる光リソグラフィ
ーに変わるリソグラフィー技術として、Ｘ線を用いるＸ
線リソグラフィ一や荷電粒子ビームを用いる荷電粒子ビ
ームリソグラフィーが次世代のリソグラフィ一方法とし
て開発されている。また、半導体の製造には高いスルー
プットが要求されており、これは微細パターンを半導体
ウェハ上に形成するリソグラフィーにおいても例外では
ない。このため、紫外光を用いる光リソグラフィーやＸ
線を用いるＸ線リソグラフィーばかりでなく、荷電粒子
ビームを用いる荷電粒子ビームリソグラフィーにおいて
も、予め所望パターンが形成された光やＸ線用マスク、
レチクルと同等である荷電粒子ビームマスクを使用する
転写法が提案されている。
【０００３】この転写法で使用する荷電粒子線用部分一
括マスクには、通常、可変成型用の開口とデバイス設計
データから抽出されたコンタクトパターンやLine＆Spac
eパターンの開口が複数個搭載されている。
括マスクには、通常、可変成型用の開口とデバイス設計
データから抽出されたコンタクトパターンやLine＆Spac
eパターンの開口が複数個搭載されている。
【０００４】これらのマスク開口パターンには、通常、
特開平5-13313号公報等に示されるように、設計データ
（ＣＡＤデ一タ）から繰り返し回数の多いストラクチャ
ーがマスクデータとして抽出される。
特開平5-13313号公報等に示されるように、設計データ
（ＣＡＤデ一タ）から繰り返し回数の多いストラクチャ
ーがマスクデータとして抽出される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の部分一括直描用
マスクデータ作成方法により作成されたマスク描画デー
タを用いてマスクを作成し、できたマスクを用いて微小
なパターンを描画すると、ＣＡＤデータ上でパターンが
分割している場合、分割されたパターンを含む繰り返し
単位セル（ストラクチャー）を１つの部分一括ショット
として抽出しているため、部分一括ショット間で位置ず
れやパターンの切断等の形状劣化が生じている。
マスクデータ作成方法により作成されたマスク描画デー
タを用いてマスクを作成し、できたマスクを用いて微小
なパターンを描画すると、ＣＡＤデータ上でパターンが
分割している場合、分割されたパターンを含む繰り返し
単位セル（ストラクチャー）を１つの部分一括ショット
として抽出しているため、部分一括ショット間で位置ず
れやパターンの切断等の形状劣化が生じている。
【０００６】例えば、図５（ａ）に示すようにＤＲＡＭ
のコンタクトホールパターンなどにおいて、設計データ
上、１つのコンタクトを分割した矩形を含んだパターン
群を繰り返し単位セル１（図５（ｃ）参照）としてＣＡ
Ｄデータ３を設計することがある。この場合、図５
（ｂ）に示すように、前記ＣＡＤデータ３より部分一括
マスク２のパターンを抽出する際に、前記繰り返し単位
セル１によってパターン領域を抽出する。従って、部分
一括描画を行う際には、図６に示すように、部分一括シ
ョット間で切断Ｃ、ショットずれＤ等の描画不良が生じ
ている。
のコンタクトホールパターンなどにおいて、設計データ
上、１つのコンタクトを分割した矩形を含んだパターン
群を繰り返し単位セル１（図５（ｃ）参照）としてＣＡ
Ｄデータ３を設計することがある。この場合、図５
（ｂ）に示すように、前記ＣＡＤデータ３より部分一括
マスク２のパターンを抽出する際に、前記繰り返し単位
セル１によってパターン領域を抽出する。従って、部分
一括描画を行う際には、図６に示すように、部分一括シ
ョット間で切断Ｃ、ショットずれＤ等の描画不良が生じ
ている。
【０００７】本発明は、荷電粒子ビーム部分一括直描を
行う場合、部分一括マスクのデータを設計データ上の繰
り返し単位セルにとらわれず抽出法を最適化し、得られ
たマスクを用いて描画する事により、描画精度を向上す
ることを課題とする。
行う場合、部分一括マスクのデータを設計データ上の繰
り返し単位セルにとらわれず抽出法を最適化し、得られ
たマスクを用いて描画する事により、描画精度を向上す
ることを課題とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】微細なコンタクトが分割
されたパターンを含むパターン群を繰り返し単位セルと
してＣＡＤデータが設計されている場合、ＣＡＤで設計
された設計データはそのままにして、設計データから部
分一括マスク用の繰り返しパターンを抽出する際に、設
計データ上の繰り返し単位セル（ストラクチャー）にと
らわれず、微小パターンの発生や、ショット間でのパタ
ーン接続が無いようなパターン群を抽出し、部分一括マ
スクを作成する。次にこのマスクを用いて描画を行う
が、このときマスク上に作り込まれたパターン形状に合
わせて、部分一括ショットの描画上の基準位置（フィー
ルドの中心）からの位置を相対的に変更して描画を行う
ことにより、設計データと同じ位置にパターンを形成す
