JPH1140703A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH1140703A JPH1140703A JP20868797A JP20868797A JPH1140703A JP H1140703 A JPH1140703 A JP H1140703A JP 20868797 A JP20868797 A JP 20868797A JP 20868797 A JP20868797 A JP 20868797A JP H1140703 A JPH1140703 A JP H1140703A
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- Japan
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- silicone gel
- semiconductor device
- semiconductor
- semiconductor element
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Silicon Polymers (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ヒートサイクル時の気泡や亀裂の生成が抑制
されたシリコーンゲルにより半導体素子を封止もしくは
充填している、優れた信頼性を有する半導体装置を提供
する。 【解決手段】 ケース内の半導体素子をシリコーンゲル
により封止もしくは充填している半導体装置であって、
該シリコーンゲルの２５℃、せん断周波数０.１Hzにお
ける損失弾性率が１.０×１０3〜１.０×１０5dyne／cm
2であり、かつ、複素弾性率が１.０×１０6dyne／cm2以
下であることを特徴とする半導体装置。
されたシリコーンゲルにより半導体素子を封止もしくは
充填している、優れた信頼性を有する半導体装置を提供
する。 【解決手段】 ケース内の半導体素子をシリコーンゲル
により封止もしくは充填している半導体装置であって、
該シリコーンゲルの２５℃、せん断周波数０.１Hzにお
ける損失弾性率が１.０×１０3〜１.０×１０5dyne／cm
2であり、かつ、複素弾性率が１.０×１０6dyne／cm2以
下であることを特徴とする半導体装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ケース内の半導体
素子をシリコーンゲルにより封止もしくは充填している
半導体装置に関し、詳しくは、ヒートサイクル時の気泡
や亀裂の生成が抑制されたシリコーンゲルにより半導体
素子を封止もしくは充填している、優れた信頼性を有す
る半導体装置に関する。
素子をシリコーンゲルにより封止もしくは充填している
半導体装置に関し、詳しくは、ヒートサイクル時の気泡
や亀裂の生成が抑制されたシリコーンゲルにより半導体
素子を封止もしくは充填している、優れた信頼性を有す
る半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子を主要な構成部品とする半導
体装置は、一般に、外部からの機械的応力から該素子を
保護するために、該素子がケース内に設置されており、
さらに、外部からの振動を緩和して、湿気を遮断するた
めに該素子がシリコーンゲルにより封止もしくは充填さ
れている(特開昭６１−４８９４５号公報、特開昭６２
−１０４１４５号公報、および特開平８−４６０９３号
公報参照)。
体装置は、一般に、外部からの機械的応力から該素子を
保護するために、該素子がケース内に設置されており、
さらに、外部からの振動を緩和して、湿気を遮断するた
めに該素子がシリコーンゲルにより封止もしくは充填さ
れている(特開昭６１−４８９４５号公報、特開昭６２
−１０４１４５号公報、および特開平８−４６０９３号