る。すなわち、ＣＡＤデータ上の繰り返し単位セル（ス
トラクチャー）と異なるパターンで部分一括マスクを作
製することにより、部分一括ショット間にまたがるパタ
ーンを無くし、描画時にショット位置をシフトして描画
することにより、ショット間での描画不良を低減するこ
とができる。
されたパターンを含むパターン群を繰り返し単位セルと
してＣＡＤデータが設計されている場合、ＣＡＤで設計
された設計データはそのままにして、設計データから部
分一括マスク用の繰り返しパターンを抽出する際に、設
計データ上の繰り返し単位セル（ストラクチャー）にと
らわれず、微小パターンの発生や、ショット間でのパタ
ーン接続が無いようなパターン群を抽出し、部分一括マ
スクを作成する。次にこのマスクを用いて描画を行う
が、このときマスク上に作り込まれたパターン形状に合
わせて、部分一括ショットの描画上の基準位置（フィー
ルドの中心）からの位置を相対的に変更して描画を行う
ことにより、設計データと同じ位置にパターンを形成す
る。すなわち、ＣＡＤデータ上の繰り返し単位セル（ス
トラクチャー）と異なるパターンで部分一括マスクを作
製することにより、部分一括ショット間にまたがるパタ
ーンを無くし、描画時にショット位置をシフトして描画
することにより、ショット間での描画不良を低減するこ
とができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明による荷電粒子ビーム直描
データ作成方法は、部分一括荷電粒子ビーム直描に用い
るデータの作成において、設計データから任意のパター
ンを抽出する際に、設計データ上の繰り返し単位セルと
は異なるパターンを抽出し、部分一括マスクデータとす
ることを特徴とする。
データ作成方法は、部分一括荷電粒子ビーム直描に用い
るデータの作成において、設計データから任意のパター
ンを抽出する際に、設計データ上の繰り返し単位セルと
は異なるパターンを抽出し、部分一括マスクデータとす
ることを特徴とする。
【００１０】本発明による他の荷電粒子ビーム直描デー
タ作成方法は、部分一括荷電粒子ビーム直描に用いるデ
ータの作成において、設計データから任意のパターンを
抽出する際に、設計データ上の繰り返し単位セルを複数
含むブロックとは異なるパターンを抽出し、部分一括マ
スクデータとすることを特徴とする。
タ作成方法は、部分一括荷電粒子ビーム直描に用いるデ
ータの作成において、設計データから任意のパターンを
抽出する際に、設計データ上の繰り返し単位セルを複数
含むブロックとは異なるパターンを抽出し、部分一括マ
スクデータとすることを特徴とする。
【００１１】前記任意のパターンの抽出において、パタ
ーン上の図形が所定の寸法以下の場合に、設計データ上
の繰り返し単位セルとは異なるパターンを抽出すること
を特徴とする。
ーン上の図形が所定の寸法以下の場合に、設計データ上
の繰り返し単位セルとは異なるパターンを抽出すること
を特徴とする。
【００１２】本発明による荷電粒子ビーム描画方法は、
前記部分一括マスクデータとして製作した部分一括マス
クを用いて電子線描画を行う際に、マスク上に作り込ま
れたパターン形状に合わせて描画位置をシフトすること
を特徴とする。
前記部分一括マスクデータとして製作した部分一括マス
クを用いて電子線描画を行う際に、マスク上に作り込ま
れたパターン形状に合わせて描画位置をシフトすること
を特徴とする。
【００１３】
【実施例】本発明の実施例について図面を参照して説明
する。
する。
【００１４】（実施例１）図１は本発明の第１の実施例
である部分一括マスクデータ作成方法を示す図である。
である部分一括マスクデータ作成方法を示す図である。
【００１５】図１（ａ）に示すように、微細なコンタク
トが分割されたパターンを含むパターン群を繰り返し単
位セル１としてＣＡＤデータ３が設計されている場合、
図１（ｂ）に示すように、前記ＣＡＤデータ３より部分
一括マスク２のパターンを抽出する際に、前記繰り返し
単位セル１（図１（ｃ）参照）にとらわれず、部分一括
ショット間でコンタクトが分割され、微小矩形が生じる
ことがないようなパターン領域を抽出する。この抽出パ
ターン４（図１（ｄ）参照）はマスクデータにのみ反映
され、設計データ（ＣＡＤデータ）３の繰り返し単位は
変更しない。従って、部分一括描画を行う際には、図２
に示すように、部分一括ショット単位Ａの描画位置をマ
スクパターンに合わせて、設計データ上繰り返し単位Ｂ
の描画位置から相対的にシフトさせて描画する。
トが分割されたパターンを含むパターン群を繰り返し単
位セル１としてＣＡＤデータ３が設計されている場合、
図１（ｂ）に示すように、前記ＣＡＤデータ３より部分
一括マスク２のパターンを抽出する際に、前記繰り返し
単位セル１（図１（ｃ）参照）にとらわれず、部分一括
ショット間でコンタクトが分割され、微小矩形が生じる
ことがないようなパターン領域を抽出する。この抽出パ
ターン４（図１（ｄ）参照）はマスクデータにのみ反映