公報参照)。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ケース内の半
導体素子をシリコーンゲルにより封止もしくは充填して
いる半導体装置がヒートサイクルを受けた場合には、該
シリコーンゲル中に気泡や亀裂が生成して、該半導体装
置の信頼性が低下するという問題があった。そして、こ
の問題は、複数の電気素子を１つの基板内に組み込んだ
ようなモジュールにおいて、特に顕著であった。
導体素子をシリコーンゲルにより封止もしくは充填して
いる半導体装置がヒートサイクルを受けた場合には、該
シリコーンゲル中に気泡や亀裂が生成して、該半導体装
置の信頼性が低下するという問題があった。そして、こ
の問題は、複数の電気素子を１つの基板内に組み込んだ
ようなモジュールにおいて、特に顕著であった。
【０００４】本発明者らは、上記の課題を解決するため
鋭意検討した結果、本発明に到達した。すなわち、本発
明の目的は、ヒートサイクル時の気泡や亀裂の生成が抑
制されたシリコーンゲルにより半導体素子を封止もしく
は充填している、優れた信頼性を有する半導体装置を提
供することにある。
鋭意検討した結果、本発明に到達した。すなわち、本発
明の目的は、ヒートサイクル時の気泡や亀裂の生成が抑
制されたシリコーンゲルにより半導体素子を封止もしく
は充填している、優れた信頼性を有する半導体装置を提
供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、ケース内の半
導体素子をシリコーンゲルにより封止もしくは充填して
いる半導体装置であって、該シリコーンゲルの２５℃、
せん断周波数０.１Hzにおける損失弾性率が１.０×１０
3〜１.０×１０5dyne／cm2であり、かつ、複素弾性率が
１.０×１０6dyne／cm2以下であることを特徴とする半
導体装置に関する。
導体素子をシリコーンゲルにより封止もしくは充填して
いる半導体装置であって、該シリコーンゲルの２５℃、
せん断周波数０.１Hzにおける損失弾性率が１.０×１０
3〜１.０×１０5dyne／cm2であり、かつ、複素弾性率が
１.０×１０6dyne／cm2以下であることを特徴とする半
導体装置に関する。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の半導体装置を詳細に説明
する。本発明の半導体装置は、ケース内の半導体素子を
シリコーンゲルにより封止もしくは充填している半導体
装置である。このような半導体素子としては、ＩＣ、ハ
イブリッドＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子；このような半
導体素子、コンデンサ、電気抵抗器等の電気素子を実装
した電気回路やモジュール；１Ｗ以上の電力を扱えるパ
ワーＩＣ；静電誘導トランジスタ(ＳＩＴ：Ｓtatic Ｉ
nduction Ｔransistor)、ＭＯＳ型(パワーＭＯＳＦＥ
Ｔ)、ＭＯＳ型とバイポーラ型を組み合わせたＩＧＢＴ
(Ｉnsulated Ｇate Ｂipolar Ｔransistor)、ショッ
トキバリアゲート型化合物(ＧａＡｓ)ＦＥＴ等のパワー
トランジスタ；パワー半導体素子が例示される。また、
このような半導体素子を保護するためのケースとして
は、金属製のものや、プラスチック製のものが例示され
る。このような本発明の半導体装置としては、電極と電
極、電気素子と電気素子、電気素子とケース等の隙間が
狭いものや、これらの構造がこのシリコーンゲルの膨張
・収縮に追随しにくい構造を有するものが例示される。
このような構造を有する半導体装置においても、これが
ヒートサイクルを受けた場合でも半導体素子を封止もし
くは充填しているシリコーンゲル中の気泡や亀裂の生成
が抑制されているという特徴がある。このような半導体
装置としては、例えば、ＩＣ、ハイブリッドＩＣ、ＬＳ
Ｉ等の半導体素子、コンデンサ、電気抵抗器等の電気素
子を実装した電気回路やモジュールをシリコーンゲルに
より封止もしくは充填している、ＯＡ、情報、自動車、
家電、ＦＡ等の分野で使用される各種モータ制御用パワ
ーＩＣ、電源分野で２００ＶラインオペレートパワーＩ
Ｃ、自動車分野でのランプ／ソレノイドドライブ用ハイ
サイドスイッチ等のパワーＩＣ、複数個のパワー半導体
素子を１つのパッケージに組み込んで、電流容量を大き
くしたパワーモジュール、自動車用のイグナイターやレ
ギュレータが挙げられ、特に、パワーモジュールが好適
である。
する。本発明の半導体装置は、ケース内の半導体素子を
シリコーンゲルにより封止もしくは充填している半導体
装置である。このような半導体素子としては、ＩＣ、ハ
イブリッドＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子；このような半
導体素子、コンデンサ、電気抵抗器等の電気素子を実装
した電気回路やモジュール；１Ｗ以上の電力を扱えるパ
ワーＩＣ；静電誘導トランジスタ(ＳＩＴ：Ｓtatic Ｉ
nduction Ｔransistor)、ＭＯＳ型(パワーＭＯＳＦＥ
Ｔ)、ＭＯＳ型とバイポーラ型を組み合わせたＩＧＢＴ
(Ｉnsulated Ｇate Ｂipolar Ｔransistor)、ショッ
トキバリアゲート型化合物(ＧａＡｓ)ＦＥＴ等のパワー
トランジスタ；パワー半導体素子が例示される。また、
このような半導体素子を保護するためのケースとして
は、金属製のものや、プラスチック製のものが例示され
る。このような本発明の半導体装置としては、電極と電
極、電気素子と電気素子、電気素子とケース等の隙間が
狭いものや、これらの構造がこのシリコーンゲルの膨張
・収縮に追随しにくい構造を有するものが例示される。
このような構造を有する半導体装置においても、これが
ヒートサイクルを受けた場合でも半導体素子を封止もし
くは充填しているシリコーンゲル中の気泡や亀裂の生成
が抑制されているという特徴がある。このような半導体
装置としては、例えば、ＩＣ、ハイブリッドＩＣ、ＬＳ
Ｉ等の半導体素子、コンデンサ、電気抵抗器等の電気素
子を実装した電気回路やモジュールをシリコーンゲルに
より封止もしくは充填している、ＯＡ、情報、自動車、
家電、ＦＡ等の分野で使用される各種モータ制御用パワ
ーＩＣ、電源分野で２００ＶラインオペレートパワーＩ
Ｃ、自動車分野でのランプ／ソレノイドドライブ用ハイ
サイドスイッチ等のパワーＩＣ、複数個のパワー半導体
素子を１つのパッケージに組み込んで、電流容量を大き
くしたパワーモジュール、自動車用のイグナイターやレ
ギュレータが挙げられ、特に、パワーモジュールが好適
である。
【０００７】本発明の半導体装置においては、半導体素
子を封止もしくは充填しているシリコーンゲルの２５
℃、せん断周波数０.１Hzにおける損失弾性率が１.０×
１０3〜１.０×１０5dyne／cm2であり、かつ、複素弾性
率が１.０×１０6dyne／cm2以下であることを特徴とし
ており、特に、このシリコーンゲルの２５℃、せん断周
波数０.１Hzにおける損失弾性率が３.０×１０3〜３.０
×１０4dyne／cm2であり、かつ、この複素弾性率が１.
０×１０5dyne／cm2以下であることことが好ましい。こ
れは、このような範囲の損失弾性率および複素弾性率を
有するシリコーンゲルにより半導体素子を封止もしくは
充填している半導体装置は、これがヒートサイクルを受
けても、該シリコーンゲル中の気泡や亀裂の形成が抑制
されているので、絶縁破壊強さ等の電気特性の低下がな
く、信頼性が優れるためである。
子を封止もしくは充填しているシリコーンゲルの２５
℃、せん断周波数０.１Hzにおける損失弾性率が１.０×
１０3〜１.０×１０5dyne／cm2であり、かつ、複素弾性
率が１.０×１０6dyne／cm2以下であることを特徴とし
ており、特に、このシリコーンゲルの２５℃、せん断周
波数０.１Hzにおける損失弾性率が３.０×１０3〜３.０
×１０4dyne／cm2であり、かつ、この複素弾性率が１.