され、設計データ（ＣＡＤデータ）３の繰り返し単位は
変更しない。従って、部分一括描画を行う際には、図２
に示すように、部分一括ショット単位Ａの描画位置をマ
スクパターンに合わせて、設計データ上繰り返し単位Ｂ
の描画位置から相対的にシフトさせて描画する。
【００１６】（実施例２）図３は本発明の第２の実施例
である部分一括マスクデータ作成方法を示している。
である部分一括マスクデータ作成方法を示している。
【００１７】図３（ａ）に示すように、微細なラインパ
ターンが分割されたパターンを含むパターン群を繰り返
しの単位セル１としてＣＡＤデータ３が設計されている
場合、図３（ｂ）に示すように、前記ＣＡＤデータ３よ
り部分一括マスク２のパターンを抽出する際に、前記繰
り返し単位セル１（図３（ｃ）参照）にとらわれず、部
分一括ショット間でラインパターンが分割され、パター
ンの接続が生じないようなパターン領域を抽出する。こ
の抽出パターン４（図３（ｄ）参照）はマスクデータに
のみ反映され、設計データ（ＣＡＤデータ）３の繰り返
し単位は変更しない。従って、部分一括描画を行う際に
は、図４に示すように、部分一括ショツト単位Ａの描画
位置をマスクパターンに合わせて、設計データ上繰り返
し単位Ｂの描画位置から相対的にシフトさせて描画す
る。
ターンが分割されたパターンを含むパターン群を繰り返
しの単位セル１としてＣＡＤデータ３が設計されている
場合、図３（ｂ）に示すように、前記ＣＡＤデータ３よ
り部分一括マスク２のパターンを抽出する際に、前記繰
り返し単位セル１（図３（ｃ）参照）にとらわれず、部
分一括ショット間でラインパターンが分割され、パター
ンの接続が生じないようなパターン領域を抽出する。こ
の抽出パターン４（図３（ｄ）参照）はマスクデータに
のみ反映され、設計データ（ＣＡＤデータ）３の繰り返
し単位は変更しない。従って、部分一括描画を行う際に
は、図４に示すように、部分一括ショツト単位Ａの描画
位置をマスクパターンに合わせて、設計データ上繰り返
し単位Ｂの描画位置から相対的にシフトさせて描画す
る。
【００１８】上述した実施例では、設計データ上の繰り
返し単位セルとは異なるパターンを抽出し、部分一括マ
スクデータとしているが、設計データ上の繰り返し単位
セルを複数含むブロックとは異なるパターンを抽出し、
部分一括マスクデータとしてもよい。
返し単位セルとは異なるパターンを抽出し、部分一括マ
スクデータとしているが、設計データ上の繰り返し単位
セルを複数含むブロックとは異なるパターンを抽出し、
部分一括マスクデータとしてもよい。
【００１９】なお、設計データから任意のパターンの抽
出において、パターン上の図形（コンタクト、ラインパ
ターン等）が所定の寸法以下の場合に、設計データ上の
繰り返し単位セルとは異なるパターンを抽出することが
望ましい。なぜなら、図形が所定の寸法より大きいと、
分割された図形を含むパターン群を繰り返し単位セルと
して部分一括マスクに抽出して描画を行ってもあまり形
状劣化が生じないからである。
出において、パターン上の図形（コンタクト、ラインパ
ターン等）が所定の寸法以下の場合に、設計データ上の
繰り返し単位セルとは異なるパターンを抽出することが
望ましい。なぜなら、図形が所定の寸法より大きいと、
分割された図形を含むパターン群を繰り返し単位セルと
して部分一括マスクに抽出して描画を行ってもあまり形
状劣化が生じないからである。
【００２０】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので、部分一括ショット間でつなぎ合わせの無い
パターンの描画が可能であり、描画精度を向上すること
ができる。
ているので、部分一括ショット間でつなぎ合わせの無い
パターンの描画が可能であり、描画精度を向上すること
ができる。
【図１】第１の実施例の部分一括マスクデータ作成方法
を説明する図である。
を説明する図である。
【図２】第１の実施例の描画方法を説明する図である。
【図３】第２の実施例の部分一括マスクデータ作成方法
を説明する図である。
を説明する図である。
【図４】第２の実施例の描画方法を説明する図である。
【図５】従来の部分一括マスクデータ作成方法を説明す
る図である。
る図である。
【図６】従来の描画方法を説明する図である。
１ 繰り返し単位セル ２ 部分一括マスタ ３ ＣＡＤデータ（設計データ） ４ 抽出パターン Ａ 部分一括ショット単位 Ｂ 設計データ上繰り返し単位
Claims (4)
- 【請求項１】 部分一括荷電粒子ビーム直描に用いるデ
ータの作成において、設計データから任意のパターンを
抽出する際に、設計データ上の繰り返し単位セルとは異
なるパターンを抽出し、部分一括マスクデータとするこ
とを特徴とする荷電粒子ビーム直描データ作成方法。 - 【請求項２】 部分一括荷電粒子ビーム直描に用いるデ
ータの作成において、設計データから任意のパターンを
抽出する際に、設計データ上の繰り返し単位セルを複数