０×１０5dyne／cm2以下であることことが好ましい。こ
れは、このような範囲の損失弾性率および複素弾性率を
有するシリコーンゲルにより半導体素子を封止もしくは
充填している半導体装置は、これがヒートサイクルを受
けても、該シリコーンゲル中の気泡や亀裂の形成が抑制
されているので、絶縁破壊強さ等の電気特性の低下がな
く、信頼性が優れるためである。
【０００８】このようなシリコーンゲルを形成するため
のシリコーンゲル組成物としては、例えば、アルケニル
基含有オルガノポリシロキサン、ケイ素原子結合水素原
子含有オルガノポリシロキサン、およびヒドロシリル化
反応用触媒からなるヒドロシリル化反応硬化型シリコー
ンゲル組成物、シラノール基またはケイ素原子結合アル
コキシ基含有オルガノポリシロキサン、ケイ素原子結合
アルコキシ基含有シラン、および縮合反応用触媒からな
る脱アルコール縮合反応硬化型シリコーンゲル組成物、
アクリル官能性基含有オルガノポリシロキサンを主成分
とする紫外線硬化型シリコーンゲル組成物が挙げられ、
比較的速やかに全体が硬化することから、ヒドロシリル
化反応硬化型シリコーンゲル組成物であることが好まし
い。
のシリコーンゲル組成物としては、例えば、アルケニル
基含有オルガノポリシロキサン、ケイ素原子結合水素原
子含有オルガノポリシロキサン、およびヒドロシリル化
反応用触媒からなるヒドロシリル化反応硬化型シリコー
ンゲル組成物、シラノール基またはケイ素原子結合アル
コキシ基含有オルガノポリシロキサン、ケイ素原子結合
アルコキシ基含有シラン、および縮合反応用触媒からな
る脱アルコール縮合反応硬化型シリコーンゲル組成物、
アクリル官能性基含有オルガノポリシロキサンを主成分
とする紫外線硬化型シリコーンゲル組成物が挙げられ、
比較的速やかに全体が硬化することから、ヒドロシリル
化反応硬化型シリコーンゲル組成物であることが好まし
い。
【０００９】半導体素子を封止もしくは充填しているシ
リコーンゲルの２５℃、せん断周波数０.１Hzにおける
損失弾性率および複素弾性率は、例えば、このシリコー
ンゲルを厚さ５〜６mm、直径２０mmの円形プレート状に
調整した後、これを動的粘弾性測定装置により測定する
ことにより求められる。
リコーンゲルの２５℃、せん断周波数０.１Hzにおける
損失弾性率および複素弾性率は、例えば、このシリコー
ンゲルを厚さ５〜６mm、直径２０mmの円形プレート状に
調整した後、これを動的粘弾性測定装置により測定する
ことにより求められる。
【００１０】また、本発明の半導体装置において、半導
体素子を封止もしくは充填しているシリコーンゲルのＪ
ＩＳ Ｋ ２２２０に規定される１／４ちょう度は２０
〜８０の範囲内であることが好ましい。これは、この１
／４ちょう度がこの範囲内であるようなシリコーンゲル
が繰り返しのヒートサイクルや振動を受けても、該シリ
コーンゲル中に気泡や亀裂の生成が著しく抑制されるか
らである。
体素子を封止もしくは充填しているシリコーンゲルのＪ
ＩＳ Ｋ ２２２０に規定される１／４ちょう度は２０
〜８０の範囲内であることが好ましい。これは、この１
／４ちょう度がこの範囲内であるようなシリコーンゲル
が繰り返しのヒートサイクルや振動を受けても、該シリ
コーンゲル中に気泡や亀裂の生成が著しく抑制されるか
らである。
【００１１】本発明の半導体装置を調製する方法は限定
されず、例えば、半導体素子を設置したケース内にシリ
コーンゲル組成物を注入した後、該組成物を加熱した
り、室温で放置したり、紫外線を照射することにより硬
化させる方法が挙げられ、特に、比較的速やかに全体が
硬化することから、該組成物としてヒドロシリル化反応
硬化型のものを用いて、加熱により硬化させることがが
好ましい。この際には、加熱温度が高くなると、半導体
素子を封止もしくは充填しているシリコーンゲル中に気
泡や亀裂が生成しやすくなる傾向があるので、５０〜２
５０℃の範囲内に加熱することが好ましく、特に、７０
〜１３０℃の範囲内に加熱することが好ましい。
されず、例えば、半導体素子を設置したケース内にシリ
コーンゲル組成物を注入した後、該組成物を加熱した
り、室温で放置したり、紫外線を照射することにより硬
化させる方法が挙げられ、特に、比較的速やかに全体が
硬化することから、該組成物としてヒドロシリル化反応
硬化型のものを用いて、加熱により硬化させることがが
好ましい。この際には、加熱温度が高くなると、半導体
素子を封止もしくは充填しているシリコーンゲル中に気
泡や亀裂が生成しやすくなる傾向があるので、５０〜２
５０℃の範囲内に加熱することが好ましく、特に、７０
〜１３０℃の範囲内に加熱することが好ましい。
【００１２】
【実施例】本発明の半導体装置を実施例により詳細に説
明する。なお、実施例中の特性は２５℃において測定し
た値であり、シリコーンゲルの特性は次のようにして測
定した。 ［シリコーンゲルの損失弾性率および複素弾性率］ヒド
ロシリル化反応硬化型のシリコーンゲル組成物を１２５
℃で１時間加熱することにより、厚さ５〜６mm、直径２
０mmの円形プレート状のシリコーンゲルを作成した。こ
のシリコーンゲルの２５℃、せん断周波数０.１Hzにお
ける損失弾性率および複素弾性率をレオメトリック社製
の動的粘弾性測定装置（商品名：ダイナミックアナライ
ザーＡＲＥＳ）により測定した。 ［シリコーンゲルの１／４ちょう度］５０mlのガラスビ
ーカーにヒドロシリル化反応硬化型のシリコーンゲル組
成物を静かに注いだ後、１２５℃で１時間加熱すること
によりシリコーンゲルを作成した。このシリコーンゲル
の１／４ちょう度をＪＩＳ Ｋ ２２２０に規定の方法
により測定した。
明する。なお、実施例中の特性は２５℃において測定し
た値であり、シリコーンゲルの特性は次のようにして測
定した。 ［シリコーンゲルの損失弾性率および複素弾性率］ヒド
ロシリル化反応硬化型のシリコーンゲル組成物を１２５
℃で１時間加熱することにより、厚さ５〜６mm、直径２
０mmの円形プレート状のシリコーンゲルを作成した。こ
のシリコーンゲルの２５℃、せん断周波数０.１Hzにお
ける損失弾性率および複素弾性率をレオメトリック社製
の動的粘弾性測定装置（商品名：ダイナミックアナライ
ザーＡＲＥＳ）により測定した。 ［シリコーンゲルの１／４ちょう度］５０mlのガラスビ
ーカーにヒドロシリル化反応硬化型のシリコーンゲル組
成物を静かに注いだ後、１２５℃で１時間加熱すること
によりシリコーンゲルを作成した。このシリコーンゲル
の１／４ちょう度をＪＩＳ Ｋ ２２２０に規定の方法
により測定した。
【００１３】［実施例１〜７・比較例１〜４］各種の１
／４ちょう度、損失弾性率、および複素弾性率を有する
シリコーンゲルを形成することができるヒドロシリル化
反応硬化型のシリコーンゲル組成物を用いて図１で表さ
れる半導体装置を作成した。すなわち、この半導体装置
は、半導体素子(ＩＧＢＴ)１が、銅製回路配線２を設け
たセラミック製基板３上に接着剤により載置され、この
回路配線２とボンディングワイヤにより電気的に接続さ
れている。このセラミック製基板３上の回路配線２には
外部接続端子４が設けられており、また、半導体素子１
以外の電気抵抗器やコンデンサ等の各種電気素子が実装