含むブロックとは異なるパターンを抽出し、部分一括マ
スクデータとすることを特徴とする荷電粒子ビーム直描
データ作成方法。 - 【請求項３】 前記任意のパターンの抽出において、パ
ターン上の図形が所定の寸法以下の場合に、設計データ
上の繰り返し単位セルとは異なるパターンを抽出するこ
とを特徴とする請求項１または２記載の荷電粒子ビーム
直描データ作成方法。 - 【請求項４】 請求項１、２または３記載の部分一括マ
スクデータとして製作した部分一括マスクを用いて電子
線描画を行う際に、マスク上に作り込まれたパターン形
状に合わせて描画位置をシフトすることを特徴とする荷
電粒子ビ一ム描画方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9195616A JPH1140482A (ja) | 1997-07-22 | 1997-07-22 | 荷電粒子ビーム直描データ作成方法および描画方法 |
| US09/118,860 US6192510B1 (en) | 1997-07-22 | 1998-07-20 | Method of preparing a partial one-shot electron beam exposure mask and method of direct-writing patterns by use of a partial one-shot electron beam exposure mask |
| TW087111989A TW387100B (en) | 1997-07-22 | 1998-07-21 | Method of preparing a partial one-shot electron beam exposure mask and method of direct-writing patterns by use of a partial one-shot electron beam exposure mask |
| KR1019980029448A KR100279387B1 (ko) | 1997-07-22 | 1998-07-22 | 부분 원샷 전자빔 노광 마스크를 준비하는 방법 및 부분 원샷전자빔 노광 마스크를 사용하여 패턴을 직접 묘화하는 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9195616A JPH1140482A (ja) | 1997-07-22 | 1997-07-22 | 荷電粒子ビーム直描データ作成方法および描画方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1140482A true JPH1140482A (ja) | 1999-02-12 |
Family
ID=16344138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9195616A Pending JPH1140482A (ja) | 1997-07-22 | 1997-07-22 | 荷電粒子ビーム直描データ作成方法および描画方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6192510B1 (ja) |
| JP (1) | JPH1140482A (ja) |
| KR (1) | KR100279387B1 (ja) |
| TW (1) | TW387100B (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010051381A (ko) * | 1999-11-02 | 2001-06-25 | 히로시 오우라 | 부분 일괄 전사 노광용 마스크 데이터 작성 방법, 및 노광방법 |
| JP2002124450A (ja) * | 2000-10-17 | 2002-04-26 | Nec Corp | 電子線露光装置用露光マスクデータの作成方法および電子線露光装置用露光マスクならびに露光方法 |
| US6415432B1 (en) | 1999-04-21 | 2002-07-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Lithography pattern data generation method, lithography pattern fabrication method and charged particle lithography system |
| US6649920B1 (en) | 1999-05-17 | 2003-11-18 | Nec Electronics Corporation | Cell projection using an electron beam |