されている。この半導体素子１および各種の電気素子を
実装したセラミック製基板３は、ポリエチレンテレフタ
レート（ＰＥＴ）等のプラスチック製のケース５内に接
着剤により固定されている。
／４ちょう度、損失弾性率、および複素弾性率を有する
シリコーンゲルを形成することができるヒドロシリル化
反応硬化型のシリコーンゲル組成物を用いて図１で表さ
れる半導体装置を作成した。すなわち、この半導体装置
は、半導体素子(ＩＧＢＴ)１が、銅製回路配線２を設け
たセラミック製基板３上に接着剤により載置され、この
回路配線２とボンディングワイヤにより電気的に接続さ
れている。このセラミック製基板３上の回路配線２には
外部接続端子４が設けられており、また、半導体素子１
以外の電気抵抗器やコンデンサ等の各種電気素子が実装
されている。この半導体素子１および各種の電気素子を
実装したセラミック製基板３は、ポリエチレンテレフタ
レート（ＰＥＴ）等のプラスチック製のケース５内に接
着剤により固定されている。
【００１４】この半導体素子１を設置したケース５の内
部にヒドロシリル化反応硬化型のシリコーンゲル組成物
を静かに注ぎ込んだ。その後、この半導体装置ごと、室
温、５mmHg以下の条件で１０分間減圧脱泡した後、これ
を１２５℃のオーブン中で１時間加熱することにより、
このシリコーンゲル組成物をを硬化させてシリコーンゲ
ル６を形成した。
部にヒドロシリル化反応硬化型のシリコーンゲル組成物
を静かに注ぎ込んだ。その後、この半導体装置ごと、室
温、５mmHg以下の条件で１０分間減圧脱泡した後、これ
を１２５℃のオーブン中で１時間加熱することにより、
このシリコーンゲル組成物をを硬化させてシリコーンゲ
ル６を形成した。
【００１５】このようにして調製した各々５個の半導体
装置について、−４０℃で１時間、１２５℃で１時間を
１サイクルとするヒートサイクル試験を行った。５００
サイクル後のシリコーンゲルの外観（気泡・亀裂の有無
および程度）、および外部接続端子４を用いた絶縁破壊
強さ（毎秒１kVの割合で昇圧）を測定した。これらの測
定結果を表１に示した。なお、表中のシリコーンゲルの
外観はそれぞれ、 Ａ：気泡・亀裂の生成が全くない、 Ｂ：気泡・亀裂が生成し、その大きさが１０mm未満であ
る、 Ｃ：気泡・亀裂が生成し、その大きさが１０〜３０mmで
ある、 Ｄ：気泡・亀裂が生成し、その大きさが３０mm以上であ
る、 を示している。また、表中の半導体装置の不良率は、半
導体装置５個中の絶縁破壊強さが５KV／mm以下である半
導体装置の個数を示している。
装置について、−４０℃で１時間、１２５℃で１時間を
１サイクルとするヒートサイクル試験を行った。５００
サイクル後のシリコーンゲルの外観（気泡・亀裂の有無
および程度）、および外部接続端子４を用いた絶縁破壊
強さ（毎秒１kVの割合で昇圧）を測定した。これらの測
定結果を表１に示した。なお、表中のシリコーンゲルの
外観はそれぞれ、 Ａ：気泡・亀裂の生成が全くない、 Ｂ：気泡・亀裂が生成し、その大きさが１０mm未満であ
る、 Ｃ：気泡・亀裂が生成し、その大きさが１０〜３０mmで
ある、 Ｄ：気泡・亀裂が生成し、その大きさが３０mm以上であ
る、 を示している。また、表中の半導体装置の不良率は、半
導体装置５個中の絶縁破壊強さが５KV／mm以下である半
導体装置の個数を示している。
【００１６】
【表１】
【００１７】
【発明の効果】本発明の半導体装置は、半導体素子を封
止もしくは充填しているシリコーンゲルの２５℃、せん
断周波数０.１Hzにおける損失弾性率が１.０×１０3〜
１.０×１０5dyne／cm2であり、かつ、複素弾性率が１.