| JP2007035803A (ja) * | 2005-07-25 | 2007-02-08 | Sony Corp | マスクパターン作成方法、露光データ作成方法および半導体装置の製造方法 |
| US7301161B2 (en) | 2004-03-19 | 2007-11-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of producing electron beam writing data, program of producing electron beam writing data, and electron beam writing apparatus |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4146059B2 (ja) * | 2000-03-24 | 2008-09-03 | 株式会社東芝 | キャラクタ抽出方法およびコンピュータ読取り可能な記録媒体 |
| JP3785023B2 (ja) * | 2000-06-13 | 2006-06-14 | 株式会社東芝 | 回路パターンの設計方法、露光方法及び荷電粒子ビーム露光システム |
| JP3590373B2 (ja) * | 2000-12-14 | 2004-11-17 | Ｈｏｙａ株式会社 | フォトマスクの製造方法 |
| JP2008010547A (ja) * | 2006-06-28 | 2008-01-17 | Elpida Memory Inc | 電子線描画方法、電子線描画装置、及び電子線描画プログラム |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR900001976B1 (ko) * | 1984-11-01 | 1990-03-30 | 가부시끼가이샤 히다찌세이사꾸쇼 | 다수 개의 패턴 발생기를 포함하는 패턴 검사 장치 |
| EP0653679B1 (en) * | 1989-04-28 | 2002-08-21 | Fujitsu Limited | Mask, mask producing method and pattern forming method using mask |
| EP1293833A1 (en) * | 1991-08-22 | 2003-03-19 | Nikon Corporation | High resolution printing technique by using a mask pattern adapted to the technique |
| US5646870A (en) * | 1995-02-13 | 1997-07-08 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for setting and adjusting process parameters to maintain acceptable critical dimensions across each die of mass-produced semiconductor wafers |
| JP3518097B2 (ja) * | 1995-09-29 | 2004-04-12 | 株式会社ニコン | 荷電粒子線転写装置，パターン分割方法，マスクおよび荷電粒子線転写方法 |
| JP3474740B2 (ja) * | 1997-03-25 | 2003-12-08 | 株式会社東芝 | フォトマスクの設計方法 |
-
1997
- 1997-07-22 JP JP9195616A patent/JPH1140482A/ja active Pending
-
1998
- 1998-07-20 US US09/118,860 patent/US6192510B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-07-21 TW TW087111989A patent/TW387100B/zh active
- 1998-07-22 KR KR1019980029448A patent/KR100279387B1/ko not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6415432B1 (en) | 1999-04-21 | 2002-07-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Lithography pattern data generation method, lithography pattern fabrication method and charged particle lithography system |
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