０×１０6dyne／cm2以下であるので、ヒートサイクルを
受けた場合でも、該シリコーンゲル中の気泡や亀裂の生
成が抑制され、信頼性が優れるという特徴がある。
止もしくは充填しているシリコーンゲルの２５℃、せん
断周波数０.１Hzにおける損失弾性率が１.０×１０3〜
１.０×１０5dyne／cm2であり、かつ、複素弾性率が１.
０×１０6dyne／cm2以下であるので、ヒートサイクルを
受けた場合でも、該シリコーンゲル中の気泡や亀裂の生
成が抑制され、信頼性が優れるという特徴がある。
【図１】 図１は、本発明の一例であり、実施例で用い
た半導体装置の断面図である。
た半導体装置の断面図である。
【図２】 図２は、半導体素子を封止もしくは充填して
いるシリコーンゲル中に気泡矢や亀裂が生成した半導体
装置の断面図である。
いるシリコーンゲル中に気泡矢や亀裂が生成した半導体
装置の断面図である。
１ 半導体素子(ＩＧＢＴ) ２ 銅製回路配線 ３ セラミック製基板 ４ 外部取出端子 ５ プラスチック製ケース ６ シリコーンゲル ７ シリコーンゲル中に生成した気泡や亀裂
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中村 昭宏 千葉県市原市千種海岸２番２ 東レ・ダウ コーニング・シリコーン株式会社研究開発 本部内
Claims (3)
- 【請求項１】 ケース内の半導体素子をシリコーンゲル
により封止もしくは充填している半導体装置であって、
該シリコーンゲルの２５℃、せん断周波数０.１Hzにお
ける損失弾性率が１.０×１０3〜１.０×１０5dyne／cm
2であり、かつ、複素弾性率が１.０×１０6dyne／cm2以
下であることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 シリコーンゲルのＪＩＳ Ｋ ２２２０
に規定される１／４ちょう度が２０〜８０であることを
特徴とする、請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 半導体装置がパワーモジュールであるこ
とを特徴とする、請求項１記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20868797A JP3822321B2 (ja) | 1997-07-17 | 1997-07-17 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20868797A JP3822321B2 (ja) | 1997-07-17 | 1997-07-17 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1140703A true JPH1140703A (ja) | 1999-02-12 |
| JP3822321B2 JP3822321B2 (ja) | 2006-09-20 |
Family
ID=16560418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20868797A Expired - Lifetime JP3822321B2 (ja) | 1997-07-17 | 1997-07-17 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3822321B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015111409A1 (en) * | 2014-01-27 | 2015-07-30 | Dow Corning Toray Co., Ltd. | Silicone gel composition |
| WO2017090267A1 (ja) * | 2015-11-27 | 2017-06-01 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
| JP2020178011A (ja) * | 2019-04-17 | 2020-10-29 | アルプスアルパイン株式会社 | 電子機器および製造方法 |
-
1997
- 1997-07-17 JP JP20868797A patent/JP3822321B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US10155852B2 (en) | 2014-01-27 | 2018-12-18 | Dow Corning Toray Co., Ltd. | Silicone gel composition |
| WO2017090267A1 (ja) * | 2015-11-27 | 2017-06-01 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
| DE112016005409T5 (de) | 2015-11-27 | 2018-08-09 | Mitsubishi Electric Corporation | Leistungs-halbleitereinrichtung |
| JPWO2017090267A1 (ja) * | 2015-11-27 | 2018-08-30 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
| US10461045B2 (en) | 2015-11-27 | 2019-10-29 | Mitsubishi Electric Corporation | Power semiconductor device |
| DE112016005409B4 (de) * | 2015-11-27 | 2025-05-15 | Mitsubishi Electric Corporation | Leistungs-halbleitereinrichtung |
| JP2020178011A (ja) * | 2019-04-17 | 2020-10-29 | アルプスアルパイン株式会社 | 電子機器および製造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3822321B2 (ja) | 2006-09-20 |
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